JP2004185676A - トンネル磁気抵抗効果ヘッドおよび磁気ディスク装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】抵抗値の温度勾配がフラットであり広い温度領域で安定したMR変化率を得ることができるトンネル磁気抵抗効果ヘッドを提供する。
【解決手段】フリー層と、ピンド層と、フリー層とピンド層との間に挟まれたトンネルバリア層とを有し、抵抗値の温度係数TCが−0.02%/℃<TC<0であるトンネル磁気抵抗効果ヘッド。
【選択図】 図1
【解決手段】フリー層と、ピンド層と、フリー層とピンド層との間に挟まれたトンネルバリア層とを有し、抵抗値の温度係数TCが−0.02%/℃<TC<0であるトンネル磁気抵抗効果ヘッド。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、抵抗値の温度勾配がフラットなトンネル磁気抵抗効果ヘッドおよびそれを装備した磁気ディスク装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、磁気ディスク装置においては、磁気抵抗効果を利用して、磁気記録媒体に記録された情報信号を読みとる磁気抵抗効果型磁気ヘッドが広く用いられている。
【0003】
上述した磁気ヘッドは磁気ディスク装置の記録密度の向上に伴い、異方性磁気抵抗効果(AMR: Anisotropic Magneto−Resistive Effect)を用いたMRヘッドから巨大磁気抵抗効果(GMR: Giant Magneto−Resistive Effect)を用いたGMRヘッドへと変革を遂げてきた。
【0004】
しかし、近年のヘッドの微細化に伴い、感度の急激な低下が問題となってきており、GMRヘッドにも限界が見え始めている。その打開策として、新たにトンネル磁気抵抗効果(TMR: Tunneling Magneto−Resistive Effect)を利用したTMRヘッドが提案されている。TMRヘッドに関する従来例は米国特許第5,729,410号明細書、米国特許第5,898,547号明細書などに記載されている。
【0005】
TMR素子において磁気抵抗効果が生じる原理は以下の通りである。TMR素子の膜面垂直方向に通電すると、トンネルバリア層内に一方の強磁性層から他方の強磁性層に向かってトンネル電流が流れる。TMR素子に含まれるフリー層の磁化方向は外部磁界に応じて膜面内で変化するので、ピンド層の磁化方向との相対角度に依存してトンネル電流のコンダクタンスが変化し、磁気抵抗効果が生じる。
【0006】
TMRヘッドはセンス電流が膜面垂直方向に通電されるため、感度が素子サイズに依存しないという利点がある。また、ピンド層とフリー層との間の極薄トンネルバリア層の存在により、高MR変化率を得ることができる。また、2つの強磁性層の磁化の分極率からMR変化率を理論的に算出することができる。TMRヘッドは、これらの理由によって注目を集めている。
【0007】
しかしながら、TMRヘッドはトンネルバリア層の存在により、抵抗が高いという問題を抱えている。抵抗が高いと、配線およびプリアンプとともにローパスフィルター回路を形成し、カットオフ周波数にリミットが生じる。また、TMRヘッドには電子の運動がランダムであることに由来するショットノイズが存在する。ショットノイズは抵抗値に比例して増大するので、抵抗が高いとノイズが増大し、S/Nが低下する。以上のような理由により、TMRヘッドでは、素子抵抗をいかにして低減するかが大きな課題である。
【0008】
また、TMRヘッドは、トンネルバリア層の存在により、GMRヘッドと大きく異なる特性を示す。その一つとして、抵抗値の温度依存性が挙げられる。GMRヘッドは電流パスが金属であるため、抵抗の温度係数TCは正の値を示す。一方、TMRヘッドは電流パスに誘電体からなるトンネルバリア層が存在し、トンネル電流が流れるため、抵抗の温度係数TCは負の値を示す。極性の違いはあるが、GMRヘッドでもTMRヘッドでも、温度に対して抵抗値が変化するため、安定したMR変化率が得られる使用温度領域が制限される。
【0009】
【特許文献1】
米国特許第5,729,410号明細書
【0010】
【特許文献2】
米国特許第5,898,547号明細書
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、抵抗値の温度勾配がフラットなトンネル磁気抵抗効果ヘッドおよびそれを装備した磁気ディスク装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様に係るトンネル磁気抵抗効果ヘッドは、フリー層と、ピンド層と、フリー層とピンド層との間に挟まれたトンネルバリア層とを有し、抵抗値の温度係数TCが−0.02%/℃<TC<0であることを特徴とする。
【0013】
本発明に係るトンネル磁気抵抗効果ヘッドは、ブレークダウン時の抵抗値の劣化挙動が0.1mAあたり100Ω以下であることが好ましい。
【0014】
本発明の他の態様に係る磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、上述したトンネル磁気抵抗効果ヘッドと、トンネル磁気抵抗効果ヘッドからの信号を処理する信号処理系とを有することを特徴とする。
【0015】
本発明に係る磁気ディスク装置において、前記信号処理系はプリアンプを含み、前記プリアンプのインピーダンスは前記トンネル磁気抵抗効果ヘッドの抵抗と略同等であることが好ましい。また、前記プリアンプはサスペンション上に実装され、プリアンプからトンネル磁気抵抗効果ヘッドまでの伝送系の長さが3cm以下に設定されていることが好ましい。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態に係るトンネル磁気抵抗効果ヘッドは、フリー層と、ピンド層と、フリー層とピンド層との間に挟まれたトンネルバリア層とを有し、抵抗値の温度係数TCが−0.02%/℃<TC<0である。
【0017】
本発明の実施形態において用いられるトンネルバリア層は、誘電体を主成分とするが、金属的なピンホールを含んでいる。上述したように、誘電体からなるトンネルバリア層を含むTMRヘッドは、本来的には、抵抗の温度係数TCは負の値を示す。一方、金属的なピンホールは、抵抗の温度係数TCが正の値を示す。このため、金属的なピンホールを含む誘電体からなるトンネルバリア層を有するTMRヘッドでは、抵抗値の温度勾配をゼロに近づけることができ、温度変化に対して抵抗がほとんど変化しなくなり、広い温度領域で安定したMR変化率を得ることができる。また、トンネルバリア層がピンホールを含んでいるので、抵抗の絶対値を容易に抑えることができ、周波数特性の向上およびノイズの低減も達成することができる。
【0018】
以下、図面を参照しながら本実施例について説明する。
【0019】
図1は本発明の一実施形態に係るTMRヘッドを媒体対向面から見た平面図である。このTMRヘッド10は、図示しない基板上に、第1シールド層11、第1電極層12、ピン止め層13、ピンド層14、トンネルバリア層15、フリー層16、第2電極層17、第2シールド層18の順に積層されている。また、第1電極層12/ピン止め層13/ピンド層14/トンネルバリア層15/フリー層16/第2電極層17の積層体の両側面には、セパレーター層19、19を介して磁気バイアス層20,20が形成されている。
【0020】
なお、図1のTMRヘッドは、基板側にピンド層14が形成され、その上にトンネルバリア層15を介してフリー層16が形成されたボトム型である。しかし、基板側にフリー層が形成され、その上にトンネルバリア層を介してピンド層が形成されたトップ型のTMRヘッドを用いてもよい。
【0021】
トンネルバリア層15はトンネル磁気抵抗効果を生させる材料であれば特に限定されないが、Alを主成分とする酸化物材料であることが好ましい。
【0022】
フリー層16やピンド層14を構成する材料は、高いTMR変化率が得られる高スピン分極材料が好ましい。具体的には、Fe、Co、Ni、FeCo、NiFe、CoZrNb、FeCoNiなどが用いられる。これらは2層以上の積層体であってもよい。
【0023】
ピンド層14は2層の強磁性層間にRuなどの非磁性中間層を挟み、反強磁性的交換結合により磁化を安定化させたシンセティックフェリ構造を有するものでもよい。
【0024】
ピンド層13の磁化をピン止めするピン止め層14は、ピン止め機能を果たすものであれば特に限定されないが、通常、反強磁性材料が用いられる。
【0025】
第1シールド層11および第2シールド層18の材料は、導電性を有する軟磁性材料、たとえばNiFe、FeSiAl、アモルファスCoZrNbなどが挙げられる。
【0026】
第1電極層12および第2電極層17の材料としては、導電性非磁性材料、たとえばCu、Ta、Cr、Ti、Wなどが挙げられる。
【0027】
磁気バイアス層20、20は、フリー層16にバイアス磁界を印加してバルクハウゼンノイズを抑制する作用を有し、硬磁性材料または反強磁性材料で形成することができる。
【0028】
セパレーター層19は、磁気バイアス層20、20へのセンス電流のリークを防ぐ作用を有し、SiO2などの電気絶縁材料で形成される。
【0029】
ここで、従来のGMRヘッドは、温度の上昇につれて抵抗値が増大し、抵抗の温度係数TCは正の値を示す。これは、GMRヘッドの場合には、電流パスが金属であることによる。
【0030】
また、従来のTMRヘッドに用いられていたトンネルバリア層は、ピンホールができないように、均質、極薄かつフラットに作製されているため、トンネル電流は流れるが、ピンホール電流はほとんど流れない。このため、従来のTMRヘッドは、抵抗の温度係数TCが大きな負の値を示す。
【0031】
これに対して、本発明の実施形態に係るTMRヘッドの大きな特徴は、トンネルバリア層15にピンホールが存在し、トンネルバリア層を流れるトンネル電流とピンホール電流が混在していることである。
【0032】
図2に本発明の実施形態において用いられるトンネルバリア層15の概念図を示す。図2に示すように、ピンド層14とフリー層16との間に設けられるトンネルバリア層15は界面ラフネスが大きいため、両側のピンド層14とフリー層16とが局所的に金属接触した状態になっている。これらの部分をピンホールと呼び、ピンホールをピンホール電流Ipが流れる。一方、ピンホール以外の部分をトンネル電流Itが流れる。このため、ピンホール電流による正のTC特性がトンネル電流による負のTC特性を相殺し、TCは全体としてゼロに近づく。
【0033】
図3にGMRヘッドの抵抗値の温度依存性を示す。図4にTMRヘッドの抵抗値の温度依存性を示す。図4において、aは従来のTMRヘッドであり、bおよびcは本発明の実施形態に係るTMRヘッドである。より具体的には、a、b、cの順に、トンネルバリア層中のピンホールの割合が増大している。
【0034】
図3に示されるように、GMRヘッドは抵抗の温度係数TCが正の値を示す。また、図4に示されるように、TMRヘッドは抵抗の温度係数TCが負の値を示す。図4のうち従来のTMRヘッド(a)は、ピンホール電流がほとんど流れないため、抵抗の温度係数TCが大きな負の値を示す。
【0035】
これに対して、図4のうち本発明の実施形態に係るTMRヘッド(bまたはc)は、トンネルバリア層にピンホールが存在するため、抵抗の温度係数TCが−0.02%/℃<TC<0の範囲になっており、温度変化に対する抵抗変化がほとんど生じない。この結果、温度変化にかかわらずMR変化率が安定なため、使用温度領域を拡大することができる。抵抗の温度係数TCを−0.02%/℃<TC<0と規定したのは、この範囲をはずれると、安定した使用温度領域が狭くなるためである。
【0036】
また、トンネルバリア層中のピンホールの割合が増大するほど、抵抗の絶対値が低減し、周波数特性の向上およびノイズの低減を達成することができる。なお、ピンホール形成によるMR変化率の低下が懸念されるが、本来TMRヘッドは高感度であるため、磁気ヘッドとして用いる感度レベルは十分満たすことが可能である。
【0037】
本発明の実施形態に係るTMRヘッドでは、抵抗の温度係数TCをゼロに近づけるために、トンネルバリア層に意図的にピンホールを形成する。たとえば、トンネルバリア層の下地に微小な凹凸を形成し、その上にAlを堆積した後、Alを酸化することにより、トンネルバリア層を形成する。
【0038】
トンネルバリア層の下地に微小な凹凸を形成するには、たとえば下地に高エネルギー粒子を適度な時間照射する。具体的には、イオンミリング装置を用い、その加速電圧、照射時間を制御することで、下地に所望の凹凸を形成することができる。この際、通常のイオンミリング装置で用いられるArイオンの代わりに、ArイオンとXeイオンとを混合して用いれば、凹凸の制御性が向上する。
【0039】
TMR膜の作製例を説明する。基板上に反強磁性層としてNiFeCr/PtMnおよびピンド層としてCoFe/Ru/CoFeを成膜した後、基板を成膜チャンバーからイオンミリングチャンバーに移し、Ar70%−Xe30%の混合ガスを用いてイオンビームを照射して、ピンド層の表面に凹凸を形成した。加速電圧は100〜500V程度、照射時間は20〜60秒程度が適当であるが、ここでは加速電圧200V、照射時間30秒でイオンビームを照射した。続いて、基板を成膜チャンバーに移してAlを成膜した後、基板を酸化チャンバーに移して酸化処理を行い、トンネルバリア層を形成した。さらに、基板を成膜チャンバーに戻し、フリー層としてCoFe/NiFeおよび第2電極層としてCu/Taを成膜し、TMR膜を形成した。
【0040】
次に、図5に示すように、磁気ディスク装置における、TMRヘッドの抵抗(R)、配線のキャパシタンス(C)およびプリアンプのインピーダンス(Zi)を含む回路を想定した。そして、この回路におけるカットオフ周波数の抵抗依存性を計算した。ここでは、インピーダンスマッチングを考慮し、プリアンプのインピーダンスZiとTMRヘッドの抵抗Rが等しくなるようにした。図6にカットオフ周波数の抵抗依存性の計算結果を示す。図6に示されるように、抵抗値の増大とともに、カットオフ周波数が急激に低下している。したがって、図4に示したように、トンネルバリア層中のピンホールの割合が増大して抵抗の絶対値が低減することは、周波数特性の向上にとって有利に働く。
【0041】
なお、記録密度150Gbpsi以上に対応するTMRヘッドでは、素子面積Aと抵抗値Rの積であるARが2.3Ωμm2以下という仕様を満たすことが好ましい。
【0042】
図7に、従来のTMRヘッドおよび本発明の実施形態に係るTMRヘッドに対して、1時間ごとに電流ストレスを段階的に印加したときの抵抗値の劣化挙動を示す。なお、抵抗値は0.2mAで測定した。(a)は従来のTMRヘッドを示し、(b)は本発明の実施形態に係るTMRヘッドを示す。
【0043】
(a)では、ある電流値で瞬間的に数百Ωのオーダーで抵抗値が劣化している。これは、トンネルバリア層がブレークダウンすることによって生じる劣化挙動である。(b)では、電流ストレスの増大とともに数十Ω以下のオーダーで抵抗値の劣化が連続的に進行している。これは、ピンホールに電流が集中して発熱することに伴う、抵抗値の劣化挙動である。
【0044】
このような実験から、本発明の実施形態に係るTMRヘッドでは、ブレークダウン時の抵抗値の劣化挙動が0.1mAあたり100Ω以下であることが好ましいことがわかっている。ブレークダウン時の抵抗値の劣化挙動が蒸気の範囲であれば、トンネルバリア層にピンホールが含まれていることがわかる。
【0045】
次に、図8を参照して、本発明に係る磁気ディスク装置(HDD)を説明する。図8において、磁気ディスク71はスピンドル72に装着されている。軸73にはアクチュエータアーム74が取り付けられ、サスペンション75およびその先端のヘッドスライダ76を支持している。このヘッドスライダ76の先端に、磁気ディスク71に対向するように、上述したようなTMRヘッドが設けられている。TMRヘッドからの信号は、信号出力増幅用のプリアンプを含む信号処理系によって処理される。
【0046】
上述したように、インピーダンスマッチングを考慮すると、プリアンプの入力インピーダンスはTMRヘッドの抵抗値と同等であることが好ましい。また、カットオフ周波数を考慮すると、プリアンプからヘッドまでの伝送系の長さを短くしてキャパシタンスを小さくすることが好ましい。しかも、プリアンプからヘッドまでの伝送系の長さが短いと、書き込み(Write)電流によりリーダー(Reader)に誘起されるクロストーク電圧を抑えることもできる。これらの要件を満たすには、プリアンプをサスペンション75上に実装したヘッドサスペンションアセンブリ、いわゆるチップ・オン・サスペンション(COS)を採用することが好ましい。
【0047】
図9にチップ・オン・サスペンションの一例を示す。図9に示すように、アクチュエータアーム74の先端にサスペンション75が取り付けられ、サスペンション75の先端にヘッドスライダ76が取り付けられ、ヘッドスライダ76の先端にTMRヘッド10が形成されている。また、サスペンション75のヘッドスライダ76より基端側にはプリアンプを含むICチップ77が実装されている。ICチップ77とTMRヘッド10は伝送系81によって接続されている。また、ICチップ77は伝送系82によって電極パッド83に接続されている。このように、チップ・オン・サスペンション(COS)を採用し、ICチップ77中のプリアンプからTMRヘッド10までの伝送系の長さを3cm以下に設定することが好ましい。伝送系の長さ3cmは、プリアンプがサスペンション上に実装されうる範囲である。
【0048】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、抵抗値の温度勾配がフラットであり広い温度領域で安定したMR変化率を得ることができるトンネル磁気抵抗効果ヘッド、およびそれを装備し周波数特性の向上およびノイズの低減を達成できる磁気ディスク装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係るTMRヘッドを媒体対向面から見た平面図。
【図2】本発明の実施形態に係るTMRヘッドにおけるトンネルバリア層の部分を拡大して示す図。
【図3】GMRヘッドにおける抵抗値の温度依存性を示す図。
【図4】従来および本発明のTMRヘッドにおける抵抗値の温度依存性を示す図。
【図5】TMRヘッドの抵抗R、配線のキャパシタンスCおよびプリアンプのインピーダンスZiを含む回路の概略図。
【図6】図5の回路におけるカットオフ周波数の抵抗依存性を示す図。
【図7】従来および本発明のTMRヘッドに対して、電流ストレスを段階的に印加したときの抵抗値の劣化挙動を示す図。
【図8】本発明に係る磁気ディスク装置を示す斜視図。
【図9】本発明に係るチップ・オン・サスペンションを採用したヘッドサスペンションアセンブリの平面図。
【符号の説明】
10…TMRヘッド
11…第1シールド層
12…第1電極層
13…ピン止め層
14…ピンド層
15…トンネルバリア層
16…フリー層
17…第2電極層
18…第2シールド層
19…セパレーター層
20…磁気バイアス層
71…磁気ディスク
72…スピンドル
73…軸
74…アクチュエータアーム
75…サスペンション
76…ヘッドスライダ
77…ICチップ
81、82…伝送系
83…電極パッド
【発明の属する技術分野】
本発明は、抵抗値の温度勾配がフラットなトンネル磁気抵抗効果ヘッドおよびそれを装備した磁気ディスク装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、磁気ディスク装置においては、磁気抵抗効果を利用して、磁気記録媒体に記録された情報信号を読みとる磁気抵抗効果型磁気ヘッドが広く用いられている。
【0003】
上述した磁気ヘッドは磁気ディスク装置の記録密度の向上に伴い、異方性磁気抵抗効果(AMR: Anisotropic Magneto−Resistive Effect)を用いたMRヘッドから巨大磁気抵抗効果(GMR: Giant Magneto−Resistive Effect)を用いたGMRヘッドへと変革を遂げてきた。
【0004】
しかし、近年のヘッドの微細化に伴い、感度の急激な低下が問題となってきており、GMRヘッドにも限界が見え始めている。その打開策として、新たにトンネル磁気抵抗効果(TMR: Tunneling Magneto−Resistive Effect)を利用したTMRヘッドが提案されている。TMRヘッドに関する従来例は米国特許第5,729,410号明細書、米国特許第5,898,547号明細書などに記載されている。
【0005】
TMR素子において磁気抵抗効果が生じる原理は以下の通りである。TMR素子の膜面垂直方向に通電すると、トンネルバリア層内に一方の強磁性層から他方の強磁性層に向かってトンネル電流が流れる。TMR素子に含まれるフリー層の磁化方向は外部磁界に応じて膜面内で変化するので、ピンド層の磁化方向との相対角度に依存してトンネル電流のコンダクタンスが変化し、磁気抵抗効果が生じる。
【0006】
TMRヘッドはセンス電流が膜面垂直方向に通電されるため、感度が素子サイズに依存しないという利点がある。また、ピンド層とフリー層との間の極薄トンネルバリア層の存在により、高MR変化率を得ることができる。また、2つの強磁性層の磁化の分極率からMR変化率を理論的に算出することができる。TMRヘッドは、これらの理由によって注目を集めている。
【0007】
しかしながら、TMRヘッドはトンネルバリア層の存在により、抵抗が高いという問題を抱えている。抵抗が高いと、配線およびプリアンプとともにローパスフィルター回路を形成し、カットオフ周波数にリミットが生じる。また、TMRヘッドには電子の運動がランダムであることに由来するショットノイズが存在する。ショットノイズは抵抗値に比例して増大するので、抵抗が高いとノイズが増大し、S/Nが低下する。以上のような理由により、TMRヘッドでは、素子抵抗をいかにして低減するかが大きな課題である。
【0008】
また、TMRヘッドは、トンネルバリア層の存在により、GMRヘッドと大きく異なる特性を示す。その一つとして、抵抗値の温度依存性が挙げられる。GMRヘッドは電流パスが金属であるため、抵抗の温度係数TCは正の値を示す。一方、TMRヘッドは電流パスに誘電体からなるトンネルバリア層が存在し、トンネル電流が流れるため、抵抗の温度係数TCは負の値を示す。極性の違いはあるが、GMRヘッドでもTMRヘッドでも、温度に対して抵抗値が変化するため、安定したMR変化率が得られる使用温度領域が制限される。
【0009】
【特許文献1】
米国特許第5,729,410号明細書
【0010】
【特許文献2】
米国特許第5,898,547号明細書
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、抵抗値の温度勾配がフラットなトンネル磁気抵抗効果ヘッドおよびそれを装備した磁気ディスク装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様に係るトンネル磁気抵抗効果ヘッドは、フリー層と、ピンド層と、フリー層とピンド層との間に挟まれたトンネルバリア層とを有し、抵抗値の温度係数TCが−0.02%/℃<TC<0であることを特徴とする。
【0013】
本発明に係るトンネル磁気抵抗効果ヘッドは、ブレークダウン時の抵抗値の劣化挙動が0.1mAあたり100Ω以下であることが好ましい。
【0014】
本発明の他の態様に係る磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、上述したトンネル磁気抵抗効果ヘッドと、トンネル磁気抵抗効果ヘッドからの信号を処理する信号処理系とを有することを特徴とする。
【0015】
本発明に係る磁気ディスク装置において、前記信号処理系はプリアンプを含み、前記プリアンプのインピーダンスは前記トンネル磁気抵抗効果ヘッドの抵抗と略同等であることが好ましい。また、前記プリアンプはサスペンション上に実装され、プリアンプからトンネル磁気抵抗効果ヘッドまでの伝送系の長さが3cm以下に設定されていることが好ましい。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態に係るトンネル磁気抵抗効果ヘッドは、フリー層と、ピンド層と、フリー層とピンド層との間に挟まれたトンネルバリア層とを有し、抵抗値の温度係数TCが−0.02%/℃<TC<0である。
【0017】
本発明の実施形態において用いられるトンネルバリア層は、誘電体を主成分とするが、金属的なピンホールを含んでいる。上述したように、誘電体からなるトンネルバリア層を含むTMRヘッドは、本来的には、抵抗の温度係数TCは負の値を示す。一方、金属的なピンホールは、抵抗の温度係数TCが正の値を示す。このため、金属的なピンホールを含む誘電体からなるトンネルバリア層を有するTMRヘッドでは、抵抗値の温度勾配をゼロに近づけることができ、温度変化に対して抵抗がほとんど変化しなくなり、広い温度領域で安定したMR変化率を得ることができる。また、トンネルバリア層がピンホールを含んでいるので、抵抗の絶対値を容易に抑えることができ、周波数特性の向上およびノイズの低減も達成することができる。
【0018】
以下、図面を参照しながら本実施例について説明する。
【0019】
図1は本発明の一実施形態に係るTMRヘッドを媒体対向面から見た平面図である。このTMRヘッド10は、図示しない基板上に、第1シールド層11、第1電極層12、ピン止め層13、ピンド層14、トンネルバリア層15、フリー層16、第2電極層17、第2シールド層18の順に積層されている。また、第1電極層12/ピン止め層13/ピンド層14/トンネルバリア層15/フリー層16/第2電極層17の積層体の両側面には、セパレーター層19、19を介して磁気バイアス層20,20が形成されている。
【0020】
なお、図1のTMRヘッドは、基板側にピンド層14が形成され、その上にトンネルバリア層15を介してフリー層16が形成されたボトム型である。しかし、基板側にフリー層が形成され、その上にトンネルバリア層を介してピンド層が形成されたトップ型のTMRヘッドを用いてもよい。
【0021】
トンネルバリア層15はトンネル磁気抵抗効果を生させる材料であれば特に限定されないが、Alを主成分とする酸化物材料であることが好ましい。
【0022】
フリー層16やピンド層14を構成する材料は、高いTMR変化率が得られる高スピン分極材料が好ましい。具体的には、Fe、Co、Ni、FeCo、NiFe、CoZrNb、FeCoNiなどが用いられる。これらは2層以上の積層体であってもよい。
【0023】
ピンド層14は2層の強磁性層間にRuなどの非磁性中間層を挟み、反強磁性的交換結合により磁化を安定化させたシンセティックフェリ構造を有するものでもよい。
【0024】
ピンド層13の磁化をピン止めするピン止め層14は、ピン止め機能を果たすものであれば特に限定されないが、通常、反強磁性材料が用いられる。
【0025】
第1シールド層11および第2シールド層18の材料は、導電性を有する軟磁性材料、たとえばNiFe、FeSiAl、アモルファスCoZrNbなどが挙げられる。
【0026】
第1電極層12および第2電極層17の材料としては、導電性非磁性材料、たとえばCu、Ta、Cr、Ti、Wなどが挙げられる。
【0027】
磁気バイアス層20、20は、フリー層16にバイアス磁界を印加してバルクハウゼンノイズを抑制する作用を有し、硬磁性材料または反強磁性材料で形成することができる。
【0028】
セパレーター層19は、磁気バイアス層20、20へのセンス電流のリークを防ぐ作用を有し、SiO2などの電気絶縁材料で形成される。
【0029】
ここで、従来のGMRヘッドは、温度の上昇につれて抵抗値が増大し、抵抗の温度係数TCは正の値を示す。これは、GMRヘッドの場合には、電流パスが金属であることによる。
【0030】
また、従来のTMRヘッドに用いられていたトンネルバリア層は、ピンホールができないように、均質、極薄かつフラットに作製されているため、トンネル電流は流れるが、ピンホール電流はほとんど流れない。このため、従来のTMRヘッドは、抵抗の温度係数TCが大きな負の値を示す。
【0031】
これに対して、本発明の実施形態に係るTMRヘッドの大きな特徴は、トンネルバリア層15にピンホールが存在し、トンネルバリア層を流れるトンネル電流とピンホール電流が混在していることである。
【0032】
図2に本発明の実施形態において用いられるトンネルバリア層15の概念図を示す。図2に示すように、ピンド層14とフリー層16との間に設けられるトンネルバリア層15は界面ラフネスが大きいため、両側のピンド層14とフリー層16とが局所的に金属接触した状態になっている。これらの部分をピンホールと呼び、ピンホールをピンホール電流Ipが流れる。一方、ピンホール以外の部分をトンネル電流Itが流れる。このため、ピンホール電流による正のTC特性がトンネル電流による負のTC特性を相殺し、TCは全体としてゼロに近づく。
【0033】
図3にGMRヘッドの抵抗値の温度依存性を示す。図4にTMRヘッドの抵抗値の温度依存性を示す。図4において、aは従来のTMRヘッドであり、bおよびcは本発明の実施形態に係るTMRヘッドである。より具体的には、a、b、cの順に、トンネルバリア層中のピンホールの割合が増大している。
【0034】
図3に示されるように、GMRヘッドは抵抗の温度係数TCが正の値を示す。また、図4に示されるように、TMRヘッドは抵抗の温度係数TCが負の値を示す。図4のうち従来のTMRヘッド(a)は、ピンホール電流がほとんど流れないため、抵抗の温度係数TCが大きな負の値を示す。
【0035】
これに対して、図4のうち本発明の実施形態に係るTMRヘッド(bまたはc)は、トンネルバリア層にピンホールが存在するため、抵抗の温度係数TCが−0.02%/℃<TC<0の範囲になっており、温度変化に対する抵抗変化がほとんど生じない。この結果、温度変化にかかわらずMR変化率が安定なため、使用温度領域を拡大することができる。抵抗の温度係数TCを−0.02%/℃<TC<0と規定したのは、この範囲をはずれると、安定した使用温度領域が狭くなるためである。
【0036】
また、トンネルバリア層中のピンホールの割合が増大するほど、抵抗の絶対値が低減し、周波数特性の向上およびノイズの低減を達成することができる。なお、ピンホール形成によるMR変化率の低下が懸念されるが、本来TMRヘッドは高感度であるため、磁気ヘッドとして用いる感度レベルは十分満たすことが可能である。
【0037】
本発明の実施形態に係るTMRヘッドでは、抵抗の温度係数TCをゼロに近づけるために、トンネルバリア層に意図的にピンホールを形成する。たとえば、トンネルバリア層の下地に微小な凹凸を形成し、その上にAlを堆積した後、Alを酸化することにより、トンネルバリア層を形成する。
【0038】
トンネルバリア層の下地に微小な凹凸を形成するには、たとえば下地に高エネルギー粒子を適度な時間照射する。具体的には、イオンミリング装置を用い、その加速電圧、照射時間を制御することで、下地に所望の凹凸を形成することができる。この際、通常のイオンミリング装置で用いられるArイオンの代わりに、ArイオンとXeイオンとを混合して用いれば、凹凸の制御性が向上する。
【0039】
TMR膜の作製例を説明する。基板上に反強磁性層としてNiFeCr/PtMnおよびピンド層としてCoFe/Ru/CoFeを成膜した後、基板を成膜チャンバーからイオンミリングチャンバーに移し、Ar70%−Xe30%の混合ガスを用いてイオンビームを照射して、ピンド層の表面に凹凸を形成した。加速電圧は100〜500V程度、照射時間は20〜60秒程度が適当であるが、ここでは加速電圧200V、照射時間30秒でイオンビームを照射した。続いて、基板を成膜チャンバーに移してAlを成膜した後、基板を酸化チャンバーに移して酸化処理を行い、トンネルバリア層を形成した。さらに、基板を成膜チャンバーに戻し、フリー層としてCoFe/NiFeおよび第2電極層としてCu/Taを成膜し、TMR膜を形成した。
【0040】
次に、図5に示すように、磁気ディスク装置における、TMRヘッドの抵抗(R)、配線のキャパシタンス(C)およびプリアンプのインピーダンス(Zi)を含む回路を想定した。そして、この回路におけるカットオフ周波数の抵抗依存性を計算した。ここでは、インピーダンスマッチングを考慮し、プリアンプのインピーダンスZiとTMRヘッドの抵抗Rが等しくなるようにした。図6にカットオフ周波数の抵抗依存性の計算結果を示す。図6に示されるように、抵抗値の増大とともに、カットオフ周波数が急激に低下している。したがって、図4に示したように、トンネルバリア層中のピンホールの割合が増大して抵抗の絶対値が低減することは、周波数特性の向上にとって有利に働く。
【0041】
なお、記録密度150Gbpsi以上に対応するTMRヘッドでは、素子面積Aと抵抗値Rの積であるARが2.3Ωμm2以下という仕様を満たすことが好ましい。
【0042】
図7に、従来のTMRヘッドおよび本発明の実施形態に係るTMRヘッドに対して、1時間ごとに電流ストレスを段階的に印加したときの抵抗値の劣化挙動を示す。なお、抵抗値は0.2mAで測定した。(a)は従来のTMRヘッドを示し、(b)は本発明の実施形態に係るTMRヘッドを示す。
【0043】
(a)では、ある電流値で瞬間的に数百Ωのオーダーで抵抗値が劣化している。これは、トンネルバリア層がブレークダウンすることによって生じる劣化挙動である。(b)では、電流ストレスの増大とともに数十Ω以下のオーダーで抵抗値の劣化が連続的に進行している。これは、ピンホールに電流が集中して発熱することに伴う、抵抗値の劣化挙動である。
【0044】
このような実験から、本発明の実施形態に係るTMRヘッドでは、ブレークダウン時の抵抗値の劣化挙動が0.1mAあたり100Ω以下であることが好ましいことがわかっている。ブレークダウン時の抵抗値の劣化挙動が蒸気の範囲であれば、トンネルバリア層にピンホールが含まれていることがわかる。
【0045】
次に、図8を参照して、本発明に係る磁気ディスク装置(HDD)を説明する。図8において、磁気ディスク71はスピンドル72に装着されている。軸73にはアクチュエータアーム74が取り付けられ、サスペンション75およびその先端のヘッドスライダ76を支持している。このヘッドスライダ76の先端に、磁気ディスク71に対向するように、上述したようなTMRヘッドが設けられている。TMRヘッドからの信号は、信号出力増幅用のプリアンプを含む信号処理系によって処理される。
【0046】
上述したように、インピーダンスマッチングを考慮すると、プリアンプの入力インピーダンスはTMRヘッドの抵抗値と同等であることが好ましい。また、カットオフ周波数を考慮すると、プリアンプからヘッドまでの伝送系の長さを短くしてキャパシタンスを小さくすることが好ましい。しかも、プリアンプからヘッドまでの伝送系の長さが短いと、書き込み(Write)電流によりリーダー(Reader)に誘起されるクロストーク電圧を抑えることもできる。これらの要件を満たすには、プリアンプをサスペンション75上に実装したヘッドサスペンションアセンブリ、いわゆるチップ・オン・サスペンション(COS)を採用することが好ましい。
【0047】
図9にチップ・オン・サスペンションの一例を示す。図9に示すように、アクチュエータアーム74の先端にサスペンション75が取り付けられ、サスペンション75の先端にヘッドスライダ76が取り付けられ、ヘッドスライダ76の先端にTMRヘッド10が形成されている。また、サスペンション75のヘッドスライダ76より基端側にはプリアンプを含むICチップ77が実装されている。ICチップ77とTMRヘッド10は伝送系81によって接続されている。また、ICチップ77は伝送系82によって電極パッド83に接続されている。このように、チップ・オン・サスペンション(COS)を採用し、ICチップ77中のプリアンプからTMRヘッド10までの伝送系の長さを3cm以下に設定することが好ましい。伝送系の長さ3cmは、プリアンプがサスペンション上に実装されうる範囲である。
【0048】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、抵抗値の温度勾配がフラットであり広い温度領域で安定したMR変化率を得ることができるトンネル磁気抵抗効果ヘッド、およびそれを装備し周波数特性の向上およびノイズの低減を達成できる磁気ディスク装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係るTMRヘッドを媒体対向面から見た平面図。
【図2】本発明の実施形態に係るTMRヘッドにおけるトンネルバリア層の部分を拡大して示す図。
【図3】GMRヘッドにおける抵抗値の温度依存性を示す図。
【図4】従来および本発明のTMRヘッドにおける抵抗値の温度依存性を示す図。
【図5】TMRヘッドの抵抗R、配線のキャパシタンスCおよびプリアンプのインピーダンスZiを含む回路の概略図。
【図6】図5の回路におけるカットオフ周波数の抵抗依存性を示す図。
【図7】従来および本発明のTMRヘッドに対して、電流ストレスを段階的に印加したときの抵抗値の劣化挙動を示す図。
【図8】本発明に係る磁気ディスク装置を示す斜視図。
【図9】本発明に係るチップ・オン・サスペンションを採用したヘッドサスペンションアセンブリの平面図。
【符号の説明】
10…TMRヘッド
11…第1シールド層
12…第1電極層
13…ピン止め層
14…ピンド層
15…トンネルバリア層
16…フリー層
17…第2電極層
18…第2シールド層
19…セパレーター層
20…磁気バイアス層
71…磁気ディスク
72…スピンドル
73…軸
74…アクチュエータアーム
75…サスペンション
76…ヘッドスライダ
77…ICチップ
81、82…伝送系
83…電極パッド
Claims (5)
- フリー層と、ピンド層と、フリー層とピンド層との間に挟まれたトンネルバリア層とを有し、抵抗値の温度係数TCが−0.02%/℃<TC<0であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果ヘッド。
- ブレークダウン時の抵抗値の劣化挙動が0.1mAあたり100Ω以下であることを特徴とする請求項1記載のトンネル磁気抵抗効果ヘッド。
- 磁気ディスクと、
請求項1または2記載のトンネル磁気抵抗効果ヘッドと、
前記トンネル磁気抵抗効果ヘッドからの信号を処理する信号処理系と
を有することを特徴とする磁気ディスク装置。 - 前記信号処理系はプリアンプを含み、前記プリアンプのインピーダンスは前記トンネル磁気抵抗効果ヘッドの抵抗と略同等であることを特徴とする請求項3記載の磁気ディスク装置。
- 前記プリアンプはサスペンション上に実装されており、前記プリアンプから前記トンネル磁気抵抗効果ヘッドまでの伝送系の長さが3cm以下に設定されていることを特徴とする請求項3または4に記載の磁気ディスク装置。
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