JP2857286B2 - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一軸磁気異方性を有す
る金属強磁性薄膜を含み、印加される信号磁界の変化に
より電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子（以下「ＭＲ
素子」と略す）を具備し、磁気記録媒体に記録された信
号磁界の変化を検出する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
（以下「薄膜ＭＲヘッド」と略す。）に関し、特に、バ
ルクハウゼンノイズを低減するための薄膜ＭＲヘッドの
構造の改良に関するものである。
る金属強磁性薄膜を含み、印加される信号磁界の変化に
より電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子（以下「ＭＲ
素子」と略す）を具備し、磁気記録媒体に記録された信
号磁界の変化を検出する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
（以下「薄膜ＭＲヘッド」と略す。）に関し、特に、バ
ルクハウゼンノイズを低減するための薄膜ＭＲヘッドの
構造の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜ＭＲヘッドは、巻線型のバルク磁気
ヘッドと比較して多くの利点があることが知られてい
る。薄膜ＭＲヘッドは、磁気テープなどの磁気記録媒体
に記録された信号磁界を受けることによって、磁気抵抗
効果素子内部の磁化方向が変化し、それに応じて生ずる
内部抵抗の変化を外部出力として取出す、磁束応答型の
ヘッドである。したがって、磁気記録媒体の移動速度に
依存せずに、信号磁界を再生することができる。この薄
膜ＭＲヘッドは、半導体の製造技術により高集積化、多
素子化が容易であるので、高密度記録が行なわれる固定
ヘッド式ＰＣＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｃｏｄｅ Ｍｏｄｕｌａ
ｔｉｏｎ）録音機の再生用磁気ヘッドとして有望視され
ている。
ヘッドと比較して多くの利点があることが知られてい
る。薄膜ＭＲヘッドは、磁気テープなどの磁気記録媒体
に記録された信号磁界を受けることによって、磁気抵抗
効果素子内部の磁化方向が変化し、それに応じて生ずる
内部抵抗の変化を外部出力として取出す、磁束応答型の
ヘッドである。したがって、磁気記録媒体の移動速度に
依存せずに、信号磁界を再生することができる。この薄
膜ＭＲヘッドは、半導体の製造技術により高集積化、多
素子化が容易であるので、高密度記録が行なわれる固定
ヘッド式ＰＣＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｃｏｄｅ Ｍｏｄｕｌａ
ｔｉｏｎ）録音機の再生用磁気ヘッドとして有望視され
ている。
【０００３】さて、ＭＲ素子は、外部磁界に対して二乗
曲線をなす感応曲線を示すことから、ＭＲ素子を再生ヘ
ッドとして構成する場合には、磁化を安定化するため
に、素子形状をストライプ状にし、さらに、線形応答特
性を得るために、所定のバイアス磁界をＭＲ素子に印加
することが必要である。
曲線をなす感応曲線を示すことから、ＭＲ素子を再生ヘ
ッドとして構成する場合には、磁化を安定化するため
に、素子形状をストライプ状にし、さらに、線形応答特
性を得るために、所定のバイアス磁界をＭＲ素子に印加
することが必要である。
【０００４】図８に、従来の薄膜ＭＲヘッドのＭＲ素子
部分近傍の斜視図を示す。図８を参照して、従来の薄膜
ＭＲヘッドは、ＭＲ素子１と、ＭＲ素子１の両端に接続
された、リード電極２と、ＭＲ素子１の下方に位置し、
ＭＲ素子１に対してバイアス磁界を印加するバイアス用
電極３とを備えている。この薄膜ＭＲヘッドにおいて、
ギャップ先端から侵入した磁界（矢印Ａ）は、ＭＲ素子
１に印加され、それによってＭＲ素子１が磁化される。
部分近傍の斜視図を示す。図８を参照して、従来の薄膜
ＭＲヘッドは、ＭＲ素子１と、ＭＲ素子１の両端に接続
された、リード電極２と、ＭＲ素子１の下方に位置し、
ＭＲ素子１に対してバイアス磁界を印加するバイアス用
電極３とを備えている。この薄膜ＭＲヘッドにおいて、
ギャップ先端から侵入した磁界（矢印Ａ）は、ＭＲ素子
１に印加され、それによってＭＲ素子１が磁化される。
【０００５】ＭＲ素子の再生出力には、ＭＲ素子１の磁
化の挙動が反映される。ＭＲ素子１は、入力磁界の方向
が磁化困難軸方向になるように配置されており、ＭＲ素
子１の磁化方向が回転モードで動く理想的な場合には、
Ｍｙ（図８に示すｙ軸方向の磁化）はＨｙ（ｙ方向の磁
界）の一次関数となり、ＭＲ素子１の出力は、入力磁界
に対して二次関数的に変化する。図９（ａ）には、ノイ
ズのない理想的な場合の入力磁界とＭＲ素子出力との関
係を示している。ＭＲ素子１の出力は、高い磁界におい
ては、Ｍｙの飽和に伴って飽和する。
化の挙動が反映される。ＭＲ素子１は、入力磁界の方向
が磁化困難軸方向になるように配置されており、ＭＲ素
子１の磁化方向が回転モードで動く理想的な場合には、
Ｍｙ（図８に示すｙ軸方向の磁化）はＨｙ（ｙ方向の磁
界）の一次関数となり、ＭＲ素子１の出力は、入力磁界
に対して二次関数的に変化する。図９（ａ）には、ノイ
ズのない理想的な場合の入力磁界とＭＲ素子出力との関
係を示している。ＭＲ素子１の出力は、高い磁界におい
ては、Ｍｙの飽和に伴って飽和する。
【０００６】理想的なＭＲ素子の出力は上記のとおりで
あるが、現実のＭＲ素子においては、Ｍｙの変化が回転
モードのみで起こることはなく、ＭＲ素子の内部で磁区
分裂を起こし、磁区の移動を伴うことが多い。特に、Ｍ
Ｒ素子のトラック幅が小さくなると、静磁エネルギの関
係から、磁区の移動によるＭｙの変化が顕著になってく
る。磁区の移動は、バルクハウゼンジャンプ（以下「Ｂ
−ジャンプ」と略す。）と称する、Ｍｙの不連続的な変
化を伴う。上述した回転モードと磁区の移動とが混在す
る場合の、ＭＲ素子の出力と入力磁界との関係を図９
（ｂ）に示す。このＢ−ジャンプは、再生出力のノイズ
となり、ＭＲヘッドのＳ／Ｎ比を大幅に劣化させる。し
たがって、良好なＭＲヘッドを得るためには、ＭＲ素子
のＢ−ジャンプを抑制することが不可欠である。
あるが、現実のＭＲ素子においては、Ｍｙの変化が回転
モードのみで起こることはなく、ＭＲ素子の内部で磁区
分裂を起こし、磁区の移動を伴うことが多い。特に、Ｍ
Ｒ素子のトラック幅が小さくなると、静磁エネルギの関
係から、磁区の移動によるＭｙの変化が顕著になってく
る。磁区の移動は、バルクハウゼンジャンプ（以下「Ｂ
−ジャンプ」と略す。）と称する、Ｍｙの不連続的な変
化を伴う。上述した回転モードと磁区の移動とが混在す
る場合の、ＭＲ素子の出力と入力磁界との関係を図９
（ｂ）に示す。このＢ−ジャンプは、再生出力のノイズ
となり、ＭＲヘッドのＳ／Ｎ比を大幅に劣化させる。し
たがって、良好なＭＲヘッドを得るためには、ＭＲ素子
のＢ−ジャンプを抑制することが不可欠である。
【０００７】従来から、このＢ−ジャンプを抑制するた
めには、ＭＲ素子の磁化容易軸方向に数エルステッドの
弱い磁界を加えることによって、ＭＲ素子を単磁区状態
にすればよいことが知られている。このようなＭＲ素子
を適用した薄膜磁気ヘッドとして、図１０に示すヨーク
型と、図１１に示すシールド型とがある。そのうちヨー
ク型薄膜磁気ヘッドは、図１０を参照して、磁路を形成
する下側ヨーク４と、前後方向に２分割された上側ヨー
ク５とを有し、上側ヨーク５と下側ヨーク４との間に、
絶縁層６を介して、ＭＲ素子１とバイアス用電極３が配
置されている。ただし、ここで「前後方向」とは、図１
０における左右方向を意味し、左側を前方、右側を後方
とする。磁気記録媒体７から発生する磁束は、上側ヨー
ク５と下側ヨーク４との前端のギャップ部８において、
上側ヨーク５と下側ヨーク４とにより構成される磁気回
路内に導入される。すなわち、この磁束は、上側フロン
トヨーク５ａの切断部まで来た後、ＭＲ素子１を通り、
上側バックヨーク５ｂの切断部から再び上側ヨーク５内
に入る。その後下側ヨーク４を通って磁気記録媒体７に
戻る。下側ヨーク４は、この薄膜磁気ヘッドの基板を兼
ねており、フェライトなどの軟磁性材料からなってい
る。
めには、ＭＲ素子の磁化容易軸方向に数エルステッドの
弱い磁界を加えることによって、ＭＲ素子を単磁区状態
にすればよいことが知られている。このようなＭＲ素子
を適用した薄膜磁気ヘッドとして、図１０に示すヨーク
型と、図１１に示すシールド型とがある。そのうちヨー
ク型薄膜磁気ヘッドは、図１０を参照して、磁路を形成
する下側ヨーク４と、前後方向に２分割された上側ヨー
ク５とを有し、上側ヨーク５と下側ヨーク４との間に、
絶縁層６を介して、ＭＲ素子１とバイアス用電極３が配
置されている。ただし、ここで「前後方向」とは、図１
０における左右方向を意味し、左側を前方、右側を後方
とする。磁気記録媒体７から発生する磁束は、上側ヨー
ク５と下側ヨーク４との前端のギャップ部８において、
上側ヨーク５と下側ヨーク４とにより構成される磁気回
路内に導入される。すなわち、この磁束は、上側フロン
トヨーク５ａの切断部まで来た後、ＭＲ素子１を通り、
上側バックヨーク５ｂの切断部から再び上側ヨーク５内
に入る。その後下側ヨーク４を通って磁気記録媒体７に
戻る。下側ヨーク４は、この薄膜磁気ヘッドの基板を兼
ねており、フェライトなどの軟磁性材料からなってい
る。
【０００８】一方、図１１に示すシールド型薄膜磁気ヘ
ッドは、上下一対の高透磁率磁性体９ａ，９ｂの間に、
ＭＲ素子１、リード線２およびバイアス用電極３が絶縁
層１０を介して配置されている。このシールド型薄膜磁
気ヘッドにおいては、磁気記録媒体７から発生する磁界
がＭＲ素子１に直接印加される。
ッドは、上下一対の高透磁率磁性体９ａ，９ｂの間に、
ＭＲ素子１、リード線２およびバイアス用電極３が絶縁
層１０を介して配置されている。このシールド型薄膜磁
気ヘッドにおいては、磁気記録媒体７から発生する磁界
がＭＲ素子１に直接印加される。
【０００９】以上述べたＭＲ素子を用いた２種類の薄膜
磁気ヘッドを比較すると、シールド型よりもヨーク型の
方が、信号の分解能の向上やＭＲ素子の耐久性の向上と
いう点で有利であることが知られている。
磁気ヘッドを比較すると、シールド型よりもヨーク型の
方が、信号の分解能の向上やＭＲ素子の耐久性の向上と
いう点で有利であることが知られている。
【００１０】ＭＲ素子の単磁区化を行なう方法として
は、ＭＲ素子１を、図１２に示すように磁気的に閉じた
形状とする方法、あるいはＭＲ素子に一方向の弱磁界を
印加する方法が知られている。このうち、ＭＲ素子に弱
磁界を印加する方法としては、ＭＲ素子の両端に高抗磁
力膜を形成し、その高抗磁力膜をＭＲ素子の長手方向に
着磁することにより、高抗磁力膜の残留磁化による磁界
をＭＲ素子に印加する方法を、本出願人が出願した特開
昭６０−５９５１８号公報においてすでに提案されてい
る。同公報に開示されたＭＲ素子は、図１０および図１
１に示した従来の薄膜磁気ヘッドにおけるＭＲ素子が図
１３に示すように構成されていたのに対し、図１５に示
すように、ＭＲ素子１の両端部において、高抗磁力膜１
１を介在させて導体部２が形成されている。
は、ＭＲ素子１を、図１２に示すように磁気的に閉じた
形状とする方法、あるいはＭＲ素子に一方向の弱磁界を
印加する方法が知られている。このうち、ＭＲ素子に弱
磁界を印加する方法としては、ＭＲ素子の両端に高抗磁
力膜を形成し、その高抗磁力膜をＭＲ素子の長手方向に
着磁することにより、高抗磁力膜の残留磁化による磁界
をＭＲ素子に印加する方法を、本出願人が出願した特開
昭６０−５９５１８号公報においてすでに提案されてい
る。同公報に開示されたＭＲ素子は、図１０および図１
１に示した従来の薄膜磁気ヘッドにおけるＭＲ素子が図
１３に示すように構成されていたのに対し、図１５に示
すように、ＭＲ素子１の両端部において、高抗磁力膜１
１を介在させて導体部２が形成されている。
【００１１】同公報には、このようなＭＲ素子を用いた
実施例として、図１５（ａ）（ｂ）に示すシールド型薄
膜磁気ヘッドが開示されている。
実施例として、図１５（ａ）（ｂ）に示すシールド型薄
膜磁気ヘッドが開示されている。
【００１２】図１５（ａ）（ｂ）において用いた参照番
号は、図１１および図１４と同様のものを用いている。
したがって、その構造および動作についての詳細な説明
を省略する。
号は、図１１および図１４と同様のものを用いている。
したがって、その構造および動作についての詳細な説明
を省略する。
【００１３】高抗磁力膜１１の材質としては、その形成
工程の容易さのため、無電解Ｃｏ−Ｐめっき膜が用いら
れている。
工程の容易さのため、無電解Ｃｏ−Ｐめっき膜が用いら
れている。
【００１４】また一方、単磁区理論によると、単磁区化
された強磁性薄膜は、信号磁界に対して磁化容易軸が直
角からある一定の角度を越えると、その磁化曲線には、
磁化のスイッチングによる「とび」が生じる。ＭＲ素子
の場合、それを構成するＮｉ−Ｆｅのような強磁性薄膜
の磁気異方性に異方性分散があるため、局所的には磁化
容易軸が設定した磁化容易軸の方向に対して、ある角度
の範囲内で傾いている。したがって、ＭＲ素子の特性と
して、印加された磁界に対して色々なところで、この
「とび」が生じることになる。このスイッチングによる
「とび」はスイッチングノイズとなるため、この「と
び」を磁気ヘッドの非動作点側に移動させる必要があ
る。そのための手段として、ＭＲ素子の異方性分散を考
慮して、ＭＲ素子の磁化容易軸をＭＲ素子の長手方向に
対して、所定角度傾けて形成する方法が知られている
（薦田、南方、電気関係学会関西支部連合大会，Ｓ３
７，１９８８参照 ）。
された強磁性薄膜は、信号磁界に対して磁化容易軸が直
角からある一定の角度を越えると、その磁化曲線には、
磁化のスイッチングによる「とび」が生じる。ＭＲ素子
の場合、それを構成するＮｉ−Ｆｅのような強磁性薄膜
の磁気異方性に異方性分散があるため、局所的には磁化
容易軸が設定した磁化容易軸の方向に対して、ある角度
の範囲内で傾いている。したがって、ＭＲ素子の特性と
して、印加された磁界に対して色々なところで、この
「とび」が生じることになる。このスイッチングによる
「とび」はスイッチングノイズとなるため、この「と
び」を磁気ヘッドの非動作点側に移動させる必要があ
る。そのための手段として、ＭＲ素子の異方性分散を考
慮して、ＭＲ素子の磁化容易軸をＭＲ素子の長手方向に
対して、所定角度傾けて形成する方法が知られている
（薦田、南方、電気関係学会関西支部連合大会，Ｓ３
７，１９８８参照 ）。
【００１５】高抗磁力膜１１をＭＲ素子の両端に配置し
たＭＲヘッドは、シールド型のみでなく、ヨーク型にお
いても同様に適用することができる。図１６（ａ）
（ｂ）に、高抗磁力膜１１をＭＲ素子の両端に配置した
ヨーク型の薄膜磁気ヘッドの構造を示す。図１６（ａ）
（ｂ）において用いている参照番号は、図１０および図
１４と共通であるため、その構造および動作の詳細につ
いては記載を省略する。
たＭＲヘッドは、シールド型のみでなく、ヨーク型にお
いても同様に適用することができる。図１６（ａ）
（ｂ）に、高抗磁力膜１１をＭＲ素子の両端に配置した
ヨーク型の薄膜磁気ヘッドの構造を示す。図１６（ａ）
（ｂ）において用いている参照番号は、図１０および図
１４と共通であるため、その構造および動作の詳細につ
いては記載を省略する。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上述した高抗磁力膜
は、ＭＲ素子に弱磁界を印加することにより、ＭＲ素子
の単磁区化を行ない、バルクハウゼンノイズを抑制する
ものである。しかしながら、高抗磁力膜の磁界の強さ
は、高抗磁力膜から離れるに従って減少するため、ＭＲ
素子のトラック幅方向の長さが長くなると、ＭＲ素子の
中央部においては、高抗磁力膜による磁界はほとんど印
加されなくなる。したがって、ＭＲ素子の長さが短い場
合には容易に単磁区化されるが、長い場合には、単磁区
化が十分ではない場合があり、磁壁が発生しやすくなっ
て、ＭＲ素子の出力曲線が図９（ｃ）に示すようにな
り、バルクハウゼンノイズが発生するという問題があっ
た。
は、ＭＲ素子に弱磁界を印加することにより、ＭＲ素子
の単磁区化を行ない、バルクハウゼンノイズを抑制する
ものである。しかしながら、高抗磁力膜の磁界の強さ
は、高抗磁力膜から離れるに従って減少するため、ＭＲ
素子のトラック幅方向の長さが長くなると、ＭＲ素子の
中央部においては、高抗磁力膜による磁界はほとんど印
加されなくなる。したがって、ＭＲ素子の長さが短い場
合には容易に単磁区化されるが、長い場合には、単磁区
化が十分ではない場合があり、磁壁が発生しやすくなっ
て、ＭＲ素子の出力曲線が図９（ｃ）に示すようにな
り、バルクハウゼンノイズが発生するという問題があっ
た。
【００１７】また、さらにヨーク型の場合には、トラッ
ク幅方向のヨークの長さが長くなることにより、磁区の
状態が不安定になり、この不安定な磁化の変化がＭＲ素
子の抵抗変化として不連続に現われる場合があった。
ク幅方向のヨークの長さが長くなることにより、磁区の
状態が不安定になり、この不安定な磁化の変化がＭＲ素
子の抵抗変化として不連続に現われる場合があった。
【００１８】ここで、大きい出力信号を得るためにトラ
ック幅を広く形成した場合、高抗磁力膜で形成される磁
界は大きいものが必要となり、これに対応して高抗磁力
膜１１の膜厚を大きくする必要が生じる。たとえば、コ
ンパクトカセットのアナログ信号を再生するＤＣＣ（Ｄ
ｉｇｉｔａｌ Ｃｏｍｐａｃｔ Ｃａｓｓｅｔｔｅ）の
アナログ信号再生トラック幅は約６００μｍであり、図
１６（ａ）（ｂ）に示したような構造では、磁気テープ
からの信号を十分に導くためにヨークの幅を広くとる
と、ＭＲ素子１の長さも長くなり、その両端に形成され
ている高抗磁力膜１１間の距離も必然的に大きくなる。
磁界の大きさは、磁性体間の距離の２乗に反比例するの
で、距離が２倍になれば同じ強さの磁界を形成するため
には、高抗磁力膜１１の体積を４倍にする必要がある。
ック幅を広く形成した場合、高抗磁力膜で形成される磁
界は大きいものが必要となり、これに対応して高抗磁力
膜１１の膜厚を大きくする必要が生じる。たとえば、コ
ンパクトカセットのアナログ信号を再生するＤＣＣ（Ｄ
ｉｇｉｔａｌ Ｃｏｍｐａｃｔ Ｃａｓｓｅｔｔｅ）の
アナログ信号再生トラック幅は約６００μｍであり、図
１６（ａ）（ｂ）に示したような構造では、磁気テープ
からの信号を十分に導くためにヨークの幅を広くとる
と、ＭＲ素子１の長さも長くなり、その両端に形成され
ている高抗磁力膜１１間の距離も必然的に大きくなる。
磁界の大きさは、磁性体間の距離の２乗に反比例するの
で、距離が２倍になれば同じ強さの磁界を形成するため
には、高抗磁力膜１１の体積を４倍にする必要がある。
【００１９】薄膜磁気ヘッドの製造においては、高抗磁
力膜１１の体積を増加するためには、その膜厚を増やす
方法が一般的であり、膜厚を増やすと、ＭＲ素子１と導
体部２との間隔が大きくなる。その結果、高抗磁力膜１
１の膜厚を大きくしたことによってＭＲ素子１と導体部
２との間の電気抵抗が増大して出力値が不安定になった
り、接続不良を生じるという問題があった。さらに、マ
ルチトラックの薄膜磁気ヘッドの場合には、各トラック
でＭＲ素子の抵抗値がばらつくことになり、生産におけ
る歩留りを低下させたり、信号処理回路の調整が困難に
なるという問題もあった。
力膜１１の体積を増加するためには、その膜厚を増やす
方法が一般的であり、膜厚を増やすと、ＭＲ素子１と導
体部２との間隔が大きくなる。その結果、高抗磁力膜１
１の膜厚を大きくしたことによってＭＲ素子１と導体部
２との間の電気抵抗が増大して出力値が不安定になった
り、接続不良を生じるという問題があった。さらに、マ
ルチトラックの薄膜磁気ヘッドの場合には、各トラック
でＭＲ素子の抵抗値がばらつくことになり、生産におけ
る歩留りを低下させたり、信号処理回路の調整が困難に
なるという問題もあった。
【００２０】この発明は、トラック幅の広い薄膜磁気ヘ
ッドを、ＭＲ素子の両端の高抗磁力膜の膜厚を大きくす
ることなく、かつバルクハウゼンノイズを生じることな
く実現することができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
を提供することを目的とする。
ッドを、ＭＲ素子の両端の高抗磁力膜の膜厚を大きくす
ることなく、かつバルクハウゼンノイズを生じることな
く実現することができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッドは、印加される信号磁界の変化により電
気抵抗が変化するＭＲ素子と、このＭＲ素子の電気抵抗
変化を生じる両端間にセンス電流を流し、その両端間に
発生する電圧変化を検出するためのリード電極と、ＭＲ
素子に弱磁界を印加することによりＭＲ素子を単磁区化
するための高抗磁力膜とを備えている。この高抗磁力膜
は、ＭＲ素子の両端近傍と、その両端間の所定位置に配
置されている。
薄膜磁気ヘッドは、印加される信号磁界の変化により電
気抵抗が変化するＭＲ素子と、このＭＲ素子の電気抵抗
変化を生じる両端間にセンス電流を流し、その両端間に
発生する電圧変化を検出するためのリード電極と、ＭＲ
素子に弱磁界を印加することによりＭＲ素子を単磁区化
するための高抗磁力膜とを備えている。この高抗磁力膜
は、ＭＲ素子の両端近傍と、その両端間の所定位置に配
置されている。
【００２２】この磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、さ
らに、ＭＲ素子の下方に位置する下側ヨークと、磁気記
録媒体から発生する磁束をＭＲ素子へ導くための磁気回
路を下側ヨークとともに構成し、ＭＲ素子近傍において
磁路方向に分割された上側ヨークとをさらに備えてい
る。上側ヨークは、高抗磁力膜の近傍において、トラッ
ク幅方向に分割されている。
らに、ＭＲ素子の下方に位置する下側ヨークと、磁気記
録媒体から発生する磁束をＭＲ素子へ導くための磁気回
路を下側ヨークとともに構成し、ＭＲ素子近傍において
磁路方向に分割された上側ヨークとをさらに備えてい
る。上側ヨークは、高抗磁力膜の近傍において、トラッ
ク幅方向に分割されている。
【００２３】
【作用】本発明によれば、ＭＲ素子の両端近傍のみでは
なく、その両端の間の所定の位置にも高抗磁力膜を形成
しているため、ＭＲ素子がトラック幅方向に長い場合に
おいても、短い場合と同様、ＭＲ素子全域にわたって所
望の磁界が印加されるため、容易にＭＲ素子の単磁区化
を図ることができる。その結果、磁化曲線の不連続部分
が解消し、バルクハウゼンノイズが抑制される。
なく、その両端の間の所定の位置にも高抗磁力膜を形成
しているため、ＭＲ素子がトラック幅方向に長い場合に
おいても、短い場合と同様、ＭＲ素子全域にわたって所
望の磁界が印加されるため、容易にＭＲ素子の単磁区化
を図ることができる。その結果、磁化曲線の不連続部分
が解消し、バルクハウゼンノイズが抑制される。
【００２４】したがって、高抗磁力膜の膜厚を厚くする
必要がないため、導体部の断線や高抗磁力膜の抵抗増加
による検出値の不安定化がなくなり、トラック幅が広く
なっても有効にバルクハウゼンノイズを抑え、かつ歩留
りの高い薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
必要がないため、導体部の断線や高抗磁力膜の抵抗増加
による検出値の不安定化がなくなり、トラック幅が広く
なっても有効にバルクハウゼンノイズを抑え、かつ歩留
りの高い薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【００２５】また、上側ヨークがトラック幅方向に分割
されていることにより、高抗磁力膜の近傍において上側
ヨークに高抗磁力膜からＭＲ素子に印加される着磁界と
逆方向の磁界が発生することが防止される。その結果、
バルクハウゼンノイズの原因となる磁壁の発生が抑制さ
れ、薄膜磁気ヘッドとしての特性および歩留りがさらに
向上する。
されていることにより、高抗磁力膜の近傍において上側
ヨークに高抗磁力膜からＭＲ素子に印加される着磁界と
逆方向の磁界が発生することが防止される。その結果、
バルクハウゼンノイズの原因となる磁壁の発生が抑制さ
れ、薄膜磁気ヘッドとしての特性および歩留りがさらに
向上する。
【００２６】
【実施例】以下本発明の第１の実施例を、図１（ａ）
（ｂ）および図２に基づいて説明する。
（ｂ）および図２に基づいて説明する。
【００２７】本実施例は、本発明をヨーク型の薄膜磁気
ヘッドに適用したものであり、図１（ａ）にその平面図
を、図１（ｂ）に斜視図を示している。本実施例におい
ては、図１（ａ）（ｂ）を参照して、基板を兼ねる下側
ヨーク４上に上側ヨーク５が配され、上側ヨーク５はそ
の中央近傍において左右（トラックの幅方向）に２分割
されている。なお図１（ａ）のＴＷは、トラックの幅を
表わしている。
ヘッドに適用したものであり、図１（ａ）にその平面図
を、図１（ｂ）に斜視図を示している。本実施例におい
ては、図１（ａ）（ｂ）を参照して、基板を兼ねる下側
ヨーク４上に上側ヨーク５が配され、上側ヨーク５はそ
の中央近傍において左右（トラックの幅方向）に２分割
されている。なお図１（ａ）のＴＷは、トラックの幅を
表わしている。
【００２８】ＭＲ素子１のトラック幅方向の両端部近傍
には、一対の高抗磁力膜１１ａが形成されている。ま
た、ＭＲ素子１の中央部の、上側ヨーク５が左右に分割
された間の位置にも、高抗磁力膜１１ｂが形成されてい
る。ＭＲ素子１の両端に接続された一対のリード電極２
は、ＭＲ素子１にセンス電流を流してその両端の電圧変
動を検出することにより、ヘッドの後方に信号を導いて
いる。また、ＭＲ素子１の下方には、バイアス用電極３
が形成されており、このバイアス用電極３に所定の電流
を流すことによって、ＭＲ素子にバイアス磁界を印加し
ている。
には、一対の高抗磁力膜１１ａが形成されている。ま
た、ＭＲ素子１の中央部の、上側ヨーク５が左右に分割
された間の位置にも、高抗磁力膜１１ｂが形成されてい
る。ＭＲ素子１の両端に接続された一対のリード電極２
は、ＭＲ素子１にセンス電流を流してその両端の電圧変
動を検出することにより、ヘッドの後方に信号を導いて
いる。また、ＭＲ素子１の下方には、バイアス用電極３
が形成されており、このバイアス用電極３に所定の電流
を流すことによって、ＭＲ素子にバイアス磁界を印加し
ている。
【００２９】ここで、上側ヨーク５を左右に２分割し、
その位置に高抗磁力膜１１ｂを形成したのは、以下の理
由による。もし、図２に示すように、ＭＲ素子１上に、
左右に分割されない上側ヨーク５の中央に高抗磁力膜１
１ｂが形成された場合、高抗磁力膜１１ｂ付近の上側ヨ
ーク５内において、矢印ｍで示すような横方向の磁束が
生じる。上側ヨーク５は、一般にパーマロイのような軟
磁性体で構成されているため、このような磁束方向の変
化があると、その部分で新たな磁壁が生じる可能性があ
る。すなわち、ヨークに生じた磁壁のためにバルクハウ
ゼンノイズが発生するおそれが生じる。これを解消する
ためには、上側ヨーク５と高抗磁力膜１１ｂとの距離を
離すか、あるいは高抗磁力膜１１ｂの面積を小さくする
方法も考えられる。しかしながら、これらの方法では、
上側ヨーク５から入力される磁界がＭＲ素子１に届かな
かったり、高抗磁力膜１１ｂがＭＲ素子１に対して印加
する弱磁界が不十分になったりするという不都合が生じ
る。そこで、本実施例のように上側ヨーク５を高抗磁力
膜１１ｂの付近で分割することにした。
その位置に高抗磁力膜１１ｂを形成したのは、以下の理
由による。もし、図２に示すように、ＭＲ素子１上に、
左右に分割されない上側ヨーク５の中央に高抗磁力膜１
１ｂが形成された場合、高抗磁力膜１１ｂ付近の上側ヨ
ーク５内において、矢印ｍで示すような横方向の磁束が
生じる。上側ヨーク５は、一般にパーマロイのような軟
磁性体で構成されているため、このような磁束方向の変
化があると、その部分で新たな磁壁が生じる可能性があ
る。すなわち、ヨークに生じた磁壁のためにバルクハウ
ゼンノイズが発生するおそれが生じる。これを解消する
ためには、上側ヨーク５と高抗磁力膜１１ｂとの距離を
離すか、あるいは高抗磁力膜１１ｂの面積を小さくする
方法も考えられる。しかしながら、これらの方法では、
上側ヨーク５から入力される磁界がＭＲ素子１に届かな
かったり、高抗磁力膜１１ｂがＭＲ素子１に対して印加
する弱磁界が不十分になったりするという不都合が生じ
る。そこで、本実施例のように上側ヨーク５を高抗磁力
膜１１ｂの付近で分割することにした。
【００３０】本実施例の構造により、図１６（ａ）
（ｂ）に示した従来のヨーク型薄膜磁気ヘッドに比べ
て、ＭＲ素子１が長い場合にも、より均一な弱磁界をＭ
Ｒ素子１の全域にわたって印加することが可能となる。
したがって、ＭＲ素子１の単磁区化が促進され、トラッ
ク幅が広くかつバルクハウゼンノイズの生じない磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドが実現される。
（ｂ）に示した従来のヨーク型薄膜磁気ヘッドに比べ
て、ＭＲ素子１が長い場合にも、より均一な弱磁界をＭ
Ｒ素子１の全域にわたって印加することが可能となる。
したがって、ＭＲ素子１の単磁区化が促進され、トラッ
ク幅が広くかつバルクハウゼンノイズの生じない磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドが実現される。
【００３１】次に、本発明の第２の実施例を、図３
（ａ）（ｂ）および図４に基づいて説明する。本実施例
は、本発明をヨーク型薄膜磁気ヘッドに適用し、かつト
ラック幅方向に上側ヨーク５を分割している点で、上記
第１実施例と共通する。本実施例が上記第１の実施例と
異なるのは、本実施例においては上側ヨーク５をトラッ
ク幅方向に６分割し、その間に高抗磁力膜１１ｂを１個
ずつ計５個形成した点である。
（ａ）（ｂ）および図４に基づいて説明する。本実施例
は、本発明をヨーク型薄膜磁気ヘッドに適用し、かつト
ラック幅方向に上側ヨーク５を分割している点で、上記
第１実施例と共通する。本実施例が上記第１の実施例と
異なるのは、本実施例においては上側ヨーク５をトラッ
ク幅方向に６分割し、その間に高抗磁力膜１１ｂを１個
ずつ計５個形成した点である。
【００３２】本実施例の構造により、さらにトラック幅
が広くなった場合においても、ＭＲ素子１の全域にわた
ってより均一に弱磁界を印加しやすくなり、ＭＲ素子１
の単磁区化を容易にする効果がさらに向上する。
が広くなった場合においても、ＭＲ素子１の全域にわた
ってより均一に弱磁界を印加しやすくなり、ＭＲ素子１
の単磁区化を容易にする効果がさらに向上する。
【００３３】本実施例の薄膜磁気ヘッドは、次の工程に
より製造される。なお、図３（ａ）のＢ−Ｂ線断面図は
図１０とほぼ一致するため、製造方法の説明にあたって
は便宜上図１０も参照する。
より製造される。なお、図３（ａ）のＢ−Ｂ線断面図は
図１０とほぼ一致するため、製造方法の説明にあたって
は便宜上図１０も参照する。
【００３４】まず、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎ
フェライトなどの磁性体基板である下側ヨーク４上に、
ＳｉＯ2 からなる絶縁層６をスパッタ法などの薄膜形成
法を用いて形成する。次に、ＭＲ素子１にバイアス磁界
を印加するためのバイアス用電極３を、アルミニウムま
たはＡｌ−Ｃｕ膜をＥ／Ｂ蒸着法を用いて形成し、フォ
トリソグラフィにより所定の形状にパターニングする。
さらに、ＳｉＯ2 などからなる絶縁層６の一部を介し
て、ＭＲ素子１となるＮｉ−Ｆｅなどの強磁性体薄膜を
蒸着法によって形成する。この蒸着時には、約１００エ
ルステッド程度の磁界を印加することにより、ＭＲ素子
１に一軸異方性を付与することができる。また、上述し
たように、スイッチングによる「とび」を非動作点側に
シフトさせるため、ＭＲ素子１内の磁化容易軸を、ＭＲ
素子の異方性分散を考慮して、ＭＲ素子のストライプに
対して５〜４０°傾けて形成する。
フェライトなどの磁性体基板である下側ヨーク４上に、
ＳｉＯ2 からなる絶縁層６をスパッタ法などの薄膜形成
法を用いて形成する。次に、ＭＲ素子１にバイアス磁界
を印加するためのバイアス用電極３を、アルミニウムま
たはＡｌ−Ｃｕ膜をＥ／Ｂ蒸着法を用いて形成し、フォ
トリソグラフィにより所定の形状にパターニングする。
さらに、ＳｉＯ2 などからなる絶縁層６の一部を介し
て、ＭＲ素子１となるＮｉ−Ｆｅなどの強磁性体薄膜を
蒸着法によって形成する。この蒸着時には、約１００エ
ルステッド程度の磁界を印加することにより、ＭＲ素子
１に一軸異方性を付与することができる。また、上述し
たように、スイッチングによる「とび」を非動作点側に
シフトさせるため、ＭＲ素子１内の磁化容易軸を、ＭＲ
素子の異方性分散を考慮して、ＭＲ素子のストライプに
対して５〜４０°傾けて形成する。
【００３５】ＭＲ素子の磁化容易軸を傾ける方法とし
て、薄膜磁気ヘッドを形成するウェハ上にＭＲ素子１と
なるＮｉ−Ｆｅ強磁性体薄膜を蒸着法などを用いて形成
する際に、ＭＲ素子１のストライプ方向に対して、印加
磁界が５〜４０°傾くように、ウェハを傾けてセットす
る方法がある。この方法により、ＭＲ素子１の磁化容易
軸は、ＭＲ素子１の長手方向に対して、設定した５〜４
０°方向となる。実際には、異方性分散があるためにＮ
ｉ−Ｆｅの磁化容易軸は、設定方向に対して局所的に傾
くところが生じることになる。しかしながら、この異方
性分散の大きさに従ってウェハを傾ける設定角度を適切
に選ぶことにより、スイッチングノイズをヘッドの非動
作点側にシフトさせることができる。このようにＭＲ素
子をセットして、所定の形状にエッチングを行なうこと
により、ＭＲ素子のストライプがパターニングされる。
て、薄膜磁気ヘッドを形成するウェハ上にＭＲ素子１と
なるＮｉ−Ｆｅ強磁性体薄膜を蒸着法などを用いて形成
する際に、ＭＲ素子１のストライプ方向に対して、印加
磁界が５〜４０°傾くように、ウェハを傾けてセットす
る方法がある。この方法により、ＭＲ素子１の磁化容易
軸は、ＭＲ素子１の長手方向に対して、設定した５〜４
０°方向となる。実際には、異方性分散があるためにＮ
ｉ−Ｆｅの磁化容易軸は、設定方向に対して局所的に傾
くところが生じることになる。しかしながら、この異方
性分散の大きさに従ってウェハを傾ける設定角度を適切
に選ぶことにより、スイッチングノイズをヘッドの非動
作点側にシフトさせることができる。このようにＭＲ素
子をセットして、所定の形状にエッチングを行なうこと
により、ＭＲ素子のストライプがパターニングされる。
【００３６】次に、Ｃｏ−Ｐめっき膜からなる高抗磁力
膜１１ａ，１１ｂを、無電解めっき法を用いて形成す
る。高抗磁力膜１１ａ，１１ｂは、ＭＲ素子１のトラッ
ク幅方向の長さ６００μｍに対して、約１００μｍのピ
ッチで形成している。高抗磁力膜１１ａ，１１ｂの抗磁
力としては、信号磁界や外部磁界などにより、着磁方向
が反転しない程度の大きさがあれば十分である。
膜１１ａ，１１ｂを、無電解めっき法を用いて形成す
る。高抗磁力膜１１ａ，１１ｂは、ＭＲ素子１のトラッ
ク幅方向の長さ６００μｍに対して、約１００μｍのピ
ッチで形成している。高抗磁力膜１１ａ，１１ｂの抗磁
力としては、信号磁界や外部磁界などにより、着磁方向
が反転しない程度の大きさがあれば十分である。
【００３７】磁気記録媒体からの信号磁界は１００エル
ステッド程度以下であり、外部磁界はモータの発生磁界
からの影響を考慮しても１００エルステッド程度以下と
考えられる。したがって、抗磁力としては大きい方が望
ましいが、３００エルステッド程度以上あれば十分であ
る。また、この高抗磁力膜１１ａ，１１ｂの材料とし
て、本実施例ではＣｏ−Ｐめっき膜を用いたが、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｐなどのめっき膜を用いてもよい。さらに、通常
のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｐｔなどの薄
膜をスパッタ法等により形成した後、パターニングして
形成することも可能である。
ステッド程度以下であり、外部磁界はモータの発生磁界
からの影響を考慮しても１００エルステッド程度以下と
考えられる。したがって、抗磁力としては大きい方が望
ましいが、３００エルステッド程度以上あれば十分であ
る。また、この高抗磁力膜１１ａ，１１ｂの材料とし
て、本実施例ではＣｏ−Ｐめっき膜を用いたが、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｐなどのめっき膜を用いてもよい。さらに、通常
のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｐｔなどの薄
膜をスパッタ法等により形成した後、パターニングして
形成することも可能である。
【００３８】本来ＭＲ素子は、磁界の変化を電気低抗の
変化に変換するために用いる素子である。そのため、磁
界による磁化の変化が抑制された場合には、磁気ヘッド
としての感度が劣化する。通常、高抗磁力膜は一方向の
磁界を印加するためのものであり、高抗磁力膜の近傍約
５μｍ程度の範囲においては、高抗磁力膜の磁界が非常
に強いため、ＭＲ素子の磁化の変化が抑制されることに
なる（椎葉、吉良他、電気通信学会技報，ＭＲ８６−３
７，１９８６参照）。したがって、この高抗磁力膜を短
いピッチで配置することは、ヘッドの感度の劣化につな
がることになり、好ましくない。
変化に変換するために用いる素子である。そのため、磁
界による磁化の変化が抑制された場合には、磁気ヘッド
としての感度が劣化する。通常、高抗磁力膜は一方向の
磁界を印加するためのものであり、高抗磁力膜の近傍約
５μｍ程度の範囲においては、高抗磁力膜の磁界が非常
に強いため、ＭＲ素子の磁化の変化が抑制されることに
なる（椎葉、吉良他、電気通信学会技報，ＭＲ８６−３
７，１９８６参照）。したがって、この高抗磁力膜を短
いピッチで配置することは、ヘッドの感度の劣化につな
がることになり、好ましくない。
【００３９】図１６に示した従来のヨーク型薄膜磁気ヘ
ッドにおいては、ＭＲ素子の長さが４０μｍあるいは７
０μｍの場合には、バルクハウゼンノイズの発生は特に
問題となる程度のものではなかった。したがって、この
程度のＭＲ素子の長さの場合には、ＭＲ素子は十分単磁
区化されているものと考えられる。そこで、本実施例で
はＭＲ素子の長さが９０μｍとなるように、高抗磁力膜
１１ａ，１１ｂを配置した。この場合、感度は約１０％
程度減少することになるが、元のＭＲ素子の長さが長
く、ヘッドとしての出力が大きいため、この程度の感度
の劣化は特に問題とはならない。
ッドにおいては、ＭＲ素子の長さが４０μｍあるいは７
０μｍの場合には、バルクハウゼンノイズの発生は特に
問題となる程度のものではなかった。したがって、この
程度のＭＲ素子の長さの場合には、ＭＲ素子は十分単磁
区化されているものと考えられる。そこで、本実施例で
はＭＲ素子の長さが９０μｍとなるように、高抗磁力膜
１１ａ，１１ｂを配置した。この場合、感度は約１０％
程度減少することになるが、元のＭＲ素子の長さが長
く、ヘッドとしての出力が大きいため、この程度の感度
の劣化は特に問題とはならない。
【００４０】次に、ＭＲ素子１の抵抗変化を電気信号の
変化として取出すためのリード電極２を、アルミニウム
あるいはＡｌ−Ｃｕ膜をＥ／Ｂ蒸着法を用いて堆積する
ことにより、約３０００Åの膜厚になるように形成す
る。このリード電極２は、高抗磁力膜１１ａ，１１ｂを
完全に覆うようにパターニングする。
変化として取出すためのリード電極２を、アルミニウム
あるいはＡｌ−Ｃｕ膜をＥ／Ｂ蒸着法を用いて堆積する
ことにより、約３０００Åの膜厚になるように形成す
る。このリード電極２は、高抗磁力膜１１ａ，１１ｂを
完全に覆うようにパターニングする。
【００４１】その後、ＳｉＯ2 膜を堆積し、これにＲＩ
Ｅ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法に
よるテーパエッチングを施して、図１０に示すような台
形形状の絶縁層６を形成する。さらに、ギャップ部８に
おけるギャップ層となるＳｉＯ2 膜またはＡｌ2 Ｏ3 膜
を、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法を用いて形成する。
Ｅ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法に
よるテーパエッチングを施して、図１０に示すような台
形形状の絶縁層６を形成する。さらに、ギャップ部８に
おけるギャップ層となるＳｉＯ2 膜またはＡｌ2 Ｏ3 膜
を、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法を用いて形成する。
【００４２】次に、Ｎｉ−Ｆｅなどの強磁性薄膜からな
る上側ヨーク５を、スパッタ法またはめっき法を用い、
さらにエッチングによってパターニングすることにより
形成する。このときの強磁性薄膜の厚さは、１５００Å
〜１μｍ程度である。この上側ヨーク５のパターン形状
は、図３（ａ）に示したように、高抗磁力膜１１ａ，１
１ｂおよびリード電極２と接しないようにしている。こ
れは、介在している絶縁層６が極めて薄いことを考慮し
て、ＭＲ素子１と上側ヨーク５が電気的に短絡しないよ
うにするためである。
る上側ヨーク５を、スパッタ法またはめっき法を用い、
さらにエッチングによってパターニングすることにより
形成する。このときの強磁性薄膜の厚さは、１５００Å
〜１μｍ程度である。この上側ヨーク５のパターン形状
は、図３（ａ）に示したように、高抗磁力膜１１ａ，１
１ｂおよびリード電極２と接しないようにしている。こ
れは、介在している絶縁層６が極めて薄いことを考慮し
て、ＭＲ素子１と上側ヨーク５が電気的に短絡しないよ
うにするためである。
【００４３】次に、保護膜として、ＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ
3 などからなる絶縁層６をさらに形成する。その後、リ
ード電極２やバイアス電極３から外部へ信号を取出すた
めのワイヤボンディング用のパッド部１２，１３上の絶
縁層６をＲＩＥ法によりエッチングすることによって、
図３（ａ）（ｂ）に示す薄膜磁気ヘッドが完成する。
3 などからなる絶縁層６をさらに形成する。その後、リ
ード電極２やバイアス電極３から外部へ信号を取出すた
めのワイヤボンディング用のパッド部１２，１３上の絶
縁層６をＲＩＥ法によりエッチングすることによって、
図３（ａ）（ｂ）に示す薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００４４】本実施例のヨーク型磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドについて、バルクハウゼンノイズの発生につい
て調べたところ、次のような結果を得た。なおＭＲ素子
１の寸法形状としては、長さ６００μｍ、幅１０μｍ、
膜厚約３００Åとし、Ｃｏ−Ｐめっき膜からなる高抗磁
力膜１１ａ，１１ｂの膜厚は、２０００〜４０００Å、
抗磁力Ｈｃが約４００エルステッドのものを用いた。
気ヘッドについて、バルクハウゼンノイズの発生につい
て調べたところ、次のような結果を得た。なおＭＲ素子
１の寸法形状としては、長さ６００μｍ、幅１０μｍ、
膜厚約３００Åとし、Ｃｏ−Ｐめっき膜からなる高抗磁
力膜１１ａ，１１ｂの膜厚は、２０００〜４０００Å、
抗磁力Ｈｃが約４００エルステッドのものを用いた。
【００４５】本実施例の薄膜磁気ヘッドにおいては、バ
ルクハウゼンノイズの発生を基準とする歩留りとして、
ＭＲ素子の長さが４０〜７０μｍ程度の短い場合と同様
の９５％以上のものが得られた。この歩留りの値は、た
とえばＭＲ素子へのダストの付着やパターン不良などの
ような、ＭＲ素子の外観上の異常によるバルクハウゼン
ノイズの発生などが含まれていることを考慮すると、本
実施例の薄膜磁気ヘッドを用いることにより、ＭＲ素子
の磁気的な特性に起因するバルクハウゼンノイズはほと
んど発生していないといえる。
ルクハウゼンノイズの発生を基準とする歩留りとして、
ＭＲ素子の長さが４０〜７０μｍ程度の短い場合と同様
の９５％以上のものが得られた。この歩留りの値は、た
とえばＭＲ素子へのダストの付着やパターン不良などの
ような、ＭＲ素子の外観上の異常によるバルクハウゼン
ノイズの発生などが含まれていることを考慮すると、本
実施例の薄膜磁気ヘッドを用いることにより、ＭＲ素子
の磁気的な特性に起因するバルクハウゼンノイズはほと
んど発生していないといえる。
【００４６】さらに、本実施例の薄膜磁気ヘッドと、図
１６に示した従来型の薄膜磁気ヘッドについて、外部磁
界を印加することによるバルクハウゼンノイズの発生、
あるいはスイッチングノイズの動作点側へのシフトにつ
いて調べたところ、次のような結果を得た。本実施例の
薄膜磁気ヘッドでは、外部磁界２１０エルステッドを印
加した場合においても、バルクハウゼンノイズの発生や
スイッチングノイズの動作点側へのシフトは生じなかっ
た。それに対して、従来型の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、外部磁界１４０エルステッドの印加により、バルク
ハウゼンノイズの発生またはスイッチングノイズの動作
点側のシフトが生じる場合があった。
１６に示した従来型の薄膜磁気ヘッドについて、外部磁
界を印加することによるバルクハウゼンノイズの発生、
あるいはスイッチングノイズの動作点側へのシフトにつ
いて調べたところ、次のような結果を得た。本実施例の
薄膜磁気ヘッドでは、外部磁界２１０エルステッドを印
加した場合においても、バルクハウゼンノイズの発生や
スイッチングノイズの動作点側へのシフトは生じなかっ
た。それに対して、従来型の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、外部磁界１４０エルステッドの印加により、バルク
ハウゼンノイズの発生またはスイッチングノイズの動作
点側のシフトが生じる場合があった。
【００４７】以上の結果から、本実施例の薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、外部磁場に対して、従来型の薄膜磁気ヘ
ッドに比べてより安定であることがわかる。
ドにおいては、外部磁場に対して、従来型の薄膜磁気ヘ
ッドに比べてより安定であることがわかる。
【００４８】次に、特許請求の範囲に記載された本発明
には包含されないが、本発明にとって参考となる３つの
構造例（以下「参考例」と記す）について、図５（ａ）
ないし（ｃ）に基づいて説明する。これらの参考例は、
本発明をヨーク型の薄膜磁気ヘッドに適用した点で上記
第１および第２の実施例と共通するが、これらの参考例
においては、いずれも上側ヨーク５をトラック幅方向に
分割していない。
には包含されないが、本発明にとって参考となる３つの
構造例（以下「参考例」と記す）について、図５（ａ）
ないし（ｃ）に基づいて説明する。これらの参考例は、
本発明をヨーク型の薄膜磁気ヘッドに適用した点で上記
第１および第２の実施例と共通するが、これらの参考例
においては、いずれも上側ヨーク５をトラック幅方向に
分割していない。
【００４９】図５（ａ）に示す参考例においては、高抗
磁力膜１１ｂをＭＲ素子１の中央に１個のみ形成し、図
５（ｂ）に示す参考例においては、高抗磁力膜１１ｂを
ＭＲ素子１の両端間を略３等分する２か所に形成してい
る。図５（ｃ）に示す参考例においては、高抗磁力膜１
１ｂを上記第２の実施例と同様の５か所に形成してい
る。ただし、この図５（ｃ）の参考例においては、上側
フロントヨーク５ａおよび上側バックヨーク５ｂの、そ
れぞれの高抗磁力膜１１ｂに対向する部分に、切欠１４
を設けている。この切欠１４は、上側ヨーク５をトラッ
ク幅方向に分割しない場合、図２を用いて既に説明した
問題点の発生を低減するために設けられたものである。
磁力膜１１ｂをＭＲ素子１の中央に１個のみ形成し、図
５（ｂ）に示す参考例においては、高抗磁力膜１１ｂを
ＭＲ素子１の両端間を略３等分する２か所に形成してい
る。図５（ｃ）に示す参考例においては、高抗磁力膜１
１ｂを上記第２の実施例と同様の５か所に形成してい
る。ただし、この図５（ｃ）の参考例においては、上側
フロントヨーク５ａおよび上側バックヨーク５ｂの、そ
れぞれの高抗磁力膜１１ｂに対向する部分に、切欠１４
を設けている。この切欠１４は、上側ヨーク５をトラッ
ク幅方向に分割しない場合、図２を用いて既に説明した
問題点の発生を低減するために設けられたものである。
【００５０】上記各参考例の薄膜磁気ヘッドのバルクハ
ウゼンノイズの発生について調査したところ、第２の実
施例ほどの効果は得られなかったものの、図１６に示し
た従来の薄膜磁気ヘッドに比べてバルクハウゼンノイズ
は低減された。上記各参考例の間において比較すると、
バルクハウゼンノイズ低減の効果は図５（ｃ）に示す参
考例が最も大きく、図５（ａ）に示す参考例が最も小さ
かった。
ウゼンノイズの発生について調査したところ、第２の実
施例ほどの効果は得られなかったものの、図１６に示し
た従来の薄膜磁気ヘッドに比べてバルクハウゼンノイズ
は低減された。上記各参考例の間において比較すると、
バルクハウゼンノイズ低減の効果は図５（ｃ）に示す参
考例が最も大きく、図５（ａ）に示す参考例が最も小さ
かった。
【００５１】次に、上記第１および第２の実施例のよう
に上側ヨーク５をトラック幅方向に分割する場合と、上
記各参考例のように分割しない場合とを対比して、特性
上の長所および短所について考察する。
に上側ヨーク５をトラック幅方向に分割する場合と、上
記各参考例のように分割しない場合とを対比して、特性
上の長所および短所について考察する。
【００５２】上側ヨーク５がトラック幅方向に分割され
ているか否かによる特性の違いは、１つは上側ヨーク５
に形成される磁区形状の違いに起因している。図６
（ａ）ないし（ｄ）には、各種寸法のストライプ形状に
加工した場合の磁区形状を示す。各ストライプの寸法
ｘ，ｙは表１のとおりである。
ているか否かによる特性の違いは、１つは上側ヨーク５
に形成される磁区形状の違いに起因している。図６
（ａ）ないし（ｄ）には、各種寸法のストライプ形状に
加工した場合の磁区形状を示す。各ストライプの寸法
ｘ，ｙは表１のとおりである。
【００５３】
【表１】 図６（ａ）ないし（ｄ）の対比からわかるように、スト
ライプの長さｘが６００μｍと長い場合には、１８０°
磁区がストライプに平行になりにくくなり、磁区が乱れ
やすくなる。ストライプ長さｘが１００μｍ以下では、
図６（ｄ）に示すような幅ｙが１０μｍ程度であって
も、良好な磁区が形成される。したがって、上側ヨーク
５のトラック幅方向の幅を狭く分割することにより、安
定した磁区を有する薄膜磁気ヘッドを形成することがで
きる。この観点からは、トラック幅も広いヨーク型薄膜
磁気ヘッドにおいては、上側ヨーク５をトラック幅方向
に分割することにより、磁区の乱れによるノイズの少な
い、安定な磁気ヘッドを得ることができるといえる。
ライプの長さｘが６００μｍと長い場合には、１８０°
磁区がストライプに平行になりにくくなり、磁区が乱れ
やすくなる。ストライプ長さｘが１００μｍ以下では、
図６（ｄ）に示すような幅ｙが１０μｍ程度であって
も、良好な磁区が形成される。したがって、上側ヨーク
５のトラック幅方向の幅を狭く分割することにより、安
定した磁区を有する薄膜磁気ヘッドを形成することがで
きる。この観点からは、トラック幅も広いヨーク型薄膜
磁気ヘッドにおいては、上側ヨーク５をトラック幅方向
に分割することにより、磁区の乱れによるノイズの少な
い、安定な磁気ヘッドを得ることができるといえる。
【００５４】しかしながら、ストライプの横幅ｘに対し
て縦幅ｙが比較的大きくなる場合には、図６（ｅ）に示
すような磁区構造となる。その結果、９０°磁壁２２が
多数形成されることになる。９０°磁壁２２の磁化方向
は、図６（ｅ）に矢印Ｈで示す外部磁界方向に対して平
行になるため、磁化の回転が生じず、外部磁界Ｈの変動
に追随しないことになる。したがって、９０°磁壁２２
が多数存在することに起因して、ノイズの発生原因とな
りやすい。したがって、９０°磁壁が発生しにくい上側
ヨーク５の形状を実現することが、バルクハウゼンノイ
ズの抑制に対して重要な要素となる。この観点から評価
すると、上側ヨーク５をトラック幅方向に分解しない場
合の方が、バルクハウゼンノイズの防止のために有利で
あるといえる。
て縦幅ｙが比較的大きくなる場合には、図６（ｅ）に示
すような磁区構造となる。その結果、９０°磁壁２２が
多数形成されることになる。９０°磁壁２２の磁化方向
は、図６（ｅ）に矢印Ｈで示す外部磁界方向に対して平
行になるため、磁化の回転が生じず、外部磁界Ｈの変動
に追随しないことになる。したがって、９０°磁壁２２
が多数存在することに起因して、ノイズの発生原因とな
りやすい。したがって、９０°磁壁が発生しにくい上側
ヨーク５の形状を実現することが、バルクハウゼンノイ
ズの抑制に対して重要な要素となる。この観点から評価
すると、上側ヨーク５をトラック幅方向に分解しない場
合の方が、バルクハウゼンノイズの防止のために有利で
あるといえる。
【００５５】実際の薄膜磁気ヘッドを設計するにあたっ
ては、１８０°磁壁の形状の安定化と９０°磁壁を減少
させるという２つの観点から、薄膜磁気ヘッドの用途な
どに応じて最適なヨーク形状を決定する必要がある。
ては、１８０°磁壁の形状の安定化と９０°磁壁を減少
させるという２つの観点から、薄膜磁気ヘッドの用途な
どに応じて最適なヨーク形状を決定する必要がある。
【００５６】さらに、上側ヨーク５をトラック幅方向に
分割する場合には、分割しない場合に比べて、トラック
幅が同一の場合には、磁路の断面積はより小さくなるた
め、磁気ヘッドとしての感度という観点からは、上側ヨ
ーク５を分割することによって劣化する場合もある。こ
のことを考慮すると、図５（ｃ）に示したように、上側
ヨーク５そのものはトラック幅方向に分割することな
く、高抗磁力膜１１ｂ位置に切欠を設ける方法が、上述
した長所および短所を勘案した手法であると考えられ
る。
分割する場合には、分割しない場合に比べて、トラック
幅が同一の場合には、磁路の断面積はより小さくなるた
め、磁気ヘッドとしての感度という観点からは、上側ヨ
ーク５を分割することによって劣化する場合もある。こ
のことを考慮すると、図５（ｃ）に示したように、上側
ヨーク５そのものはトラック幅方向に分割することな
く、高抗磁力膜１１ｂ位置に切欠を設ける方法が、上述
した長所および短所を勘案した手法であると考えられ
る。
【００５７】次に、やはり特許請求の範囲に記載の発明
には包含されないが、本発明に関連する他の参考例につ
いて、図７（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。本参考例
は、上記第１および第２の実施例が本発明をヨーク型薄
膜磁気ヘッドに適用していたのに対して、シールド型薄
膜磁気ヘッドに適応した構造の例である。
には包含されないが、本発明に関連する他の参考例につ
いて、図７（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。本参考例
は、上記第１および第２の実施例が本発明をヨーク型薄
膜磁気ヘッドに適用していたのに対して、シールド型薄
膜磁気ヘッドに適応した構造の例である。
【００５８】さらに本参考例は、図１５（ａ）（ｂ）を
用いて説明した従来例に対応する構造例であって、図１
５の従来例においては高抗磁力膜１１がＭＲ素子１の両
端近傍のみに形成されていたのに対し、本参考例ではＭ
Ｒ素子１の両端間をほぼ３等分する２か所に、高抗磁力
膜１１ｂを形成したものである。図７（ａ）（ｂ）にお
いて用いた参照番号は、相当の要素については他の図に
おいて用いたものと同一のものを用いているため、構造
の詳細な説明については省略する。
用いて説明した従来例に対応する構造例であって、図１
５の従来例においては高抗磁力膜１１がＭＲ素子１の両
端近傍のみに形成されていたのに対し、本参考例ではＭ
Ｒ素子１の両端間をほぼ３等分する２か所に、高抗磁力
膜１１ｂを形成したものである。図７（ａ）（ｂ）にお
いて用いた参照番号は、相当の要素については他の図に
おいて用いたものと同一のものを用いているため、構造
の詳細な説明については省略する。
【００５９】本参考例においては、隣合う高抗磁力膜１
１ａ，１１ｂの間隔ΔＷが、７０μｍ程度に設定されて
いる。そのため、磁化方向が回転モードで動く理想的な
ＭＲ素子として、ＭＲ素子１が作用する。したがって、
トラック幅が広い場合、すなわちＭＲ素子１の長さが長
いＭＲ磁気ヘッドにおいても、入力磁界に対して、バル
クハウゼンノイズなどの生じない、図９（ａ）に示すよ
うな理想的な二次関数的出力特性を示すようになる。
１ａ，１１ｂの間隔ΔＷが、７０μｍ程度に設定されて
いる。そのため、磁化方向が回転モードで動く理想的な
ＭＲ素子として、ＭＲ素子１が作用する。したがって、
トラック幅が広い場合、すなわちＭＲ素子１の長さが長
いＭＲ磁気ヘッドにおいても、入力磁界に対して、バル
クハウゼンノイズなどの生じない、図９（ａ）に示すよ
うな理想的な二次関数的出力特性を示すようになる。
【００６０】なお、高抗磁力膜１１ａ，１１ｂの間隔に
ついては、本発明者らが種々のサンプルを作成して検討
した結果、ΔＷが８０μｍ以上の間隔になるとバルクハ
ウゼンノイズが発生する確率が高くなり、７０μｍの間
隔であれば、９トラックのＭＲヘッドの場合にはまった
くノイズが発生せず、４０μｍの間隔で高抗磁力膜１１
ａ，１１ｂを配置した場合には、４４トラックのＭＲヘ
ッドであっても、全くノイズの発生が認められなかっ
た。
ついては、本発明者らが種々のサンプルを作成して検討
した結果、ΔＷが８０μｍ以上の間隔になるとバルクハ
ウゼンノイズが発生する確率が高くなり、７０μｍの間
隔であれば、９トラックのＭＲヘッドの場合にはまった
くノイズが発生せず、４０μｍの間隔で高抗磁力膜１１
ａ，１１ｂを配置した場合には、４４トラックのＭＲヘ
ッドであっても、全くノイズの発生が認められなかっ
た。
【００６１】以上説明したように、本発明の考え方は、
ヨーク型の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドのみではなく、シ
ールド型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに対しても同
様に適用することができ、所望の効果を得ることができ
る。
ヨーク型の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドのみではなく、シ
ールド型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに対しても同
様に適用することができ、所望の効果を得ることができ
る。
【００６２】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、Ｍ
Ｒ素子の長手方向の両端近傍のみではなく、その両端間
の所定の位置においても高抗磁力膜を形成することによ
り、ＭＲ素子の全域にわたって均一に弱磁界を印加する
ことができ、ＭＲ素子の単磁区化を容易に図ることが可
能となる。
Ｒ素子の長手方向の両端近傍のみではなく、その両端間
の所定の位置においても高抗磁力膜を形成することによ
り、ＭＲ素子の全域にわたって均一に弱磁界を印加する
ことができ、ＭＲ素子の単磁区化を容易に図ることが可
能となる。
【００６３】その結果、トラック幅が広い場合において
も、バルクハウゼンノイズの生じない薄膜磁気ヘッド
を、高抗磁力膜の厚さを変えることなく実現することが
できる。
も、バルクハウゼンノイズの生じない薄膜磁気ヘッド
を、高抗磁力膜の厚さを変えることなく実現することが
できる。
【００６４】さらに、上側ヨークをトラック幅方向に分
割することにより、上側ヨークの磁区の安定化を図るこ
とが可能となり、ＭＲ素子が長い場合においてもバルク
ハウゼンノイズに起因する歩留りの低下を抑制し、さら
に外部磁界によるバルクハウゼンノイズの発生、あるい
はスイッチングノイズの動作点のシフトなどを抑制する
ことができるという特有の効果を奏する。
割することにより、上側ヨークの磁区の安定化を図るこ
とが可能となり、ＭＲ素子が長い場合においてもバルク
ハウゼンノイズに起因する歩留りの低下を抑制し、さら
に外部磁界によるバルクハウゼンノイズの発生、あるい
はスイッチングノイズの動作点のシフトなどを抑制する
ことができるという特有の効果を奏する。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例における薄膜磁
気ヘッドの平面図、（ｂ）は同実施例の斜視図である。
気ヘッドの平面図、（ｂ）は同実施例の斜視図である。
【図２】上側ヨーク５をトラック幅方向に分割しない場
合の問題点を説明するための図である。
合の問題点を説明するための図である。
【図３】（ａ）は本発明の第２の実施例における薄膜磁
気ヘッドを示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面
図である。
気ヘッドを示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面
図である。
【図４】本発明の第２の実施例における薄膜磁気ヘッド
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図５】（ａ）ないし（ｃ）は、それぞれ本発明に関連
する３つの参考例における薄膜磁気ヘッドの平面図であ
る。
する３つの参考例における薄膜磁気ヘッドの平面図であ
る。
【図６】（ａ）ないし（ｅ）は、ＭＲ素子のストライプ
の形状と形成される磁区の形状との相関関係を説明する
ための図である。
の形状と形成される磁区の形状との相関関係を説明する
ための図である。
【図７】（ａ）は本発明に関連する他の参考例における
薄膜磁気ヘッドのＭＲ素子近傍のみを示す斜視図、
（ｂ）は同参考例の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
薄膜磁気ヘッドのＭＲ素子近傍のみを示す斜視図、
（ｂ）は同参考例の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図８】従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのＭＲ素
子近傍の構造を模式的に示す斜視図である。
子近傍の構造を模式的に示す斜視図である。
【図９】（ａ）はバルクハウゼンノイズが生じない場合
のＭＲ素子の理想的な磁化曲線を示す図、（ｂ）はバル
クハウゼンジャンプが生じた場合のＭＲ素子の磁化曲線
を示す図、（ｃ）はバルクハウゼンノイズが生じた場合
のＭＲ素子の磁化曲線を示す図である。
のＭＲ素子の理想的な磁化曲線を示す図、（ｂ）はバル
クハウゼンジャンプが生じた場合のＭＲ素子の磁化曲線
を示す図、（ｃ）はバルクハウゼンノイズが生じた場合
のＭＲ素子の磁化曲線を示す図である。
【図１０】従来のヨーク型薄膜磁気ヘッドの断面構造を
模式的に示す図である。
模式的に示す図である。
【図１１】従来のシールド型薄膜磁気ヘッドの断面構造
を模式的に示す図である。
を模式的に示す図である。
【図１２】ＭＲ素子を単磁区化するための１つの手法と
しての、ＭＲ素子を磁気的に閉じた構造とした場合のパ
ターンの一例を示す図である。
しての、ＭＲ素子を磁気的に閉じた構造とした場合のパ
ターンの一例を示す図である。
【図１３】従来のＭＲ素子の、高抗磁力膜を使用しない
構造を示す斜視図である。
構造を示す斜視図である。
【図１４】従来のＭＲ素子の、両端近傍のみに高抗磁力
膜を形成した構造を示す斜視図である。
膜を形成した構造を示す斜視図である。
【図１５】（ａ）は、ＭＲ素子の両端近傍のみに高抗磁
力膜を形成したＭＲヘッドをシールド型薄膜磁気ヘッド
に適用した構造を示す、トラック幅方向に平行な断面構
造を示す図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面を示す図であ
る。
力膜を形成したＭＲヘッドをシールド型薄膜磁気ヘッド
に適用した構造を示す、トラック幅方向に平行な断面構
造を示す図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面を示す図であ
る。
【図１６】（ａ）は、ＭＲ素子の両端近傍のみに高抗磁
力膜を形成した従来のヨーク型薄膜磁気ヘッドの平面
図、（ｂ）は同従来例の斜視図である。
力膜を形成した従来のヨーク型薄膜磁気ヘッドの平面
図、（ｂ）は同従来例の斜視図である。
１ ＭＲ素子 ２ リード電極 ３ バイアス用電極 ４ 下側ヨーク ５ 上側ヨーク １１ａ，１１ｂ 高抗磁力膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 暁義 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 鈴木 宏 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 向井 厚雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−108519（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/39
Claims (1)
- 【請求項１】 一軸異方性を有する金属強磁性薄膜を含
み、印加される信号磁界の変化により電気抵抗が変化す
る磁気抵抗効果素子と、 この磁気抵抗効果素子の両端間にセンス電流を流し、前
記両端間に発生する電圧変化を検出するための一対のリ
ード電極と、 前記磁気抵抗効果素子に弱磁界を印加することにより、
前記磁気抵抗効果素子を単磁区化するために、前記磁気
抵抗効果素子の前記両端近傍および前記両端の間の位置
に配置された高抗磁力膜と、 前記磁気抵抗効果素子の下方に位置する下側ヨークと、 磁気記録媒体から発生する磁束を前記磁気抵抗効果素子
へ導くための磁気回路を前記下側ヨークとともに構成
し、前記磁気抵抗効果素子近傍において磁路方向に分割
された上側ヨークとをさらに備え、 前記上側ヨークは、前記高抗磁力膜の近傍において、ト
ラック幅方向に分割されている、 磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4238472A JP2857286B2 (ja) | 1991-09-27 | 1992-09-07 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| US07/951,985 US5402292A (en) | 1991-09-27 | 1992-09-25 | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head using high coercion films |
| EP92308783A EP0534791B1 (en) | 1991-09-27 | 1992-09-25 | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head |
| DE69218711T DE69218711T2 (de) | 1991-09-27 | 1992-09-25 | Magnetowiderstandseffekt-Dünnfilmmagnetkopf |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24908991 | 1991-09-27 | ||
| JP5252192 | 1992-03-11 | ||
| JP3-249089 | 1992-03-11 | ||
| JP4-52521 | 1992-03-11 | ||
| JP4238472A JP2857286B2 (ja) | 1991-09-27 | 1992-09-07 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05314430A JPH05314430A (ja) | 1993-11-26 |
| JP2857286B2 true JP2857286B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=27294651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4238472A Expired - Fee Related JP2857286B2 (ja) | 1991-09-27 | 1992-09-07 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5402292A (ja) |
| EP (1) | EP0534791B1 (ja) |
| JP (1) | JP2857286B2 (ja) |
| DE (1) | DE69218711T2 (ja) |
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| EP0551603B1 (en) * | 1991-12-05 | 1998-12-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-resistive head |
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| FR2709549B1 (fr) * | 1993-09-02 | 1995-10-13 | Commissariat Energie Atomique | Guide de flux magnétique à languettes et capteur magnétorésistif comportant ce guide . |
| FR2709600B1 (fr) * | 1993-09-02 | 1995-09-29 | Commissariat Energie Atomique | Composant et capteur magnétorésistifs à motif géométrique répété. |
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| KR0153311B1 (ko) * | 1994-04-06 | 1998-12-15 | 가나이 쯔도무 | 자기 저항 효과형 박막 자기 헤드 및 그 제조 방법 |
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| JP2694806B2 (ja) * | 1994-08-29 | 1997-12-24 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 |
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| JP2001119081A (ja) * | 1999-08-09 | 2001-04-27 | Alps Electric Co Ltd | 磁気インピーダンス効果素子及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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