JPS5857618A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS5857618A JPS5857618A JP15715881A JP15715881A JPS5857618A JP S5857618 A JPS5857618 A JP S5857618A JP 15715881 A JP15715881 A JP 15715881A JP 15715881 A JP15715881 A JP 15715881A JP S5857618 A JPS5857618 A JP S5857618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- magnetic
- coercive force
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録媒体からの信号磁界の検出を行う磁気
抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド（以下薄膜ＭＲヘ
ッドと略す）に関するものである。
抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド（以下薄膜ＭＲヘ
ッドと略す）に関するものである。
薄膜ＭＲヘッドは従来の巻線型の磁気ヘッドと比較して
磁気記録媒体の移送速度に依存せずに再生でき、又半導
体の微細加工技術により高集積化、多素子化が容易なた
め、高密度記録される固定ヘッド型ＰＣＭ録音機の再生
用磁気ヘッドとして期待されている。
磁気記録媒体の移送速度に依存せずに再生でき、又半導
体の微細加工技術により高集積化、多素子化が容易なた
め、高密度記録される固定ヘッド型ＰＣＭ録音機の再生
用磁気ヘッドとして期待されている。
この再生用磁気ヘッドにおいてＭＲ素子（磁気抵抗効果
素子）には線型応答特性と高分解能特性とが基本的に必
要となる。
素子）には線型応答特性と高分解能特性とが基本的に必
要となる。
ＭＲ素子において上記線型応答特性を得る為にＭＲスト
ライプに所定のバイアス磁界を印加する方法が用いられ
る。そしてこの方法には導体に直流電流を流す事によっ
てバイアス磁界を誘起する方法とＣｏ−Ｐ膜等の高抗磁
力薄膜を用いてバイアス磁界を印加する方法が知られる
。
ライプに所定のバイアス磁界を印加する方法が用いられ
る。そしてこの方法には導体に直流電流を流す事によっ
てバイアス磁界を誘起する方法とＣｏ−Ｐ膜等の高抗磁
力薄膜を用いてバイアス磁界を印加する方法が知られる
。
又、ＭＲ素子において上記高分解能特性を得る為にＭＲ
ストライプの上層及び下層に絶縁膜を介して磁気シール
ド層を設ける方法が用いられている。
ストライプの上層及び下層に絶縁膜を介して磁気シール
ド層を設ける方法が用いられている。
尚、上記の磁気シールド層を設ける場合には上層及び下
層の磁気シールド間距離即ちギャップ長を短くするに従
い、より高分解能特性が得られることから、上層及び下
層の磁気シールド間の絶縁膜はできる限り薄くされる。
層の磁気シールド間距離即ちギャップ長を短くするに従
い、より高分解能特性が得られることから、上層及び下
層の磁気シールド間の絶縁膜はできる限り薄くされる。
そしてこの絶縁膜の薄膜化の故に上記バイアス磁界を印
加する方法としては、上記導体に直流電流を流す事によ
って磁界を誘起する方法より、高抗磁力薄膜をｆｌｉＬ
置する方法の方が優れている。
加する方法としては、上記導体に直流電流を流す事によ
って磁界を誘起する方法より、高抗磁力薄膜をｆｌｉＬ
置する方法の方が優れている。
さてＭＲ素子を用いて再生用磁気ヘッドを作製する場合
は、基板上にＭＲヘッドを作製後目的の大きさに基板を
切断し、次にこれをケース等に収納し、次に磁気記録媒
体（磁気テープ等）に接触するヘッド面を目的の寸法ま
で研摩する。
は、基板上にＭＲヘッドを作製後目的の大きさに基板を
切断し、次にこれをケース等に収納し、次に磁気記録媒
体（磁気テープ等）に接触するヘッド面を目的の寸法ま
で研摩する。
しかし前述した如く各層の絶縁膜は高分解能特性を達成
するために出来る限り薄くしてあり、上記研摩時に上記
高抗磁力膜がだれ、ＭＲ素子部とバイアス用高抗磁力膜
が部分的に接触する危険があった。この様な現象はテー
プ走行中のヘッドとの摩擦によっても発生する。上記Ｍ
Ｒ素子部とバイアス用高抗磁力膜との接触が起きればセ
ンス電流がバイアス用高抗磁力膜を流れるため、ＭＲ素
子の出力値が変動し、不安定なものとなり、問題あった
。
するために出来る限り薄くしてあり、上記研摩時に上記
高抗磁力膜がだれ、ＭＲ素子部とバイアス用高抗磁力膜
が部分的に接触する危険があった。この様な現象はテー
プ走行中のヘッドとの摩擦によっても発生する。上記Ｍ
Ｒ素子部とバイアス用高抗磁力膜との接触が起きればセ
ンス電流がバイアス用高抗磁力膜を流れるため、ＭＲ素
子の出力値が変動し、不安定なものとなり、問題あった
。
本発明は上記従来の再生用ＭＲヘッドのバイアス用高抗
磁力膜に関する改良を施こし、ＭＲ素子出力の安定を図
ることを目的とする。
磁力膜に関する改良を施こし、ＭＲ素子出力の安定を図
ることを目的とする。
以下、本発明に係わる薄膜ＭＲヘッドの一実施例を図面
を用いて詳細に説明する。
を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係わる薄膜ＭＲヘッドの一実施例の構
造を示し、同図（ａ）は平面図、同図（１））はＡ−Ａ
’切断面での側面断面図である。
造を示し、同図（ａ）は平面図、同図（１））はＡ−Ａ
’切断面での側面断面図である。
次にこの薄膜ＭＲヘッドの製造手順を説明する。
Ｎｉ−Ｚｎ等のフェライト基板１に５ｉ０２等の絶縁層
２をスパッタにより形成する。次に磁気バイアス用とし
て高抗磁力膜３をスパッタにより形成し化学エツチング
あるいはスパッタエッチにより目的のパターンに加工す
る。次に５ｉ０２等の絶縁膜４をスパッタにより被覆す
る。次にＭＲ素子部となるパーマロイ膜５を磁界中で真
空蒸着し目的のパターンに化学エツチングあるいはスパ
ッタエッチにより加工する。次に絶縁層４の一部にプラ
ズマエツチングを用いて孔９を形成する。次に導電材料
Ａｌ−Ｃｕ膜６をスパッタを用いて形成し、プラズマエ
ツチングを用いて目的のパターンに加工する。この導電
材料Ａｌ−Ｃｕ膜６は上記孔９を介しＣｏ−Ｐ膜３と接
触する。次にＭＲ素子部５のＰａ５ｓｉｖａｔｉｏｎ層
として５ｉ０２膜７をスパッタにより形成する。最後に
上側の磁気シールド層８としてパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ
）を被覆する。以上の工程で完成したＭＲへラドウェハ
ーを目的の大きさに切断後ケースに収納し磁気テープと
接触する面を目的の寸法まで研摩し薄膜ＭＲヘッドが完
成する。
２をスパッタにより形成する。次に磁気バイアス用とし
て高抗磁力膜３をスパッタにより形成し化学エツチング
あるいはスパッタエッチにより目的のパターンに加工す
る。次に５ｉ０２等の絶縁膜４をスパッタにより被覆す
る。次にＭＲ素子部となるパーマロイ膜５を磁界中で真
空蒸着し目的のパターンに化学エツチングあるいはスパ
ッタエッチにより加工する。次に絶縁層４の一部にプラ
ズマエツチングを用いて孔９を形成する。次に導電材料
Ａｌ−Ｃｕ膜６をスパッタを用いて形成し、プラズマエ
ツチングを用いて目的のパターンに加工する。この導電
材料Ａｌ−Ｃｕ膜６は上記孔９を介しＣｏ−Ｐ膜３と接
触する。次にＭＲ素子部５のＰａ５ｓｉｖａｔｉｏｎ層
として５ｉ０２膜７をスパッタにより形成する。最後に
上側の磁気シールド層８としてパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ
）を被覆する。以上の工程で完成したＭＲへラドウェハ
ーを目的の大きさに切断後ケースに収納し磁気テープと
接触する面を目的の寸法まで研摩し薄膜ＭＲヘッドが完
成する。
上記説明において、高抗磁力膜３の比抵抗ρｃｏ−ｐは
ρ。。、≧１×１００・ｃｍ （Ｍ Ｒ素子部であるＮ
ｉ−Ｆｅ膜の比抵抗をρＮ ｉ −Ｆ ｅとすると、ρ
。ｏ−Ｐ／ρＮ１−Ｆｅ≧３５）となる様に設定する。
ρ。。、≧１×１００・ｃｍ （Ｍ Ｒ素子部であるＮ
ｉ−Ｆｅ膜の比抵抗をρＮ ｉ −Ｆ ｅとすると、ρ
。ｏ−Ｐ／ρＮ１−Ｆｅ≧３５）となる様に設定する。
Ｃｏ−Ｐ膜の比抵抗ρ はターゲット、スパッＯ−
Ｐ 夕条件により制御する事ができる。第２図に示すように
Ｃｏ−Ｐスパッタ膜の比抵抗ρ。Ｑ−Ｐは抗磁力Ｈ６と
相関関係にあり抗磁力Ｈ６が大きい程比抵抗ρ も
大きい。これはＣｏ−Ｐ膜中のＰ濃ｏ−ｐ 度依存性が存在するためである。
Ｐ 夕条件により制御する事ができる。第２図に示すように
Ｃｏ−Ｐスパッタ膜の比抵抗ρ。Ｑ−Ｐは抗磁力Ｈ６と
相関関係にあり抗磁力Ｈ６が大きい程比抵抗ρ も
大きい。これはＣｏ−Ｐ膜中のＰ濃ｏ−ｐ 度依存性が存在するためである。
次に本発明の薄膜ＭＲヘッドにおいてＭＲ素子の導電層
６とＣｏ−Ｐ膜３をその絶縁層の孔９で接続し、又Ｃｏ
−Ｐ膜３の比抵抗ρ ≧１×１００・Ｇｃ（、−ｐ とした理由を従来のものと比較して説明する。
６とＣｏ−Ｐ膜３をその絶縁層の孔９で接続し、又Ｃｏ
−Ｐ膜３の比抵抗ρ ≧１×１００・Ｇｃ（、−ｐ とした理由を従来のものと比較して説明する。
Ｃｏ−Ｐ膜の抵抗値をＲｃｏ−Ｐ、ＭＲ素子の抵抗値を
ＲＭＲ＆すると前述した比抵抗よりＲ６０−Ｐ／ＲＭＲ
≧ＩＯである（膜厚の違いにより全体の抵抗はこのよう
な比となる。）。
ＲＭＲ＆すると前述した比抵抗よりＲ６０−Ｐ／ＲＭＲ
≧ＩＯである（膜厚の違いにより全体の抵抗はこのよう
な比となる。）。
従来の薄膜ＭＲヘッドでＭＲ累子部とバイアス用高抗磁
力膜か部分的に接触した構造を第３図に示し、本発明の
薄膜ＭＲヘッドでＭＲ素子部とバイアス用高抗磁力膜が
部分的に接触した構造を第４図に示す。両者を比較する
と、第３図の従来の素子構造の場合、Ｂ−Ｂ′点でＭＲ
素子部か導通ずると両端のＭＲ素子抵抗が変わるため出
力の不安定なトラックとなる。一方策４図の本発明の素
子構造の場合、初期状態（未だ導通の無い状態）では第
３図の従来の素子構造に比較してＭＲ素子抵抗値は１０
％以下の低下を見るが、第４図の如くバイアス用Ｃｏ−
Ｐ膜とＭＲ素子がＣ２ご点で導通してもｃｃｏ−ｐ点と
ＣＭＲ点及びＣ′ｃ、）−ｐ点と僑、点は同電位になる
ので両端のＭＲ素子抵抗は不変であり安定した出力が得
られる。
力膜か部分的に接触した構造を第３図に示し、本発明の
薄膜ＭＲヘッドでＭＲ素子部とバイアス用高抗磁力膜が
部分的に接触した構造を第４図に示す。両者を比較する
と、第３図の従来の素子構造の場合、Ｂ−Ｂ′点でＭＲ
素子部か導通ずると両端のＭＲ素子抵抗が変わるため出
力の不安定なトラックとなる。一方策４図の本発明の素
子構造の場合、初期状態（未だ導通の無い状態）では第
３図の従来の素子構造に比較してＭＲ素子抵抗値は１０
％以下の低下を見るが、第４図の如くバイアス用Ｃｏ−
Ｐ膜とＭＲ素子がＣ２ご点で導通してもｃｃｏ−ｐ点と
ＣＭＲ点及びＣ′ｃ、）−ｐ点と僑、点は同電位になる
ので両端のＭＲ素子抵抗は不変であり安定した出力が得
られる。
以上の様に本発明によれば、ヘッド面を研摩する際ある
いは磁気記録媒体の移送時等にＭＲ素子部とバイアス用
高抗磁力膜が接触しても、このことから素子の出力に変
動が生起することを防止できるものであり、出力の安定
化と高分解能とを得るものである。
いは磁気記録媒体の移送時等にＭＲ素子部とバイアス用
高抗磁力膜が接触しても、このことから素子の出力に変
動が生起することを防止できるものであり、出力の安定
化と高分解能とを得るものである。
第１図は本発明に係わる薄膜ＭＲヘッドの構造を示し同
図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＡ −Ａ’切断面の側
面断面図、第２図はＣｏ−Ｐ膜の抗磁力Ｈ６と比抵抗ρ
との関係を示すグラフ図、第３図はｍ−ｐ 従来のＭＲ素子とＣｏ−Ｐ膜の導通時の薄膜ＭＲヘッド
の側面断面図、第４図は本発明のＭＲ素子とＣｏ−Ｐ膜
の導通時の薄膜ＭＲヘッドの側面断面図を示す。 図中、１：フェライト基板、２，４．７：絶縁層、３
： Ｃｏ−Ｐ膜、５：ＭＲ素子、６：導電層、８：シー
ルド層、９：孔。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 第１ （ａ） 図 （ｂ）
図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＡ −Ａ’切断面の側
面断面図、第２図はＣｏ−Ｐ膜の抗磁力Ｈ６と比抵抗ρ
との関係を示すグラフ図、第３図はｍ−ｐ 従来のＭＲ素子とＣｏ−Ｐ膜の導通時の薄膜ＭＲヘッド
の側面断面図、第４図は本発明のＭＲ素子とＣｏ−Ｐ膜
の導通時の薄膜ＭＲヘッドの側面断面図を示す。 図中、１：フェライト基板、２，４．７：絶縁層、３
： Ｃｏ−Ｐ膜、５：ＭＲ素子、６：導電層、８：シー
ルド層、９：孔。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 第１ （ａ） 図 （ｂ）
Claims (1)
- １、−軸磁気異方性を有する金属強磁性薄膜の困難軸方
向に印加される信号磁界の変化を容易軸方向の電気抵抗
の変化として検出する磁気抵抗効果素子の片側あるいは
両側に磁気バイアス用高抗磁力薄膜を設けた薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子に接続される導電
膜と前記磁気バイアス用高抗磁力薄膜を接続したことを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15715881A JPS5857618A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15715881A JPS5857618A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857618A true JPS5857618A (ja) | 1983-04-05 |
Family
ID=15643446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15715881A Pending JPS5857618A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857618A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5402292A (en) * | 1991-09-27 | 1995-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head using high coercion films |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15715881A patent/JPS5857618A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5402292A (en) * | 1991-09-27 | 1995-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head using high coercion films |
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