JPH09147323A - 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドとその製造方法Info
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- JPH09147323A JPH09147323A JP30321395A JP30321395A JPH09147323A JP H09147323 A JPH09147323 A JP H09147323A JP 30321395 A JP30321395 A JP 30321395A JP 30321395 A JP30321395 A JP 30321395A JP H09147323 A JPH09147323 A JP H09147323A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜磁気ヘッドにおいて高精度なギャップ深
さを得ることが出来る製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 下部磁性層１０の上に、（ａ）（ｂ）の
ように層間絶縁層９を介して磁気検知手段２を形成し、
下部磁性層１０から磁気検知手段２にかけて絶縁層１３
を介して上部磁性層４１を形成した磁気ヘッドの製造に
際し、フロントギャップ部の層間絶縁層９に、トラック
幅方向の寸法がギャップ深さ方向に従って異なり所定の
ギャップ深さ位置における幅が目的のトラック幅Ｗの段
差Ｆを形成し、この上に目的のトラック幅Ｗの上部磁性
層４１を形成し、摺動面６をギャップ深さ方向に研削加
工して（ｃ）のように露出した段差Ｆの幅ｄ2 が、目的
のトラック幅になった時点（ａ）の位置Ｐ２で研削加工
を終了する。
さを得ることが出来る製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 下部磁性層１０の上に、（ａ）（ｂ）の
ように層間絶縁層９を介して磁気検知手段２を形成し、
下部磁性層１０から磁気検知手段２にかけて絶縁層１３
を介して上部磁性層４１を形成した磁気ヘッドの製造に
際し、フロントギャップ部の層間絶縁層９に、トラック
幅方向の寸法がギャップ深さ方向に従って異なり所定の
ギャップ深さ位置における幅が目的のトラック幅Ｗの段
差Ｆを形成し、この上に目的のトラック幅Ｗの上部磁性
層４１を形成し、摺動面６をギャップ深さ方向に研削加
工して（ｃ）のように露出した段差Ｆの幅ｄ2 が、目的
のトラック幅になった時点（ａ）の位置Ｐ２で研削加工
を終了する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録装置に用
いられる薄膜磁気ヘッドに関するものである。
いられる薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録再生装置の高記録密度
化、データの高転送速度化、多チャンネル化などに対応
して薄膜磁気ヘッドが注目されている。特に再生出力が
ヘッドとテープの相対速度に依存しない磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッドが注目されている。
化、データの高転送速度化、多チャンネル化などに対応
して薄膜磁気ヘッドが注目されている。特に再生出力が
ヘッドとテープの相対速度に依存しない磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッドが注目されている。
【０００３】図４の（ａ）（ｂ）に代表的な磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドを示す。図４（ａ）は薄膜磁気ヘッ
ドの平面図、図４（ｂ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ′の断
面図を示している。
果型薄膜磁気ヘッドを示す。図４（ａ）は薄膜磁気ヘッ
ドの平面図、図４（ｂ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ′の断
面図を示している。
【０００４】磁気テープなどの媒体から出た磁束は、フ
ロントヨーク４１を通って磁気抵抗効果素子（以下、Ｍ
Ｒ素子と称す）２に到達する。さらに、その磁束はバッ
クヨーク４２を通って下部磁性層１０を通りヘッド表面
に戻るという磁気回路を通る。
ロントヨーク４１を通って磁気抵抗効果素子（以下、Ｍ
Ｒ素子と称す）２に到達する。さらに、その磁束はバッ
クヨーク４２を通って下部磁性層１０を通りヘッド表面
に戻るという磁気回路を通る。
【０００５】信号を感知するＭＲ素子２には、ＭＲ素子
２の磁化方向を適切な方向に効率よい再生ができるよう
バイアス磁界が印加される。バイアス層１はそこに電流
を流しそのバイアス磁界を発生させるものである。
２の磁化方向を適切な方向に効率よい再生ができるよう
バイアス磁界が印加される。バイアス層１はそこに電流
を流しそのバイアス磁界を発生させるものである。
【０００６】さらに詳しくはヘッド素子は、次のように
構成されている。下部磁性層１０上には、第１絶縁層９
ａ、バイアス層１、ＭＲ素子２、リード層３、第２絶縁
層９ｂ、ギャップ層１３、フロントヨーク４１、バック
ヨーク４２、保護層〔図示せず〕を順次形成されてい
る。
構成されている。下部磁性層１０上には、第１絶縁層９
ａ、バイアス層１、ＭＲ素子２、リード層３、第２絶縁
層９ｂ、ギャップ層１３、フロントヨーク４１、バック
ヨーク４２、保護層〔図示せず〕を順次形成されてい
る。
【０００７】なお、図４の（ａ）に示すようにヘッド素
子の近傍には、ギャップ深さＤを測定するためのマーカ
ー８が、磁性膜あるいは導体膜などによりヘッド素子以
外の薄膜形成面のギャップ深さゼロの位置Ｐ０の付近に
設けられている。
子の近傍には、ギャップ深さＤを測定するためのマーカ
ー８が、磁性膜あるいは導体膜などによりヘッド素子以
外の薄膜形成面のギャップ深さゼロの位置Ｐ０の付近に
設けられている。
【０００８】そして保護層が平坦になるようにラッピン
グし、保護基板を接着する。また、テープタッチ向上の
ためにヘッド摺動面はＲ形状に加工する必要がある。こ
の研削加工は、マーカー８の寸法を光学顕微鏡で測定
し、マーカー８の寸法Ｌが目的のギャップ深さに対応し
た長さになるまで研削加工する。Ｗはヘッド摺動面６に
おけるトラック幅寸法を表している。
グし、保護基板を接着する。また、テープタッチ向上の
ためにヘッド摺動面はＲ形状に加工する必要がある。こ
の研削加工は、マーカー８の寸法を光学顕微鏡で測定
し、マーカー８の寸法Ｌが目的のギャップ深さに対応し
た長さになるまで研削加工する。Ｗはヘッド摺動面６に
おけるトラック幅寸法を表している。
【０００９】さらにチップ化した後、リード端子取り出
し部からワイヤーボンディング等の方法で外部回路と接
続する。
し部からワイヤーボンディング等の方法で外部回路と接
続する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術
は、マーカー８がギャップ深さゼロの位置Ｐ０の付近に
設けられているため、平滑なヘッド摺動面ではヘッド素
子のギャップ深さＤをマーカー８の寸法Ｌで測定するこ
とができる。
は、マーカー８がギャップ深さゼロの位置Ｐ０の付近に
設けられているため、平滑なヘッド摺動面ではヘッド素
子のギャップ深さＤをマーカー８の寸法Ｌで測定するこ
とができる。
【００１１】磁気記録の高密度化に伴い、薄膜磁気ヘッ
ドのギャップ深さも数μm の精度で加工する必要があ
る。しかし、従来技術ではヘッド素子とギャップ深さ測
定マーカー８が離れて形成されているため、Ｒ研削加工
後のヘッド素子のギャップ深さＤはマーカー８のギャッ
プ深さ７と必ずしも一致しない。
ドのギャップ深さも数μm の精度で加工する必要があ
る。しかし、従来技術ではヘッド素子とギャップ深さ測
定マーカー８が離れて形成されているため、Ｒ研削加工
後のヘッド素子のギャップ深さＤはマーカー８のギャッ
プ深さ７と必ずしも一致しない。
【００１２】また、１チップ内に複数個のヘッドを持つ
マルチトラック薄膜磁気ヘッドではマーカー８とヘッド
素子とはさらに大きく離れるため、高精度なギャップ深
さＤの測定がさらに困難である。
マルチトラック薄膜磁気ヘッドではマーカー８とヘッド
素子とはさらに大きく離れるため、高精度なギャップ深
さＤの測定がさらに困難である。
【００１３】本発明はヘッド素子のギャップ深さを数μ
m の精度で加工できる薄膜磁気ヘッドとその製造方法を
提供することを目的とする。
m の精度で加工できる薄膜磁気ヘッドとその製造方法を
提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の薄膜磁気
ヘッドは、基板上に形成した下部磁性層の上に、層間絶
縁層を介して磁気検知手段を形成し、下部磁性層の上か
ら磁気検知手段にかけて絶縁層を介して上部磁性層を形
成した薄膜磁気ヘッドにおいて、フロントギャップ部の
層間絶縁層に、トラック幅方向の寸法がギャップ深さ方
向に従って異なる段差を形成し、かつ、この段差のヘッ
ド摺動面位置の幅を目的のトラック幅に設定したことを
特徴とする。
ヘッドは、基板上に形成した下部磁性層の上に、層間絶
縁層を介して磁気検知手段を形成し、下部磁性層の上か
ら磁気検知手段にかけて絶縁層を介して上部磁性層を形
成した薄膜磁気ヘッドにおいて、フロントギャップ部の
層間絶縁層に、トラック幅方向の寸法がギャップ深さ方
向に従って異なる段差を形成し、かつ、この段差のヘッ
ド摺動面位置の幅を目的のトラック幅に設定したことを
特徴とする。
【００１５】この薄膜磁気ヘッドは、基板上に形成した
下部磁性層の上に、バイアス層、磁気感知素子を層間絶
縁層を介して形成し、下部磁性層の上から磁気感知素子
の一端にかけて絶縁層を介して上部磁性層となるフロン
トヨークを形成し、下部磁性層の上から磁気感知素子の
他端にかけて層間絶縁層を介して上部磁性層となるバッ
クヨークを形成した磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドや、
バイアス層、磁気感知素子に代わって導電コイルを設け
た磁気誘導型薄膜磁気ヘッドにおいて実施できる。
下部磁性層の上に、バイアス層、磁気感知素子を層間絶
縁層を介して形成し、下部磁性層の上から磁気感知素子
の一端にかけて絶縁層を介して上部磁性層となるフロン
トヨークを形成し、下部磁性層の上から磁気感知素子の
他端にかけて層間絶縁層を介して上部磁性層となるバッ
クヨークを形成した磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドや、
バイアス層、磁気感知素子に代わって導電コイルを設け
た磁気誘導型薄膜磁気ヘッドにおいて実施できる。
【００１６】請求項２記載の薄膜磁気ヘッドは、１ヘッ
ド中に複数個のヘッド素子を持つマルチトラック薄膜磁
気ヘッドにおいて、各ヘッド素子のフロントギャップ部
の層間絶縁層に、トラック幅方向の寸法がギャップ深さ
方向に従って異なる段差を形成し、かつ、この段差のヘ
ッド摺動面位置の幅を目的のトラック幅に設定したこと
を特徴とする。
ド中に複数個のヘッド素子を持つマルチトラック薄膜磁
気ヘッドにおいて、各ヘッド素子のフロントギャップ部
の層間絶縁層に、トラック幅方向の寸法がギャップ深さ
方向に従って異なる段差を形成し、かつ、この段差のヘ
ッド摺動面位置の幅を目的のトラック幅に設定したこと
を特徴とする。
【００１７】請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、基板上に形成した下部磁性層の上に、層間絶縁層を
介して磁気検知手段を形成し、下部磁性層の上から磁気
検知手段にかけて絶縁層を介して上部磁性層を形成した
薄膜磁気ヘッドの製造に際し、フロントギャップ部の層
間絶縁層に、トラック幅方向の寸法がギャップ深さ方向
に従って異なり所定のギャップ深さ位置における幅が目
的のトラック幅の段差を形成し、この層間絶縁層の上に
目的のトラック幅の上部磁性層を形成して摺動面加工前
磁気ヘッドを形成し、摺動面加工前磁気ヘッドの摺動面
をギャップ深さ方向に研削加工して摺動面に露出した前
記段差の幅が目的のトラック幅になった時点で研削加工
を終了することを特徴とする。
は、基板上に形成した下部磁性層の上に、層間絶縁層を
介して磁気検知手段を形成し、下部磁性層の上から磁気
検知手段にかけて絶縁層を介して上部磁性層を形成した
薄膜磁気ヘッドの製造に際し、フロントギャップ部の層
間絶縁層に、トラック幅方向の寸法がギャップ深さ方向
に従って異なり所定のギャップ深さ位置における幅が目
的のトラック幅の段差を形成し、この層間絶縁層の上に
目的のトラック幅の上部磁性層を形成して摺動面加工前
磁気ヘッドを形成し、摺動面加工前磁気ヘッドの摺動面
をギャップ深さ方向に研削加工して摺動面に露出した前
記段差の幅が目的のトラック幅になった時点で研削加工
を終了することを特徴とする。
【００１８】請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、請求項３において、層間絶縁層の段差は、ギャップ
深さゼロの位置に向かって目的のトラック幅から次第に
広く形成することを特徴とする。
は、請求項３において、層間絶縁層の段差は、ギャップ
深さゼロの位置に向かって目的のトラック幅から次第に
広く形成することを特徴とする。
【００１９】請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、請求項３において、層間絶縁層の段差は、ギャップ
深さゼロの位置に向かって目的のトラック幅から次第に
広く形成し、摺動面加工前磁気ヘッドの摺動面をギャッ
プ深さ方向へ研削加工して、摺動面に露出した前記段差
の幅と上部磁性層の幅を比較し、両者が一致した時点で
研削加工を終了することを特徴とする。
は、請求項３において、層間絶縁層の段差は、ギャップ
深さゼロの位置に向かって目的のトラック幅から次第に
広く形成し、摺動面加工前磁気ヘッドの摺動面をギャッ
プ深さ方向へ研削加工して、摺動面に露出した前記段差
の幅と上部磁性層の幅を比較し、両者が一致した時点で
研削加工を終了することを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施の形態を図
１〜図３に基づいて説明する。 〔第１の実施の形態〕図１と図２は磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドの実施の形態を示す。
１〜図３に基づいて説明する。 〔第１の実施の形態〕図１と図２は磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドの実施の形態を示す。
【００２１】図１の（ａ）は本発明の薄膜磁気ヘッドを
示し、図１の（ｂ）は図１（ａ）のＢ−Ｂにおける断面
を示している。この磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、
次のような工程で製造される。
示し、図１の（ｂ）は図１（ａ）のＢ−Ｂにおける断面
を示している。この磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、
次のような工程で製造される。
【００２２】なお、基板上に形成した下部磁性層１０の
上に、バイアス層１、ＭＲ素子２、リード３を層間絶縁
層９を介して形成する。この形成方法は従来例に記載し
た薄膜磁気ヘッドと同様であるので詳細は省略する。
上に、バイアス層１、ＭＲ素子２、リード３を層間絶縁
層９を介して形成する。この形成方法は従来例に記載し
た薄膜磁気ヘッドと同様であるので詳細は省略する。
【００２３】バイアス層１、ＭＲ素子２などはこの磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気検知手段である。下部
磁性層１０はＣｏ系アモルファスからなり、ＭＲ素子２
はパーマロイ、バイアス層１およびリード３はＡｕ／Ｃ
ｒ、層間絶縁層９はＳｉＯ2 等からなる。フロントギャ
ップ部１１となる下部磁性層１０の上に形成された層間
絶縁層９には、イオンミリングによって段差Ｆが形成さ
れる。
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気検知手段である。下部
磁性層１０はＣｏ系アモルファスからなり、ＭＲ素子２
はパーマロイ、バイアス層１およびリード３はＡｕ／Ｃ
ｒ、層間絶縁層９はＳｉＯ2 等からなる。フロントギャ
ップ部１１となる下部磁性層１０の上に形成された層間
絶縁層９には、イオンミリングによって段差Ｆが形成さ
れる。
【００２４】この段差Ｆは、ギャップ深さゼロの位置Ｐ
０よりヘッド摺動面６に向けて次第に狭くなる平面形状
が三角形で、ヘッド摺動面６において目的のトラック幅
寸法Ｗになるように形成されている。
０よりヘッド摺動面６に向けて次第に狭くなる平面形状
が三角形で、ヘッド摺動面６において目的のトラック幅
寸法Ｗになるように形成されている。
【００２５】次に、ギャップ層１３を形成し、さらに目
的のトラック幅Ｗのフロントヨーク４１、バックヨーク
４２を形成し、その上にＡl2Ｏ3 などの保護膜を順に形
成し、必要なヘッド組立加工を実施する。
的のトラック幅Ｗのフロントヨーク４１、バックヨーク
４２を形成し、その上にＡl2Ｏ3 などの保護膜を順に形
成し、必要なヘッド組立加工を実施する。
【００２６】このようにして形成された摺動面加工前磁
気ヘッドは、テープタッチ向上のため従来と同じように
研削加工をする。研削加工の途中で図２の（ａ）に示す
位置Ｐ１まで研削した状態のヘッド摺動面６には、図２
の（ｂ）に示すように、段差Ｆが目的のトラック幅Ｗよ
りも狭い幅ｄ1 となって露出している。
気ヘッドは、テープタッチ向上のため従来と同じように
研削加工をする。研削加工の途中で図２の（ａ）に示す
位置Ｐ１まで研削した状態のヘッド摺動面６には、図２
の（ｂ）に示すように、段差Ｆが目的のトラック幅Ｗよ
りも狭い幅ｄ1 となって露出している。
【００２７】研削加工が進行して図２の（ａ）に示すよ
うに目的のギャップ深さＤの位置Ｐ２まで研削すると、
図２の（ｃ）に示すように、ヘッド摺動面６の段差Ｆの
幅ｄ 2 が目的のトラック幅Ｗとなって露出する。この時
点で研削加工を終了する。
うに目的のギャップ深さＤの位置Ｐ２まで研削すると、
図２の（ｃ）に示すように、ヘッド摺動面６の段差Ｆの
幅ｄ 2 が目的のトラック幅Ｗとなって露出する。この時
点で研削加工を終了する。
【００２８】層間絶縁層９の段差Ｆの上にギャップ層１
３およびフロントヨーク４１が形成されているが、段差
部のトラック幅方向の寸法が実効的なトラック幅とな
る。このように、Ｒ研削加工の加工量（ギャップ深さ
Ｄ）が層間絶縁層９の段差Ｆの幅、ならびにフロントヨ
ーク４１のトラック幅寸法の変化量で測定することが出
来るため、従来よりも高精度に目的のギャップ深さを得
ることができる。
３およびフロントヨーク４１が形成されているが、段差
部のトラック幅方向の寸法が実効的なトラック幅とな
る。このように、Ｒ研削加工の加工量（ギャップ深さ
Ｄ）が層間絶縁層９の段差Ｆの幅、ならびにフロントヨ
ーク４１のトラック幅寸法の変化量で測定することが出
来るため、従来よりも高精度に目的のギャップ深さを得
ることができる。
【００２９】〔第２の実施の形態〕〔第１の実施の形
態〕では磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを例に挙げて説
明したが、下部磁性層の上に磁気検知手段としての導電
コイルと上部磁性層を絶縁層を介して形成した磁気誘導
型薄膜磁気ヘッドに付いても、同様に実施することがで
きる。
態〕では磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを例に挙げて説
明したが、下部磁性層の上に磁気検知手段としての導電
コイルと上部磁性層を絶縁層を介して形成した磁気誘導
型薄膜磁気ヘッドに付いても、同様に実施することがで
きる。
【００３０】図３の（ａ）（ｂ）は磁気誘導型薄膜磁気
ヘッドの場合の実施の形態を示し、図３の（ｂ）は図３
（ａ）のＥ−Ｅ′における断面を示している。この磁気
誘導型薄膜磁気ヘッドは、基板上に形成した下部磁性層
１０の上に、層間絶縁層９を介して導電コイル５と上部
磁性層４が形成されている。その上にＡl2Ｏ3 などの保
護膜を順に形成し、必要なヘッド組立加工を実施する。
ヘッドの場合の実施の形態を示し、図３の（ｂ）は図３
（ａ）のＥ−Ｅ′における断面を示している。この磁気
誘導型薄膜磁気ヘッドは、基板上に形成した下部磁性層
１０の上に、層間絶縁層９を介して導電コイル５と上部
磁性層４が形成されている。その上にＡl2Ｏ3 などの保
護膜を順に形成し、必要なヘッド組立加工を実施する。
【００３１】フロントギャップ部の層間絶縁層９に形成
された段差Ｆの形状は〔第１の実施の形態〕と同様であ
る。この段差Ｆの上に形成される上部磁性層４の幅も
〔第１の実施の形態〕と同様にヘッド摺動面位置の幅を
目的のトラック幅に設定されている。
された段差Ｆの形状は〔第１の実施の形態〕と同様であ
る。この段差Ｆの上に形成される上部磁性層４の幅も
〔第１の実施の形態〕と同様にヘッド摺動面位置の幅を
目的のトラック幅に設定されている。
【００３２】このようにして形成された摺動面加工前磁
気ヘッドの、テープタッチ向上のための研削加工は、
〔第１の実施の形態〕と同様に、ヘッド摺動面６の段差
Ｆの幅ｄ2 が目的のトラック幅Ｗとなって露出する。こ
の時点で目的のギャップ深さＤになったと判断して研削
加工を終了する。
気ヘッドの、テープタッチ向上のための研削加工は、
〔第１の実施の形態〕と同様に、ヘッド摺動面６の段差
Ｆの幅ｄ2 が目的のトラック幅Ｗとなって露出する。こ
の時点で目的のギャップ深さＤになったと判断して研削
加工を終了する。
【００３３】また、上部磁性層９の幅と段差Ｆの幅ｄ2
とを比較して研削終了時期を判定できることは〔第１の
実施の形態〕と同様である。 〔第３の実施の形態〕上記の〔第１の実施の形態〕〔第
２の実施の形態〕では、１トラックの薄膜磁気ヘッドに
ついて説明したが、同様にマルチトラック薄膜磁気ヘッ
ドにおいても同様に実施できる。
とを比較して研削終了時期を判定できることは〔第１の
実施の形態〕と同様である。 〔第３の実施の形態〕上記の〔第１の実施の形態〕〔第
２の実施の形態〕では、１トラックの薄膜磁気ヘッドに
ついて説明したが、同様にマルチトラック薄膜磁気ヘッ
ドにおいても同様に実施できる。
【００３４】具体的には、１ヘッド中に複数個のヘッド
素子を持つマルチトラック薄膜磁気ヘッドにおいて、各
ヘッド素子のフロントギャップ部の層間絶縁層に、トラ
ック幅方向の寸法がギャップ深さ方向に従って異なる段
差を形成し、かつ、この段差のヘッド摺動面位置の幅を
目的のトラック幅に設定される。
素子を持つマルチトラック薄膜磁気ヘッドにおいて、各
ヘッド素子のフロントギャップ部の層間絶縁層に、トラ
ック幅方向の寸法がギャップ深さ方向に従って異なる段
差を形成し、かつ、この段差のヘッド摺動面位置の幅を
目的のトラック幅に設定される。
【００３５】このマルチトラック薄膜磁気ヘッドの研削
加工に際しては、各ヘッド素子のフロントギャップ部の
層間絶縁層に形成されているそれぞれの前記段差Ｆの幅
が、目的のトラック幅Ｗとなって露出するまで、それぞ
れのヘッド素子を研削する。
加工に際しては、各ヘッド素子のフロントギャップ部の
層間絶縁層に形成されているそれぞれの前記段差Ｆの幅
が、目的のトラック幅Ｗとなって露出するまで、それぞ
れのヘッド素子を研削する。
【００３６】これによって、トラック間バラツキのない
高精度なギャップ深さをもつヘッド摺動面加工が出来
る。
高精度なギャップ深さをもつヘッド摺動面加工が出来
る。
【００３７】
【発明の効果】請求項１の構成によると、フロントギャ
ップ部の層間絶縁層に、トラック幅方向の寸法がギャッ
プ深さ方向に従って異なる段差を形成し、かつ、この段
差のヘッド摺動面位置の幅を目的のトラック幅に設定し
たため、Ｒ研削加工の加工量が段差のトラック幅寸法の
変化量で測定することができ、高精度なギャップ深さを
得ることができる。
ップ部の層間絶縁層に、トラック幅方向の寸法がギャッ
プ深さ方向に従って異なる段差を形成し、かつ、この段
差のヘッド摺動面位置の幅を目的のトラック幅に設定し
たため、Ｒ研削加工の加工量が段差のトラック幅寸法の
変化量で測定することができ、高精度なギャップ深さを
得ることができる。
【００３８】請求項２記載の構成によると、１ヘッド中
に複数個のヘッド素子を持つマルチトラック薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、各ヘッド素子のフロントギャップ部の層
間絶縁層に、トラック幅方向の寸法がギャップ深さ方向
に従って異なる段差を形成し、かつ、この段差のヘッド
摺動面位置の幅を目的のトラック幅に設定したため、各
ヘッド素子のＲ研削加工の加工量が段差のトラック幅寸
法の変化量で測定することができ、高精度なギャップ深
さを得ることができる。
に複数個のヘッド素子を持つマルチトラック薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、各ヘッド素子のフロントギャップ部の層
間絶縁層に、トラック幅方向の寸法がギャップ深さ方向
に従って異なる段差を形成し、かつ、この段差のヘッド
摺動面位置の幅を目的のトラック幅に設定したため、各
ヘッド素子のＲ研削加工の加工量が段差のトラック幅寸
法の変化量で測定することができ、高精度なギャップ深
さを得ることができる。
【００３９】請求項３記載の構成によると、フロントギ
ャップ部の層間絶縁層に、トラック幅方向の寸法がギャ
ップ深さ方向に従って異なり所定のギャップ深さ位置に
おける幅が目的のトラック幅の段差を形成し、この層間
絶縁層の上に目的のトラック幅の上部磁性層を形成して
摺動面加工前磁気ヘッドを形成し、摺動面加工前磁気ヘ
ッドの摺動面をギャップ深さ方向に研削加工して摺動面
に露出した前記段差の幅が目的のトラック幅になった時
点で研削加工を終了するため、請求項１，請求項２の薄
膜磁気ヘッドを実現できる。
ャップ部の層間絶縁層に、トラック幅方向の寸法がギャ
ップ深さ方向に従って異なり所定のギャップ深さ位置に
おける幅が目的のトラック幅の段差を形成し、この層間
絶縁層の上に目的のトラック幅の上部磁性層を形成して
摺動面加工前磁気ヘッドを形成し、摺動面加工前磁気ヘ
ッドの摺動面をギャップ深さ方向に研削加工して摺動面
に露出した前記段差の幅が目的のトラック幅になった時
点で研削加工を終了するため、請求項１，請求項２の薄
膜磁気ヘッドを実現できる。
【００４０】請求項４記載の構成によると、請求項３に
おいて、層間絶縁層の段差は、ギャップ深さゼロの位置
に向かって目的のトラック幅から次第に広く形成したた
め、研削加工の終了時期を正確に判定できる。
おいて、層間絶縁層の段差は、ギャップ深さゼロの位置
に向かって目的のトラック幅から次第に広く形成したた
め、研削加工の終了時期を正確に判定できる。
【００４１】請求項５記載の構成によると、請求項３に
おいて、層間絶縁層の段差は、ギャップ深さゼロの位置
に向かって目的のトラック幅から次第に広く形成し、摺
動面加工前磁気ヘッドの摺動面をギャップ深さ方向へ研
削加工して、摺動面に露出した前記段差の幅と上部磁性
層の幅を比較し、両者が一致した時点で研削加工を終了
するため、研削加工の終了時期を寸法測定なしに正確に
判定できる。
おいて、層間絶縁層の段差は、ギャップ深さゼロの位置
に向かって目的のトラック幅から次第に広く形成し、摺
動面加工前磁気ヘッドの摺動面をギャップ深さ方向へ研
削加工して、摺動面に露出した前記段差の幅と上部磁性
層の幅を比較し、両者が一致した時点で研削加工を終了
するため、研削加工の終了時期を寸法測定なしに正確に
判定できる。
【図１】〔第１の実施の形態〕の薄膜磁気ヘッドの平面
図と要部断面図である。
図と要部断面図である。
【図２】同実施の形態のＲ研削加工途中の断面図であ
る。
る。
【図３】〔第２の実施の形態〕の薄膜磁気ヘッドの平面
図と要部断面図である。
図と要部断面図である。
【図４】従来例を示す平面図と要部断面図である。
１ バイアス層 ２ ＭＲ素子〔磁気検知手段〕 ４１ フロントヨーク〔上部磁性層〕 ４２ バックヨーク ６ ヘッド摺動面 ９ 層間絶縁層 １０ 下部磁性層 １３ ギャップ層〔絶縁層〕 Ｐ０ ギャップ深さゼロの位置 Ｄ ギャップ深さ Ｆ 段差 Ｗ トラック幅
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に形成した下部磁性層の上に、層
間絶縁層を介して磁気検知手段を形成し、下部磁性層の
上から磁気検知手段にかけて絶縁層を介して上部磁性層
を形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、 フロントギャップ部の層間絶縁層に、トラック幅方向の
寸法がギャップ深さ方向に従って異なる段差を形成し、
かつ、この段差のヘッド摺動面位置の幅を目的のトラッ
ク幅に設定した薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 １ヘッド中に複数個のヘッド素子を持つ
マルチトラック薄膜磁気ヘッドにおいて、各ヘッド素子
のフロントギャップ部の層間絶縁層に、トラック幅方向
の寸法がギャップ深さ方向に従って異なる段差を形成
し、かつ、この段差のヘッド摺動面位置の幅を目的のト
ラック幅に設定した請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 基板上に形成した下部磁性層の上に、層
間絶縁層を介して磁気検知手段を形成し、下部磁性層の
上から磁気検知手段にかけて絶縁層を介して上部磁性層
を形成した薄膜磁気ヘッドの製造に際し、 フロントギャップ部の層間絶縁層に、トラック幅方向の
寸法がギャップ深さ方向に従って異なり所定のギャップ
深さ位置における幅が目的のトラック幅の段差を形成
し、この層間絶縁層の上に目的のトラック幅の上部磁性
層を形成して摺動面加工前磁気ヘッドを形成し、 摺動面加工前磁気ヘッドの摺動面をギャップ深さ方向に
研削加工して摺動面に露出した前記段差の幅が目的のト
ラック幅になった時点で研削加工を終了する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項４】 層間絶縁層の段差は、ギャップ深さゼロ
の位置に向かって目的のトラック幅から次第に広く形成
する請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 層間絶縁層の段差は、ギャップ深さゼロ
の位置に向かって目的のトラック幅から次第に広く形成
し、摺動面加工前磁気ヘッドの摺動面をギャップ深さ方
向へ研削加工して、摺動面に露出した前記段差の幅とフ
ロントヨークの幅を比較し、両者が一致した時点で研削
加工を終了する請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30321395A JPH09147323A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30321395A JPH09147323A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09147323A true JPH09147323A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17918245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30321395A Pending JPH09147323A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09147323A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7206172B2 (en) | 2004-02-20 | 2007-04-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Electrical lapping guide embedded in a shield of a magnetic head |
-
1995
- 1995-11-22 JP JP30321395A patent/JPH09147323A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7206172B2 (en) | 2004-02-20 | 2007-04-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Electrical lapping guide embedded in a shield of a magnetic head |
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