JP3421983B2 - 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法

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JP3421983B2 JP35677997A JP35677997A JP3421983B2 JP 3421983 B2 JP3421983 B2 JP 3421983B2 JP 35677997 A JP35677997 A JP 35677997A JP 35677997 A JP35677997 A JP 35677997A JP 3421983 B2 JP3421983 B2 JP 3421983B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関し、さらに詳しくは基体の表面に、誘導型
の書き込み用薄膜磁気変換素子と、磁気抵抗効果型の読
み取り用薄膜磁気変換素子とを互いに磁気的および電気
的に絶縁分離した状態で積層した複合型薄膜磁気ヘッド
を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年ハードディスク装置の面記録密度の
向上に伴って薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められてい
る。読み取り用ヘッドの性能向上に関しては、磁気抵抗
効果型磁気変換素子が広く用いられている。この磁気抵
抗効果型磁気変換素子としては、磁気異方性を示す磁気
抵抗（AMR:Anisotropic Magneto-Resistive ）効果を用
いたものが従来一般に使用されてきたが、これよりも抵
抗変化率が数倍も大きな巨大磁気抵抗（GMR:Giant Magn
eto-Resistive ）効果を用いたものも開発されている。
本明細書では、これらＡＭＲ素子およびＧＭＲ素子など
を総称して磁気抵抗効果型磁気変換素子（以下、ＭＲ素
子と略す場合がある）と称することにする。ＡＭＲ素子
を使用することにより数ギガビット／インチ2 の面記録
密度を実現することができ、さらに面記録密度を上げる
ためにはＧＭＲ素子を使用することが提案されている。
このように面記録密度を高くすることにより、１０Ｇバ
イト以上の大容量のハードディスク装置の実現が可能と
なってきている。このようなＭＲ素子より成る読み取り
ヘッドの性能を決定する要因の一つとしてＭＲ素子の高
さ（ＭＲ Height ：以下、ＭＲハイトという場合があ
る）がある。これは、側縁がエアベアリング面（Air Be
aring Surface ：以下、ＡＢＳと略すことがある）に露
出するＭＲ素子の、ＡＢＳから測った高さであり、薄膜
磁気ヘッドの製造過程においては、ＡＢＳを研磨する際
の研磨量を制御することによって所望のＭＲハイトを得
るようにしている。
【０００３】一方、書き込み用の薄膜磁気ヘッドの性能
向上も求められている。面記録密度を上げるためには、
磁気記録媒体でのトラック密度を上げる必要がある。こ
のためには、エアベアリング面におけるライトギャップ
（write-gap ）の幅を数ミクロンからサブミクロンオー
ダーまで狭くする必要があり、これには半導体加工技術
を利用することが提案されている。特に、書き込み用薄
膜磁気ヘッドの性能を決定する要因の一つとしてスロー
トハイト（Throat Height ：以下、ＴＨと略す場合があ
る）がある。これは薄膜コイルを電気的に分離する絶縁
層のエッジからＡＢＳまでの磁極部分の距離であり、こ
の距離をできるだけ短くすることが望まれている。
【０００４】図１〜１２は従来の標準的な薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における順次の工程および完成した従来の
薄膜磁気ヘッドを示すものであり、この薄膜磁気ヘッド
は誘導型の書き込み用薄膜磁気ヘッドおよびＭＲ素子を
具える読み取り用薄膜磁気ヘッドとを積層した複合型の
ものである。先ず、図１に示すように、例えばアルティ
ック（AlTiC ）より成る基板１１１上にアルミナ絶縁層
１１２を約５〜１０μｍの厚さに堆積する。次に、図２
に示すように、読み取り用ヘッドのＭＲ再生素子を外部
磁界の影響から保護する磁気シールドを構成する下部シ
ールド磁性層１１３を形成した後、図３に示すようにア
ルミナを100 〜150 ｎｍの膜厚にスパッタ堆積させて絶
縁層１１４を形成する。
【０００５】図３に示すように、この絶縁層１１４の上
にＭＲ再生素子を構成する磁気抵抗効果を有する材料よ
り成る磁気抵抗層１１５を数十ｎｍの膜厚に形成し、高
精度のマスクアライメントで所望の形状とする。次に図
４に示すように、アルミナ絶縁膜１１４と同様のアルミ
ナ絶縁層１１６を形成し、さらにその上にパーマロイよ
り成る磁性層１１７を３〜４μｍの膜厚に形成した様子
を図５に示す。この磁性層１１７は上述した下部シール
ド磁性層１１３とともにＭＲ再生素子を磁気遮蔽する上
部シールド磁性層の機能を有するとともに書き込み用薄
膜磁気ヘッドの下部磁性層としての機能をも有するもの
である。ここでは説明の便宜上この磁性層１１７を書き
込み用磁気ヘッドを構成する一方の磁性層であることに
注目して第１の磁性層と称することにする。
【０００６】次に、図６に示すように、第１の磁性層１
１７の上に非磁性材料、例えばアルミナより成るギャッ
プ層１１８を１５０〜３００ｎｍの膜厚に形成し、さら
にこのギャップ層の上に電気絶縁性のフォトレジスト層
１１９を高精度のマスクアライメントで所定のパターン
に形成し、さらにこのフォトレジスト層の上に、例えば
銅より成る第１層の薄膜コイル１２０を形成する。
【０００７】次に、図７に示すように、第１層目の薄膜
コイル１２０の上に、高精度のマスクアライメントを行
って絶縁性のフォトレジスト層１２１を形成した後、そ
の上面を平坦とするために、例えば２５０℃の温度でベ
ークする。さらに、このフォトレジスト層１２１の平坦
とした表面の上に第２層目の薄膜コイル１２２を形成
し、この第２層目の薄膜コイル１２２の上に高精度マス
クアライメントでフォトレジスト層１２３を形成した
後、再度薄膜コイル１２２の上の表面を平坦とするため
に、例えば２５０℃の温度でベークした状態を図８に示
す。上述したように、フォトレジスト層１１９，１２１
および１２３を高精度のマスクアライメントで形成する
理由は、後述するようにフォトレジスト層のエッジを位
置の基準としてスロートハイト（ＴＨ）やＭＲハイトを
規定しているためである。
【０００８】次に、図９に示すように、ギャップ層１１
８およびフォトレジスト層１１９，１２１および１２３
の上に、例えばパーマロイより成る第２の磁性層１２４
を３〜４μｍの膜厚で所望のパターンにしたがって選択
的に形成する。この第２の磁性層１２４は磁気抵抗層１
１５を形成した側から離れた位置において第１の磁性層
１１７と接触し、第１および第２の磁性層によって構成
される閉磁路を薄膜コイル１２０，１２２が通り抜ける
ようにしている。この第２の磁性層の磁極部分はトラッ
ク幅を規定する所望の形状およびサイズの磁極部分を有
している。さらに、第２の磁性層１２４およびギャップ
層１１８の露出表面の上にアルミナより成るオーバーコ
ート層１２５を堆積する。上述した薄膜コイル１２０，
１２２およびＭＲ再生素子に対する電気的接続を行なう
ためのリードやパッドを含む導電パターンが形成されて
いるが、図面には示していない。
【０００９】実際の複合型薄膜磁気ヘッドの製造におい
ては、上述した基板１１１はウエハで構成されており、
このウエハに多数の薄膜磁気ヘッドユニットをマトリッ
クス状に配列して形成した後、ウエハを、複数の薄膜磁
気ヘッドユニットが一列に配列された複数のバーに切断
し、このバーの端面を研磨して複数の薄膜磁気ヘッドの
エアベアリング面を同時に形成し、その後このバーを切
断して個々の複合型薄膜磁気ヘッドを得るようにしてい
る。すなわち、図１０に示すように、磁気抵抗層１１５
を形成した側面１２６を研磨して、磁気記録媒体と対向
するエアベアリング面１２７を形成している。このエア
ベアリング面１２７の形成過程において磁気抵抗層１１
５も研磨され、ＭＲ再生素子１２８が得られ、これと同
時に、上述したスロートハイトＴＨおよびＭＲハイトが
決定される。
【００１０】エアベアリング面の研磨を行なう際には、
スロートハイトやＭＲハイトを実際に観察しながら研磨
を行なうことはできないので、磁気抵抗層１１５に接続
された導電パターン（図面には示していない）に抵抗測
定回路を接続し、磁気抵抗層１１５が研磨されてその高
さが減少して行くことによる抵抗値の変化を、例えば電
流値の変化として読み出し、この電流値の変化から磁気
抵抗層１１５の研磨量を算出して行っていた。すなわ
ち、ＭＲ再生素子１２８の抵抗値が所望の値となるよう
に研磨を行なうことによって所望のＭＲハイトおよびス
ロートハイトを得るようにしている。
【００１１】図１０，１１および１２は、上述したよう
にして製造された従来の複合型薄膜磁気ヘッドを、オー
バーコート層１２５を省いて示すそれぞれ断面図、正面
図および平面図である。なお、図１０においては、ＭＲ
再生素子１２８を囲むアルミナ絶縁層１１４及び１１６
を単一の絶縁層として示し、図１２に示す平面図におい
ては、図面を簡単とするために薄膜コイル１２０，１２
２を同心円状に示した。図１０に明瞭に示すように、薄
膜コイル１２０，１２２を絶縁分離するフォトレジスト
層１１９，１２１，１２３の側面の角部を結ぶ線分Ｓと
第２の磁性層１２４の上面との成す角度θとして規定さ
れるアペックスアングル（Apex Angle：）も上述したス
ロートハイトＴＨおよびＭＲハイトとともに薄膜磁気ヘ
ッドの性能を決定する重要なファクタとなっている。ま
た、図１２の平面図に示すように、第２の磁性層１２４
の磁極部分２４ａの幅Ｗは狭くなっており、この幅によ
って磁気記録媒体に記録されるトラックの幅が規定され
るので、高い面記録密度を実現するためには、この幅Ｗ
をできるだけ狭くする必要がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】磁気記録媒体の面記録
密度を向上するためには、記録ヘッドおよび再生ヘッド
の性能を向上することが要求されており、上述した複合
型薄膜磁気ヘッドの製造においては、半導体加工技術を
利用したサブミクロンオーダでの制御が不可欠となって
いる。この複合型薄膜磁気ヘッド製造の歩留まりに対し
て大きな影響を及ぼすのが、書き込み用の誘導型薄膜磁
気ヘッドのスロートハイトおよびアペックスアングル
と、ＭＲ再生素子より成る読み取り用の薄膜磁気ヘッド
のＭＲハイトである。
【００１３】図１〜１２を参照して説明したように、従
来の薄膜磁気ヘッドの製造においては、ＭＲ再生素子の
磁気抵抗層１１５の抵抗値を測定し、その値が所望の値
となるように研磨を制御することによって所望のＭＲハ
イトを得るようにしている。しかしながら、この磁気抵
抗層１１５の抵抗値とＭＲハイトとの間の関係は一定で
はないので、このような方法では所望のＭＲハイトを得
ることは困難である。すなわち、磁気抵抗層１１５は、
組成や製造条件などによってその抵抗値にばらつきがあ
るので、抵抗値が所望の値となってもＭＲハイトが所望
の値とはならない場合もある。したがって、従来の製造
方法においては、ＭＲ再生素子の抵抗値が所望の値にな
ったとして、ＭＲハイトが所望の値からずれてしまい、
複合型薄膜磁気ヘッドは不良となってしまう。
【００１４】また、上述したようにして磁気抵抗層１１
５の抵抗値を測定しながらエアベアリング面を研磨する
ことによってＭＲハイトが所望の値になったとしても、
書込用薄膜磁気ヘッドのスロートハイトおよびアペック
スアングルが所望の値になるとは限らない。すなわち、
書込用の薄膜磁気ヘッドを製造する際には、スロートハ
イト零の基準位置は絶縁層１１９の端縁で規定され、ア
ペックスアングルは絶縁層１１９，１２１，１２３の側
面のプロファイルで規定されるが、これら絶縁層は、薄
膜コイル１２０，１２２を形成する際の２５０℃程度の
加熱処理によって変形し、スロートハイト零の基準位置
がずれたり、プロファイルが変化したりする。特に、絶
縁層１１９，１２１，１２３を構成するフォトレジスト
膜が厚く形成される場合には、そのパターンのずれは
０．５μm 程度ときわめて大きくなり、数ミクロンから
サブミクロン程度の微細なスロートハイトを再現性良く
実現することはできないとともに所望のアペックスアン
グルを得ることもできない。また、このように膜厚の厚
い絶縁層を用いる場合には、膜厚の不均一性によっても
パターンがくずれる恐れが大きくなる。
【００１５】例えば、高周波用の薄膜磁気ヘッドにおい
ては、スロートハイトは１．０μm以下が要求される
が、上述したように０．５μm にも達する大きな誤差の
ために、エアベアリング面の研磨の際にスロートハイト
不良が多く発生してしまい、製造コストが上昇する欠点
がある。また、アペックスアングルに関しても、その角
度変化の許容誤差は非常に小さく、絶縁層１１９，１２
１，１２３のプロファイルの変形によって容易に許容誤
差範囲を越えてしまう欠点がある。
【００１６】上述した欠点を解消するために、例えば特
開昭63-29315号公報には、複数の薄膜磁気ヘッドが形成
されたバーの両端に、研磨の進行とともに順次開放され
る複数のスイッチ接点を形成するとともに研磨の進行と
ともに連続的に抵抗値が変化するガイド抵抗を形成し、
スイッチ接点の開放とガイド抵抗の抵抗値の変化の双方
を測定しながらスロートハイトが所望の値となるように
研磨を行なうようにしたものが開示されている。
【００１７】しかしながら、このような従来の方法で
は、バーの両端に複数のスイッチ接点とガイド抵抗とを
形成する工程が余分に必要となり、スループットが相当
低下してしまう欠点がある。すなわち、スイッチ接点を
導電パターンによって形成し、ガイド抵抗を抵抗材料で
形成する工程が薄膜磁気ヘッドを製造する工程とは別個
に必要となる。また、複数のスイッチ接点は、順次のス
イッチ接点間の距離がスイッチ接点を構成する電極エレ
メントの研磨方向の寸法よりも相当大きくなるように形
成されているので、スイッチ接点の切断を測定して段階
的なスロートハイトの変化を検出し、ガイド抵抗の変化
を測定して順次の段階の間のスロートハイトの連続的な
変化を検出し、両者を併せてスロートハイトの制御を行
っているが、ガイド抵抗の変化にはばらつきがあり、例
えば、0.1 〜0.3 μm といった微細な制御を正確に行な
うことは困難である。
【００１８】さらに、このような磁気抵抗層の抵抗値を
検出してエアベアリング面の研磨量を制御する場合に
は、スロートハイトが零となる基準位置が大きくは変化
しないという条件があるが、上述したように加熱処理に
よって絶縁膜１１９，１２１，１２３は大きく変形して
しまうので、スロートハイトを正確にコントロールする
ことはできない。さらに、このような従来の方法では、
アペックスアングルの所望の値からのずれには全く対処
できない欠点もある。
【００１９】さらに、記録媒体の面記録密度を向上する
には、再生用の磁気抵抗素子を用いた薄膜磁気ヘッドの
感度も高くする必要があり、そのためにはより感度の高
いＧＭＲ膜を用いるのが有利であるが、このＧＭＲ膜が
加熱による特性の劣化が著しく、例えばＧＭＲ膜を有す
る再生素子を形成した後に、上述した絶縁膜の加熱を行
うと，ＧＭＲ膜の特性が劣化してしまう欠点がある。こ
の絶縁層の加熱は、薄膜コイルの平坦化やコイル間の絶
縁を良好なものとするためには必須の工程であり、避け
ることができないものである。
【００２０】したがって、本発明の目的は、スロートハ
イト、アペックスアングルおよびＭＲハイトを正確かつ
微細に所望の値に制御することができ、しかもスループ
ットを低下することもない複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供しようとするものである。本発明は、さらに
上述した目的に加えて、感度は高いが、加熱に弱いＧＭ
Ｒ膜を用いた読み取り用薄膜磁気ヘッドを有する複合型
薄膜磁気ヘッドを容易に製造することができる方法を提
供しようとするものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明は、基体の表面
に、誘導型の書き込み用薄膜磁気変換素子と、磁気抵抗
効果型の読み取り用薄膜磁気変換素子とを互いに磁気的
および電気的に絶縁分離した状態で積層した複合型薄膜
磁気ヘッドを製造する方法において、前記基体を構成す
るウエハに金属または金属化合物膜をマスクとして凹部
を形成すると同時に、複合型薄膜磁気ヘッドのエアベア
リング面と平行な方向に延在し、書き込み用薄膜磁気変
換素子の、前記凹部のエッジと一致するスロートハイト
零の基準位置からの距離がそれぞれ異なる複数の前記金
属または金属化合物膜より成る電極エレメントを含む電
極パターンを形成する工程と、少なくとも書き込み用薄
膜磁気変換素子の薄膜コイルの一部を前記凹部に形成す
るように、前記書き込み用薄膜磁気変換素子および読み
取り用薄膜磁気変換素子をウエハ上に形成する工程と、
その後、複数の複合型薄膜磁気ヘッドユニットが配列さ
れた複数のバーにウエハを切断する工程と、各バーに形
成された前記電極パターンの複数の電極エレメントの各
々の導通−切断状態を電気的に測定することによって薄
膜磁気ヘッドのエアベアリング面の研磨量を監視しなが
らバーの端面を研磨する工程と、前記バーを、各々が所
望のスロートハイトが得られるように研磨されたエアベ
アリング面を有する複数の複合型薄膜磁気ヘッドに切断
する工程と、を具えることを特徴とするものである。
【００２２】本発明の製造方法を実施するに当たって
は、前記電極パターンの各電極エレメントを、前記スロ
ートハイト零の基準位置からの距離がｄだけ相違するよ
うに形成する。この場合、複数の電極エレメントを前記
距離に応じて順次に階段状に配列したり、バーの全長に
亘って分散させて形成することができる。後者の場合に
は、電極エレメントの各々を隣接する複合型薄膜磁気ヘ
ッドユニットの間のスクライブライン領域に分散させて
形成するのが好適である。このようにすれば、電極パタ
ーンを形成するための特別な領域をバーに確保する必要
がなくなり、１本のバーからそれだけ多くの薄膜磁気ヘ
ッドを形成することができる。
【００２３】さらに、前記電極パターンを、複数の電極
エレメントのスロートハイト零の基準位置からの距離の
差ｄが0.1 〜0.5 μm となるように形成すれば、スロー
トハイトが数ミクロンからサブミクロンときわめて短い
薄膜磁気ヘッドのスロートハイトを正確に制御しながら
研磨することができる。また、前記凹部を形成するため
のマスクおよび電極パターンを構成する金属または金属
化合物膜を、パーマロイ、銅、ニッケル、クロムなどの
金属およびニッケルボロンのようなこれらの金属の化合
物より成る群から選択した金属または金属化合物で形成
するのが好適である。さらに、金属または金属化合物膜
は、フォトレジスト膜をマスクとする鍍金法で形成する
のが好適であり、特に、パーマロイ膜を形成するのが好
適である。
【００２４】また、本発明による複合型薄膜磁気ヘッド
の製造方法においては、上述した凹部に薄膜コイルの少
なくとも一部が入るように前記書き込み用薄膜磁気変換
素子膜を形成した後、その上に前記読み取り用薄膜磁気
変換素子を形成するのが好適である。この場合、薄膜コ
イルの全体を前記凹部内に形成して前記読み取り用薄膜
磁気変換素子を、その表面が平坦となるように形成した
後、前記読み取り用薄膜磁気変換素子を形成するのが特
に好適である。このように、磁気抵抗膜を有する読み取
り用の薄膜磁気変換素子を、後で形成することにより、
これが不所望な熱処理を受けることがなくなり、したが
ってその特性が劣化する恐れもなくなる。したがって、
磁気抵抗素子として、異方性磁気抵抗素子の他に、感度
の高い巨大磁気抵抗素子を用いることができ、面記録密
度を向上することができる複合型薄膜磁気ヘッドを製造
することができる。
【００２５】さらに、本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法においては、前記金属または金属化合物膜
をマスクとして、ドライエッチング、特にリアクティブ
イオンエッチングでウエハに凹部を形成するのが好適で
ある。このようなドライエッチングによれば、深さが５
μm 以上の凹部を、その側面の傾斜角を所望のものとし
て正確に形成することができる。この凹部の側面の角度
は上述したアペックスアングルを決めるものであるが、
この角度は４５〜７５°、特に５５〜６５°となるよう
に形成するのが良好な特性を有する複合型薄膜磁気ヘッ
ドを得る上で有利である。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例に基づいて
詳細に説明する。図１３〜３６は、本発明による複合型
薄膜磁気ヘッドの一実施例の順次の製造工程を示すもの
である。各図面においては、本発明の特徴を明確に示す
ために、各構成部分の寸法は誇張して示している。ま
た、同一の構成部分については、同じ符号を用いて表し
ている。また、一つの複合型薄膜磁気ヘッドの基体は、
ウエファを切断して形成されるものであるから、基体と
ウエハには同じ符号を付けて示した。
【００２７】最初に、図１３に示すように、アルティッ
ク（ＡｌＴｉＣ）より成る基体１１上の全面に亘って、
アルミナより成る絶縁膜１２を、スパッタリングによっ
て０．３〜０．５μｍの膜厚に形成する。次に、図１４
に示すように、この絶縁膜１２の上に、後に基体１１の
表面に形成すべき凹部の平面形状を規定するフォトレジ
スト膜１３を形成する。さらに、図１５に示すように、
上述したフォトレジスト膜１３をマスクとして、金属ま
たは金属化合物膜、本例ではパーマロイ膜１４を、鍍金
法により形成した後 、フォトレジスト膜１３を除去す
る。この金属または金属化合物膜としては、パーマロイ
（ＦｅＮｉ）の他に、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、
ニッケルボロン（ＮｉＢ）あるいはこれらの金属の化合
物を用いることができる。この金属または金属化合物膜
は、後に基体１１に凹部を形成する際のエッチングに対
するマスクとして作用するものであるが、所望の深さの
凹部を形成するエッチング処理が終了しても十分な膜厚
が残るように、３〜４μm とするのが好適である。ま
た、金属または金属化合物膜は、鍍金法以外の方法、例
えばスパッタリングによって形成することもできる。
【００２８】本発明においては、基体１１の表面に凹部
を形成する際のマスクとして作用するパーマロイ膜１４
を形成する際に、後のエアベアリング面の研磨を制御す
るための電極パターンをウエハ上に同時に形成する。図
１６は、パーマロイ膜１４を形成した薄膜磁気ヘッドユ
ニットＨと、このパーマロイ膜と同じパーマロイ膜で同
時に形成した電極パターンＰを有する電極パターンユニ
ットＥを示す平面図である。実際の製造においては、基
体１１を構成するウエハを用いて多数の薄膜磁気ヘッド
を同時に形成するが、図１６においては１個の薄膜磁気
ヘッドユニットＨとそれに隣接する電極パターンユニッ
トＥを含むウエハの一部を示した。また、薄膜磁気ヘッ
ドユニットＨには、後に形成される第１磁性膜１７、薄
膜コイル１９、薄膜コイルを絶縁分離した状態で保持す
る絶縁膜１８および第２の磁性膜２２をも仮想線で示し
た。
【００２９】本例では、電極パターンユニットＥ内にパ
ーマロイ膜１４と同時に形成される電極パターンＰは、
スロートハイト零の基準位置Ｒからの距離が、長さｄづ
つ短くなるように階段状に配列された複数の電極エレメ
ント３１ａ〜３１ｅを有している。各電極エレメント３
１ａ〜３１ｅの両端はリードライン３２ａ〜３２ｆを介
してそれぞれ接点パッド３３ａ〜３３ｆに接続されてい
る。これらの接点パッド３３ａ〜３３ｆは、エアベアリ
ング面の研磨工程中、電極エレメント３１ａ〜３１ｅの
導通−切断を監視する測定回路に接続されるものであ
る。
【００３０】本発明においては、エアベアリング面を研
磨する際の研磨量の制御を行なうために電極パターンＰ
を設けているので、この電極パターンをスロートハイト
零を位置の基準として形成する必要がある。図１６に示
す例では、スロートハイト零の基準位置Ｒと、電極パタ
ーンＰの電極エレメント３１ａ〜３１ｅの内、基準位置
Ｒに最も近い電極エレメント３１ｅの内方端縁とが一致
するように形成されている。本発明では、電極パターン
Ｐとパーマロイ膜１４とを、同じマスクを用いるパター
ニングで形成しているので、これらはきわめて正確な位
置関係とすることができる。また、パーマロイ膜１４を
マスクとして後に形成される凹部の端縁はスロートハイ
ト零の基準位置Ｒとなるが、この凹部の端縁の位置は製
造工程中に変化することがないので、スロートハイト零
の基準位置Ｒと電極パターンＰとの位置関係は製造工程
中正確に維持されることになる。
【００３１】上述したようにパーマロイ膜１４および電
極パターンＰを形成した後に、薄膜磁気ヘッドユニット
Ｈについて行う処理について以下説明する。先ず、図１
７に示すように、パーマロイ膜１４をマスクとして、リ
アクティブイオンエッチング（以下、ＲＩＥと略すこと
がある）によって基体１１の表面に凹部１５を形成す
る。この凹部１５の形成には、ＲＩＥやイオンビームエ
ッチングのようなドライエッチングやウエットエッチン
グなどを用いることができるが、５μm 以上の深い凹部
１５を、０．１μｍオーダでの寸法制御で正確に形成す
るためには、ＲＩＥを用いることが好ましい。
【００３２】本例のように、ＲＩＥによって凹部１５を
形成する際に使用することのできるエッチングガスとし
ては、四弗化炭素（ＣＦ4 ）及び六弗化硫黄（ＳＦ6 ）
などのフロンガス、三塩化ボロン（ＢＣｌ3 ）及び塩素
（Ｃｌ2 ）などの塩素系ガス、及びこれらのガスを酸素
（Ｏ2)や窒素（Ｎ2 ）、アルゴン（Ａｒ）、及びヘリウ
ム（Ｈｅ）などの不活性ガスで希釈したガスを使用する
ことができる。
【００３３】また、本例では、後述するところから分か
るように、凹部１５の、エアベアリング面に近い方の端
部の側面の傾斜角度によってアペックスアングルがきま
るが、上述したように高面記録密度を実現するために
は、凹部１５の側面の傾斜角度は、４５〜７５°、特に
５５〜６５°となるように形成することが好ましい。
【００３４】さらに、上述したようにして基体１１の表
面に凹部１５を形成すると、この凹部のエッチング面に
は、０．１〜０．５μｍの鋭い凹凸が発生する場合もあ
る。この凹凸が、後に凹部１５内に形成する誘導型磁気
変換素子の第１の磁性膜とコイルなどの絶縁不良の原因
となる恐れがある場合には、アルゴンガスを用いたスパ
ッタリングなどで除去することが好ましい。
【００３５】基体１１の表面にＲＩＥにより凹部１５を
形成した後、図１８に示すようにパーマロイ膜１４をエ
ッチングにより除去する。このパーマロイ膜１４の除去
の際に、絶縁膜１２はエッチングストッパとして作用す
るが、エッチング後に残留した絶縁膜１２の除去は必須
のものではなく、本例においては除去せずに残留したま
まとする。
【００３６】次に、図１９に示すように、基板１１と、
書き込み用の誘導型磁気変換素子とを絶縁分離するため
に、絶縁膜１２および凹部１５の表面にアルミナより成
る素子分離絶縁膜１６を、スパッタリングにより約１μ
m の膜厚に形成する。この素子分離絶縁膜１６は、前述
のように基体１１にＲＩＥにより形成した凹部１５の表
面において発生する凹凸を埋没させ、この凹部内に形成
される誘導型磁気変換素子の第１の磁性膜や薄膜コイル
などの絶縁不良の原因を除去する作用も合わせ有してい
る。
【００３７】次に、図２０に示すように、上述した素子
分離用のアルミナ絶縁膜１６の上に、書き込み用の誘導
型磁気変換素子の下部ポールを構成する第１の磁性膜１
７を所定のパターンに形成する。本例では、この第１の
磁性膜１７を、フォトレジストパターンを利用したメッ
キ法で、３〜４μm の膜厚に形成する。この第１の磁性
膜１７のパターンは、図１６に示すように、エアベアリ
ング面に向けてトラック巾を規定する巾の狭い磁極部分
を有するものとなっている。
【００３８】続いて、図２１に示すように基体１１の表
面に形成した凹部１５内に、絶縁膜１８によって絶縁分
離した状態で支持された多層の薄膜コイル１９を形成す
る。この薄膜コイル１９の形成中は、２５０℃前後の熱
処理が施されるが、凹部１５の形状には変化がないの
で、この熱処理によってスロートハイト零の基準位置が
変動したりアペックスアングルが変化することはない。
また、この熱処理によって凹部１５内に形成した薄膜コ
イル１９の表面は下がり、凹部の上方に窪みが形成され
る。
【００３９】続いて、図２２に示すように、凹部１５の
上方の窪みを埋めるように、アルミナより成る絶縁膜２
０を、４〜５μｍの膜厚に形成する。この状態での磁極
部分での断面図を図２３に示す。この図２３に示すよう
に、絶縁膜２０は第１の磁性膜１７の磁極部分を覆うよ
うに形成されている。また、この絶縁膜２０は、アルミ
ナの他にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜で形成するこ
ともできる。次に、ケミカル・メカニカル・ポリッシュ
（ＣＭＰ）によって研磨し、凹部１５以外の基体表面に
形成されている第１の磁性膜１７の表面と絶縁膜２０の
表面とを平坦化した様子を図２４および２５に示す。こ
の場合、第１の磁性膜１７の表面は、必ずしも研磨する
必要はないが、研磨処理を容易とするためには、第１の
磁性膜の表面も多少研磨する方が好適である。
【００４０】次に、図２６に示すように、露出した第１
の磁性膜１７をイオンビームエッチングによりエッチバ
ックする。さらに、図２７および２８に示すように、書
き込み用の薄膜磁気ヘッドのライトギャップを構成する
ためのアルミナより成るライトギャップ膜２１を、１５
０〜３００ｎｍの膜厚に形成し、さらにその上にパーマ
ロイより成る第２の磁性膜２２を、フォトレジスト膜を
マスクとするメッキ法により、３〜４μｍの膜厚に形成
する。この第２の磁性膜２２は、エアベアリング面から
遠い方の端部で、第１の磁性膜１７と磁気的に結合さ
せ、第１の磁性膜１７および第２の磁性膜２２によって
構成される閉磁路を薄膜コイル１９の一部分が通るよう
にする。本例では、上述したように、第１の磁性膜１７
の磁極部分をエッチバックした後、ライトギャップ膜２
１および第２の磁性膜２２を成膜しているので、第２の
磁性膜２２の磁極部分の下部には、第１の磁性膜１７の
方に突出したトリム構造がセルフアライメントで形成さ
れることになる。したがって、漏洩磁束が少ないととも
に磁束の収束が良好な、高面記録密度を達成することが
できる薄膜磁気ヘッドが容易に得られることになる。
【００４１】さらに、図２９に示すように、上述したト
リム構造を形成するために第２の磁性膜２２の表面に形
成された凹部を、例えば、ＣＭＰによって平坦化する。
その後、図３０及び３１に示すように、アルミナより成
るシールドギャップ膜２３を、１００〜２００ｎｍの膜
厚に形成した後、シールドギャップ膜２３上にＭＲ膜２
４を形成し、さらにその上にシールドギャップ膜２５を
形成する。ＭＲ膜２４は、フォトリソグラフィ及びエッ
チングの技術を用いて選択的に形成する。ここで使用す
るエッチングは、高度に制御する必要があるために、Ｒ
ＩＥなどのドライエッチングを使用するのが好ましい。
【００４２】さらに、図３２および３３に示すように、
シールドギャップ膜２５の上に、ＭＲ再生素子を外部磁
界から保護するためのパーマロイより成る第３の磁性膜
２６を形成し、最後に、薄膜磁気ヘッド全体を外部の機
械的な衝撃から保護するために、アルミナより成るオー
バコート層２７を形成する。
【００４３】図３４は、上述したようにして形成した多
数の複合型薄膜磁気ヘッドユニットＨをマトリックス状
に配列したウエハ１１の全体を示す平面図である。この
ウエハ１１をスクライブラインＬに沿って切断して、図
３５に示すように多数の薄膜磁気ヘッドユニットＨが一
列に配列されたバーＢを製作する。本例においては、図
３５に示すように、各バーＢの両端に上述した電極パタ
ーンＰを有する電極パターンユニットＥを形成してい
る。なお、図面を明瞭とするために、図３４および３５
においては、シールドギャップ膜２３，２５や第３の磁
性膜２６やオーバーコート層２７は省略してある。
【００４４】上述したようにして製作されたバーＢの端
面３５を研磨してエアベアリング面を形成する際に、本
発明においては、図１６に示した電極パターンＰの電極
エレメント３１ａ〜３１ｅの導通−切断状態を測定す
る。このために、電極エレメント３１ａ〜３１ｅの両端
にそれぞれ接続された接点パッド３３ａ〜３３ｆを、図
３５に示すように測定回路３６に接続する。測定回路３
６は、各電極エレメント３１ａ〜３１ｅが電気的に導通
しているか切断されているかを測定するものであるか
ら、きわめて簡単に構成することができる。また、本発
明では、電極パターンＰは、金属または金属化合物膜１
４で成されており、その抵抗値のばらつきはＭＲ膜より
も小さいので、電極エレメント３１ａ〜３１ｅの抵抗値
そのものを測定して研磨量の制御を行っても良いが、基
本的には電極パターンＰの電極エレメント３１ａ〜３１
ｅの導通−切断を測定するものであるから、たとえ電極
エレメントの抵抗値にばらつきがあっても何ら問題はな
い。
【００４５】さらに本発明において重要なことは、電極
パターンＰを金属または金属化合物膜１４と同じ膜で同
時に形成するが、この金属または金属化合物膜は凹部１
５のパターンを規定するものであり、しかもこの凹部の
パターンは製造中に変化せず、図１６に示すように、そ
の端縁で規定されるスロートハイト零の基準位置Ｒは製
造中に変化することがないので、電極パターンＰの電極
エレメント３１ａ〜３１ｅとスロートハイト零の基準位
置Ｒとの位置関係が製造中も正しく維持されることであ
る。したがって、電極エレメント３１ａ〜３１ｅの導通
−切断を測定して研磨量を制御することによって、所望
の値にきわめて正確に一致するスロートハイトをうるこ
とができる。
【００４６】バーＢの端面３５の研磨の進行に応じて、
電極パターンＰの電極エレメント３１ａ〜３１ｅは順番
に切断されていくが、この切断の状況は測定回路３６に
よって正確に監視することができる。最初に、電極エレ
メント３１ａが研磨されて切断されると、リードライン
３２ａと３２ｂとの間が開放され、その抵抗値が無限大
となる。このときには、他の電極エレメント３１ｂ〜３
１ｅは導通したままである。さらに、研磨が進むと、次
の電極エレメント３１ｂが切断され、リードライン３２
ｂと３２ｃとの間が開放され、その間の抵抗値が無限大
となる。このように、研磨の進行に応じて順次に電極エ
レメント３１ａ〜３１ｅが開放していくのを検出するこ
とができる。本例においては、上述したように、順次の
電極エレメント３１ａ〜３１ｅは、その内側縁の離間距
離が一定の距離ｄとなるように形成されているので、研
磨量をこの距離ｄの分解能で監視することができる。し
たがって、例えば所望のスロートハイトが長さ２ｄに等
しいとすると、３番目の電極エレメント３１ｃが丁度開
放したときに、研磨を止めればこの位置にエアベアリン
グ面Ａが形成されることになる。
【００４７】上述したようにして、電極パターンＰの電
極エレメント３１ａ〜３１ｅの導通−切断を監視しなが
ら研磨を行なうことによって所望のスロートハイトを有
する薄膜磁気ヘッドユニットＨを得ることができる。こ
こで、本例では、図１６に示すように、ＭＲ膜２４を、
その内方の端縁がスロートハイト零の基準位置Ｒと一致
するように形成されているので、スロートハイトとＭＲ
ハイトとは同じ値となる。したがって、本例では、スロ
ートハイトを所望の値とすることができるとともにＭＲ
ハイトも所望の値とすることができる。
【００４８】以上の工程を経ることにより、所望のスロ
ートハイトおよびＭＲハイトを有する複合型薄膜磁気ヘ
ッドユニットＨを配列したバーＢが得られる。次に、こ
のバーＢを切断して個々の複合型薄膜磁気ヘッドが得ら
れる。この場合、研磨量を監視するための電極パターン
Ｐの部分は廃棄するので、１本のバーＢ当たりの電極パ
ターンＰの個数は少ない方が良い。しかし、１個では研
磨面の傾斜の監視が難しく、エアベアリング面を正確に
出すことができない。したがって、本例のように、各バ
ーＢの両端またはその近傍に各々電極パターンＰを形成
するのが好適である。
【００４９】図３６は本発明による電極パターンＰの他
の例を示すものである。上述した実施例では、電極パタ
ーンＰの複数の電極エレメント３１ａ〜３１ｅを一体的
に形成したが、本例では、各電極エレメント５１、その
両端に接続したリードライン５２および接点パッド５３
をバーＢの長手方向に分散して配置する。すなわち、複
数の電極エレメント５１の各々を隣接する薄膜磁気ヘッ
ドユニットＨの間のスクライブラインＬの領域に分散し
て形成する。このようなスクライブラインＬは、バーＢ
を複数の薄膜磁気ヘッドユニットＨに分割するために本
来的に設けられているので、研磨量の監視を行なうため
の電極パターンＰを形成するための特別の領域、すなわ
ち電極パターンユニットＥをバーＢに設ける必要はなく
なり、それだけバーの利用効率が向上し、製造コストを
下げることができる。
【００５０】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法においては、上述したように、バーＢに形成した電
極パターンＰの電極エレメントの導通−切断を監視する
ことによりエアベアリング面Ａを形成する際の研磨量を
知ることができる。したがって、電極エレメントの導通
−切断を監視する測定回路３６から研磨装置へ駆動制御
信号を供給し、所定の電極エレメントが切断されたとき
に研磨装置を停止させるようにすることができる。この
場合、研磨装置の慣性を考慮し、所定の電極エレメント
の切断時期が近づいたら駆動速度を減速して行くことも
できる。このために、測定回路３６において電極エレメ
ントの抵抗値の変化をも検出し、抵抗値が急激に増加す
る場合に切断が近いことを知ることができる。電極パタ
ーンＰの抵抗値にはばらつきがあっても、このような急
激な抵抗値の変化は比較的正確に検知することができる
とともに本発明においては、電極エレメントの導通−切
断に基づいて研磨を停止するものであるから、何ら問題
はない。
【００５１】本発明は上述した実施例にのみ限定される
ものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例え
ば、上述した実施例においては、電極パターンＰは、電
極エレメント３１ｅの内方のエッジがスロートハイト零
の基準位置Ｒと一致するように形成したが、本発明によ
ればこのことは必ずしも必要はなく、例えば電極エレメ
ント３１ｅの内側エッジを基準位置Ｒよりもエアベアリ
ング面Ａ側に形成することもできる。さらに、順次の電
極エレメント３１ａ〜３１ｅの間隔は一定とする必要は
なく、例えば、所望のエアベアリング面Ａから遠い電極
エレメントの間隔を広くし、エアベアリング面に近い電
極エレメントの間隔を狭くすることもできる。
【００５２】また、上述した実施例では、書き込み用の
誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルは凹部内に完全に埋
まるように形成するとともにその表面を第１の磁性膜の
表面と同一面となるように平坦化したが、その一部が凹
部から突出するように形成することもできる。さらに、
上述した実施例においては、書き込み用の誘導型薄膜磁
気ヘッドの上方に読み出し用の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッ
ドを形成した、いわゆる反転型の複合型薄膜磁気ヘッド
としたが、読み出し用の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドを書
き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドの下方に形成すること
もできる。
【００５３】
【発明の効果】以上から明らかなように、本発明による
複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、基体の表面
に凹部を形成するためのマスクとして作用する金属また
は金属化合物膜を形成するのと同時にこの金属または金
属化合物膜によって、エアベアリング面の研磨量を監視
する電極パターンを形成するので、特別な製造工程が必
要でなく、製造コストの上昇を招くことはない。さら
に、この凹部の端縁はスロートハイト零の基準位置とな
り、この位置は製造工程中も変化しないので、このスロ
ートハイト零の基準位置に対してエアベアリング面を研
磨することによって所望のスロートハイトを正確に得る
ことができる。
【００５４】また、電極パターンの電極エレメントの抵
抗値の変化ではなく、その導通−切断を検出して研磨量
を決定するようにしているので、金属または金属化合物
膜の抵抗値にばらつきがあっても、それに影響されるこ
となく正確に研磨量を制御することができ、したがっ
て、所望のスロートハイトおよびＭＲハイトを有する複
合型薄膜磁気ヘッドを得ることができる。また、上述し
たように、電極パターンの複数の電極エレメントを薄膜
磁気ヘッドユニット間のスクライブラインに分散して形
成する場合には、バーの利用効率が向上し、製造コスト
の上昇を招くことがない。
【００５５】さらに、本発明によれば、基体の表面に凹
部を形成し、この凹部に書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘ
ッドの薄膜コイルを形成することにより、製造中に変化
することがない凹部の側面の傾斜角で規定されるアペッ
クスアングルを正確に所望の値とすることができる。ま
た、このように誘導型の薄膜磁気ヘッドを形成した後
に、その上に再生用のＭＲ型の薄膜磁気ヘッドを形成す
る場合には、ＭＲ素子が不所望な加熱処理に曝されるこ
とがなくなり、したがってＭＲ再生素子の特性は劣化す
ることがない。特に、熱処理に弱いＧＭＲ再生素子を使
用することができるので、高い面記録密度を実現するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の最初の工程
を示す断面図である。
【図２】図１の工程の後の工程を示す断面図である。
【図３】図２の工程の後の工程を示す断面図である。
【図４】図３の工程の後の工程を示す断面図である。
【図５】図４の工程の後の工程を示す断面図である。
【図６】図５の工程の後の工程を示す断面図である。
【図７】図６の工程の後の工程を示す断面図である。
【図８】図７の工程の後の工程を示す断面図である。
【図９】図８の工程の後の工程を示す断面図である。
【図１０】図９の工程の後の工程を示す断面図である。
【図１１】図９の工程の後の工程を示す正面図である。
【図１２】図９の工程の後の工程を示す平面図である。
【図１３】本発明における複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法の工程を示す断面図である。
【図１４】図１３の次の工程を示す断面図である。
【図１５】図１４の次の工程を示す断面図である。
【図１６】薄膜磁気ヘッドユニットと電極パターンとの
関係を示す平面図である。
【図１７】図１５に示した工程の後の工程を示す断面図
である。
【図１８】図１６に示した工程の次の工程を示す断面図
である。
【図１９】図１８の次の工程を示す断面図である。
【図２０】図１９の次の工程を示す断面図である。
【図２１】図２０の次の工程を示す断面図である。
【図２２】図２１の次の工程を示す断面図である。
【図２３】そのときの磁極部分の断面図である。
【図２４】図２２の次の工程を示す断面図である。
【図２５】そのときの磁極部分の断面図である。
【図２６】図２５の次の工程を示す断面図である。
【図２７】図２６に示した工程の後の工程を示す断面図
である。
【図２８】そのときの磁極部分の断面図である。
【図２９】図２８の次の工程を示す断面図である。
【図３０】図２９の次の工程を示す断面図である。
【図３１】そのときの磁極部分の断面図である。
【図３２】図３０の次の工程を示す断面図である。
【図３３】そのときの磁極部分の断面図である。
【図３４】薄膜磁気ヘッドユニットを形成したウエハを
示す平面図である。
【図３５】ウエハを切断して得られるバーを示す平面図
である。
【図３６】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
法のさらに他の実施例で使用する電極パターンを示す平
面図である。
【符号の説明】
１１ 基体（ウエハ）、 １２ 絶縁膜、 １３ フォ
トレジスト膜、 １４金属または金属化合物膜、 １５
凹部、 １６ 絶縁膜、 １７ 第１磁性膜、 １８
絶縁膜、 １９ 薄膜コイル、 ２０ 絶縁膜、 ２
１ ライトギャップ膜、 ２２ 第２磁性膜、 ２３，
２５ シールドギャップ膜、 ２４ ＭＲ膜、 ２６
第３磁性膜、 ２７ オーバコート層、 Ｐ 電極パタ
ーン、Ｈ 薄膜磁気ヘッドユニット、 Ｅ 電極パター
ンユニット、 Ｒ スロートハイト零の基準位置、 ｄ
電極エレメントの内側縁の間隔、 Ｌ スクライブラ
イン、Ｂ バー、 Ａ エアベアリング面、 ３１ａ〜
３１ｅ，５１ 電極エレメント、 ３２ａ〜３２ｆ，５
２ リードライン、 ３３ａ〜３３ｆ，５３ 接点パッ
ド、 ３５ バーの端面、 ３６ 測定回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/31 G11B 5/39

Claims (19)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体の表面に、誘導型の書き込み用薄膜
    磁気変換素子と、磁気抵抗効果型の読み取り用薄膜磁気
    変換素子とを互いに磁気的および電気的に絶縁分離した
    状態で積層した複合型薄膜磁気ヘッドを製造する方法に
    おいて、 前記基体を構成するウエハに金属または金属化合物膜を
    マスクとして凹部を形成すると同時に、複合型薄膜磁気
    ヘッドのエアベアリング面と平行な方向に延在し、書き
    込み用薄膜磁気変換素子の、前記凹部のエッジと一致す
    るスロートハイト零の基準位置からの距離がそれぞれ異
    なる複数の前記金属または金属化合物膜より成る電極エ
    レメントを含む電極パターンを形成する工程と、 少なくとも書き込み用薄膜磁気変換素子の薄膜コイルの
    一部を前記凹部に形成するように、前記書き込み用薄膜
    磁気変換素子および読み取り用薄膜磁気変換素子をウエ
    ハ上に形成する工程と、 その後、複数の複合型薄膜磁気ヘッドユニットが配列さ
    れた複数のバーにウエハを切断する工程と、 各バーに形成された前記電極パターンの複数の電極エレ
    メントの各々の導通−切断状態を電気的に測定すること
    によって薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面の研磨量を
    監視しながらバーの端面を研磨する工程と、 前記バーを、各々が所望のスロートハイトが得られるよ
    うに研磨されたエアベアリング面を有する複数の複合型
    薄膜磁気ヘッドに切断する工程と、を具えることを特徴
    とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  2. 【請求項２】 前記電極パターンの各電極エレメント
    を、その内側縁から前記スロートハイト零の基準位置ま
    での距離がｄだけ相違するように形成することを特徴と
    する請求項１に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  3. 【請求項３】 前記電極パターンの複数の電極エレメン
    トを前記距離に応じて順次に階段状に配列するように形
    成することを特徴とする請求項２に記載の複合型薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  4. 【請求項４】 前記電極パターンを少なくも２組設け、
    これらを前記バーの両端の近傍にそれぞれ形成すること
    を特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の複合型薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  5. 【請求項５】 前記電極パターンの複数の電極エレメン
    トを前記バーに分散させて形成することを特徴とする請
    求項１および２の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記電極パターンの複数の電極エレメン
    トの各々を隣接する複合型薄膜磁気ヘッドの間のスクラ
    イブライン領域に分散させて形成することを特徴とする
    請求項５に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記電極パターンを、複数の電極エレメ
    ントの各々の内側縁の離間距離ｄが0.1 〜0.5 μm とな
    るように形成することを特徴とする請求項１〜６の何れ
    かに記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記凹部を形成するためのマスクおよび
    電極パターンを構成する金属または金属化合物膜を、パ
    ーマロイ、銅、ニッケル、クロムおよびおよびこれらの
    化合物より成る群から選択した金属または金属化合物で
    形成することを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載
    の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記金属または金属化合物膜を、フォト
    レジスト膜をマスクとする鍍金法で形成することを特徴
    とする請求項８に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  10. 【請求項１０】 前記金属または金属化合物膜をパーマ
    ロイで形成することを特徴とする請求項９に記載の複合
    型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記凹部に薄膜コイルの少なくとも一
    部が入るように前記書き込み用薄膜磁気変換素子膜を形
    成した後、その上に前記読み取り用薄膜磁気変換素子を
    形成することを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記
    載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記薄膜コイルの全体を前記凹部内に
    形成して前記読み取り用薄膜磁気変換素子を、その表面
    が平坦となるように形成した後、前記読み取り用薄膜磁
    気変換素子を形成することを特徴とする請求項１１に記
    載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記読み取り用薄膜磁気変換素子を、
    異方性磁気抵抗膜で形成することを特徴とする請求項１
    １および１２の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記読み取り用薄膜磁気変換素子を、
    巨大磁気抵抗膜で形成することを特徴とする請求項１１
    および１２の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  15. 【請求項１５】 前記金属または金属化合物膜をマスク
    として、ドライエッチングでウエハに凹部を形成するこ
    とを特徴とする請求項１〜１４の何れかに記載の複合型
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記凹部を形成するドライエッチング
    をリアクティブイオンエッチングとすることを特徴とす
    る請求項１５に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  17. 【請求項１７】 前記金属または金属化合物膜をマスク
    として、側面の傾斜角度が４５〜７５°となるように前
    記凹部を形成することを特徴とする請求項１〜１６の何
    れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記金属または金属化合物膜をマスク
    として、側面の傾斜角度が５５〜６５°となるように前
    記凹部を形成することを特徴とする請求項１７に記載の
    複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記金属または金属化合物膜をマスク
    として、深さが５μm 以上となるように前記凹部を形成
    することを特徴とする請求項１〜１８の何れかに記載の
    複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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