JP3805922B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）とも記す。）素子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto-resistive）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto-resistive）と記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがある。ＡＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギガビット／（インチ）2を超える再生ヘッドとして利用され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／（インチ）2を超える再生ヘッドとして利用されている。
【０００３】
再生ヘッドの性能を向上させる方法としては、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の優れた材料に変える方法や、ＭＲ膜のパターン幅、特に、ＭＲハイトを適切化する方法等がある。このＭＲハイトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいい、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御されるものである。なお、ここにいうエアベアリング面は、薄膜磁気ヘッドの、磁気記録媒体と対向する面であり、トラック面とも呼ばれる。
【０００４】
一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性能を決定する要因としては、パターン幅、特に、スロートハイト（Throat Height：TH）がある。スロートハイトは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する部分の、エアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイトの縮小化が望まれている。このスロートハイトも、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御される。
【０００５】
記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極のエアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロン寸法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、これを達成するために半導体加工技術が利用されている。
【０００６】
このように、薄膜磁気ヘッドの性能の向上のためには、記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形成することが重要である。
【０００７】
ここで、図１６ないし図２２を参照して、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。なお、図１６ないし図２１において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【０００８】
この製造方法では、まず、図１６に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。
【０００９】
次に、図１７に示したように、下部シールド層１０３の上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みにスパッタ堆積し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜１０４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、再生用のＭＲ素子１０５を形成するためのＭＲ膜を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、このＭＲ膜の上に、ＭＲ素子１０５を形成すべき位置に選択的にフォトレジストパターンを形成する。このとき、リフトオフを容易に行うことができるような形状、例えば断面形状がＴ型のフォトレジストパターンを形成する。次に、フォトレジストパターンをマスクとして、例えばイオンミリングによってＭＲ膜をエッチングして、ＭＲ素子１０５を形成する。なお、ＭＲ素子１０５は、ＧＭＲ素子でもよいし、ＡＭＲ素子でもよい。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、同じフォトレジストパターンをマスクとして、ＭＲ素子１０５に電気的に接続される一対の電極層１０６を形成する。
【００１０】
次に、下部シールドギャップ膜１０４およびＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールドギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ素子１０５をシールドギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。
【００１１】
次に、上部シールドギャップ膜１０７の上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成する。次に、下部磁極層１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。
【００１２】
次に、図１８に示したように、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成する。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えば高飽和磁束密度材料のパーマロイ（ＮｉＦｅ）またはＦｅＮよりなる上部磁極チップ１１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このとき、同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９ａの上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１１９を形成する。
【００１３】
次に、図１９に示したように、上部磁極チップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチングする。図１９（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することができる。
【００１４】
次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、この絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。この際の研磨方法としては、機械的な研磨またはＣＭＰ（化学機械研磨）が用いられる。この平坦化により、上部磁極チップ１１０および磁性層１１９の表面が露出する。
【００１５】
次に、図２０に示したように、平坦化された絶縁層１１１の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１１３の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１１５の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。
【００１６】
次に、図２１に示したように、上部磁極チップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１１７を形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面１１８を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。図２２は、この薄膜磁気ヘッドの平面図である。なお、この図では、オーバーコート層１１７を省略している。
【００１７】
図２１において、ＴＨは、スロートハイトを表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。また、Ｐ２Ｗは、磁極幅、すなわち記録トラック幅を表している。薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因として、スロートハイトやＭＲハイト等の他に、図２１においてθで示したようなエイペックスアングル（Apex Angle）がある。このエイペックスアングルは、フォトレジスト層１１３，１１５で覆われて山状に盛り上がったコイル部分（以下、エイペックス部と言う。）における磁極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁層１１１の上面とのなす角度をいう。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
近年、コンピュータ等に使用されるハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドにおける記録再生情報の周波数が高くなってきている。記録情報の周波数が高くなると、誘導型磁気変換素子の磁路を形成する磁性層における渦電流損失が大きくなる。それに伴い、記録ギャップ層を介して対向する磁極部分より発生される記録磁界の強度の低下や、コイルに供給される記録電流に対する記録磁界の遅延の増加や、記録磁界の立ち上がりの時間勾配の低下等の問題が発生する。これらの問題は、具体的には、例えば、非線形トランジションシフト（Non-linear Transition Shift；ＮＬＴＳ）の増加として現れる。
【００１９】
従来、磁性層における渦電流損失を減少させ、薄膜磁気ヘッドの高周波特性を向上させる技術として、例えば、特開平６−１３９５２１号公報や特開昭６０−３５３１５号公報には、誘導型磁気変換素子の磁路を形成する磁性層を、軟磁性層と絶縁層とを交互に積層した構造とした技術が示されている。
【００２０】
しかしながら、この技術では、磁性層全体を上述の積層構造にしているため、磁束の通過領域が狭くなり、磁束の通過が妨げられて、磁性層を通過する磁束の量が低下するという問題点がある。
【００２１】
また、特開平６−１３９５２１号公報には、誘導型磁気変換素子の磁路を形成する磁性層を、記録ギャップ層に垂直な方向に沿うように軟磁性層と絶縁層とを交互に配置した構造とした技術も示されている。
【００２２】
しかしながら、磁性層をこのような構造とすると、磁性層の磁化（磁歪）の方向を一定にしにくくなり、効率よく磁束を通過させることが難しくなるという問題点がある。
【００２３】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁束の通過を妨げることなく、誘導型磁気変換素子の磁路を形成する磁性層における渦電流損失を減少させて、高周波特性を改善できるようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、
第１および第２の磁性層は、それぞれ、薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置されると共に磁極部分に連結されたヨーク部分を有し、
少なくとも一方の磁性層におけるヨーク部分は、積層された複数の磁性材料層と、隣接する２つの磁性材料層の間に配置され、磁性材料層よりも電気抵抗の大きい抵抗層とを有し、
抵抗層は、記録媒体に対向する面に平行な方向および垂直な方向に分離された複数の領域に配置された複数の部分を有するものである。
【００２５】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁気変換素子を備え、第１および第２の磁性層は、それぞれ、薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置されると共に磁極部分に連結されたヨーク部分を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
第１の磁性層を形成する工程と、
第１の磁性層の上にギャップ層を形成する工程と、
ギャップ層の上に第２の磁性層を形成する工程と、
第１の磁性層と第２の磁性層の間に配置されるように薄膜コイルを形成する工程とを含み、
第１の磁性層を形成する工程と第２の磁性層を形成する工程の少なくとも一方は、積層された複数の磁性材料層と、隣接する２つの磁性材料層の間に配置され、磁性材料層よりも電気抵抗の大きい抵抗層とを有するヨーク部分を形成し、
抵抗層は、記録媒体に対向する面に平行な方向および垂直な方向に分離された複数の領域に配置された複数の部分を有するものである。
【００２６】
本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、少なくとも一方の磁性層におけるヨーク部分が、複数の磁性材料層と抵抗層とを有するように形成されると共に、抵抗層が、記録媒体に対向する面に平行な方向および垂直な方向に分離された複数の領域に配置された複数の部分を有する。これにより、磁束の通過が妨げられることなく、磁性層における渦電流損失が減少する。
【００２７】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、抵抗層は、例えば、ヨーク部分のうち、磁極部分との連結部の近傍および他の磁性層との連結部の近傍を除いた一部の 領域に配置される。
【００２８】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、抵抗層は、例えば絶縁材料によって形成される。この場合、絶縁材料は、例えば無機材料よりなる。また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、例えば、抵抗層は、無機材料よりなる層を反応性イオンエッチングによって選択的にエッチングすることによって所定のパターンに形成される。
【００２９】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、例えば、第１の磁性層は、薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置された第１の部分と、この第１の部分における薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを有し、薄膜コイルの少なくとも一部は、第１の磁性層の第２の部分の側方に配置され、第２の磁性層のヨーク部分は、複数の磁性材料層と抵抗層とを有する。
【００３０】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素子をシールドするための第１および第２のシールド層とを備えていてもよい。この場合、第２のシールド層は、第１の磁性層を兼ねていてもよい。
【００３１】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法において、少なくとも一方の磁性層におけるヨーク部分は、磁性材料層を介して隣接する２つの抵抗層を含み、２つの抵抗層は、それぞれ記録媒体に対向する面に平行な方向および垂直な方向に分離された複数の領域に配置された複数の部分を有していてもよい。
【００３２】
この場合、一方の抵抗層の複数の部分と他方の抵抗層の複数の部分とは、ほぼ互い違いに配置されていてもよい。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
まず、図１ないし図１２を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図１ないし図７において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００３４】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層２０を、例えば４〜６μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）によって、下部シールド層３が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００３５】
次に、図２に示したように、下部シールド層３の上に、例えばアルミナまたはチッ化アルミニウムをスパッタ堆積し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例えば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成する。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁層としての上部シールドギャップ膜７を形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，７内に埋設する。
【００３６】
次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極層と記す。）の第１の部分８ａを、約１．０〜２．０μｍの厚みで、選択的に形成する。下部磁極層の第１の部分８ａは、下部磁極層のうち、後述する薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置される部分である。
【００３７】
次に、図３に示したように、下部磁極層の第１の部分８ａの上に、下部磁極層の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃを、約１．５〜２．５μｍの厚みに形成する。第２の部分８ｂは、下部磁極層の磁極部分を形成し、第１の部分８ａの薄膜コイル側の面に接続される。第３の部分８ｃは、第１の部分８ａと後述する上部磁極層とを接続するための部分である。本実施の形態において、第２の部分８ｂのエアベアリング面とは反対側（図において右側）の端部の位置は、磁極部分のエアベアリング面とは反対側の端部の位置であるスロートハイトゼロ位置となる。
【００３８】
下部磁極層の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）の材料を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００３９】
次に、図４に示したように、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁膜９を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。
【００４０】
次に、フレームめっき法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１０を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。なお、図中、符号１０ａは、薄膜コイル１０と後述する電極用パッドとを接続するための導電層が接続される接続部を示している。
【００４１】
次に、図５に示したように、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層１１を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極層の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃが露出するまで、絶縁層１１を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図５では、薄膜コイル１０は露出していないが、薄膜コイル１０が露出するようにしてもよい。薄膜コイル１０が露出するようにした場合には、薄膜コイル１０および絶縁層１１の上に他の絶縁層を形成する。
【００４２】
次に、図６に示したように、露出した下部磁極層の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃと絶縁層１１の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層１２を、例えば０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。記録ギャップ層１２に使用する絶縁材料としては、一般的に、アルミナ、窒化アルミニウム、シリコン酸化物系材料、シリコン窒化物系材料、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。
【００４３】
次に、磁路形成のために、下部磁極層の第３の部分８ｃの上の部分において、記録ギャップ層１２を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。
【００４４】
次に、記録ギャップ層１２の上に、以下の手順で上部磁極層１３を形成する。すなわち、まず、記録ギャップ層１２の上に、磁性材料よりなる第１の磁性材料層１３ａを、例えば約０．５〜１．５μｍの厚みで、所定のパターンに形成する。次に、第１の磁性材料層１３ａの上に、第１の磁性材料層１３ａよりも電気抵抗の大きい第１の抵抗層２１を、例えば数十〜数百ｎｍの厚みで、所定のパターンに形成する。図８は、上部磁極層１３の第１の磁性材料層１３ａと第１の抵抗層２１とを示す平面図である。次に、第１の抵抗層２１の上に、第１の磁性材料層１３ａと同じ磁性材料よりなる第２の磁性材料層１３ｂを、例えば約０．５〜１．５μｍの厚みで、所定のパターンに形成する。次に、第２の磁性材料層１３ｂの上に、第２の磁性材料層１３ｂよりも電気抵抗の大きい第２の抵抗層２２を、例えば数十〜数百ｎｍの厚みで、第１の磁性材料層１３ａと同じパターンに形成する。図９は、上部磁極層１３の第２の磁性材料層１３ｂと第２の抵抗層２２とを示す平面図である。次に、第２の抵抗層２２の上に、第１の磁性材料層１３ａと同じ磁性材料よりなる第３の磁性材料層１３ｃを、例えば約０．５〜１．５μｍの厚みで、第１の磁性材料層１３ａと同じパターンに形成する。
【００４５】
磁性材料層１３ａ〜１３ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）の材料を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００４６】
抵抗層２１，２２は、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、シリコン酸化物系材料、シリコン窒化物系材料、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等の無機絶縁材料によって形成される。また、抵抗層２１，２２は、例えば、スパッタによって上記無機絶縁材料よりなる膜を形成した後、この膜を例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって選択的にエッチングすることによって、所定のパターンに形成される。
【００４７】
このように、本実施の形態における上部磁極層１３は、積層された複数の磁性材料層１３ａ〜１３ｃと、隣接する２つの磁性材料層の間に配置された抵抗層２１，２２とによって構成される。この上部磁極層１３の特徴については、後で詳しく説明する。
【００４８】
次に、上部磁極層１３をマスクとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層１２を選択的にエッチングし、更に、例えばアルゴンイオンミリングによって、下部磁極層の第２の部分８ｂを選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図６（ｂ）に示したようなトリム構造とする。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することができる。
【００４９】
次に、図７に示したように、全体に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１７を、２０〜４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。図１０は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。この図では、オーバーコート層１７を省略している。なお、図１０において、符号８Ｂは、トリム構造とするため下部磁極層の第２の部分８ｂがエッチングされている部分を表している。
【００５０】
本実施の形態では、第１の部分８ａ、第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃよりなる下部磁極層が、本発明における第１の磁性層に対応し、磁性材料層１３ａ〜１３ｃおよび抵抗層２１，２２よりなる上部磁極層１３が、本発明における第２の磁性層に対応する。また、下部シールド層３は、本発明における第１のシールド層に対応する。また、下部磁極層は、上部シールド層を兼ねているので、本発明における第２のシールド層にも対応する。
【００５１】
以上説明したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、記録媒体に対向する側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置され、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層（下部磁極層）とを有している。
【００５２】
記録ヘッドは、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層１２を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる下部磁極層および上部磁極層１３と、この下部磁極層および上部磁極層１３の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０とを有している。下部磁極層と上部磁極層１３は、それぞれ、薄膜コイル１０に対向する領域を含む領域に配置されると共に磁極部分に連結されたヨーク部分を有している。
【００５３】
本実施の形態では、下部磁極層は、薄膜コイル１０に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分８ａと、この第１の部分８ａにおける薄膜コイル１０側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分８ｂとを有し、薄膜コイル１０は、下部磁極層の第２の部分８ｂの側方に配置されている。
【００５４】
ここで、本実施の形態における上部磁極層１３の特徴について説明する。図７ないし図９に示したように、上部磁極層１３は、磁極部分１３Ａと、薄膜コイル１０に対向する領域を含む領域に配置されると共に磁極部分１３Ａに連結されたヨーク部分１３Ｂとを有している。図７に示したように、磁極部分１３Ａとヨーク部分１３Ｂと連結部の位置は、スロートハイトゼロ位置またはその近傍の位置になっている。図８および図９に示したように、磁極部分１３Ａは、狭い一定の幅を有している。この磁極部分１３Ａの幅が記録ヘッドのトラック幅を規定する。ヨーク部分１３Ｂは、磁極部分１３Ａとの連結部の近傍の部分２３では、磁極部分１３Ａよりも大きい一定の幅を有し、その部分２３よりもエアベアリング面とは反対側（図における右側）の部分では、エアベアリング面から遠ざかるにつれて幅が大きくなり、やがて一定の幅を有するような形状になっている。
【００５５】
上部磁極層１３は、積層された複数の磁性材料層１３ａ〜１３ｃと、隣接する２つの磁性材料層の間に配置された抵抗層２１，２２とによって構成されている。図８および図９に示したように、抵抗層２１，２２は、上部磁極層１３のヨーク部分１３Ｂのうち、磁極部分１３Ａとの連結部の近傍の部分２３および他の磁性層すなわち下部磁極層との連結部の近傍の部分２４を除いた一部の領域に配置されている。
【００５６】
また、抵抗層２１，２２は、それぞれ、分割された複数の領域に配置されている。本実施の形態では、特に、抵抗層２１，２２は、それぞれ、ストライプ状に形成されている。また、本実施の形態では、図８と図９を比較すると分かるように、抵抗層２１の各部分と抵抗層２２の各部分は、ほぼ互い違いになるように配置されている。なお、抵抗層２１の各部分と抵抗層２２の各部分が、上から見て同じ位置に配置されていてもよい。
【００５７】
なお、図６（ａ）および図７（ａ）は、図８および図９におけるＡ−Ａ´線で切断した断面を表している。
【００５８】
本実施の形態によれば、上部磁極層１３を、積層された複数の磁性材料層１３ａ〜１３ｃと、隣接する２つの磁性材料層の間に配置された抵抗層２１，２２とで構成したので、上部磁極層１３における渦電流損失を減少させることができる。
【００５９】
ところで、上部磁極層１３のヨーク部分１３Ｂのうち、磁極部分１３Ａとの連結部の近傍の部分２３および他の磁性層すなわち下部磁極層との連結部の近傍の部分２４は、ヨーク部分１３Ｂの他の部分に比べて、元々、磁束の通過領域が狭い。そのため、これらの部分２３，２４に抵抗層が存在すると、抵抗層によって磁束の通過が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、抵抗層２１，２２は、上部磁極層１３のヨーク部分１３Ｂのうち、上記の部分２３，２４を除いた一部の領域に配置されているので、磁束の通過を妨げることなく、上部磁極層１３における渦電流損失を減少させることができる。
【００６０】
また、抵抗層が上部磁極層の全体にわたって形成されていると、磁束の通過領域が狭くなり、磁束の通過が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、抵抗層２１，２２は、分割された複数の領域に配置されているので、抵抗層が上部磁極層の全体にわたって形成されている場合に比べて、磁束の通過領域が広くなり、磁束の通過を妨げることなく、上部磁極層１３における渦電流損失を減少させることができる。
【００６１】
このように、本実施の形態によれば、上部磁極層１３における渦電流損失を減少させることができることから、薄膜磁気ヘッドにおける高周波特性を改善でき、例えば非線形トランジションシフトを小さくすることが可能となる。
【００６２】
また、本実施の形態によれば、薄膜コイル１０を、下部磁極層の第１の部分８ａの上であって、第２の部分８ｂの側方に配置し、薄膜コイル１０を覆う絶縁層１１の上面を平坦化したので、上部磁極層１３を平坦な面の上に形成することができる。従って、本実施の形態によれば、積層構造を有する上部磁極層１３の形成が容易になる。また、本実施の形態によれば、上部磁極層１３の磁極部分１３Ａを、例えばハーフミクロン寸法やクォータミクロン寸法にも微細に形成可能となり、記録ヘッドのトラック幅の縮小が可能となる。
【００６３】
また、本実施の形態では、記録ヘッドのトラック幅を規定する上部磁極層１３の磁極部分１３Ａがスロートハイトを規定するのではなく、下部磁極層の第２の部分８ｂがスロートハイトを規定する。従って、本実施の形態によれば、トラック幅が小さくなっても、スロートハイトを精度よく、均一に規定することが可能となる。
【００６４】
更に、本実施の形態によれば、薄膜コイル１０を、平坦な面の上に形成することができるので、薄膜コイル１０を微細に形成することが可能になる。これにより、記録ヘッドの磁路長の縮小が可能になる。
【００６５】
また、本実施の形態では、図１０に示したように、上部磁極層１３は、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０またはその近傍の位置よりもエアベアリング面３０とは反対側（図における右側）の部分では、例えば３μｍ以上の一定の幅を有し、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０またはその近傍の位置よりもエアベアリング面３０側の部分では、ハーフミクロン寸法やクォータミクロン寸法の一定の幅を有している。そのため、上部磁極層１３を通過する磁束は、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０またはその近傍の位置よりもエアベアリング面３０とは反対側の部分では飽和せず、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０またはその近傍の位置よりもエアベアリング面３０側の部分で飽和する。これにより、非線形トランジションシフトやオーバーライト特性を向上させることができる。
【００６６】
図１１は、上部磁極層の抵抗層のパターンの他の例を示す平面図である。この例では、抵抗層２１（図８）の代りに抵抗層３１が設けられている。この抵抗層３１は、ストライプ状ではなく、島状に分割された複数の領域に配置されている。また、この例では、抵抗層２２（図９）の代りに、抵抗層３１と同様のパターンの抵抗層を設けてもよいし、抵抗層３１の各部分に対してほぼ互い違いになるように配置される複数の部分を有するパターンの抵抗層を設けてもよい。
【００６７】
図１２は、上部磁極層の抵抗層のパターンの更に他の例を示す平面図である。この例では、抵抗層２１（図８）の代りに抵抗層３２が設けられている。この抵抗層３２は、分割された複数の領域に配置されておらず、ヨーク部分１３Ｂのうち、磁極部分１３Ａとの連結部の近傍の部分２３および他の磁性層すなわち下部磁極層との連結部の近傍の部分２４を除くほぼ全域に配置されている。また、この例では、抵抗層２２（図９）の代りに、抵抗層３２と同様のパターンの抵抗層を設けてもよいし、抵抗層３２とは異なるパターンの抵抗層を設けてもよい。
【００６８】
図１２に示した例では、抵抗層が分割された複数の領域に配置される場合の効果は得られないが、抵抗層が、ヨーク部分１３Ｂのうち、磁極部分１３Ａとの連結部の近傍の部分２３および他の磁性層すなわち下部磁極層との連結部の近傍の部分２４を除いた一部の領域に配置されることによる効果が得られる。
【００６９】
［第２の実施の形態］
次に、図１３および図１４を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図１３において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。図１４は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。この図では、オーバーコート層は省略している。
【００７０】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、２層の薄膜コイルを設けた例である。なお、本実施の形態では、符号１０は、薄膜コイルの第１層部分を表す。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、記録ギャップ層１２を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。本実施の形態では、次に、記録ギャップ層１２の上に、上部磁極層の磁極部分を形成する磁極部分層４１を１．０〜３．０μｍの厚みに形成すると共に、下部磁極層の第３の部分８ｃの上に形成されたコンタクトホールの位置に、磁性層４２を１．０〜３．０μｍの厚みに形成する。磁性層４２は、後述する上部磁極層のヨーク部分層と下部磁極層とを接続するための部分である。なお、磁性層４２は、下部磁極層の第３の部分８ｃよりも大きくなっている。本実施の形態では、上部磁極層の磁極部分層４１の長さは、下部磁極層の第２の部分８ｂの長さ以上に形成される。
【００７１】
上部磁極層の磁極部分層４１および磁性層４２は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）の材料を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００７２】
次に、上部磁極層の磁極部分層４１をマスクとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層１２を選択的にエッチングする。このときのドライエッチングには、例えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガスや、ＣＦ4，ＳＦ6等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。次に、例えばアルゴンイオンミリングによって、下部磁極層の第２の部分８ｂを選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図１３（ｂ）に示したようなトリム構造とする。
【００７３】
次に、記録ギャップ層１２の上のコイル形成領域に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１４を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。
【００７４】
次に、フレームめっき法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイルの第２層部分１５を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。なお、図中、符号１５ａは、薄膜コイルの第１層部分１０の接続部１０ａと接続される接続部を示している。
【００７５】
次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層１６を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部磁極層の磁極部分層４１および磁性層４２が露出するまで、絶縁層１６を研磨して、表面を平坦化処理する。
【００７６】
次に、平坦化された上部磁極層の磁極部分層４１および磁性層４２と絶縁層１６の上に、上部磁極層のヨーク部分を形成するヨーク部分層４３を形成する。このヨーク部分層４３は、積層された複数の磁性材料層４３ａ〜４３ｃと、隣接する２つの磁性材料層の間に配置された抵抗層２１，２２とによって構成されている。ヨーク部分層４３の形成方法は、第１の実施の形態における上部磁極層１３の形成方法と同様である。また、抵抗層２１，２２のパターンも第１の実施の形態と同様である。
【００７７】
本実施の形態では、上部磁極層のヨーク部分層４３の記録媒体に対向する側（エアベアリング面側）の端面は、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面から離れた位置（図において右側）に配置されている。
【００７８】
次に、全体に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１７を、２０〜４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００７９】
本実施の形態では、磁極部分層４１、磁性層４２およびヨーク部分層４３よりなる上部磁極層が、本発明における第２の磁性層に対応する。
【００８０】
本実施の形態によれば、上部磁極層の磁極部分層４１を平坦な面の上に形成することができるので、磁極部分層４１を、例えばハーフミクロン寸法やクォータミクロン寸法にも微細に形成可能となり、記録ヘッドのトラック幅の縮小が可能となる。
【００８１】
また、本実施の形態によれば、薄膜コイルの第２層部分１５を、上部磁極層の磁極部分層４１の側方に配置したので、上部磁極層のヨーク部分層４３を、平坦な面の上に形成することができる。そのため、本実施の形態によれば、積層構造を有するヨーク部分層４３の形成が容易になる。また、本実施の形態によれば、ヨーク部分層４３を微細に形成可能となり、いわゆるサイドライトの発生を防止することが可能となる。
【００８２】
また、本実施の形態では、上部磁極層のヨーク部分層４３のエアベアリング面側の端面を、薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面から離れた位置に配置している。そのため、スロートハイトが小さい場合でも、上部磁極層のヨーク部分層４３がエアベアリング面に露出することがなく、その結果、いわゆるサイドライトの発生を防止することができる。
【００８３】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００８４】
［第３の実施の形態］
次に、図１５を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図１５は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。この図では、オーバーコート層は省略している。
【００８５】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、下部磁極層の第２の部分８ｂを、薄膜コイルの第１層部分１０の周囲を囲うように形成したものである。下部磁極層の第２の部分８ｂをこのような形状とすることにより、絶縁層１１の平坦化処理が容易になる。
【００８６】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。なお、第１の実施の形態における下部磁極層の第２の部分８ｂを、本実施の形態のような形状に形成してもよい。
【００８７】
本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、上記各実施の形態では、上部磁極層のヨーク部分のみを、複数の磁性材料層の間に抵抗層を配置した構造としたが、下部磁極層のヨーク部分も同様の構造としてもよい。
【００８８】
また、上記各実施の形態では、下部磁極層によってスロートハイトを規定するようにしたが、上部磁極層によってスロートハイトを規定するようにしてもよい。
【００８９】
また、上記各実施の形態では、基体側に読み取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の誘導型磁気変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【００９０】
つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介して、それに対向するように上記実施の形態に示した下部磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成することにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させることが好ましい。
【００９１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法によれば、少なくとも一方の磁性層におけるヨーク部分を、複数の磁性材料層と抵抗層とを有するように形成すると共に、抵抗層が、記録媒体に対向する面に平行な方向および垂直な方向に分離された複数の領域に配置された複数の部分を有するようにしたので、磁束の通過を妨げることなく、誘導型磁気変換素子の磁路を形成する磁性層における渦電流損失を減少させて、高周波特性を改善することができるという効果を奏する。
【００９２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法において、抵抗層を、ヨーク部分のうち、磁極部分との連結部の近傍および他の磁性層との連結部の近傍を除いた一部の領域に配置した場合には、より一層、磁束の通過を妨げることがなくなるという効果を奏する。
【００９３】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法において、第１の磁性層が、薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置された第１の部分と、この第１の部分における薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを有し、薄膜コイルの少なくとも一部が、第１の磁性層の第２の部分の側方に配置され、第２の磁性層のヨーク部分が、複数の磁性材料層と抵抗層とを有するようにした場合には、更に、積層構造を有する第２の磁性層のヨーク部分の形成が容易になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】 図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】 図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】 図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】 図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】 図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】 図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極層の第１の磁性材料層と第１の抵抗層とを示す平面図である。
【図９】 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極層の第２の磁性材料層と第２の抵抗層とを示す平面図である。
【図１０】 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図１１】 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極層の抵抗層のパターンの他の例を示す平面図である。
【図１２】 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極層の抵抗層のパターンの更に他の例を示す平面図である。
【図１３】 本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図１４】 本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図１５】 本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図１６】 従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図１７】 図１６に続く工程を説明するための断面図である。
【図１８】 図１７に続く工程を説明するための断面図である。
【図１９】 図１８に続く工程を説明するための断面図である。
【図２０】 図１９に続く工程を説明するための断面図である。
【図２１】 図２０に続く工程を説明するための断面図である。
【図２２】 従来の薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ素子、８ａ…下部磁極層の第１の部分、８ｂ…下部磁極層の第２の部分、９…絶縁膜、１０…薄膜コイル、１１…絶縁層、１２…記録ギャップ層、１３…上部磁極層、１３ａ〜１３ｃ…磁性材料層、２１，２２…抵抗層、１７…オーバーコート層。
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）とも記す。）素子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto-resistive）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto-resistive）と記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがある。ＡＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギガビット／（インチ）2を超える再生ヘッドとして利用され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／（インチ）2を超える再生ヘッドとして利用されている。
【０００３】
再生ヘッドの性能を向上させる方法としては、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の優れた材料に変える方法や、ＭＲ膜のパターン幅、特に、ＭＲハイトを適切化する方法等がある。このＭＲハイトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいい、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御されるものである。なお、ここにいうエアベアリング面は、薄膜磁気ヘッドの、磁気記録媒体と対向する面であり、トラック面とも呼ばれる。
【０００４】
一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性能を決定する要因としては、パターン幅、特に、スロートハイト（Throat Height：TH）がある。スロートハイトは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する部分の、エアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイトの縮小化が望まれている。このスロートハイトも、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御される。
【０００５】
記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極のエアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロン寸法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、これを達成するために半導体加工技術が利用されている。
【０００６】
このように、薄膜磁気ヘッドの性能の向上のためには、記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形成することが重要である。
【０００７】
ここで、図１６ないし図２２を参照して、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。なお、図１６ないし図２１において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【０００８】
この製造方法では、まず、図１６に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。
【０００９】
次に、図１７に示したように、下部シールド層１０３の上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みにスパッタ堆積し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜１０４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、再生用のＭＲ素子１０５を形成するためのＭＲ膜を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、このＭＲ膜の上に、ＭＲ素子１０５を形成すべき位置に選択的にフォトレジストパターンを形成する。このとき、リフトオフを容易に行うことができるような形状、例えば断面形状がＴ型のフォトレジストパターンを形成する。次に、フォトレジストパターンをマスクとして、例えばイオンミリングによってＭＲ膜をエッチングして、ＭＲ素子１０５を形成する。なお、ＭＲ素子１０５は、ＧＭＲ素子でもよいし、ＡＭＲ素子でもよい。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、同じフォトレジストパターンをマスクとして、ＭＲ素子１０５に電気的に接続される一対の電極層１０６を形成する。
【００１０】
次に、下部シールドギャップ膜１０４およびＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールドギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ素子１０５をシールドギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。
【００１１】
次に、上部シールドギャップ膜１０７の上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成する。次に、下部磁極層１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。
【００１２】
次に、図１８に示したように、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成する。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えば高飽和磁束密度材料のパーマロイ（ＮｉＦｅ）またはＦｅＮよりなる上部磁極チップ１１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このとき、同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９ａの上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１１９を形成する。
【００１３】
次に、図１９に示したように、上部磁極チップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチングする。図１９（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することができる。
【００１４】
次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、この絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。この際の研磨方法としては、機械的な研磨またはＣＭＰ（化学機械研磨）が用いられる。この平坦化により、上部磁極チップ１１０および磁性層１１９の表面が露出する。
【００１５】
次に、図２０に示したように、平坦化された絶縁層１１１の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１１３の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１１５の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。
【００１６】
次に、図２１に示したように、上部磁極チップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１１７を形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面１１８を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。図２２は、この薄膜磁気ヘッドの平面図である。なお、この図では、オーバーコート層１１７を省略している。
【００１７】
図２１において、ＴＨは、スロートハイトを表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。また、Ｐ２Ｗは、磁極幅、すなわち記録トラック幅を表している。薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因として、スロートハイトやＭＲハイト等の他に、図２１においてθで示したようなエイペックスアングル（Apex Angle）がある。このエイペックスアングルは、フォトレジスト層１１３，１１５で覆われて山状に盛り上がったコイル部分（以下、エイペックス部と言う。）における磁極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁層１１１の上面とのなす角度をいう。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
近年、コンピュータ等に使用されるハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドにおける記録再生情報の周波数が高くなってきている。記録情報の周波数が高くなると、誘導型磁気変換素子の磁路を形成する磁性層における渦電流損失が大きくなる。それに伴い、記録ギャップ層を介して対向する磁極部分より発生される記録磁界の強度の低下や、コイルに供給される記録電流に対する記録磁界の遅延の増加や、記録磁界の立ち上がりの時間勾配の低下等の問題が発生する。これらの問題は、具体的には、例えば、非線形トランジションシフト（Non-linear Transition Shift；ＮＬＴＳ）の増加として現れる。
【００１９】
従来、磁性層における渦電流損失を減少させ、薄膜磁気ヘッドの高周波特性を向上させる技術として、例えば、特開平６−１３９５２１号公報や特開昭６０−３５３１５号公報には、誘導型磁気変換素子の磁路を形成する磁性層を、軟磁性層と絶縁層とを交互に積層した構造とした技術が示されている。
【００２０】
しかしながら、この技術では、磁性層全体を上述の積層構造にしているため、磁束の通過領域が狭くなり、磁束の通過が妨げられて、磁性層を通過する磁束の量が低下するという問題点がある。
【００２１】
また、特開平６−１３９５２１号公報には、誘導型磁気変換素子の磁路を形成する磁性層を、記録ギャップ層に垂直な方向に沿うように軟磁性層と絶縁層とを交互に配置した構造とした技術も示されている。
【００２２】
しかしながら、磁性層をこのような構造とすると、磁性層の磁化（磁歪）の方向を一定にしにくくなり、効率よく磁束を通過させることが難しくなるという問題点がある。
【００２３】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁束の通過を妨げることなく、誘導型磁気変換素子の磁路を形成する磁性層における渦電流損失を減少させて、高周波特性を改善できるようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、
第１および第２の磁性層は、それぞれ、薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置されると共に磁極部分に連結されたヨーク部分を有し、
少なくとも一方の磁性層におけるヨーク部分は、積層された複数の磁性材料層と、隣接する２つの磁性材料層の間に配置され、磁性材料層よりも電気抵抗の大きい抵抗層とを有し、
抵抗層は、記録媒体に対向する面に平行な方向および垂直な方向に分離された複数の領域に配置された複数の部分を有するものである。
【００２５】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁気変換素子を備え、第１および第２の磁性層は、それぞれ、薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置されると共に磁極部分に連結されたヨーク部分を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
第１の磁性層を形成する工程と、
第１の磁性層の上にギャップ層を形成する工程と、
ギャップ層の上に第２の磁性層を形成する工程と、
第１の磁性層と第２の磁性層の間に配置されるように薄膜コイルを形成する工程とを含み、
第１の磁性層を形成する工程と第２の磁性層を形成する工程の少なくとも一方は、積層された複数の磁性材料層と、隣接する２つの磁性材料層の間に配置され、磁性材料層よりも電気抵抗の大きい抵抗層とを有するヨーク部分を形成し、
抵抗層は、記録媒体に対向する面に平行な方向および垂直な方向に分離された複数の領域に配置された複数の部分を有するものである。
【００２６】
本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、少なくとも一方の磁性層におけるヨーク部分が、複数の磁性材料層と抵抗層とを有するように形成されると共に、抵抗層が、記録媒体に対向する面に平行な方向および垂直な方向に分離された複数の領域に配置された複数の部分を有する。これにより、磁束の通過が妨げられることなく、磁性層における渦電流損失が減少する。
【００２７】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、抵抗層は、例えば、ヨーク部分のうち、磁極部分との連結部の近傍および他の磁性層との連結部の近傍を除いた一部の 領域に配置される。
【００２８】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、抵抗層は、例えば絶縁材料によって形成される。この場合、絶縁材料は、例えば無機材料よりなる。また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、例えば、抵抗層は、無機材料よりなる層を反応性イオンエッチングによって選択的にエッチングすることによって所定のパターンに形成される。
【００２９】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、例えば、第１の磁性層は、薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置された第１の部分と、この第１の部分における薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを有し、薄膜コイルの少なくとも一部は、第１の磁性層の第２の部分の側方に配置され、第２の磁性層のヨーク部分は、複数の磁性材料層と抵抗層とを有する。
【００３０】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素子をシールドするための第１および第２のシールド層とを備えていてもよい。この場合、第２のシールド層は、第１の磁性層を兼ねていてもよい。
【００３１】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法において、少なくとも一方の磁性層におけるヨーク部分は、磁性材料層を介して隣接する２つの抵抗層を含み、２つの抵抗層は、それぞれ記録媒体に対向する面に平行な方向および垂直な方向に分離された複数の領域に配置された複数の部分を有していてもよい。
【００３２】
この場合、一方の抵抗層の複数の部分と他方の抵抗層の複数の部分とは、ほぼ互い違いに配置されていてもよい。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
まず、図１ないし図１２を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図１ないし図７において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００３４】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層２０を、例えば４〜６μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）によって、下部シールド層３が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００３５】
次に、図２に示したように、下部シールド層３の上に、例えばアルミナまたはチッ化アルミニウムをスパッタ堆積し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例えば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成する。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁層としての上部シールドギャップ膜７を形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，７内に埋設する。
【００３６】
次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極層と記す。）の第１の部分８ａを、約１．０〜２．０μｍの厚みで、選択的に形成する。下部磁極層の第１の部分８ａは、下部磁極層のうち、後述する薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置される部分である。
【００３７】
次に、図３に示したように、下部磁極層の第１の部分８ａの上に、下部磁極層の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃを、約１．５〜２．５μｍの厚みに形成する。第２の部分８ｂは、下部磁極層の磁極部分を形成し、第１の部分８ａの薄膜コイル側の面に接続される。第３の部分８ｃは、第１の部分８ａと後述する上部磁極層とを接続するための部分である。本実施の形態において、第２の部分８ｂのエアベアリング面とは反対側（図において右側）の端部の位置は、磁極部分のエアベアリング面とは反対側の端部の位置であるスロートハイトゼロ位置となる。
【００３８】
下部磁極層の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）の材料を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００３９】
次に、図４に示したように、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁膜９を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。
【００４０】
次に、フレームめっき法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１０を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。なお、図中、符号１０ａは、薄膜コイル１０と後述する電極用パッドとを接続するための導電層が接続される接続部を示している。
【００４１】
次に、図５に示したように、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層１１を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極層の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃが露出するまで、絶縁層１１を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図５では、薄膜コイル１０は露出していないが、薄膜コイル１０が露出するようにしてもよい。薄膜コイル１０が露出するようにした場合には、薄膜コイル１０および絶縁層１１の上に他の絶縁層を形成する。
【００４２】
次に、図６に示したように、露出した下部磁極層の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃと絶縁層１１の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層１２を、例えば０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。記録ギャップ層１２に使用する絶縁材料としては、一般的に、アルミナ、窒化アルミニウム、シリコン酸化物系材料、シリコン窒化物系材料、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。
【００４３】
次に、磁路形成のために、下部磁極層の第３の部分８ｃの上の部分において、記録ギャップ層１２を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。
【００４４】
次に、記録ギャップ層１２の上に、以下の手順で上部磁極層１３を形成する。すなわち、まず、記録ギャップ層１２の上に、磁性材料よりなる第１の磁性材料層１３ａを、例えば約０．５〜１．５μｍの厚みで、所定のパターンに形成する。次に、第１の磁性材料層１３ａの上に、第１の磁性材料層１３ａよりも電気抵抗の大きい第１の抵抗層２１を、例えば数十〜数百ｎｍの厚みで、所定のパターンに形成する。図８は、上部磁極層１３の第１の磁性材料層１３ａと第１の抵抗層２１とを示す平面図である。次に、第１の抵抗層２１の上に、第１の磁性材料層１３ａと同じ磁性材料よりなる第２の磁性材料層１３ｂを、例えば約０．５〜１．５μｍの厚みで、所定のパターンに形成する。次に、第２の磁性材料層１３ｂの上に、第２の磁性材料層１３ｂよりも電気抵抗の大きい第２の抵抗層２２を、例えば数十〜数百ｎｍの厚みで、第１の磁性材料層１３ａと同じパターンに形成する。図９は、上部磁極層１３の第２の磁性材料層１３ｂと第２の抵抗層２２とを示す平面図である。次に、第２の抵抗層２２の上に、第１の磁性材料層１３ａと同じ磁性材料よりなる第３の磁性材料層１３ｃを、例えば約０．５〜１．５μｍの厚みで、第１の磁性材料層１３ａと同じパターンに形成する。
【００４５】
磁性材料層１３ａ〜１３ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）の材料を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００４６】
抵抗層２１，２２は、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、シリコン酸化物系材料、シリコン窒化物系材料、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等の無機絶縁材料によって形成される。また、抵抗層２１，２２は、例えば、スパッタによって上記無機絶縁材料よりなる膜を形成した後、この膜を例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって選択的にエッチングすることによって、所定のパターンに形成される。
【００４７】
このように、本実施の形態における上部磁極層１３は、積層された複数の磁性材料層１３ａ〜１３ｃと、隣接する２つの磁性材料層の間に配置された抵抗層２１，２２とによって構成される。この上部磁極層１３の特徴については、後で詳しく説明する。
【００４８】
次に、上部磁極層１３をマスクとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層１２を選択的にエッチングし、更に、例えばアルゴンイオンミリングによって、下部磁極層の第２の部分８ｂを選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図６（ｂ）に示したようなトリム構造とする。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することができる。
【００４９】
次に、図７に示したように、全体に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１７を、２０〜４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。図１０は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。この図では、オーバーコート層１７を省略している。なお、図１０において、符号８Ｂは、トリム構造とするため下部磁極層の第２の部分８ｂがエッチングされている部分を表している。
【００５０】
本実施の形態では、第１の部分８ａ、第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃよりなる下部磁極層が、本発明における第１の磁性層に対応し、磁性材料層１３ａ〜１３ｃおよび抵抗層２１，２２よりなる上部磁極層１３が、本発明における第２の磁性層に対応する。また、下部シールド層３は、本発明における第１のシールド層に対応する。また、下部磁極層は、上部シールド層を兼ねているので、本発明における第２のシールド層にも対応する。
【００５１】
以上説明したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、記録媒体に対向する側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置され、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層（下部磁極層）とを有している。
【００５２】
記録ヘッドは、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層１２を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる下部磁極層および上部磁極層１３と、この下部磁極層および上部磁極層１３の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０とを有している。下部磁極層と上部磁極層１３は、それぞれ、薄膜コイル１０に対向する領域を含む領域に配置されると共に磁極部分に連結されたヨーク部分を有している。
【００５３】
本実施の形態では、下部磁極層は、薄膜コイル１０に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分８ａと、この第１の部分８ａにおける薄膜コイル１０側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分８ｂとを有し、薄膜コイル１０は、下部磁極層の第２の部分８ｂの側方に配置されている。
【００５４】
ここで、本実施の形態における上部磁極層１３の特徴について説明する。図７ないし図９に示したように、上部磁極層１３は、磁極部分１３Ａと、薄膜コイル１０に対向する領域を含む領域に配置されると共に磁極部分１３Ａに連結されたヨーク部分１３Ｂとを有している。図７に示したように、磁極部分１３Ａとヨーク部分１３Ｂと連結部の位置は、スロートハイトゼロ位置またはその近傍の位置になっている。図８および図９に示したように、磁極部分１３Ａは、狭い一定の幅を有している。この磁極部分１３Ａの幅が記録ヘッドのトラック幅を規定する。ヨーク部分１３Ｂは、磁極部分１３Ａとの連結部の近傍の部分２３では、磁極部分１３Ａよりも大きい一定の幅を有し、その部分２３よりもエアベアリング面とは反対側（図における右側）の部分では、エアベアリング面から遠ざかるにつれて幅が大きくなり、やがて一定の幅を有するような形状になっている。
【００５５】
上部磁極層１３は、積層された複数の磁性材料層１３ａ〜１３ｃと、隣接する２つの磁性材料層の間に配置された抵抗層２１，２２とによって構成されている。図８および図９に示したように、抵抗層２１，２２は、上部磁極層１３のヨーク部分１３Ｂのうち、磁極部分１３Ａとの連結部の近傍の部分２３および他の磁性層すなわち下部磁極層との連結部の近傍の部分２４を除いた一部の領域に配置されている。
【００５６】
また、抵抗層２１，２２は、それぞれ、分割された複数の領域に配置されている。本実施の形態では、特に、抵抗層２１，２２は、それぞれ、ストライプ状に形成されている。また、本実施の形態では、図８と図９を比較すると分かるように、抵抗層２１の各部分と抵抗層２２の各部分は、ほぼ互い違いになるように配置されている。なお、抵抗層２１の各部分と抵抗層２２の各部分が、上から見て同じ位置に配置されていてもよい。
【００５７】
なお、図６（ａ）および図７（ａ）は、図８および図９におけるＡ−Ａ´線で切断した断面を表している。
【００５８】
本実施の形態によれば、上部磁極層１３を、積層された複数の磁性材料層１３ａ〜１３ｃと、隣接する２つの磁性材料層の間に配置された抵抗層２１，２２とで構成したので、上部磁極層１３における渦電流損失を減少させることができる。
【００５９】
ところで、上部磁極層１３のヨーク部分１３Ｂのうち、磁極部分１３Ａとの連結部の近傍の部分２３および他の磁性層すなわち下部磁極層との連結部の近傍の部分２４は、ヨーク部分１３Ｂの他の部分に比べて、元々、磁束の通過領域が狭い。そのため、これらの部分２３，２４に抵抗層が存在すると、抵抗層によって磁束の通過が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、抵抗層２１，２２は、上部磁極層１３のヨーク部分１３Ｂのうち、上記の部分２３，２４を除いた一部の領域に配置されているので、磁束の通過を妨げることなく、上部磁極層１３における渦電流損失を減少させることができる。
【００６０】
また、抵抗層が上部磁極層の全体にわたって形成されていると、磁束の通過領域が狭くなり、磁束の通過が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、抵抗層２１，２２は、分割された複数の領域に配置されているので、抵抗層が上部磁極層の全体にわたって形成されている場合に比べて、磁束の通過領域が広くなり、磁束の通過を妨げることなく、上部磁極層１３における渦電流損失を減少させることができる。
【００６１】
このように、本実施の形態によれば、上部磁極層１３における渦電流損失を減少させることができることから、薄膜磁気ヘッドにおける高周波特性を改善でき、例えば非線形トランジションシフトを小さくすることが可能となる。
【００６２】
また、本実施の形態によれば、薄膜コイル１０を、下部磁極層の第１の部分８ａの上であって、第２の部分８ｂの側方に配置し、薄膜コイル１０を覆う絶縁層１１の上面を平坦化したので、上部磁極層１３を平坦な面の上に形成することができる。従って、本実施の形態によれば、積層構造を有する上部磁極層１３の形成が容易になる。また、本実施の形態によれば、上部磁極層１３の磁極部分１３Ａを、例えばハーフミクロン寸法やクォータミクロン寸法にも微細に形成可能となり、記録ヘッドのトラック幅の縮小が可能となる。
【００６３】
また、本実施の形態では、記録ヘッドのトラック幅を規定する上部磁極層１３の磁極部分１３Ａがスロートハイトを規定するのではなく、下部磁極層の第２の部分８ｂがスロートハイトを規定する。従って、本実施の形態によれば、トラック幅が小さくなっても、スロートハイトを精度よく、均一に規定することが可能となる。
【００６４】
更に、本実施の形態によれば、薄膜コイル１０を、平坦な面の上に形成することができるので、薄膜コイル１０を微細に形成することが可能になる。これにより、記録ヘッドの磁路長の縮小が可能になる。
【００６５】
また、本実施の形態では、図１０に示したように、上部磁極層１３は、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０またはその近傍の位置よりもエアベアリング面３０とは反対側（図における右側）の部分では、例えば３μｍ以上の一定の幅を有し、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０またはその近傍の位置よりもエアベアリング面３０側の部分では、ハーフミクロン寸法やクォータミクロン寸法の一定の幅を有している。そのため、上部磁極層１３を通過する磁束は、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０またはその近傍の位置よりもエアベアリング面３０とは反対側の部分では飽和せず、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０またはその近傍の位置よりもエアベアリング面３０側の部分で飽和する。これにより、非線形トランジションシフトやオーバーライト特性を向上させることができる。
【００６６】
図１１は、上部磁極層の抵抗層のパターンの他の例を示す平面図である。この例では、抵抗層２１（図８）の代りに抵抗層３１が設けられている。この抵抗層３１は、ストライプ状ではなく、島状に分割された複数の領域に配置されている。また、この例では、抵抗層２２（図９）の代りに、抵抗層３１と同様のパターンの抵抗層を設けてもよいし、抵抗層３１の各部分に対してほぼ互い違いになるように配置される複数の部分を有するパターンの抵抗層を設けてもよい。
【００６７】
図１２は、上部磁極層の抵抗層のパターンの更に他の例を示す平面図である。この例では、抵抗層２１（図８）の代りに抵抗層３２が設けられている。この抵抗層３２は、分割された複数の領域に配置されておらず、ヨーク部分１３Ｂのうち、磁極部分１３Ａとの連結部の近傍の部分２３および他の磁性層すなわち下部磁極層との連結部の近傍の部分２４を除くほぼ全域に配置されている。また、この例では、抵抗層２２（図９）の代りに、抵抗層３２と同様のパターンの抵抗層を設けてもよいし、抵抗層３２とは異なるパターンの抵抗層を設けてもよい。
【００６８】
図１２に示した例では、抵抗層が分割された複数の領域に配置される場合の効果は得られないが、抵抗層が、ヨーク部分１３Ｂのうち、磁極部分１３Ａとの連結部の近傍の部分２３および他の磁性層すなわち下部磁極層との連結部の近傍の部分２４を除いた一部の領域に配置されることによる効果が得られる。
【００６９】
［第２の実施の形態］
次に、図１３および図１４を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図１３において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。図１４は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。この図では、オーバーコート層は省略している。
【００７０】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、２層の薄膜コイルを設けた例である。なお、本実施の形態では、符号１０は、薄膜コイルの第１層部分を表す。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、記録ギャップ層１２を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。本実施の形態では、次に、記録ギャップ層１２の上に、上部磁極層の磁極部分を形成する磁極部分層４１を１．０〜３．０μｍの厚みに形成すると共に、下部磁極層の第３の部分８ｃの上に形成されたコンタクトホールの位置に、磁性層４２を１．０〜３．０μｍの厚みに形成する。磁性層４２は、後述する上部磁極層のヨーク部分層と下部磁極層とを接続するための部分である。なお、磁性層４２は、下部磁極層の第３の部分８ｃよりも大きくなっている。本実施の形態では、上部磁極層の磁極部分層４１の長さは、下部磁極層の第２の部分８ｂの長さ以上に形成される。
【００７１】
上部磁極層の磁極部分層４１および磁性層４２は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）の材料を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００７２】
次に、上部磁極層の磁極部分層４１をマスクとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層１２を選択的にエッチングする。このときのドライエッチングには、例えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガスや、ＣＦ4，ＳＦ6等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。次に、例えばアルゴンイオンミリングによって、下部磁極層の第２の部分８ｂを選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図１３（ｂ）に示したようなトリム構造とする。
【００７３】
次に、記録ギャップ層１２の上のコイル形成領域に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１４を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。
【００７４】
次に、フレームめっき法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイルの第２層部分１５を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。なお、図中、符号１５ａは、薄膜コイルの第１層部分１０の接続部１０ａと接続される接続部を示している。
【００７５】
次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層１６を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部磁極層の磁極部分層４１および磁性層４２が露出するまで、絶縁層１６を研磨して、表面を平坦化処理する。
【００７６】
次に、平坦化された上部磁極層の磁極部分層４１および磁性層４２と絶縁層１６の上に、上部磁極層のヨーク部分を形成するヨーク部分層４３を形成する。このヨーク部分層４３は、積層された複数の磁性材料層４３ａ〜４３ｃと、隣接する２つの磁性材料層の間に配置された抵抗層２１，２２とによって構成されている。ヨーク部分層４３の形成方法は、第１の実施の形態における上部磁極層１３の形成方法と同様である。また、抵抗層２１，２２のパターンも第１の実施の形態と同様である。
【００７７】
本実施の形態では、上部磁極層のヨーク部分層４３の記録媒体に対向する側（エアベアリング面側）の端面は、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面から離れた位置（図において右側）に配置されている。
【００７８】
次に、全体に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１７を、２０〜４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００７９】
本実施の形態では、磁極部分層４１、磁性層４２およびヨーク部分層４３よりなる上部磁極層が、本発明における第２の磁性層に対応する。
【００８０】
本実施の形態によれば、上部磁極層の磁極部分層４１を平坦な面の上に形成することができるので、磁極部分層４１を、例えばハーフミクロン寸法やクォータミクロン寸法にも微細に形成可能となり、記録ヘッドのトラック幅の縮小が可能となる。
【００８１】
また、本実施の形態によれば、薄膜コイルの第２層部分１５を、上部磁極層の磁極部分層４１の側方に配置したので、上部磁極層のヨーク部分層４３を、平坦な面の上に形成することができる。そのため、本実施の形態によれば、積層構造を有するヨーク部分層４３の形成が容易になる。また、本実施の形態によれば、ヨーク部分層４３を微細に形成可能となり、いわゆるサイドライトの発生を防止することが可能となる。
【００８２】
また、本実施の形態では、上部磁極層のヨーク部分層４３のエアベアリング面側の端面を、薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面から離れた位置に配置している。そのため、スロートハイトが小さい場合でも、上部磁極層のヨーク部分層４３がエアベアリング面に露出することがなく、その結果、いわゆるサイドライトの発生を防止することができる。
【００８３】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００８４】
［第３の実施の形態］
次に、図１５を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図１５は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。この図では、オーバーコート層は省略している。
【００８５】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、下部磁極層の第２の部分８ｂを、薄膜コイルの第１層部分１０の周囲を囲うように形成したものである。下部磁極層の第２の部分８ｂをこのような形状とすることにより、絶縁層１１の平坦化処理が容易になる。
【００８６】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。なお、第１の実施の形態における下部磁極層の第２の部分８ｂを、本実施の形態のような形状に形成してもよい。
【００８７】
本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、上記各実施の形態では、上部磁極層のヨーク部分のみを、複数の磁性材料層の間に抵抗層を配置した構造としたが、下部磁極層のヨーク部分も同様の構造としてもよい。
【００８８】
また、上記各実施の形態では、下部磁極層によってスロートハイトを規定するようにしたが、上部磁極層によってスロートハイトを規定するようにしてもよい。
【００８９】
また、上記各実施の形態では、基体側に読み取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の誘導型磁気変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【００９０】
つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介して、それに対向するように上記実施の形態に示した下部磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成することにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させることが好ましい。
【００９１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法によれば、少なくとも一方の磁性層におけるヨーク部分を、複数の磁性材料層と抵抗層とを有するように形成すると共に、抵抗層が、記録媒体に対向する面に平行な方向および垂直な方向に分離された複数の領域に配置された複数の部分を有するようにしたので、磁束の通過を妨げることなく、誘導型磁気変換素子の磁路を形成する磁性層における渦電流損失を減少させて、高周波特性を改善することができるという効果を奏する。
【００９２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法において、抵抗層を、ヨーク部分のうち、磁極部分との連結部の近傍および他の磁性層との連結部の近傍を除いた一部の領域に配置した場合には、より一層、磁束の通過を妨げることがなくなるという効果を奏する。
【００９３】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法において、第１の磁性層が、薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置された第１の部分と、この第１の部分における薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを有し、薄膜コイルの少なくとも一部が、第１の磁性層の第２の部分の側方に配置され、第２の磁性層のヨーク部分が、複数の磁性材料層と抵抗層とを有するようにした場合には、更に、積層構造を有する第２の磁性層のヨーク部分の形成が容易になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】 図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】 図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】 図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】 図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】 図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】 図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極層の第１の磁性材料層と第１の抵抗層とを示す平面図である。
【図９】 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極層の第２の磁性材料層と第２の抵抗層とを示す平面図である。
【図１０】 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図１１】 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極層の抵抗層のパターンの他の例を示す平面図である。
【図１２】 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極層の抵抗層のパターンの更に他の例を示す平面図である。
【図１３】 本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図１４】 本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図１５】 本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図１６】 従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図１７】 図１６に続く工程を説明するための断面図である。
【図１８】 図１７に続く工程を説明するための断面図である。
【図１９】 図１８に続く工程を説明するための断面図である。
【図２０】 図１９に続く工程を説明するための断面図である。
【図２１】 図２０に続く工程を説明するための断面図である。
【図２２】 従来の薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ素子、８ａ…下部磁極層の第１の部分、８ｂ…下部磁極層の第２の部分、９…絶縁膜、１０…薄膜コイル、１１…絶縁層、１２…記録ギャップ層、１３…上部磁極層、１３ａ〜１３ｃ…磁性材料層、２１，２２…抵抗層、１７…オーバーコート層。
Claims (17)
- 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、
前記第１および第２の磁性層は、それぞれ、前記薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置されると共に前記磁極部分に連結されたヨーク部分を有し、
少なくとも一方の磁性層における前記ヨーク部分は、積層された複数の磁性材料層と、
隣接する２つの磁性材料層の間に配置され、前記磁性材料層よりも電気抵抗の大きい抵抗層とを有し、
前記抵抗層は、記録媒体に対向する面に平行な方向および垂直な方向に分離された複数の領域に配置された複数の部分を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 前記抵抗層は、前記ヨーク部分のうち、前記磁極部分との連結部の近傍および他の磁性層との連結部の近傍を除いた一部の領域に配置されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記抵抗層は、絶縁材料によって形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記絶縁材料は、無機材料よりなることを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記第１の磁性層は、前記薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置された第１の部分と、この第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを有し、
前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第１の磁性層の第２の部分の側方に配置され、
前記第２の磁性層のヨーク部分は、前記複数の磁性材料層と前記抵抗層とを有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための第１および第２のシールド層とを備えたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記第２のシールド層は、前記第１の磁性層を兼ねていることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記少なくとも一方の磁性層における前記ヨーク部分は、前記磁性材料層を介して隣接する２つの前記抵抗層を含み、前記２つの抵抗層は、それぞれ記録媒体に対向する面に平行な方向および垂直な方向に分離された複数の領域に配置された複数の部分を有し、一方の抵抗層の複数の部分と他方の抵抗層の複数の部分とは、ほぼ互い違いに配置されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁気変換素子を備え、
前記第１および第２の磁性層は、それぞれ、前記薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置されると共に前記磁極部分に連結されたヨーク部分を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記第１の磁性層を形成する工程と、
前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程と、
前記第１の磁性層と前記第２の磁性層の間に配置されるように前記薄膜コイルを形成する工程とを含み、
前記第１の磁性層を形成する工程と前記第２の磁性層を形成する工程の少なくとも一方は、積層された複数の磁性材料層と、隣接する２つの磁性材料層の間に配置され、前記磁性材料層よりも電気抵抗の大きい抵抗層とを有するヨーク部分を形成し、
前記抵抗層は、記録媒体に対向する面に平行な方向および垂直な方向に分離された複数の領域に配置された複数の部分を有する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第１の磁性層を形成する工程と前記第２の磁性層を形成する工程の少なくとも一方は、前記抵抗層を、前記ヨーク部分のうち、前記磁極部分との連結部の近傍および他の磁性層との連結部の近傍を除いた一部の領域に配置することを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記抵抗層は、絶縁材料によって形成されることを特徴とする請求項９または１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記絶縁材料は、無機材料よりなることを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記抵抗層は、前記無機材料よりなる層を反応性イオンエッチングによって選択的にエッチングすることによって所定のパターンに形成されることを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記第１の磁性層を形成する工程は、前記薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置された第１の部分と、この第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを有する第１の磁性層を形成し、
前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの少なくとも一部を、前記第１の磁性層の第２の部分の側方に配置されるように形成し、
前記第２の磁性層を形成する工程は、前記第２の磁性層のヨーク部分を、前記複数の磁性材料層と前記抵抗層とを有するように形成する
ことを特徴とする請求項９ないし１３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための第１および第２のシールド層とを形成する工程を含むことを特徴とする請求項９ないし１４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記第２のシールド層は、前記第１の磁性層を兼ねていることを特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記少なくとも一方の磁性層における前記ヨーク部分は、前記磁性材料層を介して隣接する２つの前記抵抗層を含み、前記２つの抵抗層は、それぞれ記録媒体に対向する面に平行な方向および垂直な方向に分離された複数の領域に配置された複数の部分を有し、一方の抵抗層の複数の部分と他方の抵抗層の複数の部分とは、ほぼ互い違いに配置されることを特徴とする請求項９ないし１６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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