JPH06243427A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH06243427A JPH06243427A JP5066573A JP6657393A JPH06243427A JP H06243427 A JPH06243427 A JP H06243427A JP 5066573 A JP5066573 A JP 5066573A JP 6657393 A JP6657393 A JP 6657393A JP H06243427 A JPH06243427 A JP H06243427A
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- width direction
- track width
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気回路を構成すべき下部磁性コア３及び上
部磁性コア31が薄膜から形成された薄膜磁気ヘッドにお
いて、上部磁性コアに対してトラック幅方向の一軸異方
性を効果的に誘導出来る薄膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 上部磁性コア31は、その磁歪定数の絶対値が
1×10-6以下であって、該上部磁性コア31上には、トラ
ック幅方向に伸びてトラック幅方向に内部応力を有する
複数本の金属ストライプ５が、互いに間隔をおいて形成
されている。
部磁性コア31が薄膜から形成された薄膜磁気ヘッドにお
いて、上部磁性コアに対してトラック幅方向の一軸異方
性を効果的に誘導出来る薄膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 上部磁性コア31は、その磁歪定数の絶対値が
1×10-6以下であって、該上部磁性コア31上には、トラ
ック幅方向に伸びてトラック幅方向に内部応力を有する
複数本の金属ストライプ５が、互いに間隔をおいて形成
されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置等に
装備される薄膜磁気ヘッドに関し、特に、小型で高密度
記録を目的とする磁気記録装置に好適な薄膜磁気ヘッド
に関するものである。
装備される薄膜磁気ヘッドに関し、特に、小型で高密度
記録を目的とする磁気記録装置に好適な薄膜磁気ヘッド
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年のコンピュータの小型化、高速化に
伴って、その外部記憶装置として用いられる磁気ディス
ク装置には、小型、大容量、高速化が要求されている。
そこで、磁気ディスク装置用の磁気ヘッドとして、低イ
ンダクタンスで高密度記録の可能な薄膜磁気ヘッドの開
発が鋭意進められている。
伴って、その外部記憶装置として用いられる磁気ディス
ク装置には、小型、大容量、高速化が要求されている。
そこで、磁気ディスク装置用の磁気ヘッドとして、低イ
ンダクタンスで高密度記録の可能な薄膜磁気ヘッドの開
発が鋭意進められている。
【０００３】斯種薄膜磁気ヘッドは一般に図２０に示す
如く、基板(１)上に、絶縁膜(２)、下部磁性コア(３)、
ギャップスペーサ(７)、導体コイル層(６)及びコイル層
間絶縁膜(４)、上部磁性コア(31)、保護層(21)が順次積
層された構造を有している。基板(１)はＡl2Ｏ3-ＴiＣ
等のセラミックス、絶縁膜(２)及びギャップスペーサ
(７)はＳiＯ2或いはＡl2Ｏ3等の絶縁資材、磁性コア
(３)(31)は高透磁率を有するＮi-Ｆe、Ｆe-Ａl-Ｓi、Ｃ
o-Ｚr-Ｎb等の磁性材料から形成される。
如く、基板(１)上に、絶縁膜(２)、下部磁性コア(３)、
ギャップスペーサ(７)、導体コイル層(６)及びコイル層
間絶縁膜(４)、上部磁性コア(31)、保護層(21)が順次積
層された構造を有している。基板(１)はＡl2Ｏ3-ＴiＣ
等のセラミックス、絶縁膜(２)及びギャップスペーサ
(７)はＳiＯ2或いはＡl2Ｏ3等の絶縁資材、磁性コア
(３)(31)は高透磁率を有するＮi-Ｆe、Ｆe-Ａl-Ｓi、Ｃ
o-Ｚr-Ｎb等の磁性材料から形成される。
【０００４】薄膜磁気ヘッドを構成する上述の各層或い
は膜は、フォトリソグラフィ技術、電解めっき技術、蒸
着技術などの周知の薄膜形成技術によって形成される。
磁性膜の形成においては、高周波で高い透磁率を実現す
るべく、磁場中での蒸着或いはスパッタリング等を施し
て、トラック幅方向に一軸異方性を誘起させることが行
なわれる。又、成膜後の磁場中熱処理等により、磁性膜
の面内に磁気異方性を付与することが提案されている
(特開平3-181010号〔G11B5/31〕)。
は膜は、フォトリソグラフィ技術、電解めっき技術、蒸
着技術などの周知の薄膜形成技術によって形成される。
磁性膜の形成においては、高周波で高い透磁率を実現す
るべく、磁場中での蒸着或いはスパッタリング等を施し
て、トラック幅方向に一軸異方性を誘起させることが行
なわれる。又、成膜後の磁場中熱処理等により、磁性膜
の面内に磁気異方性を付与することが提案されている
(特開平3-181010号〔G11B5/31〕)。
【０００５】磁性コアに一軸異方性が誘導された薄膜磁
気ヘッドにおいては、磁化方向の回転によって信号記録
或いは信号再生が行なわれるから、磁壁が移動する場合
に比べてノイズが少なくなる(IBM J.RES.DEVELOP.VOL.3
4 NO.6 NOVEMBER 1990 pp884-891参照)。
気ヘッドにおいては、磁化方向の回転によって信号記録
或いは信号再生が行なわれるから、磁壁が移動する場合
に比べてノイズが少なくなる(IBM J.RES.DEVELOP.VOL.3
4 NO.6 NOVEMBER 1990 pp884-891参照)。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２０
に示す上部磁性コア(31)の形成においては、絶縁膜(４)
の表面全域に一軸異方性を有する磁性膜を形成した後、
該磁性膜をイオンビームエッチング等によって図２１の
如くパターン化する工程において、該パターンのエッヂ
部分にて結晶が乱れて特性が劣化することは避けられな
い。この結果、成膜直後に誘起された一軸異方性にゆら
ぎが生じて、図示の如く３角形の環流磁区(91)が発生
し、或いは成膜時に付与された異方性が打ち消されて過
渡的な磁区構造となる。
に示す上部磁性コア(31)の形成においては、絶縁膜(４)
の表面全域に一軸異方性を有する磁性膜を形成した後、
該磁性膜をイオンビームエッチング等によって図２１の
如くパターン化する工程において、該パターンのエッヂ
部分にて結晶が乱れて特性が劣化することは避けられな
い。この結果、成膜直後に誘起された一軸異方性にゆら
ぎが生じて、図示の如く３角形の環流磁区(91)が発生
し、或いは成膜時に付与された異方性が打ち消されて過
渡的な磁区構造となる。
【０００７】このような磁区構造の磁性コアを具えた薄
膜磁気ヘッドにおいては、磁気記録媒体の信号再生時に
磁壁が移動して、所謂ウィグルノイズやポップコーンノ
イズの原因となる(第１５回日本応用磁気学会学術講演
会概要集第１９頁、第１４回同学会学術講演会概要集第
１６３頁参照)。この結果、再生波形に歪が生じて、再
生情報に誤りが発生する確率が高くなる問題がある。
膜磁気ヘッドにおいては、磁気記録媒体の信号再生時に
磁壁が移動して、所謂ウィグルノイズやポップコーンノ
イズの原因となる(第１５回日本応用磁気学会学術講演
会概要集第１９頁、第１４回同学会学術講演会概要集第
１６３頁参照)。この結果、再生波形に歪が生じて、再
生情報に誤りが発生する確率が高くなる問題がある。
【０００８】又、磁性コアの資材としては、トラック幅
方向に一軸異方性を誘導できる材料、即ちＮi-Ｆe等の
誘導磁気異方性の小さい材料に限定され、飽和磁束密度
の大きな材料は用いることが出来ないため、薄膜ヘッド
の記録能力に限界を生じる問題がある。
方向に一軸異方性を誘導できる材料、即ちＮi-Ｆe等の
誘導磁気異方性の小さい材料に限定され、飽和磁束密度
の大きな材料は用いることが出来ないため、薄膜ヘッド
の記録能力に限界を生じる問題がある。
【０００９】本発明の目的は、磁性コアの資材として飽
和磁束密度の大きな材料を用いることが出来、且つ磁性
コアに対してトラック幅方向の一軸異方性を効果的に誘
導出来る構成の薄膜磁気ヘッドを提供することである。
和磁束密度の大きな材料を用いることが出来、且つ磁性
コアに対してトラック幅方向の一軸異方性を効果的に誘
導出来る構成の薄膜磁気ヘッドを提供することである。
【００１０】
【課題を解決する為の手段】本発明に係る第１の薄膜磁
気ヘッド(図１、図２)は、磁気回路を構成すべき磁性コ
ア(31)の磁歪定数の絶対値が1×10-6以下であって、該
磁性コア上には、少なくともフロントコア部(32)を覆う
領域に、トラック幅方向に伸びて該方向に内部応力を有
する複数本の金属ストライプ(５)が間隔をおいて形成さ
れている。
気ヘッド(図１、図２)は、磁気回路を構成すべき磁性コ
ア(31)の磁歪定数の絶対値が1×10-6以下であって、該
磁性コア上には、少なくともフロントコア部(32)を覆う
領域に、トラック幅方向に伸びて該方向に内部応力を有
する複数本の金属ストライプ(５)が間隔をおいて形成さ
れている。
【００１１】本発明に係る第２の薄膜磁気ヘッド(図
６、図７)は、磁気回路を構成すべき磁性コア(31)の磁
化容易軸がトラック幅方向と平行であって、該磁性コア
(31)上には、少なくともフロントコア部(32)を覆う領域
に、磁性コア(31)のトラック幅方向の両側辺に沿って伸
びてトラック幅方向に１軸異方性を有する２本の反強磁
性金属リブ(８)(８)が形成されている。
６、図７)は、磁気回路を構成すべき磁性コア(31)の磁
化容易軸がトラック幅方向と平行であって、該磁性コア
(31)上には、少なくともフロントコア部(32)を覆う領域
に、磁性コア(31)のトラック幅方向の両側辺に沿って伸
びてトラック幅方向に１軸異方性を有する２本の反強磁
性金属リブ(８)(８)が形成されている。
【００１２】本発明に係る第３の薄膜磁気ヘッド(図１
１、図１２)においては、磁性コア(31)はコア下層部(3
5)とコア上層部(36)の２層からなり、両層間には非磁性
中間層(52)が介在している。
１、図１２)においては、磁性コア(31)はコア下層部(3
5)とコア上層部(36)の２層からなり、両層間には非磁性
中間層(52)が介在している。
【００１３】
【作用】上記第１の薄膜磁気ヘッドにおいては、磁歪定
数の絶対値が1×10-6以下と小さい磁性コア(31)上に、
トラック幅方向に内部応力を有する金属ストライプ(５)
が配置されているから、磁性コア(31)は金属ストライプ
(５)から圧縮或いは引張りの応力を受けて、該応力の方
向に磁区が安定する(「強磁性体の物理」近角聡信著、
裳華房発行、第142〜144頁参照)。
数の絶対値が1×10-6以下と小さい磁性コア(31)上に、
トラック幅方向に内部応力を有する金属ストライプ(５)
が配置されているから、磁性コア(31)は金属ストライプ
(５)から圧縮或いは引張りの応力を受けて、該応力の方
向に磁区が安定する(「強磁性体の物理」近角聡信著、
裳華房発行、第142〜144頁参照)。
【００１４】一般に、磁区構造は静磁エネルギーと磁壁
エネルギーの和により決定されて、その和が極小となる
ような磁区構造となる。本発明では上述の如く金属スト
ライプの方向、即ちトラック幅方向に磁区が安定となる
ため、磁性コアの磁区構造は、図２に示す如く媒体対接
面(11)に平行な１８０°磁壁(９)が支配的となり、環流
磁区(91)は小さくなる。
エネルギーの和により決定されて、その和が極小となる
ような磁区構造となる。本発明では上述の如く金属スト
ライプの方向、即ちトラック幅方向に磁区が安定となる
ため、磁性コアの磁区構造は、図２に示す如く媒体対接
面(11)に平行な１８０°磁壁(９)が支配的となり、環流
磁区(91)は小さくなる。
【００１５】上記第２の薄膜磁気ヘッドにおいては、図
８の如く磁性コア(31)上に、トラック幅方向の両側辺に
沿ってトラック幅方向に１軸異方性を有する２本の反強
磁性金属リブ(８)(８)が形成されているから、磁性コア
(31)はこれらの反強磁性金属リブ(８)(８)と静磁気結合
(図８中に破線で示す)を行って、エネルギーが小さくな
り安定化する。このため、トラック幅方向に磁区が安定
し、図７の如く媒体対接面(11)に平行な１８０°磁壁
(９)が形成されて、環流磁区は消失する。
８の如く磁性コア(31)上に、トラック幅方向の両側辺に
沿ってトラック幅方向に１軸異方性を有する２本の反強
磁性金属リブ(８)(８)が形成されているから、磁性コア
(31)はこれらの反強磁性金属リブ(８)(８)と静磁気結合
(図８中に破線で示す)を行って、エネルギーが小さくな
り安定化する。このため、トラック幅方向に磁区が安定
し、図７の如く媒体対接面(11)に平行な１８０°磁壁
(９)が形成されて、環流磁区は消失する。
【００１６】上記第３の薄膜磁気ヘッドにおいては、コ
ア下層部(35)とコア上層部(36)の間に介在する非磁性中
間層(52)が、コア下層部(35)とコア上層部(36)の間の磁
気的な結合状態を制御すると共に磁性コアの磁区構造を
制御する機能を発揮し、この結果、磁性コアの磁区がト
ラック幅方向に安定する。
ア下層部(35)とコア上層部(36)の間に介在する非磁性中
間層(52)が、コア下層部(35)とコア上層部(36)の間の磁
気的な結合状態を制御すると共に磁性コアの磁区構造を
制御する機能を発揮し、この結果、磁性コアの磁区がト
ラック幅方向に安定する。
【００１７】上述の如く磁性コアに１８０°磁壁(９)が
形成された薄膜磁気ヘッドにおいては、磁化方向が回転
して信号記録或いは信号再生が行なわれるから、従来の
環流磁区が形成された磁気ヘッドに比べてノイズが少な
くなる。
形成された薄膜磁気ヘッドにおいては、磁化方向が回転
して信号記録或いは信号再生が行なわれるから、従来の
環流磁区が形成された磁気ヘッドに比べてノイズが少な
くなる。
【００１８】
【発明の効果】本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおいて
は、金属ストライプ、反強磁性金属リブ或いは非磁性中
間層の作用によって、磁性コアにトラック幅方向の一軸
異方性を効果的に誘導出来、これによって信号再生時の
波形歪を効果的に抑制出来る。又、磁性コアの資材とし
て高飽和磁束密度を有するＦe系磁性材料を使用するこ
とが可能となる。
は、金属ストライプ、反強磁性金属リブ或いは非磁性中
間層の作用によって、磁性コアにトラック幅方向の一軸
異方性を効果的に誘導出来、これによって信号再生時の
波形歪を効果的に抑制出来る。又、磁性コアの資材とし
て高飽和磁束密度を有するＦe系磁性材料を使用するこ
とが可能となる。
【００１９】
【実施例】第１実施例(図１乃至図５) 図１に示す如く薄膜磁気ヘッドは、セラミックス基板
(１)上に、絶縁膜(２)、下部磁性コア(３)、ギャップス
ペーサ(７)、導体コイル層(６)及びコイル層間絶縁膜
(４)、上部磁性コア(31)、保護層(21)が順次積層された
構造を有し、上部磁性コア(31)の表面には、図２の如く
トラック幅方向に伸びて該方向に引張り或いは圧縮の内
部応力を有する複数本の金属ストライプ(５)が、一定の
間隔をおいて繰り返し形成されている。
(１)上に、絶縁膜(２)、下部磁性コア(３)、ギャップス
ペーサ(７)、導体コイル層(６)及びコイル層間絶縁膜
(４)、上部磁性コア(31)、保護層(21)が順次積層された
構造を有し、上部磁性コア(31)の表面には、図２の如く
トラック幅方向に伸びて該方向に引張り或いは圧縮の内
部応力を有する複数本の金属ストライプ(５)が、一定の
間隔をおいて繰り返し形成されている。
【００２０】ここで、下部磁性コア(３)及び上部磁性コ
ア(31)は、磁歪定数の絶対値が１×10-6以下である磁性
材料、Ｎi-Ｆe、Ｆe-Ａl-Ｓi、或いはＣo-Ｚr-Ｎb系ア
モルファスなどから形成される。又、金属ストライプ
(５)は、Ｃu、Ｔi、Ｐdなどの薄膜状態で比較的大きな
内部応力を有する非磁性金属から形成される。
ア(31)は、磁歪定数の絶対値が１×10-6以下である磁性
材料、Ｎi-Ｆe、Ｆe-Ａl-Ｓi、或いはＣo-Ｚr-Ｎb系ア
モルファスなどから形成される。又、金属ストライプ
(５)は、Ｃu、Ｔi、Ｐdなどの薄膜状態で比較的大きな
内部応力を有する非磁性金属から形成される。
【００２１】図３乃至図５は上記薄膜磁気ヘッドの製造
方法をしている。先ず、従来と同じ方法を用いて、図３
(ａ)(ｂ)に示す積層構造を形成する。即ち、セラミック
ス基板(１)上に、絶縁膜(２)、下部磁性コア(３)、ギャ
ップスペーサ(７)、導体コイル層(６)及びコイル層間絶
縁膜(４)を順次形成する。
方法をしている。先ず、従来と同じ方法を用いて、図３
(ａ)(ｂ)に示す積層構造を形成する。即ち、セラミック
ス基板(１)上に、絶縁膜(２)、下部磁性コア(３)、ギャ
ップスペーサ(７)、導体コイル層(６)及びコイル層間絶
縁膜(４)を順次形成する。
【００２２】次に、図４(ｂ)に示す如く上記積層構造を
覆って磁性膜(34)を形成する。この際、磁性膜(34)は、
図４(ａ)中に矢印で示す如くトラック幅方向に100Ｏe以
下の磁場Ｈexを印加した状態、或いは磁場を印加しない
状態で蒸着又はスパッタリングを施し、所定の厚さに形
成する。上記の各層或いは膜は、内部応力が零となる条
件の下で形成される。
覆って磁性膜(34)を形成する。この際、磁性膜(34)は、
図４(ａ)中に矢印で示す如くトラック幅方向に100Ｏe以
下の磁場Ｈexを印加した状態、或いは磁場を印加しない
状態で蒸着又はスパッタリングを施し、所定の厚さに形
成する。上記の各層或いは膜は、内部応力が零となる条
件の下で形成される。
【００２３】その後、図４(ｂ)の如く磁性膜(34)の表面
に、Ｃu、Ｔi、Ｐdなどの非磁性金属膜(51)を厚さ０.５
〜３μmに形成する。この際、スパッタリングの条件、
即ちＡrガス圧、投入電力、基板−ターゲット距離、基
板温度などを選択することによって、磁性膜(34)に対し
て引張り或いは圧縮の内部応力を付与することが出来
る。例えばＴiを用いた場合、基板温度を２００℃に設
定することによって、４０kg／mm2の内部応力を生起せ
しめることが出来る。
に、Ｃu、Ｔi、Ｐdなどの非磁性金属膜(51)を厚さ０.５
〜３μmに形成する。この際、スパッタリングの条件、
即ちＡrガス圧、投入電力、基板−ターゲット距離、基
板温度などを選択することによって、磁性膜(34)に対し
て引張り或いは圧縮の内部応力を付与することが出来
る。例えばＴiを用いた場合、基板温度を２００℃に設
定することによって、４０kg／mm2の内部応力を生起せ
しめることが出来る。
【００２４】次に、図５に示すように、フォトリソグラ
フィー技術を用いて前記非磁性金属膜(51)をトラック幅
方向にパターニングして、トラック幅方向に伸びる複数
本の金属ストライプ(５)を形成する。この際、金属スト
ライプ(５)の幅Ｗ1は０.５〜２μm、隣接する金属スト
ライプ(５)の間隔Ｗ2は２〜１０μm程度が望ましい。こ
の様に非磁性金属膜(51)を金属ストライプ(５)にパター
ニングする過程で、非磁性金属膜(51)の内部応力は、パ
ターン長手方向、即ちトラック幅方向に揃うことにな
る。
フィー技術を用いて前記非磁性金属膜(51)をトラック幅
方向にパターニングして、トラック幅方向に伸びる複数
本の金属ストライプ(５)を形成する。この際、金属スト
ライプ(５)の幅Ｗ1は０.５〜２μm、隣接する金属スト
ライプ(５)の間隔Ｗ2は２〜１０μm程度が望ましい。こ
の様に非磁性金属膜(51)を金属ストライプ(５)にパター
ニングする過程で、非磁性金属膜(51)の内部応力は、パ
ターン長手方向、即ちトラック幅方向に揃うことにな
る。
【００２５】その後、図１に示すようにＳiＯ2あるいは
Ａl2Ｏ3からなる保護層(21)を形成する。この際、金属
ストライプ(５)の剥離による歩留低下をさけるため、保
護層(21)の内部応力は、スパッタリング条件の選択によ
り可及的に小さく設定する。
Ａl2Ｏ3からなる保護層(21)を形成する。この際、金属
ストライプ(５)の剥離による歩留低下をさけるため、保
護層(21)の内部応力は、スパッタリング条件の選択によ
り可及的に小さく設定する。
【００２６】この結果、図２に示す如く上部磁性コア(3
1)には、環流磁区(91)が小さく、媒体対接面(11)と平行
な１８０°磁壁(９)が支配的な磁区構造が形成されるこ
とになる。
1)には、環流磁区(91)が小さく、媒体対接面(11)と平行
な１８０°磁壁(９)が支配的な磁区構造が形成されるこ
とになる。
【００２７】又、下部磁性コア(３)においても、上部磁
性コア(31)の磁気的影響を受けて、同様の磁区構造が誘
起される。
性コア(31)の磁気的影響を受けて、同様の磁区構造が誘
起される。
【００２８】上記実施例では、上部磁性コア(31)の全域
に金属ストライプ(５)を形成したが、フロントコア部(3
2)にのみ金属ストライプ(５)を形成し、バックコア部(3
3)の金属ストライプ(５)は省略した構造も採用可能であ
る。
に金属ストライプ(５)を形成したが、フロントコア部(3
2)にのみ金属ストライプ(５)を形成し、バックコア部(3
3)の金属ストライプ(５)は省略した構造も採用可能であ
る。
【００２９】第２実施例(図６乃至図１０) 図６及び図７に示す薄膜磁気ヘッドは、セラミックス基
板(１)上に、絶縁膜(２)、下部磁性コア(３)、ギャップ
スペーサ(７)、導体コイル層(６)及びコイル層間絶縁膜
(４)、上部磁性コア(31)、保護層(21)が順次積層された
構造を有し、磁性コア(３)(31)は、その磁化容易軸がト
ラック幅方向と平行であって、上部磁性コア(31)上の表
面には、図７の如く、上部磁性コア(31)のトラック幅方
向の両側辺に沿って、２本の反強磁性金属リブ(８)(８)
が形成されている。
板(１)上に、絶縁膜(２)、下部磁性コア(３)、ギャップ
スペーサ(７)、導体コイル層(６)及びコイル層間絶縁膜
(４)、上部磁性コア(31)、保護層(21)が順次積層された
構造を有し、磁性コア(３)(31)は、その磁化容易軸がト
ラック幅方向と平行であって、上部磁性コア(31)上の表
面には、図７の如く、上部磁性コア(31)のトラック幅方
向の両側辺に沿って、２本の反強磁性金属リブ(８)(８)
が形成されている。
【００３０】反強磁性金属リブ(８)は、ＦeＭn、ＭnＣ
r、ＦeＣrなどの反強磁性材料から形成され、トラック
幅方向に１軸異方性を有している。
r、ＦeＣrなどの反強磁性材料から形成され、トラック
幅方向に１軸異方性を有している。
【００３１】上記薄膜磁気ヘッドにおいては、図８に示
す如く反強磁性金属リブ(８)の１軸異方性によって反強
磁性金属リブ(８)と上部磁性コア(31)とが図８中に破線
で示す如く静磁結合し、上部磁性コア(31)に対して鎖線
で示す如くトラック幅方向の１軸異方性が誘導されるこ
とになる。特に、本発明では、図８の如く反強磁性金属
リブ(８)が環流磁区の発生しやすいコア周辺部に配置さ
れているから、該周辺部の磁化方向は反強磁性金属リブ
(８)と同一方向となる。この結果、上部磁性コア(31)の
全域が１軸異方性を有し、環流磁区は皆無となる。
す如く反強磁性金属リブ(８)の１軸異方性によって反強
磁性金属リブ(８)と上部磁性コア(31)とが図８中に破線
で示す如く静磁結合し、上部磁性コア(31)に対して鎖線
で示す如くトラック幅方向の１軸異方性が誘導されるこ
とになる。特に、本発明では、図８の如く反強磁性金属
リブ(８)が環流磁区の発生しやすいコア周辺部に配置さ
れているから、該周辺部の磁化方向は反強磁性金属リブ
(８)と同一方向となる。この結果、上部磁性コア(31)の
全域が１軸異方性を有し、環流磁区は皆無となる。
【００３２】図９乃至図１０は上記薄膜磁気ヘッドの製
造方法を表わしている。先ず従来と同じ方法を経て、図
９(ａ)に示す如くセラミックス基板(１)上に絶縁膜
(２)、下部磁性コア(３)、及びギャップスペーサ(７)を
形成する。
造方法を表わしている。先ず従来と同じ方法を経て、図
９(ａ)に示す如くセラミックス基板(１)上に絶縁膜
(２)、下部磁性コア(３)、及びギャップスペーサ(７)を
形成する。
【００３３】次に、図９(ｂ)の如くギャップスペーサ
(７)の表面に上部磁性コアとなる磁性膜(34)をスパッタ
リング法又は蒸着法等によって所定厚さに形成する。続
いて、磁場中蒸着法或いは磁場中スパッタリング法を用
いて、磁性膜(34)よりも薄い反強磁性金属膜(81)を形成
する。これによって、反強磁性金属膜(81)にはトラック
幅方向の１軸異方性が付与される。
(７)の表面に上部磁性コアとなる磁性膜(34)をスパッタ
リング法又は蒸着法等によって所定厚さに形成する。続
いて、磁場中蒸着法或いは磁場中スパッタリング法を用
いて、磁性膜(34)よりも薄い反強磁性金属膜(81)を形成
する。これによって、反強磁性金属膜(81)にはトラック
幅方向の１軸異方性が付与される。
【００３４】その後、フォトリソグラフィ技術を用いて
前記反強磁性金属膜(81)にパターニングを施す。先ず図
９(ｃ)の如くトラック幅Ｔよりも小さい幅Ｓに開口され
たレジストマスク(82)を形成して、反強磁性金属膜(81)
にイオンビームエッチング或いはケミカルエッチングを
施し、前記幅Ｓの領域を除去する。
前記反強磁性金属膜(81)にパターニングを施す。先ず図
９(ｃ)の如くトラック幅Ｔよりも小さい幅Ｓに開口され
たレジストマスク(82)を形成して、反強磁性金属膜(81)
にイオンビームエッチング或いはケミカルエッチングを
施し、前記幅Ｓの領域を除去する。
【００３５】更に、図１０(ａ)の如く反強磁性金属膜(8
1)の開口領域を覆ってレジストマスク(83)を形成して、
反強磁性金属膜(81)及び磁性膜(34)にイオンビームエッ
チング或いはケミカルエッチングを施し、同図(ｂ)の如
くトラック幅Ｔを有する所定形状の上部磁性コア(31)を
形成すると共に、該上部磁性コア(31)上の両側部には、
夫々トラック幅Ｔの１／３以下の幅を有する反強磁性金
属リブ(８)を形成するのである。
1)の開口領域を覆ってレジストマスク(83)を形成して、
反強磁性金属膜(81)及び磁性膜(34)にイオンビームエッ
チング或いはケミカルエッチングを施し、同図(ｂ)の如
くトラック幅Ｔを有する所定形状の上部磁性コア(31)を
形成すると共に、該上部磁性コア(31)上の両側部には、
夫々トラック幅Ｔの１／３以下の幅を有する反強磁性金
属リブ(８)を形成するのである。
【００３６】以後の工程は従来と同一であって、保護層
(21)の形成、チップ化等を経て最終的に図６に示す薄膜
磁気ヘッドが完成する。該薄膜磁気ヘッドにおいては、
図７に示す如く環流磁区の発生しやすいコア周辺部に反
強磁性金属リブ(８)が形成されているため、上部磁性コ
ア(31)の全域に１８０°磁壁(９)が形成されることにな
る。
(21)の形成、チップ化等を経て最終的に図６に示す薄膜
磁気ヘッドが完成する。該薄膜磁気ヘッドにおいては、
図７に示す如く環流磁区の発生しやすいコア周辺部に反
強磁性金属リブ(８)が形成されているため、上部磁性コ
ア(31)の全域に１８０°磁壁(９)が形成されることにな
る。
【００３７】又、下部磁性コア(３)においても、上部磁
性コア(31)の磁気的影響を受けて、同様の磁区構造が誘
起される。
性コア(31)の磁気的影響を受けて、同様の磁区構造が誘
起される。
【００３８】上記実施例では、反強磁性金属リブ(８)の
幅を全長に亘ってトラック幅Ｔの１／３以下として磁録
磁界の急峻度の低下を防止しているが、バックコア部(3
3)における反強磁性金属リブ(８)の幅はフロントコア部
(32)における幅と異ならしめることが可能であり、更に
は、バックコア部(33)の反強磁性金属リブ(８)を省略す
ることも可能である。
幅を全長に亘ってトラック幅Ｔの１／３以下として磁録
磁界の急峻度の低下を防止しているが、バックコア部(3
3)における反強磁性金属リブ(８)の幅はフロントコア部
(32)における幅と異ならしめることが可能であり、更に
は、バックコア部(33)の反強磁性金属リブ(８)を省略す
ることも可能である。
【００３９】第３実施例(図１１乃至図１９) 図１１及び図１２に示す薄膜磁気ヘッドは、セラミック
ス基板(１)上に、絶縁膜(２)、下部磁性コア(３)、ギャ
ップスペーサ(７)、導体コイル層(６)及びコイル層間絶
縁膜(４)、上部磁性コア(31)、保護層(21)が順次積層さ
れた構造を有している。絶縁膜(２)はＳiＯ2、Ａl3Ｏ2
等からなり、下部磁性コア(３)及び上部磁性コア(31)
は、Ｎi-Ｆe、Ｃo-Ｚr-Ｎb等の高透磁率を有する金属磁
性膜から形成される。
ス基板(１)上に、絶縁膜(２)、下部磁性コア(３)、ギャ
ップスペーサ(７)、導体コイル層(６)及びコイル層間絶
縁膜(４)、上部磁性コア(31)、保護層(21)が順次積層さ
れた構造を有している。絶縁膜(２)はＳiＯ2、Ａl3Ｏ2
等からなり、下部磁性コア(３)及び上部磁性コア(31)
は、Ｎi-Ｆe、Ｃo-Ｚr-Ｎb等の高透磁率を有する金属磁
性膜から形成される。
【００４０】又、上部磁性コア(31)は、コア下層部(35)
とコア上層部(36)の２層からなり、両層間には非磁性中
間層(52)が介在している。非磁性中間層(52)はＳiＯ2、
Ａl3Ｏ2等の絶縁膜から形成され、図１２の如くフロン
トコア部(32)の媒体対接面(11)とバックコア部(33)のバ
ックギャップ(71)に挟まれた中間領域をトラック幅方向
に伸びる複数本の非磁性ストライプ(52ａ)によって構成
されている。
とコア上層部(36)の２層からなり、両層間には非磁性中
間層(52)が介在している。非磁性中間層(52)はＳiＯ2、
Ａl3Ｏ2等の絶縁膜から形成され、図１２の如くフロン
トコア部(32)の媒体対接面(11)とバックコア部(33)のバ
ックギャップ(71)に挟まれた中間領域をトラック幅方向
に伸びる複数本の非磁性ストライプ(52ａ)によって構成
されている。
【００４１】上記薄膜磁気ヘッドにおいては、非磁性中
間層(52)が上部磁性コア(31)の磁区をトラック幅方向に
ピンディングする機能を発揮し、この結果、乱れのない
安定した磁区構造が得られるのである。
間層(52)が上部磁性コア(31)の磁区をトラック幅方向に
ピンディングする機能を発揮し、この結果、乱れのない
安定した磁区構造が得られるのである。
【００４２】図１３及び図１４は上記薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示している。図１３(ａ)の如く例えばＡl3Ｏ
2−ＴiＣからなる基板(１)の表面に、ＳiＯ2からなる絶
縁膜(２)を形成した後、Ｎｉ−Ｆｅ等からなる金属磁性
薄膜を形成して、下部磁性コア(３)とする。次に導体コ
イル層(６)を形成すると共に、該導体コイル層(６)をＳ
iＯ2の絶縁膜(４)によって覆う。又、フロントコア部に
は、ＳiＯ2のギャップスペーサ(７)を形成する。
製造工程を示している。図１３(ａ)の如く例えばＡl3Ｏ
2−ＴiＣからなる基板(１)の表面に、ＳiＯ2からなる絶
縁膜(２)を形成した後、Ｎｉ−Ｆｅ等からなる金属磁性
薄膜を形成して、下部磁性コア(３)とする。次に導体コ
イル層(６)を形成すると共に、該導体コイル層(６)をＳ
iＯ2の絶縁膜(４)によって覆う。又、フロントコア部に
は、ＳiＯ2のギャップスペーサ(７)を形成する。
【００４３】次に図１３(ｂ)の如く絶縁膜(４)及びギャ
ップスペーサ(７)を覆って、例えばＮi-Ｆeからなる金
属磁性膜(37)をスパッタリング或いは蒸着法によって形
成する。
ップスペーサ(７)を覆って、例えばＮi-Ｆeからなる金
属磁性膜(37)をスパッタリング或いは蒸着法によって形
成する。
【００４４】続いて図１３(ｃ)の如く金属磁性膜(37)の
表面に、例えばＳiＯ2の絶縁膜(53)をスパッタリング等
によって厚さ０.１〜２μmに形成する。
表面に、例えばＳiＯ2の絶縁膜(53)をスパッタリング等
によって厚さ０.１〜２μmに形成する。
【００４５】その後、ＲＩＥ等の周知のフォトリソグラ
フィ技術を用いて絶縁膜(53)を図１３(ｄ)の如く所定パ
ターンにエッチング成形し、複数本(例えば数本〜１０
本)の非磁性ストライプ(52ａ)を形成する。
フィ技術を用いて絶縁膜(53)を図１３(ｄ)の如く所定パ
ターンにエッチング成形し、複数本(例えば数本〜１０
本)の非磁性ストライプ(52ａ)を形成する。
【００４６】図１４(ａ)に示す如く前記非磁性ストライ
プ(52ａ)を覆って、例えばＮi-Ｆeからなる金属磁性膜
(38)をスパッタリング或いは蒸着法によって形成する。
その後、周知のフォトリソグラフィ技術を用いて金属磁
性膜(38)にエッチングを施し、同図(ｂ)の如く所定形状
のコア上層部(36)に成形する。又、これと同時にコア下
層部(35)のフロントコア領域の膜厚を所定値に仕上げ
て、ヘッド磁界の急峻化を図る。
プ(52ａ)を覆って、例えばＮi-Ｆeからなる金属磁性膜
(38)をスパッタリング或いは蒸着法によって形成する。
その後、周知のフォトリソグラフィ技術を用いて金属磁
性膜(38)にエッチングを施し、同図(ｂ)の如く所定形状
のコア上層部(36)に成形する。又、これと同時にコア下
層部(35)のフロントコア領域の膜厚を所定値に仕上げ
て、ヘッド磁界の急峻化を図る。
【００４７】この際、コア上層部(36)のフロントコア側
の端面(36ａ)の下方位置に非磁性ストライプ(52ａ)を設
けておくことにより、該非磁性ストライプ(52ａ)がエッ
チングに対するストッパとして作用し、コア下層部(35)
のフロントコア領域の膜厚を均一化することが可能であ
る。これによって局所的な磁気飽和が防止される。
の端面(36ａ)の下方位置に非磁性ストライプ(52ａ)を設
けておくことにより、該非磁性ストライプ(52ａ)がエッ
チングに対するストッパとして作用し、コア下層部(35)
のフロントコア領域の膜厚を均一化することが可能であ
る。これによって局所的な磁気飽和が防止される。
【００４８】コア上層部(36)のエッチング成形後、フォ
トリソグラフィ技術を用いて下層の金属磁性膜(37)にエ
ッチングを施し、図１４(ｃ)の如く所定形状のコア上層
部(36)に成形する。その後、保護膜形成、チップ化等の
工程を経て、図１１及び図１２に示す薄膜磁気ヘッドが
完成する。
トリソグラフィ技術を用いて下層の金属磁性膜(37)にエ
ッチングを施し、図１４(ｃ)の如く所定形状のコア上層
部(36)に成形する。その後、保護膜形成、チップ化等の
工程を経て、図１１及び図１２に示す薄膜磁気ヘッドが
完成する。
【００４９】図１５に示す薄膜磁気ヘッドは、非磁性中
間層(52)を構成する複数本の非磁性ストライプ(52ａ)
を、媒体対接面(11)及びバックギャップ部(71)を中心と
する同心円状に形成して、磁気抵抗の低減、ノイズの抑
制、ヘッドの高効率化等を図ったものである。
間層(52)を構成する複数本の非磁性ストライプ(52ａ)
を、媒体対接面(11)及びバックギャップ部(71)を中心と
する同心円状に形成して、磁気抵抗の低減、ノイズの抑
制、ヘッドの高効率化等を図ったものである。
【００５０】又、図１６に示す薄膜磁気ヘッドにおいて
は、コア下層部(35)上面のトラック幅方向に伸びる複数
本のストライプ領域の夫々に、トラック幅方向の両端部
へ離して複数の非磁性片(52ｂ)を形成して、非磁性中間
層(52)が構成されている。該構成においても、互いに対
向する一対の非磁性片(52ｂ)(52ｂ)がコアの磁区をトラ
ック幅方向にピンディングする機能を発揮し、これによ
ってストライプ状の非磁性中間層(52)を有する薄膜磁気
ヘッドと同等の効果が得られる。
は、コア下層部(35)上面のトラック幅方向に伸びる複数
本のストライプ領域の夫々に、トラック幅方向の両端部
へ離して複数の非磁性片(52ｂ)を形成して、非磁性中間
層(52)が構成されている。該構成においても、互いに対
向する一対の非磁性片(52ｂ)(52ｂ)がコアの磁区をトラ
ック幅方向にピンディングする機能を発揮し、これによ
ってストライプ状の非磁性中間層(52)を有する薄膜磁気
ヘッドと同等の効果が得られる。
【００５１】更に図１７及び図１８に示す薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、非磁性中間層(52)は、コア下層部(35)上面
に、フロントコア部(32)とバックコア部(33)に跨がって
連続的に形成されている。該構成においては、図１８の
紙面に垂直な面内にて磁区が安定することになる。
ドにおいて、非磁性中間層(52)は、コア下層部(35)上面
に、フロントコア部(32)とバックコア部(33)に跨がって
連続的に形成されている。該構成においては、図１８の
紙面に垂直な面内にて磁区が安定することになる。
【００５２】尚、上記構成において、非磁性中間層(52)
は図１９の如く更にバックギャップ(71)の周囲に形成す
ることも可能である。
は図１９の如く更にバックギャップ(71)の周囲に形成す
ることも可能である。
【００５３】上記実施例の説明は、本発明を説明するた
めのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本
発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲
に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは
勿論である。
めのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本
発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲
に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは
勿論である。
【００５４】例えば本発明は、上述の如き誘導型ヘッド
チップのみからなる単体の薄膜磁気ヘッドのみならず、
磁気抵抗効果型ヘッドチップとの組合せからなる復合型
の薄膜磁気ヘッドに実施することも可能である。
チップのみからなる単体の薄膜磁気ヘッドのみならず、
磁気抵抗効果型ヘッドチップとの組合せからなる復合型
の薄膜磁気ヘッドに実施することも可能である。
【図１】本発明に係る第１の薄膜磁気ヘッドの縦断面図
である。
である。
【図２】該薄膜磁気ヘッドにおける金属ストライプのパ
ターン及び上部磁性コアの磁区構造を示す平面図であ
る。
ターン及び上部磁性コアの磁区構造を示す平面図であ
る。
【図３】該薄膜磁気ヘッドの製造工程の第１部を示し、
(ａ)は平面、(ｂ)は(ａ)中のＢ−Ｂ線に沿う断面を示
す。
(ａ)は平面、(ｂ)は(ａ)中のＢ−Ｂ線に沿う断面を示
す。
【図４】同上製造工程の第２部を示し、(ａ)は平面、
(ｂ)は(ａ)中のＢ−Ｂ線に沿う断面を示す。
(ｂ)は(ａ)中のＢ−Ｂ線に沿う断面を示す。
【図５】同上製造工程の第３部を示す平面図である。
【図６】本発明に係る第２の薄膜磁気ヘッドの縦断面図
である。
である。
【図７】該薄膜磁気ヘッドにおける反強磁性金属リブの
形状及び上部磁性コアの磁区構造を示す平面図である。
形状及び上部磁性コアの磁区構造を示す平面図である。
【図８】反強磁性金属リブと上部磁性コアの静磁気結合
を説明する図である。
を説明する図である。
【図９】該薄膜磁気ヘッドの製造工程の第１部を示す一
連の断面図である。
連の断面図である。
【図１０】該薄膜磁気ヘッドの製造工程の第２部を示す
一連の断面図である。
一連の断面図である。
【図１１】本発明に係る第３の薄膜磁気ヘッドの縦断面
図である。
図である。
【図１２】該薄膜磁気ヘッドにおける非磁性中間層のパ
ターン及びコアの磁区方向を示す平面図である。
ターン及びコアの磁区方向を示す平面図である。
【図１３】該薄膜磁気ヘッドの製造工程の第１部を示す
一連の断面図である。
一連の断面図である。
【図１４】該薄膜磁気ヘッドの製造工程の第２部を示す
一連の断面図である。
一連の断面図である。
【図１５】非磁性中間層の他のパターン例を示す図１２
に対応する平面図である。
に対応する平面図である。
【図１６】非磁性中間層の更に他のパターン例を示す図
１２に対応する平面図である。
１２に対応する平面図である。
【図１７】非磁性中間層を１枚の層で形成した例におけ
る薄膜磁気ヘッドの縦断面図である。
る薄膜磁気ヘッドの縦断面図である。
【図１８】該薄膜磁気ヘッドにおける非磁性中間層の形
状を示す平面図である。
状を示す平面図である。
【図１９】図１８の非磁性中間層の変形例を示す平面図
である。
である。
【図２０】従来の薄膜磁気ヘッドの縦断面図である。
【図２１】従来の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁性コア
の磁区構造を示す平面図である。
の磁区構造を示す平面図である。
(１) 基板 (２) 絶縁膜 (３) 下部磁性コア (31) 上部磁性コア (４) 絶縁膜 (５) 金属ストライプ (６) 導体コイル層 (７) ギャップスペーサ (８) 反強磁性金属リブ (９) １８０°磁壁
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年２月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】上記第２の薄膜磁気ヘッドにおいては、図
８の如く磁性コア(31)上に、トラック幅方向の両側辺に
沿ってトラック幅方向に１軸異方性を有する２本の反強
磁性金属リブ(８)(８)が形成されているから、磁性コア
(31)はこれらの反強磁性金属リブ(８)(８)と交換結合
(図８中に実線の矢印で示す)を行って、エネルギーが小
さくなり安定化する。このため、トラック幅方向に磁区
が安定し、図７の如く媒体対接面(11)に平行な１８０°
磁壁(９)が形成されて、環流磁区は消失する。
８の如く磁性コア(31)上に、トラック幅方向の両側辺に
沿ってトラック幅方向に１軸異方性を有する２本の反強
磁性金属リブ(８)(８)が形成されているから、磁性コア
(31)はこれらの反強磁性金属リブ(８)(８)と交換結合
(図８中に実線の矢印で示す)を行って、エネルギーが小
さくなり安定化する。このため、トラック幅方向に磁区
が安定し、図７の如く媒体対接面(11)に平行な１８０°
磁壁(９)が形成されて、環流磁区は消失する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】上記薄膜磁気ヘッドにおいては、図８に示
す如く反強磁性金属リブ(８)の１軸異方性によって反強
磁性金属リブ(８)と上部磁性コア(31)とが図８中に実線
で示す如く交換結合(反強磁性結合)し、上部磁性コア(3
1)に対して鎖線で示す如くトラック幅方向の１軸異方性
が誘導されることになる。特に、本発明では、図８の如
く反強磁性金属リブ(８)が環流磁区の発生しやすいコア
周辺部に配置されているから、該周辺部の磁化方向は反
強磁性金属リブ(８)と同一方向となる。この結果、上部
磁性コア(31)の全域が１軸異方性を有し、環流磁区は皆
無となる。
す如く反強磁性金属リブ(８)の１軸異方性によって反強
磁性金属リブ(８)と上部磁性コア(31)とが図８中に実線
で示す如く交換結合(反強磁性結合)し、上部磁性コア(3
1)に対して鎖線で示す如くトラック幅方向の１軸異方性
が誘導されることになる。特に、本発明では、図８の如
く反強磁性金属リブ(８)が環流磁区の発生しやすいコア
周辺部に配置されているから、該周辺部の磁化方向は反
強磁性金属リブ(８)と同一方向となる。この結果、上部
磁性コア(31)の全域が１軸異方性を有し、環流磁区は皆
無となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４１】上記薄膜磁気ヘッドにおいては、非磁性中
間層(52)が上部磁性コア(31)の磁区をトラック幅方向に
ピンニングする機能を発揮し、この結果、乱れのない安
定した磁区構造が得られるのである。
間層(52)が上部磁性コア(31)の磁区をトラック幅方向に
ピンニングする機能を発揮し、この結果、乱れのない安
定した磁区構造が得られるのである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４５】その後、ＲＩＥ等の周知のエッチング技術
を用いて絶縁膜(53)を図１３(ｄ)の如く所定パターンに
エッチング成形し、複数本(例えば数本〜１０本)の非磁
性ストライプ(52ａ)を形成する。
を用いて絶縁膜(53)を図１３(ｄ)の如く所定パターンに
エッチング成形し、複数本(例えば数本〜１０本)の非磁
性ストライプ(52ａ)を形成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５０】又、図１６に示す薄膜磁気ヘッドにおいて
は、コア下層部(35)上面のトラック幅方向に伸びる複数
本のストライプ領域の夫々に、トラック幅方向の両端部
へ離して複数の非磁性片(52ｂ)を形成して、非磁性中間
層(52)が構成されている。該構成においても、互いに対
向する一対の非磁性片(52ｂ)(52ｂ)がコアの磁区をトラ
ック幅方向にピンニングする機能を発揮し、これによっ
てストライプ状の非磁性中間層(52)を有する薄膜磁気ヘ
ッドと同等の効果が得られる。
は、コア下層部(35)上面のトラック幅方向に伸びる複数
本のストライプ領域の夫々に、トラック幅方向の両端部
へ離して複数の非磁性片(52ｂ)を形成して、非磁性中間
層(52)が構成されている。該構成においても、互いに対
向する一対の非磁性片(52ｂ)(52ｂ)がコアの磁区をトラ
ック幅方向にピンニングする機能を発揮し、これによっ
てストライプ状の非磁性中間層(52)を有する薄膜磁気ヘ
ッドと同等の効果が得られる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図８】
フロントページの続き (72)発明者 野口 仁志 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 磁気回路を構成すべき磁性コア(31)が薄
膜から形成された薄膜磁気ヘッドにおいて、磁性コア(3
1)は、その磁歪定数の絶対値が1×10-6以下であって、
該磁性コア上には、少なくともフロントコア部(32)を覆
う領域に、トラック幅方向に伸びてトラック幅方向に内
部応力を有する複数本の金属ストライプ(５)が互いに間
隔をおいて形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項２】 磁気回路を構成すべき磁性コア(31)が薄
膜から形成された薄膜磁気ヘッドにおいて、磁性コア(3
1)は、その磁化容易軸がトラック幅方向と平行であっ
て、該磁性コア(31)上には、少なくともフロントコア部
(32)を覆う領域に、磁性コア(31)のトラック幅方向の両
側辺に沿って伸びてトラック幅方向に１軸異方性を有す
る２本の反強磁性金属リブ(８)(８)が形成されているこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 磁気回路を構成すべき磁性コア(31)が薄
膜から形成された薄膜磁気ヘッドにおいて、磁性コア(3
1)はコア下層部(35)とコア上層部(36)の２層からなり、
両層間には非磁性中間層(52)が介在していることを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 非磁性中間層(52)は、互いに間隔をおい
てトラック幅方向に伸びる複数本の非磁性ストライプ(5
2ａ)から形成されている請求項３に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項５】 非磁性中間層(52)は、コア下層部(35)上
面のトラック幅方向に伸びる複数本のストライプ領域の
夫々に、トラック幅方向の両端部へ離して形成された複
数の非磁性片(52ｂ)から形成されている請求項３に記載
の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 非磁性中間層(52)は、少なくともコア下
層部(35)上面のフロントコア部(32)とバックコア部(33)
の中間領域に、連続して形成されている請求項３に記載
の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5066573A JPH06243427A (ja) | 1992-12-25 | 1993-03-25 | 薄膜磁気ヘッド |
| US08/172,241 US5436781A (en) | 1992-12-25 | 1993-12-23 | Thin film magnetic head having upper magnetic core layer with layers separated by discontinuous non-magnetic stripes |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-345859 | 1992-12-25 | ||
| JP34585992 | 1992-12-25 | ||
| JP5066573A JPH06243427A (ja) | 1992-12-25 | 1993-03-25 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06243427A true JPH06243427A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=26407770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5066573A Withdrawn JPH06243427A (ja) | 1992-12-25 | 1993-03-25 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5436781A (ja) |
| JP (1) | JPH06243427A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH04214205A (ja) * | 1990-12-12 | 1992-08-05 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
-
1993
- 1993-03-25 JP JP5066573A patent/JPH06243427A/ja not_active Withdrawn
- 1993-12-23 US US08/172,241 patent/US5436781A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5436781A (en) | 1995-07-25 |
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