JPH04214205A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク記憶装置等
に用いられる薄膜磁気ヘッド、すなわち磁気回路やコイ
ルが薄膜で形成される磁気ヘッドおよびその製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】ディスク記憶装置の記憶容量の向上には
目覚ましいものがあり、　３．５インチ径のもので数百
ＭＢの大記憶容量が可能になりつつあるが、これをさら
に進めるにはディスク面上のトラック幅を狭め各トラッ
ク内のデータ記録を高密度化することが必要で、この要
求に沿い得る微細構造のデータ読み書き用ヘッドとして
上述の薄膜磁気ヘッドが囑目されている。これは、半導
体技術を利用してヘッドを構成する磁性コアやコイル等
をすべて薄膜化してその基体上にいわば集積化するもの
で、以下まずその構造例を図７と図８を参照して簡単に
説明する。

【０００３】図７の中央に示されたコイル３０はスパイ
ラル状コイルで、その一部を図の前後から挟むように１
対の玉葱状に形成された磁極膜からなる磁性コア１０を
設ける。磁性コア１０の細められた先端部１０ａには狭
い幅ｗのデータの読み書き用ギャップを形成し、その基
部１０ｂにおいて両磁極膜を相互に閉じ合わせることに
より磁気回路を形成させる。この磁気ヘッドは通例のよ
うにそのギャップをディスク面に近接ないし接触させた
状態で、コイル３０にその１対のリード３０ａと３０ｂ
を介して電流を流すことによりデータを書き込み、ある
いはコイル３０に誘起される電圧によりデータを読み取
るものである。

【０００４】図８は図７のギャップの付近のＸ−Ｘ矢視
断面により従来の薄膜磁気ヘッドの構造例を示すもので
ある。そのアルミナ等からなる基体１の上にパーマロイ
等の磁性材料からなる１〜２μｍ程度の膜厚の下側磁極
膜１５を配設し、その上にアルミナや酸化シリコンの　
０．５μｍ以下の薄いギャップ膜２０を付ける。図示の
例ではコイル３０は２段構成であって、その下側コイル
３１と上側コイル３２はいずれも銅やアルミを蒸着ない
しスパッタした薄膜をスパイラル状のパターンにフォト
エッチングしてなり、酸化シリコンやポリイミド等の樹
脂からなる下側絶縁膜３３と上側絶縁膜３４によりそれ
ぞれ覆われる。このコイル３０を下側磁極膜１５との間
に挟み込み、かつコアの先端部１０ａでギャップ膜２０
に接触するようにそれと同構成の上側磁極膜１６が配設
される。図の左端の読み書き用のギャップＧは端面をラ
ッピング等で仕上げることにより形成され、両磁極膜１
５と１６間に挟まれたギャップ膜２０の膜厚で規定され
るごく狭いギャップ長ｇをもつ。なお、図示のような構
造の薄膜磁気ヘッドは例えば特開昭５５−８４０１９号
公報に開示されている。

【０００５】以上のように構成された薄膜磁気ヘッドで
は、ギャップ幅ｗとギャップ長ｇを半導体製造用のプロ
セス技術を利用して微細化することにより、前述のトラ
ック幅の縮小と各トラック内の高記録密度化の要求を満
たし得るが、データの記録と再生の特性は磁気コア１０
に用いる磁性材料の磁気特性により大きく左右される。 とくに、高密度記録されたデータを読み取った信号は数
ＭＨＺ程度の高周波になるので、磁気ヘッド用の磁性材
料にはかかる高周波領域で高い透磁率を有するものを用
いる必要がある。このため、磁化の方向に対し異方性を
もつ磁性材料を用いてその磁化容易軸をギャップ幅方向
に合わせる手段が採られることが多い。以下これを図９
を参照して説明する。

【０００６】図は磁性コア１０中の例えば下側磁極膜１
５の先端部１０ａの拡大図で、外部磁界がない時の静止
状態の磁区が細線で示されている。磁区相互間の境界で
ある磁壁にはその両隣の磁区の磁化方向が　１８０度異
なるブロッホ磁壁ないし　１８０度磁壁Ｂ１８と，　９
０度異なるネール磁壁ないし９０度磁壁Ｂ９とがあるた
め、磁極膜１１内は図のように六角磁区Ｈと三角磁区Ｔ
に分かれ、ギャップ幅ｗがとくに大きくない限りその中
央部に六角磁区Ｈが大きく広がり、その両端部を三角磁
区Ｔが六角磁区Ｈとともに磁化方向の環を作るように埋
める磁区配置になる。この内の六角磁区Ｈの図で矢印で
示す磁化方向が磁化容易軸で、これがギャップ幅ｗの方
向と合わされる。さて、データの書き込みや読み取り時
には磁化力がもちろんギャップ幅ｗと直角な方向に掛か
るので、大部分の面積を占める六角磁区Ｈはこれに応じ
磁壁を移動させながらその磁化方向を９０度回転させる
ことになり、この方が磁化方向を逆転させるよりは容易
つまり少ないエネルギで済むので、この回転磁化過程で
高透磁率が得られるのである。

【０００７】ところが、例えばギャップ幅ｗを１０μｍ
程度以下に，　ギャップ長ｇを　０．５μｍ程度以下に
それぞれ狭めると、高透磁率をねらいどおりに得るのが
困難になって来る。この一つの原因はギャップ幅ｗを狭
めると図７の端の三角磁区Ｔの占める面積が六角磁区Ｈ
より大きくなるためで、もう一つの原因はギャップ長ｇ
を狭めて読み書き信号の周波数を上げると磁性コア１０
内の渦流損が増えるためである。この解決手段としては
、従来から磁性コア１０を積層膜構造にすることが知ら
れている。例えば、ＩＢＭ　Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　Ｂ
ｕｌｌｅｔｉｎ，　Ｖｏｌ．２１，Ｎｏ．ｌｌ，　１９
７９，　ｐｐ．４３６７には、パーマロイと酸化シリコ
ンの薄膜を交互に積層する構造が開示されている。磁性
材料のパーマロイの薄膜化によってまず高周波に対する
渦流損を減少させ、かつ酸化シリコン膜を充分薄くする
ことによって両側のパーマロイ薄膜を相互に密に磁気結
合させて磁化の環状路を作り、三角磁区Ｔの発生を抑え
て六角磁区Ｈのみに単磁区化することをねらったもので
ある。さらには、特開昭６４−４９０８　号公報や特開
昭６４−４２０１１号公報にもパーマロイ系材料を用い
る同様なねらいの技術が開示されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、実際には磁性
材料のかかる積層膜の透磁率をねらいどおりに高めるの
は必ずしも容易でない。とくに、磁気記録の高密度化に
伴いデータの読取信号値のレベルを上げるためにディス
クの磁気記録媒体に高い保磁力をもつ磁性材料を用いる
と、これにデータを書き込むには磁気ヘッドの磁性コア
に飽和磁束密度の高い磁性材料を用いる必要があり、こ
れに適する材料で積層膜を構成すると高い透磁率を得る
のが非常に困難になる。

【０００９】例えば、いわゆるＭＩＧ（Ｍｅｔａｌ　Ｉ
ｎ　Ｇａｐ）方式に用いる磁気記録媒体の保磁力は１５
００Ｏｅにも達するので、磁気ヘッド用の磁性材料とし
ては従来のパーマロイでは力不足になり、例えばＭｏ系
の非晶質磁性材料を採用する必要である。ところが、か
かる磁性材料と酸化シリコンの積層膜を試作して磁気特
性を測定したところ、透磁率が意外に低くて積層した磁
性材料が本来もつ透磁率の半分程度のものしか得られず
、薄膜のスパッタ条件を色々調整して見たり、磁性膜と
酸化シリコン膜の膜厚や両者の比率を種々設定して見て
も大差がなく、実用化の見通しを得るに至らなかった。 もっとも、試作された積層膜の透磁率の周波数特性はか
なり良好であり、積層膜構造を採用しただけの効果は認
められるので、積層膜を構成する各磁性薄膜に磁性材料
がもつ本来の磁気性能が発揮されていないために高透磁
率が得られないものと考えられる。

【００１０】本発明の目的はかかる問題を解決して、高
周波領域においても高透磁率をもつ積層膜構造の磁性コ
アを備え、磁気ディスク記憶装置の磁気記録媒体に高保
持力の磁性材料を用いる場合にも適する薄膜磁気ヘッド
を得ることにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この目的は本発明によれ
ば、薄膜磁気ヘッド用の磁性コアないしは磁気回路を軟
磁性を呈する磁性金属からなる磁性薄膜と，　非磁性金
属あるいは絶縁性の窒化化合物からなる非磁性薄膜とを
交互に積層してなる積層膜で構成することにより達成さ
れる。

【００１２】なお、上述の磁性薄膜にはＣｏ系金属を用
いるのが最適であり、これを非晶質膜とするのがとくに
望ましい。磁性薄膜を非晶質化するには、これを３〜６
％のＺｒを含有するＣｏ合金とするのがよく、さらに磁
性薄膜の磁気弾性効果を下げるためこのＣｏ合金に６％
までのＮｂを含有させるのが望ましい。また、積層膜の
透磁率を高める上では磁性薄膜の膜厚を　０．１〜０．
５　μｍとするのが有利である。

【００１３】上記構成中の非磁性薄膜用の非磁性金属材
料としてはＴａがとくに好適であり、この他にＴｉ，Ｍ
ｏ，Ｕ，Ｗ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｐｂ，Ｃ
ｕ，Ａｌ，Ｓｉ等ないしはそれらの合金を適宜利用する
ことができ、とくに酸素に対してゲッタ効果を有するも
のを用いるのが有利である。非磁性薄膜用の窒化化合物
としては例えば窒化シリコンが適する。積層膜の透磁率
を高める上ではこの非磁性薄膜の膜厚は　０．００５〜
０．０５μｍとするのが有利で、その磁性薄膜に対する
膜厚比としては０．０１〜０．５　の範囲に設定するの
がよい。なお、積層膜全体の膜厚は１〜数μｍ程度とす
るのがよい。

【００１４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
その磁気回路の積層膜をあらかじめ高真空に排気処理さ
れた真空槽内で軟磁性の磁性金属からなる磁性薄膜と非
磁性材料からなる非磁性薄膜をスパッタ法により交互に
被着して形成することにより前述の目的を達成する。

【００１５】なお、磁性薄膜と非磁性薄膜用の金属に対
する上述のスパッタ法にはＤＣマグネトロンスパッタ法
がとくに適する。積層膜を構成する薄膜のスパッタリン
グに際しては、それに先立って真空槽内を１０−６Ｔｏ
ｒｒ以下，　望ましくは１０−７Ｔｏｒｒ以下の高真空
度に充分排気した後に、真空槽内のＡｒ等のふん囲気ガ
スの圧力を数ｍＴｏｒｒ以下，　望ましくは２ｍＴｏｒ
ｒ以下に保った条件下で磁性薄膜と非磁性薄膜を交互に
スパッタするのが積層膜の透磁率を高める上で有利であ
る。

【００１６】さらには、磁性薄膜のスパッタリングを適
宜な磁界，例えば数十Ｏｅ程度の磁界を掛けた条件下で
行なうことにより、その磁化特性に異方性を賦与して積
層膜の透磁率をさらに高めることができる。

【００１７】

【作用】本発明は積層膜中の酸化シリコン膜をスパッタ
する際に酸素がふん囲気ガスに混入して磁性薄膜の磁気
性能に悪影響を及ぼす点に着目して、酸素を含有しない
材料を非磁性薄膜に用いることにより問題の解決に成功
したものである。

【００１８】すなわち、積層膜は磁性薄膜と非磁性薄膜
を同じ真空槽内で交互にスパッタして形成されるが、非
磁性膜に酸化シリコン等の酸素を含む材料を用いると、
そのスパッタ時に酸素が発生して真空槽内のふん囲気ガ
スに混入し、次に磁性薄膜をスパッタする際のふん囲気
内に含まれるので、金属である磁性薄膜の磁気特性を低
下させる傾向がある。試みに、磁性薄膜をスパッタして
いる間に酸化シリコン用ターゲットに対する放電を断つ
ようにすると、充分ではないが積層膜の透磁率の改善が
認められる。従って、酸化シリコン膜をスパッタしたつ
どふん囲気ガスを入れ換えればよいことになるが、これ
には槽内を一旦高真空に引く必要があるので長時間を要
していかにも実用的でない。

【００１９】そこで、本発明では積層膜を軟磁性の磁性
金属からなる磁性薄膜と酸素を含まない非磁性金属や絶
縁性の窒化化合物からなる非磁性薄膜を交互にスパッタ
法で成膜した積層体とすることにより前述の課題を解決
するものである。

【００２０】

【実施例】以下、図を参照しながら本発明の実施例を説
明する。図１に本発明による薄膜磁気ヘッドの一部拡大
断面とその磁気回路の積層膜の拡大断面を示す。この薄
膜磁気ヘッドの全体構造は説明済みの図７に示すとおり
とする。この図１の図７や図８と同じ部分には同じ符号
が付されているので、重複する部分に対する説明を省略
することとする。

【００２１】図１の上部には従来の図８にほぼ対応する
断面が示されており、それと異なるところは磁気回路１
０ないしは磁性コアの下側積層膜１１と上側積層膜１２
がいずれも図の下部に示すように磁性薄膜１３と非磁性
薄膜１４を交互に積層した構造になっている点である。 これらの積層膜１１と１２はそれぞれ例えば２μｍの厚
みとされ、磁気回路１０の先端部１０ａにおける両者間
にアルミナや酸化シリコンのギャップ膜２０の膜厚で規
定されるギャップ長ｇの読み書き用ギャップＧを形成す
る。大記憶容量のディスク記憶装置用の磁気ヘッドでは
、このギャップＧは高記録密度が可能なように　０．３
μｍ程度の狭ギャップ長とされ、そのギャップ幅はデー
タ記録用の狭いトラック幅に相応した数〜１０μｍとさ
れる。なお、磁気回路１０の基部１０ｂにおいて両積層
膜１１と１２が図７で説明したように相互に閉じ合わさ
れる。

【００２２】積層膜１１や１２中の磁性薄膜１３用の磁
性金属材料としては、高保磁力の磁気記録媒体にもデー
タを書き込めるようにＣｏ系金属を用いるのがよく、こ
の実施例では磁性薄膜１３を３〜６％のＺｒを含有する
Ｃｏ合金を用いてこれを非晶質に成膜する。さらに、こ
のＣｏ合金に６％までのＮｂを含有させることによって
磁性薄膜１３の磁気弾性効果をできるだけ低下させるの
が望ましい。これと交互に積層される非磁性薄膜１４の
材料としては、本発明では前述のように酸素を含有しな
い種々の非磁性金属や絶縁性の窒化化合物を用いること
ができるが、この実施例ではＴａを用いるものとする。 なお、この非磁性薄膜１４はその両側の磁性薄膜１３が
相互に磁気的に密に結合するように薄く成膜する必要が
あり、このためには磁性薄膜１３に対するその膜厚比を
０．０１〜０．５　の範囲に設定するのがよい。

【００２３】これら磁性薄膜１３と非磁性薄膜１４は真
空蒸着法による成膜も可能ではあるが、Ｃｏ系の磁性薄
膜１３を良好な磁気特性を呈する非晶質で成膜するには
スパッタ法，とくにＤＣマグネトロンスパッタ法を利用
するのが好適である。図１の基体１の上にこれら両薄膜
１３と１４からなる積層膜を形成するには、真空槽内の
Ａｒ等の減圧ふん囲気内で基体１を保持する例えば回転
ホルダを公転させながら、各薄膜材料用のターゲット上
に基体１を交互に移動させるいわゆる共スパッタ法によ
ることでよい。 なお、この際に磁性薄膜１３と非磁性薄膜１４とにそれ
ぞれ賦与すべき膜厚は、各薄膜材料用のターゲットに与
える放電電力と基体１をこの各ターゲット上に置く時間
によって正確に設定できる。

【００２４】なお、以上のようにして成膜された磁性薄
膜１３と非磁性薄膜１４からなる図１の下側積層膜１１
と上側積層膜１２は、図７に示すような薄膜磁気ヘッド
の磁性コア１０に適した形状に例えばいわゆるイオンミ
リング法によりそれぞれパターンニングされる。

【００２５】磁気ヘッドの磁気回路１０に用いる磁性材
はもちろん軟磁性である必要があり、上述のスパッタ時
の成膜条件が磁性薄膜１３の保磁力に与える影響を検討
した結果を図２と図３に示す。この内の図２はスパッタ
開始前に真空槽内を排気処理する際の真空度ｐとＣｏ合
金の磁性薄膜１３の保磁力Ｈｃとの関係を示すもので、
これから真空槽を１０−７Ｔｏｒｒ以下の高真空に排気
処理することにより保磁力が０．１　Ｏｅ以下の良好な
軟磁性が得られることがわかる。さらに、図３はこの保
磁力Ｈｃのスパッタ中のこの例ではＡｒふん囲気の圧力
ｐへの依存性を試験した結果を示し、これからＣｏ合金
のスパッタ中のふん囲気ガスの圧力を２ｍＴｏｒｒ以下
に保つことにより磁性薄膜１３に保磁力が　０．１Ｏｅ
以下の良好な軟磁性を持たせ得ることがわかる。

【００２６】次に、図４と図５にＣｏ合金の磁性薄膜１
３とＴａの非磁性薄膜１４の膜厚ｔが積層膜の透磁率μ
に与える影響を検討した結果を示す。この内の図４は非
磁性薄膜１４の膜厚を０．０２μｍの一定値に保った条
件で磁性薄膜１３の膜厚ｔを変化させた場合について、
磁気ヘッドの使用最高周波数である５ＭＨＺにおける積
層膜の透磁率μを測定した結果である。これからわかる
ように磁性薄膜１３の膜厚が　０．１〜０．２０μｍの
範囲内で薄膜磁気ヘッドに適する４０００以上の透磁率
μが得られる。なお、膜厚が　０．１μｍ未満では磁性
薄膜１３に対する非磁性膜１４の膜厚比が過大なため、
磁性薄膜１３相互間の磁気結合が不足で三角磁区の広が
りが支配的になり、　０．５μｍを超える膜厚では薄膜
化の効果が少なくて、高周波領域での渦流損が増加する
ものと考えられる。

【００２７】図５は磁性薄膜１３の膜厚を図４の結果か
ら最高の透磁率が得られた　０．２μｍに保った条件で
非磁性薄膜１４の膜厚ｔを変化させて同じく５ＭＨＺに
おける積層膜の透磁率μを測定した結果である。これか
らわかるように、非磁性薄膜１４の膜厚が０．００５〜
０．０５μｍの範囲で４０００以上の高透磁率をもつ積
層膜が得られる。なお、０．００５μｍ未満の膜厚では
磁性薄膜１３どうしが所々で互いに接触して非磁性薄膜
を介在させた効果がなく、０．０５μｍを超える膜厚で
は磁性薄膜１３間の磁気結合が不充分になるものと考え
られる。

【００２８】以上の結果に基づく最適条件により積層膜
の試料を作成して、若干の比較試料と透磁率μの周波数
特性を比較した結果を図６に示す。図中のＡが本発明に
より作成された試料であり、　０．２μｍの膜厚のＣｏ
合金の磁性薄膜１３と０．０２μｍの膜厚のＴａの非磁
性薄膜１４をいずれもＤＣマグネトロンスパッタ法によ
り５ｘ１０−７Ｔｏｒｒの事前排気の真空度と　０．８
ｍＴｏｒｒのスパッタガス圧力の条件下で全体膜厚１μ
ｍにスパッタした積層膜である。これとの比較試料は次
の３種とした。

【００２９】 試料Ｂ１：試料Ａと同条件でスパッタした膜厚１μｍの
Ｃｏ合金の単層膜である。

【００３０】 試料Ｂ２：非磁性薄膜を酸化シリコン膜とし、これとＣ
ｏ合金の磁性薄膜とを試料Ａと同じ膜厚およびスパッタ
条件で共スパッタ法により作成した全体膜厚１μｍの積
層膜である。ただし、酸化シリコンのターゲットには高
周波放電を用いた。

【００３１】 試料Ｂ３：試料Ｂ２と同じ材料，　膜厚およびスパッタ
条件により、ただしＣｏ合金と酸化シリコンのターゲッ
トを交互に放電させながら作成した全体膜厚１μｍの積
層膜である。

【００３２】なお、いずれの試料も８ｍｍ角のガラス基
体上に作成したもので、その透磁率μはシャントコア法
により測定した。

【００３３】図６からわかるように、単層膜の比較試料
Ｂ１では周波数が低い範囲での透磁率は高いが、周波数
が高い範囲では透磁率が著しく低下してしまう。非磁性
薄膜に酸化シリコンを用いた積層膜の比較試料Ｂ２では
、透磁率の周波数依存性がかなり改善されて積層構造と
した効果は一応認められるものの、透磁率のレベルが低
くて４０００に達しないので磁気ヘッドには不適である
。比較試料Ｂ３では、ターゲットの放電を切り換えるこ
とにより磁性薄膜のスパッタ時の酸素発生量を減少させ
てその影響を軽減したので、比較試料Ｂ２より透磁率の
レベルがかなり向上しているものの、なお５ＭＨＺ付近
の高周波領域では透磁率の値が４０００を若干下回り、
磁気ヘッド用にはまだ不足気味である。

【００３４】これらと比較して、本発明による試料Ａで
は透磁率μのレベルが５０００程度まで向上しており、
しかも周波数依存性が僅かで５ＭＨＺの高周波領域でも
４７００程度の高透磁率を維持している。これは、非磁
性薄膜に酸素を含有しない材料を用いたため磁性薄膜が
その影響を受けることがなく、この実施例ではＣｏ合金
が本来もつ高透磁率がよく発揮されたものと考えられる
。また、周波数依存性が僅かなことから非磁性薄膜に金
属，　この例ではＴａを用いてもあまり大きな渦流損が
発生していないことがわかる。

【００３５】このように本発明による薄膜磁気ヘッドで
は、軟磁性の磁性金属からなる磁性薄膜と非磁性金属か
らなる非磁性薄膜とを、スパッタ法等によりそれぞれ適
宜な膜厚で交互に積層してその磁気回路用の積層膜を構
成することにより、データの高密度記録に必要な５ＭＨ
Ｚ程度の高周波領域でも少なくとも４０００以上の高透
磁率を持たせて、その読み書き性能を高めることができ
る。なお、非磁性薄膜に窒化シリコン等の絶縁性の窒化
化合物を用いた場合も磁性薄膜に対する酸素の悪影響が
ないのは同様であり、かつ高周波領域での渦流損を減少
させて透磁率の周波数依存性をさらに向上することがで
きる。

【００３６】以上説明した実施例に限らず、本発明は種
々の態様で実施することができる。例えば、実施例では
磁性薄膜をＣｏ合金とし非磁性薄膜をＴａとしたが、両
薄膜材料にはこの他にも種々な選択が可能である。また
、磁性薄膜のスパッタリング時に数十Ｏｅ程度の磁界を
所望の方向に掛けることにより磁性薄膜の磁化特性に異
方性を持たせて積層膜の透磁率をさらに高めることがで
きる。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したとおり本発明による薄膜磁
気ヘッドでは、軟磁性をもつ磁性金属からなる磁性薄膜
と非磁性金属ないしは絶縁性の窒化化合物からなる非磁
性薄膜とを交互に積層してなる積層膜によりその磁気回
路を形成することにより、またその製造方法では、この
積層膜をあらかじめ高真空に排気処理された真空槽内で
磁性金属からなる磁性薄膜と非磁性材料からなる非磁性
薄膜をスパッタ法により交互に被着して形成することに
よって、次の効果を得ることができる。

【００３８】 （ａ）　非磁性薄膜に酸素を含有しない非磁性金属ない
し絶縁性の窒化化合物を用いるので、磁性薄膜を酸素を
含まないスパッタふん囲気ガス中で成膜することができ
、磁性薄膜用の磁性金属に対する酸素の悪影響をなくし
て磁性金属が本来もつ高い透磁率を磁気回路用の積層膜
に持たせることができる。また、積層膜を構成する磁性
薄膜と非磁性薄膜の膜厚を適切に設定することにより渦
流損を減少させて透磁率の周波数依存性を向上し、この
高透磁率を高周波領域でも維持することができる。従っ
て、本発明によってとくに高記録密度用の薄膜磁気ヘッ
ドの読み書き性能を従来より格段に高めることができる
。

【００３９】 （ｂ）　磁性薄膜用の磁性金属がＣｏ系金属のように高
飽和磁化密度の材料の場合にも磁気回路用の積層膜に高
周波領域で高透磁率を持たせることができるので、本発
明によりデータ記録媒体に高保磁力の材料を用いる磁気
ディスク記憶装置に対して高記録密度に適する高性能の
薄膜磁気ヘッドを提供できる。

【００４０】 （ｃ）　磁性薄膜と非磁性薄膜を交互に同じ真空槽内で
共スパッタ法により連続成膜して、磁気回路用の積層膜
を短時間内に能率的に形成できるので、本発明はとくに
薄膜磁気ヘッドの量産に有利な利点を有する。

【００４１】このように、本発明は高密度記録に適する
優れた性能の薄膜磁気ヘッドの量産を可能にするもので
、本発明の実施により磁気ディスク記憶装置の一層の大
記憶容量化と読み書き性能の向上に貢献することが期待
される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による薄膜磁気ヘッドの実施例の一部拡
大断面図とその磁気回路用積層膜の要部拡大断面図であ
る。

【図２】積層膜用磁性薄膜のスパッタ前の排気処理時の
真空度がその保磁力に与える影響を示す線図である。

【図３】磁性薄膜のスパッタ時のふん囲気ガス圧力がそ
の保磁力に与える影響を示す線図である。

【図４】磁性薄膜の膜厚と積層膜の透磁率の関係を示す
線図である。

【図５】非磁性薄膜の膜厚と積層膜の透磁率の関係を示
す線図である。

【図６】本発明による積層膜の透磁率およびその周波数
依存性を若干の比較試料と対比して示す線図である。

【図７】本発明が対象とする薄膜磁気ヘッドの構造を示
す上面図である。

【図８】従来の薄膜磁気ヘッドの一部拡大断面図である
。

【図９】従来の薄膜磁気ヘッドの磁気コア用磁極膜の先
端部内の六角磁区と三角磁区の配列状態を示すその斜視
図である。 １０　　薄膜磁極ヘッドの磁気回路ないし磁性コア１１
　　下側積層膜 １２　　上側積層膜 １３　　磁性薄膜 １４　　非磁性薄膜 ２０　　ギャップ膜 Ｇ　　読み書き用ギャップ ｇ　　ギャップ長 Ｈｃ　　保磁力 μ　　透磁率 ｐ　　スパッタ前排気処理の真空度ないしスパッタ時の
ふん囲気圧力 ｔ　　磁性薄膜ないし非磁性薄膜の膜厚ｗ　　ギャップ
幅

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気回路が薄膜により構成される磁気ヘッ
   ドであって、磁気回路が軟磁性をもつ磁性金属からなる
   磁性薄膜と非磁性金属からなる非磁性薄膜を交互に積層
   してなる積層膜から形成されることを特徴とする薄膜磁
   気ヘッド。
2. 【請求項２】請求項１に記載のヘッドにおいて、磁性薄
   膜が　０．１〜０．５　μｍの膜厚のＣｏ系金属の非晶
   質膜であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】請求項１に記載のヘッドにおいて、非磁性
   薄膜が　０．００５〜０．０５μｍの膜厚とされること
   を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】磁気回路が薄膜により構成される磁気ヘッ
   ドであって、磁気回路が軟磁性をもつ磁性金属からなる
   磁性薄膜と絶縁性の窒化化合物からなる非磁性薄膜とを
   交互に積層してなる積層膜から形成されることを特徴と
   する薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】磁気回路が薄膜を積層して構成される磁気
   ヘッドの製造方法であって、磁気回路を構成する積層膜
   をあらかじめ高真空に排気処理された真空槽内で軟磁性
   をもつ磁性金属からなる磁性薄膜と非磁性材料からなる
   非磁性薄膜とをスパッタ法によって交互に被着して積層
   膜を形成するようにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
   ドの製造方法。
6. 【請求項６】請求項５に記載の方法において、積層膜の
   磁性薄膜と非磁性薄膜とをスパッタ法により被着する際
   の真空槽内のガス圧力を数ｍＴｏｒｒ以下に保つように
   したことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。