JPH0546943A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPH0546943A JPH0546943A JP22652691A JP22652691A JPH0546943A JP H0546943 A JPH0546943 A JP H0546943A JP 22652691 A JP22652691 A JP 22652691A JP 22652691 A JP22652691 A JP 22652691A JP H0546943 A JPH0546943 A JP H0546943A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果素子が薄膜磁気変換素子の製造
プロセスによる悪影響を受けることのない薄膜磁気ヘッ
ドを提供する。 【構成】 薄膜磁気ヘッドは基体１の上に、書き込み素
子となる誘導型の薄膜磁気変換素子２及び読み出し素子
となる磁気抵抗効果素子３を積層して設けている。磁気
抵抗効果素子３は薄膜磁気変換素子２の上に設けられて
いる
プロセスによる悪影響を受けることのない薄膜磁気ヘッ
ドを提供する。 【構成】 薄膜磁気ヘッドは基体１の上に、書き込み素
子となる誘導型の薄膜磁気変換素子２及び読み出し素子
となる磁気抵抗効果素子３を積層して設けている。磁気
抵抗効果素子３は薄膜磁気変換素子２の上に設けられて
いる
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基体の上に、書き込み
素子となる誘導型薄膜磁気変換素子及び読み出し素子と
なる磁気抵抗効果素子を積層して設けた薄膜磁気ヘッド
に関する。
素子となる誘導型薄膜磁気変換素子及び読み出し素子と
なる磁気抵抗効果素子を積層して設けた薄膜磁気ヘッド
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、浮上型の薄膜磁気ヘッドとして
は、誘導型薄膜磁気変換素子を読み書き素子として使用
したものが最もよく知られている。誘導型薄膜磁気変換
素子を用いた薄膜磁気ヘッドにおいて、高い読み出し出
力を得るには、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間の相対
速度を上げるか、または、コイルのターン数を増大させ
る必要がある。しかし、磁気ディスクが小型化される傾
向にあるため、相対速度の高速化による読み出し出力の
増大は実情に合わない。コイルのターン数増大による読
み出し出力は、コイルのインダクタンス及び直流抵抗値
の増大を招き、高周波特性を悪化させ、高速読み出しに
適応できなくなる。かかる問題点を解決する手段とし
て、読み出し素子を磁気抵抗効果素子によって構成し、
誘導型薄膜磁気変換素子は書込み専用として用いるよう
にした技術が提案されている。公知技術文献としては、
例えば特公昭５９−３５０８８号公報がある。この先行
技術においては、磁気抵抗効果素子の上に誘導型薄膜磁
気変換素子を積層して設けた構造となっている。
は、誘導型薄膜磁気変換素子を読み書き素子として使用
したものが最もよく知られている。誘導型薄膜磁気変換
素子を用いた薄膜磁気ヘッドにおいて、高い読み出し出
力を得るには、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間の相対
速度を上げるか、または、コイルのターン数を増大させ
る必要がある。しかし、磁気ディスクが小型化される傾
向にあるため、相対速度の高速化による読み出し出力の
増大は実情に合わない。コイルのターン数増大による読
み出し出力は、コイルのインダクタンス及び直流抵抗値
の増大を招き、高周波特性を悪化させ、高速読み出しに
適応できなくなる。かかる問題点を解決する手段とし
て、読み出し素子を磁気抵抗効果素子によって構成し、
誘導型薄膜磁気変換素子は書込み専用として用いるよう
にした技術が提案されている。公知技術文献としては、
例えば特公昭５９−３５０８８号公報がある。この先行
技術においては、磁気抵抗効果素子の上に誘導型薄膜磁
気変換素子を積層して設けた構造となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特公昭
５９−３５０８８号公報に開示されるごとく、磁気抵抗
効果素子の上に誘導型薄膜磁気変換素子を積層して設け
た構造では次のような問題点を生じる。
５９−３５０８８号公報に開示されるごとく、磁気抵抗
効果素子の上に誘導型薄膜磁気変換素子を積層して設け
た構造では次のような問題点を生じる。
【０００４】誘導型磁気変換素子は、ＩＣ製造ティクノ
ロジと同様のフォトリソグラフィによる高精度パターン
形成工程、スパッタリング等による薄膜形成工程、熱処
理工程等を含む複雑な工程を通して製造される。磁気抵
抗効果素子の上に誘導型薄膜磁気変換素子を積層して設
けた従来構造では、磁気抵抗効果素子が誘導型磁気変換
素子の製造プロセス全体を通してその影響下におかれ
る。このため、磁気抵抗効果素子用の磁気バイアス手段
を減磁させたり、磁気的に焼鈍させたり、磁気異方性を
破壊したりするおそれがある。また、破壊されなくとも
劣化され、磁気抵抗効果素子の寿命の低下を招く。
ロジと同様のフォトリソグラフィによる高精度パターン
形成工程、スパッタリング等による薄膜形成工程、熱処
理工程等を含む複雑な工程を通して製造される。磁気抵
抗効果素子の上に誘導型薄膜磁気変換素子を積層して設
けた従来構造では、磁気抵抗効果素子が誘導型磁気変換
素子の製造プロセス全体を通してその影響下におかれ
る。このため、磁気抵抗効果素子用の磁気バイアス手段
を減磁させたり、磁気的に焼鈍させたり、磁気異方性を
破壊したりするおそれがある。また、破壊されなくとも
劣化され、磁気抵抗効果素子の寿命の低下を招く。
【０００５】そこで、本発明の主な課題は、磁気抵抗効
果素子が薄膜磁気変換素子の製造プロセスによる悪影響
を受けることのない薄膜磁気ヘッドを提供することであ
る。
果素子が薄膜磁気変換素子の製造プロセスによる悪影響
を受けることのない薄膜磁気ヘッドを提供することであ
る。
【０００６】本発明の別の課題は、薄膜磁気変換素子上
での磁気抵抗効果素子の積層化の容易な薄膜磁気ヘッド
を提供することである。
での磁気抵抗効果素子の積層化の容易な薄膜磁気ヘッド
を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】主な課題解決のため、本
発明は、基体の上に、書き込み素子となる誘導型の薄膜
磁気変換素子及び読み出し素子となる磁気抵抗効果素子
を積層して設けた薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵
抗効果素子は、前記薄膜磁気変換素子の上に設けられて
いることを特徴とする。
発明は、基体の上に、書き込み素子となる誘導型の薄膜
磁気変換素子及び読み出し素子となる磁気抵抗効果素子
を積層して設けた薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵
抗効果素子は、前記薄膜磁気変換素子の上に設けられて
いることを特徴とする。
【０００８】更に別の課題解決のため、前記基体は、表
面に凹部を有しており、前記薄膜磁気変換素子は、大部
分が前記凹部内に配置されていることを特徴とする。
面に凹部を有しており、前記薄膜磁気変換素子は、大部
分が前記凹部内に配置されていることを特徴とする。
【０００９】
【作用】磁気抵抗効果素子は薄膜磁気変換素子の上に設
けられているので、誘導型磁気変換素子を形成した後に
磁気抵抗効果素子を形成できる。このため、磁気抵抗効
果素子が誘導型薄膜磁気変換素子の製造プロセスによる
悪影響を受けることがなくなり、磁気バイアス効果を減
磁させたり、磁気異方性を破壊したりすることがなくな
る。
けられているので、誘導型磁気変換素子を形成した後に
磁気抵抗効果素子を形成できる。このため、磁気抵抗効
果素子が誘導型薄膜磁気変換素子の製造プロセスによる
悪影響を受けることがなくなり、磁気バイアス効果を減
磁させたり、磁気異方性を破壊したりすることがなくな
る。
【００１０】基体は表面に凹部を有しており、薄膜磁気
変換素子は大部分が凹部内に配置されているから、薄膜
磁気変換素子上での磁気抵抗効果素子の積層化が容易に
なる。
変換素子は大部分が凹部内に配置されているから、薄膜
磁気変換素子上での磁気抵抗効果素子の積層化が容易に
なる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明に係る面内記録再生用の薄膜磁
気ヘッドの要部における断面図である。図において、１
はAl2O3.TiC 等のセラミックで構成された基体、２は書
き込み素子となる誘導型の薄膜磁気変換素子、３は読み
出し素子となる磁気抵抗効果素子、４は磁気抵抗効果素
子３に対する磁気シ−ルドを行なう上部シ−ルドであ
る。基体１は、通常、スライダである。
気ヘッドの要部における断面図である。図において、１
はAl2O3.TiC 等のセラミックで構成された基体、２は書
き込み素子となる誘導型の薄膜磁気変換素子、３は読み
出し素子となる磁気抵抗効果素子、４は磁気抵抗効果素
子３に対する磁気シ−ルドを行なう上部シ−ルドであ
る。基体１は、通常、スライダである。
【００１２】誘導型磁気変換素子２は、磁性膜２１、２
３及びコイル膜２４１、２４２を有し、スパッタリング
等による薄膜形成工程、フォトリソグラフィによる高精
度パターン形成工程、熱処理工程等を経て基体１の上に
形成されている。
３及びコイル膜２４１、２４２を有し、スパッタリング
等による薄膜形成工程、フォトリソグラフィによる高精
度パターン形成工程、熱処理工程等を経て基体１の上に
形成されている。
【００１３】磁気抵抗効果素子３は薄膜磁気変換素子２
の上に層間絶縁膜６を介して積層されている。磁気抵抗
効果素子３はＮｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ等の強磁性薄膜材
料を用いて形成されている。磁気抵抗効果素子３には、
通常、入力磁界に対して直線性のよい検出信号を得るた
めバイアス磁界が加えられる。バイアス磁界を発生する
手段として、磁気抵抗効果素子３に直接バイアス導体膜
を成膜し、バイアス導体膜に流す電流による発生磁界を
利用してバイアスを加えるシャントバイアス方式、磁気
抵抗効果素子３に近接して薄膜永久磁石を配置し、薄膜
永久磁石の発生磁界を利用するマグネットバイアス方式
等が採用される。
の上に層間絶縁膜６を介して積層されている。磁気抵抗
効果素子３はＮｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ等の強磁性薄膜材
料を用いて形成されている。磁気抵抗効果素子３には、
通常、入力磁界に対して直線性のよい検出信号を得るた
めバイアス磁界が加えられる。バイアス磁界を発生する
手段として、磁気抵抗効果素子３に直接バイアス導体膜
を成膜し、バイアス導体膜に流す電流による発生磁界を
利用してバイアスを加えるシャントバイアス方式、磁気
抵抗効果素子３に近接して薄膜永久磁石を配置し、薄膜
永久磁石の発生磁界を利用するマグネットバイアス方式
等が採用される。
【００１４】上部シ−ルド４はフェライト等の磁性材料
で形成され、磁気抵抗効果素子３の上に層間絶縁膜７を
介して積層されている。上部シ−ルド４は保護膜５によ
り保護されている。
で形成され、磁気抵抗効果素子３の上に層間絶縁膜７を
介して積層されている。上部シ−ルド４は保護膜５によ
り保護されている。
【００１５】上述のように、磁気抵抗効果素子３は誘導
型磁気変換素子２の上に積層して設ける構造となってい
るため、誘導型磁気変換素子２を形成した後に、磁気抵
抗効果素子３を形成できる。このため、磁気抵抗効果素
子３の磁気バイアス効果を減磁させたり、磁気的に焼鈍
させたり、磁気異方性を破壊したりするおそれがなくな
る。
型磁気変換素子２の上に積層して設ける構造となってい
るため、誘導型磁気変換素子２を形成した後に、磁気抵
抗効果素子３を形成できる。このため、磁気抵抗効果素
子３の磁気バイアス効果を減磁させたり、磁気的に焼鈍
させたり、磁気異方性を破壊したりするおそれがなくな
る。
【００１６】更に、基体１はアルティック（Al2O3.TiC
）部１１の表面にAl2O3 またはSiO2等でなる絶縁膜１
２を設け、この絶縁膜１２に凹部１３を形成してある。
凹部１３はイオンミ−リング等の手段によって形成でき
る。薄膜磁気変換素子２は大部分が凹部１３内に配置さ
れている。このため、薄膜磁気変換素子２を凹部１３内
に配置した後に平坦な表面を容易に得ることができ、薄
膜磁気変換素子２上での磁気抵抗効果素子３及び上部磁
気シ−ルド４の積層化の容易な薄膜磁気ヘッドを提供で
きる。
）部１１の表面にAl2O3 またはSiO2等でなる絶縁膜１
２を設け、この絶縁膜１２に凹部１３を形成してある。
凹部１３はイオンミ−リング等の手段によって形成でき
る。薄膜磁気変換素子２は大部分が凹部１３内に配置さ
れている。このため、薄膜磁気変換素子２を凹部１３内
に配置した後に平坦な表面を容易に得ることができ、薄
膜磁気変換素子２上での磁気抵抗効果素子３及び上部磁
気シ−ルド４の積層化の容易な薄膜磁気ヘッドを提供で
きる。
【００１７】実施例において、薄膜磁気変換素子２は、
磁性膜２１と、磁性膜２１と共に磁気回路を構成するコ
イル膜２４１、２４２と、コイル膜２４１、２４２を支
持する絶縁膜２５１〜２５３とを有し、少なくともコイ
ル膜２４１、２４２及び絶縁膜２５１〜２５３は凹部１
３内に配置された構成となっている。磁性膜２１はＮｉ
−Ｆｅ等の磁性材料で形成され、スパッタリング等の手
段によって凹部１３の底面上に設けられている。絶縁膜
２５１〜２５３はノボラック樹脂等の有機絶縁樹脂で形
成され、絶縁膜２５１は磁性膜２１上に設けられてい
る。コイル膜２４１、２４２はＣｕ等の導体材料で形成
され、コイル膜２４１は絶縁膜２５１上に設けられてい
る。コイル膜２４１の上にはコイル膜２４１及び２４２
を絶縁する絶縁膜２５２が設けられている。絶縁膜２５
２の上にコイル膜２４２が設けられ、コイル膜２４２の
上に絶縁膜２５３が設けられている。図示はコイル膜２
４１、２４２の二層構造となっているが、コイル膜は一
層でも三層以上でもよい。コイル膜を多層化した場合に
も薄膜磁気変換素子２の突出が防止され、磁気抵抗効果
素子３及び上部磁気シ−ルド４の積層化の容易な薄膜磁
気ヘッドを提供できる。
磁性膜２１と、磁性膜２１と共に磁気回路を構成するコ
イル膜２４１、２４２と、コイル膜２４１、２４２を支
持する絶縁膜２５１〜２５３とを有し、少なくともコイ
ル膜２４１、２４２及び絶縁膜２５１〜２５３は凹部１
３内に配置された構成となっている。磁性膜２１はＮｉ
−Ｆｅ等の磁性材料で形成され、スパッタリング等の手
段によって凹部１３の底面上に設けられている。絶縁膜
２５１〜２５３はノボラック樹脂等の有機絶縁樹脂で形
成され、絶縁膜２５１は磁性膜２１上に設けられてい
る。コイル膜２４１、２４２はＣｕ等の導体材料で形成
され、コイル膜２４１は絶縁膜２５１上に設けられてい
る。コイル膜２４１の上にはコイル膜２４１及び２４２
を絶縁する絶縁膜２５２が設けられている。絶縁膜２５
２の上にコイル膜２４２が設けられ、コイル膜２４２の
上に絶縁膜２５３が設けられている。図示はコイル膜２
４１、２４２の二層構造となっているが、コイル膜は一
層でも三層以上でもよい。コイル膜を多層化した場合に
も薄膜磁気変換素子２の突出が防止され、磁気抵抗効果
素子３及び上部磁気シ−ルド４の積層化の容易な薄膜磁
気ヘッドを提供できる。
【００１８】更に、磁性膜は下部磁性膜２１と、上部磁
性膜２３とを含んで構成されている。下部磁性膜２１は
凹部１３の底面上に設けられている。上部磁性膜２３は
絶縁膜２５３の上に設けられている。下部磁性膜２１び
上部磁性膜２３は、先端部が変換ギャップを構成するポ
ール部２１１、２３１となっていて、後方側２１２、２
３２が磁気回路を完成するように結合されている。ポー
ル部２１１、２３１はギャップ膜２２によって隔てられ
ている。コイル膜２４１、２４２は結合部２１２、２３
２の回りに渦巻き状に設けられている。コイル膜２４
１、２４２は結合子２４３によって接続されている。
性膜２３とを含んで構成されている。下部磁性膜２１は
凹部１３の底面上に設けられている。上部磁性膜２３は
絶縁膜２５３の上に設けられている。下部磁性膜２１び
上部磁性膜２３は、先端部が変換ギャップを構成するポ
ール部２１１、２３１となっていて、後方側２１２、２
３２が磁気回路を完成するように結合されている。ポー
ル部２１１、２３１はギャップ膜２２によって隔てられ
ている。コイル膜２４１、２４２は結合部２１２、２３
２の回りに渦巻き状に設けられている。コイル膜２４
１、２４２は結合子２４３によって接続されている。
【００１９】上部磁性膜２３は絶縁膜２５３上に平坦化
して形成できるので、磁気抵抗効果素子３及び上部シ−
ルド４の積層が容易になると共に、上部シ−ルド４の磁
気抵抗効果素子３に対する磁気シ−ルドの一方として利
用することができる。
して形成できるので、磁気抵抗効果素子３及び上部シ−
ルド４の積層が容易になると共に、上部シ−ルド４の磁
気抵抗効果素子３に対する磁気シ−ルドの一方として利
用することができる。
【００２０】図２は別の実施例に係る面内記録再生用の
薄膜磁気ヘッドの要部における断面図である。図におい
て、図１と同一参照符号は同一性ある構成部分を示して
いる。本実施例の特徴は、アルティック部１１に直接に
凹部１３を設けたことである。凹部１３の表面に絶縁膜
１２を形成する以外は図１に示した実施例と同一である
ので、同一の作用及び効果が得られる。
薄膜磁気ヘッドの要部における断面図である。図におい
て、図１と同一参照符号は同一性ある構成部分を示して
いる。本実施例の特徴は、アルティック部１１に直接に
凹部１３を設けたことである。凹部１３の表面に絶縁膜
１２を形成する以外は図１に示した実施例と同一である
ので、同一の作用及び効果が得られる。
【００２１】実施例では、面内記録再生用薄膜磁気ヘッ
ドについて述べたが、本発明は垂直記録再生用の薄膜磁
気ヘッドについても同様に適用できる。
ドについて述べたが、本発明は垂直記録再生用の薄膜磁
気ヘッドについても同様に適用できる。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係る薄膜磁
気ヘッドによれば、次のような効果が得られる。 （ａ）磁気抵抗効果素子は薄膜磁気変換素子の上に設け
る構成にしてあるので、磁気抵抗効果素子が薄膜磁気変
換素子の製造プロセスによる悪影響を受けることのない
薄膜磁気ヘッドを提供できる。 （ｂ）基体は表面に凹部を有しており、薄膜磁気変換素
子は大部分が凹部内に配置されているから、薄膜磁気変
換素子上での磁気抵抗効果素子の積層化の容易な薄膜磁
気ヘッドを提供できる。
気ヘッドによれば、次のような効果が得られる。 （ａ）磁気抵抗効果素子は薄膜磁気変換素子の上に設け
る構成にしてあるので、磁気抵抗効果素子が薄膜磁気変
換素子の製造プロセスによる悪影響を受けることのない
薄膜磁気ヘッドを提供できる。 （ｂ）基体は表面に凹部を有しており、薄膜磁気変換素
子は大部分が凹部内に配置されているから、薄膜磁気変
換素子上での磁気抵抗効果素子の積層化の容易な薄膜磁
気ヘッドを提供できる。
【図１】本発明に係る面内記録再生用の薄膜磁気ヘッド
の要部における断面図である。
の要部における断面図である。
【図２】本発明の別の実施例に係る面内記録再生用の薄
膜磁気ヘッドの要部における断面図である。
膜磁気ヘッドの要部における断面図である。
１ 基体 ２ 薄膜磁気変換素子 ３ 磁気抵抗効果素子 ４ 上部シ−ルド
Claims (4)
- 【請求項１】 基体の上に、書き込み素子となる誘導型
の薄膜磁気変換素子及び読み出し素子となる磁気抵抗効
果素子を積層して設けた薄膜磁気ヘッドであって、 前記磁気抵抗効果素子は、前記薄膜磁気変換素子の上に
設けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記基体は、表面に凹部を有しており、 前記薄膜磁気変換素子は、大部分が前記凹部内に配置さ
れていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項３】 前記薄膜磁気変換素子は、磁性膜と、前
記磁性膜と共に磁気回路を構成するコイル膜と、前記コ
イル膜を支持する絶縁膜とを有しており、 少なくとも前記コイル膜及び前記絶縁膜は、前記凹部内
に配置されていることを特徴とする請求項１または２に
記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記磁性膜は、下部磁性膜と、上部磁性
膜とを含み下部磁性膜は、前記凹部の底面に設けられて
おり、 前記上部磁性膜は、前記絶縁膜の上に設けられており、 前記下部磁性膜及び上部磁性膜は、先端部が変換ギャッ
プを構成するポール部となっていて、後方側が磁気回路
を完成するように結合されており、 前記コイル膜は、結合部の回りに渦巻き状に設けられて
いることを特徴とする請求項３に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22652691A JPH0546943A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22652691A JPH0546943A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0546943A true JPH0546943A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16846514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22652691A Withdrawn JPH0546943A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0546943A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06295418A (ja) * | 1993-04-09 | 1994-10-21 | Nec Corp | 複合型磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
| US6259585B1 (en) | 1997-01-25 | 2001-07-10 | Tdk Corporation | Inverted hybrid thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
| US6671135B2 (en) | 1997-12-12 | 2003-12-30 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head recessed partially into substrate and including planarization layers |
-
1991
- 1991-08-12 JP JP22652691A patent/JPH0546943A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06295418A (ja) * | 1993-04-09 | 1994-10-21 | Nec Corp | 複合型磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
| US6259585B1 (en) | 1997-01-25 | 2001-07-10 | Tdk Corporation | Inverted hybrid thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
| US6542339B1 (en) | 1997-01-25 | 2003-04-01 | Tdk Corporation | Inverted hybrid thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
| US6671135B2 (en) | 1997-12-12 | 2003-12-30 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head recessed partially into substrate and including planarization layers |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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