JPH07287819A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH07287819A JPH07287819A JP6080397A JP8039794A JPH07287819A JP H07287819 A JPH07287819 A JP H07287819A JP 6080397 A JP6080397 A JP 6080397A JP 8039794 A JP8039794 A JP 8039794A JP H07287819 A JPH07287819 A JP H07287819A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲ膜に印加されるバイアス磁界を安定且つ
均一に得て、さらに下部及び上部磁性磁極の磁気特性及
びヘッド諸特性を安定化させる。 【構成】 反強磁性材料よりなる反強磁性層２１と、軟
磁性材料よりなる軟磁性層２２と、非磁性材料よりなる
バッファ層２３を介して磁気抵抗効果膜２４とを順次積
層して構成する。さらに、本実施例においては、反強磁
性層２１の下部にこの反強磁性層２１の反強磁性特性を
助長するための下地層２５を成膜する。
均一に得て、さらに下部及び上部磁性磁極の磁気特性及
びヘッド諸特性を安定化させる。 【構成】 反強磁性材料よりなる反強磁性層２１と、軟
磁性材料よりなる軟磁性層２２と、非磁性材料よりなる
バッファ層２３を介して磁気抵抗効果膜２４とを順次積
層して構成する。さらに、本実施例においては、反強磁
性層２１の下部にこの反強磁性層２１の反強磁性特性を
助長するための下地層２５を成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体からの記
録磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果薄膜を用
い、その抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
録磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果薄膜を用
い、その抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置における小型
大容量化が進行する中で、特にノート型パーソナルコン
ピュータに代表されるような可搬型コンピュータへの適
用が考慮される用途では、例えば２．５インチ程度の小
型ハードディスク装置に対する要求が高まっている。
大容量化が進行する中で、特にノート型パーソナルコン
ピュータに代表されるような可搬型コンピュータへの適
用が考慮される用途では、例えば２．５インチ程度の小
型ハードディスク装置に対する要求が高まっている。
【０００３】このような小型ハードディスクでは、ディ
スク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出力が
媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、再生
出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。
スク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出力が
媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、再生
出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。
【０００４】これに対して、磁界によって抵抗率が変化
する磁気抵抗効果素子（以下、単にＭＲ素子と称す
る。）の抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、単にＭＲ薄膜ヘッドと
称する。）は、その再生出力が媒体速度に依存せず、低
媒体速度でも高再生出力が得られるという特徴を有する
ため、小型ハードディスクにおいて大容量化を実現する
磁気ヘッドとして注目されている。
する磁気抵抗効果素子（以下、単にＭＲ素子と称す
る。）の抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、単にＭＲ薄膜ヘッドと
称する。）は、その再生出力が媒体速度に依存せず、低
媒体速度でも高再生出力が得られるという特徴を有する
ため、小型ハードディスクにおいて大容量化を実現する
磁気ヘッドとして注目されている。
【０００５】上記ＭＲ薄膜ヘッドは、スライダ材上に、
薄膜技術により上記ＭＲ素子や電極膜、絶縁層等を成膜
し、フォトリソ技術によってこれらを所定形状にエッチ
ングすることにより形成され、再生時のギャップ長を規
定して不要な磁束の上記ＭＲ素子への浸入を防止するた
めに、シールド材となる下部磁性磁極及び上部磁性磁極
を上下に配したシールドを採用している。
薄膜技術により上記ＭＲ素子や電極膜、絶縁層等を成膜
し、フォトリソ技術によってこれらを所定形状にエッチ
ングすることにより形成され、再生時のギャップ長を規
定して不要な磁束の上記ＭＲ素子への浸入を防止するた
めに、シールド材となる下部磁性磁極及び上部磁性磁極
を上下に配したシールドを採用している。
【０００６】具体的に、例えば、センス電流がトラック
幅方向と直交する方向に流れる、いわゆる縦型のＭＲ薄
膜ヘッドは、図９に示すように、非磁性の基板１０１上
に絶縁層１０２，下部磁性磁極１０３となる軟磁性膜及
び絶縁層１０４が順次積層され、この絶縁層１０４上
に、ＭＲ素子１０５が、その長手方向が磁気記録媒体と
の対向面（磁気記録媒体摺動面ａ）と垂直になるように
配され、且つその一方の端面が磁気記録媒体摺動面ａに
露出するかたちに形成されている。さらに、ＭＲ素子１
０５の両端部上に、このＭＲ素子１０５にセンス電流を
提供するための前端電極１０７ａ及び後端電極１０７ｂ
が設けられ、ＭＲ素子１０５と前端及び後端電極１０７
ａ，１０７ｂ上に絶縁層１０６が形成されている。そし
て、この絶縁層１０６内にはＭＲ素子１０５と対向して
バイアス導体１０８が配され、上記絶縁層１０６上に上
部磁性磁極１０９となる軟磁性膜が積層されて上記ＭＲ
薄膜ヘッドが構成されている。
幅方向と直交する方向に流れる、いわゆる縦型のＭＲ薄
膜ヘッドは、図９に示すように、非磁性の基板１０１上
に絶縁層１０２，下部磁性磁極１０３となる軟磁性膜及
び絶縁層１０４が順次積層され、この絶縁層１０４上
に、ＭＲ素子１０５が、その長手方向が磁気記録媒体と
の対向面（磁気記録媒体摺動面ａ）と垂直になるように
配され、且つその一方の端面が磁気記録媒体摺動面ａに
露出するかたちに形成されている。さらに、ＭＲ素子１
０５の両端部上に、このＭＲ素子１０５にセンス電流を
提供するための前端電極１０７ａ及び後端電極１０７ｂ
が設けられ、ＭＲ素子１０５と前端及び後端電極１０７
ａ，１０７ｂ上に絶縁層１０６が形成されている。そし
て、この絶縁層１０６内にはＭＲ素子１０５と対向して
バイアス導体１０８が配され、上記絶縁層１０６上に上
部磁性磁極１０９となる軟磁性膜が積層されて上記ＭＲ
薄膜ヘッドが構成されている。
【０００７】ここで、バイアス導体１０８の代わりにＣ
ｏＰｔ等の材料よりなるバイアスハード膜を用いてもよ
い。
ｏＰｔ等の材料よりなるバイアスハード膜を用いてもよ
い。
【０００８】上記ＭＲ薄膜ヘッドは、ＭＲ素子１０５を
上部磁性磁極１０９及び下部磁性磁極１０３で挟む構造
としているため、上部及び下部磁性磁極１０９，１０３
のないものと比較して、再生出力のＳ／Ｎ及び記録密度
を向上させることができる。
上部磁性磁極１０９及び下部磁性磁極１０３で挟む構造
としているため、上部及び下部磁性磁極１０９，１０３
のないものと比較して、再生出力のＳ／Ｎ及び記録密度
を向上させることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来、
ＭＲ素子１０５にバイアス磁界を印加するには、バイア
ス導体１０８や上記バイアスハード膜の如き構造体をＭ
Ｒ素子１０５の外部に設けてＭＲ素子１０５に印加する
方法が採用されている。ところがこの場合、ＭＲ薄膜ヘ
ッド内においてこのような構造体をＭＲ素子１０５に対
向して成膜する必要がある。このとき、ＭＲ素子１０５
の絶縁破壊を回避するために絶縁層１０６を厚く成膜す
る必要があり、そのため例えば上記図９において円内に
示すように、バイアス導体１０８の特にその両端部に大
きな段差が生じてしまう。バイアス導体１０８の上記両
端部はバイアス磁界や信号磁界が集中する場所であり、
このような複雑な構造となることにより、下部磁性磁極
１０３及び上部磁性磁極１０９の磁気特性が劣化し、い
わゆるバルクハイゼンノイズやポプコーンノイズ等が発
生する要因となっている。
ＭＲ素子１０５にバイアス磁界を印加するには、バイア
ス導体１０８や上記バイアスハード膜の如き構造体をＭ
Ｒ素子１０５の外部に設けてＭＲ素子１０５に印加する
方法が採用されている。ところがこの場合、ＭＲ薄膜ヘ
ッド内においてこのような構造体をＭＲ素子１０５に対
向して成膜する必要がある。このとき、ＭＲ素子１０５
の絶縁破壊を回避するために絶縁層１０６を厚く成膜す
る必要があり、そのため例えば上記図９において円内に
示すように、バイアス導体１０８の特にその両端部に大
きな段差が生じてしまう。バイアス導体１０８の上記両
端部はバイアス磁界や信号磁界が集中する場所であり、
このような複雑な構造となることにより、下部磁性磁極
１０３及び上部磁性磁極１０９の磁気特性が劣化し、い
わゆるバルクハイゼンノイズやポプコーンノイズ等が発
生する要因となっている。
【００１０】また、バイアス導体１０８や上記バイアス
ハード膜は、ＭＲ素子１０５を挟持する下部磁性磁極１
０３及び上部磁性磁極１０９を導磁路として用いるため
に、下部磁性磁極１０３及び上部磁性磁極１０９の磁気
特性や構造の影響が介在してＭＲ素子１０５に印加され
るバイアス磁界が不均一となり、上記ＭＲ薄膜磁気ヘッ
ドの動作安定性や出力に大きく影響することになる。
ハード膜は、ＭＲ素子１０５を挟持する下部磁性磁極１
０３及び上部磁性磁極１０９を導磁路として用いるため
に、下部磁性磁極１０３及び上部磁性磁極１０９の磁気
特性や構造の影響が介在してＭＲ素子１０５に印加され
るバイアス磁界が不均一となり、上記ＭＲ薄膜磁気ヘッ
ドの動作安定性や出力に大きく影響することになる。
【００１１】このように、従来のＭＲ薄膜ヘッドはその
構造が複雑であるために、製造プロセスの増大化を招
き、ヘッド特性のばらつきをもたらす要因となってい
る。
構造が複雑であるために、製造プロセスの増大化を招
き、ヘッド特性のばらつきをもたらす要因となってい
る。
【００１２】本発明は、上述の様々な課題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、形状が簡素
であるために、ＭＲ膜に印加されるバイアス磁界が安定
且つ均一に得られ、さらに下部及び上部磁性磁極の磁気
特性及びヘッド諸特性が安定化し、製造プロセスが簡略
化されて製品の歩溜り及び信頼性の大幅な向上を図るこ
とを可能とするＭＲ薄膜磁気ヘッドを提供することにあ
る。
れたものであり、その目的とするところは、形状が簡素
であるために、ＭＲ膜に印加されるバイアス磁界が安定
且つ均一に得られ、さらに下部及び上部磁性磁極の磁気
特性及びヘッド諸特性が安定化し、製造プロセスが簡略
化されて製品の歩溜り及び信頼性の大幅な向上を図るこ
とを可能とするＭＲ薄膜磁気ヘッドを提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、軟磁性体からなる下部磁性磁極と上部磁性磁極との
間に磁気抵抗効果膜を含む磁気抵抗効果部が形成されて
なるＭＲ薄膜磁気ヘッドである。具体的には、前記磁気
抵抗効果部を、反強磁性材料よりなる反強磁性層と、軟
磁性材料よりなる軟磁性層と、非磁性材料よりなるバッ
ファ層と、磁気抵抗効果膜とを順次積層することにより
形成し構成するものである。
は、軟磁性体からなる下部磁性磁極と上部磁性磁極との
間に磁気抵抗効果膜を含む磁気抵抗効果部が形成されて
なるＭＲ薄膜磁気ヘッドである。具体的には、前記磁気
抵抗効果部を、反強磁性材料よりなる反強磁性層と、軟
磁性材料よりなる軟磁性層と、非磁性材料よりなるバッ
ファ層と、磁気抵抗効果膜とを順次積層することにより
形成し構成するものである。
【００１４】この場合、上記軟磁性層を軟磁性アモルフ
ァス合金薄膜として構成してもよい。
ァス合金薄膜として構成してもよい。
【００１５】このとき、軟磁性層を反強磁性層との交換
結合により所定方向に磁化することを特徴とする。
結合により所定方向に磁化することを特徴とする。
【００１６】また、上記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
を製造するに際し、反強磁性層と軟磁性層とを積層した
後、所定磁場を印加しながらネール点以上の温度に加熱
し、ネール点以下の温度に冷却することを特徴とする。
を製造するに際し、反強磁性層と軟磁性層とを積層した
後、所定磁場を印加しながらネール点以上の温度に加熱
し、ネール点以下の温度に冷却することを特徴とする。
【００１７】
【作用】本発明に係るＭＲ薄膜ヘッドにおいては、磁気
抵抗効果部が、反強磁性層、軟磁性層、非磁性材料より
なるバッファ層、及び磁気抵抗効果膜（以下、単にＭＲ
膜と記す）の４重構造とされているので、上記ＭＲ膜に
バイアス磁界を印加するための外部構造体を設ける必要
がなく、上記ＭＲ膜にはいわゆる交換結合原理により上
記軟磁性層からバイアス磁界が印加されることになる。
この軟磁性層のバイアス磁界印加の原理は以下に示すよ
うなものである。
抵抗効果部が、反強磁性層、軟磁性層、非磁性材料より
なるバッファ層、及び磁気抵抗効果膜（以下、単にＭＲ
膜と記す）の４重構造とされているので、上記ＭＲ膜に
バイアス磁界を印加するための外部構造体を設ける必要
がなく、上記ＭＲ膜にはいわゆる交換結合原理により上
記軟磁性層からバイアス磁界が印加されることになる。
この軟磁性層のバイアス磁界印加の原理は以下に示すよ
うなものである。
【００１８】磁場中にて反強磁性層と接触成膜された軟
磁性層は、図１に示すように、図中矢印で示す磁化は無
秩序状態であり一定方向の磁場を有しない状態である。
ここで、図２に示すように、ネール点以上の温度にて印
加磁場中でアニール処理を施し、図３に示すようにネー
ル点以下の温度に冷却する。すると、反強磁性層と軟磁
性層との界面近傍において軟磁性層の磁化方向が印加磁
場方向に固定される。これが交換結合原理である。この
軟磁性層に生じた固定磁化に形状異方性も助長されて軟
磁性層は飽和した磁化状態となる。この飽和磁化による
磁界がバイアス磁界として上記ＭＲ膜に印加されること
になる。
磁性層は、図１に示すように、図中矢印で示す磁化は無
秩序状態であり一定方向の磁場を有しない状態である。
ここで、図２に示すように、ネール点以上の温度にて印
加磁場中でアニール処理を施し、図３に示すようにネー
ル点以下の温度に冷却する。すると、反強磁性層と軟磁
性層との界面近傍において軟磁性層の磁化方向が印加磁
場方向に固定される。これが交換結合原理である。この
軟磁性層に生じた固定磁化に形状異方性も助長されて軟
磁性層は飽和した磁化状態となる。この飽和磁化による
磁界がバイアス磁界として上記ＭＲ膜に印加されること
になる。
【００１９】このとき、上記磁気抵抗効果部の厚みは、
この磁気抵抗効果部から下部及び上部磁性磁極までの距
離より十分に薄いので、上記軟磁性層から発生するバイ
アス磁界のほぼ全てが上記ＭＲ膜に均一に印加する。
この磁気抵抗効果部から下部及び上部磁性磁極までの距
離より十分に薄いので、上記軟磁性層から発生するバイ
アス磁界のほぼ全てが上記ＭＲ膜に均一に印加する。
【００２０】さらに、上記軟磁性層の磁化は反強磁性層
との交換結合により固定化されて飽和状態とされている
ためにその透磁率μ＝１となる。したがって、再生磁に
おいて上記ＭＲ薄膜ヘッドに入力する信号磁束はほぼ全
て高透磁率を有する上記ＭＲ膜に集中することになる。
との交換結合により固定化されて飽和状態とされている
ためにその透磁率μ＝１となる。したがって、再生磁に
おいて上記ＭＲ薄膜ヘッドに入力する信号磁束はほぼ全
て高透磁率を有する上記ＭＲ膜に集中することになる。
【００２１】すなわち、本発明に係るＭＲ薄膜ヘッドに
おいては、上記ＭＲ膜がこのＭＲ膜にバイアス磁界を印
加するための軟磁性層とともに積層されて磁気抵抗効果
部として構成されているので、その簡素な形状によりＭ
Ｒ薄膜ヘッド全体の形状もまた簡素なものとなり、単純
な積層体である磁気抵抗効果部ではバイアス磁界のほぼ
全てが上記ＭＲ膜に印加され、さらに再生時では信号磁
束のほぼ全てが上記ＭＲ膜にかかるので、非常に効率よ
く且つ安定にＭＲ薄膜ヘッドが機能する。
おいては、上記ＭＲ膜がこのＭＲ膜にバイアス磁界を印
加するための軟磁性層とともに積層されて磁気抵抗効果
部として構成されているので、その簡素な形状によりＭ
Ｒ薄膜ヘッド全体の形状もまた簡素なものとなり、単純
な積層体である磁気抵抗効果部ではバイアス磁界のほぼ
全てが上記ＭＲ膜に印加され、さらに再生時では信号磁
束のほぼ全てが上記ＭＲ膜にかかるので、非常に効率よ
く且つ安定にＭＲ薄膜ヘッドが機能する。
【００２２】このとき、上記軟磁性層の材料としてアモ
ルファスを用いることで、その比抵抗が上記ＭＲ膜の５
〜６倍となる。したがって、上記ＭＲ薄膜ヘッドに流れ
る電流が上記ＭＲ膜に集中し、更に効率良くセンシング
し、高出力化することが可能となる。
ルファスを用いることで、その比抵抗が上記ＭＲ膜の５
〜６倍となる。したがって、上記ＭＲ薄膜ヘッドに流れ
る電流が上記ＭＲ膜に集中し、更に効率良くセンシング
し、高出力化することが可能となる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド（以下、単にＭＲ薄膜ヘッドと称する）の実施例
を図面を参照しながら説明する。
ヘッド（以下、単にＭＲ薄膜ヘッドと称する）の実施例
を図面を参照しながら説明する。
【００２４】上記実施例に係るＭＲ薄膜ヘッドは、図４
及び図５に示すように、長手方向が磁気記録媒体摺動面
ａと直交するように形成された磁気抵抗効果膜（以下、
単にＭＲ膜と称する）を含む多重積層膜である磁気抵抗
効果部１（以下、単にＭＲ部１と称する）が下部磁性磁
極２と上部磁性磁極３とで挟まれた構造となっており、
いわゆる縦型ＭＲ薄膜ヘッドとして構成されている。
及び図５に示すように、長手方向が磁気記録媒体摺動面
ａと直交するように形成された磁気抵抗効果膜（以下、
単にＭＲ膜と称する）を含む多重積層膜である磁気抵抗
効果部１（以下、単にＭＲ部１と称する）が下部磁性磁
極２と上部磁性磁極３とで挟まれた構造となっており、
いわゆる縦型ＭＲ薄膜ヘッドとして構成されている。
【００２５】具体的には、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣよりなる
非磁性基板１１上に、絶縁層１２を介してＮｉＦｅまた
はセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）よりなる磁性膜
である下部磁性磁極２が成膜され、この下部磁性磁極２
の表面上にＡｌ2 Ｏ3 よりなる絶縁層１３が積層されて
いる。
非磁性基板１１上に、絶縁層１２を介してＮｉＦｅまた
はセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）よりなる磁性膜
である下部磁性磁極２が成膜され、この下部磁性磁極２
の表面上にＡｌ2 Ｏ3 よりなる絶縁層１３が積層されて
いる。
【００２６】上記絶縁層１３上には、４重積層構造を有
するＭＲ部１が形成されている。このＭＲ部１は、図６
に示すように、反強磁性材料よりなる反強磁性層２１
と、軟磁性材料よりなる軟磁性層２２と、非磁性材料よ
りなるバッファ層２３を介して磁気抵抗効果膜２４とが
順次積層されて構成されている。さらに、本実施例にお
いては、反強磁性層２１の下部にこの反強磁性層２１の
反強磁性特性を助長するための下地層２５を成膜する。
また、上記ＭＲ膜２４の代わりに人工格子膜からなるＭ
Ｒ材、いわゆるＧＭＲ（ジャイアントＭＲ）材を用いて
もよい。
するＭＲ部１が形成されている。このＭＲ部１は、図６
に示すように、反強磁性材料よりなる反強磁性層２１
と、軟磁性材料よりなる軟磁性層２２と、非磁性材料よ
りなるバッファ層２３を介して磁気抵抗効果膜２４とが
順次積層されて構成されている。さらに、本実施例にお
いては、反強磁性層２１の下部にこの反強磁性層２１の
反強磁性特性を助長するための下地層２５を成膜する。
また、上記ＭＲ膜２４の代わりに人工格子膜からなるＭ
Ｒ材、いわゆるＧＭＲ（ジャイアントＭＲ）材を用いて
もよい。
【００２７】ここで、反強磁性層２１はＮｉＯ，ＮｉＣ
ｏＯ，ＦｅＭｎ等を材料として膜厚３〜３０ｎｍ、軟磁
性層２２はＣｏＺｎＮｂ等のアモルファスやＲｈ，Ｍｏ
等を添加元素として含有するパーマロイ合金等を材料と
して膜厚３〜１０ｎｍ、バッファ層２３は非磁性材より
なりその膜厚は３〜１０ｎｍ、ＭＲ膜２４はＦｅ−Ｎｉ
等を材料として膜厚５〜２０ｎｍ、下地層２５はＴａ，
Ｔｉ等を材料として膜厚３〜１０ｎｍに成膜される。こ
れらの膜厚は、上記ＭＲ薄膜ヘッドの動作上の感度及び
安定性からＭＲ部１の平面サイズに応じて決定される。
例えばＭＲ部１の幅Ｔｗ＝２μｍ，長さＬ＝５μｍ、膜
厚１０ｎｍのときでは、反強磁性層２１が２０ｎｍ、軟
磁性層２２が５ｎｍ、バッファ層２３が５ｎｍ、下地層
２５が５ｎｍとなる。
ｏＯ，ＦｅＭｎ等を材料として膜厚３〜３０ｎｍ、軟磁
性層２２はＣｏＺｎＮｂ等のアモルファスやＲｈ，Ｍｏ
等を添加元素として含有するパーマロイ合金等を材料と
して膜厚３〜１０ｎｍ、バッファ層２３は非磁性材より
なりその膜厚は３〜１０ｎｍ、ＭＲ膜２４はＦｅ−Ｎｉ
等を材料として膜厚５〜２０ｎｍ、下地層２５はＴａ，
Ｔｉ等を材料として膜厚３〜１０ｎｍに成膜される。こ
れらの膜厚は、上記ＭＲ薄膜ヘッドの動作上の感度及び
安定性からＭＲ部１の平面サイズに応じて決定される。
例えばＭＲ部１の幅Ｔｗ＝２μｍ，長さＬ＝５μｍ、膜
厚１０ｎｍのときでは、反強磁性層２１が２０ｎｍ、軟
磁性層２２が５ｎｍ、バッファ層２３が５ｎｍ、下地層
２５が５ｎｍとなる。
【００２８】そして、更にこのＭＲ部１上に絶縁層１４
が形成され、その上にＮｉ−Ｆｅ等の磁性膜による上部
磁性磁極３が成膜されて上記ＭＲ薄膜ヘッドが構成され
ている。
が形成され、その上にＮｉ−Ｆｅ等の磁性膜による上部
磁性磁極３が成膜されて上記ＭＲ薄膜ヘッドが構成され
ている。
【００２９】ここで、上記ＭＲ薄膜ヘッドにおいては、
ＭＲ部１を、その長手方向が磁気記録媒体との対向面、
即ち磁気記録媒体摺動面ａと垂直になるように配置し、
その一方の端面を磁気記録媒体摺動面ａに露出させたか
たちとなっている。このＭＲ部１の磁気記録媒体摺動面
ａ側の一端部分と、この一端部分から所定距離隔てた部
分に、それぞれ導電膜による電極（前端電極１７ａ及び
後端電極１７ｂ）が形成されている。これら前端電極１
７ａ及び後端電極１７ｂは、ＭＲ部１の長手方向に沿っ
て（即ち、上記磁気記録媒体摺動面ａと直交する方向
に）センス電流を流す目的で形成される。
ＭＲ部１を、その長手方向が磁気記録媒体との対向面、
即ち磁気記録媒体摺動面ａと垂直になるように配置し、
その一方の端面を磁気記録媒体摺動面ａに露出させたか
たちとなっている。このＭＲ部１の磁気記録媒体摺動面
ａ側の一端部分と、この一端部分から所定距離隔てた部
分に、それぞれ導電膜による電極（前端電極１７ａ及び
後端電極１７ｂ）が形成されている。これら前端電極１
７ａ及び後端電極１７ｂは、ＭＲ部１の長手方向に沿っ
て（即ち、上記磁気記録媒体摺動面ａと直交する方向
に）センス電流を流す目的で形成される。
【００３０】すなわち、上記ＭＲ薄膜ヘッドにおいて
は、ＭＲ素子１中、前端及び後端電極電極１７ａ，１７
ｂ間の領域が磁気抵抗効果を示すことになり、この領域
がＭＲ部１の感磁部を構成することになる。
は、ＭＲ素子１中、前端及び後端電極電極１７ａ，１７
ｂ間の領域が磁気抵抗効果を示すことになり、この領域
がＭＲ部１の感磁部を構成することになる。
【００３１】上記ＭＲ薄膜ヘッドを作製するには、先ず
Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等を材料とする非磁性基板１１上に
絶縁層１２を介して、所定のレジストパターン形成後に
イオンビームエッチング法によりＮｉ−Ｆｅ等の磁性膜
による下部磁性磁極２を形成する。
Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等を材料とする非磁性基板１１上に
絶縁層１２を介して、所定のレジストパターン形成後に
イオンビームエッチング法によりＮｉ−Ｆｅ等の磁性膜
による下部磁性磁極２を形成する。
【００３２】その後、下部磁性磁極２上にアルミナ（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）層を下部磁性磁極２が十分隠れる厚さまでス
パッタ形成し、下部磁性磁極２の表面が現れるまで研磨
を施す。
ｌ2 Ｏ3 ）層を下部磁性磁極２が十分隠れる厚さまでス
パッタ形成し、下部磁性磁極２の表面が現れるまで研磨
を施す。
【００３３】そして、下部磁性磁極２及びアルミナ層上
に同様にアルミナを材料として絶縁層１３をスパッタ形
成した後、ファイン研磨を施して絶縁層１３の表面の粗
度を良好にする。
に同様にアルミナを材料として絶縁層１３をスパッタ形
成した後、ファイン研磨を施して絶縁層１３の表面の粗
度を良好にする。
【００３４】次いで、絶縁層１３上に４重積層構造のＭ
Ｒ部１を形成する。すなわち、先ず絶縁層１３上に反強
磁性層２１の反強磁性特性を助長するための下地層２５
を成膜した後、反強磁性材料よりなる反強磁性層２１
と、軟磁性材料よりなる軟磁性層２２とを順次成膜した
後、所定磁場を印加しながらネール点以上の温度に加熱
し、ネール点以下の温度に冷却する。そして、軟磁性層
２２上に非磁性材料よりなるバッファ層２３と、ＭＲ膜
２４を積層してＭＲ部１を作製する。
Ｒ部１を形成する。すなわち、先ず絶縁層１３上に反強
磁性層２１の反強磁性特性を助長するための下地層２５
を成膜した後、反強磁性材料よりなる反強磁性層２１
と、軟磁性材料よりなる軟磁性層２２とを順次成膜した
後、所定磁場を印加しながらネール点以上の温度に加熱
し、ネール点以下の温度に冷却する。そして、軟磁性層
２２上に非磁性材料よりなるバッファ層２３と、ＭＲ膜
２４を積層してＭＲ部１を作製する。
【００３５】そして、上記ＭＲ部１の磁気記録媒体摺動
面ａ側の一端部分と、この一端部分から所定距離隔てた
部分に、それぞれ導電膜による電極（前端電極１７ａ及
び後端電極１７ｂ）をスパッタ成膜後、エッチングを施
すことにより形成する。
面ａ側の一端部分と、この一端部分から所定距離隔てた
部分に、それぞれ導電膜による電極（前端電極１７ａ及
び後端電極１７ｂ）をスパッタ成膜後、エッチングを施
すことにより形成する。
【００３６】さらに、絶縁層１４を成膜し、この絶縁層
１４上にめっき下地膜としてＴｉ／Ｎｉ−Ｆｅ膜をスパ
ッタ形成する。その後、レジストフレームを形成し、Ｎ
ｉ−Ｆｅめっきを施す。そして上記レジストフレームを
除去し、更に所定の形状にレジストを形成した後、ウェ
ットエッチングを施してレジストを除去することにより
上部磁性磁極３を形成する。
１４上にめっき下地膜としてＴｉ／Ｎｉ−Ｆｅ膜をスパ
ッタ形成する。その後、レジストフレームを形成し、Ｎ
ｉ−Ｆｅめっきを施す。そして上記レジストフレームを
除去し、更に所定の形状にレジストを形成した後、ウェ
ットエッチングを施してレジストを除去することにより
上部磁性磁極３を形成する。
【００３７】以上の工程を経ることにより、上記ＭＲ薄
膜ヘッドが完成する。
膜ヘッドが完成する。
【００３８】本実施例に係るＭＲ薄膜磁気ヘッドにおい
ては、上記ＭＲ部１が、反強磁性層２１、軟磁性層２
２、非磁性材料よりなるバッファ層２３、及びＭＲ膜２
４の４重構造とされているので、上記ＭＲ膜２４にバイ
アス磁界を印加するための外部構造体を設ける必要がな
く、ＭＲ膜２４にはいわゆる交換結合原理により上記軟
磁性層２２からバイアス磁界が印加されることになる。
ては、上記ＭＲ部１が、反強磁性層２１、軟磁性層２
２、非磁性材料よりなるバッファ層２３、及びＭＲ膜２
４の４重構造とされているので、上記ＭＲ膜２４にバイ
アス磁界を印加するための外部構造体を設ける必要がな
く、ＭＲ膜２４にはいわゆる交換結合原理により上記軟
磁性層２２からバイアス磁界が印加されることになる。
【００３９】すなわち、反強磁性層２１と接触成膜され
た軟磁性層２２が一定方向の磁場を有しない状態におい
て、ネール点以上の温度にて印加磁場中でアニール処理
を施し、その後ネール点以下の温度に冷却する。する
と、反強磁性層２１と軟磁性層２２との界面近傍におい
て軟磁性層２２の磁化方向が印加磁場方向に固定され
る。これが交換結合原理である。この軟磁性層２２に生
じた固定磁化に形状異方性も助長されて軟磁性層２２は
飽和した磁化状態となる。この飽和磁化による磁界がバ
イアス磁界として上記ＭＲ膜２４に印加されることにな
る。
た軟磁性層２２が一定方向の磁場を有しない状態におい
て、ネール点以上の温度にて印加磁場中でアニール処理
を施し、その後ネール点以下の温度に冷却する。する
と、反強磁性層２１と軟磁性層２２との界面近傍におい
て軟磁性層２２の磁化方向が印加磁場方向に固定され
る。これが交換結合原理である。この軟磁性層２２に生
じた固定磁化に形状異方性も助長されて軟磁性層２２は
飽和した磁化状態となる。この飽和磁化による磁界がバ
イアス磁界として上記ＭＲ膜２４に印加されることにな
る。
【００４０】このとき、図７に示すように、上記ＭＲ部
１の厚みｔは、この磁気抵抗効果部から下部及び上部磁
性磁極までの距離ｇ１，ｇ２より十分に薄いので、上記
軟磁性層２２から発生するバイアス磁界（図中矢印で示
す）のほぼ全てが上記ＭＲ膜１に均一に印加する。
１の厚みｔは、この磁気抵抗効果部から下部及び上部磁
性磁極までの距離ｇ１，ｇ２より十分に薄いので、上記
軟磁性層２２から発生するバイアス磁界（図中矢印で示
す）のほぼ全てが上記ＭＲ膜１に均一に印加する。
【００４１】さらに、上記軟磁性層２２の磁化は反強磁
性層２１との交換結合により固定化されて飽和状態とさ
れているためにその透磁率μ＝１となる。したがって、
再生磁において上記ＭＲ薄膜ヘッドに入力する信号磁束
はほぼ全て高透磁率を有する上記ＭＲ膜２４に集中する
ことになる。
性層２１との交換結合により固定化されて飽和状態とさ
れているためにその透磁率μ＝１となる。したがって、
再生磁において上記ＭＲ薄膜ヘッドに入力する信号磁束
はほぼ全て高透磁率を有する上記ＭＲ膜２４に集中する
ことになる。
【００４２】すなわち、本発明に係るＭＲ薄膜ヘッドに
おいては、上記ＭＲ膜２４がこのＭＲ膜２４にバイアス
磁界を印加するための軟磁性層２２とともに積層されて
上記ＭＲ部１として構成されているので、その簡素な形
状によりＭＲ薄膜ヘッド全体の形状もまた簡素なものと
なり、単純な積層体であるＭＲ部１ではバイアス磁界の
ほぼ全てが上記ＭＲ膜２４に印加され、さらに再生時で
は信号磁束のほぼ全てがＭＲ膜２４にかかるので、非常
に効率よく且つ安定にＭＲ薄膜ヘッドが機能する。
おいては、上記ＭＲ膜２４がこのＭＲ膜２４にバイアス
磁界を印加するための軟磁性層２２とともに積層されて
上記ＭＲ部１として構成されているので、その簡素な形
状によりＭＲ薄膜ヘッド全体の形状もまた簡素なものと
なり、単純な積層体であるＭＲ部１ではバイアス磁界の
ほぼ全てが上記ＭＲ膜２４に印加され、さらに再生時で
は信号磁束のほぼ全てがＭＲ膜２４にかかるので、非常
に効率よく且つ安定にＭＲ薄膜ヘッドが機能する。
【００４３】このとき、上記軟磁性層２２の材料として
アモルファスを用いることで、その比抵抗が上記ＭＲ膜
２４の５〜６倍となる。したがって、上記ＭＲ薄膜ヘッ
ドに流れる電流が上記ＭＲ膜２４に集中し、更に効率良
くセンシングし、高出力化することが可能となる。
アモルファスを用いることで、その比抵抗が上記ＭＲ膜
２４の５〜６倍となる。したがって、上記ＭＲ薄膜ヘッ
ドに流れる電流が上記ＭＲ膜２４に集中し、更に効率良
くセンシングし、高出力化することが可能となる。
【００４４】軟磁性層２２の材料のアモルファスとして
ＣｏＺｒＮｂを用いた際の出力を、同一のセンス電流と
してＮｉ−Ｆｅの２層よりなるＭＲ膜との比較を通じて
調べた結果について図８に示す。このとき、Ｎｉ−Ｆｅ
の２層のうちの片方をＣｏＺｒＮｂを材料とした軟磁性
層２２に代えてその出力を測定した。この結果から明か
なように、ＣｏＺｒＮｂを用いた場合の方が約１．５倍
の高出力となっていることがわかる。
ＣｏＺｒＮｂを用いた際の出力を、同一のセンス電流と
してＮｉ−Ｆｅの２層よりなるＭＲ膜との比較を通じて
調べた結果について図８に示す。このとき、Ｎｉ−Ｆｅ
の２層のうちの片方をＣｏＺｒＮｂを材料とした軟磁性
層２２に代えてその出力を測定した。この結果から明か
なように、ＣｏＺｒＮｂを用いた場合の方が約１．５倍
の高出力となっていることがわかる。
【００４５】
【発明の効果】本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドによれば、軟磁性体からなる下部磁性磁極と上部磁
性磁極との間に磁気抵抗効果膜を含む薄膜多重層の磁気
抵抗効果部が形成されてなり、前記磁気抵抗効果部を、
反強磁性材料よりなる反強磁性層と、軟磁性材料よりな
る軟磁性層と、非磁性材料よりなるバッファ層と、磁気
抵抗効果膜とを順次積層することにより形成し構成した
ので、形状が簡素であるために、磁気抵抗効果膜に印加
されるバイアス磁界が安定且つ均一に得られ、さらに下
部及び上部磁性磁極の磁気特性及びヘッド諸特性が安定
化し、製造プロセスが簡略化されて製品の歩溜り及び信
頼性の大幅な向上を図ることが可能となる。
ッドによれば、軟磁性体からなる下部磁性磁極と上部磁
性磁極との間に磁気抵抗効果膜を含む薄膜多重層の磁気
抵抗効果部が形成されてなり、前記磁気抵抗効果部を、
反強磁性材料よりなる反強磁性層と、軟磁性材料よりな
る軟磁性層と、非磁性材料よりなるバッファ層と、磁気
抵抗効果膜とを順次積層することにより形成し構成した
ので、形状が簡素であるために、磁気抵抗効果膜に印加
されるバイアス磁界が安定且つ均一に得られ、さらに下
部及び上部磁性磁極の磁気特性及びヘッド諸特性が安定
化し、製造プロセスが簡略化されて製品の歩溜り及び信
頼性の大幅な向上を図ることが可能となる。
【００４６】この場合、軟磁性層を軟磁性アモルファス
合金薄膜より構成したので、磁気抵抗効果膜に印加され
るバイアス磁界がより安定且つ均一に得られ、さらに下
部及び上部磁性磁極の磁気特性及びヘッド諸特性が安定
化し、製造プロセスが簡略化されて製品の歩溜り及び信
頼性の更なる大幅な向上を図ることが可能となる。
合金薄膜より構成したので、磁気抵抗効果膜に印加され
るバイアス磁界がより安定且つ均一に得られ、さらに下
部及び上部磁性磁極の磁気特性及びヘッド諸特性が安定
化し、製造プロセスが簡略化されて製品の歩溜り及び信
頼性の更なる大幅な向上を図ることが可能となる。
【００４７】このとき、軟磁性層を反強磁性層との交換
結合により所定方向に磁化して構成したので、磁気抵抗
効果膜に印加されるバイアス磁界がより安定且つ均一に
得られ、さらに下部及び上部磁性磁極の磁気特性及びヘ
ッド諸特性が安定化し、製造プロセスが簡略化されて製
品の歩溜り及び信頼性の更なる大幅な向上を図ることが
可能となる。
結合により所定方向に磁化して構成したので、磁気抵抗
効果膜に印加されるバイアス磁界がより安定且つ均一に
得られ、さらに下部及び上部磁性磁極の磁気特性及びヘ
ッド諸特性が安定化し、製造プロセスが簡略化されて製
品の歩溜り及び信頼性の更なる大幅な向上を図ることが
可能となる。
【００４８】また、本発明の製造方法によれば上記磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを製造するに際し、反強磁性
層と軟磁性層とを積層した後、所定磁場を印加しながら
ネール点以上の温度に加熱し、ネール点以下の温度に冷
却するので、磁気抵抗効果膜に印加されるバイアス磁界
がより安定且つ均一に得られ、さらに下部及び上部磁性
磁極の磁気特性及びヘッド諸特性が安定化し、製造プロ
セスが簡略化されて製品の歩溜り及び信頼性の更なる大
幅な向上を図ることが可能となる。
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを製造するに際し、反強磁性
層と軟磁性層とを積層した後、所定磁場を印加しながら
ネール点以上の温度に加熱し、ネール点以下の温度に冷
却するので、磁気抵抗効果膜に印加されるバイアス磁界
がより安定且つ均一に得られ、さらに下部及び上部磁性
磁極の磁気特性及びヘッド諸特性が安定化し、製造プロ
セスが簡略化されて製品の歩溜り及び信頼性の更なる大
幅な向上を図ることが可能となる。
【図１】反強磁性層上に軟磁性層を成膜した様子を模式
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【図２】反強磁性層及び軟磁性層にネール点以上の温度
にて印加磁場中でアニール処理を施した様子を模式的に
示す断面図である。
にて印加磁場中でアニール処理を施した様子を模式的に
示す断面図である。
【図３】反強磁性層及び軟磁性層をネール点以下の温度
に冷却した様子を模式的に示す断面図である。
に冷却した様子を模式的に示す断面図である。
【図４】本実施例に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の要部を模式的に示す断面図である。
の要部を模式的に示す断面図である。
【図５】本実施例に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の要部を模式的に示す斜視図である。
の要部を模式的に示す斜視図である。
【図６】磁気抵抗効果部を拡大して模式的に示す斜視図
である。
である。
【図７】本実施例に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の磁気抵抗効果部の近傍を模式的に示す断面図である。
の磁気抵抗効果部の近傍を模式的に示す断面図である。
【図８】アモルファス膜を用いた場合の出力比較を示す
特性図である。
特性図である。
【図９】従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの要部を
模式的に示す断面図である。
模式的に示す断面図である。
１ ＭＲ部 ２ 下部磁性磁極 ３ 上部磁性磁極 １１ 基板 １２，１３，１４ 絶縁層 １７ａ 前端電極 １７ｂ 後端電極 ２１ 反強磁性層 ２２ 軟磁性層 ２３ バッファ層 ２４ ＭＲ膜 ２５ 下地層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年５月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来、
ＭＲ素子１０５にバイアス磁界を印加するには、バイア
ス導体１０８や上記バイアスハード膜の如き構造体をＭ
Ｒ素子１０５の外部に設けてＭＲ素子１０５に印加する
方法が採用されている。ところがこの場合、ＭＲ薄膜ヘ
ッド内においてこのような構造体をＭＲ素子１０５に対
向して成膜する必要がある。このとき、ＭＲ素子１０５
の絶縁破壊を回避するために絶縁層１０６を厚く成膜す
る必要があり、そのため例えば上記図９において円内に
示すように、バイアス導体１０８の特にその両端部に大
きな段差が生じてしまう。バイアス導体１０８の上記両
端部はバイアス磁界や信号磁界が集中する場所であり、
このような複雑な構造となることにより、上部磁性磁極
１０９の磁気特性が劣化し、いわゆるバルクハイゼンノ
イズやポプコーンノイズ等が発生する要因となってい
る。
ＭＲ素子１０５にバイアス磁界を印加するには、バイア
ス導体１０８や上記バイアスハード膜の如き構造体をＭ
Ｒ素子１０５の外部に設けてＭＲ素子１０５に印加する
方法が採用されている。ところがこの場合、ＭＲ薄膜ヘ
ッド内においてこのような構造体をＭＲ素子１０５に対
向して成膜する必要がある。このとき、ＭＲ素子１０５
の絶縁破壊を回避するために絶縁層１０６を厚く成膜す
る必要があり、そのため例えば上記図９において円内に
示すように、バイアス導体１０８の特にその両端部に大
きな段差が生じてしまう。バイアス導体１０８の上記両
端部はバイアス磁界や信号磁界が集中する場所であり、
このような複雑な構造となることにより、上部磁性磁極
１０９の磁気特性が劣化し、いわゆるバルクハイゼンノ
イズやポプコーンノイズ等が発生する要因となってい
る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】磁場中にて反強磁性層と接触成膜された軟
磁性層は、図１に示すように、図中に示すように誘導磁
気異方性を有する状態である。ここで、図２に示すよう
に、ネール点以上の温度にて印加磁場中でアニール処理
を施し、図３に示すようにネール点以下の温度に冷却す
る。すると、反強磁性層と軟磁性層との界面近傍におい
て軟磁性層の磁化方向が印加磁場方向に固定される。こ
れが交換結合原理である。この軟磁性層に生じた固定磁
化に形状異方性も助長されて軟磁性層は飽和した磁化状
態となる。この飽和磁化による磁界がバイアス磁界とし
て上記ＭＲ膜に印加されることになる。
磁性層は、図１に示すように、図中に示すように誘導磁
気異方性を有する状態である。ここで、図２に示すよう
に、ネール点以上の温度にて印加磁場中でアニール処理
を施し、図３に示すようにネール点以下の温度に冷却す
る。すると、反強磁性層と軟磁性層との界面近傍におい
て軟磁性層の磁化方向が印加磁場方向に固定される。こ
れが交換結合原理である。この軟磁性層に生じた固定磁
化に形状異方性も助長されて軟磁性層は飽和した磁化状
態となる。この飽和磁化による磁界がバイアス磁界とし
て上記ＭＲ膜に印加されることになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】さらに、上記軟磁性層の磁化は反強磁性層
との交換結合により固定化されて飽和状態とされている
ためにその透磁率μ＝１となる。したがって、再生時に
おいて上記ＭＲ薄膜ヘッドに入力する信号磁束はほぼ全
て高透磁率を有する上記ＭＲ膜に集中することになる。
との交換結合により固定化されて飽和状態とされている
ためにその透磁率μ＝１となる。したがって、再生時に
おいて上記ＭＲ薄膜ヘッドに入力する信号磁束はほぼ全
て高透磁率を有する上記ＭＲ膜に集中することになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】ここで、反強磁性層２１はＮｉＯ，ＮｉＣ
ｏＯ，ＦｅＭｎ等を材料として膜厚３〜３０ｎｍ、軟磁
性層２２はＣｏＺｎＮｂ等のアモルファスやＲｈ，Ｍｏ
等を添加元素として含有するパーマロイ合金等を材料と
して膜厚３〜３０ｎｍ、バッファ層２３は非磁性材より
なりその膜厚は３〜１０ｎｍ、ＭＲ膜２４はＦｅ−Ｎｉ
等を材料として膜厚５〜３０ｎｍ、下地層２５はＴａ，
Ｔｉ等を材料として膜厚３〜１０ｎｍに成膜される。こ
れらの膜厚は、上記ＭＲ薄膜ヘッドの動作上の感度及び
安定性からＭＲ部１の平面サイズに応じて決定される。
例えばＭＲ部１の幅Ｔｗ＝２μｍ，長さＬ＝５μｍ、膜
厚１０ｎｍのときでは、反強磁性層２１が２０ｎｍ、軟
磁性層２２が１５ｎｍ、バッファ層２３が５ｎｍ、下地
層２５が５ｎｍとなる。
ｏＯ，ＦｅＭｎ等を材料として膜厚３〜３０ｎｍ、軟磁
性層２２はＣｏＺｎＮｂ等のアモルファスやＲｈ，Ｍｏ
等を添加元素として含有するパーマロイ合金等を材料と
して膜厚３〜３０ｎｍ、バッファ層２３は非磁性材より
なりその膜厚は３〜１０ｎｍ、ＭＲ膜２４はＦｅ−Ｎｉ
等を材料として膜厚５〜３０ｎｍ、下地層２５はＴａ，
Ｔｉ等を材料として膜厚３〜１０ｎｍに成膜される。こ
れらの膜厚は、上記ＭＲ薄膜ヘッドの動作上の感度及び
安定性からＭＲ部１の平面サイズに応じて決定される。
例えばＭＲ部１の幅Ｔｗ＝２μｍ，長さＬ＝５μｍ、膜
厚１０ｎｍのときでは、反強磁性層２１が２０ｎｍ、軟
磁性層２２が１５ｎｍ、バッファ層２３が５ｎｍ、下地
層２５が５ｎｍとなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】すなわち、反強磁性層２１と接触成膜され
た軟磁性層２２がネール点以上の温度にて印加磁場中で
アニール処理を施し、その後ネール点以下の温度に冷却
する。すると、反強磁性層２１と軟磁性層２２との界面
近傍において軟磁性層２２の磁化方向が印加磁場方向に
固定される。これが交換結合原理である。この軟磁性層
２２に生じた固定磁化に形状異方性も助長されて軟磁性
層２２は飽和した磁化状態となる。この飽和磁化による
磁界がバイアス磁界として上記ＭＲ膜２４に印加される
ことになる。
た軟磁性層２２がネール点以上の温度にて印加磁場中で
アニール処理を施し、その後ネール点以下の温度に冷却
する。すると、反強磁性層２１と軟磁性層２２との界面
近傍において軟磁性層２２の磁化方向が印加磁場方向に
固定される。これが交換結合原理である。この軟磁性層
２２に生じた固定磁化に形状異方性も助長されて軟磁性
層２２は飽和した磁化状態となる。この飽和磁化による
磁界がバイアス磁界として上記ＭＲ膜２４に印加される
ことになる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】軟磁性層上に反強磁性層を成膜した様子を模式
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅原 淳一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 軟磁性体からなる下部磁性磁極と上部磁
性磁極との間に薄膜多重層の磁気抵抗効果部が形成さ
れ、 前記磁気抵抗効果部が、反強磁性材料よりなる反強磁性
層と、軟磁性材料よりなる軟磁性層と、非磁性材料より
なるバッファ層と、磁気抵抗効果膜とが順次積層されて
なることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 軟磁性層が軟磁性アモルファス合金薄膜
よりなることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 軟磁性層が反強磁性層との交換結合によ
り所定方向に磁化されていることを特徴とする請求項１
記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項１記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドを製造するに際し、反強磁性層と軟磁性層とを積
層した後、所定磁場を印加しながらネール点以上の温度
に加熱し、ネール点以下の温度に冷却することを特徴と
する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6080397A JPH07287819A (ja) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6080397A JPH07287819A (ja) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07287819A true JPH07287819A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=13717161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6080397A Pending JPH07287819A (ja) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07287819A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5923505A (en) * | 1997-03-17 | 1999-07-13 | Read-Rite Corporation | Magnetoresistive sensor having a pinned soft magnetic layer |
| WO2001003130A1 (fr) * | 1999-07-05 | 2001-01-11 | Fujitsu Limited | Palier flottant magnetoresistif, tete de palier flottant composite ainsi realisee, et unite d'entrainement de support magnetoresistif enregistre |
| US7342751B2 (en) | 2004-10-28 | 2008-03-11 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive effect having multiple base layers between an electrode and an antiferromagnetic layer, magnetic head, and magnetic recording device |
-
1994
- 1994-04-19 JP JP6080397A patent/JPH07287819A/ja active Pending
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