KR100621505B1 - 기록 재생 분리형 자기 헤드 - Google Patents

Abstract

기록 재생 분리형 자기 헤드는 환경 온도의 변화에 기인하는 열 변형에 의해, 부상면으로 재생 헤드 소자가 돌출된다. 기록 재생 분리형 자기 헤드는 기판(21) 위에 제공된 하부 실드(23) 및 상부 실드(28) 사이에 자기 저항 효과막(25) 및 상기 자기 저항 효과막에 전기적으로 접속된 한쌍의 전극(26)을 갖는 자기 저항 효과형 헤드(11)와, 자기 저항 효과형 헤드(11)의 상부 실드(28) 위에 분리막(29)을 개재하여 설치된 하부 자극(31) 및 상부 자극(35) 사이에 자기 갭막(32) 및 층간 절연막(34)을 개재하여 코일(33)을 갖는 유도형 박막 자기 헤드(12)를 구비하고, 상기 하부 실드(23)의 막 두께와 상부 실드(28)의 막 두께의 합이 0.4㎛ 이상 3.4㎛ 미만으로 설정된다.

자기 저항 효과막, 상부 실드, 갭막, 층간 절연막, 자기 헤드

Description

기록 재생 분리형 자기 헤드{RECORDING/REPRODUCING SEPARATION TYPE MAGNETIC HEAD}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기록 재생 분리형 자기 헤드의 일부 단면 사시도.

도 2는 기록 재생 분리형 자기 헤드의 환경 온도 변화에 의한 부상면 열 변형 돌출량을 나타내는 도면.

도 3은 기록 재생 분리형 자기 헤드의 실드 외연에서의 침입 자계 감쇠율을 나타내는 도면.

도 4는 기록 재생 분리형 자기 헤드의 환경 온도 변화에 의한 부위별 부상면 열 변형 돌출량을 나타내는 도면.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기록 재생 분리형 자기 헤드의 전체 구성도.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기록 재생 분리형 자기 헤드가 탑재된 자기 디스크 장치의 구성도.

도 7은 종래의 기록 재생 분리형 자기 헤드의 일부 단면도.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

10 : 기록 재생 분리형 자기 헤드

21 : 기판

22 : 절연막

23 : 하부 실드

24 : 하부 갭막

25 : GMR막

26 : 전극

27 : 상부 갭막

28 : 상부 실드

29 : 분리막

31 : 하부 자극

31a : 트리밍부

32 : 자기 갭막

33 : 코일

34 : 층간 절연막

35 : 상부 자극

35a : 상부 자극 선단부

36 : 보호막

본 발명은 자기 디스크 장치에 이용하는 기록 재생 분리형 자기 헤드에 관한 것이다.

자기 디스크 장치의 대용량화에 수반하여, 기록 밀도가 해마다 높아지고 있다. 또한, 장치는 소형화 및 고속화가 요구되고 있다. 이들 요구를 만족하기 위해 현재의 자기 디스크 장치는 기록 재생 분리형 자기 헤드의 자기 저항 효과막에 GMR(Giant Magnetoresistive)막을 채용하여, 기록 트랙 폭은 0.4㎛로 저감되며, 자기 헤드와 기록 매체 간의 간극(이하, 부상량(浮上量)이라 함)은 15㎚ 정도로까지 저감되고 있다.

고밀도 기록의 달성을 위해서는 헤드의 저부상화(低浮上化)는 불가결하다. 그러나, 저부상화에 수반하여, 헤드의 변형이 큰 문제로 되고 있다. 박막 자기 헤드 소자는 선팽창 계수 등의 열역학적 물질이 상이한 복수의 부재로 구성되기 때문에, 환경 온도의 변화에 의해 열 변형된다. 이 열 변형에 의해 기록 매체에 대향하는 박막 자기 헤드의 부상면에 부분적인 돌출이 발생하여, 기록 매체와 접촉함으로써 자기 헤드 소자가 파괴된다는 문제가 발생한다.

특허 문헌(일본 특허 공개 제2000-306215호 공보(제4-6페이지, 도 1 ~ 도 3, 도 6))에는 유도형 박막 자기 헤드이기는 하지만, 적어도 상부 절연층(층간 절연층)을 70∼100℃의 낮은 유리 전이점을 갖는 수지, 다공질체, 폴리이미드로 구성하여 습도가 높을 때 열 변형을 저감하거나, 혹은 동작 상태와 동일한 고온에서 헤드의 부상면을 연마하여, 동작 시의 부상면의 변형을 방지하는 발명이 개시되어 있다.

도 7에 상부 실드와 하부 자극이 절연체의 분리막에 의해 분리된 기록 재생 분리형 자기 헤드(1)의 구조를 도시한다. 재생용 GMR 헤드(2)는 소망 신호 이외의 자계를 배제하는 상부 실드(28) 및 하부 실드막(23), 소망 신호를 검출하는 GMR막(25) 및 상기 GMR막(25)에 전류를 흘리기 위한 전극(26), 상부 갭막(27) 및 하부 갭막(24) 등으로 구성된다. 한편, 기록용 유도형 박막 자기 헤드(3)는 기록 자계를 발생하는 하부 자극(31) 및 상부 자극(35), 자기 갭막(32), 신호 전류를 인가하는 코일(33) 및 층간 절연막(34) 등으로 이루어진다. 이들 헤드(1)를 구성하는 막은 절연막(22)이 적층된 기판(21) 위에 제작된다. 또한, 헤드 소자 전체는 보호막(36)으로 피복된다.

발명자들의 열 변형 시뮬레이션에 의해, 환경 온도의 변화에 의한 기록 재생 분리형 자기 헤드의 부상면 열 변형은 하부 실드(23)와 상부 실드(28)에서 최대로 되고, 또한 실드의 전체 막 두께의 영향이 지배적이라는 것이 분명해졌다. 즉, 도 7에 도시한 바와 같이 하부 실드(23)와 상부 실드(28) 사이의 재생 소자 부분이 부상면으로 돌출(d)되어 있다. 이 문제를 해결하기 위해서는 열역학적 물성값에 근사한 구조체로 박막 자기 헤드 소자를 구성하면 된다고 생각할 수 있지만, 현실적으로는 이러한 재료의 선택은 곤란하다. 따라서, 박막 자기 헤드 소자 부재의 배치나 치수 등의 형상적인 열 변형 저감 수단이 필요해진다.

본 발명의 목적은 환경 온도의 변화에 기인하는 열 변형에 의한 부상면으로의 재생 헤드 소자의 돌출을 저감한 기록 재생 분리형 자기 헤드를 제공하는 것이 다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 양태에 따른 기록 재생 분리형 자기 헤드는, 기판 위에 설치된 하부 실드 및 상부 실드 사이에 자기 저항 효과막 및 상기 자기 저항 효과막에 전기적으로 접속된 한쌍의 전극을 갖는 자기 저항 효과형 헤드와, 자기 저항 효과형 헤드의 상부 실드 위에 절연막을 개재하여 설치된 하부 자극 및 상부 자극 사이에 자기 갭막 및 층간 절연막을 개재하여 코일을 갖는 유도형 박막 자기 헤드를 구비하고, 상기 하부 실드의 막 두께와 상부 실드의 막 두께의 합은 0.4㎛ 이상 3.4㎛ 미만으로 설정된다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 다른 양태에 따른 기록 재생 분리형 자기 헤드는, 기판 위에 설치된 하부 실드 및 상부 실드 사이에 자기 저항 효과막 및 상기 자기 저항 효과막에 전기적으로 접속된 한쌍의 전극을 갖는 자기 저항 효과형 헤드와, 자기 저항 효과형 헤드의 상부 실드 위에 절연막을 개재하여 설치된 하부 자극 및 상부 자극 사이에 갭막 및 층간 절연막을 개재하여 코일을 갖는 유도형 박막 자기 헤드를 구비하고, 상기 하부 실드의 막 두께와 상부 실드의 막 두께의 합은 0.4㎛ 이상, 상기 하부 자극의 막 두께 미만으로 설정된다.

또한, 상기 하부 실드의 막 두께와 상부 실드의 막 두께의 합은 1.5㎛ 미만으로 설정된다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 또 다른 양태에 따른 기록 재생 분리형 자기 헤드는, 기판 위에 설치된 하부 실드 및 상부 실드 사이에 자기 저항 효과 막 및 상기 자기 저항 효과막에 전기적으로 접속된 한쌍의 전극을 갖는 자기 저항 효과형 헤드와, 자기 저항 효과형 헤드의 상부 실드 위에 절연막을 개재하여 설치된 하부 자극 및 상부 자극 사이에 갭막 및 층간 절연막을 개재하여 코일을 갖는 유도형 박막 자기 헤드를 구비하고, 상기 하부 실드의 막 두께와 상부 실드의 막 두께는 각각 0.2㎛ 이상, 상기 하부 자극의 막 두께 미만으로 설정된다.

또한, 상기 하부 실드의 막 두께와 상부 실드의 막 두께는 2.0㎛ 미만으로 설정된다.

<실시예>

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 실드/하부 자극 분리형, 기록 재생 분리형 자기 헤드(10)의 구성을 도시하는 일부 단면 사시도이다. 재생용 자기 저항 효과형(GMR) 헤드(11)는 소망 신호 이외의 자계를 배제하는 상부 실드(28) 및 하부 실드(23), 소망 신호를 검출하는 GMR막(25) 및 상기 GMR막(25)에 전류를 흘리기 위한 전극(26), 상부 갭막(27) 및 하부 갭막(24) 등으로 구성된다. 한편, 기록용 유도형 박막 자기 헤드(12)는 기록 자계를 발생하는 하부 자극(31) 및 상부 자극(35), 자기 갭막(32), 신호 전류를 인가하는 코일(33) 및 층간 절연막(34) 등으로 이루어진다. 하부 자극(31)은 고투자율재의 주층과 포화 자속 밀도가 높은 박막의 상층에 구성되며, 상층의 부상면측에는 기록 트랙 폭을 규정하는 트리밍부(31a)가 형성되어 있다. 물론 하부 자극(31)은 단일막으로 구성되어도 되며, 하부 자극(31)의 상층이 주층과 상이하고 부상면 근방에 부분적으로 구성되어도 된다. 상부 자극(35)의 선단에도 하부 자극(31)의 트리밍부(31a)에 대향하여 기록 트랙 폭을 규정하는 상부 자극 선단부(35a)가 형성되어 있다. 이들 헤드(10)를 구성하는 막은 절연막(22)이 적층된 기판(21) 위에 제작된다. 또한, 헤드 소자 전체는 보호막(36)으로 피복된다.

본 실시예에서는 박막 자기 헤드 소자 부재의 배치나 치수 등의 형상적인 열 변형 저감 수단으로서, 상부 실드(28)의 막 두께 tULS와 하부 실드(23)의 막 두께 tLSL의 합(전체 실드의 막 두께)을 현 상태의 자기 헤드의 전체 실드의 막 두께인 약 3.4㎛보다도 얇게 하고 있다. 도 2에 하부 실드(23)와 상부 실드(28)에 의해 협지되는 재생 소자 부분의 부상면 열 변형 돌출량 d를 나타내지만, 횡축은 전체 실드의 막 두께(㎛)이며, 종축은 최대 돌출량(nm)이고, 전체 실드의 막 두께를 현 상태의 자기 헤드의 약 3.4㎛ 내지 1.1㎛ 정도까지 얇게 하면, 열 변형에 의한 부상면의 돌출량 d는 반감된다.

도 2로부터 실드의 막 두께를 얇게 할수록 부상면 열 변형은 저감되는 것을 알 수 있다. 그러나, 실드의 막 두께가 지나치게 얇으면, 실드 본래의 기능인 재생 갭을 구성하여 실드 사이에 있는 재생 소자에 침입하는 여분의 자계를 저감한다는 효과가 손상된다.

도 3에 실드 외연에서의 침입 자계 감쇠율을 나타내지만, 횡축은 개개의 실드의 막 두께(㎛)이며, 종축은 침입 자계 감쇠율(%)이고, 상부 실드(28)의 막 두께 tUSL 및 하부 실드(23)의 막 두께 tLSL 각각이 0.2㎛보다도 얇게 되면 실드 외연으로부터의 침입 자계가 급격히 증가되는 것을 알 수 있다. 이것은 재생 특성에 악영향을 미치는 것을 의미한다. 따라서, 부상면 열 변형 돌출 저감과 실드 본래의 기능을 양립시키기 위해서는, 상부 실드(28)의 막 두께 tUSL 및 하부 실드(23)의 막 두께 tLSL을 각각 0.2㎛ 이상으로 할 필요가 있다.

실드의 막 두께를 얇게 하여 부상면 열 변형 저감을 도모하는 관점에서는, 부상면 열 변형 전체에 차지하는 실드의 영향이 2차 요인으로 되는 조건이 필요하다. 실드와 마찬가지로 넓은 평면 형상을 가지며 실드와 마찬가지인 부상면 열 변형 돌출이 발생한다고 생각되는 하부 자극(31)은 기록 자계를 확보하기 위해 막 두께 tLPl을 1.5㎛∼2.0㎛ 이하로 얇게 하는 것은 곤란하다. 이 하부 자극(31)의 막 두께 tLPl보다도 상부 실드(28) 및 하부 실드(23) 각각의 막 두께를 얇게 하지 않으면, 부상면 열 변형 전체에 차지하는 실드의 영향을 2차적인 것으로 하고, 실드에 의한 충분한 부상면 열 변형 저감 효과를 실현할 수 없다. 따라서, 실드의 막 두께를 얇게 하여 얻어지는 부상면 열 변형 저감 효과를 유효한 것으로 하기 위해서는, 상부 실드(28)의 막 두께 tUSL과 하부 실드(23)의 막 두께 tLSL 모두를 하부 자극(31)의 막 두께 tLPl(1.5㎛∼2.0㎛)보다도 얇게 할 필요가 있다.

한편, 환경 온도의 변화에 의한 부상면 열 변형에서는 상부 실드(28), 하부 실드(23) 및 하부 자극(31)과, 상부 자극(35)의 2 부분에서 돌출 경향을 볼 수 있다. 열 변형 시뮬레이션에 의한 부위별 부상면 열 변형 돌출량을 도 4에 나타내며, 횡축은 전체 실드의 막 두께(㎛), 종축은 부상면 열 변형 돌출량(nm)이고, 상하 실드(28, 23) 및 하부 자극(31)의 돌출량을 상부 자극(35)의 돌출량보다도 적게 하기 위해서는, 전체 실드의 막 두께를 1.5㎛보다도 얇게 할 필요가 있다.

이상을 정리하면, 부상면 열 변형 돌출 저감 효과를 발휘하기 위한 상부 실 드(28), 하부 실드(23) 및 하부 자극(31)의 막 두께의 관계는 다음과 같이 된다.

(1) 0.4㎛≤전체 실드의 막 두께(tUSL+tLSL)<3.4㎛

(2) 0.4㎛≤전체 실드의 막 두께(tUSL+tLSL)<하부 자극의 막 두께 tLPl

(3) 0.4㎛≤전체 실드의 막 두께(tUSL+tLSL)<1.5㎛

(4) 0.2㎛≤상부 실드의 막 두께 tUSL, 하부 실드의 막 두께 tLSL<하부 자극의 막 두께 tLPl

도 1에 도시되는 기록 재생 분리형 자기 헤드(10)의 전체 구성을 도 5에 도시한다. 슬라이더(20)의 단부에 기판(21)이 접합되어, 기판(21)의 단면(端面)에 재생용 CMR(Giant Magnetoresistive) 헤드(11)와 기록용 유도형 박막 자기 헤드(12)가 형성된다. 슬라이더(20)와 기판(21)은 동일한 부재로 구성하는 것도 가능하다.

다음으로, 도 1에 도시되는 본 실시예의 기록 재생 분리형 자기 헤드(10)의 제조 방법을 설명한다.

(1) 기판(21)은 Al₂O₃TiC를 소결한 것이다. 먼저, 기판(21) 상에 절연막(22)을 형성한다. 절연막(22)은 Al₂O₃막으로 스퍼터링법에 의해 형성하였다. 막 두께는 2㎛이다.

(2) 이 절연막(22)의 막 두께가 약 1㎛가 될 때까지 절연막(22)의 표면을 연마한다. 이것에 의해, Al₂O₃TiC 기판(1)의 보이드에는 Al₂O₃가 매립되고, 표면은 평활하게 된다.

(3) 계속해서, 하부 실드막(23)을 절연막(22) 위에 형성한다. 재료는 NiFe이다. 여기서는, 포토레지스트막을 마스크로 한 도금법으로 형성하였다. 막 두께는 0.7㎛이다.

(4) 또한, 하부 갭막(24)을 스퍼터법으로 형성한다. 막 두께는 0.1㎛이며, 재료는 Al₂O₃이다. 성막 후, 신호 입출력용 단자의 형성에 필요한 관통 홀 등을 형성하였다. 패터닝은 포토레지스트막을 마스크로 한 이온 밀링법으로 행하였다.

(5) 계속해서, 신호 검출에 가장 중요한 GMR막(35)을 성막한다. GMR막(35)은 스퍼터링법에 의해 형성하였다. GMR막은 CoFe 박막을 자유층으로 한 스핀 밸브막이다. 그 후, 소정 형태로 패터닝하였다. 패터닝은 상기와 마찬가지로 이온 밀링법이다.

(6) GMR막(35)의 양단 및 하부 갭막(24) 위에 전극(26)을 리프트 오프법에 의해 형성한다. 재료는 Ta/TaW 합금 적층막이다. 막 두께는 각각 0.3㎛/0.01㎛이다.

(7) 계속해서, 상부 갭막(27)을 스퍼터링법에 의해 형성한다. 막 두께는 0.1㎛, 재료는 Al₂O₃이다. 성막 후, 관통 홀 등의 형성을 행하였다. 패터닝은 포토레지스트막을 마스크로 한 이온 밀링법에 의해 행하였다.

(8) 또한, 상부 갭막(27) 위에 상부 실드막(28)을 형성한다. 형성 방법은 포토레지스트막을 마스크로 한 도금법이다. 재료는 하부 실드막(23)과 동일한 NiFe 합금이다. 막 두께는 0.7㎛이다. 상부 실드막(28)의 상면은 연마 등의 방법 으로 평탄하게 하는 것이 바람직하다.

이상 (1)∼(8)의 공정에서, 재생용 GMR 헤드(11)가 형성된다. 계속해서, 기록용 유도형 박막 자기 헤드(12)의 제조 공정을 설명한다.

(9) 처음에, 기록용 유도형 박막 자기 헤드(12)와 재생용 GMR 헤드(11)를 자기적으로 이격하는 분리막(29)을 형성한다. 여기서는, 막 두께 약 0.5㎛의 Al₂O₃ 박막으로 하였다. 성막은 스퍼터링법이다. 이것에 의해, 기록 자계가 직접 GMR 헤드(11)에 인가되지 않게 되어, GMR 헤드(11)의 전기 특성이 안정화된다.

(10) 다음으로, 하부 자극(31)을 포토레지스트막을 마스크로 한 도금법에 의해 형성한다. 재료는 하측의 주층이 NiFe 합금이며, 상층의 박막이 강한 기록 자계의 발생이 가능한 CoNiFe 합금이다. 주층의 막 두께는 1.5㎛, 상층의 막 두께는 0.2㎛이다. 상층의 부상면측을 기록 트랙 폭과 동일한 폭(0.3㎛)으로 이온 밀링에 의해 트리밍하였다.

(11) 계속해서, 자기 갭막(32)을 스퍼터링법에 의해 형성한다. 재료는 Al₂O₃ 박막이며, 막 두께는 약 0.1㎛이다.

(12) 계속해서, 코일(33)을 층간 절연막(34) 내에 형성한다. 코일(33)은 Cu이며 포토레지스트막을 마스크로 한 도금법으로 형성하였다. 코일(33)의 권수(number of winding)는 2단이며 9턴(turn)이다. 층간 절연막(34)은 포토레지스트를 스핀 도포하여, 고온으로 가열 처리함으로써 내장 가스를 방출시켜, 열적으로 안정화시켰다.

(13) 또한, 상부 자극(36)을 도금법에 의해 형성한다. 재료는 NiFe 합금이다. 상부 자극(36)의 매체 대향면측에는 트랙 폭이 0.3㎛의 상부 자극 선단부(35a)를 형성하였다. 상부 자극 선단부(35a)의 재료는 강한 기록 자계의 발생이 가능한 CoNiFe 합금이다.

(14) 지금까지 적층한 헤드 소자 위에 보호막(36)을 스퍼터링법에 의해 형성한다. 성막의 막 두께는 60㎛이며, 연마에 의해 최종적으로 50㎛로 하였다.

(15) 마지막으로 도시하지는 않지만 신호 입출력용의 단자를 형성한다.

이상에 의해, GMR 헤드(11) 및 유도형 박막 자기 헤드(12)로 이루어지는 기록 재생 분리형 자기 헤드(10)가 완성된다. 이 기록 재생 분리형 자기 헤드(10)는 환경 온도의 상승에 따른 열 변형이 적고, 따라서 열 변형에 의한 부상면으로의 헤드 소자의 돌출을 저감할 수 있다.

도 6에 상기 기록 재생 분리형 자기 헤드(10)를 탑재한 자기 디스크 장치의 구성을 도시한다. 기록 재생 분리형 자기 헤드(10)는 짐벌(8)에 지지되며, 짐벌(8)은 로드 빔(7)에 고정된다. 로드 빔(7)은 캐리지(4)에 부착된다. 자기 디스크(2)는 스핀들(3)에 장착되어 회전된다. 스핀들(3)과 캐리지(4)는 베이스(5)에 부착되어 있다. 제어 회로(6)로부터의 지시에 의해 캐리지(4)가 구동하여, 로드 빔(7)을 회전 제어한다. 로드 빔(7)에 짐벌(8)을 개재하여 부착되어 있는 기록 재생 분리형 자기 헤드(10)는, 자기 디스크(2)의 반경 방향으로 이동되어 임의의 기록 트랙에 위치 결정되어, 정보의 기록·재생을 행한다.

이 자기 디스크 장치는 상기와 같이 본 발명의 실시예에 따른 부상면으로의 헤드 소자의 돌출이 적은 기록 재생 분리형 자기 헤드(10)를 탑재하고 있기 때문에, 기록 재생 분리형 자기 헤드(10)와 자기 디스크(2)의 충돌을 피할 수 있는 신뢰성이 높은 자기 디스크 장치로 된다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 환경 온도의 변화에 기인하는 열 변형에 의한 부상면으로의 재생 헤드 소자의 돌출을 저감한 기록 재생 분리형 자기 헤드를 제공할 수 있다.

Claims (17)

1. 기판 위에 설치된 하부 실드와 상부 실드 사이에 자기 저항 효과막 및 상기 자기 저항 효과막에 전기적으로 접속된 한쌍의 전극을 구비한 자기 저항 효과형 헤드와, 상기 자기 저항 효과형 헤드의 상부 실드 위에 절연막을 개재하여 설치된 하부 자극과 상부 자극 사이에 자기 갭막 및 층간 절연막을 개재하여 코일을 구비한 유도형 박막 자기 헤드를 포함하고,

   상기 상부 실드의 막두께는 상기 하부자극의 막두께보다 얇고,

   상기 하부 실드의 막두께는 상기 하부자극의 막두께보다 얇으며,

   상기 유도형 박막 자기 헤드 및 상기 자기 저항 효과형 헤드가 환경온도의 변화를 받은 경우에, 상기 상부 실드와 상기 하부 실드와 상기 하부자극의 부상면측의 영역에서의 돌출량은, 상기 상부 자극의 부상면측의 영역에서의 돌출량보다 적은 것을 특징으로 하는 기록 재생 분리형 자기 헤드.
2. 기판 위에 설치된 하부 실드와 상부 실드 사이에 자기 저항 효과막 및 상기 자기 저항 효과막에 전기적으로 접속된 한쌍의 전극을 구비한 자기 저항 효과형 헤드와, 상기 자기 저항 효과형 헤드의 상부 실드 위에 절연막을 개재하여 설치된 하부 자극과 상부 자극 사이에 자기 갭막 및 층간 절연막을 개재하여 코일을 구비한 유도형 박막 자기 헤드를 포함하고,

   상기 하부 자극은 주층 및 상기 주층 상의 부상면측에 형성되는 선단층을 구비하고,

   상기 상부 실드의 막두께는 상기 하부 자극의 부상면측의 막두께보다 얇고,

   상기 하부 실드의 막두께는 상기 하부 자극의 부상면측의 막두께보다 얇으며,

   상기 유도형 박막 자기 헤드 및 상기 자기 저항 효과형 헤드는 환경온도의 변화를 받은 경우에, 상기 상부 실드와 상기 하부 실드와 상기 하부자극의 부상면측의 영역에서의 돌출량은, 상기 상부 자극의 부상면측의 영역에서의 돌출량보다 적은 것을 특징으로 하는 기록 재생 분리형 자기 헤드.
3. 기판 위에 설치된 하부 실드와 상부 실드 사이에 자기 저항 효과막 및 상기 자기 저항 효과막에 전기적으로 접속된 한쌍의 전극을 구비한 자기 저항 효과형 헤드와, 상기 자기 저항 효과형 헤드에 인접하여 설치된 하부 자극과 상부 자극 사이에 갭막 및 층간 절연막을 개재하여 코일을 구비한 유도형 박막 자기 헤드를 포함하고,

   상기 상부 실드의 막두께는 상기 하부 자극의 막두께보다 얇고,

   상기 하부 실드의 막두께는 상기 하부 자극의 막두께보다 얇으며,

   상기 유도형 박막 자기 헤드 및 상기 자기 저항 효과형 헤드가 환경온도의 변화에 기인하여 열변형된 경우에, 상기 상부 실드와 상기 하부 실드와 상기 하부자극의 부상면측의 영역에서의 돌출량은, 상기 상부 자극의 부상면측의 영역에서의 돌출량보다 적은 것을 특징으로 하는 기록 재생 분리형 자기 헤드.
4. 기판 위에 설치된 하부 실드와 상부 실드 사이에 자기 저항 효과막 및 상기 자기 저항 효과막에 전기적으로 접속된 한쌍의 전극을 구비한 자기 저항 효과형 헤드와, 상기 자기 저항 효과형 헤드의 상부 실드 위에 절연막을 개재하여 설치된 하부 자극과 상부 자극 사이에 자기 갭막 및 층간 절연막을 개재하여 코일을 구비한 유도형 박막 자기 헤드를 포함하고,

   상기 하부 자극은 주층 및 상기 주층 상의 부상면측에 형성되는 선단층을 포함하고,

   상기 상부 실드의 막두께는 상기 주층의 부상면측의 막두께보다 얇고,

   상기 하부 실드의 막두께는 상기 주층의 부상면측의 막두께보다 얇으며,

   상기 유도형 박막 자기 헤드 및 상기 자기 저항 효과형 헤드가 환경온도의 변화를 받은 경우에, 상기 상부 실드와 상기 하부 실드와 상기 하부자극의 부상면측의 영역에서의 돌출량은, 상기 상부 자극의 부상면측의 영역에서의 돌출량보다 적은 것을 특징으로 하는 기록 재생 분리형 자기 헤드.
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