TWI261818B - Recording/reproducing separation type magnetic head - Google Patents

Description

1261818 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於使用於磁碟裝置之記錄再生分離型磁頭 【先前技術】 近年來，隨著磁碟裝置的大容量化，記錄密度逐漸增 加。又，裝置小型且輕量化之需求也日趨增加。爲了滿足 這些需求，目前的磁碟裝置中，記錄再生分離型磁頭的磁 阻效果膜是採用 GMR ( Giant Magnetoresistive )膜，記 錄磁軌寬度爲0.4 /i m，磁頭與記錄媒體的間隙（以下， 稱爲浮動量）減低至15nm左右。 爲了達成高密度的記錄，磁頭之低浮動化是必須的。 然而，伴隨低浮動化，同時也會產生磁頭變形的嚴重問題 。因爲薄膜磁頭元件是由線膨脹係數等熱力學物質不同的 複數構件所構成，所以會因環境溫度的變化而產生熱變形 。因該熱變形，故會在與記錄媒體相對向之薄膜磁頭的浮 動面產生部分突出，與記錄媒體接觸後，會產生磁頭元件 被破壞的問題。 專利文獻1所記載之感應型薄膜磁頭的發明中係揭示 ，至少利用具有7 0至1 〇 〇 °C之低玻璃轉移點的樹脂、多 孔質體、聚醯亞胺，構成上部絕緣膜（層間絕緣膜），以 減低高溫時的熱變形，或者在與動作狀態相同的高溫環境 下硏磨磁頭的浮動面，以防止動作時浮動面產生變形。 -5- 1261818 (2) [專利文獻1 ] 日本特開2 000 — 3 0 62 1 5號公報（第4至6頁、第1 圖至弟3圖、第6圖） 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 第7圖是表示以絕緣體分離膜，分離上部屏蔽與下部 磁極之記錄再生分離型磁頭1的構造。再生用GMR磁頭 2之構造包括：排除所期望信號以外之磁場的上部屏蔽2 8 及下部屏蔽膜23、和用以檢測所期望信號之GMR膜25 及供電流流入該GMR膜2 5的電極2 6、和上部間隙膜2 7 及下部間隙膜24等。另一方面，記錄用感應型薄膜磁頭 3之構造包括：產生記錄磁場的下部磁極3 1及上部磁極 3 5、和磁間隙膜3 2、和施加信號電流的線圈3 3及層間絕 緣膜3 4等。這些構成磁頭1的膜係製成於積層絕緣膜22 的基板2 1上。此外，磁頭元件整體係由保護膜3 6所被覆 〇 透過諸發明者的熱變形模擬得知’因環境溫度的變化 而使記錄再生分離型磁頭產生浮動面熱變形之情形，在下 部屏蔽23與上部屏蔽28最大，又，屏蔽整體膜厚的影響 是支配性的。亦即，如第7圖所示，下部屏蔽2 3和上部 屏蔽2 8之間的再生元件部分係朝浮動面突出（d )。就解 決此問題的方式而言，可考慮以熱力學物性値相近的構造 體構成薄膜磁頭元件，但是，現實上此種材料的選擇有其 -6 - (3) 1261818 困難性。因此，必須有薄膜磁頭兀件構件之配置或尺寸等 形狀的熱變形低減機構。 本發明的目的在於提供一種因環境溫度變化產生熱變 形，而導致再生磁頭元件朝浮動面突出情形較少的記錄再 生分離型磁頭。 [解決課題之手段] 爲了達成上述目的，本發明記錄再生分離型磁頭係具 備：磁阻效果型磁頭，在設置於基板上的下部屏蔽及上部 屏蔽之間，具有磁阻效果膜及電性連接於該磁阻效果膜的 一對電極；和感應型薄膜磁頭，在該磁阻效果型磁頭的上 部屏蔽上，藉由分離膜而設置的下部磁極及上部磁極之間 ，具有介設於磁間隙膜及層間絕緣膜之間的線圈，並且上 述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚的和係設定爲〇·4 //m以上，未滿3.4//m。 此外，爲了達成上述目的，本發明記錄再生分離型磁 頭係具備：磁阻效果型磁頭，在設置於基板上的下部屏蔽 及上部屏蔽之間，具有磁阻效果膜及電性連接於該磁阻效 果膜的一對電極；和感應型薄膜磁頭，在該磁阻效果型磁 頭的上部屏蔽上，藉由分離膜而設置的下部磁極及上部磁 極之間，具有介設於磁間隙膜及層間絕緣膜之間的線圈， 並且上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚的和乃設定爲 0.4 // m以上，未滿上述下部磁極的膜厚。 再者，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚的和係 (4) 1261818 設定爲未滿1 . 5 // m。 爲了達成上述目的，本發明記錄再生分離型磁頭係具 備：磁阻效果型磁頭，在設置於基板上的下部屏蔽及上部 屏蔽之間，具有磁阻效果膜及電性連接於該磁阻效果膜的 一對電極；和感應型薄膜磁頭，在該磁阻效果型磁頭的上 部屏蔽上，藉由分離膜而設置的下部磁極及上部磁極之間 ，具有介設於磁間隙膜及層間絕緣膜之間的線圈，並且上 述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚係分別設定爲0.2 μ m以上，未滿上述下部磁極的膜厚。 又，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚的係設定 爲未滿2.0 // m。 【實施方式】 第1圖是本發明一實施例之上部屏敝/下部fe極分離 型、記錄再生分離型磁頭1 〇之部分構成的剖面斜視圖。 再生用磁阻效果型（GMR )磁頭1 1之構造包括：排除所 期望信號以外之磁場的上部屏蔽28及下部屏蔽膜23、和 用以檢測所期望信號之GMR膜25及供電流流入該GMR 膜25的電極26、和上部間隙膜27及下部間隙膜24等。 另一方面，記錄用感應型薄膜磁頭12之構造包括：產生 記錄磁場的下部磁極3 1及上部磁極3 5、磁間隙膜3 2、施 加信號電流的線圈3 3及層間絕緣膜3 4等。下部磁極3 1 是由高導磁率材的主層和飽和磁束密度高的薄膜上層所構 成，且在其上層浮動面側形成有制定記錄磁軌寬度的微調 (5) 1261818 部（trimming) 31a。當然，下部磁極31亦可由單一膜構 成，下部磁極3 1的上層亦可與主層不同，而部分構成於 浮動面附近。上部磁極3 5的前端，相對於下部磁極3 1的 微調（t r i m m i n g )部3丨a，形成有用以制定記錄磁軌寬度 之上部磁極前端部3 5 a。這些構成磁頭1 0的膜乃製成於 積層絕緣膜2 2的基板2 1上。此外，磁頭元件整體係由保 護膜3 6所被覆。

本實施例中’係使上部屏蔽2 8膜厚tU S L與下部屏蔽 23膜厚tLSL的和（整體屏蔽的膜厚），薄於目前磁頭之 整體屏蔽約3.4 // m的膜厚’以作爲薄膜磁頭元件構件之 配置或尺寸等形狀的熱變形減低機構。第2圖是表示下部 屏蔽23和上部屏蔽28所挾持之再生元件部分的浮動面熱 變形突出量d，橫軸是整體屏蔽的膜厚（// m )，縱軸是 最大突出量（nm )，當目前磁頭之整體屏蔽的膜厚變薄 而形成大約3.4/zm至左右時，熱變形所產生之浮 動面的突出量d會減半。 由第2圖知悉，浮動面熱變形係依據屏蔽膜厚變薄的 程度而減少。然而，若屏蔽膜厚變得太薄，則屏蔽原本的 功能，即構成再生間隙，減低侵入屏蔽間之再生元件的多 餘磁場的效果會受到損害。 第3圖是表示在屏蔽外緣之侵入磁場衰減率，橫軸是 各屏蔽的膜厚（/i m )，縱軸是侵入磁場衰減率（％ )， 可知，當上部屏蔽2 8的膜厚tU S L和下部屏蔽2 3的膜厚 tLSL分別薄於0.2 μ m時，來自屏蔽外緣的侵入磁場會激 -9- (6) 1261818 增。此乃意味會對再生特性造成不良影響。因此’爲 浮動面熱變形突出減低和屏蔽原本功能兩者能夠並存 須將上部屏蔽28的膜厚tUSL及下部屏蔽23的膜厚 分別形成爲〇 . 2 // m以上。 由將屏蔽膜厚變薄以減低浮動面熱變形的觀點來 占浮動面熱變形整體之屏蔽的影響形成次要原因之條 必須的。具有和屏蔽同樣廣的平面形狀，同時產生與 同樣的浮動面熱變形突出之下部磁極3 1，其爲了確 錄磁場，故膜厚tLPl難以變薄至1·5 // m至2.0 // m 。若上部屏蔽28與下部屏蔽23之各膜厚無法薄於該 磁極3 1的膜厚tLP 1，則占浮動面熱變形整體之屏蔽 響爲次要的，而屏蔽將無法充分地實現浮動面熱變形 效果。爲了將屏蔽膜厚變薄使所獲致之浮動面熱變形 效果產生效果，上部屏蔽2 8的膜厚tU S L和下部屏| 的膜厚tLSL皆須薄於下部磁極31的膜厚tLPl ( 1·: 至 2 · 0 // m ) 〇 另一方面，環境變化所生之浮動面熱變形，可在 屏蔽2 8、下部屏蔽2 3及下部磁極3 1和上部磁極3 5 部位，看到突出傾向。第4圖是表示熱變形模擬所生 部位浮動面熱變形突出量，橫軸是整體屏蔽的膜厚（ )，縱軸是最大突出量（nm )，爲了使上下屏蔽28 及下部磁極3 1的突出量小於上部磁極3 5的突出量， 使整體屏蔽的膜厚薄於1 . 5 // m。 綜合上述的整理，爲了使浮動面熱變形低減效果 了使 ，必 tLSL 看， 件是 屏蔽 保記 以下 下部 的影 低減 低減 g 23 5 PL m 上部 兩個 之各 β m 、23 必須 得以 -10 - (7) 1261818 發揮，上部屏蔽2 8、下部屏蔽2 3及下部磁極3 1之膜厚 關係係如次所示。 (1) 整體屏蔽膜厚（tUSL+tLSL) <3.4 β m (2) 0.4"mS整體屏蔽膜厚（tUSL+tLSL)〈下部 磁極膜厚tLPl (3) 0.4/zmS 整體屏蔽膜厚（tUSL+tLSL) <1.5 β m (4) 0.2/zmS上部屏蔽膜厚tUSL、下部屏蔽膜厚 tLSL <下部磁極膜厚tLPl 第5圖是表示第1圖之記錄再生分離型磁頭1〇的整 體構成。在滑接板（slider) 20的端部接合基板21，在基 板 21 的端面形成再生用 GMR( Giant Magnetoresistive) 磁頭1 1和記錄用感應型薄膜磁頭12。滑接板（slider ) 20和基板2 1也可用同一構件構成。 繼之，說明第1圖所示之本實施例之記錄再生分離型 磁頭1 〇的製造方法。 (1 )基板21是燒結Al2 0 3 TiC而形成者。首先，在 基板21上形成絕緣膜22。絕緣膜22是以Al2〇3 ,利用濺 鍍法形成者。膜厚爲2 # m。 (2 )硏磨該絕緣膜2 2的表面，直到絕緣膜2 2的膜 厚變成約1 μ m爲止。藉此構成，在Ahmc基板1的 空孔埋設ai2o3，使表面變平滑。 (3 )繼之，將下部屏蔽膜23形成於絕緣膜22上。 -11 - (8) 1261818 材料爲N i F e。在此是利用以光抗I虫劑（p h o t o r e s i s t )膜 爲遮罩的電鍍法形成。膜厚爲0.7 // m。 (4 )再者，利用濺鍍法形成下部間隙膜24。膜厚 0.1 // m，材料爲Al2〇3。成膜後，形成信號輸出入用端 之形成上所必須之穿孔（t h r 〇 u g h h ο 1 e )。濺鍍是利用 光抗餓劑膜爲遮罩的離子硏磨（ion milling)來進行。 (5 )成膜信號檢測上最重要的GMR膜25。GMR 25是利用濺鍍法形成者。GMR膜是以CoFe薄膜作爲 由層的自旋閥（spin valve )膜。接著，圖案化成預定 狀。圖案化是利用與上述同樣的離子硏磨法。 (6 )在GMR膜25的兩端及下部間隙膜24上，利 移除（lift-off)法形成電極26。材料爲Ta/ TaW合金 層膜。膜厚分別爲 (7 )繼之，利用濺鍍法形成上部間隙膜2 7。膜厚 0 . 1 // m，材料爲 A12 Ο 3。成膜後，進行穿孔等的形成。 鑛是利用以光抗触劑吴爲遮罩的離子硏磨來進行。 (8 )此外，在上部間隙膜2 7上形成上部屏蔽膜 。形成方法是利用以光抗蝕劑膜爲遮罩的電鍍法。材料 下部屏蔽膜23同樣是NiFe合金。膜厚爲〇.7//rn。上 屏蔽膜2 8的上面以利用硏磨等方法形成平坦化爲佳。 藉由以上（1)至（8)步驟，形成再生用GMR磁 1 1。繼之，說明記錄用感應型薄膜磁頭1 2的製造步驟。 (9 )首先’形成將記錄用感應型薄膜磁頭1 2和再 用GMR磁頭1 1予以磁性分隔的分離膜2 9。於此，形 作 爲 子 以 膜 白 形 用 積 爲 濺 28 與 部 頭 生 成 -12- (9) 1261818 膜厚約0.5 μ m的Al2〇3薄膜。成膜方法是利用濺渡法。 藉此構成’記錄磁場不會直接施加在GMR磁頭1 1，GMR 磁頭1 1的電性特性得以穩定化。 (1 0 )其次，利用以光抗蝕劑膜爲遮罩的電鍍法形成 下部磁極3 1。就材料而言，下側主層爲n i F e合金，上層 薄膜爲可產生強記錄磁場的C ο N i F e合金。主層膜厚爲 1 . 5 // m，上層膜厚爲 〇 . 2 a m。利用離子硏磨法，將上層 浮動面側微調（trimming )成與記錄磁軌寬度相同的寬度 (0.3// m ) 〇 (1 1 )繼之，利用濺渡法形成磁間隙膜3 2。材料爲 A12 〇 3薄膜，膜厚約爲0 . 1 // m。 (1 2 )接著，將線圈3 3形成於層間絕緣膜3 4中。線 圈3 3是由銅（Cn )，利用以光抗蝕劑膜爲遮罩之電鍍法 形成者。線圈3 3的閘數爲兩段9圈（turn )。層間絕緣 膜3 4透過自旋塗佈光抗蝕劑膜，以高溫加熱，使內設的 氣體排出，來進行熱的穩定化。 (13 )利用電鍍法形成上部磁極35。材料爲NiFe合 金。在上部磁極3 5的媒體相對面側，形成磁軌寬度爲0.3 从m的上部磁極前端部3 5 a。上部磁極前端部3 5 a的材料 係爲可產生強記錄磁場的CoNiFe合金。 (1 4 )利用濺鍍法，將保護膜3 6形成於目前爲止所 積層的磁頭元件上。成膜膜厚爲60 // m，經硏磨後，最後 會變成5 0 // m。 (15)最後，形成未圖示之信號輸出入用端子。 -13- (10) 1261818 藉由上述步驟，完成由GMR磁頭1 1及感應 頭1 2所構成的記錄再生分離型磁頭1 〇。該記錄 型磁頭1 0因環境溫度上昇而導致的熱變形較少 因熱變形而導致磁頭元件朝浮動面突出的情形得 第6圖是表示搭載上述記錄再生分離型磁頭 碟裝置的構成。記錄再生分離型磁頭1 0係支承 架（gimbal ) 8，而萬向支架 8則固定於負載樑 beam)。負載樑7係安裝於支架（carriage) 4。 設於主軸馬達3而旋轉。主軸馬達3和支架4係 座5。藉由來自控制電路6的指示，驅動支架4 制負載樑7。藉由萬向支架8安裝於負載樑7的 分離型磁頭1 〇得以移動於磁碟2的半徑方向， 意的記錄磁軌，以進行資訊的記錄/再生。 如上所述，根據本發明之實施例，由於該磁 搭載有磁頭元件朝浮動面突出情形較少的記錄再 磁頭1 0，故可避免記錄再生分離型磁頭1 〇和磁 突’因此可獲致可罪性商的磁碟裝置。 [發明之效果] 如上所述，根據本發明，可提供因環境溫度 熱變形’而導致再生磁頭元件朝浮動面突出情形 錄再生分離型磁頭。 【圖式簡單說明】 型薄膜磁 再生分離 ，因此， 以減少。 i 1 〇之磁 於萬向支 7 ( load 磁碟2裝 安裝於基 ，旋轉控 記錄再生 定位於任 碟裝置係 生分離型 碟2的衝 變化產生 較少的記 -14 - (V,) 1261818 第1圖是本發明一實施例之記錄再生分離型磁頭構成 的部分剖面斜視圖。 第2圖是表示記錄再生分離型磁頭因環境溫度變化所 產生之浮動面熱變形突出量的圖。 第3圖是表示在記錄再生分離型磁頭在屏蔽外緣之侵 入fe場哀減率的圖。 第4圖是表示記錄再生分離型磁頭因環境溫度變化所 產生之各部位浮動面熱變形突出量的圖。 第5圖是表示本發明一實施例之記錄再生分離型磁頭 的整體構成圖。 第6圖是表示搭載本發明一實施例之記錄再生分離型 磁頭之磁碟裝置的構成圖。 第7圖是表示習知記錄再生分離型磁頭的部分剖視圖 [圖號說明] 2 1 :基板 2 3 :下部屏蔽 25 : GMR 膜 2 7 :上部間隙膜 2 9 :分離膜 3 1 a :下部磁極微調邰 3 3 :線圏 3 5 :上部磁極 1 〇 :記錄再生分離型磁頭 22 :絕緣膜 24 :下部間隙膜 2 6 :電極 2 S :上部屏蔽 3 1 :下部磁極 3 2 :磁間隙膜 3 4 :層間絕緣膜 -15- (12)1261818 3 5 a :上部磁極前端部 3 6 :保護膜

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Claims (1)

1. (1) 1261818 拾、申請專利範圍 1. 一種記錄再生分離型磁頭，其特徵爲： 具備：磁阻效果型磁頭，在設置於基板上的下部屏蔽 及上部屏蔽之間，具有磁阻效果膜及電性連接於該磁阻效 果膜的一對電極；和感應型薄膜磁頭，在該磁阻效果型磁 頭的上部屏蔽上，在藉由絕緣膜而設置的下部磁極及上部 磁極之間，具有介設於磁間隙膜及層間絕緣膜之間的線圈 並且，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚的和爲 0.4//m 以上，未滿 3.4//m。 2. —種記錄再生分離型磁頭，其特徵爲： 具備：磁阻效果型磁頭，在設置於基板上的下部屏蔽 及上部屏蔽之間，具有磁阻效果膜及電性連接於該磁阻效 果膜的一對電極；和感應型薄膜磁頭，在該磁阻效果型磁 頭的上部屏蔽上，在藉由絕緣膜而設置的下部磁極及上部 磁極之間，具有介設於磁間隙膜及層間絕緣膜之間的線圈 並且，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚的和爲 〇 . 4 /z m以上，未滿上述下部磁極的膜厚。 3 .如申請專利範圍第2項所記載之記錄再生分離型磁 頭，其特徵爲： 上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚的和未滿1 · 5 ji m 〇 4.一種記錄再生分離型磁頭’其特徵爲： -17- (2) 1261818 具備：磁阻效果型磁頭，在設置於基板上的下部屏蔽 及上部屏蔽之間，具有磁阻效果膜及電性連接於該磁阻效 果膜的一對電極；和感應型薄膜磁頭，在該磁阻效果型磁 頭的上部屏蔽上，在藉由絕緣膜而設置的下部磁極及上部 磁極之間，具有介設於磁間隙膜及層間絕緣膜之間的線圈 並且，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚分別爲 〇 . 2 // m以上，未滿上述下部磁極的膜厚。 5 .如申請專利範圍第4項所記載之記錄再生分離型磁 頭，其中，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚未滿 2 · Ο μ m 〇 6 . —種記錄再生分離型磁頭，其特徵爲： 具備：磁阻效果型磁頭，在設置於基板上的下部屏蔽 及上部屏蔽之間，具有磁阻效果膜及電性連接於該磁阻效 果膜的一對電極；和感應型薄膜磁頭，在該磁阻效果型磁 頭的上部屏蔽上，在藉由絕緣膜而設置的下部磁極及上部 磁極之間，具有介設於磁間隙膜及層間絕緣膜之間的線圈 並且，在上述下部磁極的浮動面側，具有制定記錄磁 軌寬度的微調部（t r i m m i n g )， 並且，在上述上部磁極的浮動面側，具有與上述下部 磁極之微調部相對的前端部， 並且，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚的和爲 0.4// m 以上，未滿 3.4// m。 -18- (3) 1261818 7 . —種記錄再生分離型磁頭，其特徵爲： 具備：磁阻效果型磁頭，在設置於基板上的下部屏蔽 及上部屏蔽之間’具有磁阻效果膜及電性連接於該磁阻效 果膜的一對電極；和感應型薄膜磁頭’在該磁阻效果型磁 頭的上部屏蔽上，在藉由絕緣膜而設置的下部磁極及上部 磁極之間，具有介設於磁間隙膜及層間絕緣膜之間的線圈 並且，在上述下部磁極的浮動面側，具有制定記錄磁 軌寬度的微調部’ 並且，在上述上部磁極的浮動面側’具有與上述下部 磁極之微調部相對的前端部’ 並且，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚的和爲 0.4 // m以上，未滿上述下部磁極的膜厚。 8 .如申請專利範圍第7項所記載之記錄再生分離型磁 頭，其中，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚的和未 滿 1 . 5 // m 〇 9 . 一種記錄再生分離型磁頭’其特徵爲· 具備：磁阻效果型磁頭’在設置於基板上的下部屏蔽 及上部屏蔽之間，具有磁阻效果膜及電性連接於該磁阻效 果膜的一對電極；和感應型薄膜磁頭’在該磁阻效果型磁 頭的上部屏蔽上，在藉由絕緣膜而設置的下部磁極及上部 磁極之間，具有介設於磁間隙膜及層間絕緣膜之間的線圈 並且，在上述下部磁極的浮動面側’具有制定記錄磁 -19- (4) 1261818 軌寬度的微調部’ 並|_上述上部磁極的浮動面側，具有與上述下部 磁極之微調部相對的前端部’ 且，述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚分別爲 0.2// m以上，未滿上述下部磁極的膜厚。 1 0.如申請專利範圍第9項所記載之記錄再生分離型 磁頭，其中，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚未滿 2 · 0 // m。 1 1 · 一種記錄再生分離型磁頭’其特徵爲： 具備：磁阻效果型磁頭，在設置於基板上的下部屏敝 及上部屏蔽之間’具有磁阻效果膜及電性連接於該磁阻效 果膜的一對電極；和感應型薄膜磁頭，在該磁阻效果型to 頭的上部屏蔽上，在藉由絕緣膜而設置的下部磁極及上部 磁極之間，具有介設於磁間隙膜及層間絕緣膜之間的線圈 ， 並且，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚的和爲 0.4 // m以上，未滿上述下部磁極主層的膜厚。 1 2 . —種記錄再生分離型磁頭’其特徵爲： 具備：磁阻效果型磁頭，在設置於基板上的下部屏蔽 及上部屏蔽之間，具有磁阻效果膜及電性連接於該磁阻效 果膜的一對電極；和感應型薄膜磁頭，在該磁阻效果型磁 頭的上部屏蔽上’在藉由絕緣膜而設置的下部磁極及上部 磁極之間，具有介設於磁間隙膜及層間絕緣膜之間的線圈 -20 - (5) 1261818 並且，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚分別爲 0.2 # m以上，未滿上述下部磁極主層的膜厚。 13. —種記錄再生分離型磁頭’其特徵爲· 具備：磁阻效果型磁頭，在設置於基板上的下部屏蔽 及上部屏蔽之間’具有磁阻效果膜及電性連接於該磁阻效 果膜的一對電極；和感應型薄膜磁頭’在該磁阻效果型磁 頭的上部屏蔽上’在藉由絕緣膜而設置的下部磁極及·^部 磁極之間，具有介設於磁間隙膜及層間絕緣膜之間的線圈 並且，在上述下部磁極上層的浮動面側，具有制定記 錄磁軌寬度的微調部’ 並且，在上述上部磁極的浮動面側，具有與上述下部 磁極之微調部相對的前端部’ 並且，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚的和爲 0.4//m 以上，未滿 3.4ym。 14. 一種記錄再生分離型磁頭，其特徵爲： 具備··磁阻效果型磁頭，在設置於基板上的下部屏蔽 及上部屏蔽之間，具有磁阻效果膜及電性連接於該磁阻效 果膜的一對電極；和感應型薄膜磁頭，在該磁阻效果型磁 頭的上部屏蔽上，在藉由絕緣膜而設置的下部磁極及上部 磁極之間，具有介設於磁間隙膜及層間絕緣膜之間的線圈 並且，在上述下部磁極上層的浮動面側，具有制定記 錄磁軌寬度的微調部， -21 - (6) 1261818 並且，在上述上部磁極的浮動面側’具有與上述下部 磁極之微調部相對的前端部’ 並且，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚的和爲 〇 . 4 // m以上，未滿上述下部磁極主層的膜厚。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所記載之記錄再生分離型 磁頭，其中，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚的和 未滿 1 · 5 // m 〇

   1 6 . —種記錄再生分離型磁頭，其特徵爲： 具備：磁阻效果型磁頭，在設置於基板上的下部屏蔽 及上部屏蔽之間，具有磁阻效果膜及電性連接於該磁阻效 果膜的一對電極；和感應型薄膜磁頭，在該磁阻效果型磁 頭的上部屏蔽上，在藉由絕緣膜而設置的下部磁極及上部 磁極之間，具有介設於磁間隙膜及層間絕緣膜之間的線圈

   並且，在上述下部磁極上層的浮動面側，具有制定記 錄磁軌寬度的微調部， 並且，在上述上部磁極的浮動面側，具有與上述下部 磁極之微調部相對的前端部， 並且，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚分別爲 0.2 // m以上，未滿上述下部磁極主層的膜厚。 17.如申請專利範圍第16項所記載之記錄再生分離型 磁頭，其中，上述下部屏蔽之膜厚與上部屏蔽之膜厚未滿 2 · 0 // m 〇 -22-