JPS6035315A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPS6035315A JPS6035315A JP14293183A JP14293183A JPS6035315A JP S6035315 A JPS6035315 A JP S6035315A JP 14293183 A JP14293183 A JP 14293183A JP 14293183 A JP14293183 A JP 14293183A JP S6035315 A JPS6035315 A JP S6035315A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- recording
- films
- saturation magnetization
- layer
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
- G11B5/3153—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers including at least one magnetic thin film coupled by interfacing to the basic magnetic thin film structure
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は記録能力にすぐれ、再性分ｊｌｊｉｒ能の１１
い薄膜磁気ヘッドに関するものである。
い薄膜磁気ヘッドに関するものである。
磁気記録装置の高密度化、記録情報の高転送速度化に伴
ない、従来のバルクヘッドにかわり薄膜磁気ヘッドが実
用化され木に至った。この薄膜磁気ヘッドは基板上に下
部磁性層、絶縁層、導体。
ない、従来のバルクヘッドにかわり薄膜磁気ヘッドが実
用化され木に至った。この薄膜磁気ヘッドは基板上に下
部磁性層、絶縁層、導体。
上部磁性層および保護層を順次成膜、エツチングし、基
板上に同時に多数のトランスジューサを製造することが
できるので、量産効果にすぐれ、また、ギャップ長やト
ラック幅などの寸法を精度良く、均質に作製できるとい
う特徴を有している。
板上に同時に多数のトランスジューサを製造することが
できるので、量産効果にすぐれ、また、ギャップ長やト
ラック幅などの寸法を精度良く、均質に作製できるとい
う特徴を有している。
また、ギャップを形成する下部磁性層と上部磁性層の厚
さが従来のフェライトバルクヘッドに比較して著しく小
さいため、両磁性層の外縁で逆向きの磁界を発生する、
いわゆる「形状効果」（ｃｏｎｔｏｕｒ ｅｆｆｅｃｔ
）が払１著になシ、記録ビット長に応じて、この逆向
きの磁界が再生出力電圧を増減さぜる。従って、記録ビ
ット長により、フェライトバルクヘッドより高い再生出
力を得られる場合と、より低い再生出力しか得られない
場合がある０ 第１図は薄膜磁気ヘッドの記録媒体対向面近傍の断面と
その位置に対応した再生出力波形を示す図であり、１は
下部磁性層、２は上部磁性層、３はギャップ、４は下部
磁性層の外縁、５は上部磁性層の外縁、６は基板、７は
保護層、および１０１は単一の磁化遷移による再生出力
波形である。第１図において、前述した薄膜磁気ヘッド
の形状効果により、下部磁性Ｍ１および上部磁性層２の
外縁４および５において、逆向きの磁界を発生し、従っ
て、単一の磁化遷移を通過した場合の再生出力波形１０
１は、ギャップ３で発生する主パルスと磁性層の外縁４
および５で発生する逆向きのパルスを含むこととなる。
さが従来のフェライトバルクヘッドに比較して著しく小
さいため、両磁性層の外縁で逆向きの磁界を発生する、
いわゆる「形状効果」（ｃｏｎｔｏｕｒ ｅｆｆｅｃｔ
）が払１著になシ、記録ビット長に応じて、この逆向
きの磁界が再生出力電圧を増減さぜる。従って、記録ビ
ット長により、フェライトバルクヘッドより高い再生出
力を得られる場合と、より低い再生出力しか得られない
場合がある０ 第１図は薄膜磁気ヘッドの記録媒体対向面近傍の断面と
その位置に対応した再生出力波形を示す図であり、１は
下部磁性層、２は上部磁性層、３はギャップ、４は下部
磁性層の外縁、５は上部磁性層の外縁、６は基板、７は
保護層、および１０１は単一の磁化遷移による再生出力
波形である。第１図において、前述した薄膜磁気ヘッド
の形状効果により、下部磁性Ｍ１および上部磁性層２の
外縁４および５において、逆向きの磁界を発生し、従っ
て、単一の磁化遷移を通過した場合の再生出力波形１０
１は、ギャップ３で発生する主パルスと磁性層の外縁４
および５で発生する逆向きのパルスを含むこととなる。
第２図（ａ）（ｂ）は、記録ビット長により、前記逆向
きのパルスが再生出力に与える影響を示した再生出力波
形であシ、１０１，１０２，１０３，１０４．および１
０５は単一の磁化遷移に対する再生出力波形であって、
１０２および１０３は再生出力波形１０１を発生する磁
化遷移に隣接した磁化遷移よ磁化ずる再生出力波形であ
シ、１０４および１０５は、その隣シの磁化遷移よ磁化
ずる再生出力波形である。
きのパルスが再生出力に与える影響を示した再生出力波
形であシ、１０１，１０２，１０３，１０４．および１
０５は単一の磁化遷移に対する再生出力波形であって、
１０２および１０３は再生出力波形１０１を発生する磁
化遷移に隣接した磁化遷移よ磁化ずる再生出力波形であ
シ、１０４および１０５は、その隣シの磁化遷移よ磁化
ずる再生出力波形である。
また、１０６は、再生出力波形１０１のピーク値に対す
る再生出力波形１０２および１０３の干渉成分であり、
１’０７は再生出力波形１０１のピーク値に対する再生
出力波形１０４および１０５の干渉成分である。第２図
において、（、）は記録ビット長が下部磁性層１および
上部磁性層２の厚さに等しい場合であり、 （ｂ）は、
記録ビット長が下部磁性層１および上部磁性層２の厚で
の１／２に等しい場合である。
る再生出力波形１０２および１０３の干渉成分であり、
１’０７は再生出力波形１０１のピーク値に対する再生
出力波形１０４および１０５の干渉成分である。第２図
において、（、）は記録ビット長が下部磁性層１および
上部磁性層２の厚さに等しい場合であり、 （ｂ）は、
記録ビット長が下部磁性層１および上部磁性層２の厚で
の１／２に等しい場合である。
第２図において、（ａ）のごとく、記録ビット長が磁性
層の厚さにむしい場合には、再生出力波形１０２および
１０３の干渉成分１０６は、再生出力波形１０１の主パ
ルスの極性と同一であり・再生出力電圧を塘加させる様
に作用するが、（ｂ）のように記録ピット長長が磁性層
の厚さの１／２になった場合には、再生出力波形１０２
およ、び１０３の干渉成分１０６と、再生出力波形１０
４および１０５の干渉成分１０７はともに１１」生出力
波形１０１の主パルスと逆の磁性になるため、再生出力
を減少させる様に作用する。
層の厚さにむしい場合には、再生出力波形１０２および
１０３の干渉成分１０６は、再生出力波形１０１の主パ
ルスの極性と同一であり・再生出力電圧を塘加させる様
に作用するが、（ｂ）のように記録ピット長長が磁性層
の厚さの１／２になった場合には、再生出力波形１０２
およ、び１０３の干渉成分１０６と、再生出力波形１０
４および１０５の干渉成分１０７はともに１１」生出力
波形１０１の主パルスと逆の磁性になるため、再生出力
を減少させる様に作用する。
この関係を記録密度による再生出力電圧の変化としてブ
【ゴツトすると第３図のようになる。第３図のグラフに
おいて、１０８は、洩−膜磁気ヘッドの記録密度に対す
る再生出力電圧の一例、１０９はフェライトバルクヘッ
ドの一例であ勺、該グラフ横軸の８の位置は記録ビット
長が磁性層１および２の厚さに等しい場合の記録密度で
あシ、同じく９０位置は記録ビット長が磁性層１および
２の厚さのｌ／２に等しい場合の記録密度である。第３
図釦おいて、記録密度８付近までの記録密度においては
、ｎＶ膜磁気ヘッドの再生出力電圧１０８はフェライト
バルクヘッドの再生出力電圧１０９を上まわるが、記録
密度９付近では、バルクヘッドの再生出力電圧１０９を
下まわってしまう。従来のディスク装置においては、使
用記録密度は記録密度８の領域までであったが、より高
記録密度の記録・再生を行なうためには、さらに記録ビ
ット長を短くする必要があり、記録密度９の領域で使用
することになる。もちろん、薄膜磁気ヘッドの磁性層１
および２の厚さを薄くすることによシ、記録密度８およ
び９をさらに伸ばすことも可能であるが、記録能力との
兼ね合いで極端に薄膜化することは磁性層１および２の
飽和を招き不適当である。
【ゴツトすると第３図のようになる。第３図のグラフに
おいて、１０８は、洩−膜磁気ヘッドの記録密度に対す
る再生出力電圧の一例、１０９はフェライトバルクヘッ
ドの一例であ勺、該グラフ横軸の８の位置は記録ビット
長が磁性層１および２の厚さに等しい場合の記録密度で
あシ、同じく９０位置は記録ビット長が磁性層１および
２の厚さのｌ／２に等しい場合の記録密度である。第３
図釦おいて、記録密度８付近までの記録密度においては
、ｎＶ膜磁気ヘッドの再生出力電圧１０８はフェライト
バルクヘッドの再生出力電圧１０９を上まわるが、記録
密度９付近では、バルクヘッドの再生出力電圧１０９を
下まわってしまう。従来のディスク装置においては、使
用記録密度は記録密度８の領域までであったが、より高
記録密度の記録・再生を行なうためには、さらに記録ビ
ット長を短くする必要があり、記録密度９の領域で使用
することになる。もちろん、薄膜磁気ヘッドの磁性層１
および２の厚さを薄くすることによシ、記録密度８およ
び９をさらに伸ばすことも可能であるが、記録能力との
兼ね合いで極端に薄膜化することは磁性層１および２の
飽和を招き不適当である。
従って、高記録密度媒体に対しては、薄膜磁気ヘッドが
フェライトバルクヘッドより劣ることになると予想され
る。
フェライトバルクヘッドより劣ることになると予想され
る。
゛本発明の目的は、かかる則膜磁気−・ラドの欠点を改
善し、高記録密度媒体に対しても、フェライトバルクヘ
ッドよシ優れた特性を有する薄膜磁気ヘッドを提供する
ことにある。
善し、高記録密度媒体に対しても、フェライトバルクヘ
ッドよシ優れた特性を有する薄膜磁気ヘッドを提供する
ことにある。
本発明は、基板上にギャップを形成する非磁性層とコイ
ルを形成する導体層とを挾んで、複数の軟磁性膜を有す
る積層体からなる上部および下部（磁極を配置したｆ）
（膜磁気ヘッドであって、前記磁極を（１４成する複数
の軟磁性膜の材料が、前記非磁性層眞近い脳はど飽和磁
化の大きい利料であることを特Ｅｋとし、このよりな−
・２ドにより、記録能力が優れ、置記録密度の記録再生
を行なえるという利点を有する。
ルを形成する導体層とを挾んで、複数の軟磁性膜を有す
る積層体からなる上部および下部（磁極を配置したｆ）
（膜磁気ヘッドであって、前記磁極を（１４成する複数
の軟磁性膜の材料が、前記非磁性層眞近い脳はど飽和磁
化の大きい利料であることを特Ｅｋとし、このよりな−
・２ドにより、記録能力が優れ、置記録密度の記録再生
を行なえるという利点を有する。
以下、実施例に従い、本発明による薄膜磁気ヘッドにつ
いて詳ｆＩＢに説明する。
いて詳ｆＩＢに説明する。
第４図は本発明による薄膜磁気ヘッドの実施例を示す断
面図であり、１０および１１は商い飽和磁化を有する軟
磁性膜であり、本実施例ではＣ〇−Ｚｒ系７モルフォス
膜を用いたが、この他センダス）、Ｆｅ系７モルフォス
材料などが使用できる。
面図であり、１０および１１は商い飽和磁化を有する軟
磁性膜であり、本実施例ではＣ〇−Ｚｒ系７モルフォス
膜を用いたが、この他センダス）、Ｆｅ系７モルフォス
材料などが使用できる。
１２および１３は、１０および１１よすも低い飽和磁化
を有する軟磁性膜であり、本実施例ではパーマロイを用
いた。１４は絶縁層、１５は導体であり、それぞれＡＩ
、０３と銅を用いた。第４図に示す薄膜磁気ヘッドは、
記録時において、導体１５に大電流を流した場合、内側
の磁性膜１０および１１の飽和磁化が大きいため、磁性
層１および２が磁気飽和を起こすことなく大きな記録磁
界を発生することができる。さらに、内側の磁性膜１０
および１１の飽和磁化が、外側の磁性膜１２および１３
の飽和磁化に比較して大きいため、媒体対向面での記録
磁界分布は、内側の磁性膜１０および１１に集中した鋭
い形となる。同時に、ギャップ３での記録磁界に対して
、ボール外縁部４および５での逆向きの磁界が、磁性膜
１０および１１と磁性膜１２および１３の飽和磁化の差
により小さくなり、単層膜ヘッドに比較して形状効果を
低減することができる。従って、再生時においてもヘッ
ドの磁界分布が鋭いため、高分解能であり、形状効果の
低減により、第３図に示した記録密度特性のカーブのう
ねシを押えることができ、記録ビット長が磁性層１およ
び２の厚みより短い記録密度においても高い再生出力を
得ることができる。
を有する軟磁性膜であり、本実施例ではパーマロイを用
いた。１４は絶縁層、１５は導体であり、それぞれＡＩ
、０３と銅を用いた。第４図に示す薄膜磁気ヘッドは、
記録時において、導体１５に大電流を流した場合、内側
の磁性膜１０および１１の飽和磁化が大きいため、磁性
層１および２が磁気飽和を起こすことなく大きな記録磁
界を発生することができる。さらに、内側の磁性膜１０
および１１の飽和磁化が、外側の磁性膜１２および１３
の飽和磁化に比較して大きいため、媒体対向面での記録
磁界分布は、内側の磁性膜１０および１１に集中した鋭
い形となる。同時に、ギャップ３での記録磁界に対して
、ボール外縁部４および５での逆向きの磁界が、磁性膜
１０および１１と磁性膜１２および１３の飽和磁化の差
により小さくなり、単層膜ヘッドに比較して形状効果を
低減することができる。従って、再生時においてもヘッ
ドの磁界分布が鋭いため、高分解能であり、形状効果の
低減により、第３図に示した記録密度特性のカーブのう
ねシを押えることができ、記録ビット長が磁性層１およ
び２の厚みより短い記録密度においても高い再生出力を
得ることができる。
さらに、磁性層１および２が単層の場合にはヘッド効率
を上昇させるために透磁率を上げようとすると、膜内の
異方性磁界ＨＦ、、を下げざるを得す、結果として、磁
性層１および２に現れる磁区の安定性が低下して、再生
時に波形歪の原因となることがあったが、本発明におけ
る薄膜磁気ヘッドにおいては、飽和磁化の小さい外側の
磁性膜１２および１３の異方性磁界Ｈｋのみ大きくすれ
ば、外側の磁性膜１２および１３と内１１０の磁性膜１
０および１１の磁気的な結合によ軌内側の磁性膜１０お
よび１１の磁区も安定化できるという犬き力効果を有し
ている。
を上昇させるために透磁率を上げようとすると、膜内の
異方性磁界ＨＦ、、を下げざるを得す、結果として、磁
性層１および２に現れる磁区の安定性が低下して、再生
時に波形歪の原因となることがあったが、本発明におけ
る薄膜磁気ヘッドにおいては、飽和磁化の小さい外側の
磁性膜１２および１３の異方性磁界Ｈｋのみ大きくすれ
ば、外側の磁性膜１２および１３と内１１０の磁性膜１
０および１１の磁気的な結合によ軌内側の磁性膜１０お
よび１１の磁区も安定化できるという犬き力効果を有し
ている。
また、従来の薄膜磁気ヘッドの製造プロセスに比較して
、単に磁性層１および３を積層するプロセスが増加する
のみであるから、作業時間の増加はほとんど無く、良品
率を低下させる複雑な処理は不必要である。
、単に磁性層１および３を積層するプロセスが増加する
のみであるから、作業時間の増加はほとんど無く、良品
率を低下させる複雑な処理は不必要である。
第５図は本発明による薄膜磁気へ、ドの別の実施例を示
す断面図であり、１６は磁性膜１０および１１と磁性膜
１２および１３を磁気的、′１Ｅ気的に絶縁する中間層
である。この中間層の材料としてはＡ１□０３ヲ用いた
。第５図において、磁性膜１０および１１と磁性膜１２
．１＋、−よび１３は中間Ｊｉ１６により電気的に絶縁
されているので、高周波動作時においても表皮効果によ
る損失を低減することができる。一方、中間層１６があ
っても、磁性膜１０および１１と磁性膜１２および１３
は、磁性膜端面に生ずる磁衝により、磁気的に結合して
いるので、高飽和磁化を有する軟磁性膜ｌＯおよび１１
に形成される磁区は、安定化される。実施例に用いた２
種軟磁性膜は前述に関係のある材料であるなら他の材料
を用いてもよい。また絶縁層、中間層、導体も前記材料
以外の材料を選択することができる。
す断面図であり、１６は磁性膜１０および１１と磁性膜
１２および１３を磁気的、′１Ｅ気的に絶縁する中間層
である。この中間層の材料としてはＡ１□０３ヲ用いた
。第５図において、磁性膜１０および１１と磁性膜１２
．１＋、−よび１３は中間Ｊｉ１６により電気的に絶縁
されているので、高周波動作時においても表皮効果によ
る損失を低減することができる。一方、中間層１６があ
っても、磁性膜１０および１１と磁性膜１２および１３
は、磁性膜端面に生ずる磁衝により、磁気的に結合して
いるので、高飽和磁化を有する軟磁性膜ｌＯおよび１１
に形成される磁区は、安定化される。実施例に用いた２
種軟磁性膜は前述に関係のある材料であるなら他の材料
を用いてもよい。また絶縁層、中間層、導体も前記材料
以外の材料を選択することができる。
以上のように本発明による薄膜磁気へ、ソドを用いるこ
とＫより、ギャップ３での磁界分布を従来ヘッドに比較
して鋭くすることができ、高記録密度で情報の記録・再
生を行なうことが可能であシ、記憶装置の小形化、大容
量化に貢献する。
とＫより、ギャップ３での磁界分布を従来ヘッドに比較
して鋭くすることができ、高記録密度で情報の記録・再
生を行なうことが可能であシ、記憶装置の小形化、大容
量化に貢献する。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドのギャップ近傍出力波形
の高密度時の干渉を示す波形、第３図は従来の薄膜磁気
ヘッドとフェライトバルクヘッドを用いた場合の記録密
度と再生出力電圧の関係を示したグラフ、第４図及び第
５図は、本発明によるれ（膜磁気ヘッドの一実施例の断
面図であり、１・・・下部磁性層、２・・・上部磁性層
、３・・・ギャップ、４・・下部磁性層の夕１縁、５
上部磁性層の外縁、６・・・基板、７・・・保診層、８
・・磁性層１および２の膜厚と記録ビット長が等しくな
る記録密度、９・・磁性層１および２の膜厚の１／２と
記録ビット長が等しくなる記録密度、１０．１１・・・
高飽和磁化高透磁率の特性を有する磁性膜、１２．ｉａ
＝・ｉ ｏ。 １１より低飽和磁化、低透磁率の特性を有する磁性膜、
１４・・・絶縁層、１５・・・導体、１６・・・中間層
であ７Ｉ−１図 ；＋ ２ 図 （ａ） オ ３ 図 記録密度 ７１−４ 図
の高密度時の干渉を示す波形、第３図は従来の薄膜磁気
ヘッドとフェライトバルクヘッドを用いた場合の記録密
度と再生出力電圧の関係を示したグラフ、第４図及び第
５図は、本発明によるれ（膜磁気ヘッドの一実施例の断
面図であり、１・・・下部磁性層、２・・・上部磁性層
、３・・・ギャップ、４・・下部磁性層の夕１縁、５
上部磁性層の外縁、６・・・基板、７・・・保診層、８
・・磁性層１および２の膜厚と記録ビット長が等しくな
る記録密度、９・・磁性層１および２の膜厚の１／２と
記録ビット長が等しくなる記録密度、１０．１１・・・
高飽和磁化高透磁率の特性を有する磁性膜、１２．ｉａ
＝・ｉ ｏ。 １１より低飽和磁化、低透磁率の特性を有する磁性膜、
１４・・・絶縁層、１５・・・導体、１６・・・中間層
であ７Ｉ−１図 ；＋ ２ 図 （ａ） オ ３ 図 記録密度 ７１−４ 図
Claims (2)
- （１）基板上にギャップを形成する非磁性層とコイルを
形成する導体層とを挾んで、少数の軟磁性膜を有する積
層体からなる上部および下部イＩＢ極を配置した薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記磁極を＋７４成する複数の軟磁
性膜の材料が、前記非磁性層に近い膜はど飽和磁化の大
きい材料であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - （２） 軟磁性膜間に非磁性の中間層を有している特許
請求の範囲第１項に記載の薄膜磁気へ、ラド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14293183A JPS6035315A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14293183A JPS6035315A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035315A true JPS6035315A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15326968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14293183A Pending JPS6035315A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035315A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050610A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-20 | Sony Corp | 薄膜型磁気ヘツド |
| JPS6339111A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-19 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| US4943879A (en) * | 1986-08-22 | 1990-07-24 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head including magnetic layers having high saturation magnetic flux density and metal film for avoiding deterioration during manufacturing |
| JPH04157607A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-29 | Nec Kansai Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| US5245488A (en) * | 1986-08-13 | 1993-09-14 | Seiko Epson Corporation | Low-noise composite magnetic head for recording and producing |
| JPH07262519A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-10-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Ｍｒ複合ヘッド及びその製造方法 |
| US6490126B1 (en) | 1999-04-08 | 2002-12-03 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head having a magnetic layer including stacked magnetic material layers and a resistance layer and method of manufacturing same |
| WO2003083837A1 (fr) * | 2002-04-01 | 2003-10-09 | Fujitsu Limited | Tete magnetique a couche mince et procede de production de cette derniere |
-
1983
- 1983-08-04 JP JP14293183A patent/JPS6035315A/ja active Pending
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