JPS5877018A - 薄膜誘導トランスジユ−サ - Google Patents
薄膜誘導トランスジユ−サInfo
- Publication number
- JPS5877018A JPS5877018A JP57155310A JP15531082A JPS5877018A JP S5877018 A JPS5877018 A JP S5877018A JP 57155310 A JP57155310 A JP 57155310A JP 15531082 A JP15531082 A JP 15531082A JP S5877018 A JPS5877018 A JP S5877018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- layer
- thin film
- pole tip
- magnetic layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜誘導トランスジューサに係り、特に可動
磁気記録媒体に対する磁気転移の垂直記録及び読出しに
好適な薄膜誘導トランスジューサに関する。
磁気記録媒体に対する磁気転移の垂直記録及び読出しに
好適な薄膜誘導トランスジューサに関する。
従来、記録時の薄膜誘導トランスジューサの効率を高め
るため及び読出し時の転移の分解11改良するために種
々の購成が提案“されている。一般の縦方向記録に適し
た薄膜誘導トランスジューサは単一ギャップ・ヘッドを
形成する2つの磁ケ層から成る。この種の典型的なトラ
ンスジューサは米国特許第4190872号に開示され
ている。
るため及び読出し時の転移の分解11改良するために種
々の購成が提案“されている。一般の縦方向記録に適し
た薄膜誘導トランスジューサは単一ギャップ・ヘッドを
形成する2つの磁ケ層から成る。この種の典型的なトラ
ンスジューサは米国特許第4190872号に開示され
ている。
垂直記録は一般的な縦方向記録よシも高い線形密度を実
現する可能性があるので、垂直記録及び読出しに適した
トランスジューサに対する関心が増大している。
現する可能性があるので、垂直記録及び読出しに適した
トランスジューサに対する関心が増大している。
1980年9月発行のI E E E Transa
ctionon Magneticsの第967頁以下
には、R,I。
ctionon Magneticsの第967頁以下
には、R,I。
Potter及び1.A、Beardsley %Fの
’5elf−Consistent Compute
r Ca1culations forPerpe
ndicular Magnetic Recordi
ng ”という題名の論文が掲載されている。この論
文には、垂直記録のための4種の記録ヘッド、すなわち
(、)フェライト・ヘッド、(b)@−ギャップ型の薄
膜ヘッド、(C)フェライト型の二重ギャップ・ヘッド
及び(d)Ii−fヘッド及び軟磁性基体の磁界計算の
ための分析式について論述されている。この論文の第1
5図には、臣−ギャップ薄膜ヘッドが示され、第16図
は二重ギャップ・フェライト・ヘットニのみ適当な(”
Ferrite Head”と見出しが付された第3
図に示されたような)見かけ上無限大の幅の外側磁極先
端のほか薄い中央磁極先端を有する二重ギャップ・ヘッ
ドを示す。導電ターンの位置、全体震成及びヘッドの製
造方法は開示及び示唆されていない。
’5elf−Consistent Compute
r Ca1culations forPerpe
ndicular Magnetic Recordi
ng ”という題名の論文が掲載されている。この論
文には、垂直記録のための4種の記録ヘッド、すなわち
(、)フェライト・ヘッド、(b)@−ギャップ型の薄
膜ヘッド、(C)フェライト型の二重ギャップ・ヘッド
及び(d)Ii−fヘッド及び軟磁性基体の磁界計算の
ための分析式について論述されている。この論文の第1
5図には、臣−ギャップ薄膜ヘッドが示され、第16図
は二重ギャップ・フェライト・ヘットニのみ適当な(”
Ferrite Head”と見出しが付された第3
図に示されたような)見かけ上無限大の幅の外側磁極先
端のほか薄い中央磁極先端を有する二重ギャップ・ヘッ
ドを示す。導電ターンの位置、全体震成及びヘッドの製
造方法は開示及び示唆されていない。
垂直記録のために従来提案されている薄膜誘導トランス
ジューサは、2つの磁ビ鳴全関用する屯−ギャップ型の
ものである。かかるトランスジュ−サは、検出すること
が困難な磁気転移の゛ディビット(dibit)”パタ
ーン全発生はせてしまう。
ジューサは、2つの磁ビ鳴全関用する屯−ギャップ型の
ものである。かかるトランスジュ−サは、検出すること
が困難な磁気転移の゛ディビット(dibit)”パタ
ーン全発生はせてしまう。
また、薄膜ヘッドの場合、米国特許第4’219855
号に記載されている”ラップアラウンド(wrap−a
round )”という現象が生じるおそれがある。こ
れは、製造の際の磁極先端の位置における磁性層の位置
合せの不旧確さによって生じる。
号に記載されている”ラップアラウンド(wrap−a
round )”という現象が生じるおそれがある。こ
れは、製造の際の磁極先端の位置における磁性層の位置
合せの不旧確さによって生じる。
その結果、−万の1の縁部が他方の層の縁部に対しであ
る角度で突出し、一方の層の有効幅が減少してしまい、
記録及び読出しの効率が低下してしまう。
る角度で突出し、一方の層の有効幅が減少してしまい、
記録及び読出しの効率が低下してしまう。
高い線形密度の垂直記録及び読出しに特に好適であると
ともに製造が比較的容易な二重ギャップ薄膜誘導ギャッ
プは従来知られていない。薄膜ヘッドはより高い性能金
得ることができるので、薄膜二重ギャップ・ヘッドは二
重ギャップ・フェライト・ヘッドよりも好ましい。薄膜
ヘッドはフェライト材よシも周昶数貴答の高いパーマロ
イ磁性材を筒用し、またそれはより小さいので、薄膜ヘ
ッドのインダクタンスは小さい。
ともに製造が比較的容易な二重ギャップ薄膜誘導ギャッ
プは従来知られていない。薄膜ヘッドはより高い性能金
得ることができるので、薄膜二重ギャップ・ヘッドは二
重ギャップ・フェライト・ヘッドよりも好ましい。薄膜
ヘッドはフェライト材よシも周昶数貴答の高いパーマロ
イ磁性材を筒用し、またそれはより小さいので、薄膜ヘ
ッドのインダクタンスは小さい。
本発明の主目的は、“ディビット(dibit)”型の
磁気転移が高振幅の屯−電圧ピークの杉のデータ信号の
形で取り出し得る薄膜誘導トランスジューサを提供する
ことにある。かかるトランスジューサによれば、現在倣
−ギャッ歩薄膜誘導iランスジューサに関連した縦方向
記録及び読出装竺とともに使用されている一般的なピー
ク検出技術を使用することができる。
磁気転移が高振幅の屯−電圧ピークの杉のデータ信号の
形で取り出し得る薄膜誘導トランスジューサを提供する
ことにある。かかるトランスジューサによれば、現在倣
−ギャッ歩薄膜誘導iランスジューサに関連した縦方向
記録及び読出装竺とともに使用されている一般的なピー
ク検出技術を使用することができる。
本発明の別の目的は、上述した好ましくない”ラップア
ラウンド(wrap−around ) #現象を回避
でき、薄膜2磁極先端プローブ・ヘッドに必要な層の数
よりも超過する層の数が最小な(従って製造が容易な)
垂直記録に適した薄膜3磁極先端プローブ・ヘッドを提
供することにある。本発明による3磁極先端プローブ・
ヘッドは、縦方向記録に従来使用されていた単一ギャッ
プ2磁極先端ヘツドによって得られたー感度とほぼ同じ
感度金得ることができる。
ラウンド(wrap−around ) #現象を回避
でき、薄膜2磁極先端プローブ・ヘッドに必要な層の数
よりも超過する層の数が最小な(従って製造が容易な)
垂直記録に適した薄膜3磁極先端プローブ・ヘッドを提
供することにある。本発明による3磁極先端プローブ・
ヘッドは、縦方向記録に従来使用されていた単一ギャッ
プ2磁極先端ヘツドによって得られたー感度とほぼ同じ
感度金得ることができる。
可動磁気記録媒体に対して磁気転移全垂直記録し且つ読
出すのに特に好適な本発明による薄膜誘導トランスジュ
ーサは、空気ベアリング面に隣接した磁極先端領域にお
いて1対の磁気変換ギャップを画定するために3つの薄
膜磁性層が基体上に間隔をおいて重ね合されるように配
設される。導電ターンの単一層は例えば1つの外側母性
鳴と中間磁性層との間に配設される。2つの磁気閉鎖が
形成される。一方の磁気閉鎖は導電ターンによって境界
付けされた領域内の中間層と上記1つの外側層との電気
的接触によって形成され、明方の磁気閉鎖は導電ターン
の外側の上記2つの外側層の電気的接触によって形成さ
れる。
出すのに特に好適な本発明による薄膜誘導トランスジュ
ーサは、空気ベアリング面に隣接した磁極先端領域にお
いて1対の磁気変換ギャップを画定するために3つの薄
膜磁性層が基体上に間隔をおいて重ね合されるように配
設される。導電ターンの単一層は例えば1つの外側母性
鳴と中間磁性層との間に配設される。2つの磁気閉鎖が
形成される。一方の磁気閉鎖は導電ターンによって境界
付けされた領域内の中間層と上記1つの外側層との電気
的接触によって形成され、明方の磁気閉鎖は導電ターン
の外側の上記2つの外側層の電気的接触によって形成さ
れる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例について説明
する。
する。
第1図及び第2図に示されているように、本発明による
薄膜誘導トランスジューサは、空軍ベアリング面(AB
S)i有する例えばスライダ13のような基体上に間隔
をおいて重ね合わされた薄膜のように堆積される例えば
パーマロイから成ることが好ましい3つの磁性層10.
11.12を有する。
薄膜誘導トランスジューサは、空軍ベアリング面(AB
S)i有する例えばスライダ13のような基体上に間隔
をおいて重ね合わされた薄膜のように堆積される例えば
パーマロイから成ることが好ましい3つの磁性層10.
11.12を有する。
よシ具体的に述べると、層10.11及び12は一般的
なホトリソグラフィ技術を利用して次のような態様で積
層される。スライダ13上には好ましくはAt203か
ら成る非磁性層14が被着され、次にその上に1ilE
層10が被着され、然る後に同じ非磁性材から成る別の
薄い層15及びホトレジスト絶縁116が被着される。
なホトリソグラフィ技術を利用して次のような態様で積
層される。スライダ13上には好ましくはAt203か
ら成る非磁性層14が被着され、次にその上に1ilE
層10が被着され、然る後に同じ非磁性材から成る別の
薄い層15及びホトレジスト絶縁116が被着される。
層16の上には中間磁性@11が堆積され、その上に上
述の非磁性材から成る薄いオーバーコーテイング17が
被着され、その上にはホトレジスト絶縁@18が積層さ
れ、その上には導電ターンa乃至りの峨一層から成る平
坦導電コイル19がめつきされる。コイル19はホトレ
ジスト絶縁120によって被着され、その上には第6磁
性層12が堆積される。ホトリングラフィ技術に精通し
た者には、適当なマスク及びエツチングt−[用するこ
とによって、第1図及び第2図に示された形態を容易に
得ることができることは明らかであろう。
述の非磁性材から成る薄いオーバーコーテイング17が
被着され、その上にはホトレジスト絶縁@18が積層さ
れ、その上には導電ターンa乃至りの峨一層から成る平
坦導電コイル19がめつきされる。コイル19はホトレ
ジスト絶縁120によって被着され、その上には第6磁
性層12が堆積される。ホトリングラフィ技術に精通し
た者には、適当なマスク及びエツチングt−[用するこ
とによって、第1図及び第2図に示された形態を容易に
得ることができることは明らかであろう。
本発明によれば、層10.11及び12は磁極先端領域
Pを除いて約2.5乃至3ミクロンの米゛−ダの実質的
に等しい厚さ全盲することが好ましい。
Pを除いて約2.5乃至3ミクロンの米゛−ダの実質的
に等しい厚さ全盲することが好ましい。
領域Pにおいては、中間層11の厚さはかなり小さく、
約1ミクロンのオーダであることが好ましい。これによ
り、領域Pに好ましくは約1ミクロンのオーダの1対の
等しい磁気変換ギャップG1及びG2i[成することが
できる。トランスジューサの注駈を向上はせるために中
間層11は領域Pを除いて厚く祿持される。磁極先端領
域PはABSから約12ミクロン突出していることが好
ましい。
約1ミクロンのオーダであることが好ましい。これによ
り、領域Pに好ましくは約1ミクロンのオーダの1対の
等しい磁気変換ギャップG1及びG2i[成することが
できる。トランスジューサの注駈を向上はせるために中
間層11は領域Pを除いて厚く祿持される。磁極先端領
域PはABSから約12ミクロン突出していることが好
ましい。
外側層12ば、延長された分割リング22全杉成するた
めにコイル19の導電ターンa乃至りによって囲まれた
領域21内において中間911と直接に電気的接触する
ように延長きれている。リング22は第1磁気閉鎖を購
成するために上記頭載とABSとの間に延設きれている
。外側層12は、また、延長された分割リング24を形
成するためにコイル19のターンa乃至りの外側の領域
23中の平坦な外側層10と直接に電気的接触するよう
に延長されている。す/グツ4は、第2磁気閉鎖を溝成
するために領域25かG)A、’、B Sへ延長されて
いる。
めにコイル19の導電ターンa乃至りによって囲まれた
領域21内において中間911と直接に電気的接触する
ように延長きれている。リング22は第1磁気閉鎖を購
成するために上記頭載とABSとの間に延設きれている
。外側層12は、また、延長された分割リング24を形
成するためにコイル19のターンa乃至りの外側の領域
23中の平坦な外側層10と直接に電気的接触するよう
に延長されている。す/グツ4は、第2磁気閉鎖を溝成
するために領域25かG)A、’、B Sへ延長されて
いる。
NiFeから成ることが好ま″しい跨線部材25は26
においてコイル19の中央部と電気的に接触している。
においてコイル19の中央部と電気的に接触している。
コイルの最も外側のターンhは電気的接点27を障成す
るために拡大領域において終端されている。部材25は
記録及び読出しの間データ信号を処理するために外部回
路(図示せず)に接続されている。
るために拡大領域において終端されている。部材25は
記録及び読出しの間データ信号を処理するために外部回
路(図示せず)に接続されている。
従って、磁性層10.11及び12は、それぞれ磁極先
端P1、P2及びP5に有する各磁極を隋成する。各磁
気閉鎖とABSとの間の距離は、漏れ磁束を最小にする
ことによって記録及び読出の双方の間の効率を最大にす
る′ために、一定の最小幅の螺旋状ギャップによって分
離された小さい等しい幅の導電ターンa乃至りを使用す
ることによって最小にされる。1つの導電夕〜ンの中心
線からこれに隣接した導電ターンの中心線までの距離は
、ギャップ幅が約2乃至3ミタロンのとき約6乃至9ミ
クロンのオーダであることが好まじい、−第1図に示さ
れているように、磁極先端領域Pにおける磁性層10乃
至12の幅は、スライダ13からのそれらの距離が増〃
口するにつれて徐々に狭くなっている。これは、上述し
たラップアラウンド(wrap−around )問題
を回避するためである。
端P1、P2及びP5に有する各磁極を隋成する。各磁
気閉鎖とABSとの間の距離は、漏れ磁束を最小にする
ことによって記録及び読出の双方の間の効率を最大にす
る′ために、一定の最小幅の螺旋状ギャップによって分
離された小さい等しい幅の導電ターンa乃至りを使用す
ることによって最小にされる。1つの導電夕〜ンの中心
線からこれに隣接した導電ターンの中心線までの距離は
、ギャップ幅が約2乃至3ミタロンのとき約6乃至9ミ
クロンのオーダであることが好まじい、−第1図に示さ
れているように、磁極先端領域Pにおける磁性層10乃
至12の幅は、スライダ13からのそれらの距離が増〃
口するにつれて徐々に狭くなっている。これは、上述し
たラップアラウンド(wrap−around )問題
を回避するためである。
磁性層10の磁極先端P1は磁性層11の磁極先端P2
よシ幅広であシ、磁性層11の磁極先端P2は磁性層1
2の磁極先端P3よりも幅広である。
よシ幅広であシ、磁性層11の磁極先端P2は磁性層1
2の磁極先端P3よりも幅広である。
しかし、各磁極先端P1、P2及びP3の中心線は0T
tiQな限り整列させられる。記録/読出闇値の太き芒
は、最もシャープな電子ピータが生じる磁極先端P2の
幅および磁気媒体の保磁力に依存する。閾直における垂
直磁界は一般にP2よシ若干広いので、P2の幅ニ磁気
媒体(図示せず)の各トラックの幅より若干狭くする必
要がある。
tiQな限り整列させられる。記録/読出闇値の太き芒
は、最もシャープな電子ピータが生じる磁極先端P2の
幅および磁気媒体の保磁力に依存する。閾直における垂
直磁界は一般にP2よシ若干広いので、P2の幅ニ磁気
媒体(図示せず)の各トラックの幅より若干狭くする必
要がある。
本発明による薄膜トランスジューサは製造が比較的容易
である。このトランスジューサは、3つの磁極10.1
1及び12’z有し且つ高線形密度の垂直磁気記録のq
目方全盲するが、縦記録に使用されている薄膜トランス
ジューサに必要な層数よりもわずかに3つの層15.1
6及び11を必要とするのみである。また、1つの導電
コイル19を必要とするだけである。 ゛ 本明細書に開示さt″を二重“″′プ薄薄膜トラススジ
ューサ主な利点は、縦方向記録に使用されている型の一
般的なピーク検出技術ヲ使用することができることであ
る。このことは第3図及び第4図に最も良く示されてい
る。2つの磁極先端PxzPyk有する薄膜亀−ギャッ
プ・トランスジューサが垂直記録モードで開用されると
きには、第3図に示されているように、電圧信号Sは″
ディピッ) (dibit )″形態を有する。かかる
信号8は検出りる員力゛困難7ある・何故なら・このの
それに等しいからである。原末、上記電圧信号の”ディ
ピッl−(aibtt )”形態を満足に検出すること
かで@なかった。
である。このトランスジューサは、3つの磁極10.1
1及び12’z有し且つ高線形密度の垂直磁気記録のq
目方全盲するが、縦記録に使用されている薄膜トランス
ジューサに必要な層数よりもわずかに3つの層15.1
6及び11を必要とするのみである。また、1つの導電
コイル19を必要とするだけである。 ゛ 本明細書に開示さt″を二重“″′プ薄薄膜トラススジ
ューサ主な利点は、縦方向記録に使用されている型の一
般的なピーク検出技術ヲ使用することができることであ
る。このことは第3図及び第4図に最も良く示されてい
る。2つの磁極先端PxzPyk有する薄膜亀−ギャッ
プ・トランスジューサが垂直記録モードで開用されると
きには、第3図に示されているように、電圧信号Sは″
ディピッ) (dibit )″形態を有する。かかる
信号8は検出りる員力゛困難7ある・何故なら・このの
それに等しいからである。原末、上記電圧信号の”ディ
ピッl−(aibtt )”形態を満足に検出すること
かで@なかった。
信号曲線の負及び正の部分NP及びPPの下の積分領域
の代数和が常に零であるという基本条件に注目されたい
。−上述した形態の二重ギヤツブ薄膜トランスジューサ
ヲ朗用することによって信号は第4図のS′によって示
されるようになる。その結果、各離隔された転移は、縦
方向記録に[使用される甑−ギャップ2磁極薄膜トラン
スジユーサ・の出力と形態が同様で且つこれよりも浅い
2つの負の“翼”NP”li−伴った振幅がかなシ大き
く且つ幅の狭い電圧ピータ・パルスPP’ として感知
される。比較的薄い中央磁極先端P2及び比較的厚い外
側vB極先端P1及びP3”k[用することによって、
読出し形態が最適rヒされる。
の代数和が常に零であるという基本条件に注目されたい
。−上述した形態の二重ギヤツブ薄膜トランスジューサ
ヲ朗用することによって信号は第4図のS′によって示
されるようになる。その結果、各離隔された転移は、縦
方向記録に[使用される甑−ギャップ2磁極薄膜トラン
スジユーサ・の出力と形態が同様で且つこれよりも浅い
2つの負の“翼”NP”li−伴った振幅がかなシ大き
く且つ幅の狭い電圧ピータ・パルスPP’ として感知
される。比較的薄い中央磁極先端P2及び比較的厚い外
側vB極先端P1及びP3”k[用することによって、
読出し形態が最適rヒされる。
半パルス幅y(第4図)は、2つの等しいギャップ寸法
G1、G2の和の半分に中央磁極先端P2の厚さにほぼ
等しい。従って、前述した寸法の場合、半パルス幅yは
2.0ミタロンである。半パルス幅yが2.0ミクロン
であシ且つ最も内側の記録媒体のトラックの速度が40
m/秒の場合、トランスジューサは約20MHz で
動作するように設計される。電圧パルスS′の振幅は記
録媒体の厚さ及び記録媒体からの磁極先端距離の複雑な
関数であるが、概略的に見ると、振幅は中央磁極先端P
2が厚くなるにつれて増大する傾向にある。
G1、G2の和の半分に中央磁極先端P2の厚さにほぼ
等しい。従って、前述した寸法の場合、半パルス幅yは
2.0ミタロンである。半パルス幅yが2.0ミクロン
であシ且つ最も内側の記録媒体のトラックの速度が40
m/秒の場合、トランスジューサは約20MHz で
動作するように設計される。電圧パルスS′の振幅は記
録媒体の厚さ及び記録媒体からの磁極先端距離の複雑な
関数であるが、概略的に見ると、振幅は中央磁極先端P
2が厚くなるにつれて増大する傾向にある。
ただし、振幅の増大は、中央磁極光′@P2の厚さがト
ランスジューサの効率及び瞥込みqヒカに悪い影響金与
える点に達するまでである。
ランスジューサの効率及び瞥込みqヒカに悪い影響金与
える点に達するまでである。
上述した実施例においては、コイル19が磁性層11と
12の間に介挿式れ、第1磁気閉鎖が21における層1
1.12の電気的接触によって画定される。従って、コ
イル19はスライダ13がら遠く離れている。
12の間に介挿式れ、第1磁気閉鎖が21における層1
1.12の電気的接触によって画定される。従って、コ
イル19はスライダ13がら遠く離れている。
しかし、必要に応じて、第5図に示される′ように変形
することができる。第5図において、第1図及び第2図
と同一部分には同一番号が付され、変形部分は第1図及
び第2図の対応部分を示す参照番号にプライム符号を付
して示されている。2の別の実施例によれば、コイル1
9′は磁性層10.11′の間に介挿され、第1fIi
気閉鎖は21′において層11′を層10に電気的に接
触感ぜることによって画定されている。この結果、コイ
ル19′及び第1磁気閉鎖はスライダ13によシ近くな
る。
することができる。第5図において、第1図及び第2図
と同一部分には同一番号が付され、変形部分は第1図及
び第2図の対応部分を示す参照番号にプライム符号を付
して示されている。2の別の実施例によれば、コイル1
9′は磁性層10.11′の間に介挿され、第1fIi
気閉鎖は21′において層11′を層10に電気的に接
触感ぜることによって画定されている。この結果、コイ
ル19′及び第1磁気閉鎖はスライダ13によシ近くな
る。
第1図は基体上に堆積されたトランスジューサを一部破
断して示す市面図、第2図は第1図の線2−2に沿って
切断し横方向の拡大率が縦方向のそ些よシも大き゛くな
るように拡大して示す断面図、第3図は従来の薄膜2磁
極先端ヘツドを使用した垂直磁rヒの間の感度関数及び
”ディピッ)−(dibit)”信号の概略をホ″r説
明図、第4図は本発明による薄膜3磁極先端グローブ・
ヘラドラ防用した垂直−fヒの間の感度関数及び信号ピ
ーク電圧信号の概略を示す説明図、第5図は本発明の別
の実施列を示す第2図と同様な断面図である。 10.11.12・・・・磁性層、13・・・・スライ
ダ、14.15・・・・非磁性1−116.18.2゜
・・・・ホトレジスト絶縁層、19・・・・平坦導電コ
イ、ル、22.24・・・・分割リング、a−h・・・
・導電ターン、P・・・・磁極先端領域、Pl、PP、
P3・・・・S極先端。
断して示す市面図、第2図は第1図の線2−2に沿って
切断し横方向の拡大率が縦方向のそ些よシも大き゛くな
るように拡大して示す断面図、第3図は従来の薄膜2磁
極先端ヘツドを使用した垂直磁rヒの間の感度関数及び
”ディピッ)−(dibit)”信号の概略をホ″r説
明図、第4図は本発明による薄膜3磁極先端グローブ・
ヘラドラ防用した垂直−fヒの間の感度関数及び信号ピ
ーク電圧信号の概略を示す説明図、第5図は本発明の別
の実施列を示す第2図と同様な断面図である。 10.11.12・・・・磁性層、13・・・・スライ
ダ、14.15・・・・非磁性1−116.18.2゜
・・・・ホトレジスト絶縁層、19・・・・平坦導電コ
イ、ル、22.24・・・・分割リング、a−h・・・
・導電ターン、P・・・・磁極先端領域、Pl、PP、
P3・・・・S極先端。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 空気ベアリング面?有する基体上に形成されるiI膜誘
導トランスジューサであって、前記空気ベアリング市に
隣接した磁極先端領域中に1対の磁気変換ギャップkV
成するために前記基体上に互いに離隔して重ね合わきれ
た第1、第2及び第3薄膜磁性層と、 前記第1磁性鳴と前記第2磁性層との間に配設された導
電ターンの甑一層と、 第1磁気閉鎖全形成するために前記導電ター〉′によっ
て囲まれた領域と磁極先端領域との間の前記導電ターン
の部分を囲む分割リング全形成するように、前記導電タ
ーンによって囲まれた領域内において0■記第1磁性層
が、前記第2磁t/+、層に接触しており、 第2磁気閉鎖ff1fl成するために°、別の分割リン
グを形成するように前記第1磁性層が前記導電゛ターン
の外側の第3磁性層に接触することを特徴とする薄膜誘
導トランスジューサ。
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