JPS5877018A - 薄膜誘導トランスジユ−サ - Google Patents
薄膜誘導トランスジユ−サInfo
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- JPS5877018A JPS5877018A JP57155310A JP15531082A JPS5877018A JP S5877018 A JPS5877018 A JP S5877018A JP 57155310 A JP57155310 A JP 57155310A JP 15531082 A JP15531082 A JP 15531082A JP S5877018 A JPS5877018 A JP S5877018A
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- magnetic
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜誘導トランスジューサに係り、特に可動
磁気記録媒体に対する磁気転移の垂直記録及び読出しに
好適な薄膜誘導トランスジューサに関する。
磁気記録媒体に対する磁気転移の垂直記録及び読出しに
好適な薄膜誘導トランスジューサに関する。
従来、記録時の薄膜誘導トランスジューサの効率を高め
るため及び読出し時の転移の分解１１改良するために種
々の購成が提案“されている。一般の縦方向記録に適し
た薄膜誘導トランスジューサは単一ギャップ・ヘッドを
形成する２つの磁ケ層から成る。この種の典型的なトラ
ンスジューサは米国特許第４１９０８７２号に開示され
ている。
るため及び読出し時の転移の分解１１改良するために種
々の購成が提案“されている。一般の縦方向記録に適し
た薄膜誘導トランスジューサは単一ギャップ・ヘッドを
形成する２つの磁ケ層から成る。この種の典型的なトラ
ンスジューサは米国特許第４１９０８７２号に開示され
ている。
垂直記録は一般的な縦方向記録よシも高い線形密度を実
現する可能性があるので、垂直記録及び読出しに適した
トランスジューサに対する関心が増大している。
現する可能性があるので、垂直記録及び読出しに適した
トランスジューサに対する関心が増大している。
１９８０年９月発行のＩ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓａ
ｃｔｉｏｎｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓの第９６７頁以下
には、Ｒ，Ｉ。
ｃｔｉｏｎｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓの第９６７頁以下
には、Ｒ，Ｉ。
Ｐｏｔｔｅｒ及び１．Ａ、Ｂｅａｒｄｓｌｅｙ ％Ｆの
’５ｅｌｆ−Ｃｏｎｓｉｓｔｅｎｔ Ｃｏｍｐｕｔｅ
ｒ Ｃａ１ｃｕｌａｔｉｏｎｓ ｆｏｒＰｅｒｐｅ
ｎｄｉｃｕｌａｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉ
ｎｇ ”という題名の論文が掲載されている。この論
文には、垂直記録のための４種の記録ヘッド、すなわち
（、）フェライト・ヘッド、（ｂ）＠−ギャップ型の薄
膜ヘッド、（Ｃ）フェライト型の二重ギャップ・ヘッド
及び（ｄ）Ｉｉ−ｆヘッド及び軟磁性基体の磁界計算の
ための分析式について論述されている。この論文の第１
５図には、臣−ギャップ薄膜ヘッドが示され、第１６図
は二重ギャップ・フェライト・ヘットニのみ適当な（”
Ｆｅｒｒｉｔｅ Ｈｅａｄ”と見出しが付された第３
図に示されたような）見かけ上無限大の幅の外側磁極先
端のほか薄い中央磁極先端を有する二重ギャップ・ヘッ
ドを示す。導電ターンの位置、全体震成及びヘッドの製
造方法は開示及び示唆されていない。
’５ｅｌｆ−Ｃｏｎｓｉｓｔｅｎｔ Ｃｏｍｐｕｔｅ
ｒ Ｃａ１ｃｕｌａｔｉｏｎｓ ｆｏｒＰｅｒｐｅ
ｎｄｉｃｕｌａｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉ
ｎｇ ”という題名の論文が掲載されている。この論
文には、垂直記録のための４種の記録ヘッド、すなわち
（、）フェライト・ヘッド、（ｂ）＠−ギャップ型の薄
膜ヘッド、（Ｃ）フェライト型の二重ギャップ・ヘッド
及び（ｄ）Ｉｉ−ｆヘッド及び軟磁性基体の磁界計算の
ための分析式について論述されている。この論文の第１
５図には、臣−ギャップ薄膜ヘッドが示され、第１６図
は二重ギャップ・フェライト・ヘットニのみ適当な（”
Ｆｅｒｒｉｔｅ Ｈｅａｄ”と見出しが付された第３
図に示されたような）見かけ上無限大の幅の外側磁極先
端のほか薄い中央磁極先端を有する二重ギャップ・ヘッ
ドを示す。導電ターンの位置、全体震成及びヘッドの製
造方法は開示及び示唆されていない。
垂直記録のために従来提案されている薄膜誘導トランス
ジューサは、２つの磁ビ鳴全関用する屯−ギャップ型の
ものである。かかるトランスジュ−サは、検出すること
が困難な磁気転移の゛ディビット（ｄｉｂｉｔ）”パタ
ーン全発生はせてしまう。
ジューサは、２つの磁ビ鳴全関用する屯−ギャップ型の
ものである。かかるトランスジュ−サは、検出すること
が困難な磁気転移の゛ディビット（ｄｉｂｉｔ）”パタ
ーン全発生はせてしまう。
また、薄膜ヘッドの場合、米国特許第４’２１９８５５
号に記載されている”ラップアラウンド（ｗｒａｐ−ａ
ｒｏｕｎｄ ）”という現象が生じるおそれがある。こ
れは、製造の際の磁極先端の位置における磁性層の位置
合せの不旧確さによって生じる。
号に記載されている”ラップアラウンド（ｗｒａｐ−ａ
ｒｏｕｎｄ ）”という現象が生じるおそれがある。こ
れは、製造の際の磁極先端の位置における磁性層の位置
合せの不旧確さによって生じる。
その結果、−万の１の縁部が他方の層の縁部に対しであ
る角度で突出し、一方の層の有効幅が減少してしまい、
記録及び読出しの効率が低下してしまう。
る角度で突出し、一方の層の有効幅が減少してしまい、
記録及び読出しの効率が低下してしまう。
高い線形密度の垂直記録及び読出しに特に好適であると
ともに製造が比較的容易な二重ギャップ薄膜誘導ギャッ
プは従来知られていない。薄膜ヘッドはより高い性能金
得ることができるので、薄膜二重ギャップ・ヘッドは二
重ギャップ・フェライト・ヘッドよりも好ましい。薄膜
ヘッドはフェライト材よシも周昶数貴答の高いパーマロ
イ磁性材を筒用し、またそれはより小さいので、薄膜ヘ
ッドのインダクタンスは小さい。
ともに製造が比較的容易な二重ギャップ薄膜誘導ギャッ
プは従来知られていない。薄膜ヘッドはより高い性能金
得ることができるので、薄膜二重ギャップ・ヘッドは二
重ギャップ・フェライト・ヘッドよりも好ましい。薄膜
ヘッドはフェライト材よシも周昶数貴答の高いパーマロ
イ磁性材を筒用し、またそれはより小さいので、薄膜ヘ
ッドのインダクタンスは小さい。
本発明の主目的は、“ディビット（ｄｉｂｉｔ）”型の
磁気転移が高振幅の屯−電圧ピークの杉のデータ信号の
形で取り出し得る薄膜誘導トランスジューサを提供する
ことにある。かかるトランスジューサによれば、現在倣
−ギャッ歩薄膜誘導ｉランスジューサに関連した縦方向
記録及び読出装竺とともに使用されている一般的なピー
ク検出技術を使用することができる。
磁気転移が高振幅の屯−電圧ピークの杉のデータ信号の
形で取り出し得る薄膜誘導トランスジューサを提供する
ことにある。かかるトランスジューサによれば、現在倣
−ギャッ歩薄膜誘導ｉランスジューサに関連した縦方向
記録及び読出装竺とともに使用されている一般的なピー
ク検出技術を使用することができる。
本発明の別の目的は、上述した好ましくない”ラップア
ラウンド（ｗｒａｐ−ａｒｏｕｎｄ ） ＃現象を回避
でき、薄膜２磁極先端プローブ・ヘッドに必要な層の数
よりも超過する層の数が最小な（従って製造が容易な）
垂直記録に適した薄膜３磁極先端プローブ・ヘッドを提
供することにある。本発明による３磁極先端プローブ・
ヘッドは、縦方向記録に従来使用されていた単一ギャッ
プ２磁極先端ヘツドによって得られたー感度とほぼ同じ
感度金得ることができる。
ラウンド（ｗｒａｐ−ａｒｏｕｎｄ ） ＃現象を回避
でき、薄膜２磁極先端プローブ・ヘッドに必要な層の数
よりも超過する層の数が最小な（従って製造が容易な）
垂直記録に適した薄膜３磁極先端プローブ・ヘッドを提
供することにある。本発明による３磁極先端プローブ・
ヘッドは、縦方向記録に従来使用されていた単一ギャッ
プ２磁極先端ヘツドによって得られたー感度とほぼ同じ
感度金得ることができる。
可動磁気記録媒体に対して磁気転移全垂直記録し且つ読
出すのに特に好適な本発明による薄膜誘導トランスジュ
ーサは、空気ベアリング面に隣接した磁極先端領域にお
いて１対の磁気変換ギャップを画定するために３つの薄
膜磁性層が基体上に間隔をおいて重ね合されるように配
設される。導電ターンの単一層は例えば１つの外側母性
鳴と中間磁性層との間に配設される。２つの磁気閉鎖が
形成される。一方の磁気閉鎖は導電ターンによって境界
付けされた領域内の中間層と上記１つの外側層との電気
的接触によって形成され、明方の磁気閉鎖は導電ターン
の外側の上記２つの外側層の電気的接触によって形成さ
れる。
出すのに特に好適な本発明による薄膜誘導トランスジュ
ーサは、空気ベアリング面に隣接した磁極先端領域にお
いて１対の磁気変換ギャップを画定するために３つの薄
膜磁性層が基体上に間隔をおいて重ね合されるように配
設される。導電ターンの単一層は例えば１つの外側母性
鳴と中間磁性層との間に配設される。２つの磁気閉鎖が
形成される。一方の磁気閉鎖は導電ターンによって境界
付けされた領域内の中間層と上記１つの外側層との電気
的接触によって形成され、明方の磁気閉鎖は導電ターン
の外側の上記２つの外側層の電気的接触によって形成さ
れる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例について説明
する。
する。
第１図及び第２図に示されているように、本発明による
薄膜誘導トランスジューサは、空軍ベアリング面（ＡＢ
Ｓ）ｉ有する例えばスライダ１３のような基体上に間隔
をおいて重ね合わされた薄膜のように堆積される例えば
パーマロイから成ることが好ましい３つの磁性層１０．
１１．１２を有する。
薄膜誘導トランスジューサは、空軍ベアリング面（ＡＢ
Ｓ）ｉ有する例えばスライダ１３のような基体上に間隔
をおいて重ね合わされた薄膜のように堆積される例えば
パーマロイから成ることが好ましい３つの磁性層１０．
１１．１２を有する。
よシ具体的に述べると、層１０．１１及び１２は一般的
なホトリソグラフィ技術を利用して次のような態様で積
層される。スライダ１３上には好ましくはＡｔ２０３か
ら成る非磁性層１４が被着され、次にその上に１ｉｌＥ
層１０が被着され、然る後に同じ非磁性材から成る別の
薄い層１５及びホトレジスト絶縁１１６が被着される。
なホトリソグラフィ技術を利用して次のような態様で積
層される。スライダ１３上には好ましくはＡｔ２０３か
ら成る非磁性層１４が被着され、次にその上に１ｉｌＥ
層１０が被着され、然る後に同じ非磁性材から成る別の
薄い層１５及びホトレジスト絶縁１１６が被着される。
層１６の上には中間磁性＠１１が堆積され、その上に上
述の非磁性材から成る薄いオーバーコーテイング１７が
被着され、その上にはホトレジスト絶縁＠１８が積層さ
れ、その上には導電ターンａ乃至りの峨一層から成る平
坦導電コイル１９がめつきされる。コイル１９はホトレ
ジスト絶縁１２０によって被着され、その上には第６磁
性層１２が堆積される。ホトリングラフィ技術に精通し
た者には、適当なマスク及びエツチングｔ−［用するこ
とによって、第１図及び第２図に示された形態を容易に
得ることができることは明らかであろう。
述の非磁性材から成る薄いオーバーコーテイング１７が
被着され、その上にはホトレジスト絶縁＠１８が積層さ
れ、その上には導電ターンａ乃至りの峨一層から成る平
坦導電コイル１９がめつきされる。コイル１９はホトレ
ジスト絶縁１２０によって被着され、その上には第６磁
性層１２が堆積される。ホトリングラフィ技術に精通し
た者には、適当なマスク及びエツチングｔ−［用するこ
とによって、第１図及び第２図に示された形態を容易に
得ることができることは明らかであろう。
本発明によれば、層１０．１１及び１２は磁極先端領域
Ｐを除いて約２．５乃至３ミクロンの米゛−ダの実質的
に等しい厚さ全盲することが好ましい。
Ｐを除いて約２．５乃至３ミクロンの米゛−ダの実質的
に等しい厚さ全盲することが好ましい。
領域Ｐにおいては、中間層１１の厚さはかなり小さく、
約１ミクロンのオーダであることが好ましい。これによ
り、領域Ｐに好ましくは約１ミクロンのオーダの１対の
等しい磁気変換ギャップＧ１及びＧ２ｉ［成することが
できる。トランスジューサの注駈を向上はせるために中
間層１１は領域Ｐを除いて厚く祿持される。磁極先端領
域ＰはＡＢＳから約１２ミクロン突出していることが好
ましい。
約１ミクロンのオーダであることが好ましい。これによ
り、領域Ｐに好ましくは約１ミクロンのオーダの１対の
等しい磁気変換ギャップＧ１及びＧ２ｉ［成することが
できる。トランスジューサの注駈を向上はせるために中
間層１１は領域Ｐを除いて厚く祿持される。磁極先端領
域ＰはＡＢＳから約１２ミクロン突出していることが好
ましい。
外側層１２ば、延長された分割リング２２全杉成するた
めにコイル１９の導電ターンａ乃至りによって囲まれた
領域２１内において中間９１１と直接に電気的接触する
ように延長きれている。リング２２は第１磁気閉鎖を購
成するために上記頭載とＡＢＳとの間に延設きれている
。外側層１２は、また、延長された分割リング２４を形
成するためにコイル１９のターンａ乃至りの外側の領域
２３中の平坦な外側層１０と直接に電気的接触するよう
に延長されている。す／グツ４は、第２磁気閉鎖を溝成
するために領域２５かＧ）Ａ、’、Ｂ Ｓへ延長されて
いる。
めにコイル１９の導電ターンａ乃至りによって囲まれた
領域２１内において中間９１１と直接に電気的接触する
ように延長きれている。リング２２は第１磁気閉鎖を購
成するために上記頭載とＡＢＳとの間に延設きれている
。外側層１２は、また、延長された分割リング２４を形
成するためにコイル１９のターンａ乃至りの外側の領域
２３中の平坦な外側層１０と直接に電気的接触するよう
に延長されている。す／グツ４は、第２磁気閉鎖を溝成
するために領域２５かＧ）Ａ、’、Ｂ Ｓへ延長されて
いる。
ＮｉＦｅから成ることが好ま″しい跨線部材２５は２６
においてコイル１９の中央部と電気的に接触している。
においてコイル１９の中央部と電気的に接触している。
コイルの最も外側のターンｈは電気的接点２７を障成す
るために拡大領域において終端されている。部材２５は
記録及び読出しの間データ信号を処理するために外部回
路（図示せず）に接続されている。
るために拡大領域において終端されている。部材２５は
記録及び読出しの間データ信号を処理するために外部回
路（図示せず）に接続されている。
従って、磁性層１０．１１及び１２は、それぞれ磁極先
端Ｐ１、Ｐ２及びＰ５に有する各磁極を隋成する。各磁
気閉鎖とＡＢＳとの間の距離は、漏れ磁束を最小にする
ことによって記録及び読出の双方の間の効率を最大にす
る′ために、一定の最小幅の螺旋状ギャップによって分
離された小さい等しい幅の導電ターンａ乃至りを使用す
ることによって最小にされる。１つの導電夕〜ンの中心
線からこれに隣接した導電ターンの中心線までの距離は
、ギャップ幅が約２乃至３ミタロンのとき約６乃至９ミ
クロンのオーダであることが好まじい、−第１図に示さ
れているように、磁極先端領域Ｐにおける磁性層１０乃
至１２の幅は、スライダ１３からのそれらの距離が増〃
口するにつれて徐々に狭くなっている。これは、上述し
たラップアラウンド（ｗｒａｐ−ａｒｏｕｎｄ ）問題
を回避するためである。
端Ｐ１、Ｐ２及びＰ５に有する各磁極を隋成する。各磁
気閉鎖とＡＢＳとの間の距離は、漏れ磁束を最小にする
ことによって記録及び読出の双方の間の効率を最大にす
る′ために、一定の最小幅の螺旋状ギャップによって分
離された小さい等しい幅の導電ターンａ乃至りを使用す
ることによって最小にされる。１つの導電夕〜ンの中心
線からこれに隣接した導電ターンの中心線までの距離は
、ギャップ幅が約２乃至３ミタロンのとき約６乃至９ミ
クロンのオーダであることが好まじい、−第１図に示さ
れているように、磁極先端領域Ｐにおける磁性層１０乃
至１２の幅は、スライダ１３からのそれらの距離が増〃
口するにつれて徐々に狭くなっている。これは、上述し
たラップアラウンド（ｗｒａｐ−ａｒｏｕｎｄ ）問題
を回避するためである。
磁性層１０の磁極先端Ｐ１は磁性層１１の磁極先端Ｐ２
よシ幅広であシ、磁性層１１の磁極先端Ｐ２は磁性層１
２の磁極先端Ｐ３よりも幅広である。
よシ幅広であシ、磁性層１１の磁極先端Ｐ２は磁性層１
２の磁極先端Ｐ３よりも幅広である。
しかし、各磁極先端Ｐ１、Ｐ２及びＰ３の中心線は０Ｔ
ｔｉＱな限り整列させられる。記録／読出闇値の太き芒
は、最もシャープな電子ピータが生じる磁極先端Ｐ２の
幅および磁気媒体の保磁力に依存する。閾直における垂
直磁界は一般にＰ２よシ若干広いので、Ｐ２の幅ニ磁気
媒体（図示せず）の各トラックの幅より若干狭くする必
要がある。
ｔｉＱな限り整列させられる。記録／読出闇値の太き芒
は、最もシャープな電子ピータが生じる磁極先端Ｐ２の
幅および磁気媒体の保磁力に依存する。閾直における垂
直磁界は一般にＰ２よシ若干広いので、Ｐ２の幅ニ磁気
媒体（図示せず）の各トラックの幅より若干狭くする必
要がある。
本発明による薄膜トランスジューサは製造が比較的容易
である。このトランスジューサは、３つの磁極１０．１
１及び１２’ｚ有し且つ高線形密度の垂直磁気記録のｑ
目方全盲するが、縦記録に使用されている薄膜トランス
ジューサに必要な層数よりもわずかに３つの層１５．１
６及び１１を必要とするのみである。また、１つの導電
コイル１９を必要とするだけである。 ゛ 本明細書に開示さｔ″を二重“″′プ薄薄膜トラススジ
ューサ主な利点は、縦方向記録に使用されている型の一
般的なピーク検出技術ヲ使用することができることであ
る。このことは第３図及び第４図に最も良く示されてい
る。２つの磁極先端ＰｘｚＰｙｋ有する薄膜亀−ギャッ
プ・トランスジューサが垂直記録モードで開用されると
きには、第３図に示されているように、電圧信号Ｓは″
ディピッ） （ｄｉｂｉｔ ）″形態を有する。かかる
信号８は検出りる員力゛困難７ある・何故なら・このの
それに等しいからである。原末、上記電圧信号の”ディ
ピッｌ−（ａｉｂｔｔ ）”形態を満足に検出すること
かで＠なかった。
である。このトランスジューサは、３つの磁極１０．１
１及び１２’ｚ有し且つ高線形密度の垂直磁気記録のｑ
目方全盲するが、縦記録に使用されている薄膜トランス
ジューサに必要な層数よりもわずかに３つの層１５．１
６及び１１を必要とするのみである。また、１つの導電
コイル１９を必要とするだけである。 ゛ 本明細書に開示さｔ″を二重“″′プ薄薄膜トラススジ
ューサ主な利点は、縦方向記録に使用されている型の一
般的なピーク検出技術ヲ使用することができることであ
る。このことは第３図及び第４図に最も良く示されてい
る。２つの磁極先端ＰｘｚＰｙｋ有する薄膜亀−ギャッ
プ・トランスジューサが垂直記録モードで開用されると
きには、第３図に示されているように、電圧信号Ｓは″
ディピッ） （ｄｉｂｉｔ ）″形態を有する。かかる
信号８は検出りる員力゛困難７ある・何故なら・このの
それに等しいからである。原末、上記電圧信号の”ディ
ピッｌ−（ａｉｂｔｔ ）”形態を満足に検出すること
かで＠なかった。
信号曲線の負及び正の部分ＮＰ及びＰＰの下の積分領域
の代数和が常に零であるという基本条件に注目されたい
。−上述した形態の二重ギヤツブ薄膜トランスジューサ
ヲ朗用することによって信号は第４図のＳ′によって示
されるようになる。その結果、各離隔された転移は、縦
方向記録に［使用される甑−ギャップ２磁極薄膜トラン
スジユーサ・の出力と形態が同様で且つこれよりも浅い
２つの負の“翼”ＮＰ”ｌｉ−伴った振幅がかなシ大き
く且つ幅の狭い電圧ピータ・パルスＰＰ’ として感知
される。比較的薄い中央磁極先端Ｐ２及び比較的厚い外
側ｖＢ極先端Ｐ１及びＰ３”ｋ［用することによって、
読出し形態が最適ｒヒされる。
の代数和が常に零であるという基本条件に注目されたい
。−上述した形態の二重ギヤツブ薄膜トランスジューサ
ヲ朗用することによって信号は第４図のＳ′によって示
されるようになる。その結果、各離隔された転移は、縦
方向記録に［使用される甑−ギャップ２磁極薄膜トラン
スジユーサ・の出力と形態が同様で且つこれよりも浅い
２つの負の“翼”ＮＰ”ｌｉ−伴った振幅がかなシ大き
く且つ幅の狭い電圧ピータ・パルスＰＰ’ として感知
される。比較的薄い中央磁極先端Ｐ２及び比較的厚い外
側ｖＢ極先端Ｐ１及びＰ３”ｋ［用することによって、
読出し形態が最適ｒヒされる。
半パルス幅ｙ（第４図）は、２つの等しいギャップ寸法
Ｇ１、Ｇ２の和の半分に中央磁極先端Ｐ２の厚さにほぼ
等しい。従って、前述した寸法の場合、半パルス幅ｙは
２．０ミタロンである。半パルス幅ｙが２．０ミクロン
であシ且つ最も内側の記録媒体のトラックの速度が４０
ｍ／秒の場合、トランスジューサは約２０ＭＨｚ で
動作するように設計される。電圧パルスＳ′の振幅は記
録媒体の厚さ及び記録媒体からの磁極先端距離の複雑な
関数であるが、概略的に見ると、振幅は中央磁極先端Ｐ
２が厚くなるにつれて増大する傾向にある。
Ｇ１、Ｇ２の和の半分に中央磁極先端Ｐ２の厚さにほぼ
等しい。従って、前述した寸法の場合、半パルス幅ｙは
２．０ミタロンである。半パルス幅ｙが２．０ミクロン
であシ且つ最も内側の記録媒体のトラックの速度が４０
ｍ／秒の場合、トランスジューサは約２０ＭＨｚ で
動作するように設計される。電圧パルスＳ′の振幅は記
録媒体の厚さ及び記録媒体からの磁極先端距離の複雑な
関数であるが、概略的に見ると、振幅は中央磁極先端Ｐ
２が厚くなるにつれて増大する傾向にある。
ただし、振幅の増大は、中央磁極光′＠Ｐ２の厚さがト
ランスジューサの効率及び瞥込みｑヒカに悪い影響金与
える点に達するまでである。
ランスジューサの効率及び瞥込みｑヒカに悪い影響金与
える点に達するまでである。
上述した実施例においては、コイル１９が磁性層１１と
１２の間に介挿式れ、第１磁気閉鎖が２１における層１
１．１２の電気的接触によって画定される。従って、コ
イル１９はスライダ１３がら遠く離れている。
１２の間に介挿式れ、第１磁気閉鎖が２１における層１
１．１２の電気的接触によって画定される。従って、コ
イル１９はスライダ１３がら遠く離れている。
しかし、必要に応じて、第５図に示される′ように変形
することができる。第５図において、第１図及び第２図
と同一部分には同一番号が付され、変形部分は第１図及
び第２図の対応部分を示す参照番号にプライム符号を付
して示されている。２の別の実施例によれば、コイル１
９′は磁性層１０．１１′の間に介挿され、第１ｆＩｉ
気閉鎖は２１′において層１１′を層１０に電気的に接
触感ぜることによって画定されている。この結果、コイ
ル１９′及び第１磁気閉鎖はスライダ１３によシ近くな
る。
することができる。第５図において、第１図及び第２図
と同一部分には同一番号が付され、変形部分は第１図及
び第２図の対応部分を示す参照番号にプライム符号を付
して示されている。２の別の実施例によれば、コイル１
９′は磁性層１０．１１′の間に介挿され、第１ｆＩｉ
気閉鎖は２１′において層１１′を層１０に電気的に接
触感ぜることによって画定されている。この結果、コイ
ル１９′及び第１磁気閉鎖はスライダ１３によシ近くな
る。
第１図は基体上に堆積されたトランスジューサを一部破
断して示す市面図、第２図は第１図の線２−２に沿って
切断し横方向の拡大率が縦方向のそ些よシも大き゛くな
るように拡大して示す断面図、第３図は従来の薄膜２磁
極先端ヘツドを使用した垂直磁ｒヒの間の感度関数及び
”ディピッ）−（ｄｉｂｉｔ）”信号の概略をホ″ｒ説
明図、第４図は本発明による薄膜３磁極先端グローブ・
ヘラドラ防用した垂直−ｆヒの間の感度関数及び信号ピ
ーク電圧信号の概略を示す説明図、第５図は本発明の別
の実施列を示す第２図と同様な断面図である。 １０．１１．１２・・・・磁性層、１３・・・・スライ
ダ、１４．１５・・・・非磁性１−１１６．１８．２゜
・・・・ホトレジスト絶縁層、１９・・・・平坦導電コ
イ、ル、２２．２４・・・・分割リング、ａ−ｈ・・・
・導電ターン、Ｐ・・・・磁極先端領域、Ｐｌ、ＰＰ、
Ｐ３・・・・Ｓ極先端。
断して示す市面図、第２図は第１図の線２−２に沿って
切断し横方向の拡大率が縦方向のそ些よシも大き゛くな
るように拡大して示す断面図、第３図は従来の薄膜２磁
極先端ヘツドを使用した垂直磁ｒヒの間の感度関数及び
”ディピッ）−（ｄｉｂｉｔ）”信号の概略をホ″ｒ説
明図、第４図は本発明による薄膜３磁極先端グローブ・
ヘラドラ防用した垂直−ｆヒの間の感度関数及び信号ピ
ーク電圧信号の概略を示す説明図、第５図は本発明の別
の実施列を示す第２図と同様な断面図である。 １０．１１．１２・・・・磁性層、１３・・・・スライ
ダ、１４．１５・・・・非磁性１−１１６．１８．２゜
・・・・ホトレジスト絶縁層、１９・・・・平坦導電コ
イ、ル、２２．２４・・・・分割リング、ａ−ｈ・・・
・導電ターン、Ｐ・・・・磁極先端領域、Ｐｌ、ＰＰ、
Ｐ３・・・・Ｓ極先端。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 空気ベアリング面？有する基体上に形成されるｉＩ膜誘
導トランスジューサであって、前記空気ベアリング市に
隣接した磁極先端領域中に１対の磁気変換ギャップｋＶ
成するために前記基体上に互いに離隔して重ね合わきれ
た第１、第２及び第３薄膜磁性層と、 前記第１磁性鳴と前記第２磁性層との間に配設された導
電ターンの甑一層と、 第１磁気閉鎖全形成するために前記導電ター〉′によっ
て囲まれた領域と磁極先端領域との間の前記導電ターン
の部分を囲む分割リング全形成するように、前記導電タ
ーンによって囲まれた領域内において０■記第１磁性層
が、前記第２磁ｔ／＋、層に接触しており、 第２磁気閉鎖ｆｆ１ｆｌ成するために°、別の分割リン
グを形成するように前記第１磁性層が前記導電゛ターン
の外側の第３磁性層に接触することを特徴とする薄膜誘
導トランスジューサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US315592 | 1981-10-30 | ||
| US06/315,592 US4404609A (en) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | Thin film inductive transducer for perpendicular recording |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877018A true JPS5877018A (ja) | 1983-05-10 |
| JPS6248290B2 JPS6248290B2 (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=23225143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57155310A Granted JPS5877018A (ja) | 1981-10-30 | 1982-09-08 | 薄膜誘導トランスジユ−サ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0078374B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5877018A (ja) |
| DE (1) | DE3275958D1 (ja) |
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