JPH071526B2 - 単磁極ヘッド形成方法 - Google Patents
単磁極ヘッド形成方法Info
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- JPH071526B2 JPH071526B2 JP1312239A JP31223989A JPH071526B2 JP H071526 B2 JPH071526 B2 JP H071526B2 JP 1312239 A JP1312239 A JP 1312239A JP 31223989 A JP31223989 A JP 31223989A JP H071526 B2 JPH071526 B2 JP H071526B2
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、磁気記録ヘッドに関する。
磁気記録ヘッドは磁気ディスクなど磁気媒体からデータ
を読出したり、磁気媒体にデータを書込むために使用さ
れる。ディスク上の情報は、ディスク上の中心が共通す
るトラックに収容される。インチ当りのトラックの数は
磁気記録において増加されてきており、隣接するトラッ
ク間のクロス・トークが次第に問題になって来ている。
書込み時、書込磁極からの周縁磁界が、隣接するトラッ
クにおける情報を削除したり、台無しにしたりする。読
出し時、隣接するトラックからの磁束が読出し過程に障
害を与える。したがって、隣接するトラックから読出・
書込ヘッドを実質的に孤立させるほうが望ましい。
を読出したり、磁気媒体にデータを書込むために使用さ
れる。ディスク上の情報は、ディスク上の中心が共通す
るトラックに収容される。インチ当りのトラックの数は
磁気記録において増加されてきており、隣接するトラッ
ク間のクロス・トークが次第に問題になって来ている。
書込み時、書込磁極からの周縁磁界が、隣接するトラッ
クにおける情報を削除したり、台無しにしたりする。読
出し時、隣接するトラックからの磁束が読出し過程に障
害を与える。したがって、隣接するトラックから読出・
書込ヘッドを実質的に孤立させるほうが望ましい。
本発明によると、記録ヘッドは少なくとも１個の磁極と
その磁極に隣接して配置されている側方磁気シールドを
含み、その側方磁気シールドは、磁気媒体の上における
隣接するトラックから磁極をシールドするために配置さ
れている。縦方向及び垂直方向記録の両方に対する具体
的な実施例が、磁気誘導、MRおよびホール・タイプの読
出要素を含む単磁極、２磁極、および３磁極ヘッドの形
態で開示されている。
その磁極に隣接して配置されている側方磁気シールドを
含み、その側方磁気シールドは、磁気媒体の上における
隣接するトラックから磁極をシールドするために配置さ
れている。縦方向及び垂直方向記録の両方に対する具体
的な実施例が、磁気誘導、MRおよびホール・タイプの読
出要素を含む単磁極、２磁極、および３磁極ヘッドの形
態で開示されている。
本発明のひとつの側面において、記録ヘッドは、少なく
とも１個の磁極とその磁極に隣接して配置されている側
方磁気シールドを含み、その側方シールドは、磁気媒体
の上における隣接するトラックから磁極をシールドする
ために配置されている。側方磁気シールドは、飽和して
いてもよいし、飽和してなくてもよい。そして磁気的に
ソフトな材料から形成できる。シールドを自己アースと
してもよい。ある実施例においては、シールドはNiFeで
ある。
とも１個の磁極とその磁極に隣接して配置されている側
方磁気シールドを含み、その側方シールドは、磁気媒体
の上における隣接するトラックから磁極をシールドする
ために配置されている。側方磁気シールドは、飽和して
いてもよいし、飽和してなくてもよい。そして磁気的に
ソフトな材料から形成できる。シールドを自己アースと
してもよい。ある実施例においては、シールドはNiFeで
ある。
別の側面においては、記録ヘッドは２個の磁極を持ち、
これら磁極は、間隔によって分離され、側方垂磁気シー
ルドは磁極に隣接して配置され、側方磁気シールドは前
記間隔に対してほぼ垂直に延長する。磁極は、対称にな
っていてもよいし、いなくてもよい。
これら磁極は、間隔によって分離され、側方垂磁気シー
ルドは磁極に隣接して配置され、側方磁気シールドは前
記間隔に対してほぼ垂直に延長する。磁極は、対称にな
っていてもよいし、いなくてもよい。
ヘッドは、伝導センサー、ホール・センサー、あるいは
MRセンサーを含むことができる。２個の磁極が非対称で
ある場合、ポールのひとつは、磁気グランド磁極に付着
された側方磁気シールドとともに磁気グランドになって
いてもよい。
MRセンサーを含むことができる。２個の磁極が非対称で
ある場合、ポールのひとつは、磁気グランド磁極に付着
された側方磁気シールドとともに磁気グランドになって
いてもよい。
別の側面において、記録ヘッドは、３個の磁極を含み、
その磁極は間隔によって分離され、側方磁気シールド
が、磁極に隣接して配置され、その側方磁気シールドは
前記間隔に対してほぼ垂直に延長する。
その磁極は間隔によって分離され、側方磁気シールド
が、磁極に隣接して配置され、その側方磁気シールドは
前記間隔に対してほぼ垂直に延長する。
別の側面においては、一群の信号源の中にある目標の信
号源からの磁束を探知することのできる磁気ヘッドが、
少なくとも１個の磁極と磁気シールドを含み、そのシー
ルドは、磁極に対して磁気シールド効果を全周に渡って
与え、目標の信号源以外からの磁束を磁極が検知するこ
とを防止する。このヘッドとしては磁極の先端がシール
ドによって包囲されている単磁極タイプが含まれる。シ
ールドは磁極の先端の厚さに比例して厚くても、薄くて
もよい。磁極の先端は、浸透性が高く磁気飽和率の高い
材料から構成することができる。ひとつの具体的な実施
例においては、磁極先端の材料はCoZr合金であり、シー
ルドは、ニッケルおよび鉄でできている。磁極はソレノ
イド・コイルによって包囲することができる。シールド
は側面において、そして後方の閉鎖領域において結合し
ている上部区域と下部区域を含むことができる。上部シ
ールドと下部シールドの内側は磁極から離れて曲がって
いる方が好ましい。磁極はその先端において、狭くなっ
ていてもよいし、後方の閉鎖領域に向って延長するにつ
れて幅広くなっていてもよい。
号源からの磁束を探知することのできる磁気ヘッドが、
少なくとも１個の磁極と磁気シールドを含み、そのシー
ルドは、磁極に対して磁気シールド効果を全周に渡って
与え、目標の信号源以外からの磁束を磁極が検知するこ
とを防止する。このヘッドとしては磁極の先端がシール
ドによって包囲されている単磁極タイプが含まれる。シ
ールドは磁極の先端の厚さに比例して厚くても、薄くて
もよい。磁極の先端は、浸透性が高く磁気飽和率の高い
材料から構成することができる。ひとつの具体的な実施
例においては、磁極先端の材料はCoZr合金であり、シー
ルドは、ニッケルおよび鉄でできている。磁極はソレノ
イド・コイルによって包囲することができる。シールド
は側面において、そして後方の閉鎖領域において結合し
ている上部区域と下部区域を含むことができる。上部シ
ールドと下部シールドの内側は磁極から離れて曲がって
いる方が好ましい。磁極はその先端において、狭くなっ
ていてもよいし、後方の閉鎖領域に向って延長するにつ
れて幅広くなっていてもよい。
別の側面において、一群の信号源の中にある目標の信号
源からの磁束を検出することのできる磁気ヘッドが、少
なくとも１個の磁極、磁気シールドを含み、その磁気シ
ールドは、磁極に対して磁気シールド効果を全周に渡っ
て与え、目標信号源以外からの磁束を磁極が検知するこ
とを防止し、戻り磁束交替伝導体が前記シールドに結合
し、この伝導体は先端において、非磁気的な絶縁層によ
って、シールド区域から分離されている。
源からの磁束を検出することのできる磁気ヘッドが、少
なくとも１個の磁極、磁気シールドを含み、その磁気シ
ールドは、磁極に対して磁気シールド効果を全周に渡っ
て与え、目標信号源以外からの磁束を磁極が検知するこ
とを防止し、戻り磁束交替伝導体が前記シールドに結合
し、この伝導体は先端において、非磁気的な絶縁層によ
って、シールド区域から分離されている。
別の側面において、磁極、磁極先端、後方の閉鎖領域を
画定する継手を持つ単磁気ヘッドを形成する方法は次の
ような段階を含んでいる。
画定する継手を持つ単磁気ヘッドを形成する方法は次の
ような段階を含んでいる。
（ａ）上表部に要望する横方向と縦方向の寸法を持つ凹
部を有する被加工物基板を準備する段階、 （ｂ）前記被加工物上に磁性層を堆積して、前記凹部の
形状を反映する下部シールド区域を形成する段階、 （ｃ）前記被加工物上にコイル巻線ストライプを形成す
る段階、 （ｄ）前記下部シールド区域の凹部を絶縁材料で埋める
段階、 （ｅ）前記段階（ｄ）の中間生産物を研磨して表面を平
坦にする段階、 （ｆ）この平坦な面に磁極を形成する段階、 （ｇ）別の絶縁層と、前記コイルストライプと連続する
上部コイル巻線とを、前記工程（ｆ）の中間製造物上に
形成する段階、 （ｈ）凸部を有する絶縁層を前記段階（ｇ）の中間製造
物上に形成する段階、 （ｉ）前記下部シールド区域及び前記磁極と連続し、前
記段階（ｈ）の中間製造物の凸部形状を反映する上部シ
ールド区域を段階（ｈ）の中間製造物上に形成する段
階、からなるヘッド形成方法。
部を有する被加工物基板を準備する段階、 （ｂ）前記被加工物上に磁性層を堆積して、前記凹部の
形状を反映する下部シールド区域を形成する段階、 （ｃ）前記被加工物上にコイル巻線ストライプを形成す
る段階、 （ｄ）前記下部シールド区域の凹部を絶縁材料で埋める
段階、 （ｅ）前記段階（ｄ）の中間生産物を研磨して表面を平
坦にする段階、 （ｆ）この平坦な面に磁極を形成する段階、 （ｇ）別の絶縁層と、前記コイルストライプと連続する
上部コイル巻線とを、前記工程（ｆ）の中間製造物上に
形成する段階、 （ｈ）凸部を有する絶縁層を前記段階（ｇ）の中間製造
物上に形成する段階、 （ｉ）前記下部シールド区域及び前記磁極と連続し、前
記段階（ｈ）の中間製造物の凸部形状を反映する上部シ
ールド区域を段階（ｈ）の中間製造物上に形成する段
階、からなるヘッド形成方法。
段階（ａ）は、レーザー、イオン、化学的、あるいは機
械的な加工によって凹部を形成する工程を含むことがで
きるし、基板の上に薄い絶縁層を形成する工程を含むこ
とができる。基板として、AlSiMagを使用できるし、薄
い絶縁層としては、Al2O3を使用できる。
械的な加工によって凹部を形成する工程を含むことがで
きるし、基板の上に薄い絶縁層を形成する工程を含むこ
とができる。基板として、AlSiMagを使用できるし、薄
い絶縁層としては、Al2O3を使用できる。
段階（ｃ）の前に、下部シールド区域の上に別の絶縁層
を堆積する段階を実施することができる。段階（ｃ）は
またトラック幅の方向に沿って、下部シールド区域の寸
法を越えて横方向に延長するようにストライプの端部を
形成する工程を含むことができる。
を堆積する段階を実施することができる。段階（ｃ）は
またトラック幅の方向に沿って、下部シールド区域の寸
法を越えて横方向に延長するようにストライプの端部を
形成する工程を含むことができる。
段階（ｄ）において、絶縁材料としてフォトレジストを
使用することができ、ストライプの先端の少なくとも一
部、後方閉鎖領域および下部シールド区域が伝導の目的
のために露出していることを特徴としている。
使用することができ、ストライプの先端の少なくとも一
部、後方閉鎖領域および下部シールド区域が伝導の目的
のために露出していることを特徴としている。
段階（ｆ）の前に、被加工物の磁極先端領域におけるア
ルミナ層を形成する段階を実施することができる。
ルミナ層を形成する段階を実施することができる。
下部シールド区域が後方閉鎖領域を持ち、この後方閉鎖
領域は下部シールドの横方向の寸法以内に限定されてお
り、凹部縦方向の寸法を越えて位置している。
領域は下部シールドの横方向の寸法以内に限定されてお
り、凹部縦方向の寸法を越えて位置している。
段階（ｆ）あるいは段階（ｇ）の前に、磁極に隣接して
位置するMRセンサーあるいはホール・センサーを形成す
る段階を実施することができる。
位置するMRセンサーあるいはホール・センサーを形成す
る段階を実施することができる。
上部あるいは下部シールド区域は、少なくともその先端
において薄くあるいは厚く形成することができる。
において薄くあるいは厚く形成することができる。
この過程は、さらに戻り磁束交替伝導体を形成する段階
をさらに含むことができる。その場合、その伝導体は少
なくともシールド区域の一つに連結され、このシールド
区域は絶縁層によって、戻り磁束交替伝導体から分離し
ている。
をさらに含むことができる。その場合、その伝導体は少
なくともシールド区域の一つに連結され、このシールド
区域は絶縁層によって、戻り磁束交替伝導体から分離し
ている。
段階（ｅ）において、研磨システムと一部と形成された
コイル・ストライプの少なくとも一つの間がつながった
ことが検出されるまで研磨し、したがって、研磨を調整
することができる。
コイル・ストライプの少なくとも一つの間がつながった
ことが検出されるまで研磨し、したがって、研磨を調整
することができる。
その工程は、またシールド区域とプローブとの結合を促
進するために後方閉鎖領域に通路を形成する段階を含む
ことができる。
進するために後方閉鎖領域に通路を形成する段階を含む
ことができる。
別の側面において、一群の信号源中のある目標信号源か
ら磁束を探知することのできる磁気ヘッドは、少なくと
も１個の磁気シールドと磁気シールドを含み、このシー
ルドは、曲がって磁極から離れている。このシールド
は、目標信号源以外からの磁束を磁極が検知することを
防止する磁気シールド効果を全周に渡って与えるように
してもよい。そのヘッドは、ボールに連結されたMR要素
とそのMR要素に連結されたバイアス伝導体を含んでもよ
い。
ら磁束を探知することのできる磁気ヘッドは、少なくと
も１個の磁気シールドと磁気シールドを含み、このシー
ルドは、曲がって磁極から離れている。このシールド
は、目標信号源以外からの磁束を磁極が検知することを
防止する磁気シールド効果を全周に渡って与えるように
してもよい。そのヘッドは、ボールに連結されたMR要素
とそのMR要素に連結されたバイアス伝導体を含んでもよ
い。
その他の利点や特徴は、好ましい実施例の次のような記
述や特許請求の範囲から明らかになるだろう。
述や特許請求の範囲から明らかになるだろう。
本発明の基礎になっている理論は、第１図および第２図
との関連において論じられる。第１図において、縦方向
および垂直方向記録の両方に適合している２磁極ヘッド
10は、第１の磁極P1と第２の磁極P2を含んでいる。磁気
媒体（示されていない）は矢印12の方向に、ヘッド10を
通過して動き、その結果磁極P2は下流側磁極（後で移動
媒体により見られる）となっている。下流側磁極P2は、
磁極P1の周りを包み、側方磁気シールドを成している。
すなわち、矢印12に平行する方向に平行な隣接するトラ
ックからシールドしている。第１図における磁気側方シ
ールドは、端部領域における縦方向の磁界を、1/R2で低
下させている。ここで、Ｒは側方ギャップ14からの距離
である。磁極P1を包む磁極２によるシールディングがな
ければ、磁界は、もっとゆっくり（例えば、1/R）低下
し、その結果読出、書込におけるクロス・トークが問題
になる。この関係は、第１図の磁気ヘッド10が縦方向の
記録のために用いられる時に当てはまる。
との関連において論じられる。第１図において、縦方向
および垂直方向記録の両方に適合している２磁極ヘッド
10は、第１の磁極P1と第２の磁極P2を含んでいる。磁気
媒体（示されていない）は矢印12の方向に、ヘッド10を
通過して動き、その結果磁極P2は下流側磁極（後で移動
媒体により見られる）となっている。下流側磁極P2は、
磁極P1の周りを包み、側方磁気シールドを成している。
すなわち、矢印12に平行する方向に平行な隣接するトラ
ックからシールドしている。第１図における磁気側方シ
ールドは、端部領域における縦方向の磁界を、1/R2で低
下させている。ここで、Ｒは側方ギャップ14からの距離
である。磁極P1を包む磁極２によるシールディングがな
ければ、磁界は、もっとゆっくり（例えば、1/R）低下
し、その結果読出、書込におけるクロス・トークが問題
になる。この関係は、第１図の磁気ヘッド10が縦方向の
記録のために用いられる時に当てはまる。
垂直記録において書込周縁効果の抑制は、第１図と第２
図に示されているヘッドの幾何形状により達成される。
第２図における３磁気ヘッド16は、読出／書込用の垂直
ヘッドである。磁極P2は、誘導性あるいは、磁束感知の
読出磁極である。磁極P1は、書込磁極であり、磁極P3
は、下流側磁極であり、側方シールド部分18を備えてい
る。第１図あるいは第２図の幾何形状が、ソフトな磁気
基層を持つ直角すなわち垂直記録において使用される
時、周縁垂直磁界はＲとともに指数間数的に低下する。
側方シールドを使用することにより、隣接するトラック
の次にある消去防御帯は、削減することができる。
図に示されているヘッドの幾何形状により達成される。
第２図における３磁気ヘッド16は、読出／書込用の垂直
ヘッドである。磁極P2は、誘導性あるいは、磁束感知の
読出磁極である。磁極P1は、書込磁極であり、磁極P3
は、下流側磁極であり、側方シールド部分18を備えてい
る。第１図あるいは第２図の幾何形状が、ソフトな磁気
基層を持つ直角すなわち垂直記録において使用される
時、周縁垂直磁界はＲとともに指数間数的に低下する。
側方シールドを使用することにより、隣接するトラック
の次にある消去防御帯は、削減することができる。
読出しの間、側方磁気シールドは、隣接するトラックか
らの磁束を捕捉しこの磁束がセンサーを通過するのを阻
止するために使用することができる。この隣接するトラ
ックからの磁束がセンサーに入らないように維持するこ
とは、困難である。なぜなら、異なったヘッドの対称特
性は、異なったアプローチを要求しているからである。
完全に対称なヘッドは、２磁極ヘッドにおいて、それぞ
れ誘導センサー、ホール・センサー、MRセンサーについ
て第３図、第４図、第５図で図示されている。これらの
ヘッドのために、側方磁気シールドは磁束を捕捉し、正
味の磁束がセンサーを通過しないように磁束を等しく両
方の磁極に向けなければならない。このような飽和可能
な側方磁気シールド20（第６図）は、側方磁気シールド
が磁束の半分をそれぞれ磁極P1および磁極P2に入れる様
に、等しい露出領域を持っている。これらの薄いシール
ド20は、書込の間にあまりにも多くの磁束を吸引して、
書込過ぎの問題を引き起こさないように書込の間に飽和
する。したがって、薄いシールドは、書込周縁効果を減
少させない。トラック追跡（このプロセスは、幅広く書
込、幅狭く読み出す）において重大な誤りがある時に、
前のオン・トラック・データを除去する点において利点
がある。小さなトラッキング・エラーを持つ機構におい
て、書込シールディングはさらに有利となり、書込の間
において飽和しないようにシールド20を厚くすることに
よって達成される。
らの磁束を捕捉しこの磁束がセンサーを通過するのを阻
止するために使用することができる。この隣接するトラ
ックからの磁束がセンサーに入らないように維持するこ
とは、困難である。なぜなら、異なったヘッドの対称特
性は、異なったアプローチを要求しているからである。
完全に対称なヘッドは、２磁極ヘッドにおいて、それぞ
れ誘導センサー、ホール・センサー、MRセンサーについ
て第３図、第４図、第５図で図示されている。これらの
ヘッドのために、側方磁気シールドは磁束を捕捉し、正
味の磁束がセンサーを通過しないように磁束を等しく両
方の磁極に向けなければならない。このような飽和可能
な側方磁気シールド20（第６図）は、側方磁気シールド
が磁束の半分をそれぞれ磁極P1および磁極P2に入れる様
に、等しい露出領域を持っている。これらの薄いシール
ド20は、書込の間にあまりにも多くの磁束を吸引して、
書込過ぎの問題を引き起こさないように書込の間に飽和
する。したがって、薄いシールドは、書込周縁効果を減
少させない。トラック追跡（このプロセスは、幅広く書
込、幅狭く読み出す）において重大な誤りがある時に、
前のオン・トラック・データを除去する点において利点
がある。小さなトラッキング・エラーを持つ機構におい
て、書込シールディングはさらに有利となり、書込の間
において飽和しないようにシールド20を厚くすることに
よって達成される。
側方磁気シールドは、対称でない２磁極ヘッドを備えて
いると側方磁気シールドは、周縁磁束がセンサーを迂回
するように、「磁気的なグラウンド」となっている磁極
に付着してなければならない。底部磁極（P1）が接地し
ている非対称的なヘッドは、それぞれ誘導センサー、ホ
ール・センサー、およびMRセンサーについて、第７図、
第８図、第９図で示されている。これらの図面における
磁極P1は、グラウンドとなっている。なぜなら、この磁
極はもう一つの磁極P2よりもとても大きく、磁束が無限
に向けて外に出ていくための低磁気抵抗通路である。同
じように、頂部磁極P2も大きくすることによって、グラ
ウンド磁極に成すことができる。第10図が示していると
ころによると、非対称２磁極ヘッドとともに使用され、
側方シールドは磁極P2が磁極グラウンドとして機能して
いる。飽和可能な側方シールド22は、磁極P2に付着され
ている。おなじように、第11図の示しているところによ
ると、側方シールド24は、非対称２磁極ヘッドとともに
使用され、磁極P1が磁極グラウンドとして役立ってい
る。低トラッキング・エラーにおける書込シールディン
グを備えるためにシールド22とシールド24を厚くするこ
とは、第11図および第１図のグラウンド構造に対して可
能である。しかしながら縦方向の記録にとって、グラウ
ンド化されたP1（第11図）を伴う書込シールディング
は、横方向の記録を産み出す。この横方向の記録は、好
ましくないパルス形状効果を生じている。
いると側方磁気シールドは、周縁磁束がセンサーを迂回
するように、「磁気的なグラウンド」となっている磁極
に付着してなければならない。底部磁極（P1）が接地し
ている非対称的なヘッドは、それぞれ誘導センサー、ホ
ール・センサー、およびMRセンサーについて、第７図、
第８図、第９図で示されている。これらの図面における
磁極P1は、グラウンドとなっている。なぜなら、この磁
極はもう一つの磁極P2よりもとても大きく、磁束が無限
に向けて外に出ていくための低磁気抵抗通路である。同
じように、頂部磁極P2も大きくすることによって、グラ
ウンド磁極に成すことができる。第10図が示していると
ころによると、非対称２磁極ヘッドとともに使用され、
側方シールドは磁極P2が磁極グラウンドとして機能して
いる。飽和可能な側方シールド22は、磁極P2に付着され
ている。おなじように、第11図の示しているところによ
ると、側方シールド24は、非対称２磁極ヘッドとともに
使用され、磁極P1が磁極グラウンドとして役立ってい
る。低トラッキング・エラーにおける書込シールディン
グを備えるためにシールド22とシールド24を厚くするこ
とは、第11図および第１図のグラウンド構造に対して可
能である。しかしながら縦方向の記録にとって、グラウ
ンド化されたP1（第11図）を伴う書込シールディング
は、横方向の記録を産み出す。この横方向の記録は、好
ましくないパルス形状効果を生じている。
第２図のヘッド16のような３磁極ヘッドの場合におい
て、中央磁極は読出しのために使用され、側方・シール
ディングは問題を生じ難い。読出し中におけるグラウン
ド磁極は、頂部と底部の磁極である。これらは、書込の
ために用いられている磁極である。側方シールドを伴う
３磁極ヘッドを製造する過程は、第12図、第13図、第14
図、第15図において図示されている。第12は、磁極P2お
よび磁極P1の幅を磁極P3（P3はマスクとしても役立って
いる）の幅に合わせて削ずるためにイオンミリングを使
用する以前の３磁極ヘッドの構造30を示している。削っ
た後において、ギャップ層が配置され、薄いNiFe側方シ
ールド層32（第13図）が、構造の上に被着される。シー
ルド32は、マスクが、除去されないようにシールド32の
上に置かれた後に、さらにイオンミリングにより、削ら
れる。この過程の多様性は、第14図、第15図において示
されている。書込の間、シールド32は飽和し、効果的な
ことにそこには存在しない。書込の間、シールド32は、
隣接するトラックから磁束を捕捉し、それをP1およびP3
に流す。小さな磁束は、P2（感知ポール）の中に入って
いく、なぜなら、P2に露呈されている領域は、P1および
P3に比較して小さい。第14図、第15図において、磁極P3
は磁極P2のみのためにミリング・マスクとして使用され
ている。第14図、第15図のヘッドは、第13図におけるヘ
ッドよりも、書込周縁効果を持っている。
て、中央磁極は読出しのために使用され、側方・シール
ディングは問題を生じ難い。読出し中におけるグラウン
ド磁極は、頂部と底部の磁極である。これらは、書込の
ために用いられている磁極である。側方シールドを伴う
３磁極ヘッドを製造する過程は、第12図、第13図、第14
図、第15図において図示されている。第12は、磁極P2お
よび磁極P1の幅を磁極P3（P3はマスクとしても役立って
いる）の幅に合わせて削ずるためにイオンミリングを使
用する以前の３磁極ヘッドの構造30を示している。削っ
た後において、ギャップ層が配置され、薄いNiFe側方シ
ールド層32（第13図）が、構造の上に被着される。シー
ルド32は、マスクが、除去されないようにシールド32の
上に置かれた後に、さらにイオンミリングにより、削ら
れる。この過程の多様性は、第14図、第15図において示
されている。書込の間、シールド32は飽和し、効果的な
ことにそこには存在しない。書込の間、シールド32は、
隣接するトラックから磁束を捕捉し、それをP1およびP3
に流す。小さな磁束は、P2（感知ポール）の中に入って
いく、なぜなら、P2に露呈されている領域は、P1および
P3に比較して小さい。第14図、第15図において、磁極P3
は磁極P2のみのためにミリング・マスクとして使用され
ている。第14図、第15図のヘッドは、第13図におけるヘ
ッドよりも、書込周縁効果を持っている。
第16A図および第16B図は、垂直記録のための単磁極形態
の読出／書込ヘッドによる使用のための発明の具体的な
実施例を例示している。ここで、読出／書込磁極先端Ｐ
は、非常に厚いソフトな磁気材料34により包囲されてい
る。厚くソフトな磁気材料34は、読出操作の間、隣接す
るトラックあるいは同じトラックからのトランジション
から生じてくる磁束から磁極先端Ｐをシールドしてい
る。ソフトな下層を伴う垂直なメディアにおける書込操
作の間、磁極Ｐを包囲するシールド34は、磁束が、同じ
トラックあるいは、隣接するトラックにおける隣接する
トランジションの領域に、放散されるのを阻止する。こ
の非常に厚いシールドは、（シールドの厚みにわたって
広がる）書込磁界の強度を薄弱にしている。したがっ
て、書込過程における間、すでに書込まれたトラックジ
ションには影響を与えない。第16C図は、本発明の単磁
極の具体的な実施例の側面図を例示したものである。第
16A図、第16B図、第16C図のヘッドは、誘電型あるいは
磁束感知タイプかもしれない。
の読出／書込ヘッドによる使用のための発明の具体的な
実施例を例示している。ここで、読出／書込磁極先端Ｐ
は、非常に厚いソフトな磁気材料34により包囲されてい
る。厚くソフトな磁気材料34は、読出操作の間、隣接す
るトラックあるいは同じトラックからのトランジション
から生じてくる磁束から磁極先端Ｐをシールドしてい
る。ソフトな下層を伴う垂直なメディアにおける書込操
作の間、磁極Ｐを包囲するシールド34は、磁束が、同じ
トラックあるいは、隣接するトラックにおける隣接する
トランジションの領域に、放散されるのを阻止する。こ
の非常に厚いシールドは、（シールドの厚みにわたって
広がる）書込磁界の強度を薄弱にしている。したがっ
て、書込過程における間、すでに書込まれたトラックジ
ションには影響を与えない。第16C図は、本発明の単磁
極の具体的な実施例の側面図を例示したものである。第
16A図、第16B図、第16C図のヘッドは、誘電型あるいは
磁束感知タイプかもしれない。
第16A図、第16B図、第16C図に例示されているように、
読出／書込垂直単磁極構造60において、中央磁極即ちプ
ローブ61は、読出磁極あるいは書込磁極として機能す
る。プローブ61は、磁極先端Ｐから後方の閉鎖領域に延
長している。シールド34は、（少なくとも先端Ｐにおい
て）プローブに対して、全周（360度）に渡って半径方
向で磁気シールディングを備えるために、プローブ61を
包囲している。シールド34はプローブの回りにファラデ
ーケージを形成するで電気シールドでもある。シールド
34は、後方の閉鎖領域63におけるプローブ61に接続され
ている。さらに備えられているのは、プローブ61を包囲
し、複数のソレノイド巻線65を持つ誘導コイル64であ
る。
読出／書込垂直単磁極構造60において、中央磁極即ちプ
ローブ61は、読出磁極あるいは書込磁極として機能す
る。プローブ61は、磁極先端Ｐから後方の閉鎖領域に延
長している。シールド34は、（少なくとも先端Ｐにおい
て）プローブに対して、全周（360度）に渡って半径方
向で磁気シールディングを備えるために、プローブ61を
包囲している。シールド34はプローブの回りにファラデ
ーケージを形成するで電気シールドでもある。シールド
34は、後方の閉鎖領域63におけるプローブ61に接続され
ている。さらに備えられているのは、プローブ61を包囲
し、複数のソレノイド巻線65を持つ誘導コイル64であ
る。
ソレノイドコイル64は、パンケーキ・コイルなどその他
のコイル・タイプなどより好ましい。なぜなら、同じ数
の回転数に対して、ソレノイドコイルは、パンケーキ・
コイルに比較して、より低い抵抗とより低いインダクタ
ンスを持っているからである。低抵抗ヘッドが望まし
い。これは所望されないホワイト・ノイズは抵抗の平方
根で直接的に増加するからである。より低いインダクタ
ンスは、より高い共鳴周波数を結果的にもたらすため
に、望ましい。最適に低いインダクタンスというもの
は、コイルの共鳴周波数が、ヘッドの操作周波数をはる
かに越え、操作の間における共鳴を回避するだろう。ま
た、インダクタンスの低下は、書込電気回路が必要とす
る電力を減少させ、より速い書込パルス・上昇時間を生
じている。
のコイル・タイプなどより好ましい。なぜなら、同じ数
の回転数に対して、ソレノイドコイルは、パンケーキ・
コイルに比較して、より低い抵抗とより低いインダクタ
ンスを持っているからである。低抵抗ヘッドが望まし
い。これは所望されないホワイト・ノイズは抵抗の平方
根で直接的に増加するからである。より低いインダクタ
ンスは、より高い共鳴周波数を結果的にもたらすため
に、望ましい。最適に低いインダクタンスというもの
は、コイルの共鳴周波数が、ヘッドの操作周波数をはる
かに越え、操作の間における共鳴を回避するだろう。ま
た、インダクタンスの低下は、書込電気回路が必要とす
る電力を減少させ、より速い書込パルス・上昇時間を生
じている。
第16B図、第16C図を比較して、シールド34は、読出／書
込単磁極プローブ61を中心とする包囲シールドを形成し
ていることを理解すべきである。その結果、媒体の上に
おけるトランジション（即ちトラック）を読む過程にお
いて、プローブ61（および先端Ｐ）は、隣接するトラン
ジション（即ちトラック）からの磁束に対して鈍感であ
ろう。厚いシールドは、磁束が空気ベアリング表面にさ
らされたシールドの断面において薄弱にされているため
に、書込操作における媒体に影響しない。好まれている
が制限されていない具体的な実施例において、シールド
の空気ベアリング表面におけるシールドのプローブに対
する断面の比率は、10対１が排除されるのではないが、
100対１の比率とすることができる。
込単磁極プローブ61を中心とする包囲シールドを形成し
ていることを理解すべきである。その結果、媒体の上に
おけるトランジション（即ちトラック）を読む過程にお
いて、プローブ61（および先端Ｐ）は、隣接するトラン
ジション（即ちトラック）からの磁束に対して鈍感であ
ろう。厚いシールドは、磁束が空気ベアリング表面にさ
らされたシールドの断面において薄弱にされているため
に、書込操作における媒体に影響しない。好まれている
が制限されていない具体的な実施例において、シールド
の空気ベアリング表面におけるシールドのプローブに対
する断面の比率は、10対１が排除されるのではないが、
100対１の比率とすることができる。
ここで、第22図を参照すると、読出／書込単磁極ヘッド
60の具体的な実施例が、基板62の上に形成されて示され
ている。その基板62において、シールド34の区域34a、
区域34bが、ヨーク鎖閉領域63において、単磁極プロー
ブ61の端部に接続されている。ソレノイドコイル64は、
巻線65を持ちプローブ61の周辺において形成され、第16
C図に示されている構造に類似している。しかしなが
ら、この具体的な実施例において、くぼみあるいは穴72
が基板62に画定され、それにより、同じような穴72′が
基板62の上に形成されたシールド34の下部区域34bにお
いて画定される。これに対応する反転された穴73が、例
えばすでに凸形の外形をした絶縁層66の上にシールドの
上半分34aを形成することによって、シールド34の上半
分34aの下において、好ましい形として鏡の映像のよう
に平面対称に画定される。この凸形の外形は、プローブ
61が形成された後のコイルの層状の積み上げおよび絶縁
体の層の一部として形成することができる。
60の具体的な実施例が、基板62の上に形成されて示され
ている。その基板62において、シールド34の区域34a、
区域34bが、ヨーク鎖閉領域63において、単磁極プロー
ブ61の端部に接続されている。ソレノイドコイル64は、
巻線65を持ちプローブ61の周辺において形成され、第16
C図に示されている構造に類似している。しかしなが
ら、この具体的な実施例において、くぼみあるいは穴72
が基板62に画定され、それにより、同じような穴72′が
基板62の上に形成されたシールド34の下部区域34bにお
いて画定される。これに対応する反転された穴73が、例
えばすでに凸形の外形をした絶縁層66の上にシールドの
上半分34aを形成することによって、シールド34の上半
分34aの下において、好ましい形として鏡の映像のよう
に平面対称に画定される。この凸形の外形は、プローブ
61が形成された後のコイルの層状の積み上げおよび絶縁
体の層の一部として形成することができる。
再び第16C図を参照すると、斜面69が磁極先端Ｐをプロ
ーブ61の主軸61aに接続しているのが示されている。こ
の斜面の形状は、結果的に斜面と隣接するシールド区域
が広い表面積を持ち、その両者が近接しているために
（斜面における）プローブ61とシールド34との間の磁束
の望ましくない連結をもたらすことがありうる。このよ
うな連結を回避するために、第22図の具体的な実施例の
プローブ61は、できるだけシールドから離しておく方が
望ましく、そこにおいて、斜面69はほっそりしたネック
68を持つことにより除去される。同じように、穴72′、
穴73はシールド34とプローブ61の間に時々生じる連結を
少なくする。この利点は、（例えば、プローブから媒
体、シールド、さらにはプローブの後方の閉鎖領域まで
の、矢印59で示される）望みの磁束器を、（磁極から矢
印59の望ましい磁束路を横断してシールドまでの）ヨー
クを横断する望ましくない漏れ通路よりも低い磁気抵抗
にすることから生じる。さらに第22図のほっそりしたネ
ックの設計は、第16C図の切り立った斜面構造よりも製
造が容易な平坦なプローブ形状を与える。
ーブ61の主軸61aに接続しているのが示されている。こ
の斜面の形状は、結果的に斜面と隣接するシールド区域
が広い表面積を持ち、その両者が近接しているために
（斜面における）プローブ61とシールド34との間の磁束
の望ましくない連結をもたらすことがありうる。このよ
うな連結を回避するために、第22図の具体的な実施例の
プローブ61は、できるだけシールドから離しておく方が
望ましく、そこにおいて、斜面69はほっそりしたネック
68を持つことにより除去される。同じように、穴72′、
穴73はシールド34とプローブ61の間に時々生じる連結を
少なくする。この利点は、（例えば、プローブから媒
体、シールド、さらにはプローブの後方の閉鎖領域まで
の、矢印59で示される）望みの磁束器を、（磁極から矢
印59の望ましい磁束路を横断してシールドまでの）ヨー
クを横断する望ましくない漏れ通路よりも低い磁気抵抗
にすることから生じる。さらに第22図のほっそりしたネ
ックの設計は、第16C図の切り立った斜面構造よりも製
造が容易な平坦なプローブ形状を与える。
第16C図、第22図、および第27図に示されているよう
に、プローブ61は、非常に薄い先端Ｐから後方の閉鎖領
域63に延長するにつれて、磁束伝導度の増加（即ち磁気
抵抗の減少）を達成するような外形を備えている。非常
に薄い磁極先端は、よりすぐれた読出解像力を備え、さ
らに書込の磁界勾配を鮮明に決定するのに役立つが、あ
まりにも、薄すぎるプローブは、あまりにも容易に飽和
し、このようなプローブは書込モードにおいて機能しな
くなるだろう。したがって、好ましいプローブ61は、磁
極先端において狭く、先端から延長して離れるにつれて
幅広くなり、少なくとも、その先端においてはコバルト
・ジルコニウム合金のように高い透磁率と高い飽和磁化
を持つ材料から構成されていることが好ましい。
に、プローブ61は、非常に薄い先端Ｐから後方の閉鎖領
域63に延長するにつれて、磁束伝導度の増加（即ち磁気
抵抗の減少）を達成するような外形を備えている。非常
に薄い磁極先端は、よりすぐれた読出解像力を備え、さ
らに書込の磁界勾配を鮮明に決定するのに役立つが、あ
まりにも、薄すぎるプローブは、あまりにも容易に飽和
し、このようなプローブは書込モードにおいて機能しな
くなるだろう。したがって、好ましいプローブ61は、磁
極先端において狭く、先端から延長して離れるにつれて
幅広くなり、少なくとも、その先端においてはコバルト
・ジルコニウム合金のように高い透磁率と高い飽和磁化
を持つ材料から構成されていることが好ましい。
前記において例示されているような単磁極構造を製造す
る過程においては、シールドの下部として非常に幅広い
先端の打面を持つ厚い磁気材料を配置することがひとつ
の一般的な手法になっている。慣習的な加工段階による
と、隙間、フォトレジスト絶縁材料、導電性コイルスト
ライプが形成され、これらの上にソレノイド巻線の前半
が形成される。その後、別の絶縁層とプローブ61（これ
は、磁極先端部においてはより薄くより狭く、ヨークに
おいてはより厚くより幅広くなっているのが好ましい）
が配置される。この後において、別の隙間層、フォトレ
ジスト絶縁層、およびソレノイド巻線の後半が形成され
る。これにより、プローブの周囲にソレノイドコイルが
完成する。その後、別のフォトレジスト絶縁材料層が配
置され、さらにはシールドの上部を形成するために厚い
磁気材料が、配置される。シールドの上部と下部は（プ
ローブを備えた）後方の閉鎖領域において、結合され、
また磁極先端部の翼部において結合され、磁極先端部は
（少なくとも、磁極先端の周囲において）完全な包囲シ
ールドを形成する。ソレノイドでないトランスジューサ
に代えることを含む別の慣習的な技法が、本発明の精神
と範囲から離れることなく、前記の過程において使用す
ることができる。
る過程においては、シールドの下部として非常に幅広い
先端の打面を持つ厚い磁気材料を配置することがひとつ
の一般的な手法になっている。慣習的な加工段階による
と、隙間、フォトレジスト絶縁材料、導電性コイルスト
ライプが形成され、これらの上にソレノイド巻線の前半
が形成される。その後、別の絶縁層とプローブ61（これ
は、磁極先端部においてはより薄くより狭く、ヨークに
おいてはより厚くより幅広くなっているのが好ましい）
が配置される。この後において、別の隙間層、フォトレ
ジスト絶縁層、およびソレノイド巻線の後半が形成され
る。これにより、プローブの周囲にソレノイドコイルが
完成する。その後、別のフォトレジスト絶縁材料層が配
置され、さらにはシールドの上部を形成するために厚い
磁気材料が、配置される。シールドの上部と下部は（プ
ローブを備えた）後方の閉鎖領域において、結合され、
また磁極先端部の翼部において結合され、磁極先端部は
（少なくとも、磁極先端の周囲において）完全な包囲シ
ールドを形成する。ソレノイドでないトランスジューサ
に代えることを含む別の慣習的な技法が、本発明の精神
と範囲から離れることなく、前記の過程において使用す
ることができる。
単磁極ヘッドの好ましい具体的な実施例が次に示され
る。先ず、第23A図、第23B図において示されているよう
に、穴72は、例えばレーザー、イオン、化学的、機械的
なエッチングによって、基板74に形成あるいはエッチン
グされて設けられる。基板はAl2O3など絶縁材料を使用
できる。しかしながら、もし基板が電気的に伝導性を持
っている（例えば、AlSiMag）とすれば、Al2O3などの絶
縁材料75が、基板の上に配置される。Al2O3の層はま
た、エッチングされた基板74の表面のなめらかさを改善
するのにも役立つことがある。
る。先ず、第23A図、第23B図において示されているよう
に、穴72は、例えばレーザー、イオン、化学的、機械的
なエッチングによって、基板74に形成あるいはエッチン
グされて設けられる。基板はAl2O3など絶縁材料を使用
できる。しかしながら、もし基板が電気的に伝導性を持
っている（例えば、AlSiMag）とすれば、Al2O3などの絶
縁材料75が、基板の上に配置される。Al2O3の層はま
た、エッチングされた基板74の表面のなめらかさを改善
するのにも役立つことがある。
次に第24A、第24B図において示されているように、厚い
磁気材料層76はシールド34の下部区域34bを形成するた
めに、基板74（あるいは層75）の上に配置されている。
下部区域34bのヨーク部分は、トラック幅の方向（横方
向の矢印21により示されている）において、穴72の内部
に閉じこめられている。シールド区域34bは磁極先端の
方向に穴を越えて延長し、また後方の閉鎖領域55におい
てトラック幅の方向に直角の方向（縦方向の矢印22で示
されている）に延長している。
磁気材料層76はシールド34の下部区域34bを形成するた
めに、基板74（あるいは層75）の上に配置されている。
下部区域34bのヨーク部分は、トラック幅の方向（横方
向の矢印21により示されている）において、穴72の内部
に閉じこめられている。シールド区域34bは磁極先端の
方向に穴を越えて延長し、また後方の閉鎖領域55におい
てトラック幅の方向に直角の方向（縦方向の矢印22で示
されている）に延長している。
次に第25A図、第25B図に示されているように、（例えば
アルミナなど）薄い絶縁層79が、層76（層75の外に横た
わる部分）の上に配置されている。そして、バッファー
層114が穴′72′の中に形成されていることが好まし
い。ソレノイドコイル64の下半分64bのためのコイル巻
線ストライプ80が穴の中のバッファー層114の上に形成
されている。ストライプ80の端部81は、穴の頂点の上の
或る高さにおいて、穴72′を越えてトラック幅方向に沿
って横方向に延長するが、それは、（ソレノイドコイル
の後半用の接触ポイントを備えるように）端を露出する
ことを容易にするためである。
アルミナなど）薄い絶縁層79が、層76（層75の外に横た
わる部分）の上に配置されている。そして、バッファー
層114が穴′72′の中に形成されていることが好まし
い。ソレノイドコイル64の下半分64bのためのコイル巻
線ストライプ80が穴の中のバッファー層114の上に形成
されている。ストライプ80の端部81は、穴の頂点の上の
或る高さにおいて、穴72′を越えてトラック幅方向に沿
って横方向に延長するが、それは、（ソレノイドコイル
の後半用の接触ポイントを備えるように）端を露出する
ことを容易にするためである。
穴は例えばフォトレジストあるいはAl2O3など絶縁材料8
2（第25B図には示されていない）で満たされている。も
し絶縁材料がフォトレジストであるとすれば、ソレノイ
ドコイル接触点、後方の閉鎖領域や磁極先端におけるシ
ールドの翼部は、慣習的なフォトリトググラフィック技
法を活用して、露出することができる。もし絶縁材料が
アルミナの堅い材料であるとすれば、コイルの接触点は
例えば機械的な研磨あるいはレーザー・エッチングによ
り露出できる。後方の閉鎖領域や磁極の先端部分は、例
えば、化学的な方法など様々な方法によって開けること
ができる。いずれにしても、これらの領域は露出され
て、残りの部分とつながりを持つことができ、コイル及
びシールド区域として形成され、プローブとつながりを
持つことができる。機械的な研磨においては、配置され
たストライプ（及び／又は磁極片）の厚さは、研磨ベン
チマーク（水準点）として使用されるように調整でき
る。
2（第25B図には示されていない）で満たされている。も
し絶縁材料がフォトレジストであるとすれば、ソレノイ
ドコイル接触点、後方の閉鎖領域や磁極先端におけるシ
ールドの翼部は、慣習的なフォトリトググラフィック技
法を活用して、露出することができる。もし絶縁材料が
アルミナの堅い材料であるとすれば、コイルの接触点は
例えば機械的な研磨あるいはレーザー・エッチングによ
り露出できる。後方の閉鎖領域や磁極の先端部分は、例
えば、化学的な方法など様々な方法によって開けること
ができる。いずれにしても、これらの領域は露出され
て、残りの部分とつながりを持つことができ、コイル及
びシールド区域として形成され、プローブとつながりを
持つことができる。機械的な研磨においては、配置され
たストライプ（及び／又は磁極片）の厚さは、研磨ベン
チマーク（水準点）として使用されるように調整でき
る。
第26A図に示されているように、層79、82は上表面86ま
で研磨される。厚さものアルミナ層70を残すのが好まし
く、磁極先端部分に非導電性のギャップ絶縁区域65を形
成し、層79は典型的に被加工物全体に渡って延長する。
この例において、プローブ61は研磨された表面86上に形
成される。このプローブは先端から後方の閉鎖領域に向
けて被加工物の中心を通り、通常的なやり方で形成され
ている通路100（通路100は第25B図において点線で示さ
れている）を通過してシールド34（下部区域だけが第26
A,B図に示されている）に連結されている。
で研磨される。厚さものアルミナ層70を残すのが好まし
く、磁極先端部分に非導電性のギャップ絶縁区域65を形
成し、層79は典型的に被加工物全体に渡って延長する。
この例において、プローブ61は研磨された表面86上に形
成される。このプローブは先端から後方の閉鎖領域に向
けて被加工物の中心を通り、通常的なやり方で形成され
ている通路100（通路100は第25B図において点線で示さ
れている）を通過してシールド34（下部区域だけが第26
A,B図に示されている）に連結されている。
プローブ61の製造において、ラミネーションにより、あ
るいは絶縁基板（この基板は、層61Aを受けるために平
面化された複数の絶縁層を実際には含むことができる）
の上に第26B図に示されているような薄い層61Aを配置す
ることによって、薄いプローブ・ネック68をつくること
が便利である。厚くなっている層61Bは、層61Aの部分の
上に覆われることが好ましい。
るいは絶縁基板（この基板は、層61Aを受けるために平
面化された複数の絶縁層を実際には含むことができる）
の上に第26B図に示されているような薄い層61Aを配置す
ることによって、薄いプローブ・ネック68をつくること
が便利である。厚くなっている層61Bは、層61Aの部分の
上に覆われることが好ましい。
第26A図の被加工物は第27図に示されているように完成
できる。第27図において、上部のギャップ絶縁層99はプ
ローブの上表面を覆うが、通路部分100における後方の
閉鎖領域はエッチング除去される。次にマスクされたフ
ォトレジスト層101は、コイル64の上部コイル巻線区域6
4aを孤立化させるために備えられている。
できる。第27図において、上部のギャップ絶縁層99はプ
ローブの上表面を覆うが、通路部分100における後方の
閉鎖領域はエッチング除去される。次にマスクされたフ
ォトレジスト層101は、コイル64の上部コイル巻線区域6
4aを孤立化させるために備えられている。
別の絶縁層102が、この構造の上に形成されている。当
業者ならば、これらの段階が第27図において点線89によ
って示されているように凹形の形状を生じることが分る
であろう。シールド34の上部34aは、この凸形の形状の
上に形成することができ、このようにして、穴73を生
じ、穴73は穴72の相対的な鏡像になっている。
業者ならば、これらの段階が第27図において点線89によ
って示されているように凹形の形状を生じることが分る
であろう。シールド34の上部34aは、この凸形の形状の
上に形成することができ、このようにして、穴73を生
じ、穴73は穴72の相対的な鏡像になっている。
第28図は、MR読出・センサー111を持つ本発明の別の具
体的な実施例の簡略図である。この場合、コイル64が書
込モードにおいてプローブ61を駆動し、読出モードにお
いて、媒体からのプローブ61における磁束を感知してい
る。さらに、MR素子は、MR要素の横方向および縦方向の
バイアシングを促進するために、伝導体119を伴うこと
ができる。第29図はさらに別の具体的な実施例を示して
いるが、ホール読出素子112を備えている。MRセンサー
やホール・センサーの利点は、速度に影響されず、高い
信号感知性を備えているということである。MRセンサー
やホール・センサーの素子は、本発明の精神や範囲から
逸脱することなくプローブの上や下に形成されるかもし
れない。
体的な実施例の簡略図である。この場合、コイル64が書
込モードにおいてプローブ61を駆動し、読出モードにお
いて、媒体からのプローブ61における磁束を感知してい
る。さらに、MR素子は、MR要素の横方向および縦方向の
バイアシングを促進するために、伝導体119を伴うこと
ができる。第29図はさらに別の具体的な実施例を示して
いるが、ホール読出素子112を備えている。MRセンサー
やホール・センサーの利点は、速度に影響されず、高い
信号感知性を備えているということである。MRセンサー
やホール・センサーの素子は、本発明の精神や範囲から
逸脱することなくプローブの上や下に形成されるかもし
れない。
或る実施例において、極めて薄いシールドが望ましい。
これは薄いシールドは書込モードでは飽和するが、読出
しモードでは有効であるためである。これによって広い
トラック幅の書込みと狭いトラック幅を読み出しが可能
にされ、消去が容易になり、トラック追跡が正確にな
る。
これは薄いシールドは書込モードでは飽和するが、読出
しモードでは有効であるためである。これによって広い
トラック幅の書込みと狭いトラック幅を読み出しが可能
にされ、消去が容易になり、トラック追跡が正確にな
る。
本発明の別の実施例が第30図に示されており、薄いシー
ルド区域34a,34b（即ち、少なくとも先端で薄い）が示
されている。更に、戻り磁束交替即ち補助通路118が与
えられている。更に詳細には、フェライトあるいは他の
磁性基板（またはAlSiMagの様な基板上にメッキされたN
iFe）は通路118を形成しており、後方の閉鎖領域内のシ
ールド34に結合しており、空気ベアリング面（媒体面）
にシールド区域34bの先端からは絶縁体120によって分離
されている。ここで、シールド区域34a,34bは比較的薄
く、書込み時に飽和し、読出し時に機能する。通路118
はかなり厚く、書込み時に飽和しない戻り通路を与え
る。厚い戻り通路は磁束を放散する別の特徴を有してお
り、媒体上の記録情報に影響を与えないようになってい
る。結果として、より低い磁気抵抗の磁束路が与えられ
て、読出し／書込み効率が上昇される。MR素子を伴って
示されているが、これは実施例であり本発明の範囲を制
限するものではない。本実施例の変形例として、シール
ド区域34aを、シールド区域34bよりも、設計に応じて厚
くしたり、薄くしたりすることができる。
ルド区域34a,34b（即ち、少なくとも先端で薄い）が示
されている。更に、戻り磁束交替即ち補助通路118が与
えられている。更に詳細には、フェライトあるいは他の
磁性基板（またはAlSiMagの様な基板上にメッキされたN
iFe）は通路118を形成しており、後方の閉鎖領域内のシ
ールド34に結合しており、空気ベアリング面（媒体面）
にシールド区域34bの先端からは絶縁体120によって分離
されている。ここで、シールド区域34a,34bは比較的薄
く、書込み時に飽和し、読出し時に機能する。通路118
はかなり厚く、書込み時に飽和しない戻り通路を与え
る。厚い戻り通路は磁束を放散する別の特徴を有してお
り、媒体上の記録情報に影響を与えないようになってい
る。結果として、より低い磁気抵抗の磁束路が与えられ
て、読出し／書込み効率が上昇される。MR素子を伴って
示されているが、これは実施例であり本発明の範囲を制
限するものではない。本実施例の変形例として、シール
ド区域34aを、シールド区域34bよりも、設計に応じて厚
くしたり、薄くしたりすることができる。
第28図、第29図および第30図のMRまたはホール素子或い
は補助磁束伝達路を、上述された新規の発明に従来の製
造技術を適用することにより作り出すことができる。
は補助磁束伝達路を、上述された新規の発明に従来の製
造技術を適用することにより作り出すことができる。
第17図は、飽和可能な側方シールド36を伴う垂直記録の
ための３磁極タイプの読出／書込ヘッドを例示してい
る。書込過程の間、２個の磁気シールドであるウイスカ
ー36は飽和する。しかしながら、書込の過程において、
ウイスカー36は十分に効果的な磁気シールドであり、そ
の磁気シールドは、磁束が隣接するトランジションから
読出磁極P1に入りこむことを阻止している。ウイスカー
36は、磁極P2の形成中、種層から形成することができ
る。
ための３磁極タイプの読出／書込ヘッドを例示してい
る。書込過程の間、２個の磁気シールドであるウイスカ
ー36は飽和する。しかしながら、書込の過程において、
ウイスカー36は十分に効果的な磁気シールドであり、そ
の磁気シールドは、磁束が隣接するトランジションから
読出磁極P1に入りこむことを阻止している。ウイスカー
36は、磁極P2の形成中、種層から形成することができ
る。
本発明のもう一つの具体的な実施例が、第18図において
示されており、それは、第１図の飽和可能な側方シール
ドの形態である。すなわち、シールド38は第１図の磁極
P2のシールドの部分よりも薄い。薄い側方シールド38は
P2の形成中種層として使用でき、それによって側方シー
ルドを配置する中において余分な工程を省いている。
示されており、それは、第１図の飽和可能な側方シール
ドの形態である。すなわち、シールド38は第１図の磁極
P2のシールドの部分よりも薄い。薄い側方シールド38は
P2の形成中種層として使用でき、それによって側方シー
ルドを配置する中において余分な工程を省いている。
第19図は縦方向の記録のための３磁極の読出／書込ヘッ
ドを例示している。中央の磁極P2は磁束を感知する、誘
導型の読出ヘッドである。磁極P1−P3の組合せは、書込
磁極として機能する（P2はP1およびP3のトラック幅より
も幅が狭く、幅広く書き込み幅狭く読み出している）。
薄い側方シールド40は磁極P3の一部である。側方シール
ド40は磁極P3の形成の間の種層を構成している。側方シ
ールド40は、書込操作の間に飽和し、より幅の狭いトラ
ック磁極P2によって、読出よりも幅広く書き込んでい
る。磁極は、読出操作の間に側方シールド40によってシ
ールドされている。第20図は飽和しない側方シールド42
を伴う第19図の具体的な実施例の形態であり、側方シー
ルド42は第19図の具体的な実施例における側方シールド
40より厚い。
ドを例示している。中央の磁極P2は磁束を感知する、誘
導型の読出ヘッドである。磁極P1−P3の組合せは、書込
磁極として機能する（P2はP1およびP3のトラック幅より
も幅が狭く、幅広く書き込み幅狭く読み出している）。
薄い側方シールド40は磁極P3の一部である。側方シール
ド40は磁極P3の形成の間の種層を構成している。側方シ
ールド40は、書込操作の間に飽和し、より幅の狭いトラ
ック磁極P2によって、読出よりも幅広く書き込んでい
る。磁極は、読出操作の間に側方シールド40によってシ
ールドされている。第20図は飽和しない側方シールド42
を伴う第19図の具体的な実施例の形態であり、側方シー
ルド42は第19図の具体的な実施例における側方シールド
40より厚い。
第21図において、側方シールド48はその広大な領域のた
めに、それ自体がグラウンドである。この形態のシール
ドは隣接するトラックの磁束から、磁極先端と同じよう
にヨーク46を保護している。シールドは低周波数の残り
のクロス・トークをより高い周波数に変換することを回
避するために、ヘンド・メディア・インターフェースに
延長することはない。この設計は、単磁極ヘッドおよび
２磁極ヘッドに適している。この設計は第16図に示され
ている設計に類似している。ここに開示されている側方
シールドを含む磁気ヘッドは、読出しや書込みの間にお
いて、周縁効果の負影響を減少させ、より高いトラック
密度とストアされたビットごとのコスト減少を容認する
ようになっていることがわかる。
めに、それ自体がグラウンドである。この形態のシール
ドは隣接するトラックの磁束から、磁極先端と同じよう
にヨーク46を保護している。シールドは低周波数の残り
のクロス・トークをより高い周波数に変換することを回
避するために、ヘンド・メディア・インターフェースに
延長することはない。この設計は、単磁極ヘッドおよび
２磁極ヘッドに適している。この設計は第16図に示され
ている設計に類似している。ここに開示されている側方
シールドを含む磁気ヘッドは、読出しや書込みの間にお
いて、周縁効果の負影響を減少させ、より高いトラック
密度とストアされたビットごとのコスト減少を容認する
ようになっていることがわかる。
本発明の修正や多様化は、当業者が思いつくことが認識
され、そのようなすべての修正や多様化は付加されてい
る特許請求の範囲に含まれることが意図されている。
され、そのようなすべての修正や多様化は付加されてい
る特許請求の範囲に含まれることが意図されている。
第１図は、縦方向や横方向の記録に適している２磁極ヘ
ッドの磁極先端部の見取り図である。 第２図は、横方向の記録のための３磁極ヘッドの磁極先
端部の見取り図である。 第３図は、誘導コイルを使用した対称的な２磁極ヘッド
の断面図である。 第４図は、ホール素子センサーを使用した対称的な２磁
極ヘッドの断面図である。 第５図は、MR素子を使用した対称的な２磁極ヘッドの断
面図である。 第６図は、飽和可能な側方シールドを持つ対称的な２磁
極ヘッドの磁極先端部の見取り図である。 第７図は、誘導センサーを使用した非対称的な２磁極ヘ
ッドの断面図である。 第８図は、ホール素子を使用した非対称的な２磁極ヘッ
ドの断面図である。 第９図は、MRセンサーを使用した非対称的な２磁極ヘッ
ドの断面図である。 第10図は、接地されたP2のための飽和可能な側方シール
ドを持つ非対称的な２磁極ヘッドの磁極先端部の見取り
図である。 第11図は、接地されたP1のための飽和可能な側方シール
ドを持つもう一つの非対称的な２磁極ヘッドの磁極先端
部の見取り図である。 第12図は、トラック研削以前の３磁極ヘッドの磁極先端
部の見取り図である。 第13図は、トラック研削後で、シールド・ギャップと側
方シールドを含む３磁極ヘッドの磁極先端部の見取り図
である。 第14図は、部分的なトラック・トリムを伴う３磁極ヘッ
ドの磁極先端部の見取り図である。 第15図は、部分的なトラック・トリムと側方シールドを
伴う３磁極ヘッドの磁極先端部の見取り図である。 第16A図と第16B図は、主として、磁極先端領域を記述す
る目的のために示されているシールドされた単磁極の読
出／書込ヘッドの平面図と磁極先端部の見取り図であ
る。 第16C図は、本発明のシールドされた単磁極の具体的な
実施例の側面図である。 第17図は、飽和可能な側方シールドを伴う縦方向の記録
のための３磁極の読出／書込ヘッドの側面図である。 第18図は、飽和可能な側方シールドを伴う２磁極ヘッド
の磁極先端部の見取り図である。 第19図は、飽和可能な側方シールドを伴う３磁極ヘッド
の磁極先端部の見取り図である。 第20図は、飽和しない側方シールドを伴う３磁極ヘッド
の磁極先端部の見取り図である。 第21図は、それ自体がグラウンドである側方シールドを
伴う２磁極あるいは単磁極のヘッドの平面図である。 第22図は、本発明のシールドされた単磁極の具体的な実
施例の側面図である。 第23A図、第23B図から第25A図、第25B図までは、本発明
の好ましい製造方法を示しており、その製造方法におい
て、第23A図は第23B図の平面図におけるライン１−１で
取った断面図であり、第24A図は、第24B図の平面図にお
けるライン２−２で取った断面図であり、第25A図は第2
5B図の平面図におけるライン３−３で取った断面図であ
る。 第26A図は、この好ましい製造方法の最終段階の側断面
図である。 第26B図は、第26A図のプローブの好まれた具体的な実施
例を示す側断面図である。 第27図は、上部のシールド区域の形成以前におけるプロ
ーブの上方における凸形の構造の形成を示す側断面図で
ある。 第28図から第29図は、本発明のMRとホールの具体的な実
施例の側面図である。 第30図は、戻り磁束交替通路を持つ発明の追加の具体的
な実施例の側面図である。 P1,P2,P3……磁極、10,16,60……ヘッド、20,22,24,38,
40,42,48……側方磁気シールド、Ｐ……磁極先端、34…
…シールド、34a……上部区域、34b……下部区域、46…
…ヨーク、61……中央磁極（プローブ）、62……基板、
63……後方の閉鎖領域、64……誘導コイル、65……ソレ
ノイド巻線、68……プローブネック、72,72′,73……く
ぼみあるいは穴、100,118……通路、114……バッファー
層。
ッドの磁極先端部の見取り図である。 第２図は、横方向の記録のための３磁極ヘッドの磁極先
端部の見取り図である。 第３図は、誘導コイルを使用した対称的な２磁極ヘッド
の断面図である。 第４図は、ホール素子センサーを使用した対称的な２磁
極ヘッドの断面図である。 第５図は、MR素子を使用した対称的な２磁極ヘッドの断
面図である。 第６図は、飽和可能な側方シールドを持つ対称的な２磁
極ヘッドの磁極先端部の見取り図である。 第７図は、誘導センサーを使用した非対称的な２磁極ヘ
ッドの断面図である。 第８図は、ホール素子を使用した非対称的な２磁極ヘッ
ドの断面図である。 第９図は、MRセンサーを使用した非対称的な２磁極ヘッ
ドの断面図である。 第10図は、接地されたP2のための飽和可能な側方シール
ドを持つ非対称的な２磁極ヘッドの磁極先端部の見取り
図である。 第11図は、接地されたP1のための飽和可能な側方シール
ドを持つもう一つの非対称的な２磁極ヘッドの磁極先端
部の見取り図である。 第12図は、トラック研削以前の３磁極ヘッドの磁極先端
部の見取り図である。 第13図は、トラック研削後で、シールド・ギャップと側
方シールドを含む３磁極ヘッドの磁極先端部の見取り図
である。 第14図は、部分的なトラック・トリムを伴う３磁極ヘッ
ドの磁極先端部の見取り図である。 第15図は、部分的なトラック・トリムと側方シールドを
伴う３磁極ヘッドの磁極先端部の見取り図である。 第16A図と第16B図は、主として、磁極先端領域を記述す
る目的のために示されているシールドされた単磁極の読
出／書込ヘッドの平面図と磁極先端部の見取り図であ
る。 第16C図は、本発明のシールドされた単磁極の具体的な
実施例の側面図である。 第17図は、飽和可能な側方シールドを伴う縦方向の記録
のための３磁極の読出／書込ヘッドの側面図である。 第18図は、飽和可能な側方シールドを伴う２磁極ヘッド
の磁極先端部の見取り図である。 第19図は、飽和可能な側方シールドを伴う３磁極ヘッド
の磁極先端部の見取り図である。 第20図は、飽和しない側方シールドを伴う３磁極ヘッド
の磁極先端部の見取り図である。 第21図は、それ自体がグラウンドである側方シールドを
伴う２磁極あるいは単磁極のヘッドの平面図である。 第22図は、本発明のシールドされた単磁極の具体的な実
施例の側面図である。 第23A図、第23B図から第25A図、第25B図までは、本発明
の好ましい製造方法を示しており、その製造方法におい
て、第23A図は第23B図の平面図におけるライン１−１で
取った断面図であり、第24A図は、第24B図の平面図にお
けるライン２−２で取った断面図であり、第25A図は第2
5B図の平面図におけるライン３−３で取った断面図であ
る。 第26A図は、この好ましい製造方法の最終段階の側断面
図である。 第26B図は、第26A図のプローブの好まれた具体的な実施
例を示す側断面図である。 第27図は、上部のシールド区域の形成以前におけるプロ
ーブの上方における凸形の構造の形成を示す側断面図で
ある。 第28図から第29図は、本発明のMRとホールの具体的な実
施例の側面図である。 第30図は、戻り磁束交替通路を持つ発明の追加の具体的
な実施例の側面図である。 P1,P2,P3……磁極、10,16,60……ヘッド、20,22,24,38,
40,42,48……側方磁気シールド、Ｐ……磁極先端、34…
…シールド、34a……上部区域、34b……下部区域、46…
…ヨーク、61……中央磁極（プローブ）、62……基板、
63……後方の閉鎖領域、64……誘導コイル、65……ソレ
ノイド巻線、68……プローブネック、72,72′,73……く
ぼみあるいは穴、100,118……通路、114……バッファー
層。
Claims (16)
- 【請求項１】磁極、磁極先端、後方閉鎖領域を伴うヨー
クを備えた単磁極ヘッドを形成するための方法におい
て、 （ａ）上表部に要望する横方向と縦方向の寸法を持つ凹
部を有する被加工物基板を準備する段階、 （ｂ）前記被加工物上に磁性層を堆積して、前記凹部の
形状を反映する下部シールド区域を形成する段階、 （ｃ）前記被加工物上にコイル巻線ストライプを形成す
る段階、 （ｄ）前記下部シールド区域の凹部を絶縁材料で埋める
段階、 （ｅ）前記段階（ｄ）の中間製造物に研磨して表面を平
坦にする段階、 （ｆ）この平坦な面に磁極を形成する段階、 （ｇ）別の絶縁層と、前記コイル巻線ストライプと連続
する上部コイル巻線とを、前記工程（ｆ）の中間製造物
上に形成する段階、 （ｈ）凸部を有する絶縁層を前記段階（ｇ）の中間製造
物上に形成する段階、 （ｉ）前記下部シールド区域及び前記磁極と連続し、前
記段階（ｈ）の中間製造物の凸部形状を反映する上部シ
ールド区域を段階（ｈ）の中間製造物上に形成する段
階、からなるヘッド形成方法。 - 【請求項２】前記段階（ａ）がレーザー、イオン、化学
的あるいは機械的な加工によって前記凹部を形成するこ
とを含む請求項（１）記載の方法。 - 【請求項３】前記段階（ａ）が基板の上を覆う薄い絶縁
層を形成することを含むことを特徴とする請求項（１）
記載の方法。 - 【請求項４】前記基板がAlSiMagであり、前記薄い絶縁
層がAl2O3から構成されていることを特徴とする請求項
（３）記載の方法。 - 【請求項５】前記段階（ｃ）の前に、前記下部シールド
区域の上を覆う別の絶縁層を置く段階が実施されること
を特徴とする請求項（１）記載の方法。 - 【請求項６】前記段階（ｆ）の前に、前記被加工物の磁
極先端においてアルミナ層を形成する段階が実施される
ことを特徴とする請求項（１）記載の方法。 - 【請求項７】前記下部シールド区域が後方の閉鎖領域を
持ち、この閉鎖領域は下部シールドの横方向の寸法以内
に限定されているが、前記凹の縦方向の寸法を越えて位
置していることを特徴とする請求項（１）記載の方法。 - 【請求項８】前記段階（ｃ）が、トラック幅方向に沿
い、下部シールド形状の大きさを越えて横方向に延長す
るように前記ストライプの端部を形成することを含むこ
とを特徴とする請求項（１）記載の方法。 - 【請求項９】前記段階（ｄ）において、前記絶縁材料が
フォトレジストであり、前記ストライプの端部の少なく
とも一部、後方の閉鎖領域および下部シールド区域が伝
導目的のために露出していることを特徴とする請求項
（８）記載の方法。 - 【請求項１０】前記段階（ｇ）に先行して、前記磁極に
隣接して位置するようにMRセンサーを形成する段階が実
施されることを特徴とする請求項（１）記載の方法。 - 【請求項１１】前記段階（ｇ）に先行して、前記磁極に
隣接して位置するようにホール・センサーを形成する段
階が実施されることを特徴とする請求項（１）記載の方
法。 - 【請求項１２】上部および下部のシールド区域が、少な
くともその先端において薄く形成されていることを特徴
とする請求項（１）記載の方法。 - 【請求項１３】上部および下部のシールド区域が、少な
くとも先端において厚く形成されていることを特徴とす
る請求項（１）記載の方法。 - 【請求項１４】少なくともシールド区域に連結された戻
り磁束交替通路を形成する段階をさらに含み、このシー
ルド区域が絶縁層により戻り磁束交替伝導体から分離さ
れていることを特徴とする請求項（１）記載の方法。 - 【請求項１５】前記段階（ｅ）が、前記研磨を行うシス
テムの一部と前記形成されたコイル・ストライプの少な
くとも一個の間に連続性があることを検出するまで研磨
し、これによって研磨を調整することを特徴とする請求
項（１）記載の方法。 - 【請求項１６】前記シールド区域と磁極との間の結合を
促進するために、後方の閉鎖領域に通路を形成する段階
をさらに含むことを特徴とする請求項（７）記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US29239788A | 1988-12-30 | 1988-12-30 | |
| US292397 | 1988-12-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02201710A JPH02201710A (ja) | 1990-08-09 |
| JPH071526B2 true JPH071526B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=23124492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1312239A Expired - Lifetime JPH071526B2 (ja) | 1988-12-30 | 1989-11-30 | 単磁極ヘッド形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0376459B1 (ja) |
| JP (1) | JPH071526B2 (ja) |
| AT (1) | ATE152542T1 (ja) |
| CA (1) | CA1323695C (ja) |
| DE (1) | DE68928014T2 (ja) |
| SG (1) | SG47921A1 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69029215T2 (de) * | 1989-03-28 | 1997-04-30 | Quantum Corp | Aufzeichnungskopf zum Optimieren der Aufzeichnung mit hoher Dichte |
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