JPS59227022A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS59227022A JPS59227022A JP10333183A JP10333183A JPS59227022A JP S59227022 A JPS59227022 A JP S59227022A JP 10333183 A JP10333183 A JP 10333183A JP 10333183 A JP10333183 A JP 10333183A JP S59227022 A JPS59227022 A JP S59227022A
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- JP
- Japan
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- magnetic material
- magnetic
- layer
- material layer
- hard
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）ｖａ業りの利用分野
本発明は、磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子に
バイアス磁界を１手えるバイアス用ノマグネットとを第
１．第２シールド層（又は、基板う間に配しＣ磁気シー
ルドを施しＣなる磁気抵抗幼果型磁気ヘッドに関するも
のである。
バイアス磁界を１手えるバイアス用ノマグネットとを第
１．第２シールド層（又は、基板う間に配しＣ磁気シー
ルドを施しＣなる磁気抵抗幼果型磁気ヘッドに関するも
のである。
（ロ）従来技術
従来、斯る磁気抵抗効果型磁気ヘッド（楓−ド、ＭＲヘ
ッドと称す）は一般に第１図に示す如き断面構造になつ
′こおり、具体的にはシリコン、ホトセラム或いはガラ
ス等の非磁性の基板（１）に形成されたシールド用とし
Ｃの第１軟磁性体層（２）上焚七婿＋に５ｉ０２ 、
Ａｌ２Ｏ５等の非磁性絶縁体層（３）をスパッタ等で形
成し、更にその上にＣｏ−Ｐ系或いはＳｍ−Ｃｏ系等の
硬磁性体層＋４１を電着或いはスパッタで形成し所定の
形状にパターン化する。その後、非磁性絶縁体層ｔ５１
（ｓｔｏ２． Ａｇ２ｏｓ ）をスパッタ等で形成し
、その上に磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称す）
としてのＪＪｉ−Ｆｅ合曽等の高透磁率磁性体層（６）
を形成し所定の形状にパターン化する。向、この高透磁
率磁性体層（６）の磁化容易軸方向は長手方向（即ち、
紙面に垂直方向）である。
ッドと称す）は一般に第１図に示す如き断面構造になつ
′こおり、具体的にはシリコン、ホトセラム或いはガラ
ス等の非磁性の基板（１）に形成されたシールド用とし
Ｃの第１軟磁性体層（２）上焚七婿＋に５ｉ０２ 、
Ａｌ２Ｏ５等の非磁性絶縁体層（３）をスパッタ等で形
成し、更にその上にＣｏ−Ｐ系或いはＳｍ−Ｃｏ系等の
硬磁性体層＋４１を電着或いはスパッタで形成し所定の
形状にパターン化する。その後、非磁性絶縁体層ｔ５１
（ｓｔｏ２． Ａｇ２ｏｓ ）をスパッタ等で形成し
、その上に磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称す）
としてのＪＪｉ−Ｆｅ合曽等の高透磁率磁性体層（６）
を形成し所定の形状にパターン化する。向、この高透磁
率磁性体層（６）の磁化容易軸方向は長手方向（即ち、
紙面に垂直方向）である。
そして、この高透磁率磁性体層（６）の長手方向の左右
端部にはＣｕ 、 ＡＩ、： Ａｇ 等の４１Ｊ ’
屯体層＋７１か蒸、ｎ或いはスパッタで形成され且つパ
ターン化されＣゼリ、この導電体層（７）ｌこ外部から
１は流定電流が供給されＣ高透磁率磁性体層（６）の長
手方向に通電される。そし°Ｃ１その上に５ｉ０２ 、
Ａｅ２０ｓ等の非磁性絶縁体層（８）をスパッタ等で
形成した後、パーマロイ等のシールド用としての第２軟
（ｄ性体層（９）をスパッタ等で形成し史にガラス、シ
リコン或いはホトぜラム等を溶着して非磁性の保護層ｔ
１０１を形成することで構成されている。尚、＋１１１
は記録媒体であり、この場合基板（１〕か非磁性である
ためその上にシールド１１４としこの第１軟磁性体層１
２）を形成するようにしくいるが、断る基板（１）かフ
ェライト、センダスト或いはパーマロイ等の磁性体であ
る場合には斯る基板（１）をシールド用として兼用する
ことが出来ることは謂うまでもない。
端部にはＣｕ 、 ＡＩ、： Ａｇ 等の４１Ｊ ’
屯体層＋７１か蒸、ｎ或いはスパッタで形成され且つパ
ターン化されＣゼリ、この導電体層（７）ｌこ外部から
１は流定電流が供給されＣ高透磁率磁性体層（６）の長
手方向に通電される。そし°Ｃ１その上に５ｉ０２ 、
Ａｅ２０ｓ等の非磁性絶縁体層（８）をスパッタ等で
形成した後、パーマロイ等のシールド用としての第２軟
（ｄ性体層（９）をスパッタ等で形成し史にガラス、シ
リコン或いはホトぜラム等を溶着して非磁性の保護層ｔ
１０１を形成することで構成されている。尚、＋１１１
は記録媒体であり、この場合基板（１〕か非磁性である
ためその上にシールド１１４としこの第１軟磁性体層１
２）を形成するようにしくいるが、断る基板（１）かフ
ェライト、センダスト或いはパーマロイ等の磁性体であ
る場合には斯る基板（１）をシールド用として兼用する
ことが出来ることは謂うまでもない。
ところが、所るＭ’＋（・ベッドにおいてはシールド用
とし−Ｃの第１．第２軟磁性体層１２１ ＋９１が穐縁
体層を介して硬磁性体層（４）に近接した構造になつＣ
いるため、硬磁性体層＋４１で発生したバイアス磁界の
一部が第１．第２軟磁性体層＋２１１９１側に吸収され
て高透磁率磁性体層（６）に有効ｌこ働かなかったり、
更には斯る第１．第２軟磁性体ｔｒａ ＋２１ ＋９１
がバイアス磁界により磁化の影響を受けて高透磁率性体
層（６１側に影響を及ぼしたりしで、高透磁率磁性体層
１６）の再生信号が歪んだものとなりＬｑ好な再生周波
数特性が得られなかった。
とし−Ｃの第１．第２軟磁性体層１２１ ＋９１が穐縁
体層を介して硬磁性体層（４）に近接した構造になつＣ
いるため、硬磁性体層＋４１で発生したバイアス磁界の
一部が第１．第２軟磁性体層＋２１１９１側に吸収され
て高透磁率磁性体層（６）に有効ｌこ働かなかったり、
更には斯る第１．第２軟磁性体ｔｒａ ＋２１ ＋９１
がバイアス磁界により磁化の影響を受けて高透磁率性体
層（６１側に影響を及ぼしたりしで、高透磁率磁性体層
１６）の再生信号が歪んだものとなりＬｑ好な再生周波
数特性が得られなかった。
そこで、このようなＭＲ−ベッドにおける問題点を解決
するには第１．第２軟磁性体層１２１１９１を硬磁性体
層（４）より互いに離間して形成しバイアス磁界の吸収
或いは影響を受けないよろにすればよいわけであるが、
そのようにすると高透磁率磁性体層（６）ｌこおけるシ
ールド効果もす（すり（即ち、ギャップが広くなり）Ｍ
Ｒヘッドの再生周波数特性、特に短波長における特性が
大幅ζこ劣化し、再生波形の急峻性も損なわれるもので
あつ１こ。
するには第１．第２軟磁性体層１２１１９１を硬磁性体
層（４）より互いに離間して形成しバイアス磁界の吸収
或いは影響を受けないよろにすればよいわけであるが、
そのようにすると高透磁率磁性体層（６）ｌこおけるシ
ールド効果もす（すり（即ち、ギャップが広くなり）Ｍ
Ｒヘッドの再生周波数特性、特に短波長における特性が
大幅ζこ劣化し、再生波形の急峻性も損なわれるもので
あつ１こ。
（ハ）発明の目的
本発明は斯る点に鑑みｔｊされ１こもので、シールド用
としての第１１第２軟磁性体１ｖ１と硬磁性体層による
相互作用を減少させＭＨヘッドの再生周波数特性を向上
させることが出来るようにしたものである。
としての第１１第２軟磁性体１ｖ１と硬磁性体層による
相互作用を減少させＭＨヘッドの再生周波数特性を向上
させることが出来るようにしたものである。
に）発明の構成
即ち、本発明ｌこ依れば上記した目的を達成するへく磁
気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子にバイアス磁界
を与えるバイアス用のマグネットとを第１．第２シール
ド層（又は、基板）間に配しＣ磁気シールドを施しＣな
る１１肢気低抗効果型磁気（ヘッドであって、Ｍ記第１
．第２シールド１１イ（又は、基板）は、少なくともそ
のマグネット対応ｉ、ｉｔ≦分が磁気抵抗効果素子に対
応する部分よりも互い（こｉ’ｆｌｆ： Ｋした形状に
形成されるようにしたものである。
気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子にバイアス磁界
を与えるバイアス用のマグネットとを第１．第２シール
ド層（又は、基板）間に配しＣ磁気シールドを施しＣな
る１１肢気低抗効果型磁気（ヘッドであって、Ｍ記第１
．第２シールド１１イ（又は、基板）は、少なくともそ
のマグネット対応ｉ、ｉｔ≦分が磁気抵抗効果素子に対
応する部分よりも互い（こｉ’ｆｌｆ： Ｋした形状に
形成されるようにしたものである。
（刊 実施例
唄ド、本発明の一実施例について図面と共−に説明する
。尚、従来と同一の構成要素については同一の図番を附
すと共ｌこその説明を省略する。
。尚、従来と同一の構成要素については同一の図番を附
すと共ｌこその説明を省略する。
即ち、本ｑＮ明ｊこよるＭｌ’ｌヘッドは第２図ｔこ示
す如＠断面ｆｉｊｔ造（こなっており、その第１．第２
軟磁性体１ｒＮ １２＋ １９１は少なくともその硬磁
性体層（４１対応部分が高透磁率磁性体層（６）に対応
する部分よりも互い番こ離れた形状に形成されでいるも
のである。そのため、′ｆＩｓ ｉ第２軟磁性体層１２
＋ １９１と硬磁性体層１４）による相互ｒ［用（即ち
、バイ了磁界の＠洩）を減少させてＭＲ・ベッドの再生
周波数特性を向上させることか出来る。
す如＠断面ｆｉｊｔ造（こなっており、その第１．第２
軟磁性体１ｒＮ １２＋ １９１は少なくともその硬磁
性体層（４１対応部分が高透磁率磁性体層（６）に対応
する部分よりも互い番こ離れた形状に形成されでいるも
のである。そのため、′ｆＩｓ ｉ第２軟磁性体層１２
＋ １９１と硬磁性体層１４）による相互ｒ［用（即ち
、バイ了磁界の＠洩）を減少させてＭＲ・ベッドの再生
周波数特性を向上させることか出来る。
次に、その製造工程の一例について述べる。
先ス、シリコン、ホトセラノ、或いはガラス等ＬＪ：）
非磁性の基板（１）に凹１ｎ”ｊを設けるための溝加工
を行なつ。この場合６Ｎの人きさは例えば深さが６〜８
μｍで、矢印入方向の長さが後捏１１づ成される硬磁性
体１ｔｉ ＋４．Ｉの同方向への長、ざか１００μ【ｎ
程度であるとすると２００７ｚｍ程度てあり、斯る硬磁
性体層（４］と対応する位置に設けられ′Ｃいることは
謂うまでもない。ここで重要なことはＩＲの長さを硬磁
性体層１４ｊの長さよりも矢印入方向に長くすることで
あり、例えば同じ長さかそれ以下の場合には硬磁性体層
＋４１との聞ｌこ間接的な閉磁路を形成し意味をなさな
い。そしご、？Ｔｌ加工が施された斯るノ１（板（１）
上にシールド用とじＣの第１軟磁性体層（２）を蒸着或
いはスパッタ等で形成（例えば、層厚１１ｒｍ）した後
、このｍ＋こ５ｉ０２ 等のスパッタ或いは溶融ガラス
の充填により溝を埋めて非磁性絶縁体段部；Ｉｚとし、
ランプ加工によりこの＋４１≦分か第１軟磁性１本１．
Ω１２）と平面を形成するように研摩する。そして、そ
れＵ後は従来例で述べたものと同様の方法により順次硬
磁性体層１４）、高透磁率磁性体層（６）等を形成しＣ
行く。そして、非磁性絶縁体層（８）まで形成すると、
基板（１）の溝に対応した斯る絶縁体ノー（８）Ｌに８
１０２をマスク・スパッタにより（或いは全面に形１戊
した後パターン化することにより）斯る溝を埋めたガラ
スと略同形状に非磁性絶縁体段部ｄ３１を形成する。そ
しＣ１その後パーマロイ等のシールド用としての第２軟
磁性体層（９）をスパッタ等で形成し更にガラス、シリ
コン或いはホトセラム等を溶若しＣ非磁性の保護層（１
山を形成すると第２図に示すようす＠造のＭＲヘッドを
得ることが出来る。
非磁性の基板（１）に凹１ｎ”ｊを設けるための溝加工
を行なつ。この場合６Ｎの人きさは例えば深さが６〜８
μｍで、矢印入方向の長さが後捏１１づ成される硬磁性
体１ｔｉ ＋４．Ｉの同方向への長、ざか１００μ【ｎ
程度であるとすると２００７ｚｍ程度てあり、斯る硬磁
性体層（４］と対応する位置に設けられ′Ｃいることは
謂うまでもない。ここで重要なことはＩＲの長さを硬磁
性体層１４ｊの長さよりも矢印入方向に長くすることで
あり、例えば同じ長さかそれ以下の場合には硬磁性体層
＋４１との聞ｌこ間接的な閉磁路を形成し意味をなさな
い。そしご、？Ｔｌ加工が施された斯るノ１（板（１）
上にシールド用とじＣの第１軟磁性体層（２）を蒸着或
いはスパッタ等で形成（例えば、層厚１１ｒｍ）した後
、このｍ＋こ５ｉ０２ 等のスパッタ或いは溶融ガラス
の充填により溝を埋めて非磁性絶縁体段部；Ｉｚとし、
ランプ加工によりこの＋４１≦分か第１軟磁性１本１．
Ω１２）と平面を形成するように研摩する。そして、そ
れＵ後は従来例で述べたものと同様の方法により順次硬
磁性体層１４）、高透磁率磁性体層（６）等を形成しＣ
行く。そして、非磁性絶縁体層（８）まで形成すると、
基板（１）の溝に対応した斯る絶縁体ノー（８）Ｌに８
１０２をマスク・スパッタにより（或いは全面に形１戊
した後パターン化することにより）斯る溝を埋めたガラ
スと略同形状に非磁性絶縁体段部ｄ３１を形成する。そ
しＣ１その後パーマロイ等のシールド用としての第２軟
磁性体層（９）をスパッタ等で形成し更にガラス、シリ
コン或いはホトセラム等を溶若しＣ非磁性の保護層（１
山を形成すると第２図に示すようす＠造のＭＲヘッドを
得ることが出来る。
（へ）発明の効果
上述した１７目（不発明番こ依Ｊ’Ｌば、磁気抵抗効果
素子と、該磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を４えるバ
イアス／ｌｉのマグネットとをｆｆ１ｌ、第２シールド
層（又は、基板）間に配して磁気シールドを施してなる
磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、前記第１．第２シ
ールド層（又は、）、（板）は、少なくともそのマグネ
°ノド対応品分か磁気抵抗効果素子に対応する部分より
も互いに離れた形状番こ形成されるようにしたものであ
るから、第１．第２シールド層とマグネットとの相互作
用（即ち、バイアス磁界の漏洩）を減少させ、且つ斯る
マグネットからの適切なバイアス磁界を有効的に磁気抵
抗効果型磁気へラドに眸えることが出来、その再生周波
数特性を艮好なものにすることが出来る。
素子と、該磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を４えるバ
イアス／ｌｉのマグネットとをｆｆ１ｌ、第２シールド
層（又は、基板）間に配して磁気シールドを施してなる
磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、前記第１．第２シ
ールド層（又は、）、（板）は、少なくともそのマグネ
°ノド対応品分か磁気抵抗効果素子に対応する部分より
も互いに離れた形状番こ形成されるようにしたものであ
るから、第１．第２シールド層とマグネットとの相互作
用（即ち、バイアス磁界の漏洩）を減少させ、且つ斯る
マグネットからの適切なバイアス磁界を有効的に磁気抵
抗効果型磁気へラドに眸えることが出来、その再生周波
数特性を艮好なものにすることが出来る。
第１図は従来例の磁気抵抗効果型磁気ヘッドのＷ’ｒ面
図、第２図は本発明の一例を示す磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの断面図である。 ＋２１・・第１軟磁性体ノー、（４１・・・硬磁性体層
、（９）・・・第２軟磁性体層、（１２１北・・・非磁
性絶縁体段部。
図、第２図は本発明の一例を示す磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの断面図である。 ＋２１・・第１軟磁性体ノー、（４１・・・硬磁性体層
、（９）・・・第２軟磁性体層、（１２１北・・・非磁
性絶縁体段部。
Claims (1)
- （１）磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子にバイ
アス磁界を与えるバイアス用のマグネットとを第１．第
２シールド層（又は、基板）間に配して磁気シールドを
施し°Ｃなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、前記
第１、第２シールド層（又は、）、（板）は、少なくと
もそのマグネット対応ｉ＋Ｂ分が磁気抵抗効果素子に対
応する部分よりも互いにｌｌすれた形状に形成されＣい
る事を特徴とする磁（を抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10333183A JPS59227022A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10333183A JPS59227022A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59227022A true JPS59227022A (ja) | 1984-12-20 |
Family
ID=14351178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10333183A Pending JPS59227022A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59227022A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0376459A2 (en) * | 1988-12-30 | 1990-07-04 | Quantum Corporation | Recording heads with side shields |
| JPH04195812A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-15 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
-
1983
- 1983-06-08 JP JP10333183A patent/JPS59227022A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0376459A2 (en) * | 1988-12-30 | 1990-07-04 | Quantum Corporation | Recording heads with side shields |
| JPH04195812A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-15 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
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