JPS60246012A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS60246012A JPS60246012A JP10051484A JP10051484A JPS60246012A JP S60246012 A JPS60246012 A JP S60246012A JP 10051484 A JP10051484 A JP 10051484A JP 10051484 A JP10051484 A JP 10051484A JP S60246012 A JPS60246012 A JP S60246012A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nonmagnetic
- magnetic
- layers
- magnetic layer
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
- G11B5/3153—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers including at least one magnetic thin film coupled by interfacing to the basic magnetic thin film structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、特に上下のコアが磁性
体層が磁性層と非磁性絶縁層とを交互に積層した多層コ
ア構造となっている薄膜磁気ヘッドに関する。
体層が磁性層と非磁性絶縁層とを交互に積層した多層コ
ア構造となっている薄膜磁気ヘッドに関する。
従来の薄膜磁気ヘッドは、非磁性基板の面上に２〜２０
μｍ程度の下部磁性体層をスパッタリングや蒸着などの
手法を用〜・て形放し、その上にヘッドギャップを構成
する絶縁層、上部磁性体層、保護基板を順次堆積するも
のがほとんどであった。かかる薄膜磁気ヘッドにおける
トラック幅は、上下の磁性体層の両側をエツチングや機
械加工などの手法により寸断することで得られるが、非
磁性基板と下部磁性体層、および上部磁性体層と保護基
板とのそれぞれの境目がギャップ線に平行な擬似ギャッ
プとなり、これら擬似ギャップから取り込まれた磁束と
ヘッドギャップから取り込まれた磁束とが干渉し、いわ
ゆるコンタ−効果が発生し、忠実な信号再生を行う妨げ
となっていた。
μｍ程度の下部磁性体層をスパッタリングや蒸着などの
手法を用〜・て形放し、その上にヘッドギャップを構成
する絶縁層、上部磁性体層、保護基板を順次堆積するも
のがほとんどであった。かかる薄膜磁気ヘッドにおける
トラック幅は、上下の磁性体層の両側をエツチングや機
械加工などの手法により寸断することで得られるが、非
磁性基板と下部磁性体層、および上部磁性体層と保護基
板とのそれぞれの境目がギャップ線に平行な擬似ギャッ
プとなり、これら擬似ギャップから取り込まれた磁束と
ヘッドギャップから取り込まれた磁束とが干渉し、いわ
ゆるコンタ−効果が発生し、忠実な信号再生を行う妨げ
となっていた。
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を除き、コン
タ−効果圧よる信号の乱れが少なく、高忠実度再生が可
能な薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
タ−効果圧よる信号の乱れが少なく、高忠実度再生が可
能な薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
この目的を達成するために、本発明は、コアを磁性層と
非磁性絶縁層とが交互に積層された多層構造とし、この
コアのコアエツジと非磁性絶縁層とにおけるギャップ線
に平行な部分の幅がトランク幅よりも小さくなるように
、少なくとも一方の多層コアの両側に非磁性層を設けた
点を特徴とする。すなわち、アジマス効果がコンタ−効
果にもあることを利用してギャップ線と平行でないコア
エリジを形成し、これによりギャップ線と平行な擬似ギ
ャップの長さを短かくしようとするものである。
非磁性絶縁層とが交互に積層された多層構造とし、この
コアのコアエツジと非磁性絶縁層とにおけるギャップ線
に平行な部分の幅がトランク幅よりも小さくなるように
、少なくとも一方の多層コアの両側に非磁性層を設けた
点を特徴とする。すなわち、アジマス効果がコンタ−効
果にもあることを利用してギャップ線と平行でないコア
エリジを形成し、これによりギャップ線と平行な擬似ギ
ャップの長さを短かくしようとするものである。
以下、本発明の実施例を図面により説明する。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例をテー
プ摺動面側から見た平面図、第２図は第１図に示す薄膜
磁気ヘッドの断面図であって、１は非磁性基板、２は非
磁性層、３はいくつかの磁性層３αを非磁性絶縁層３４
を介して積層した下部磁性体層、４はヘッドギャップを
規定する絶縁層、５はコイル導体層、６はトラック幅ｔ
を規定する絶縁層、７は下部磁性体層３と同様に磁性層
７ａと非磁性絶縁層７ネとの多層膜からなる上部磁性体
層、８は非磁性層、９は保護基板である。
プ摺動面側から見た平面図、第２図は第１図に示す薄膜
磁気ヘッドの断面図であって、１は非磁性基板、２は非
磁性層、３はいくつかの磁性層３αを非磁性絶縁層３４
を介して積層した下部磁性体層、４はヘッドギャップを
規定する絶縁層、５はコイル導体層、６はトラック幅ｔ
を規定する絶縁層、７は下部磁性体層３と同様に磁性層
７ａと非磁性絶縁層７ネとの多層膜からなる上部磁性体
層、８は非磁性層、９は保護基板である。
これらの図において、非磁性基板１はガラスあるいはセ
ラミックスなどの耐摩耗性の材料からなり、その上Ｋ
５Ｌ０２などの材料からなる非磁性層２が形成されてい
る。非磁性層２にはエツチングにより逆台形の溝が形成
され、この溝内にはセンダストやアモルファスなどから
なる磁性層３ａと５ＱＯ２やＡｔ２０３などからなる非
磁性絶縁層３４とを交互に積層した下部磁性体層３が埋
設されている。さらに、非磁性層２と下部磁性体層３上
にはヘッドギャップを構成する絶縁層４が形成されてお
り、この絶縁層４上にはコイル導体層（第２図のみ図示
）５とトラック幅ｔを規定する絶縁層６とが形成され、
その上に前述した下部磁性体層３と同様に磁性層７ａと
非磁性絶縁層７ｂとを交互に積層した上部磁性体層７が
形成されている。上部磁性体層７はエツチングにより略
台形に形成され、その上に非磁性層８を介して保護基板
９が接着されている。
ラミックスなどの耐摩耗性の材料からなり、その上Ｋ
５Ｌ０２などの材料からなる非磁性層２が形成されてい
る。非磁性層２にはエツチングにより逆台形の溝が形成
され、この溝内にはセンダストやアモルファスなどから
なる磁性層３ａと５ＱＯ２やＡｔ２０３などからなる非
磁性絶縁層３４とを交互に積層した下部磁性体層３が埋
設されている。さらに、非磁性層２と下部磁性体層３上
にはヘッドギャップを構成する絶縁層４が形成されてお
り、この絶縁層４上にはコイル導体層（第２図のみ図示
）５とトラック幅ｔを規定する絶縁層６とが形成され、
その上に前述した下部磁性体層３と同様に磁性層７ａと
非磁性絶縁層７ｂとを交互に積層した上部磁性体層７が
形成されている。上部磁性体層７はエツチングにより略
台形に形成され、その上に非磁性層８を介して保護基板
９が接着されている。
この実施例において、トラック幅ｔはテープ摺動面にあ
られれる絶縁層６によって規制される。そして、下部磁
性体層３のコアエツジのうちギャップ線に平行な部分の
コアエツジ、すなわち下部磁性体層３の底面と非磁性基
板１との境目、および非磁性絶縁層旺のうちギャップ線
に平行な部分は擬似ギャップとなるが、これら擬似ギャ
ップはいずれもトラック幅ｔよりも小さい。同様゛に、
上部磁性体層７のコアエツジと非磁性絶縁層７ｂのうち
、ギャップ線に平行な部分のコアエツジと非磁性絶縁層
７にも擬似ギャップとなるが、これら擬似ギャップもト
ラック幅ｔより小さい。このため、本実施例においては
擬似ギャップからの信号の再生レベルを実用レベルまで
低減でき、特にトラック幅が２０〜３０μ飢程度の狭ト
ラツク幅の薄膜磁気ヘッドにおいては、その効果が著し
い。
られれる絶縁層６によって規制される。そして、下部磁
性体層３のコアエツジのうちギャップ線に平行な部分の
コアエツジ、すなわち下部磁性体層３の底面と非磁性基
板１との境目、および非磁性絶縁層旺のうちギャップ線
に平行な部分は擬似ギャップとなるが、これら擬似ギャ
ップはいずれもトラック幅ｔよりも小さい。同様゛に、
上部磁性体層７のコアエツジと非磁性絶縁層７ｂのうち
、ギャップ線に平行な部分のコアエツジと非磁性絶縁層
７にも擬似ギャップとなるが、これら擬似ギャップもト
ラック幅ｔより小さい。このため、本実施例においては
擬似ギャップからの信号の再生レベルを実用レベルまで
低減でき、特にトラック幅が２０〜３０μ飢程度の狭ト
ラツク幅の薄膜磁気ヘッドにおいては、その効果が著し
い。
第３図は上述した実施例における薄膜磁気ヘッドの製造
方法を示す工程図であり、第１図および第２図に対応す
る部分には同一符号を付けである。
方法を示す工程図であり、第１図および第２図に対応す
る部分には同一符号を付けである。
まず、非磁性基板１上に非磁性層２として５ＱＯ２をス
パッタリング法により形成しく第３図（ａ））、この非
磁性層２にホトエツチング技術により断面が逆台形の溝
を形成する（第３図（ｂ））。
パッタリング法により形成しく第３図（ａ））、この非
磁性層２にホトエツチング技術により断面が逆台形の溝
を形成する（第３図（ｂ））。
このようにして溝が形成された非磁性層２上に、センダ
ストやアモルファスなどからなる磁性層３ａと５ＡＯ２
やＡｔｚＱａなどからなる非磁性絶縁層３ネとをスパッ
タリング法によって交互に積層し、非磁性層２とほぼ同
じ厚さの下部磁性体層３を形成する（第３図（Ｏ））。
ストやアモルファスなどからなる磁性層３ａと５ＡＯ２
やＡｔｚＱａなどからなる非磁性絶縁層３ネとをスパッ
タリング法によって交互に積層し、非磁性層２とほぼ同
じ厚さの下部磁性体層３を形成する（第３図（Ｏ））。
この時、下部磁性体層３の磁気特性およびコンタ−効果
の低減などの点を考慮すると、非磁性絶縁層３善の厚さ
は５０〜１００ＯＡ程度が好ましい。
の低減などの点を考慮すると、非磁性絶縁層３善の厚さ
は５０〜１００ＯＡ程度が好ましい。
次に、ラッピングによって非磁性層２上の下部磁性体層
３の除去および平担化を行い、下部磁性体層３を非磁性
層２に埋め込む（第３図（ｄ））。
３の除去および平担化を行い、下部磁性体層３を非磁性
層２に埋め込む（第３図（ｄ））。
そして、この上に３＝０２． Ａｔ２０３などの絶縁層
４を所定のヘッドギャップ長となるようにスパッタリン
グ法で形成し、さらに、この絶縁層４の上にＡｔ、 Ｃ
払などからなるコイル導体層５を所定の形状に積層する
（第３図（４））。
４を所定のヘッドギャップ長となるようにスパッタリン
グ法で形成し、さらに、この絶縁層４の上にＡｔ、 Ｃ
払などからなるコイル導体層５を所定の形状に積層する
（第３図（４））。
次に、絶縁層４とコイル導体層５とを覆うように、Ｓｂ
ＯやＳ＃０２などからなる絶縁層６を蒸着法やスパッタ
リング法などで形成し、フロントギャップおよびリアギ
ャップ部分（（位置する絶縁ＷＩ６をエツチングで除去
する（第３図（１））。
ＯやＳ＃０２などからなる絶縁層６を蒸着法やスパッタ
リング法などで形成し、フロントギャップおよびリアギ
ャップ部分（（位置する絶縁ＷＩ６をエツチングで除去
する（第３図（１））。
この絶縁層６の除去された部分の幅ｔがトラック幅を規
制するものであり、前述の如く、非磁性基板１と′下部
磁性体層３の底面との境目、および非磁性絶縁層３ｂの
うち絶縁層４に平行である部分は、かかるトラック幅ｔ
よりも小さくなるよう（Ｃ形成されている。
制するものであり、前述の如く、非磁性基板１と′下部
磁性体層３の底面との境目、および非磁性絶縁層３ｂの
うち絶縁層４に平行である部分は、かかるトラック幅ｔ
よりも小さくなるよう（Ｃ形成されている。
再び、磁性層７ｃｍと非磁性絶縁層７ｂとをスパッタリ
ング法によって交互に積層し、絶縁層６の上にＦ部磁性
体層７を形成する（第３図（ｔ））。
ング法によって交互に積層し、絶縁層６の上にＦ部磁性
体層７を形成する（第３図（ｔ））。
この時、コイル導体層によって形成される絶縁層６の凹
凸ヲエッチバンク法やバイアススパッタ法などによって
平担化しておく方が、上部磁性体層７の磁気特性の点か
ら好ましい。
凸ヲエッチバンク法やバイアススパッタ法などによって
平担化しておく方が、上部磁性体層７の磁気特性の点か
ら好ましい。
次に、イオンエツチング法により上部磁性体層７の周囲
を上窄まりのテーパー面をもって除去して絶縁層６の一
部を露出させ（第３図（匍）、この露出した部分の絶縁
層６と上部磁性体層７の上に非磁性層８を形成し、この
非磁性層８の上に保護基板９が接着される。その後に、
チップカット、組立、研摩工程がなされ、第１図および
第２図に示した薄膜磁気ヘッドが製造される。
を上窄まりのテーパー面をもって除去して絶縁層６の一
部を露出させ（第３図（匍）、この露出した部分の絶縁
層６と上部磁性体層７の上に非磁性層８を形成し、この
非磁性層８の上に保護基板９が接着される。その後に、
チップカット、組立、研摩工程がなされ、第１図および
第２図に示した薄膜磁気ヘッドが製造される。
以上説明したよ５Ｋ、本発明によれば、上部磁性体層ま
たは下部磁性体層のギャップ線に平行なコアエツジと非
磁性絶縁層との幅をトラック幅よりも小さくできるため
、ギャップ線と平行な擬似ギャップからの再生レベルを
低減でき、それ故、コンタ−効果による信号の乱れが少
なく、高忠実度再生が可能な薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。
たは下部磁性体層のギャップ線に平行なコアエツジと非
磁性絶縁層との幅をトラック幅よりも小さくできるため
、ギャップ線と平行な擬似ギャップからの再生レベルを
低減でき、それ故、コンタ−効果による信号の乱れが少
なく、高忠実度再生が可能な薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例をテー
プ摺動面側からみた要部正面図、第２図は第１図に示す
薄膜磁気ヘッドの断面図、第３図（ｅＬ）〜（４）は第
１図に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す工程図であ
る。 １・・・非磁性基板、 ２．８・・・非磁性層３・・・
下部磁性体層、３α・・・磁性層３Ｊ！ｒ・・・非磁性
絶縁層、４・・・絶縁層５・・・コイル導体層、 ６・
・・絶縁層７・・・上部磁性体層、 ７ｃＬ・・・磁性
層７ｂ・・・非磁性絶縁層、９・・・保護基板。 代理人弁理士 高 橋 明 夫 ￥Ｊ ｌ 図 第 ２ 図 躬３図 第 ３ 図
プ摺動面側からみた要部正面図、第２図は第１図に示す
薄膜磁気ヘッドの断面図、第３図（ｅＬ）〜（４）は第
１図に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す工程図であ
る。 １・・・非磁性基板、 ２．８・・・非磁性層３・・・
下部磁性体層、３α・・・磁性層３Ｊ！ｒ・・・非磁性
絶縁層、４・・・絶縁層５・・・コイル導体層、 ６・
・・絶縁層７・・・上部磁性体層、 ７ｃＬ・・・磁性
層７ｂ・・・非磁性絶縁層、９・・・保護基板。 代理人弁理士 高 橋 明 夫 ￥Ｊ ｌ 図 第 ２ 図 躬３図 第 ３ 図
Claims (1)
- 非磁性基板上に、下部磁性体層、ヘッドギャップを形成
する絶縁層、コイル導体層、上部磁性体層を順に積層し
てなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部磁性体層と下
部磁性体層とを、磁性層と非磁性絶縁層とが交互に積層
された多層のコア構造とし、かつ、このコアのコアエツ
ジと非磁性絶縁層とにおけるギャップ線に平行な部分の
幅がトランク幅よりも小さくなるように、前記上部磁性
体層と下部磁性体層との少なくとも一方の磁性体層の両
側に非磁性層を設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10051484A JPS60246012A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10051484A JPS60246012A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246012A true JPS60246012A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=14276055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10051484A Pending JPS60246012A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246012A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0222183A2 (en) * | 1985-10-14 | 1987-05-20 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10051484A patent/JPS60246012A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0222183A2 (en) * | 1985-10-14 | 1987-05-20 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head |
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