JPS60113313A - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
- Publication number
- JPS60113313A JPS60113313A JP21998083A JP21998083A JPS60113313A JP S60113313 A JPS60113313 A JP S60113313A JP 21998083 A JP21998083 A JP 21998083A JP 21998083 A JP21998083 A JP 21998083A JP S60113313 A JPS60113313 A JP S60113313A
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- Japan
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- shield
- magnetic
- head
- magnetic shield
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記憶媒体に書き込まれた磁気的情報を、い
わゆる磁気抵抗効果を利用して読み出しを行う強磁性ａ
気抵抗効果素子（以下、ＭＲ，素子と称す）を備えた磁
気抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す）に関する
。
わゆる磁気抵抗効果を利用して読み出しを行う強磁性ａ
気抵抗効果素子（以下、ＭＲ，素子と称す）を備えた磁
気抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す）に関する
。
ＭＲ，ヘッドは、磁気記録における記録密度の向上に大
きく貢献する再生専用磁気ヘッドとして注目されている
。
きく貢献する再生専用磁気ヘッドとして注目されている
。
一般に、高記録密度を達成するためには、磁気記憶媒体
上のトラック走行方向の線密度の向上及びトラック密度
の向上が必要となっている。
上のトラック走行方向の線密度の向上及びトラック密度
の向上が必要となっている。
従って、これ等の磁気的に記録された情報を電気的な信
号に変換するＭＲヘッドは、トラック走行方向の分解能
及びトラック幅方向の分解能の向上が要求される。
号に変換するＭＲヘッドは、トラック走行方向の分解能
及びトラック幅方向の分解能の向上が要求される。
上記、トラック走行方向の高分解能特性を得るために、
ＭＲ，素子の上層及び１層に絶縁膜を介して、高透磁率
磁性体からなる磁気シールド層を設ける方法が用いられ
ている。この種の磁気シールド層を設けたＭＲ，ヘッド
は、上層及び下層の磁気シールド間距離即ち、キャップ
長を短くする程、より高分解能特性が得られることから
、上層及び下層の磁気シールド間の絶縁膜は極力薄くさ
れる。
ＭＲ，素子の上層及び１層に絶縁膜を介して、高透磁率
磁性体からなる磁気シールド層を設ける方法が用いられ
ている。この種の磁気シールド層を設けたＭＲ，ヘッド
は、上層及び下層の磁気シールド間距離即ち、キャップ
長を短くする程、より高分解能特性が得られることから
、上層及び下層の磁気シールド間の絶縁膜は極力薄くさ
れる。
又、ＭＲ，素子を用いて再生用磁気ヘッドを作製する場
合は、基板上にＭＲヘッドを作製後、目的の大きさに基
板を切断し、次に磁気記憶媒体（磁気テープ、磁気ディ
スク等）に対面する浮揚面を目的の寸法まで研摩する。
合は、基板上にＭＲヘッドを作製後、目的の大きさに基
板を切断し、次に磁気記憶媒体（磁気テープ、磁気ディ
スク等）に対面する浮揚面を目的の寸法まで研摩する。
しかし、前述した如く、ＭＲヘッドの上層及び下層の磁
気シールド間の絶縁膜は高分解能特性を達成するために
出来る限り薄くしてあり、上記研摩時にＭＲ，素子の電
極（一般に、Ａｕ、Ｃｕ等の固有抵抗の低い材料即ち、
延性の大きい材料で形成される）がだれ、磁気シールド
と部分的に接触する危険があった。この様な現象は磁気
テープにおいては、テープの走行中のヘッドとの摩擦、
磁気ディスクにおいてはコンタクト、スタート、ストッ
プ時のヘッドとの摩擦によっても発生する。上記ＭＲ素
子の電極と磁気シールドとの接触が生ずれば、ＭＲ，素
子に供給するセンス電流が磁気シールドにも分流するた
めＭＲ累子の出力値が変動し、不安定なものとなる。
気シールド間の絶縁膜は高分解能特性を達成するために
出来る限り薄くしてあり、上記研摩時にＭＲ，素子の電
極（一般に、Ａｕ、Ｃｕ等の固有抵抗の低い材料即ち、
延性の大きい材料で形成される）がだれ、磁気シールド
と部分的に接触する危険があった。この様な現象は磁気
テープにおいては、テープの走行中のヘッドとの摩擦、
磁気ディスクにおいてはコンタクト、スタート、ストッ
プ時のヘッドとの摩擦によっても発生する。上記ＭＲ素
子の電極と磁気シールドとの接触が生ずれば、ＭＲ，素
子に供給するセンス電流が磁気シールドにも分流するた
めＭＲ累子の出力値が変動し、不安定なものとなる。
前記、従来の問題を解決するため、第１図に示す様な電
極構造を有するＭＲヘッドが開示されている。第１図は
ＭＲ素子４と電極９の位置関係を示す平面図で、簡単の
ため磁気シールドは省略している。第１図におけるＭＲ
ヘッドはヘッド面を目的寸法まで研摩する際、及び、磁
気記憶媒体との摩擦の際に、電極９が直接、ヘッド面に
露出しない構成となっているため、磁気シールドとの接
触を避けることができる。］かし、第１図の構成では電
極９を通じて供給されるセンス電流が、ＭＲ素子の両端
、即ち電極９の近傍で不均一な分布を示し１、この領域
ではＭＲ，素子４の出力が低下する恐れがあった。特に
、高トラツク密度に対応するためトラック幅りを小さく
すれば、センス電流の分布は更に不均一になり、出力の
低下は大きくなるという問題があった。
極構造を有するＭＲヘッドが開示されている。第１図は
ＭＲ素子４と電極９の位置関係を示す平面図で、簡単の
ため磁気シールドは省略している。第１図におけるＭＲ
ヘッドはヘッド面を目的寸法まで研摩する際、及び、磁
気記憶媒体との摩擦の際に、電極９が直接、ヘッド面に
露出しない構成となっているため、磁気シールドとの接
触を避けることができる。］かし、第１図の構成では電
極９を通じて供給されるセンス電流が、ＭＲ素子の両端
、即ち電極９の近傍で不均一な分布を示し１、この領域
ではＭＲ，素子４の出力が低下する恐れがあった。特に
、高トラツク密度に対応するためトラック幅りを小さく
すれば、センス電流の分布は更に不均一になり、出力の
低下は大きくなるという問題があった。
更に、ＡｉＲヘッドの電極と磁気シールドの接触は、前
述した浮揚面に露出した部分のみならず、ＭＲヘッドの
内部でも生ずる。即ち、高分解能特性を達成するため、
上層及び下層の磁気シールド間の絶縁膜の厚みを、Ｍ
Ｒ，素子の電極の厚みより薄く形成された場合は、絶縁
膜の電極部分におけるステップカバレージが悪化し、こ
の部分を通じて電極と磁気シールドの接触が生ずる。こ
れ等の現象は、ＭＲヘッドの製作歩留を大きく低下させ
ていた。
述した浮揚面に露出した部分のみならず、ＭＲヘッドの
内部でも生ずる。即ち、高分解能特性を達成するため、
上層及び下層の磁気シールド間の絶縁膜の厚みを、Ｍ
Ｒ，素子の電極の厚みより薄く形成された場合は、絶縁
膜の電極部分におけるステップカバレージが悪化し、こ
の部分を通じて電極と磁気シールドの接触が生ずる。こ
れ等の現象は、ＭＲヘッドの製作歩留を大きく低下させ
ていた。
本発明の目的は前記従来の電極の欠点を解決した磁気抵
抗効果ヘッドを提供することである。
抗効果ヘッドを提供することである。
本発明は、強磁性薄膜より成る磁気抵抗効果素子が所定
の厚みを有する絶縁層を介して、高透磁率磁性体から成
る二つの磁気シールドによってはさまれてなる磁気抵抗
効果ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子にセンス電
流を供給するための電極が前記磁気シールドで構成され
ていることを特徴とする。
の厚みを有する絶縁層を介して、高透磁率磁性体から成
る二つの磁気シールドによってはさまれてなる磁気抵抗
効果ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子にセンス電
流を供給するための電極が前記磁気シールドで構成され
ていることを特徴とする。
以下、本発明の実施例を図面を用いて、詳細に説明する
。
。
第２図は本発明に係わるＭＲヘッドの一実施例を示す概
略斜視図である。
略斜視図である。
第２図において、ＭＲヘッドのスライダとなるべく基体
１上にパーマロイ等の高透磁率磁性体でかつ電気的導体
である下層の磁気シールド２が形成され、前記下層磁気
シールド２の一部を露出して、ＳｉＯ□、Ａ１□０３等
の絶縁層３が形成されている。次いで、下層磁気シール
ド２の露出された領域と接触する様に強磁性体からなる
幅ＷのＭＲ，素子（例えば、Ｆｅ−Ｎ、合金、Ｎｉ−Ｃ
ｏ合金）４が薄膜短冊状に形成されている。即ち、下層
磁気シールド２の露出された領域とＭＲ素子４の接触〜
領域ＡＦｉＭＲ素子４の一つの電極を構成する。更に、
ＭＲ，素子４及び下層磁気シールド２を被う様に８ｉ０
□、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁層５が形成され、絶縁層５の一
部は、接触領域ＡとＬだけ離れた位置に、ＭＲ，素子４
を露出させるために穴が形成されている。次いで、絶縁
層５の上にパーマロイ等の高透磁率磁性体でかつ電気的
導体である上層の磁気シールド６が形成され、前記上層
磁気シールドの一部は絶縁層５の穴を通してＭＲ，素子
４と接触している。即ち、上層磁気シールド６とＭｆ’
を素子４の接触領域Ｂは、ＭＲ素子４の他の電極を構成
している。又、下階磁気シールド２及び上層磁気シール
ド８の一部は、電気端子７及び８が接続されており、こ
れ等の電気端子７及び８並びに下層磁気シールド２及び
上層磁気シールド８を経由して、ＭＲ素子４にセンス電
流を供給される。
１上にパーマロイ等の高透磁率磁性体でかつ電気的導体
である下層の磁気シールド２が形成され、前記下層磁気
シールド２の一部を露出して、ＳｉＯ□、Ａ１□０３等
の絶縁層３が形成されている。次いで、下層磁気シール
ド２の露出された領域と接触する様に強磁性体からなる
幅ＷのＭＲ，素子（例えば、Ｆｅ−Ｎ、合金、Ｎｉ−Ｃ
ｏ合金）４が薄膜短冊状に形成されている。即ち、下層
磁気シールド２の露出された領域とＭＲ素子４の接触〜
領域ＡＦｉＭＲ素子４の一つの電極を構成する。更に、
ＭＲ，素子４及び下層磁気シールド２を被う様に８ｉ０
□、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁層５が形成され、絶縁層５の一
部は、接触領域ＡとＬだけ離れた位置に、ＭＲ，素子４
を露出させるために穴が形成されている。次いで、絶縁
層５の上にパーマロイ等の高透磁率磁性体でかつ電気的
導体である上層の磁気シールド６が形成され、前記上層
磁気シールドの一部は絶縁層５の穴を通してＭＲ，素子
４と接触している。即ち、上層磁気シールド６とＭｆ’
を素子４の接触領域Ｂは、ＭＲ素子４の他の電極を構成
している。又、下階磁気シールド２及び上層磁気シール
ド８の一部は、電気端子７及び８が接続されており、こ
れ等の電気端子７及び８並びに下層磁気シールド２及び
上層磁気シールド８を経由して、ＭＲ素子４にセンス電
流を供給される。
上記説明において、下層磁気シールド２及び上層磁気シ
ールド８の電気抵抗はＭＴ（、素子４の外部から信号磁
界を検出する領域（即ち、トラ上以下に設定する ツク幅）Ｌの電気抵抗の１゜ のが望凍しい。この様に上層磁気シールド２及び上層磁
気シールド８の電気抵抗を小さくすることにより、上層
及び下ｆｆ１ｉ磁気シールド２及び８の強磁性磁気抵抗
効果による信号検出を不埒くすることができる。これは
、上層下層磁気シールド２及び８の膜厚をＭｌｌ（素子
４の膜厚より充分大きく設定するか面積を太きく１′る
ことＶＣより、更に、磁気シールドを磁気抵抗効果の極
めて小さい材料で構成することにより容易しこ実現でき
る。特に、前述の、上層及び下層磁気シールド８及び２
の膜厚及び面積を大きくすることは、ＭＲ素子４に不要
な磁界が印加されない様にする。磁気シールド本来の目
的からも極めて有効である。又、上層及び下層磁気シー
ルド２及び８０強磁性磁気抵抗効果を及び電気抵抗を小
さくするために、磁気シールド層の少なくとも一部分に
電気的良導体（例えば、Ｃｕ 、 Ａｕ。
ールド８の電気抵抗はＭＴ（、素子４の外部から信号磁
界を検出する領域（即ち、トラ上以下に設定する ツク幅）Ｌの電気抵抗の１゜ のが望凍しい。この様に上層磁気シールド２及び上層磁
気シールド８の電気抵抗を小さくすることにより、上層
及び下ｆｆ１ｉ磁気シールド２及び８の強磁性磁気抵抗
効果による信号検出を不埒くすることができる。これは
、上層下層磁気シールド２及び８の膜厚をＭｌｌ（素子
４の膜厚より充分大きく設定するか面積を太きく１′る
ことＶＣより、更に、磁気シールドを磁気抵抗効果の極
めて小さい材料で構成することにより容易しこ実現でき
る。特に、前述の、上層及び下層磁気シールド８及び２
の膜厚及び面積を大きくすることは、ＭＲ素子４に不要
な磁界が印加されない様にする。磁気シールド本来の目
的からも極めて有効である。又、上層及び下層磁気シー
ルド２及び８０強磁性磁気抵抗効果を及び電気抵抗を小
さくするために、磁気シールド層の少なくとも一部分に
電気的良導体（例えば、Ｃｕ 、 Ａｕ。
Ａ１等）を被着しても良い。
以上、述べた様に、本発明では、磁気シールド層がＭＲ
素子の電極を構成し、磁気シールドとＭＲ素子との間に
Ａｕ 、 Ｃｕ等の延性の大きい材料が含まれていない
ため、ＭＲヘッドを目的の寸法まで研摩する際及び磁気
記憶媒体との摩擦の際に又は、絶縁層のステップカバレ
−ジの劣化によるＭＲ，素子と磁気シールドの接触が避
けられるため、ＭＲヘッドの出力変動が解消され、又、
製作歩留シも大きく向上される。更に、磁気シールドと
ＭＲ素子間絶縁層を極めて薄く形成でき高分解能特性を
有するＭＲヘッドを提供できる。
素子の電極を構成し、磁気シールドとＭＲ素子との間に
Ａｕ 、 Ｃｕ等の延性の大きい材料が含まれていない
ため、ＭＲヘッドを目的の寸法まで研摩する際及び磁気
記憶媒体との摩擦の際に又は、絶縁層のステップカバレ
−ジの劣化によるＭＲ，素子と磁気シールドの接触が避
けられるため、ＭＲヘッドの出力変動が解消され、又、
製作歩留シも大きく向上される。更に、磁気シールドと
ＭＲ素子間絶縁層を極めて薄く形成でき高分解能特性を
有するＭＲヘッドを提供できる。
更に、本発明では、ＭＲ素Ｔの電極を構成する上層及び
下層磁気シールドとＭ’ Ｒ素子との接触領域Ａ及びＢ
をＭ几素子の幅Ｗ全面に形成できるため、ＭＲ素子のト
ラック幅りが及び幅Ｗで均一な分布を示すセンス電流を
供給できる。
下層磁気シールドとＭ’ Ｒ素子との接触領域Ａ及びＢ
をＭ几素子の幅Ｗ全面に形成できるため、ＭＲ素子のト
ラック幅りが及び幅Ｗで均一な分布を示すセンス電流を
供給できる。
従って、高トラツク密度に適したＭＲヘッドを提供でき
る。
る。
第１図は従来の磁気抵抗効果ヘッドを示す平面図、第２
図は本発明の実施例を示す概略斜視図である。 １ ・・・・・・・・・ 基体 ２・・・・・・・・
下層磁気シールド ４・・・・・・・・ ＭＲ素子 ６・・・・・・・−上
層磁気シールド
図は本発明の実施例を示す概略斜視図である。 １ ・・・・・・・・・ 基体 ２・・・・・・・・
下層磁気シールド ４・・・・・・・・ ＭＲ素子 ６・・・・・・・−上
層磁気シールド
Claims (1)
- 強磁性薄膜より成る磁気抵抗効果素子が所定の厚みを有
する絶縁層を介して、高透磁率磁性体から成る二つの磁
気シールドによってはさまれてなる磁気抵抗効果ヘッド
において、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給す
るための電極が前記磁気シールドで構成されていること
を特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21998083A JPS60113313A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21998083A JPS60113313A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113313A true JPS60113313A (ja) | 1985-06-19 |
| JPH048851B2 JPH048851B2 (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=16744035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21998083A Granted JPS60113313A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60113313A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6639766B2 (en) | 1997-12-05 | 2003-10-28 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect type composite head and production method thereof |
| US6754051B2 (en) | 1999-03-24 | 2004-06-22 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP21998083A patent/JPS60113313A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6639766B2 (en) | 1997-12-05 | 2003-10-28 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect type composite head and production method thereof |
| US6754051B2 (en) | 1999-03-24 | 2004-06-22 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
| US7079360B2 (en) | 1999-03-24 | 2006-07-18 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
| US7085109B1 (en) * | 1999-03-24 | 2006-08-01 | Tdk Corporation | Spin valve type transducer capable of reducing reproducing gap |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH048851B2 (ja) | 1992-02-18 |
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