JP2000215411A - 薄膜磁気ヘッド、並びに、その製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド、並びに、その製造方法Info
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- JP2000215411A JP2000215411A JP11008451A JP845199A JP2000215411A JP 2000215411 A JP2000215411 A JP 2000215411A JP 11008451 A JP11008451 A JP 11008451A JP 845199 A JP845199 A JP 845199A JP 2000215411 A JP2000215411 A JP 2000215411A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハプロセスにおけるＦＩＢを用いたポー
ルトリミングを行う場合に、記録特性を良好なものとし
つつも処理時間を短縮する。 【解決手段】 磁気抵抗効果ヘッド２の上部シールド層
７を形成した後、該シールド層７上の下部磁極先端部７
ａとなる位置に、下部磁極先端部７ａの最終コア幅Ｈよ
りも広幅の下部磁極形成部１９を突出形成しておき、イ
ンダクティブヘッド３の上部磁極層１７を形成した後、
上部磁極層先端部１７ａ並びに下部磁極形成部１９を所
定の最終コア幅となるまでＦＩＢトリミングにより削る
工程を備える。
ルトリミングを行う場合に、記録特性を良好なものとし
つつも処理時間を短縮する。 【解決手段】 磁気抵抗効果ヘッド２の上部シールド層
７を形成した後、該シールド層７上の下部磁極先端部７
ａとなる位置に、下部磁極先端部７ａの最終コア幅Ｈよ
りも広幅の下部磁極形成部１９を突出形成しておき、イ
ンダクティブヘッド３の上部磁極層１７を形成した後、
上部磁極層先端部１７ａ並びに下部磁極形成部１９を所
定の最終コア幅となるまでＦＩＢトリミングにより削る
工程を備える。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク装
置などに用いられる薄膜磁気ヘッド、並びに、その製造
方法に関する。
置などに用いられる薄膜磁気ヘッド、並びに、その製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の大容量ハードディスク装置に用い
られる薄膜磁気ヘッドとしては、再生用の磁気抵抗効果
ヘッド（ＭＲヘッド）と、記録用のインダクティブヘッ
ドとを上下に一体的に積層形成した複合ヘッドが一般的
となっている。この複合ヘッドでは、通常、ＭＲヘッド
の上部シールド層とインダクティブヘッドの下部磁極層
とが共通の軟磁性体層によって構成されている。この軟
磁性体層は、ＭＲヘッドの上部シールドとしての作用を
確保するために十分な広さを有するものであるため、イ
ンダクティブヘッドによる記録トラック幅（ライト幅）
は、専ら上部磁極のコア幅によって規定され、この幅狭
の上部磁極と、広幅の平坦な下部磁極層との間に生ずる
磁界によって磁気ディスクへの磁気記録を行っている。
られる薄膜磁気ヘッドとしては、再生用の磁気抵抗効果
ヘッド（ＭＲヘッド）と、記録用のインダクティブヘッ
ドとを上下に一体的に積層形成した複合ヘッドが一般的
となっている。この複合ヘッドでは、通常、ＭＲヘッド
の上部シールド層とインダクティブヘッドの下部磁極層
とが共通の軟磁性体層によって構成されている。この軟
磁性体層は、ＭＲヘッドの上部シールドとしての作用を
確保するために十分な広さを有するものであるため、イ
ンダクティブヘッドによる記録トラック幅（ライト幅）
は、専ら上部磁極のコア幅によって規定され、この幅狭
の上部磁極と、広幅の平坦な下部磁極層との間に生ずる
磁界によって磁気ディスクへの磁気記録を行っている。
【０００３】近年の更なるハードディスク装置の大容量
化・高密度化に伴う記録トラックピッチの狭小化によ
り、薄膜磁気ヘッドの記録ヘッドとなるインダクティブ
ヘッドの上部磁極のコア幅は１μｍを下回るほどに至っ
ている。このようにコア幅が狭小化してくると、コア幅
方向への記録にじみが無視できない。したがって、かか
る記録にじみを抑制するために、上部シールド並びに下
部磁極層を構成する軟磁性体層の上部側をトリミングし
て、ＡＢＳ面（磁気記録媒体対向面）に露呈する下部磁
極の上部を狭いコア幅に形成して、上下磁極間に発生す
る磁界がコア幅方向ににじまないようにすることが行わ
れている。
化・高密度化に伴う記録トラックピッチの狭小化によ
り、薄膜磁気ヘッドの記録ヘッドとなるインダクティブ
ヘッドの上部磁極のコア幅は１μｍを下回るほどに至っ
ている。このようにコア幅が狭小化してくると、コア幅
方向への記録にじみが無視できない。したがって、かか
る記録にじみを抑制するために、上部シールド並びに下
部磁極層を構成する軟磁性体層の上部側をトリミングし
て、ＡＢＳ面（磁気記録媒体対向面）に露呈する下部磁
極の上部を狭いコア幅に形成して、上下磁極間に発生す
る磁界がコア幅方向ににじまないようにすることが行わ
れている。
【０００４】例えば、第２２回日本応用磁気学会学術講
演概要集（１９９８）２０３頁には、「ウェハ面ＦＩＢ
トリミングを用いた記録ヘッド」に関する論文が掲載さ
れている。この技術は、ＡＢＳ面からのＦＩＢトリミン
グの問題点を解消しつつ狭ライト幅を得るために、ウェ
ハプロセス中に下部磁極のＦＩＢトリミング手法を取り
込んだものである。この従来のウェハ面ＦＩＢトリミン
グ方法は、図１２に示すように上部磁極層３９を形成し
た後、図１３に示すように、ウェハ面に対するＦＩＢ
（集束イオンビーム）照射によって上部磁極３９ととも
に上部シールド層３７の上部をトリミングするものであ
る。なお、図１２及び図１３において、３１はウェハ
（基板）、３２はアンダーコート、３３は下部シールド
層、３４は再生磁気ギャップ層、３５は薄膜磁気抵抗効
果素子、３６は電極層、３７は上部シールド層、３８は
記録磁気ギャップ層、３９は上部磁極層である。
演概要集（１９９８）２０３頁には、「ウェハ面ＦＩＢ
トリミングを用いた記録ヘッド」に関する論文が掲載さ
れている。この技術は、ＡＢＳ面からのＦＩＢトリミン
グの問題点を解消しつつ狭ライト幅を得るために、ウェ
ハプロセス中に下部磁極のＦＩＢトリミング手法を取り
込んだものである。この従来のウェハ面ＦＩＢトリミン
グ方法は、図１２に示すように上部磁極層３９を形成し
た後、図１３に示すように、ウェハ面に対するＦＩＢ
（集束イオンビーム）照射によって上部磁極３９ととも
に上部シールド層３７の上部をトリミングするものであ
る。なお、図１２及び図１３において、３１はウェハ
（基板）、３２はアンダーコート、３３は下部シールド
層、３４は再生磁気ギャップ層、３５は薄膜磁気抵抗効
果素子、３６は電極層、３７は上部シールド層、３８は
記録磁気ギャップ層、３９は上部磁極層である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ウェハ面ＦＩＢトリミ
ング手法によれば、サブミクロン精度での正確なトリミ
ングを行うことができるとともに、浮上面（ＡＢＳ面）
にはイオンビームが照射されないので、磁極のリセス発
生、Ｇａイオン注入による特性劣化等が生じにくく、か
つ、ＭＲ素子が上部シールドで覆われている状態でトリ
ミングを行うのでＥＳＤによる損傷が発生しにくいとい
う利点を有する。
ング手法によれば、サブミクロン精度での正確なトリミ
ングを行うことができるとともに、浮上面（ＡＢＳ面）
にはイオンビームが照射されないので、磁極のリセス発
生、Ｇａイオン注入による特性劣化等が生じにくく、か
つ、ＭＲ素子が上部シールドで覆われている状態でトリ
ミングを行うのでＥＳＤによる損傷が発生しにくいとい
う利点を有する。
【０００６】しかし、上記した従来の手法では、書き込
みトラック幅に影響を及ぼさない範囲（図１３にＡで示
す）まで上部シールド層のトリミングを行う必要があ
る。ＦＩＢによるトリミングは、ウェハ上に多数配置さ
れている磁極に対して、１個ずつ逐次加工を行うため、
磁極１個当たりの加工時間の短縮が、ウェハ全体の加工
時間短縮に非常に重要である。したがって、従来のよう
に、１個の磁極に対して広い範囲にわたってトリミング
を行うことはウェハ全体の加工時間を増大させ、大量生
産には不向きである。
みトラック幅に影響を及ぼさない範囲（図１３にＡで示
す）まで上部シールド層のトリミングを行う必要があ
る。ＦＩＢによるトリミングは、ウェハ上に多数配置さ
れている磁極に対して、１個ずつ逐次加工を行うため、
磁極１個当たりの加工時間の短縮が、ウェハ全体の加工
時間短縮に非常に重要である。したがって、従来のよう
に、１個の磁極に対して広い範囲にわたってトリミング
を行うことはウェハ全体の加工時間を増大させ、大量生
産には不向きである。
【０００７】また、トリミング範囲が広い場合には、磁
極の側壁部への再付着が多くなり、この再付着物を除去
するための時間をも増大する結果、さらに相当の加工時
間を要することとなっていた。
極の側壁部への再付着が多くなり、この再付着物を除去
するための時間をも増大する結果、さらに相当の加工時
間を要することとなっていた。
【０００８】そこで、本発明は、ウェハプロセスにおけ
るＦＩＢを用いたポールトリミングを行う場合に、記録
特性を良好なものとしつつも処理時間を大幅に短縮する
ことを目的とする。
るＦＩＢを用いたポールトリミングを行う場合に、記録
特性を良好なものとしつつも処理時間を大幅に短縮する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために次の技術的手段を講じた。
成するために次の技術的手段を講じた。
【００１０】即ち、本発明は、基板上に、シールド型磁
気抵抗効果ヘッドと、磁気ギャップ膜を介して設けられ
た上下磁極層の磁極先端部間に磁界を発生させて磁気記
録媒体への磁気記録を行うインダクティブヘッドとを積
層形成する工程を有する複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、磁気抵抗効果ヘッドの上部シールド層を形
成した後、該シールド層上の下部磁極先端部となる位置
に、下部磁極先端部の最終コア幅よりも広幅の下部磁極
形成部を突出形成しておき、インダクティブヘッドの上
部磁極層を形成した後、上部磁極層先端部並びに下部磁
極形成部を所定の最終コア幅となるまでトリミングする
工程を導入した。
気抵抗効果ヘッドと、磁気ギャップ膜を介して設けられ
た上下磁極層の磁極先端部間に磁界を発生させて磁気記
録媒体への磁気記録を行うインダクティブヘッドとを積
層形成する工程を有する複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、磁気抵抗効果ヘッドの上部シールド層を形
成した後、該シールド層上の下部磁極先端部となる位置
に、下部磁極先端部の最終コア幅よりも広幅の下部磁極
形成部を突出形成しておき、インダクティブヘッドの上
部磁極層を形成した後、上部磁極層先端部並びに下部磁
極形成部を所定の最終コア幅となるまでトリミングする
工程を導入した。
【００１１】かかる製造方法によれば、ＡＢＳ面におい
ては下部磁極先端部のみが上部シールド層から突出する
ようにして、トリミングを行う以前から記録トラック幅
に悪影響を与える部分が上部シールド層に存在しないよ
うに構成できるので、集束イオンビームによるトリミン
グは、突出形成した下部磁極形成部の側部のみ行えばよ
く、加工時間の大幅な短縮が図られる。また、トリミン
グによって除去される軟磁性体の量が少なくなるため、
磁極側壁への再付着量も少なくなり、その除去時間も短
縮化される。このように、加工時間の大幅な短縮を図り
得るものでありながら、インダクティブヘッドの記録特
性は良好なものとなるので、益々記録密度の向上が図ら
れるハードディスク装置などに用いる薄膜磁気ヘッド
を、安定した品質で且つ低コストで大量生産することが
でき、本発明の産業上の利用価値は多大なものである。
ては下部磁極先端部のみが上部シールド層から突出する
ようにして、トリミングを行う以前から記録トラック幅
に悪影響を与える部分が上部シールド層に存在しないよ
うに構成できるので、集束イオンビームによるトリミン
グは、突出形成した下部磁極形成部の側部のみ行えばよ
く、加工時間の大幅な短縮が図られる。また、トリミン
グによって除去される軟磁性体の量が少なくなるため、
磁極側壁への再付着量も少なくなり、その除去時間も短
縮化される。このように、加工時間の大幅な短縮を図り
得るものでありながら、インダクティブヘッドの記録特
性は良好なものとなるので、益々記録密度の向上が図ら
れるハードディスク装置などに用いる薄膜磁気ヘッド
を、安定した品質で且つ低コストで大量生産することが
でき、本発明の産業上の利用価値は多大なものである。
【００１２】上記したトリミングは、上部磁極層の磁極
先端部とともに前記下部磁極形成部のコア幅方向側部
を、基板表面に対する集束イオンビーム照射によりエッ
チングすることにより行う。このように、ウェハプロセ
ス中に磁極のトリミングを行うことにより、浮上面（Ａ
ＢＳ面）に凹みが残らず、磁極リセスやＧａ注入による
特性劣化がなく、ＭＲ素子へのＥＳＤダメージも小さ
く、サブミクロンコア幅を精度よく形成できる。これに
より、良好なオーバーライト特性を維持したまま記録に
じみが小さく、極低浮上領域での信頼性を確保できる複
合ヘッドを得ることができる。
先端部とともに前記下部磁極形成部のコア幅方向側部
を、基板表面に対する集束イオンビーム照射によりエッ
チングすることにより行う。このように、ウェハプロセ
ス中に磁極のトリミングを行うことにより、浮上面（Ａ
ＢＳ面）に凹みが残らず、磁極リセスやＧａ注入による
特性劣化がなく、ＭＲ素子へのＥＳＤダメージも小さ
く、サブミクロンコア幅を精度よく形成できる。これに
より、良好なオーバーライト特性を維持したまま記録に
じみが小さく、極低浮上領域での信頼性を確保できる複
合ヘッドを得ることができる。
【００１３】また、上記した薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、下部磁極形成部を形成した後、上部シールド
層上に絶縁体層を積層し、下部磁極形成部の上面が露呈
するように前記絶縁体層表面を平坦化処理した後、下部
磁極形成部上に磁気ギャップ膜を形成することが好まし
い。そして、この磁気ギャップ膜上に、必要ならば絶縁
体からなるコイルベースを形成し、その上に誘導コイル
層その他のインダクティブヘッド構成層を積層形成す
る。
において、下部磁極形成部を形成した後、上部シールド
層上に絶縁体層を積層し、下部磁極形成部の上面が露呈
するように前記絶縁体層表面を平坦化処理した後、下部
磁極形成部上に磁気ギャップ膜を形成することが好まし
い。そして、この磁気ギャップ膜上に、必要ならば絶縁
体からなるコイルベースを形成し、その上に誘導コイル
層その他のインダクティブヘッド構成層を積層形成す
る。
【００１４】上記した製造方法によって得られる薄膜磁
気ヘッドは、例えば、基板上にシールド型磁気抵抗効果
ヘッドとインダクティブヘッドとを一体的に積層形成し
てなり、磁気抵抗効果ヘッドの上部シールドとインダク
ティブヘッドの下部磁極とが共通の軟磁性体層により構
成され、該軟磁性体層はほぼ全域にわたってほぼ同じ膜
厚に形成されており、磁気記録媒体対向面にインダクテ
ィブヘッドの磁極先端面が露呈されており、インダクテ
ィブヘッドの下部磁極先端部分が、前記軟磁性体層の他
の部分よりも上方に突出形成されており、この突出部
は、集束イオンビームによるエッチングによってコア幅
方向のトリミングが施されているものである。なお、集
束イオンビームによって下部磁極先端部のトリミングを
行う際には、通常、この集束イオンビームによって上部
磁極先端部をもトリミングを行う。このように、上下磁
極両方のトリミングを集束イオンビームによって行うこ
とにより、上下ポールの幅を、無視し得るレベルまで同
じになるように加工し、書きにじみを最小にすることが
できる。かかる集束イオンビームを用いれば、フォトリ
ソグラフィを用いた従来手法による磁極形成では実現困
難であった狭トラック幅を実現するために、所定の幅ま
で上部磁極及び下部磁極を削ることができる。
気ヘッドは、例えば、基板上にシールド型磁気抵抗効果
ヘッドとインダクティブヘッドとを一体的に積層形成し
てなり、磁気抵抗効果ヘッドの上部シールドとインダク
ティブヘッドの下部磁極とが共通の軟磁性体層により構
成され、該軟磁性体層はほぼ全域にわたってほぼ同じ膜
厚に形成されており、磁気記録媒体対向面にインダクテ
ィブヘッドの磁極先端面が露呈されており、インダクテ
ィブヘッドの下部磁極先端部分が、前記軟磁性体層の他
の部分よりも上方に突出形成されており、この突出部
は、集束イオンビームによるエッチングによってコア幅
方向のトリミングが施されているものである。なお、集
束イオンビームによって下部磁極先端部のトリミングを
行う際には、通常、この集束イオンビームによって上部
磁極先端部をもトリミングを行う。このように、上下磁
極両方のトリミングを集束イオンビームによって行うこ
とにより、上下ポールの幅を、無視し得るレベルまで同
じになるように加工し、書きにじみを最小にすることが
できる。かかる集束イオンビームを用いれば、フォトリ
ソグラフィを用いた従来手法による磁極形成では実現困
難であった狭トラック幅を実現するために、所定の幅ま
で上部磁極及び下部磁極を削ることができる。
【００１５】近年における一般的な薄膜磁気ヘッドは、
磁気抵抗効果ヘッドの上部シールド層と、インダクティ
ブヘッドの下部磁極層とが共通の軟磁性体層により構成
されているものであるが、本発明は、軟磁性体からなる
上下磁極層を有するインダクティブヘッドを基板上に積
層形成してなる薄膜磁気ヘッドであって、下部磁極層
が、ほぼ全域にわたってほぼ同じ膜厚に形成されている
とともに、下部磁極層の磁極先端部分が、下部磁極層の
他の部分よりも上方に突出形成されているものに適用す
ることができる。即ち、かかる薄膜磁気ヘッドにおいて
も、ウェハプロセス中において磁極先端部分を最終コア
幅よりも広幅に上方突出形成しておき、上部磁極層形成
後に、ウェハ面に対する集束イオンビームによるエッチ
ングによって上部磁極先端並びに下部磁極先端の上方突
出部をコア幅方向にトリミングすることにより、加工時
間の短縮化を図りながら、良好な記録特性を有するヘッ
ドを得ることができる。
磁気抵抗効果ヘッドの上部シールド層と、インダクティ
ブヘッドの下部磁極層とが共通の軟磁性体層により構成
されているものであるが、本発明は、軟磁性体からなる
上下磁極層を有するインダクティブヘッドを基板上に積
層形成してなる薄膜磁気ヘッドであって、下部磁極層
が、ほぼ全域にわたってほぼ同じ膜厚に形成されている
とともに、下部磁極層の磁極先端部分が、下部磁極層の
他の部分よりも上方に突出形成されているものに適用す
ることができる。即ち、かかる薄膜磁気ヘッドにおいて
も、ウェハプロセス中において磁極先端部分を最終コア
幅よりも広幅に上方突出形成しておき、上部磁極層形成
後に、ウェハ面に対する集束イオンビームによるエッチ
ングによって上部磁極先端並びに下部磁極先端の上方突
出部をコア幅方向にトリミングすることにより、加工時
間の短縮化を図りながら、良好な記録特性を有するヘッ
ドを得ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１７】図９は、本発明の好ましい実施の形態に係
るＭＲ−インダクティブ複合型薄膜磁気ヘッド１を示し
ており、製造方法を説明する前に先ず、該薄膜磁気ヘッ
ド１の構造を説明する。
るＭＲ−インダクティブ複合型薄膜磁気ヘッド１を示し
ており、製造方法を説明する前に先ず、該薄膜磁気ヘッ
ド１の構造を説明する。
【００１８】本実施形態の薄膜磁気ヘッド１は、磁気抵
抗効果型磁気ヘッド２と、インダクティブヘッド３とを
上下に積層して一体化したものであり、インダクティブ
ヘッド３が磁気記録媒体への記録を行い、磁気抵抗効果
ヘッド２が磁気記録媒体からの情報の再生を行う。
抗効果型磁気ヘッド２と、インダクティブヘッド３とを
上下に積層して一体化したものであり、インダクティブ
ヘッド３が磁気記録媒体への記録を行い、磁気抵抗効果
ヘッド２が磁気記録媒体からの情報の再生を行う。
【００１９】上記磁気抵抗効果ヘッド２は、非磁性のア
ンダーコート４で表面が覆われた基板（スライダ）５上
に積層形成されており、高透磁率の強磁性体からなる上
下の磁気シールド層６，７間に、非磁性材料からなる再
生ギャップ層８を介して、外部磁界強度に応じて電気抵
抗値が変化する薄膜磁気抵抗効果素子９（ＭＲ素子）を
配置してなるものである。このＭＲ素子９の両端には導
電性の電極層１０，１１が接続されている。なお、ＭＲ
素子９としては、従来公知のＡＭＲ素子や、スピンバル
ブ素子やグラニュラー素子などのＧＭＲ素子、更に、Ｔ
ＭＲやＣＭＲを用いることもできる。
ンダーコート４で表面が覆われた基板（スライダ）５上
に積層形成されており、高透磁率の強磁性体からなる上
下の磁気シールド層６，７間に、非磁性材料からなる再
生ギャップ層８を介して、外部磁界強度に応じて電気抵
抗値が変化する薄膜磁気抵抗効果素子９（ＭＲ素子）を
配置してなるものである。このＭＲ素子９の両端には導
電性の電極層１０，１１が接続されている。なお、ＭＲ
素子９としては、従来公知のＡＭＲ素子や、スピンバル
ブ素子やグラニュラー素子などのＧＭＲ素子、更に、Ｔ
ＭＲやＣＭＲを用いることもできる。
【００２０】上記インダクティブヘッド３は、上部シー
ルド層７と共通の軟磁性体層からなる下部磁極層の上
に、該軟磁性体層７表面の平坦化のための絶縁層１３、
非磁性材料からなる磁気ギャップ膜１４、導電性材料か
らなる誘導コイル層１５、コイル層１５を覆う非磁性材
料からなる絶縁層１６、軟磁性材料からなる上部磁極層
１７を順次積層形成することにより構成されている。な
お、複合ヘッド２は、非磁性材料からなる保護層１８で
覆われており、ＭＲ素子９の両端、並びに、コイル１５
の両端にそれぞれ電気的に接続される端子（図示せず）
が保護層１８の表面に露呈されている。
ルド層７と共通の軟磁性体層からなる下部磁極層の上
に、該軟磁性体層７表面の平坦化のための絶縁層１３、
非磁性材料からなる磁気ギャップ膜１４、導電性材料か
らなる誘導コイル層１５、コイル層１５を覆う非磁性材
料からなる絶縁層１６、軟磁性材料からなる上部磁極層
１７を順次積層形成することにより構成されている。な
お、複合ヘッド２は、非磁性材料からなる保護層１８で
覆われており、ＭＲ素子９の両端、並びに、コイル１５
の両端にそれぞれ電気的に接続される端子（図示せず）
が保護層１８の表面に露呈されている。
【００２１】また、本実施形態におけるインダクティブ
ヘッド３では、図７にも示すように上部シールド層及び
下部磁極層を構成する軟磁性体層７はほぼ全域にわたっ
てほぼ同じ膜厚に形成されており、図９に示すように磁
気記録媒体対向面にインダクティブヘッド３の上下磁極
先端面が露呈されている。また、インダクティブヘッド
３の下部磁極先端部分７ａは、前記軟磁性体層７の他の
部分よりも上方に突出形成されており、この突出ブロッ
ク（突出部）１９には、集束イオンビームによるエッチ
ングによってコア幅方向のトリミングが施されていて、
サブミクロン精度での磁極加工がなされている。
ヘッド３では、図７にも示すように上部シールド層及び
下部磁極層を構成する軟磁性体層７はほぼ全域にわたっ
てほぼ同じ膜厚に形成されており、図９に示すように磁
気記録媒体対向面にインダクティブヘッド３の上下磁極
先端面が露呈されている。また、インダクティブヘッド
３の下部磁極先端部分７ａは、前記軟磁性体層７の他の
部分よりも上方に突出形成されており、この突出ブロッ
ク（突出部）１９には、集束イオンビームによるエッチ
ングによってコア幅方向のトリミングが施されていて、
サブミクロン精度での磁極加工がなされている。
【００２２】なお、図９において下面側が磁気記録媒体
対向面（ＡＢＳ面）とされており、スライダ１がサスペ
ンションに取付けられて、コンタクトスタートストップ
によるハードディスクに対する磁気的な情報の書き込
み、再生を行えるようにハードディスク装置に実装され
る。そして、誘導コイル１５に電流を印加することによ
って、磁気ギャップ膜１４を介して設けられた上下磁極
層７，１７の磁極先端部７ａ，１７ａ間に磁界を発生さ
せ、この磁界により磁気ディスクへの磁気記録を行うよ
うになっている。
対向面（ＡＢＳ面）とされており、スライダ１がサスペ
ンションに取付けられて、コンタクトスタートストップ
によるハードディスクに対する磁気的な情報の書き込
み、再生を行えるようにハードディスク装置に実装され
る。そして、誘導コイル１５に電流を印加することによ
って、磁気ギャップ膜１４を介して設けられた上下磁極
層７，１７の磁極先端部７ａ，１７ａ間に磁界を発生さ
せ、この磁界により磁気ディスクへの磁気記録を行うよ
うになっている。
【００２３】上記薄膜磁気ヘッド１は、その構成層を下
層側から順次真空薄膜形成技術並びにフォトリソグラフ
ィー技術等を用いて順次積層形成することにより製造さ
れる。かかる製造方法において、本実施形態では特に、
下部磁極のトリミング方法に特徴がある。
層側から順次真空薄膜形成技術並びにフォトリソグラフ
ィー技術等を用いて順次積層形成することにより製造さ
れる。かかる製造方法において、本実施形態では特に、
下部磁極のトリミング方法に特徴がある。
【００２４】即ち、本実施形態の薄膜磁気ヘッド１の製
造方法では、上部シールド層及び下部磁極層を構成する
軟磁性体層７をほぼ全域にわたってほぼ同じ膜厚で形成
した後（図１参照）、下部磁極層の磁極先端部となる位
置に、図２及び図１０に示すように下部磁極先端部の最
終コア幅よりも広幅の下部磁極形成ブロック１９を突出
形成する。該ブロック１９はフレームメッキ法その他の
適宜の方法によって形成することができる。また、上記
軟磁性体層７のうち下部磁極先端部以外の部分を均一に
エッチングすることによっても、結果的に下部磁極形成
部１９を上方突出状に形成することができる。なお、本
発明の製造方法において、下部磁極形成部１９は、図１
１に示すように磁極先端部のみ幅狭に形成した軟磁性層
により構成しておくことも可能である。
造方法では、上部シールド層及び下部磁極層を構成する
軟磁性体層７をほぼ全域にわたってほぼ同じ膜厚で形成
した後（図１参照）、下部磁極層の磁極先端部となる位
置に、図２及び図１０に示すように下部磁極先端部の最
終コア幅よりも広幅の下部磁極形成ブロック１９を突出
形成する。該ブロック１９はフレームメッキ法その他の
適宜の方法によって形成することができる。また、上記
軟磁性体層７のうち下部磁極先端部以外の部分を均一に
エッチングすることによっても、結果的に下部磁極形成
部１９を上方突出状に形成することができる。なお、本
発明の製造方法において、下部磁極形成部１９は、図１
１に示すように磁極先端部のみ幅狭に形成した軟磁性層
により構成しておくことも可能である。
【００２５】次に、磁気ギャップ膜１４を積層形成する
前に、該膜１４が成膜される表面を下部磁極形成部１９
の上面と面一な平坦状とするために、図３に示すように
スパッタリング等の適宜の手段によってアルミナ等の絶
縁体をウェハ表面に積層して、下部磁極形成部１９とほ
ぼ同じ膜厚の絶縁層１３を形成し、ＣＭＰ等の平坦化処
理を施して、図４に示すように、下部磁極形成部１９の
上面を露呈させるとともに、その上面と絶縁層１３の表
面とを面一なものとして平坦な表面を得る。
前に、該膜１４が成膜される表面を下部磁極形成部１９
の上面と面一な平坦状とするために、図３に示すように
スパッタリング等の適宜の手段によってアルミナ等の絶
縁体をウェハ表面に積層して、下部磁極形成部１９とほ
ぼ同じ膜厚の絶縁層１３を形成し、ＣＭＰ等の平坦化処
理を施して、図４に示すように、下部磁極形成部１９の
上面を露呈させるとともに、その上面と絶縁層１３の表
面とを面一なものとして平坦な表面を得る。
【００２６】次に、その表面上に、図５に示すように磁
気ギャップ膜１４を成膜する。そして、誘導コイル層１
５、絶縁層１６を積層形成した後、図６に示すように上
部磁極層１７を積層形成する。この時点における上部磁
極層１７の磁極先端部１７ａのコア幅は、最終コア幅Ｈ
よりも大きくしておく。
気ギャップ膜１４を成膜する。そして、誘導コイル層１
５、絶縁層１６を積層形成した後、図６に示すように上
部磁極層１７を積層形成する。この時点における上部磁
極層１７の磁極先端部１７ａのコア幅は、最終コア幅Ｈ
よりも大きくしておく。
【００２７】ここで、図８に示すように、ウェハ面に対
して照射される集束イオンビームを所要のトリミング領
域Ｔの範囲内で走査し、該イオンビームによって上下磁
極先端部７ａ，１７ａのコア幅方向両側部をエッチング
することによってこれら磁極先端部７ａ，１７ａのコア
幅方向のトリミングを行い、上下磁極先端部７ａ，１７
ａを最終コア幅Ｈに設定する。
して照射される集束イオンビームを所要のトリミング領
域Ｔの範囲内で走査し、該イオンビームによって上下磁
極先端部７ａ，１７ａのコア幅方向両側部をエッチング
することによってこれら磁極先端部７ａ，１７ａのコア
幅方向のトリミングを行い、上下磁極先端部７ａ，１７
ａを最終コア幅Ｈに設定する。
【００２８】その後、保護層１８を積層形成した後、ウ
ェハ５をＡＢＳ面を切断面としてバー切断し、所定のＡ
ＢＳ面形状加工等を施した後、各磁気ヘッド１毎に切断
することにより個別の薄膜磁気ヘッド１が得られる。
ェハ５をＡＢＳ面を切断面としてバー切断し、所定のＡ
ＢＳ面形状加工等を施した後、各磁気ヘッド１毎に切断
することにより個別の薄膜磁気ヘッド１が得られる。
【００２９】本実施形態の製造方法によれば、集束イオ
ンビームにより磁極（ポール）トリミングする領域が、
磁極のごく近傍に限られるため、トリミング加工時間を
大幅に短縮することができ、高記録密度対応の薄膜磁気
ヘッドの低コスト化を図ることができる。さらに、集束
イオンビームによってスパッタされた原子の上部磁極先
端部への再付着の低減をも図られ、該再付着物の除去工
程をも短縮することができ、全工程を大幅に時間短縮す
ることができるものでありながら、ウェハ面ＦＩＢポー
ルトリミングによる種々の利点をも享受することができ
る。
ンビームにより磁極（ポール）トリミングする領域が、
磁極のごく近傍に限られるため、トリミング加工時間を
大幅に短縮することができ、高記録密度対応の薄膜磁気
ヘッドの低コスト化を図ることができる。さらに、集束
イオンビームによってスパッタされた原子の上部磁極先
端部への再付着の低減をも図られ、該再付着物の除去工
程をも短縮することができ、全工程を大幅に時間短縮す
ることができるものでありながら、ウェハ面ＦＩＢポー
ルトリミングによる種々の利点をも享受することができ
る。
【００３０】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、ウェハプロ
セスにおける集束イオンビームを用いたポールトリミン
グを短時間で行いつつも、書き込みトラック幅に悪影響
を及ぼす構造を無くして良好な記録特性を得ることがで
きる。
セスにおける集束イオンビームを用いたポールトリミン
グを短時間で行いつつも、書き込みトラック幅に悪影響
を及ぼす構造を無くして良好な記録特性を得ることがで
きる。
【００３１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、
下部磁極先端部のみを突出形成しているので、ウェハプ
ロセスでの集束イオンビームによるポールトリミングを
採用しても、下部磁極先端部の近傍のみを除去すればよ
く、広い範囲にわたってエッチングする必要がないの
で、処理加工時間を大幅に短縮しながらも良好な記録特
性のものとすることができる。
下部磁極先端部のみを突出形成しているので、ウェハプ
ロセスでの集束イオンビームによるポールトリミングを
採用しても、下部磁極先端部の近傍のみを除去すればよ
く、広い範囲にわたってエッチングする必要がないの
で、処理加工時間を大幅に短縮しながらも良好な記録特
性のものとすることができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法の一工程を示すＡＢＳ面での断面図である。
造方法の一工程を示すＡＢＳ面での断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法の一工程を示すＡＢＳ面での断面図である。
造方法の一工程を示すＡＢＳ面での断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法の一工程を示すＡＢＳ面での断面図である。
造方法の一工程を示すＡＢＳ面での断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法の一工程を示すＡＢＳ面での断面図である。
造方法の一工程を示すＡＢＳ面での断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法の一工程を示すＡＢＳ面での断面図である。
造方法の一工程を示すＡＢＳ面での断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法の一工程を示すＡＢＳ面での断面図である。
造方法の一工程を示すＡＢＳ面での断面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法の一工程を示すＡＢＳ面での断面図である。
造方法の一工程を示すＡＢＳ面での断面図である。
【図８】ＦＩＢポールトリミング工程の概念斜視図であ
る。
る。
【図９】薄膜磁気ヘッドの一実施形態の縦断面図であ
る。
る。
【図１０】上部磁極形成層の第１実施例を示す簡略斜視
図である。
図である。
【図１１】上部磁極形成層の第２実施例を示す簡略斜視
図である。
図である。
【図１２】従来のポールトリミング工程の直前の状態を
示すＡＢＳ面における断面図である。
示すＡＢＳ面における断面図である。
【図１３】従来のポールトリミング工程終了直後の状態
を示すＡＢＳ面における断面図である。
を示すＡＢＳ面における断面図である。
１ 薄膜磁気ヘッド ２ 磁気抵抗効果ヘッド ３ インダクティブヘッド ５ 基板（ウェハ） ６ 下部シールド層 ７ 上部シールド層と下部磁極層とに共通の軟磁性体層 ７ａ 下部磁極先端部 ９ 薄膜磁気抵抗効果素子 １４ 記録磁気ギャップ層 １７ 上部磁極層 １７ａ 上部磁極先端部 １９ 下部磁極形成部
フロントページの続き (72)発明者 飯塚 大助 大阪府三島郡島本町江川２丁目15番17号 リードライト・エスエムアイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D033 AA02 BA12 BB43 DA01 DA08 DA31 5D034 AA02 BA03 DA01 DA07
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に、シールド型磁気抵抗効果ヘッ
ドと、磁気ギャップ膜を介して設けられた上下磁極層の
磁極先端部間に磁界を発生させて磁気記録媒体への磁気
記録を行うインダクティブヘッドとを積層形成する工程
を有する複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 磁気抵抗効果ヘッドの上部シールド層を形成した後、該
シールド層上の下部磁極先端部となる位置に、下部磁極
先端部の最終コア幅よりも広幅の下部磁極形成部を突出
形成しておき、インダクティブヘッドの上部磁極層を形
成した後、上部磁極層先端部並びに下部磁極形成部を所
定の最終コア幅となるまでトリミングする工程を備えて
おり、該トリミングは、上部磁極層の磁極先端部ととも
に前記下部磁極形成部のコア幅方向側部を、基板表面に
対する集束イオンビーム照射によりエッチングすること
により行うことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項２】 下部磁極形成部を形成した後、上部シー
ルド層上に絶縁体層を積層し、下部磁極形成部の上面が
露呈するように前記絶縁体層表面を平坦化処理した後、
下部磁極形成部上に磁気ギャップ膜を形成することを特
徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 基板上にシールド型磁気抵抗効果ヘッド
とインダクティブヘッドとを一体的に積層形成してな
り、磁気抵抗効果ヘッドの上部シールドとインダクティ
ブヘッドの下部磁極とが共通の軟磁性体層により構成さ
れ、該軟磁性体層はほぼ全域にわたってほぼ同じ膜厚に
形成されており、磁気記録媒体対向面にインダクティブ
ヘッドの磁極先端面が露呈された複合型薄膜磁気ヘッド
において、 インダクティブヘッドの下部磁極先端部分が、前記軟磁
性体層の他の部分よりも上方に突出形成されており、こ
の突出部は、集束イオンビームによるエッチングによっ
てコア幅方向のトリミングが施されていることを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 軟磁性体からなる上下磁極層を有するイ
ンダクティブヘッドを基板上に積層形成してなる薄膜磁
気ヘッドにおいて、 下部磁極層は、ほぼ全域にわたってほぼ同じ膜厚に形成
されているとともに、下部磁極層の磁極先端部分が、下
部磁極層の他の部分よりも上方に突出形成されており、
この突出部は、集束イオンビームによるエッチングによ
ってコア幅方向のトリミングが施されていることを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 下部磁極先端部分の上方突出部が、基板
表面に対する集束イオンビームによるエッチングによっ
て上部磁極先端部分とともにコア幅方向にトリミングさ
れていることを特徴とする請求項３又は４に記載の薄膜
磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11008451A JP2000215411A (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | 薄膜磁気ヘッド、並びに、その製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11008451A JP2000215411A (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | 薄膜磁気ヘッド、並びに、その製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000215411A true JP2000215411A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=11693502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11008451A Withdrawn JP2000215411A (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | 薄膜磁気ヘッド、並びに、その製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000215411A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003083837A1 (fr) * | 2002-04-01 | 2003-10-09 | Fujitsu Limited | Tete magnetique a couche mince et procede de production de cette derniere |
| US6741422B2 (en) * | 2001-06-18 | 2004-05-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Method of making magnetic head having narrow pole tip and fine pitch coil |
-
1999
- 1999-01-14 JP JP11008451A patent/JP2000215411A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6741422B2 (en) * | 2001-06-18 | 2004-05-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Method of making magnetic head having narrow pole tip and fine pitch coil |
| WO2003083837A1 (fr) * | 2002-04-01 | 2003-10-09 | Fujitsu Limited | Tete magnetique a couche mince et procede de production de cette derniere |
| US7369359B2 (en) | 2002-04-01 | 2008-05-06 | Fujitsu Limited | Thin film magnetic head having sectional shape of write magnetic pole formed as a trapezoid |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060404 |