JP2003133615A - 磁気抵抗効果素子の製造方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法ならびに薄膜パターン形成方法 - Google Patents

磁気抵抗効果素子の製造方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法ならびに薄膜パターン形成方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 極めて微小な磁気抵抗効果膜パターンを有す
る磁気抵抗効果素子の効率的な形成を可能とすると共
に、磁気抵抗効果膜パターンの寸法のばらつきを低減す
ることを可能とする磁気抵抗効果素子の製造方法および
薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。同一基体上に、
サイズが互いに異なる複数の薄膜パターンをそれぞれに
応じた精度で効率よく形成する薄膜パターン形成方法を
提供する。 【解決手段】 形成対象となるパターンのサイズに応じ
て、電子ビームリソグラフィと、フォトリソグラフィと
を使い分けるようにしたので、特に高い精度を必要とす
る部分の寸法精度を担保しつつ、効率的なパターン形成
が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、所定形状の磁気抵
抗効果膜パターンを含む磁気抵抗効果素子の製造方法お
よびそのような磁気抵抗効果素子を基体上に配設してな
る薄膜磁気ヘッドの製造方法ならびに同一基体上にサイ
ズの異なる２つ以上の薄膜パターンを形成する方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク等の面記録密度の
向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められて
いる。薄膜磁気ヘッドのうち、再生ヘッド部としては、
磁気変換素子の１つである磁気抵抗効果（Magnetoresis
tive、以下MRと記す。）素子を有する磁気抵抗効果型ヘ
ッド（ＭＲヘッド）が広く一般的に用いられている。
【０００３】ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗効果
（Anisotropic Magnetoresistive、以下AMR と記す。）
を示す磁性膜（ＡＭＲ膜）を用いたＡＭＲ素子や、巨大
磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistive、以下GMR と記
す。）を示す磁性膜（ＧＭＲ膜）を用いたＧＭＲ素子等
がある。ＧＭＲ素子としてはスピンバルブ型と呼ばれる
ものが代表的であり、これを用いた再生ヘッド部を有す
る薄膜磁気ヘッドが広く実用化されている。
【０００４】最近では、スピンバルブ型ＧＭＲ素子より
もさらに高い再生性能、すなわち、高い磁気抵抗変化率
を得られるトンネル接合型磁気抵抗効果（Tunneling Ma
gnetoresistive; 以下、TMR ）素子の開発が進んでい
る。このＴＭＲ素子を用いれば、高密度記録に対応し
た、より微小なトラック幅を有する記録媒体の信号再生
が可能になる。
【０００５】ところで、ＭＲヘッドの再生性能のばらつ
きを小さくするためには、ＭＲ膜のパターニングの際
に、特にＭＲハイトの寸法精度のばらつきを小さくする
必要がある。このＭＲハイトとは、ＭＲ素子の記録媒体
に対向する面（エアベアリング面）側の端部から反対側
の端部までの長さ（高さ）を指し、エアベアリング面の
加工の際の研磨量によって決定されるものである。
【０００６】このＭＲハイトに関し本出願人は、例え
ば、特開２００１−００６１２８号公報において、最終
的に得られるＭＲ素子における電磁気的特性のばらつき
および分布の中心の変動をより小さく抑制し、所定の磁
気的再生仕様を満たすことを可能とするＭＲ素子の製造
方法を提案している。その製造方法とは、次のような工
程を含むものである。
【０００７】まず、例えばセラミクス等の材料からなる
基体に、フォトリソグラフィ等を用いて複数のＭＲヘッ
ドと共に、薄膜構造体であるダミー抵抗膜を複数個作り
込む。続いて、その基体をダイシング・ソー等を用いて
切断して、それぞれが複数個のＭＲヘッドおよびダミー
抵抗膜を含む複数の棒状片（バー）を形成する。
【０００８】次に、こうして得られた複数のバーを研磨
装置等にセットして、その切断面、すなわち、エアベア
リング面を機械研磨する。この機械研磨では、ＭＲハイ
トの寸法を直接モニタリングして研磨するのではなく、
あらかじめバーに形成されたダミー抵抗膜の電気抵抗値
をモニタリングしながら研磨を進め、所定の電気抵抗値
に達したところで研磨を停止する。
【０００９】この方法によれば、ＭＲハイトの加工精度
を管理し、ＭＲ素子の特性変動をある程度低減すること
が可能である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、現在では、
ハードディスク等の高密度記録に対する要求がさらに高
まっている。そこで、たとえばＴＭＲ膜のような高感度
のＭＲ膜を用いたＭＲ素子の採用が検討されると共に、
微小なトラック幅に対応可能なＭＲ素子の幅方向寸法
を、より正確に形成できるプロセスが要求されてきてい
る。この要求に応えるには従来のフォトリソグラフィー
を用いたパターニングでは困難であるため、本出願人
は、電子ビーム（Electron Beam ，以下、ＥＢと記
す。）リソグラフィを用いたパターニング方法の検討を
すすめている。
【００１１】図３７ないし図４２を参照して、ＭＲ素子
の製造工程においてＥＢリソグラフィを用いた場合のパ
ターン形成方法を説明する。なお、図３７ないし図４２
において（Ａ）は平面構成を表し、（Ｂ）はｘ−ｘ切断
線に沿った断面構成を表す。図３７に示したように、ま
ず、図示しない絶縁層が形成された基体２１０上に、多
層膜２２０Ａをスパッタリング等により形成する。さら
に、図３８に示したように、多層膜２２０Ａの上にＥＢ
レジスト膜７１を形成する。次いで、図３９に示したよ
うに、ＥＢリソグラフィにより選択的にＥＢレジストパ
ターン７１Ａ，７１Ｂを形成する。このＥＢリソグラフ
ィ工程は、電子ビームを照射しながらパターン形成対象
領域を走査することにより行う。そののち、図４０に示
したように、ＥＢレジストパターン７１Ａ，７１Ｂをマ
スクとして、例えばイオンミリングにより多層膜２２０
Ａを選択的にエッチングする。これにより、ＭＲ膜パタ
ーン２０１とダミー抵抗膜パターン２０２とがパターン
形成される。次に、全体領域に、図４１に示したよう
に、絶縁層７２を形成する。その後、図４２に示したよ
うに、残留したＥＢレジストパターン７１Ａ，７１Ｂを
剥離するリフトオフ工程を経て、所定の平面形状および
サイズを有するＭＲ膜パターン２０１およびダミー抵抗
膜パターン２０２を得る。
【００１２】このようにＥＢリソグラフィを用いること
により、従来のフォトリソグラフィと比較して、より小
さな幅方向の寸法を有するＭＲ膜パターン２０１を高精
度に形成することが可能となる。しかし、その一方、比
較的大きなダミー抵抗膜パターン２０２を形成する場合
には多くの時間を要する。その結果、製造過程における
スループットの悪化を招く。
【００１３】また、パターンが形成される基体の帯電に
より、ＭＲ膜パターンとダミー抵抗膜パターンとの相対
的位置ずれという問題が生ずる。この相対位置ずれは、
基体が場所によって不均一に帯電することにより、電子
ビームが基体上の場所によって異なる量だけ偏向してし
まうことで発生する。この場合の帯電の仕方は、同一基
体上であっても場所によって異なるのに加え、それぞれ
の基体によっても異なってくることから、相対的位置ず
れ量も一定にはならず、基体内、さらには基体間のばら
つきが生ずる。このため、機械研磨によるＭＲハイトの
加工においても寸法のばらつきが生じ、結果としてＭＲ
ヘッドの再生出力のばらつきを大きくすることとなる。
【００１４】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、極めて微小な磁気抵抗効果膜
パターンを有する磁気抵抗効果素子の効率的な形成を可
能とする磁気抵抗効果素子の製造方法および薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することにある。
【００１５】本発明の第２の目的は、磁気抵抗効果膜パ
ターンの寸法のばらつきを低減することを可能とする磁
気抵抗効果素子の製造方法および薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することにある。
【００１６】本発明の第３の目的は、同一基体上に、サ
イズが互いに異なる複数の薄膜パターンをそれぞれに応
じた精度で効率よく形成することを可能とする薄膜パタ
ーンの形成方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果素
子の製造方法は、所定形状の磁気抵抗効果膜パターンを
含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、基体の上に
磁気抵抗効果膜を形成する第１の工程と、少なくとも電
子ビームリソグラフィを用いて磁気抵抗効果膜をパター
ニングすることにより磁気抵抗効果膜パターンを形成す
る第２の工程と、基体の上にダミー抵抗膜を形成する第
３の工程と、フォトリソグラフィを用いてダミー抵抗膜
をパターニングすることにより磁気抵抗効果膜パターン
の追加工に用いるダミー抵抗膜パターンを形成する第４
の工程とを含むようにしたものである。
【００１８】本発明の磁気抵抗効果素子の製造方法で
は、基体の上に形成された磁気抵抗効果膜が、少なくと
も電子ビームリソグラフィを用いてパターニングされ、
これにより、所定の形状の磁気抵抗効果膜パターンが形
成される。一方、基体の上に形成されたダミー抵抗膜は
フォトリソグラフィを用いてパターニングされ、これに
より、磁気抵抗効果膜パターンの追加工に用いるダミー
抵抗膜パターンが形成される。電子ビームを用いて描画
するようにして選択露光を行う電子ビームリソグラフィ
は、光を用いて選択露光を行うフォトリソグラフィに比
べて高精度のパターニングが可能であることから、磁気
抵抗効果膜パターンのうちの少なくとも電子ビームリソ
グラフィが適用された部分は、ダミー抵抗膜パターンに
比べて高精度にパターニングされ得る。
【００１９】本発明の磁気抵抗効果素子の製造方法は、
磁気抵抗効果膜パターンのサイズに比べてダミー抵抗膜
パターンのサイズが十分に大きい場合に、より好適に適
用される。この場合、より小さいサイズの磁気抵抗効果
膜パターンは、露光に比較的長い時間を要する電子ビー
ムリソグラフィにより形成される一方、より大きいサイ
ズのダミー抵抗膜パターンは、比較的時間のかからない
フォトリソグラフィにより形成される。このため、本製
造方法によれば、両方のパターンを電子ビームリソグラ
フィのみにより形成するようにした場合と比べて、リソ
グラフィ工程の所要時間が短くなる。その一方、両方の
パターンをフォトリソグラフィのみにより形成するよう
にした場合と比べると、とりわけ、より小さい方のパタ
ーンである磁気抵抗効果膜パターンの形成精度が向上す
る。
【００２０】本発明の磁気抵抗効果素子の製造方法は、
磁気抵抗効果膜パターンが、第１の輪郭部分と、第１の
輪郭部分よりも高い加工精度を必要とし、または第１の
輪郭部分よりも小さいサイズを有する第２の輪郭部分と
を有する場合に、より好適に適用される。この場合に
は、第１の輪郭部分は、フォトリソグラフィにより形成
される一方、第２の輪郭部分は、電子ビームリソグラフ
ィにより形成される。このため、本製造方法によれば、
特に高い加工精度を必要とする輪郭部分のみ描画精度に
優れる電子ビームリソグラフィを用い、それ以外の輪郭
部分はフォトリソグラフィを用いることで、磁気抵抗効
果膜パターンを全て電子ビームリソグラフィにより形成
するようにした場合と比べて、リソグラフィ工程の所要
時間がさらに短くなる。
【００２１】本発明の磁気抵抗効果素子の製造方法で
は、磁気抵抗効果膜パターンの第１の輪郭部分の形成工
程と、第４の工程とを同時に行うようにすることが望ま
しい。この場合には、第１の輪郭部分とダミー抵抗膜パ
ターンとが、フォトリソグラフィにより同時に形成され
るため、個別にフォトリソグラフィによって形成する場
合に比べて、磁気抵抗効果膜パターンの第１の輪郭部分
とダミー抵抗膜パターンとの相対的位置ずれを小さくす
ることができる。
【００２２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、所
定形状の磁気抵抗効果膜パターンを含む磁気抵抗効果素
子を基体上に形成してなる薄膜磁気ヘッドの製造方法で
あって、基体の上に磁気抵抗効果膜を形成する第１の工
程と、少なくとも電子ビームリソグラフィを用いて磁気
抵抗効果膜をパターニングすることにより磁気抵抗効果
膜パターンを形成する第２の工程と、基体の上にダミー
抵抗膜を形成する第３の工程と、フォトリソグラフィを
用いてダミー抵抗膜をパターニングすることによりダミ
ー抵抗膜パターンを形成する第４の工程と、基体の側面
と共に磁気抵抗効果膜パターンの端面を研磨することに
より記録媒体に対向することとなる記録媒体対向面を形
成する第５の工程とを含み、第５の工程における研磨量
をダミー抵抗膜パターンにおける電気抵抗値に基づいて
制御するようにしたものである。
【００２３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
上記した磁気抵抗効果素子の製造方法の場合と同様に、
少なくとも電子ビームリソグラフィを用いて基体上に磁
気抵抗効果膜パターンが形成される一方、フォトリソグ
ラフィを用いて基体上にダミー抵抗膜パターンが形成さ
れる。上記したように、電子ビームリソグラフィは、フ
ォトリソグラフィに比べて高精度のパターニングが可能
なので、磁気抵抗効果膜パターンのうちの少なくとも電
子ビームリソグラフィが適用された部分は、ダミー抵抗
膜パターンに比べて高精度にパターニングされ得る。さ
らに、磁気抵抗効果膜パターンは、その端面が、ダミー
抵抗膜パターンの電気抵抗値に基づく制御の下に基体の
側面と共に研磨され、これにより、最終的な記録媒体対
向面が形成される。すなわち、少なくとも一部分が高精
度にパターニングされた磁気抵抗効果膜パターンに対し
て追加工（研磨加工）が施され、この磁気抵抗効果膜パ
ターンの、記録媒体対向面と直交する方向の最終的な寸
法（高さ寸法）が所定の値となるように制御が行われ
る。
【００２４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁
気抵抗効果膜パターンが、記録媒体の記録トラック幅を
規定する幅方向の寸法と、その幅方向の寸法よりも長い
幅方向と直交する高さ方向の寸法によって決定される短
冊形状を有する場合に、より好適に適用される。この場
合、幅方向の寸法は、電子ビームリソグラフィによるパ
ターニングによって決定され、高さ方向の寸法は、フォ
トリソグラフィによるパターニングによって決定され
る。すなわち、特に高い加工精度を必要とする幅方向の
寸法を決定する場合に、描画精度に優れる電子ビームリ
ソグラフィを用い、高さ方法の寸法を決定する場合には
フォトリソグラフィを用いる。このため、磁気抵抗効果
膜パターンを全て電子ビームリソグラフィにより形成す
るようにした場合と比べて、リソグラフィ工程の所要時
間がさらに短くなる。
【００２５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
磁気抵抗効果膜パターンの高さ方向の寸法を決定する工
程と、第４の工程とを同時に行うようにすることが望ま
しい。この場合には、磁気抵抗効果膜パターンの高さ方
向の寸法を決定する部分と、ダミー抵抗膜パターンと
が、フォトリソグラフィにより同時に形成される。この
ため、個別にフォトリソグラフィによって形成する場合
に比べて、磁気抵抗効果膜パターンとダミー抵抗膜パタ
ーンとの相対的位置のずれを小さくすることができる。
【００２６】本発明による薄膜パターン形成方法は、同
一基体上に、少なくとも第１の薄膜パターンおよびこの
第１の薄膜パターンよりも大きいサイズの第２の薄膜パ
ターンを形成する方法であって、第１の薄膜パターンを
少なくとも電子ビームリソグラフィを用いて形成する工
程と、第２の薄膜パターンをフォトリソグラフィを用い
て形成する工程とを含むようにしたものである。
【００２７】本発明による薄膜パターン形成方法では、
より小さいサイズの第１の薄膜パターンは、露光に比較
的長い時間を要する電子ビームリソグラフィにより形成
される一方、より大きいサイズの第２の薄膜パターン
は、比較的時間のかからないフォトリソグラフィにより
形成される。このため、本製造方法によれば、両方のパ
ターンを電子ビームリソグラフィのみにより形成するよ
うにした場合と比べて、リソグラフィ工程の所要時間が
短くなる。その一方、両方のパターンをフォトリソグラ
フィのみにより形成するようにした場合と比べると、と
りわけ、より小さい方のパターンである第１の薄膜パタ
ーンの形成精度が向上する。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。
【００２９】［第１の実施の形態］ ＜薄膜磁気ヘッドの構造＞本発明の一実施の形態に係る
磁気抵抗効果素子の製造方法および薄膜磁気ヘッドの製
造方法を説明するにあたり、まず、その対象となる薄膜
磁気ヘッドの構造を説明する。
【００３０】図１は、本実施の形態における薄膜磁気ヘ
ッド１２０を有するスライダの構成を表すものである。
スライダは、ほぼ直方体の形状をなしている。磁気ヘッ
ド１２０は、スライダ本体部１００における記録媒体対
向面（エアベアリング面）１１１と直交する一側面に形
成されている。
【００３１】次に、図２ないし図４を参照して、図１に
示した薄膜磁気ヘッド１２０の構成を説明する。ここ
で、図２は薄膜磁気ヘッド１２０を分解して表した斜視
構成を表し、図３は薄膜磁気ヘッド１２０のエアベアリ
ング面１１１対して垂直な断面、すなわち、図２のIII-
III に沿った断面を示す。図４は図３の一部を拡大して
表したものである。なお、図２では、オーバーコート層
３７の図示を省略している。
【００３２】この薄膜磁気ヘッド１２０は、基体１１０
Ａの一側面に、絶縁膜１１等を介して基体１１０Ａの側
から読み出し用の再生ヘッド部１２１と書き込み用の記
録ヘッド１２２とが積層された構造の複合型薄膜磁気ヘ
ッドである。まず、再生ヘッド部１２１について説明す
る。
【００３３】再生ヘッド部１２１は、エアベアリング面
１１１に露出する側において、基体１１０Ａの上に、ア
ルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等からなる絶縁層１１を介して、
下部シールド層１２，下部ギャップ層１３，ＭＲ膜パタ
ーン２０および絶縁層１４，上部ギャップ層１６ならび
に上部シールド層１７が順に積層された構造を有してい
る。
【００３４】下部シールド層１２はニッケル・鉄合金
（ＮｉＦｅ合金）等の磁性材料からなり、ＭＲ膜パター
ン２０に不要な磁場の影響が及ぶのを阻止する機能を有
する。下部ギャップ層１３は、タンタル（Ｔａ）等の導
電性非磁性材料よりなり、下部シールド層１２とＭＲ膜
パターン２０との磁気的結合を遮断するためのものであ
る。下部ギャップ層１３はまた、下部シールド層１２と
共に、ＭＲ膜パターン２０に対して成膜面と垂直な方向
に電流を流す電流経路としての機能をも有している。
【００３５】絶縁層１４は、下部ギャップ層１３と上部
ギャップ層１６とを電気的に絶縁するためのもので、ア
ルミナ等の絶縁材料で構成される。上部ギャップ層１６
は、タンタル等の導電性非磁性材料よりなり、また、上
部シールド層１７は、ＮｉＦｅ合金等の磁性材料よりな
る。上部ギャップ層１６は、ＭＲ膜パターン２０と上部
シールド層１７との磁気的結合を遮断するためのもので
あり、上部シールド層１７と共に、ＭＲ膜パターン２０
に対して成膜面と垂直な方向に電流を流す電流経路とし
ての機能も有している。また、上部シールド層１７は、
下部シールド層１２と同様に、ＭＲ膜パターン２０に不
要な磁場の影響が及ぶのを阻止するためのものである。
【００３６】ＭＲ膜パターン２０は、図示しない磁気記
録媒体に書かれた情報を読み取るためのもので、例えば
図４に示したような多層構造を有し、絶縁層１４に埋設
されている。ＭＲ膜パターン２０の底面は下部ギャップ
層１３に接し、ＭＲ膜パターン２０の上面は上部ギャッ
プ層１６に接している。さらに、ＭＲ膜パターン２０の
（紙面に直交する方向の）両側の絶縁層１４上には、コ
バルト・白金合金（ＣｏＰｔ合金）等の硬磁性材料より
なる磁区制御層１５が選択的に形成されている。この磁
区制御層１５は、第２強磁性層２５の磁化の向きを揃
え、いわゆるバルクハウゼンノイズの発生を抑える機能
を有している。
【００３７】続いて、記録ヘッド部１２２の構成につい
て説明する。記録ヘッド部１２２は、上部シールド層１
７の上に順に、記録ギャップ層３１、薄膜コイル３２、
３４、フォトレジスト層３３，３５および上部磁極３６
を積層した構造を有している。
【００３８】記録ギャップ層３１は、アルミナ等の絶縁
材料よりなり、上部シールド層１７の上に形成される。
上部シールド層１７は、記録ヘッド部１２２の下部磁極
としての機能も有している。記録ギャップ層３１は部分
的にエッチングされ、磁路形成のための開口部３１Ａを
有している。
【００３９】薄膜コイル３２は、記録ギャップ層３１の
上に、開口部３１Ａを中心として渦を巻くように形成さ
れており、さらに薄膜コイル３２を覆うようにフォトレ
ジスト層３３が所定のパターンに形成されている。フォ
トレジスト層３３上には、薄膜コイル３４が形成され、
さらにこれを覆うようにしてフォトレジスト層３５が形
成されている。薄膜コイル３２と薄膜コイル３４とは、
図示しないコイル接続部で電気的に接続され、一連のコ
イルとして機能するようになっている。
【００４０】記録ギャップ層３１、開口部３１Ａ、フォ
トレジスト層３３，３５の上には、例えば、ＮｉＦｅ合
金，窒化鉄（ＦｅＮ）またはＣｏＦｅ合金等の高飽和磁
束密度を有する磁性材料よりなる上部磁極３６が形成さ
れている。上部磁極３６は記録ギャップ層３１の開口部
３１Ａを介して上部シールド層１７と接触しており、磁
気的に連結している。上部磁極３６およびその周辺領域
は、アルミナ等の絶縁材料よりなるオーバーコート層３
７により覆われている。
【００４１】＜磁気ヘッドスライダの製造方法＞次に、
上記した磁気ヘッドスライダの製造方法について説明す
る。なお、本発明の実施の形態に係る磁気抵抗効果素子
の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法および薄膜パタ
ーン形成方法は、ここに説明する磁気ヘッドスライダの
製造方法により具現化されるので、以下、併せて説明す
る。
【００４２】《製造工程の概要》まず、図５および図６
を参照して、磁気ヘッドスライダの製造方法の全容につ
いて説明する。なお、図５は、図１に示した磁気ヘッド
スライダの製造工程全体の流れを表し、図６（Ａ），
（Ｂ）は、磁気ヘッドスライダの製造工程の一部を表す
ものである。
【００４３】まず、図６（Ａ）に示したように、例え
ば、アルミナと炭化チタン（ＴｉＣ）とを含む複合材料
であるアルティック等からなる母材基板１０の上に絶縁
膜を介して複数の再生ヘッド部１２１と複数のダミー抵
抗膜パターン２とを併せて形成する（図５のステップＳ
１０１）。このとき、再生ヘッド部１２１は、それが一
定間隔を保って列状に配置されるようにし、さらに、そ
のような列が一定間隔で複数配置されるようにする。ま
た、ダミー抵抗膜パターン２は、再生ヘッド部１２１の
各列に一定数ずつ含まれるようにする。なお、ダミー抵
抗膜パターン２の各列内での総数は、通常、各列内での
再生ヘッド部１２１の数よりも少なくてよい。このパタ
ーン形成工程については後に詳述する。
【００４４】次に、再生ヘッド部１２１の上に、記録ヘ
ッド部１２２を形成し（ステップＳ１０２）、さらに、
全体を覆うように保護膜を形成する。これにより、再生
ヘッド部１２１と記録ヘッド部１２２の積層体である薄
膜磁気ヘッド１２０の形成が一応完了する。なお、この
薄膜磁気ヘッド１２０の形成工程については、後に詳述
する。
【００４５】次に、薄膜磁気ヘッド１２０の列ごとに母
材基板１０を切断し、図６（Ｂ）に示したように、複数
の再生ヘッド部１２１と複数のダミー抵抗膜パターン２
とが形成された複数の棒状のバー１１０Ｂを形成する
（ステップＳ１０３）。続いて、バー１１０Ｂの切断面
（素子形成面と直交する端面）のうち、薄膜磁気ヘッド
１２０が形成された領域に近い面を機械研磨し（ステッ
プＳ１０４）、エアベアリング面１１１を形成する。そ
の後、エアベアリング面１１１上にＤＬＣ（Diamond-Li
ke Carbon ）等からなる保護膜を形成する。なお、エア
ベアリング面１１１の形成（研磨）工程については、後
に詳述する。
【００４６】次に、ダイシングソー等によりバー１１０
Ｂを切断して、それぞれが１つの薄膜磁気ヘッド１２０
を含む複数のブロックを作製し、さらに、各ブロックに
レール加工等を行う。これにより、再生ヘッド部１２１
と記録ヘッド部１２２とを含む複合型の薄膜磁気ヘッド
１２０を基体１１０Ａに配置してなるほぼ直方体状の磁
気ヘッドスライダ（図１）の形成が完了する（ステップ
Ｓ１０５）。
【００４７】《薄膜磁気ヘッドの製造工程》次に、図２
および図３を参照して、薄膜磁気ヘッド１２０の製造方
法を詳細に説明する。
【００４８】まず、基体１１０Ａ（実際には、母材基板
１０）の上に、スパッタリング等により、アルミナ等か
らなる絶縁層１１を形成したのち、この絶縁層１１の上
に、スパッタリング等により、ＮｉＦｅ合金等の導電性
磁性材料よりなる下部シールド層１２を選択的に形成す
る。次に、下部シールド層１２の上に、タンタル等の導
電性非磁性材料からなる下部ギャップ層１３を形成す
る。
【００４９】次に、この下部ギャップ層１３の上にトン
ネル接合構造を有するＭＲ膜パターン２０を形成すると
共に、下部ギャップ層１３の上に、ＭＲ膜パターン２０
の周囲領域を埋め込む絶縁層１４を形成する。 次に、
ＭＲ膜パターン２０の（図３の紙面と直交する方向の）
両側の絶縁層１４の上に磁区制御層１５（図２）を選択
的に形成する。さらに、薄膜磁気ヘッド１２０の形成位
置から所定距離隔てた位置の絶縁層１４上に、後述する
ダミー抵抗膜パターン２（図２および図３では図示せ
ず、図１９を参照）を形成する。このダミー抵抗膜パタ
ーン２は、エアベアリング面１１１の形成（研磨）工程
において研磨量のモニタリングに用いられるものであ
る。
【００５０】ＭＲ膜パターン２０は、図４に示したよう
な構造の多層膜２０Ａを形成したのち、これをＥＢリソ
グラフィおよびフォトリソグラフィを用いた選択的エッ
チングによりパターニングして形成する。一方、ダミー
抵抗膜パターン２は、抵抗膜を形成したのち、これをフ
ォトリソグラフィを用いた選択的エッチングによりパタ
ーニングして形成する。なお、ＭＲ膜パターン２０およ
びダミー抵抗膜パターン２の形成工程については後に詳
述する。
【００５１】次に、下部ギャップ層１３、ＭＲ膜パター
ン２０および磁区制御層１５（図２）を覆うように、ス
パッタリング等により、タンタル等の導電性非磁性材料
よりなる上部ギャップ層１６を形成する。さらに、上部
ギャップ層１６の上に、例えばめっき法により、ＮｉＦ
ｅ合金等の導電性磁性材料よりなる上部シールド層１７
を選択的に形成する。
【００５２】以上により、トンネル接合型のＭＲ膜パタ
ーン２０と、磁区制御層１５と、ＭＲ膜パターン２０に
対して成膜面に垂直な方向に電流を流すための経路（上
部シールド層１７，上部ギャップ層１６，下部ギャップ
層１３および下部シールド層１２）とを有する再生ヘッ
ド部１２１の形成が一応完了する。
【００５３】続いて、再生ヘッド部１２１の上に、記録
ヘッド部１２２を形成する。具体的には、まず、スパッ
タリング等により、上部シールド１７上に記録ギャップ
層３１を選択的に形成したのち、記録ギャップ層３１を
部分的にエッチングし、磁路形成のための開口部３１Ａ
を形成する。
【００５４】次に、記録ギャップ層３１の上に、開口部
３１Ａを中心として、渦巻き形状を有する薄膜コイル３
２を形成した後、この薄膜コイル３２を覆うようにし
て、スロートハイトを決定するフォトレジスト層３３を
所定のパターンに形成する。なお、スロートハイトと
は、薄膜コイル３２を埋め込んでいるフォトレジスト層
３３の最前端からエアベアリング面１１１までの距離を
いう。その後、フォトレジスト層３３上に、必要に応じ
て、薄膜コイル３４およびフォトレジスト層３５を繰り
返し形成する。なお、本実施の形態では薄膜コイルを２
層積層するようにしたが、薄膜コイルの積層数は１層で
もよいし、また、３層以上でも構わない。
【００５５】フォトレジスト層３５を形成した後、記録
ギャップ層３１、開口部３１Ａ、フォトレジスト層３
３，３５の上に、上部磁極３６を選択的に形成する。次
に、上部磁極３６をマスクとして、イオンミリング等に
より、記録ギャップ層３１を選択的にエッチングする。
さらに、図示しないレジスト層を形成し、これをマスク
として、エアベアリング面１１１が形成される領域の近
傍領域において、上部シールド層１７を所定の深さまで
選択的にエッチングする。これにより、記録ヘッド部１
２２が形成される。
【００５６】最後に、上部磁極３６を含むすべての構造
物を覆うように、アルミナ等の絶縁材料よりなるオーバ
ーコート層３７を形成する。こうして、再生ヘッド部１
２１と記録ヘッド部１２２とを有する磁気ヘッド１２０
の形成が完了する。
【００５７】<<ＭＲ膜パターンおよびダミー抵抗膜パタ
ーンの形成工程>>次に、図７ないし図１８を参照して、
本実施の形態の特徴であるＭＲ膜パターンおよびダミー
抵抗膜パターンの形成方法について説明する。なお、図
７ないし図１８は、母材基板１０（図６）の一部を拡大
して表すもので、（Ａ）は平面構成を表し、（Ｂ）は
（Ａ）におけるｘ−ｘ切断線に沿った断面構成を表す。
これらの図において、基体１１０は、母材基板１０（基
体１１０Ａ）の上に絶縁層１１，下部シールド１２およ
び下部ギャップ１３が形成された状態の積層体を表すも
のとする。
【００５８】まず、図７に示したように、基体１１０上
の全面にわたって、後述するパターニング工程によって
ＭＲ膜パターン２０Ａとなる多層膜２０Ａを形成する。
ここで、多層膜２０Ａが本発明における「磁気抵抗効果
膜」の一具体例に対応する。多層膜２０Ａは、例えば次
のようにして形成する。
【００５９】図４に示したように、基体１１０の最上層
を構成する下部ギャップ層１３の上に、スパッタリング
等により、タンタル（Ｔａ）層２１ＡおよびＮｉＦｅ合
金層２１Ｂをこの順に積層し、これらの２つの層からな
る下地層２１を成膜する。次に、下地層２１の上に、ス
パッタリング等により、例えば、白金マンガン（ＰｔＭ
ｎ）合金からなる反強磁性層２２を成膜する。続いて、
反強磁性層２２上に、例えばＣｏＦｅ合金からなる磁性
層２３Ａと、ルテニウム（Ｒｕ）等からなる非磁性層２
３Ｂと、ＣｏＦｅ合金等からなる磁性層２３Ｃとを、こ
の順に積層し、第１強磁性層２３を成膜する。
【００６０】第１強磁性層２３を成膜した後、その上
に、絶縁材料よりなるトンネルバリア層２４を成膜す
る。このトンネルバリア層２４は、例えば、スパッタリ
ングによりアルミニウム等の金属膜を成膜し、これを加
熱処理により酸化させて得られるアルミナ等の金属酸化
物である。
【００６１】次に、トンネルバリア層２４の上に、スパ
ッタリング等により、ＣｏＦｅ合金等の強磁性層２５Ａ
と、ＮｉＦｅ合金等の強磁性層２５Ｂとを、この順に積
層し、第２強磁性層２５を成膜する。さらに、この第２
強磁性層２５の上に、スパッタリング等により、保護層
としての、例えば、タンタル（Ｔａ）等のキャップ層２
６を成膜する。こうして、多層膜２０Ａの成膜が完了す
る。
【００６２】多層膜２０Ａを形成したのち、図８に示し
たように、多層膜２０Ａ上の全面にわたってＥＢ（電子
ビーム）レジスト膜５１を形成する。ＥＢレジスト膜５
１としては、電子ビームの照射によって構造が変化する
ＮＥＢ−２２Ａ２（商品名；住友化学工業株式会社製）
等の材料を用い、その膜厚を例えば、２００ｎｍ〜５０
０ｎｍ程度とするのが好ましい。
【００６３】次に、図９に示したように、ＥＢリソグラ
フィを用いて、ＭＲ膜パターン２０を形成すべき位置の
多層膜２０Ａ上に、短冊状のＥＢレジストパターン５１
Ａを形成する。具体的には、ＥＢレジスト膜５１に選択
的に電子ビームを照射する露光処理（描画処理）を行っ
たのち、所定の現像液を用いて現像処理を行って不要部
分（非露光部分）を除去することにより、ＥＢレジスト
パターン５１Ａを形成する。なお、電子ビームによる露
光条件は、電子線の加速電圧を２０ｋＶ〜１００ｋＶと
し、電荷量を１０μＣ／ｃｍ2 〜１００μＣ／ｃｍ2 と
するのが好ましい。但し、これらの条件には限定されな
い。
【００６４】ＥＢレジストパターン５１Ａの幅方向（ｘ
−ｘ切断線に沿った方向）の寸法Ｗ１は、ＭＲ膜パター
ン２０の幅方向の寸法を決定するものであり、例えば、
約１０ｎｍ〜２００ｎｍという極めて微小な値に設定さ
れる。本実施の形態では、ＥＢリソグラフィを用いてい
るため、フォトリソグラフィよりも高精度な描画がで
き、極めて微小な幅方向寸法Ｗ１を確保することができ
る。一方、ＥＢレジストパターン５１Ａの高さ方向（ｘ
−ｘ切断線と直交する方向）の寸法Ｌ１は、例えば、約
５００ｎｍ〜３μｍという比較的大きな値に設定され
る。なお、この高さ方向の寸法Ｌ１およびＥＢレジスト
パターン５１Ａの高さ方向における形成位置の精度は、
共に、比較的ラフでよい。後述するように、高さ方向に
おいては、後工程で再度のパターニングが行われるから
である。
【００６５】次に、図１０に示したように、ＥＢレジス
トパターン５１Ａをマスクとして、例えばイオンミリン
グ等により、多層膜２０Ａを選択的にエッチングする。
これにより、図１０（Ｂ）に示したように、細長い短冊
状のＭＲ膜パターン２０Ｂが形成される。
【００６６】次に、図１１に示したように、全面を覆う
ように絶縁層６２を形成したのち、図１２に示したよう
に、ＭＲ膜パターン２０Ｂ上のＥＢレジストパターン５
１Ａおよびその上の絶縁層６２を除去するリフトオフ処
理を行い、ＭＲ膜パターン２０Ｂを露出させる。この段
階において、ＭＲ膜パターン２０Ｂの周囲領域は絶縁層
６２により埋設されており、全体の表面はほぼ平坦にな
っている。
【００６７】このＭＲ膜パターン２０Ｂは、図１２
（Ａ）に示したように、ＥＢレジストパターン５１Ａの
幅方向の寸法Ｗ１と等しく、これが最終的なＭＲ膜パタ
ーン２０（図２および図３）の幅方向の寸法となる。な
お、ＭＲ膜パターン２０Ｂの高さ方向の寸法は、ＥＢレ
ジストパターン５１Ａの高さ方向の寸法Ｌ１と等しくな
る。
【００６８】次に、図１３に示したように、ＭＲ膜パタ
ーン２０Ｂの全体およびその近傍領域のみを覆うよう
に、ほぼ矩形形状のフォトレジスト膜５３を選択的に形
成したのち、図１４に示したように、フォトレジスト膜
５３および絶縁層６２の全面を覆うように、ダミー抵抗
膜２Ａを形成する。このダミー抵抗膜２Ａは、後述する
パターニング工程を経てダミー抵抗膜パターン２となる
もので、例えば１０〜５０Ω／□程度のシート抵抗を有
する例えばＮｉＦｅ合金等の金属膜が用いられる。
【００６９】次に、図１５に示したように、フォトレジ
スト膜５３およびその上のダミー抵抗膜２Ａを除去する
リフトオフ処理を行うことにより、ダミー抵抗膜２Ａに
開口２ＡＫを形成し、ＭＲ膜パターン２０Ｂおよびその
近傍領域の絶縁層６２を再度露出させる。
【００７０】次に、フォトリソグラフィ工程、すなわ
ち、全面にフォトレジスト膜を形成したのち、これを例
えば紫外光等の光を用いて選択的に露光し、さらに現像
処理を行うという一連の工程、を行うことにより、図１
６に示したように、フォトレジストパターン５４Ａとフ
ォトレジストパターン５４Ｂとを同時に選択的に形成す
る。このとき、フォトレジストパターン５４Ａは、露出
したＭＲ膜パターン２０Ｂを、その幅方向（ｘ−ｘ切断
線に沿った方向）に横断して、その一部を覆うような位
置に形成する。一方、フォトレジストパターン５４Ｂ
は、ＭＲ膜パターン２０Ｂから、その幅方向に所定の距
離を隔てた領域（すなわち、ダミー抵抗膜パターン２を
形成する予定の領域）に形成する。
【００７１】図１６（Ａ）に示したように、フォトレジ
ストパターン５４Ａは、例えば、ほぼ矩形形状を有し、
その幅方向（ｘ−ｘ切断線と平行な方向）の寸法Ｗ２は
ＭＲ膜パターン２０Ｂの幅方向の寸法Ｗ１（図１２
（Ａ））よりも十分大きく、高さ方向（ｘ−ｘ切断線と
直交する方向）の寸法Ｌ２はＭＲ膜パターン２０Ｂの高
さ方向の寸法Ｌ１（図１２（Ａ））よりも小さい。
【００７２】一方、フォトレジストパターン５４Ｂの形
状は、概ね凹字形（Ｕ字形）をしており、この凹字形状
における横方向（ｘ−ｘ切断線と平行な方向）に延びる
部分５４ＢＫを有する。このフォトレジストパターン５
４Ｂは、高さ方向（ｘ−ｘ切断線と直交する方向）にお
いて、フォトレジストパターン５４Ａとの間に所定の相
対位置関係を有するように形成される。より具体的に
は、フォトレジストパターン５４Ａの後端縁５４ＡＳの
位置Ｐ１と、フォトレジストパターン５４Ｂの部分５４
ＢＫにおける後端縁５４ＢＳの位置Ｐ２との距離が所定
値ｄ１となるようにフォトレジストパターン５４ａ，５
４Ｂを形成する。ここで、後端縁とは、それぞれの部分
における、エアベアリング面１１１が形成される側とは
反対側の端縁を意味する。なお、フォトレジストパター
ン５４Ｂのサイズは幅方向の寸法が約２０μｍ〜５０μ
ｍ、高さ方向の寸法が約２０μｍ〜５０μｍであり、フ
ォトレジストパターン５４Ａよりも十分大きなものであ
る。
【００７３】フォトレジストパターン５４Ｂは、後述す
るように、研磨工程Ｓ１０４（図５）における研磨量制
御（ＭＲハイト制御）の基準となるダミー抵抗膜パター
ン２を形成するためのものであることから、上記の所定
値ｄ１を高精度に一定化することは極めて重要である。
この点、本実施の形態では、フォトレジストパターン５
４Ａ，５４Ｂを、一つのフォトリソグラフィ工程によっ
て同時に形成するようにしているので、値ｄ１を高精度
に一定化することが容易である。
【００７４】次に、図１７に示したように、フォトレジ
ストパターン５４Ａ，５４Ｂをマスクとして、例えばイ
オンミリングにより、絶縁層６２、ＭＲ膜パターン２０
Ｂおよびダミー抵抗膜２Ａをエッチングして、パターニ
ングする。これにより、フォトレジストパターン５４Ａ
の下にＭＲ膜パターン２０Ｃおよび絶縁層パターン６２
Ａ，６２Ｂが形成される。一方、フォトレジストパター
ン５４Ｂの下にはダミー抵抗膜パターン２が形成され、
さらにその下に絶縁層パターン６２Ｃが形成される。こ
のとき、ＭＲ膜パターン２０Ｃとダミー抵抗膜パターン
２の位置関係は、フォトリソグラフィパターン５４Ａと
フォトリソグラフィパターン５４Ｂの位置関係（図１６
（Ａ））と同様のものとなる。すなわち、ＭＲ膜パター
ン２０Ｃの後端縁の位置Ｐ１とダミー抵抗膜パターン２
における幅方向に延びる部分２Ｋの後端縁の位置Ｐ２と
の間の高さ方向（研磨面と直交する方向）の距離が高精
度に一定値ｄ１となる。ここで、ＭＲ膜パターン２０Ｃ
が本発明における「第１の薄膜パターン」の一具体例に
対応し、ダミー抵抗膜パターン２が本発明における「第
２の薄膜パターン」の一具体例に対応する。
【００７５】次に、全面領域に絶縁層（図示せず）を形
成したのち、フォトレジスト膜５４Ａ，５４Ｂおよびそ
の上の絶縁層を除去するリフトオフ処理を経て、図１８
に示したように、ＭＲ膜パターン２０Ｃおよび絶縁層パ
ターン６２Ａ，６２Ｂならびにダミー抵抗膜パターン２
を露出させる。こうして、周囲領域が絶縁層６２Ａ，６
２Ｂ，６２Ｃおよび絶縁層６３により埋設され、幅方向
（ｘ−ｘ切断線と平行な方向）の寸法がＷ１であり、高
さ方向（ｘ−ｘ切断線に直交する方向）の寸法がＬ２で
あるＭＲ膜パターン２０Ｃが形成される。同時に、絶縁
層６２Ｃの上にはダミー抵抗膜パターン２が形成され
る。なお、絶縁層６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃおよび絶縁層
６３からなる絶縁層が、図２および図３における絶縁層
１４に相当する。ここで、ＭＲ膜パターン２０Ｃにおい
て、寸法がＬ２である輪郭部分が、本発明における「第
１の輪郭部分」の一具体例に対応し、寸法がＷ１である
輪郭部分が、本発明における「第２の輪郭部分」の一具
体例に対応する。さらに、寸法Ｌ２が、本発明における
「高さ方向の寸法」の一具体例に対応する。
【００７６】<<バーの研磨工程>>次に、図５のステップ
Ｓ１０４に示したバー１１０Ｂの切断面の研磨工程（エ
アベアリング面１１１の形成工程）について、図１８
（Ａ）および図１９を参照して説明する。図１９は、研
磨工程の終了後におけるバー１１０Ｂの素子形成面の要
部平面構成を表すものである。なお、この図は図１８
（Ａ）に対応した部分を表す。図１９における破線部は
研磨により削除された部分を示す。
【００７７】この研磨工程における研磨量は、最終的な
ＭＲハイトを左右するものであり、高い精度で制御され
る必要がある。ここで、ＭＲハイトとは、エアベアリン
グ面１１１（図３）から、ＭＲ膜パターン２０の、エア
ベアリング面１１１とは反対側の端部までの長さｈを示
す。
【００７８】ＭＲハイトｈは、再生ヘッド部１２１の再
生出力を決定する一要因であって、短い方が高い再生出
力を得ることができる。しかし、短すぎるとＭＲ膜パタ
ーン２０の電気抵抗が大きくなるため、温度上昇によっ
て再生出力の低下が生じると共に、ＭＲ膜パターン２０
の寿命も短くなってしまう。このため、ＭＲハイトｈ
は、過度の温度上昇を生じない範囲内で、できるだけ短
くするのが好ましい。
【００７９】図１８（Ａ）に示したように、ＭＲ膜パタ
ーン２０Ｃの後端縁の位置Ｐ１とダミー抵抗膜パターン
２における幅方向に延びる部分２Ｋの後端縁の位置Ｐ２
との間の高さ方向（研磨面と直交する方向）の距離は高
精度に一定値ｄ１となっている。
【００８０】この状態からバー切断面の研磨を開始する
と、ＭＲ膜パターン２０Ｃの高さ寸法とダミー抵抗膜パ
ターン２の部分２Ｋの高さ寸法とが、並行して徐々に短
くなっていく。ダミー抵抗膜パターン２は、２つのパッ
ド部２Ｌ，２Ｒを有しており、それぞれに図示しないワ
イヤがボンディングにより接続されている。そして、こ
れらを介して、図示しない抵抗計測装置からダミー抵抗
膜パターン２に計測電流が供給される。研磨の進行に伴
ってダミー抵抗膜パターン２の部分２Ｋが細くなってい
くと、計測される抵抗値が増大する。そして、この抵抗
値が所定の値となったところで、研磨を終了する。この
ときのＭＲ膜パターン２０の高さ寸法がＭＲハイトｈと
なる。
【００８１】図１９に示したように、研磨終了時におけ
るダミー抵抗膜パターン２の部分２Ｋの高さ寸法をｄ２
とすると、ＭＲハイトｈは次の（１）式で表される。 ｈ＝ｄ２−ｄ１……（１）
【００８２】値ｄ２は、上記した抵抗値のモニタリング
により高精度に一定化することが可能であり、また、値
ｄ１は、図１６で説明したフォトリソグラフィ工程によ
り高精度に一定化することが可能である。したがって、
（１）式より、ＭＲハイトｈもまた高精度に一定化され
ることとなる。例えば、幅寸法Ｗ１を約１５０ｎｍとし
た場合、ＭＲハイトｈは約１００ｎｍ程度に設定するの
が好ましい。
【００８３】< 第１の実施の形態における効果>以上の
ように、本実施の形態によれば、ＭＲ膜パターン２０
（２０Ｃ）の微小な幅方向寸法Ｗ１を決定するパターニ
ング工程をＥＢリソグラフィによって行うようにしたの
で、フォトリソグラフィを用いた場合と比べて、より高
精度のパターニングが可能になる。このため、極めて微
小な幅を有する細長い短冊状のＭＲ膜パターン２０を高
精度に形成することが可能となり、超高密度でデータが
記録された記録媒体からのデータ読み出しが可能とな
る。
【００８４】その一方、ＭＲ膜パターン２０Ｃの幅方向
寸法Ｗ１に比べてはるかにサイズが大きくパターニング
精度を確保し易いダミー抵抗膜パターン２やＭＲ膜パタ
ーン２０Ｃの高さ方向寸法Ｌ２の部分については、フォ
トリソグラフィを用いてパターニングするようにしたの
で、ＥＢリソグラフィを用いた場合と比べてパターニン
グに要する時間を短縮することが可能になる。
【００８５】すなわち、本実施の形態によれば、過度の
スループット低下を招くことなく、パターニング対象部
分のサイズに応じた精度で、いわば適材適所にパターニ
ングを行うことができるので、時間的にも精度的にも無
駄のない効率的なパターン形成が可能である。
【００８６】また、本実施の形態によれば、研磨前のＭ
Ｒ膜パターン２０Ｃの高さ方向寸法Ｌ２を決定するパタ
ーニングとダミー抵抗膜パターン２のパターニングとに
ついては、フォトリソグラフィによって同時に行うよう
にしたので、ＥＢリソグラフィのみを用いて両者をパタ
ーニングした場合に比べて、ＭＲ膜パターン２０Ｃとダ
ミー抵抗膜パターン２の相互の位置関係を高精度に一定
化することができる。ＥＢリソグラフィによる場合に
は、基体１１０のチャージアップ等に起因して、ＭＲ膜
パターン２０Ｃとダミー抵抗膜パターン２との相対的な
位置ずれが発生しやすいからである。
【００８７】すなわち、本実施の形態によれば、リソグ
ラフィ工程の一部にＥＢリソグラフィを用いているにも
かかわらず、ＭＲ膜パターン２０Ｃとダミー抵抗膜パタ
ーン２との間の高さ方向の距離のばらつきが少ない。こ
のため、バー１１０Ｂの切断面を研磨してエアベアリン
グ面を形成する研磨工程において、ダミー抵抗膜パター
ン２の抵抗値を指標として研磨量制御を行ったとして
も、研磨終了時点でのＭＲ膜パターン２０Ｃの高さ方向
寸法であるＭＲハイトｈを高精度に一定化することがで
きる。
【００８８】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態について説明する。
【００８９】上記のように、第１の実施の形態は、記録
媒体のトラック幅を規定するＭＲ膜パターン２０Ｃの幅
寸法Ｗ１を決定するパターニング工程を、ＭＲ膜パター
ン２０Ｃの高さ寸法Ｌ２の部分およびダミー抵抗膜パタ
ーン２をパターニングする工程よりも先に行うようにし
たものである。これに対し、本実施の形態は、ＭＲ膜パ
ターン２０Ｃの幅寸法Ｗ１を決定するパターニング工程
を、ＭＲ膜パターン２０Ｃの高さ寸法Ｌ２の部分および
ダミー抵抗膜パターン２をパターニングする工程よりも
後に行うようにしたものである。
【００９０】以下、図２０〜図３６を参照して、本実施
の形態の磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッド
の製造方法および薄膜パターン形成方法を説明する。こ
こでは、上記第１の実施の形態と異なる特徴部分、すな
わち、ＭＲ膜パターン２０およびダミー抵抗膜パターン
２のパターニング工程についてのみ説明することとし、
その他の工程は説明を省略する。なお、図２０〜図３６
において、上記第１の実施の形態（図７〜図１８）にお
ける構成要素と実質的に同一の部分については同一の符
号を付し、適宜説明を省略する。
【００９１】本実施の形態では、図２０に示したよう
に、基体１１０上に多層膜２０Ａを形成したのち、図２
１に示したように、多層膜２０Ａの上にフォトレジスト
膜５５を形成する。次に、図２２に示したように、フォ
トリソグラフィによってフォトレジスト膜５５をパター
ニングし、後述するＭＲ膜パターン２０Ｅ（図３０
（Ｂ））の形成予定領域を完全に覆うように、フォトレ
ジストパターン５５Ａを形成する。
【００９２】次に、図２３に示したように、フォトレジ
ストパターン５５Ａをマスクとして、例えばイオンミリ
ング等により、多層膜２０Ａを選択的にエッチングす
る。これにより、図２３（Ｂ）に示したように、フォト
レジストパターン５５Ａの下に、これと同等の形状を有
するＭＲ膜パターン２０Ｄが形成される。
【００９３】次に、図２４に示したように、全面領域を
覆うように絶縁層６２を形成したのち、図２５に示した
ように、ＭＲ膜パターン２０Ｄ上のフォトレジストパタ
ーン５５Ａおよびその上の絶縁層６２をリフトオフ処理
により除去する。こうして、ＭＲ膜パターン２０Ｄの上
面が露出する。この段階では、ＭＲ膜パターン２０Ｄの
周囲領域は全て絶縁層６２に埋設されており、全体の表
面はほぼ平坦になっている。
【００９４】続いて、フォトリソグラフィ工程（全面に
フォトレジスト膜形成、選択的に露光および現像処理、
という一連の工程）を行い、図２６に示したように、Ｍ
Ｒ膜パターン２０Ｄの全面および絶縁層６２の領域の一
部を覆うようにフォトレジスト膜５６を形成する。この
際、フォトレジスト膜５６には、ＭＲ膜パターン２０Ｄ
から、その幅方向（ｘ−ｘ切断線に平行な方向）に所定
の距離を隔てた領域（すなわち、ダミー抵抗膜パターン
２を形成する予定の領域）に開口５６Ｋを設ける。開口
５６Ｋは、後に形成するダミー抵抗膜パターン２よりも
大きく形成する。続いて、この開口５６Ｋを埋めるよう
に、図２７に示したように、全面領域にダミー抵抗膜２
Ａを形成する。
【００９５】この後、図２８に示したように、フォトレ
ジスト膜５６およびその上のダミー抵抗膜２Ａをリフト
オフ処理により除去する。これにより、絶縁層６２に埋
め込まれたＭＲ膜パターン２０Ｄが再度露出し、一方、
絶縁層６２上に形成されたダミー抵抗膜パターン２Ｂが
新たに露出する。
【００９６】次に、図２９に示したように、フォトリソ
グラフィ工程によって、ＭＲ膜パターン２０Ｄ上にフォ
トレジストパターン５７Ａを形成すると共に、ダミー抵
抗膜パターン２Ｂ上にフォトレジストパターン５７Ｂを
形成する。この場合、フォトレジストパターン５７Ａお
よびフォトレジストパターン５７Ｂのサイズおよび形
状、さらには、両者の相対的位置関係は、第１の実施の
形態における図１６（Ａ）に示したフォトレジストパタ
ーン５４Ａおよびフォトレジストパターン５４Ｂのサイ
ズおよび形状、さらには両者の相対的位置関係と同様で
ある。
【００９７】すなわち、フォトレジストパターン５７Ａ
（図２９）は、例えば、ほぼ矩形形状を有し、その幅方
向（ｘ−ｘ切断線と平行な方向）の寸法Ｗ２は、パター
ン形成工程で最終的に形成されることが予定されるＭＲ
膜パターン２０Ｆ（図３５）の幅寸法Ｗ１よりも十分大
きく、長さ方向の寸法Ｌ２はＭＲ膜パターン２０Ｆの高
さ方向（ｘ−ｘ切断線に直交する方向）の寸法Ｌ２と同
等である。
【００９８】一方、フォトレジストパターン５７Ｂ（図
２９）は、概ね凹字形（Ｕ字形）を有しており、この凹
字形状における幅方向（ｘ−ｘ切断線と平行な方向）に
延びる部分５７ＢＫと、その両側の高さ方向に伸びるパ
ッド部分５７ＢＬ，５７ＢＲとを含む。フォトレジスト
パターン５７Ｂの全体的なサイズは、幅方向寸法が約２
０μｍ〜５０μｍ、高さ方向寸法が約２０μｍ〜５０μ
ｍであり、フォトレジストパターン５７Ａよりも十分大
きなものである。
【００９９】このフォトレジストパターン５７Ｂは、高
さ方向において、フォトレジストパターン５７Ａとの間
に所定の相対位置関係を有するように形成される。より
具体的には、フォトレジストパターン５７Ａの後端縁５
７ＡＳの位置Ｐ１と、フォトレジストパターン５７Ｂの
部分５７ＢＫにおける後端縁５７ＢＳの位置Ｐ２との距
離が所定値ｄ１となるようにフォトレジストパターン５
７Ａ，５７Ｂを形成する。本実施の形態では、第１の実
施の形態同様、フォトレジストパターン５７Ａ，５７Ｂ
を同一のフォトリソグラフィ工程によって同時に形成す
るようにしているので、値ｄ１を高精度に一定化するこ
とが容易である。
【０１００】次に、図３０に示したように、イオンミリ
ング等により、フォトレジストパターン５７Ａ，５７Ｂ
をマスクとして、ＭＲ膜パターン２０Ｄならびにダミー
抵抗膜２Ｂおよび絶縁層６２を選択的にエッチングし、
パターニングする。これにより、フォトレジストパター
ン５７Ａの下にＭＲ膜パターン２０Ｅが形成される。一
方、フォトレジストパターン５７Ｂの下にはダミー抵抗
膜パターン２が形成され、さらにその下には絶縁層６２
Ｄが形成される。このとき、ＭＲ膜パターン２０Ｅとダ
ミー抵抗膜パターン２との位置関係は、フォトレジスト
パターン５７Ａとフォトレジストパターン５７Ｂとの位
置関係と同様のものである。これについては、後に詳述
する。
【０１０１】次に、全面領域に絶縁層（図示せず）を形
成したのち、フォトレジスト膜５７Ａ，５７Ｂおよびそ
の上の絶縁層を除去するリフトオフ処理を経て、図３１
に示したように、ＭＲ膜パターン２０Ｅ、絶縁層６３お
よびダミー抵抗膜パターン２を露出させる。こうして、
周囲領域が絶縁層６３により埋設されたＭＲ膜パターン
２０Ｅが形成されると共に、絶縁層６２Ｄの上にダミー
抵抗膜パターン２が形成される。この場合に、ＭＲ膜パ
ターン２０Ｅの後端縁の位置Ｐ１とダミー抵抗膜パター
ン２における幅方向に延びる部分２Ｋの後端縁の位置Ｐ
２との間の高さ方向（研磨面と直交する方向）の距離は
高精度に一定値ｄ１となる。
【０１０２】次に、図３２に示したように、全面領域に
ＥＢレジスト膜５８を形成する。続いて、図３３に示し
たように、ＥＢリソグラフィ工程によりＥＢレジストパ
ターン５８Ａ，５８Ｂを形成する。このとき、ＥＢレジ
ストパターン５８Ａは、露出したＭＲ膜パターン２０Ｅ
を、その高さ方向（ｘ−ｘ切断線と直交する方向）に縦
断して、その一部を覆うような位置に形成する。ＥＢレ
ジストパターン５８Ａの幅方向（ｘ−ｘ切断線と平行な
方向）の寸法Ｗ１は、ＭＲ膜パターン２０（図２および
図３）の幅方向の寸法を決定するものである。一方、Ｅ
Ｂレジストパターン５８Ｂは、ダミー抵抗膜パターン２
の全体およびその近傍領域のみを覆うように形成する。
第１の実施の形態同様、本実施の形態においても、ＥＢ
リソグラフィを用いることにより、フォトリソグラフィ
よりも高精度な描画ができ、極めて微小な寸法Ｗ１を確
保することができる。
【０１０３】続いて、図３４に示したように、ＥＢレジ
ストパターン５８Ａ，５８Ｂをマスクとして、イオンミ
リング等によって、ＭＲ膜パターン２０Ｅおよび絶縁層
６３を選択的にエッチングする。これによって、ＥＢレ
ジストパターン５８Ａの下に、ＭＲ膜パターン２０Ｆが
形成され、ＥＢレジストパターン５８Ｂの下に絶縁層パ
ターン６３Ａが形成される（ダミー抵抗膜パターン２お
よび絶縁膜パターン６２Ｄは図３０にて既に形成済みで
ある）。ＭＲ膜パターン２０Ｆの幅方向の寸法は、ＥＢ
レジストパターン５８Ａの幅寸法Ｗ１と等しく、これが
最終的なＭＲ膜パターン２０（図２および図３）の幅寸
法となる。
【０１０４】次に、図３５に示したように、絶縁層６４
を全面領域に形成した後、図３６に示したように、ＥＢ
レジストパターン５８Ａ，５８Ｂおよびそれらの上の絶
縁層６４をリフトオフすることにより、ＭＲ膜パターン
２０Ｆならびにダミー抵抗膜パターン２および絶縁層パ
ターン６３Ａを露出させる。こうして、周囲領域が絶縁
層６４等により埋設され、幅方向（ｘ−ｘ切断線と平行
な方向）の寸法がＷ１であり、高さ方向（ｘ−ｘ切断線
に直交する方向）の寸法がＬ２であるＭＲ膜パターン２
０Ｆが形成される。このとき、絶縁層６２Ｄの上にはダ
ミー抵抗膜パターン２が形成されている。なお、絶縁層
６２Ｄ，６３Ａ，６４からなる絶縁層が、図２および図
３における絶縁層１４に相当する。
【０１０５】＜第２の実施の形態における効果＞以上の
ように、本実施の形態によれば、ＭＲ膜パターン２０Ｆ
の微小な幅方向寸法Ｗ１を決定するパターニング工程を
ＥＢリソグラフィによって行う一方、ＭＲ膜パターン２
０Ｆの高さ方向寸法Ｌ２の部分およびダミー抵抗膜パタ
ーン２については、フォトリソグラフィを用いてパター
ニングするようにしたので、第１の実施の形態と同様
に、時間的にも精度的にも無駄のない効率的なパターン
形成が可能となる。
【０１０６】さらに、本実施の形態によれば、研磨前の
ＭＲ膜パターン２０Ｆの高さ方向寸法Ｌ２を決定するパ
ターニングとダミー抵抗膜パターン２のパターニングと
については、フォトリソグラフィによって同時に行うよ
うにしたので、ＭＲ膜パターン２０Ｆとダミー抵抗膜パ
ターン２との相互の位置関係を高精度に一定化すること
ができる。すなわち、エアベアリング面を形成する研磨
工程において、ダミー抵抗膜パターン２の抵抗値を指標
として研磨量制御を行ったとしても、第１の実施の形態
と同様に、最終的なＭＲパターン２０のＭＲハイトｈを
高精度に一定化することが可能となる。
【０１０７】このように、本実施の形態では、パターン
形成工程において最終的に得られるＭＲ膜パターン２０
Ｆの幅寸法Ｗ１を決定するパターニング工程を、ＭＲ膜
パターン２０Ｆの高さ寸法Ｌ２の部分およびダミー抵抗
膜パターン２をパターニングする工程よりも後に行うよ
うにしたが、工程の順序には影響されることなく、第１
の実施の形態と同様の効果が得られる。
【０１０８】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記各実施の形態で
は、ＭＲ膜パターン２０の形状を短冊状としたが、これ
に限定されるものではない。また、ダミー抵抗膜パター
ン２の形状を凹字形状（Ｕ字形状）としたが、これに限
定されるものではない。
【０１０９】また、上記実施の形態では、ＭＲ膜パター
ン２０の具体例としてＴＭＲ膜を挙げて説明したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、例えば、スピン
バルブ型のようなＣＩＰ（current flows-in-the-plan
e）−ＧＭＲや、ＭＲ膜面に対して垂直方向に電流を流
すＣＰＰ（current perpendicular-to-plane）−ＧＭＲ
膜などにも適用可能である。
【０１１０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項７のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子の製造
方法、または請求項８ないし請求項１３のいずれか１項
に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、少なくと
も電子ビームリソグラフィを用いて磁気抵抗効果膜パタ
ーンを形成するようにしたので、たとえ、微小なサイズ
であっても磁気抵抗効果膜パターンの形成を高精度に行
うことが可能である。しかも、ダミー抵抗膜のパターニ
ングについてはフォトリソグラフィを用いるようにした
ので、たとえ、形成対象のダミー抵抗膜パターンのサイ
ズが大きいものであっても、短時間でパターニングがで
きる。
【０１１１】特に、請求項２ないし請求項７のいずれか
１項に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法、または請求
項９ないし請求項１３のいずれか１項に記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、形成対象となるパターンの
サイズや形成対象部分の寸法に応じて、電子ビームリソ
グラフィと、フォトリソグラフィとを使い分けるように
したので、特に高い精度を必要とする部分の寸法精度を
担保しつつ、すべてのパターン形成を電子ビームリソグ
ラフィによって行う場合よりもパターン形成工程の所要
時間を短縮でき、効率的なパターン形成が可能になる。
【０１１２】また、請求項４ないし請求項６のいずれか
１項に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法によれば、磁
気抵抗効果膜の第１の輪郭部分と、ダミー抵抗膜とをフ
ォトリソグラフィにより同時にパターニングするように
したので、磁気抵抗効果膜パターンの第１の輪郭部分の
位置と、ダミー抵抗膜パターンの位置とのずれを低減す
ることができる。
【０１１３】さらに、請求項１０ないし請求項１２のい
ずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、磁気抵抗効果膜の高さ方向の寸法を決定する部分
と、ダミー抵抗膜とをフォトリソグラフィにより同時に
パターニングするようにしたので、磁気抵抗効果膜パタ
ーンの高さ方向の位置と、ダミー抵抗膜パターンの位置
とのずれを低減でき、磁気抵抗効果素子の高さ方向の寸
法精度を向上させることができる。
【０１１４】また、請求項１４記載の薄膜パターン形成
方法によれば、同一基板上にサイズの異なる２つ以上の
薄膜パターンを形成するにあたって、第１の薄膜パター
ンを、少なくとも電子ビームリソグラフィを用いて形成
し、第１の薄膜パターンよりも大きい第２の薄膜薄膜パ
ターンを、フォトリソグラフィを用いて形成するように
したので、微小部においては正確なパターニングが可能
となると共に、すべてのパターン形成を電子ビームリソ
グラフィによって行う場合よりもパターン形成工程の所
要時間を短縮でき、効率的なパターン形成が可能にな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを
備えた磁気ヘッドスライダの構成を説明するための斜視
図である。
【図２】図１の一部を拡大して示す部分分解斜視図であ
る。
【図３】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに
おける要部構成を説明する断面図である。
【図４】図３における多層膜の部分拡大図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを
備えた磁気ヘッドスライダの製造方法を表す流れ図であ
る。
【図６】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを
備えた磁気ヘッドスライダの製造方法における一工程を
表す斜視図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を表す平面図および断面図
である。
【図８】図７に続く一工程を表す平面図および断面図で
ある。
【図９】図８に続く一工程を表す平面図および断面図で
ある。
【図１０】図９に続く一工程を表す平面図および断面図
である。
【図１１】図１０に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図１２】図１１に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図１３】図１２に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図１４】図１３に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図１５】図１４に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図１６】図１５に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図１７】図１６に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図１８】図１７に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図１９】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法における一工程を表す平面図である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を表す平面図および断面
図である。
【図２１】図２０に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図２２】図２１に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図２３】図２２に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図２４】図２３に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図２５】図２４に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図２６】図２５に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図２７】図２６に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図２８】図２７に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図２９】図２８に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図３０】図２９に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図３１】図３０に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図３２】図３１に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図３３】図３２に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図３４】図３３に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図３５】図３４に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図３６】図３５に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図３７】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を表す平面図および断面図である。
【図３８】図３７に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図３９】図３８に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図４０】図３９に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図４１】図４０に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【図４２】図４１に続く一工程を表す平面図および断面
図である。
【符号の説明】
２…ダミー抵抗膜パターン、２Ａ…ダミ−抵抗膜、１０
…母材基板、２０，２０Ｃ，２０Ｆ…ＭＲ膜パターン、
２０Ａ…多層膜、５１Ａ，５８Ａ，５８Ｂ…ＥＢレジス
トパターン、５４Ａ，５４Ｂ，５７Ａ，５７Ｂ…フォト
レジストパターン、１１０，１１０Ａ，２１０…基体、
１１１…エアベアリング面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 41/34 Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｐ Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｚ Ｇ０１Ｒ 33/06 Ｒ (72)発明者 太田 尚城 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 2G017 AA10 AD55 5D033 DA12 DA31 5D034 BA02 DA02 DA07 5E049 BA12

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 所定形状の磁気抵抗効果膜パターンを含
    む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、 基体の上に磁気抵抗効果膜を形成する第１の工程と、 少なくとも電子ビームリソグラフィを用いて前記磁気抵
    抗効果膜をパターニングすることにより、前記磁気抵抗
    効果膜パターンを形成する第２の工程と、 前記基体の上にダミー抵抗膜を形成する第３の工程と、 フォトリソグラフィを用いて前記ダミー抵抗膜をパター
    ニングすることにより、前記磁気抵抗効果膜パターンの
    追加工に用いるダミー抵抗膜パターンを形成する第４の
    工程とを含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造
    方法。
  2. 【請求項２】 前記ダミー抵抗膜パターンが、前記磁気
    抵抗効果膜パターンよりも大きなサイズを有することを
    特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方
    法。
  3. 【請求項３】 前記磁気抵抗効果膜パターンが、第１の
    輪郭部分と、第１の輪郭部分よりも高い加工精度を必要
    とし、または第１の輪郭部分よりも小さいサイズを有す
    る第２の輪郭部分とを含む場合において、 前記第２の工程は、 前記第１の輪郭部分を、フォトリソグラフィによるパタ
    ーニングによって形成する工程と、 前記第２の輪郭部分を、電子ビームリソグラフィによる
    パターニングによって形成する工程とを含むことを特徴
    とする請求項１または請求項２に記載の磁気抵抗効果素
    子の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記第１の輪郭部分の形成工程と、前記
    第４の工程とを同時に行うことを特徴とする請求項３に
    記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記第２の輪郭部分の形成工程を、前記
    第１の輪郭部分の形成工程および前記第４の工程よりも
    先に行うことを特徴とする請求項４に記載の磁気抵抗効
    果素子の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記第１の輪郭部分の形成工程および前
    記第４の工程を、前記第２の輪郭部分の形成工程よりも
    先に行うことを特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果
    素子の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記磁気抵抗効果素子は、トンネル接合
    型磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１か
    ら請求項６のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子の
    製造方法。
  8. 【請求項８】 所定形状の磁気抵抗効果膜パターンを含
    む磁気抵抗効果素子を基体上に配設してなる薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法であって、 前記基体上に磁気抵抗効果膜を形成する第１の工程と、 少なくとも電子ビームリソグラフィを用いて前記磁気抵
    抗効果膜をパターニングすることにより、前記磁気抵抗
    効果膜パターンを形成する第２の工程と、 前記基体上にダミー抵抗膜を形成する第３の工程と、 フォトリソグラフィを用いて前記ダミー抵抗膜をパター
    ニングすることにより、ダミー抵抗膜パターンを形成す
    る第４の工程と、 前記基体の側面と共に前記磁気抵抗効果膜パターンの端
    面を研磨することにより、記録媒体に対向することとな
    る記録媒体対向面を形成する第５の工程とを含み、前記
    第５の工程における研磨量を、前記ダミー抵抗膜パター
    ンの電気抵抗値に基づいて制御することを特徴とする薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記磁気抵抗効果膜パターンが、記録媒
    体の記録トラック幅を規定する幅方向の寸法と、前記幅
    方向の寸法よりも長く幅方向と直交する高さ方向の寸法
    とによって決定される短冊形状を有する場合において、
    前記第２の工程は、 前記幅方向の寸法を、電子ビームリソグラフィによるパ
    ターニングによって決定する工程と、 前記高さ方向の寸法を、フォトリソグラフィによるパタ
    ーニングによって決定する工程とを含むことを特徴とす
    る請求項８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記高さ方向の寸法を決定する工程
    と、前記第４の工程とを同時に行うことを特徴とする請
    求項９に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記幅方向の寸法を決定する工程を、
    前記高さ方向の寸法を決定する工程および前記第４の工
    程よりも先に行うことを特徴とする請求項１０に記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記高さ方向の寸法を決定する工程お
    よび前記第４の工程を、前記幅方向の寸法を決定する工
    程よりも先に行うことを特徴とする請求項１０記載の薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記磁気抵抗効果素子は、トンネル接
    合型磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項８
    から請求項１２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  14. 【請求項１４】 同一基体上に、少なくとも第１の薄膜
    パターンと、この第１の薄膜パターンよりも大きいサイ
    ズの第２の薄膜パターンとを形成する方法であって、 前記基体上に、前記第１の薄膜パターンを少なくとも電
    子ビームリソグラフィを用いて形成する工程と、 前記基体上に、前記第２の薄膜パターンをフォトリソグ
    ラフィを用いて形成する工程とを含むことを特徴とする
    薄膜パターン形成方法。
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