JPH0487008A - 磁気記録再生薄膜ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録再生薄膜ヘッド、特に共通の磁気ギ
ャップをもって、電［誘導型の記録磁気ヘッドいわゆる
インダクティブ型磁気ヘッドと、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの各磁気ギャップを構成した磁気記録再生薄膜ヘッ
ドに係わる。

〔発明の概要〕

本発明は、第１及び第２の薄膜磁気コアが、互いの先端
部間に磁気ギャップを形成するように重ね合わされ、こ
の磁気ギャップ内に磁気抵抗感磁部が配置された、磁気
ギャップを共通とするインダクティブ型磁気ヘッドと磁
気抵抗効果型磁気ヘッドの複合型構成をとり、その磁気
ギャップを形成する第１及び第２の薄膜磁気コアの、少
なくとも磁気ヘッドを構成する端部は、高い飽和磁束密
度を有する磁性材より構成し、これら端部の互いに対向
する端面の少なくとも一方に高透磁率、低飽和磁束密度
の磁性層を配した構成とすることによって、記録時には
、上記磁性層の磁気飽和によって第１及び第２の磁気コ
ア間で規定される広ギャップ長を有する磁気ギャップを
形成し、再生時には、上記磁性層の存在によって狭ギヤ
ツプ長化して磁気抵抗感磁部のシールド効果を高めて再
生特性の向上をはかる。

［従来の技術］ 近年、磁気記録、例えばコンピュータ分野等においてそ
の磁気記録媒体、例えば磁気ディスクへの高記録密度化
が急速に高まっている。

この高記録密度化には、高綿密度化と高トラツク密度化
の２つの方法がある。

高綿密度化は、記録波長を短くすることにより達成され
、高トラツク密度化は、トラック幅を狭くすることによ
り達成される。そして、高綿密度化をはかるべく記録波
長を短くする場合は、その記録、再生には、高保磁力Ｈ
ｃの磁気記録媒体と、狭ギャップ長の再生ヘッドが必要
になってくる。

従来、この要求に対応させるインダクティブ型の磁気ヘ
ッドとして、いわゆる広ギャップ長記録、狭ギヤツプ長
再生を行う複合型磁気ヘッドの提案がなされている。

この複合型磁気ヘッドは、第３図にその磁気ギャップ部
の正面図を模式的に示すように、磁気ギャップｇを構成
する対の磁気コアＡ、及びＡ２を、高飽和磁束密度を有
する磁性材によって構成し、その互いの対向面の例えば
一方の磁気コアＡ１に低飽和磁束密度の磁性材による磁
気コアＢを配置した構成をとるものであって、このよう
な磁気ヘッドは、例えば第１１回日本応用磁気学会学術
講演概要集第３１７ページに開示されているところであ
る。

すなわち、このような複合型磁気ヘッドは、記録時には
、低飽和［密度を有する磁気コアＢが磁気飽和すること
によって磁気ギャップ長は、両磁気コアＡ、及びＡ２間
の間隔によって規制される大なる間隔Ｌ７となり、再生
時には、低飽和磁束密度の磁気コアＢを含む間隔によっ
て規制される小なる間隔り、となる、つまり広ギヤアッ
プ長記録かつ狭磁気ギャップ再生の磁気ヘッドを構成す
ることができる。

しかしながら、この種の磁気ヘッドによっても再生磁気
ヘッドの感度を上げるには、磁路長を小さくすることと
、材料の透磁率をあげることの方法しかなく、これらに
は限界がある。

これに対し、すなわち、このようなインダクティブ型磁
気ヘッドに比し、磁気抵抗効果型再生磁気ヘッド（以下
ＭＲ型磁気ヘッドという）は、高感度であり、またこの
ＭＲ型磁気ヘッドは、再生波長限界が、その磁気抵抗効
果膜（以下ＭＲ膜という）の厚さと同程度であるので、
数百人までの波長の再生が可能となり、短波長再生の磁
気ヘッドとしてすぐれていることから、再生磁気ヘッド
としてこのＭＲ型磁気ヘッドを用い、記録磁気ヘッドと
してインダクティブ型磁気ヘッドを用いるようにした複
合型磁気ヘッドが注目されている。

このインダクティプ型磁気ヘッドとＭＲ型磁気ヘッドに
よる複合型磁気ヘッドは、第４図にその磁気ギャップ部
の正面図を模式的に示すように、例えば対のシールド磁
性体Ｓ間にＭＲ膜による感磁部（以下ＭＲ感磁部という
）（１）が配置されてなるＭＲ型磁気ヘッドＨ□とイン
ダクティブ型磁気ヘッドＨＩＨＤとを並置して機械的に
一体化した構成をとる。

ところが、例えばハードディスクに対する磁気ヘッド装
置としては、一般に、外乱に強い回動アーム型構成がと
られ、この場合、ディスク上のトラック位置によってい
わゆるスキュウ角が大となる位置が存在することから、
この位置で、第４図中に鎖線をもって示すように、イン
ダクティプ型磁気ヘッドＨＩＮＤによる磁気トラックＴ
からＭＲ型磁気ヘッドＨ□のＭＲ感磁部がはずれてしま
ういわゆるオフトラックの問題が生じる。

このような問題の解決をはかるものとして第５図にその
磁気ヘッドの磁気ギャップ部の正面図を模式的に示すよ
うに、インダクティブ型磁気ヘッドの磁気ギャップｇを
構成する対の磁気コアＡ。

及びＡｚ、例えば互いにその先端部が対向する磁気コア
Ａ、及びＡ２の磁気ギヤツブｇ内に両コアＡ１及びＡ２
をシールド磁性体として磁気ギャップ内にＭＲ膜を有す
る感磁部（１）を配置して共通の磁気ギャップｇによっ
てインダクティブ型磁気ヘッドの磁気ギャップとＭＲ型
磁気ヘッドの磁気ギャップとを構成するようにしたもの
の提案がなされている。

しかしながら、この場合、磁気シールド型ＭＲヘッドに
関してはできるだけその磁気シールド磁性体すなわちコ
アＡ、及びＡ２間の間隔は狭小としてその感度の向上を
はかることが必要とされるに比し、インダクテイブ型磁
気へ・ノドとしての磁気ギャップｇのギャップ長しいは
、これが成る程度大であることが要求とされて両特性は
相反するものとなる。すなわち再生特性と記録特性とが
相反するものとなる。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、共通のギャップによってインダクティプ型記
録磁気ヘッドとＭＲ型再再生磁気ヘッドを構成してオフ
トラックの問題を解決すると共に、記録及び再生の両特
性を共に満足し得るようにした磁気記録再生薄膜ヘッド
を提供する。

〔課題を解決するための手段］ 本発明においては、第１図にその一例の断面図を示すよ
うに、第１及び第２の薄膜磁気コア（１１Ｍ及び（１１
４２）が、互いに先端部間にギャップ長り。

を有する磁気ギャップｇを形成するように重ね合わされ
、この磁気ギヤツブｇ内にＭＨＩ膜を有してなる磁気抵
抗感磁部すなわちＭＲＲ磁部（１２）が配置される。第
１及び第２の薄膜磁気コア（ＩＩＡ、）及び（ＩＩＡ、
）の少くとも磁気ギャップｇを形成する端部は高い飽和
磁束密度Ｂｓ、を有する磁性材よりなる。

そして、第１及び第２の薄膜磁気コア（ＩＩＡ、）及び
（ｌｌｌｌｚ）の磁気ギャップｇを形成する互いの対向
面の少くとも一方に第１及び第２の薄膜磁気コア（ＩＩ
Ａ、）及び（１１＾２）の飽和磁束密度Ｂｓ、より・低
い飽和磁束密度ＢＳＬを有する高透磁率の磁性層（１３
）が配されてなる。

図示の例では磁性層（１３）が、磁気コア（ＩＩＡＩ）
及び（ＩＩＡＺ）の互いに対向する一方の磁気コア（１
１＾１）の内面に被着形成した場合である。　（１４）
は例えば渦巻パターンに形成された導電膜より成るイン
ダクティブ型磁気ヘッドを構成するヘッド巻線で、（１
４ａ）は例えばその外端から導出された一方の端末、（
１４ｂ）は、巻線（１４）の一部を絶縁層（１５）を介
して横切って巻線（１４）の内端から導出された他方の
端末を示す。

〔作用］ 本発明構成によれば、共通の磁気ギャップｇによるいわ
ば単磁気ギャップ構成を有するインダクティブ型再生磁
気ヘッドと、ＭＲＲ記録磁気ヘッドの複合型磁気記録再
生薄膜ヘッドが構成される。

つまりこの場合、記録時には、磁束密度が高いことから
低い飽和磁束密度を有する磁性層（１３）が飽和状態と
なるようにそのＢＳＬを選んでおくことによって、高い
飽和磁束密度を有する薄膜磁気コア（ＩＩＡ、）及び（
１１Ａ２）のみが実質的に動作し、両コア（ＩＩＡ、）
及び（１１Ａ２）間の間隔によって規制される広ギャッ
プ長り、の磁気ギャップによるインダクティブ型磁気ヘ
ッドを形成することができる。そして、再生時には一般
にその磁束密度が小さいことから高透磁率の磁性層（１
３）においてその磁束密度が飽和しないＢｓ、とするこ
とによってこれと、これに対向する磁気コアないしは磁
性層との間の間隔によって狭ギャップ長Ｌ２を規定する
ことができ、この狭ギヤツプ内にＭＲＲ磁部（１２）が
配置されることになる。すなわちこれら磁性１　（１３
）と例えばこれに対向する薄膜磁気コア（１１Ａ２）が
磁気シールド磁性層として作用することによって、狭間
隔すなわち狭ギヤツプ長内にＭＲＲ磁部（１２）が配置
された構成とされることによって高感度の優れた再生磁
気ヘッドを有するＭＲＲ磁気ヘッドが構成されることに
なり、記録及び再生の双方において特性に優れた磁気ヘ
ッドを構成することができる。

（実施例〕 第１図を参照して本発明による薄膜ヘッドを、その理解
を容易にするために、第２図を参照してその製造方法の
一例と共に詳細に説明する。

この例においては、第２図Ａに示すように、基板（２１
）例えばガラスその他の非磁性基板上に飽和磁束密度Ｂ
ｓの大きな値Ｂｓ、を有する材料例えばフェライト、パ
ーマロイ、センダスト等を例えばスパッタリング等によ
って全面的に形成し、パターンエツチングを行って所要
のパターンとされた一方の薄膜磁気コア（ＩＩＡＩ）を
形成する。

第２図Ｂに示すように、薄膜磁気コア（ＩＩＡ、）の後
方部すなわち磁気ギャップ形成部とは反対側の後方にフ
ォトレジスト等のマスク層（２２）を選択的に形成する
。そしてこのマスク層（２２）上を含んで例えば薄膜磁
気コア（ＩＩＡ、）とは同パターンに飽和磁束密度Ｂｓ
が低い値ＢｓＬを有し、コア（ＩＩＡ、）に比して充分
高い透磁率μを有する例えば磁性ガーネット等の磁性材
よりなる磁性層（１３）を例えば全面的スパッタリング
とその後のパターンエツチングによって形成する。

第２図Ｃに示すように、この磁性層（１３）を表面から
例えばマスク層（２２）の表面が露出する位置まで研磨
する。

その後、第２図りに示すように、マスク層（２２）を除
去する。

第２図已に示すように、第１の薄膜磁気コア（１１Ａυ
の磁性層（１３）によって覆われていない部分を除いて
他部に、磁性層（１３）上を覆ってフォトレジスト等の
マスク層（２３）を被着形成する。

第２図Ｆに示すように、マスク層（２３）上を覆って全
面的に例えば第１の薄膜磁気コア（ＩＩＡ、）と同様材
料の補助磁性材（ＩＩＡ、）を全面的に被着する。

第２図Ｇに示すように、磁性層（１３）が露出する位置
まで表面補助コア材（ＩＩＡ：＋）を研磨しマスク層（
２３）を除去する。

次に、第２図Ｈに示すように、補助コア材（１１Ａ、）
上に図示しないがレジスト等のマスク層を被着し、Ｓｉ
Ｏ□等の非磁性絶縁層（２４）を磁性層（１３）上にス
パッタ、ＣＶＤ　（化学的気相成長法）等によって被着
し、ＭＲ感磁部（１２）すなわちＮｉＦｅ、　ＮｉＣｏ
、　Ｎ１ＦｅＣ。

等の強磁性ＭＲ３膜を全面スパッタ、フォトレジストに
よる選択的エツチングによって所要のパターンに形成し
、ＭＲ感磁部（１２）へのセンス電流と更に例えばバイ
アス磁界を得るためのバイアス電流を通ずる電極及び端
子導出部を被着形成する。

次に、これの上に上述したと同様にＳｉｎ、等の非磁性
絶縁層（２４）を形成する。そして、絶縁層（２４）上
に所定のパターンにインダクティブ磁気ヘッドを構成す
る例えば渦巻状のヘノド巻線（１４）と、その一方の端
末（１４ａ）を形成する。そしてこの巻線（１４）上に
ＳｉＯ２等の絶縁層（１５）を介して５ｉｎ２を形成し
、その一部に窓あけを行って巻線（１４）から他方の端
末（１４ｂ）を導電パターンの形成によって導出する。

また、この絶縁層（１５）は磁気ギャップｇの形成部と
補助磁性材（ＩＩＡ、）上とが除去され、これら磁気ギ
ャップ形成部及び補助磁性材（１１Ａ３）上を含んでこ
れの上に第１の薄膜磁気コア（ＩＩＡ、）と同一材料の
第２の薄膜磁気コア（１１４，）をスパッタ等によって
被着し、第１図に示すように目的とする磁気ヘッドを構
成し、そして例えばＭＲ怒磁部（１２）が臨むようにそ
の前方を研磨して磁気記録媒体との対接ないしは対向面
（２５）を形成する。このようにして本発明による磁気
記録再生薄膜ヘッドを構成することができる。

この本発明による磁気ヘッドにおいて、磁気ギャップｇ
における第１及び第２の薄膜磁気コア（ＩＩＡ、）及び
（１１＾２）の間隔は、記録磁気ヘッドとして最適な所
要の広ギャップ長り、とし、磁性層（１３）と第２の薄
膜磁気コア（１１Ａ２）との間隔は、シールド型再生Ｍ
Ｒヘノドのシールド磁性体の間隔として適する狭ギャッ
プ長Ｌ２に選定する。

又、本発明による薄膜磁気ヘッドは、上述したように磁
性層（１３）を第１の薄膜磁気コア（ＩＩＡ、）側に設
ける場合に限らず、他方のコア（１１Ａｚ）側に、或い
は両コア（１１Ａ＋）及び（１１Ａりに設けることもで
きるなど種々の構造、製造方法を採り得ることはいうま
でもないところである。

〔発明の効果〕

本発明構成によれば、共通の磁気ギャップｇによるいわ
ば単磁気ギャップ構成を有するインダクティプ型再生磁
気ヘッドと、ＭＲ型記録磁気ヘッドの複合型磁気記録再
生薄膜ヘッドが構成される。

つまりこの場合、記録時には、磁束密度が高いことから
低い飽和磁束密度を有する磁性層（１３）が飽和状態と
なるようにそのＢｓＬを選んでおくことによって、高い
飽和磁束密度を有する薄膜磁気コア（ＩＩＡＩ）及び（
１１４，）のみが実質的に動作し、両コア（ＩＩＡＩ）
及び（ＩＩＡ、）間の間隔によって規制される広ギャッ
プ長しｒの磁気ギャップによるインダクティブ型磁気ヘ
ッドを形成することができる。そして、再生時には一般
にその磁束密度が小さいことから高透磁率の磁性層（１
３）においてその磁束密度が飽和しないＢｓｔとするこ
とによってこれと、これに対向する磁気コアないしは磁
性層との間の間隔によって狭ギャップ長し、を規定する
ことができ、この狭ギヤツプ内にＭＲ惑磁部（１２）が
配置されることになる。すなわちこれら磁性層（１３）
と例えばこれに対向する薄膜磁気コア（１１Ａｚ）が磁
気シールド磁性層として作用することによって、狭間隔
すなわち狭ギヤツプ長内にＭＲ感磁部（１２）が配置さ
れた構成とされることによって高感度の優れた再生磁気
ヘッドを有するＭＲ型磁気ヘッドが構成されることにな
り、記録及び再生の双方において特性に優れた磁気ヘッ
ドを構成することができる。

共通のギャップ構成としたことから前述したオフトラン
クに関わる問題も効果的に回避できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明における磁気記録再生薄膜ヘッドの一例
断面図、第２図は本発明による磁気記録再生薄膜ヘッド
の一例の製造工程図、第３図〜第５図はそれぞれ従来の
磁気ヘッドのギャップ部の模式的平面図である。 （ＩＩＡＩ）及び（ＩＩＡ、）は第１及び第２の薄膜磁
気コア、（１３）は磁性層、（１２）はＭＲ感磁部、ｇ
は磁気ギャップである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　第１及び第２の薄膜磁気コアが、互いの先端部間に磁
   気ギャップを形成するように重ね合わされ、該磁気ギャ
   ップ内に磁気抵抗感磁部が配置され、少なくとも上記磁
   気ギャップを形成する上記第１及び第２の薄膜磁気コア
   の端部は、高い飽和磁束密度を有する磁性材よりなり、 該第１及び第２の薄膜磁気コアの上記磁気ギャップを形
   成する互いの対向面の少なくとも一方に上記第１及び第
   ２の薄膜磁気コアの飽和磁束密度より低く高い透磁率を
   有する磁性層が配されてなることを特徴とする磁気記録
   再生薄膜ヘッド。