JPS5987615A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS5987615A JPS5987615A JP19728682A JP19728682A JPS5987615A JP S5987615 A JPS5987615 A JP S5987615A JP 19728682 A JP19728682 A JP 19728682A JP 19728682 A JP19728682 A JP 19728682A JP S5987615 A JPS5987615 A JP S5987615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- thin film
- coercive force
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は磁気記録媒体からの信号磁界の検出をのである
。
。
〈従来技術〉
従来、薄膜ＭＲヘッドは巻線型の磁気ヘッドと比較して
多くの利点があることが知られている。
多くの利点があることが知られている。
即ち薄膜ＭＲヘッドは磁気テープ等の磁気記録媒体に書
き込まれた信号磁界を受ける事によって磁気抵抗効果素
子（以下ＭＲ素子と略す）内部の磁区方向、即ち磁化方
向が変化すると内部抵抗がそれに応じて変る。この内部
抵抗の変化を外部出力として取シ出すものである。従っ
て磁束応答型のヘッドであシ磁気記録媒体の移送速度に
依存せずに信号磁界を再生できるものである。この薄膜
皿ヘッドは半導体の微細加工技術により高集積化、多素
子化が容易であるので、高密度記録が行なわれる固定ヘ
ッド弐ＰＣＭ録音機の再生用磁気ヘッドとして有望視さ
れている。
き込まれた信号磁界を受ける事によって磁気抵抗効果素
子（以下ＭＲ素子と略す）内部の磁区方向、即ち磁化方
向が変化すると内部抵抗がそれに応じて変る。この内部
抵抗の変化を外部出力として取シ出すものである。従っ
て磁束応答型のヘッドであシ磁気記録媒体の移送速度に
依存せずに信号磁界を再生できるものである。この薄膜
皿ヘッドは半導体の微細加工技術により高集積化、多素
子化が容易であるので、高密度記録が行なわれる固定ヘ
ッド弐ＰＣＭ録音機の再生用磁気ヘッドとして有望視さ
れている。
さて、元来ＭＲ素子は外部磁界に対してニ乗曲線をもつ
感応特性を示すことから、ＭＲ素子を再生ヘッドとして
構成する場合には素子形状をストライプ状（磁区の配向
を安定化する為）にすると共に線型応答特性を得る為に
所定のバイアス磁界を印加する構成を備える事が必要で
ある。更にＭＲ素子に高分解機能を持たせる為にストラ
イプ状のＭＲ素子の上側及び下側に絶縁層を介して軟磁
性材料（パーマロイ、センダヌト等）からなる薄膜を磁
気シールド層として設ける４１が必要である。以上の点
から従来の薄膜ＭＲヘッドの構造は第１図に示される如
きものとなっている。同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）
は同図（ａ）のＡ−Ａ′切断面での正面断面図、同図（
ｃ）は若干拡大しだ側面断面図である。この第１図に示
した従来の薄膜ＭＲヘッドは大路次の様にして製造され
た。まずＮｉ−Ｚｎ等にフェライト基板１に８１０２等
の絶縁膜２をスパッタにより形成する。次に上記絶縁膜
２上に磁気バイアス磁界用３−Ｐ等の高抗磁力膜３をス
パッタにより形成し化学エツチングあるいはスパッタエ
ツチングにより目的のパターンに加工する。次に上記高
抗磁力膜３上に５ｉ０２等の絶縁膜４をスパッタによ膜
形成する。次にＭＲ素子として一軸磁気異方性を有する
金属強磁性薄膜であるＮｉ−Ｆｅ膜（パーマロイ膜）５
を真空蒸着り化学エツチングあるいはスパッタエツチン
グによシ目的のパターンに加工する。次にＡ （１−Ｃ
ｕ膜６をスパッタにより形成しプラズマエツチングによ
り目的のパターンに加工する。このｋｌ−Ｃｕ膜６はリ
ードとなるものである。次に上記Ｎｉ −Ｆｅ膜膜上上
ＳｉＯ□等の絶縁膜７をスパッタによ膜形成する。次に
上記絶縁膜７上にＮ ｉ −Ｆ ｅ等からなる磁気シー
ルド層８を形成する。第１図（ｃ）の９は磁気テープで
ある。
感応特性を示すことから、ＭＲ素子を再生ヘッドとして
構成する場合には素子形状をストライプ状（磁区の配向
を安定化する為）にすると共に線型応答特性を得る為に
所定のバイアス磁界を印加する構成を備える事が必要で
ある。更にＭＲ素子に高分解機能を持たせる為にストラ
イプ状のＭＲ素子の上側及び下側に絶縁層を介して軟磁
性材料（パーマロイ、センダヌト等）からなる薄膜を磁
気シールド層として設ける４１が必要である。以上の点
から従来の薄膜ＭＲヘッドの構造は第１図に示される如
きものとなっている。同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）
は同図（ａ）のＡ−Ａ′切断面での正面断面図、同図（
ｃ）は若干拡大しだ側面断面図である。この第１図に示
した従来の薄膜ＭＲヘッドは大路次の様にして製造され
た。まずＮｉ−Ｚｎ等にフェライト基板１に８１０２等
の絶縁膜２をスパッタにより形成する。次に上記絶縁膜
２上に磁気バイアス磁界用３−Ｐ等の高抗磁力膜３をス
パッタにより形成し化学エツチングあるいはスパッタエ
ツチングにより目的のパターンに加工する。次に上記高
抗磁力膜３上に５ｉ０２等の絶縁膜４をスパッタによ膜
形成する。次にＭＲ素子として一軸磁気異方性を有する
金属強磁性薄膜であるＮｉ−Ｆｅ膜（パーマロイ膜）５
を真空蒸着り化学エツチングあるいはスパッタエツチン
グによシ目的のパターンに加工する。次にＡ （１−Ｃ
ｕ膜６をスパッタにより形成しプラズマエツチングによ
り目的のパターンに加工する。このｋｌ−Ｃｕ膜６はリ
ードとなるものである。次に上記Ｎｉ −Ｆｅ膜膜上上
ＳｉＯ□等の絶縁膜７をスパッタによ膜形成する。次に
上記絶縁膜７上にＮ ｉ −Ｆ ｅ等からなる磁気シー
ルド層８を形成する。第１図（ｃ）の９は磁気テープで
ある。
ところで以上の構造の薄膜ＭＲヘッドには次の欠点があ
る。即ち、高密度記録を達成するだめにはフェライト基
板１と磁気ンールド層どの間に存在する各絶縁膜の膜厚
を極力薄くして、シールド間距離を狭くすることによっ
て分解能を上げる必要があるのであるが、第２図のグラ
フＡに示す如く高抗磁力膜３とＮｉ−Ｆｅ膜５との間の
距離、つまり絶縁膜４の膜厚を極度に薄くすると（特に
２０００Ａより薄くすると）Ｎｉ−Ｆｅ膜５の磁化容易
軸方向の抗磁力Ｈ６Ｅが増加し磁気特性が劣化する（ヒ
ステリシスが生ずる）のである。
る。即ち、高密度記録を達成するだめにはフェライト基
板１と磁気ンールド層どの間に存在する各絶縁膜の膜厚
を極力薄くして、シールド間距離を狭くすることによっ
て分解能を上げる必要があるのであるが、第２図のグラ
フＡに示す如く高抗磁力膜３とＮｉ−Ｆｅ膜５との間の
距離、つまり絶縁膜４の膜厚を極度に薄くすると（特に
２０００Ａより薄くすると）Ｎｉ−Ｆｅ膜５の磁化容易
軸方向の抗磁力Ｈ６Ｅが増加し磁気特性が劣化する（ヒ
ステリシスが生ずる）のである。
〈目 的〉
本発明は以上の従来欠点に鑑みてなされたものであり、
ＭＲ素子の磁化容易軸方向の抗磁力Ｉ（ＣＥの減少を計
ることを目的とするものである。
ＭＲ素子の磁化容易軸方向の抗磁力Ｉ（ＣＥの減少を計
ることを目的とするものである。
〈実施例〉
以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施
例について詳細に説明する。
例について詳細に説明する。
第３図は本発明に係る製法によって作成した薄膜磁気ヘ
ッドの正面断面図である。以下に同図の薄膜磁気ヘッド
の製造手順について説明する。
ッドの正面断面図である。以下に同図の薄膜磁気ヘッド
の製造手順について説明する。
まずｈ’ｉ ｎ −Ｚ ｎ等のフェライト拭板１に５ｉ
０２等の絶縁膜２をスパッタによ膜形成する。次に上記
絶縁膜２上にＭＲ素子として一軸磁気異方性を有する金
属強磁性膜であるＮ ｉ −Ｆ ｅ膜（パーマロイ膜）
５を真空蒸着し化学エツチングあるいはスパッタエツチ
ングにより目的のパターンに加工する。次にＡｌ−Ｃｕ
膜６をスパッタによ膜形成しプラズマエツチングにより
目的のパターンに加工する。次に上記Ｎ ｉ −Ｆ ｅ
膜５上にＳｉＯ□等の絶縁膜４をスパッタにより形成す
る。次に上記絶縁膜４上に磁気バイアス用のＣｏ−Ｐ等
の高抗磁力膜３をスパッタによ膜形成し化学エツチング
あるいはスパッタエツチングにより目的のパターンに加
工する。次に上記高抗磁力膜３上にＳ ｉ ０２等の絶
縁膜７をスパッタにより形成する。次に上記絶縁膜７上
にＮｉ−Ｆｅ等からなる磁気シールド層８を形成する。
０２等の絶縁膜２をスパッタによ膜形成する。次に上記
絶縁膜２上にＭＲ素子として一軸磁気異方性を有する金
属強磁性膜であるＮ ｉ −Ｆ ｅ膜（パーマロイ膜）
５を真空蒸着し化学エツチングあるいはスパッタエツチ
ングにより目的のパターンに加工する。次にＡｌ−Ｃｕ
膜６をスパッタによ膜形成しプラズマエツチングにより
目的のパターンに加工する。次に上記Ｎ ｉ −Ｆ ｅ
膜５上にＳｉＯ□等の絶縁膜４をスパッタにより形成す
る。次に上記絶縁膜４上に磁気バイアス用のＣｏ−Ｐ等
の高抗磁力膜３をスパッタによ膜形成し化学エツチング
あるいはスパッタエツチングにより目的のパターンに加
工する。次に上記高抗磁力膜３上にＳ ｉ ０２等の絶
縁膜７をスパッタにより形成する。次に上記絶縁膜７上
にＮｉ−Ｆｅ等からなる磁気シールド層８を形成する。
以上の説明の如く本発明に係る薄膜ＭＲヘッドの製造方
法では一軸異方性を有する金属強磁性層を形成した後で
高抗磁力強磁性薄膜を形成するものである。この形成順
序によって一軸異方性を有する金属強磁性層（Ｎｉ−Ｆ
ｅ膜５）の磁気特性が良好になるのである。即ち従来の
如く高抗磁力強磁性薄膜を形成した後にＳｉｇｈ層を介
して一軸磁気異方性を有する金属強磁性層を形成すると
、その金属強磁性層形成時には下側に既に形成された高
抗磁力強磁性薄膜からの漏洩磁界の影響下において膜形
成がなされる為、第２図のＡの曲線の如＜３．ｉＯｚ層
の膜厚が薄くなるにつれてＨＣＥが増加するものである
が、本発明の如く金属強磁性層を形成した後に５ｉ０２
等の絶縁層を介して高抗磁力強磁性薄膜を形成した場合
は、金属強磁性層形成時において高抗磁力強磁性薄膜か
らの漏洩磁界の影響がないので金属強磁性層のＨＣＥは
従来の製法に比べて増加しないものである。第２図の曲
線Ｂは本発明に係る製法を用いた場合の金属強磁性層の
ＨＣＥの値を示している。この曲線ＢのＩＣＥの若干の
増加はヘッド完成照点での金属強磁性層と高抗磁力強磁
性薄膜との間の磁気的和瓦作用によって増加するもので
ある。
法では一軸異方性を有する金属強磁性層を形成した後で
高抗磁力強磁性薄膜を形成するものである。この形成順
序によって一軸異方性を有する金属強磁性層（Ｎｉ−Ｆ
ｅ膜５）の磁気特性が良好になるのである。即ち従来の
如く高抗磁力強磁性薄膜を形成した後にＳｉｇｈ層を介
して一軸磁気異方性を有する金属強磁性層を形成すると
、その金属強磁性層形成時には下側に既に形成された高
抗磁力強磁性薄膜からの漏洩磁界の影響下において膜形
成がなされる為、第２図のＡの曲線の如＜３．ｉＯｚ層
の膜厚が薄くなるにつれてＨＣＥが増加するものである
が、本発明の如く金属強磁性層を形成した後に５ｉ０２
等の絶縁層を介して高抗磁力強磁性薄膜を形成した場合
は、金属強磁性層形成時において高抗磁力強磁性薄膜か
らの漏洩磁界の影響がないので金属強磁性層のＨＣＥは
従来の製法に比べて増加しないものである。第２図の曲
線Ｂは本発明に係る製法を用いた場合の金属強磁性層の
ＨＣＥの値を示している。この曲線ＢのＩＣＥの若干の
増加はヘッド完成照点での金属強磁性層と高抗磁力強磁
性薄膜との間の磁気的和瓦作用によって増加するもので
ある。
ここで金属強磁性層と高抗磁力強磁性薄膜の間の５ｉ（
ｈ等の絶縁層が２０００Ａ以１−厚い場合には金属強磁
性層のＩＣＥは上述した膜形成順序に依存しない事が判
明している。従って本発明が効力を発揮するのは金属強
磁性層と高抗磁力強磁性薄膜との間の絶縁層の膜厚が２
０００λ以下の時である。
ｈ等の絶縁層が２０００Ａ以１−厚い場合には金属強磁
性層のＩＣＥは上述した膜形成順序に依存しない事が判
明している。従って本発明が効力を発揮するのは金属強
磁性層と高抗磁力強磁性薄膜との間の絶縁層の膜厚が２
０００λ以下の時である。
〈効 果〉
以上説明した本発明によｎば比較的容易な手段にてＭＲ
素子の磁気的特性の劣化を防止することができるもので
ある。
素子の磁気的特性の劣化を防止することができるもので
ある。
第１図は従来の薄膜ＭＲヘッドの構造を示し同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’切断面で
の正面断面図、同図（ｃ）は若干拡大した側面断面図、
第２図は絶縁膜膜厚とＭＲ素子のＩＣＥの関係を示すグ
ラフ図、第３図は本発明に係る薄膜ＭＲヘッドの製造方
法を用いて作成したヘッドの正面断面図を示す。 図中、１：フェライト基板 ２．４．７ ：絶縁膜３
：高抗磁力膜 ５：Ｎｉ−Ｆｅ膜６：Ａｌ−Ｃｕ
膜 ８：磁気シールド層代理人 弁理士 福
士 愛 彦（他２名）ｔσノ ｌｂノ ４第７１１２１ 虻、咋層タウ４ゴ ｔＪノ ｒ子安芒ヨ千せ−一一
は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’切断面で
の正面断面図、同図（ｃ）は若干拡大した側面断面図、
第２図は絶縁膜膜厚とＭＲ素子のＩＣＥの関係を示すグ
ラフ図、第３図は本発明に係る薄膜ＭＲヘッドの製造方
法を用いて作成したヘッドの正面断面図を示す。 図中、１：フェライト基板 ２．４．７ ：絶縁膜３
：高抗磁力膜 ５：Ｎｉ−Ｆｅ膜６：Ａｌ−Ｃｕ
膜 ８：磁気シールド層代理人 弁理士 福
士 愛 彦（他２名）ｔσノ ｌｂノ ４第７１１２１ 虻、咋層タウ４ゴ ｔＪノ ｒ子安芒ヨ千せ−一一
Claims (1)
- １、 下側磁気シールド層と、第１の非磁性絶縁層と、
バイアス磁界を印加するだめの１１°、゛１抗磁力強磁
性薄膜と、第２の非磁性絶縁層と、−輔磁気異方性を有
する金属強磁性薄膜と、第３の非磁性絶縁層と、上側磁
気シールド層とがＤ加１距に層設される薄膜磁気ヘッド
の製造方法であって、前記第２の非磁性絶縁層の膜厚を
２０００Ａ以下とし、前記金属強磁性薄膜を膜形成した
後で前記第２の非磁性絶縁層及び前記高抗磁力強磁性薄
膜を膜形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19728682A JPS5987615A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19728682A JPS5987615A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987615A true JPS5987615A (ja) | 1984-05-21 |
Family
ID=16371933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19728682A Pending JPS5987615A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987615A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01279409A (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-09 | Sharp Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US5402292A (en) * | 1991-09-27 | 1995-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head using high coercion films |
-
1982
- 1982-11-09 JP JP19728682A patent/JPS5987615A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01279409A (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-09 | Sharp Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US5402292A (en) * | 1991-09-27 | 1995-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head using high coercion films |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6034847A (en) | Apparatus and thin film magnetic head with magnetic membrane layers of different resistivity | |
| US5771141A (en) | Magnetoresistive head and magnetic recording/reproducing apparatus | |
| US5776537A (en) | Method of characterizing exchange coupling for magnetoresistive sensor | |
| US5556718A (en) | Magnetoresistive head | |
| US6120920A (en) | Magneto-resistive effect magnetic head | |
| JPH05135332A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘツドおよびそれを用いた磁気記録装置 | |
| JPH048848B2 (ja) | ||
| JPS5987615A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JP3378549B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0447890B2 (ja) | ||
| JPS5987616A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP2510625B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JP3120012B2 (ja) | 磁気センサとそれを用いた磁気記録再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 | |
| JP3089886B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS61248214A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS63129511A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド | |
| JPH09305924A (ja) | 磁気抵抗効果型感磁素子及びこれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH11213347A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH0845035A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS61134913A (ja) | 磁気抵抗型薄膜ヘツド | |
| JPS59107417A (ja) | 永久磁石バイアス型磁気抵抗効果磁気ヘツド | |
| JPS5971124A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH03108112A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 | |
| JPS63117308A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JPS62154317A (ja) | 薄膜磁気ヘツド |