JPS62154317A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS62154317A JPS62154317A JP29805085A JP29805085A JPS62154317A JP S62154317 A JPS62154317 A JP S62154317A JP 29805085 A JP29805085 A JP 29805085A JP 29805085 A JP29805085 A JP 29805085A JP S62154317 A JPS62154317 A JP S62154317A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- yoke
- stress
- films
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は強磁性薄膜の磁気抵抗効果を応用した磁気抵抗
効果素子（以下ＭＲ素子と称す）を用いて磁気記録媒体
に記録された信号の検出を行なう薄膜磁気ヘッドに関す
る。
効果素子（以下ＭＲ素子と称す）を用いて磁気記録媒体
に記録された信号の検出を行なう薄膜磁気ヘッドに関す
る。
く従来技術〉
強磁性薄膜の磁気抵抗効果を利用した薄膜磁気ヘッドは
、一般に多用されている巻線型磁気ヘッドと比較して多
くの利点を有することが知られている。即ち上記薄膜磁
気ヘッドは磁気記録媒体に記録された磁化パターンから
発生する信号磁界を受け、これをＭＲ素子の抵抗変化に
基く電圧変化として取り出すものであるため、磁気記録
媒体の移送速度に依存せずに信号を再生することができ
、特に磁気記録媒体の移送速度が低い場合に巻線型の磁
気ヘッドよりも高出力の再生信号が得られるという利点
を備えている。実際の使用に際してはＭＲ素子単体で薄
膜磁気ヘッドを構成するよりもＭＲ素子部をヘッド先端
から離し、磁気記録媒体にて発生した磁束をＭＲ素子部
まで導く磁束導入路（ヨーク）を配置した第２図の如き
構造の通常ヨークタイプＭＲヘッド（以下ＹＭＲヘッド
と称す）と呼ばれる薄膜磁気ヘッドの方が信号の分解能
の同上やＭＲ素子の耐久性の同上の為に有効であり、近
年このタイプのヘッドが固定ヘッド・ディジタルオーデ
ィオ用再生ヘッドとして注目されている（第８回日本応
用磁気学会学術講演概要集（１９８４）１４ＦＢ−１１
ｒヨークタイプＭＲヘッドの再生特性」参照）。
、一般に多用されている巻線型磁気ヘッドと比較して多
くの利点を有することが知られている。即ち上記薄膜磁
気ヘッドは磁気記録媒体に記録された磁化パターンから
発生する信号磁界を受け、これをＭＲ素子の抵抗変化に
基く電圧変化として取り出すものであるため、磁気記録
媒体の移送速度に依存せずに信号を再生することができ
、特に磁気記録媒体の移送速度が低い場合に巻線型の磁
気ヘッドよりも高出力の再生信号が得られるという利点
を備えている。実際の使用に際してはＭＲ素子単体で薄
膜磁気ヘッドを構成するよりもＭＲ素子部をヘッド先端
から離し、磁気記録媒体にて発生した磁束をＭＲ素子部
まで導く磁束導入路（ヨーク）を配置した第２図の如き
構造の通常ヨークタイプＭＲヘッド（以下ＹＭＲヘッド
と称す）と呼ばれる薄膜磁気ヘッドの方が信号の分解能
の同上やＭＲ素子の耐久性の同上の為に有効であり、近
年このタイプのヘッドが固定ヘッド・ディジタルオーデ
ィオ用再生ヘッドとして注目されている（第８回日本応
用磁気学会学術講演概要集（１９８４）１４ＦＢ−１１
ｒヨークタイプＭＲヘッドの再生特性」参照）。
第２図は従来のＹＭＲヘッドのトラック幅方向に垂直な
方向の断面図である。上側ヨーク７．８は通常０．５〜
１．０μｍ 程度の膜厚のパーマロイ膜で作製されてお
り磁気記録媒体（磁気テープ）１０で発生した磁界をＭ
ＲＲ子５に導くための磁路となる。ＭＲＲ子５はパーマ
ロイ蒸着膜で作製きれ、の約５０μｍｖｃ設定されてい
る。またＭＲＲ子５にバイアス磁界を印加するためにＡ
ｔ−Ｃｕから成る導体４が絶縁膜２．３間に配設されて
いる。尚、３′も絶縁膜である。ヘンドギャソプ６は実
際に使用される記録波長が最小０．５μｍ程度であるの
で０．２乃至０．３μｍ程度に設定される。下側ヨーク
Ｉは高透磁率磁性体から成り、一般には多結晶ＮｉＺｎ
フェライト基板や単結晶（又は多結晶）ＭｎＺｎフェラ
イト基板が用いられる。トラック幅は通常ＹＭＲヘッド
が多トラツク構成となるため５０μｍ程度に設定される
。
方向の断面図である。上側ヨーク７．８は通常０．５〜
１．０μｍ 程度の膜厚のパーマロイ膜で作製されてお
り磁気記録媒体（磁気テープ）１０で発生した磁界をＭ
ＲＲ子５に導くための磁路となる。ＭＲＲ子５はパーマ
ロイ蒸着膜で作製きれ、の約５０μｍｖｃ設定されてい
る。またＭＲＲ子５にバイアス磁界を印加するためにＡ
ｔ−Ｃｕから成る導体４が絶縁膜２．３間に配設されて
いる。尚、３′も絶縁膜である。ヘンドギャソプ６は実
際に使用される記録波長が最小０．５μｍ程度であるの
で０．２乃至０．３μｍ程度に設定される。下側ヨーク
Ｉは高透磁率磁性体から成り、一般には多結晶ＮｉＺｎ
フェライト基板や単結晶（又は多結晶）ＭｎＺｎフェラ
イト基板が用いられる。トラック幅は通常ＹＭＲヘッド
が多トラツク構成となるため５０μｍ程度に設定される
。
上記の如（ＭＲ素子を構成した薄膜磁気ヘッドにおいて
、ＭＲＲ子５を作製する際にその磁化容易軸はトラック
幅方向に選ばれている。又、バイアス磁場発生用の電流
ＩＢ（以下バイアス電流ＩＢさ称す）を導体４（以下バ
イアス導体と称す）て流すことにより、ＭＲＲ子５部に
所要のバイアス磁場を与え、ＭＲＲ子５の動作点を線型
性の良い点に移動させている。又、ＭＲＲ子５のトラッ
ク幅方向にセンス電流Ｉｓを流し、磁気媒体１０より発
生する信号磁場をＭＲ素素子５端端電圧変化に変換する
。尚、このときＭＲＲ子５から得られる出力信号の中に
は、ＭＲ素子５内部の磁区が不連続に移動することに起
因するバルク・ノ・ウゼン・ノイズが含まれており、こ
のノイズは上記Ｙ Ｍ Ｒヘッドの出力信号処理を行う
上で極めて悪い影響を与えることが知られている（上記
第８回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９８４）１
４ＰＢ−Ｉ＋「ヨークタイプＭＲヘッドの再生特性」参
照）。
、ＭＲＲ子５を作製する際にその磁化容易軸はトラック
幅方向に選ばれている。又、バイアス磁場発生用の電流
ＩＢ（以下バイアス電流ＩＢさ称す）を導体４（以下バ
イアス導体と称す）て流すことにより、ＭＲＲ子５部に
所要のバイアス磁場を与え、ＭＲＲ子５の動作点を線型
性の良い点に移動させている。又、ＭＲＲ子５のトラッ
ク幅方向にセンス電流Ｉｓを流し、磁気媒体１０より発
生する信号磁場をＭＲ素素子５端端電圧変化に変換する
。尚、このときＭＲＲ子５から得られる出力信号の中に
は、ＭＲ素子５内部の磁区が不連続に移動することに起
因するバルク・ノ・ウゼン・ノイズが含まれており、こ
のノイズは上記Ｙ Ｍ Ｒヘッドの出力信号処理を行う
上で極めて悪い影響を与えることが知られている（上記
第８回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９８４）１
４ＰＢ−Ｉ＋「ヨークタイプＭＲヘッドの再生特性」参
照）。
バルク・ハウゼン・ノイズは前記したようにＭＲ素子５
内部の磁区の移動に起因するものであるが、そもそもＭ
Ｒ素子５内部に磁区が発生し不連続に移動する原因とし
ては、ＭＲ素子５内部の磁気異方性の乱れ（以下、異方
性分散と称す）が挙げられる。ＭＲＲ子５は第３図の平
面図中の符号に−に′ で示すようにそのトラック幅方
向に磁化容易軸を持つように成膜されるが、種々の外的
要因の影響により薄膜磁気ヘッド完成時にはこの一軸異
方性は乱される。この外的要因としては、ヘッド製作工
程における熱履歴等によりＭＲＲ子５の膜自身が劣化し
異方性分散が増大することや、ＭＲＲ子５の膜に外部よ
り応力が加わり、ＭＲＲ子５の膜の逆磁歪効果により応
力誘起の磁気異方性がＭＲＲ子膜の中に発生し成膜時の
一軸異方性を乱すことなどが挙げられる。
内部の磁区の移動に起因するものであるが、そもそもＭ
Ｒ素子５内部に磁区が発生し不連続に移動する原因とし
ては、ＭＲ素子５内部の磁気異方性の乱れ（以下、異方
性分散と称す）が挙げられる。ＭＲＲ子５は第３図の平
面図中の符号に−に′ で示すようにそのトラック幅方
向に磁化容易軸を持つように成膜されるが、種々の外的
要因の影響により薄膜磁気ヘッド完成時にはこの一軸異
方性は乱される。この外的要因としては、ヘッド製作工
程における熱履歴等によりＭＲＲ子５の膜自身が劣化し
異方性分散が増大することや、ＭＲＲ子５の膜に外部よ
り応力が加わり、ＭＲＲ子５の膜の逆磁歪効果により応
力誘起の磁気異方性がＭＲＲ子膜の中に発生し成膜時の
一軸異方性を乱すことなどが挙げられる。
ＭＲＲ子５の膜に加わる外部からの応力としてはＭＲＲ
子５の上に積層される薄膜である第３図に示すギャップ
用絶縁膜３′、第１のヨーク膜７、第２のヨーク膜８Ｖ
Ｃおいて発生する内部応力の反作用としてＭＲＲ子５に
加わる力が考えられる。
子５の上に積層される薄膜である第３図に示すギャップ
用絶縁膜３′、第１のヨーク膜７、第２のヨーク膜８Ｖ
Ｃおいて発生する内部応力の反作用としてＭＲＲ子５に
加わる力が考えられる。
ここで、上記したいずれの膜も内部応力は等吉例と考え
られるので、ギャップ用絶縁膜３′のようにＭＲＲ子５
の上に一様に被着されている膜ではＭＲＲ子５に加わる
応力は等吉例と考えられ、従って己れを基にしてＭＲＲ
子５には、応力誘起の磁気異方性は発生しないと考えら
れる。しかし、ヨーク膜７，８のようＫＭＲ素子５近傍
においてパターン化されて被着されている膜からは、Ｍ
ＲＲ子５Ｖｃ異方的な応力が加わる為、これを原因とす
る応力誘起の磁気異方性がＭＲＲ子５Ｖｃおいて発生す
る。この現象を第４図に示す。第４図において第１．第
２のヨーク膜７，８の内部応力を圧縮応力δＹとすると
ＭＲＲ子５には図中のａＭＲ、δ’ＭＲで示す応力が発
生し、ここでＭ Ｒ素子部の磁歪定数λＳが負であると
、応力誘起の磁気異方性Ｈトラック幅方向（成膜時のＭ
Ｒ素子の異方性の方向）と垂直な方向に発生する。従っ
て異方性の回きが２軸になり成膜時の磁気異方性が乱さ
れ異方性分散が増大し、バルク・ハウゼン・ノイズの原
因トなる。このように、ヨーク膜の内部応力はＭＲＲ子
部に応力誘起の異方性を発生させるため、ヘッド特性に
有害な影響を与えるが、ヨーク膜を内部応力が零の状態
で成膜することは、現実的には困難である。すなわち、
ヨーク材としては、Ｆｅ−、Ａｔ−Ｓｉ合金、Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金等がもちいられるが、スパッタ、蒸着、メッキ等
の成膜方法の何れの方法を用いても固有の内部応力を有
し、ヨーク材として要求される磁気特性を十分保ちつつ
内部応力を小さくすることは不可能であった。
られるので、ギャップ用絶縁膜３′のようにＭＲＲ子５
の上に一様に被着されている膜ではＭＲＲ子５に加わる
応力は等吉例と考えられ、従って己れを基にしてＭＲＲ
子５には、応力誘起の磁気異方性は発生しないと考えら
れる。しかし、ヨーク膜７，８のようＫＭＲ素子５近傍
においてパターン化されて被着されている膜からは、Ｍ
ＲＲ子５Ｖｃ異方的な応力が加わる為、これを原因とす
る応力誘起の磁気異方性がＭＲＲ子５Ｖｃおいて発生す
る。この現象を第４図に示す。第４図において第１．第
２のヨーク膜７，８の内部応力を圧縮応力δＹとすると
ＭＲＲ子５には図中のａＭＲ、δ’ＭＲで示す応力が発
生し、ここでＭ Ｒ素子部の磁歪定数λＳが負であると
、応力誘起の磁気異方性Ｈトラック幅方向（成膜時のＭ
Ｒ素子の異方性の方向）と垂直な方向に発生する。従っ
て異方性の回きが２軸になり成膜時の磁気異方性が乱さ
れ異方性分散が増大し、バルク・ハウゼン・ノイズの原
因トなる。このように、ヨーク膜の内部応力はＭＲＲ子
部に応力誘起の異方性を発生させるため、ヘッド特性に
有害な影響を与えるが、ヨーク膜を内部応力が零の状態
で成膜することは、現実的には困難である。すなわち、
ヨーク材としては、Ｆｅ−、Ａｔ−Ｓｉ合金、Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金等がもちいられるが、スパッタ、蒸着、メッキ等
の成膜方法の何れの方法を用いても固有の内部応力を有
し、ヨーク材として要求される磁気特性を十分保ちつつ
内部応力を小さくすることは不可能であった。
〈発明の目的〉
ここで本発明の目的は、上記のＭＲ素子特性に有害な影
響を与えるヨーク膜の内部応力を打ち消し若しくは低減
し、バルク・ノ・ウゼン・ノイズの少ないＹＭＲヘッド
を提供することにある。
響を与えるヨーク膜の内部応力を打ち消し若しくは低減
し、バルク・ノ・ウゼン・ノイズの少ないＹＭＲヘッド
を提供することにある。
〈実施例〉
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
もので、トラック幅方向に垂直な面における断面図を示
している。同図で第２図と同一部分は同一符号で示す。
もので、トラック幅方向に垂直な面における断面図を示
している。同図で第２図と同一部分は同一符号で示す。
第１図においてｌは高透磁率基板であり、例えばＮｉ−
Ｚｎフェライト基板が使用される。５はＭＲ素子部であ
り、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ等の強磁性薄膜で形成され
る。尚、これらの膜は有限な値の磁歪定数を有する。ギ
ヤツブ部絶縁膜６を被着加工した後に、ヨーク膜７，８
（例えばＮｉ−Ｆｅ膜）をスパッタリングで成膜すると
、そのヨーク膜７，８の内部応力は一般に強い圧縮応力
となる。従って、ＭＲ素子部５に加わる応力を打ち消す
ために、引っ張り応力を有する上記ヨーク膜７，８シて
対する応力キャンセル＠９をヨーク膜７，８上に、積層
した後に、イオンミリング法などのエツチング法により
、ヨーク膜７．８及び応力キャンセル膜９を二層同時に
所定のヨーク形状に加工する。上記応力キャンセル膜９
として１ＮｉＦｅの蒸Ｎ膜を使用した。
Ｚｎフェライト基板が使用される。５はＭＲ素子部であ
り、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ等の強磁性薄膜で形成され
る。尚、これらの膜は有限な値の磁歪定数を有する。ギ
ヤツブ部絶縁膜６を被着加工した後に、ヨーク膜７，８
（例えばＮｉ−Ｆｅ膜）をスパッタリングで成膜すると
、そのヨーク膜７，８の内部応力は一般に強い圧縮応力
となる。従って、ＭＲ素子部５に加わる応力を打ち消す
ために、引っ張り応力を有する上記ヨーク膜７，８シて
対する応力キャンセル＠９をヨーク膜７，８上に、積層
した後に、イオンミリング法などのエツチング法により
、ヨーク膜７．８及び応力キャンセル膜９を二層同時に
所定のヨーク形状に加工する。上記応力キャンセル膜９
として１ＮｉＦｅの蒸Ｎ膜を使用した。
第１図の薄膜磁気ヘッドに働く応力の様子を第５図に示
す。図中、δＹはヨーク膜７．８でろるＮｉ−Ｆｅスパ
ッタ膜の圧縮応力であり、δＣは応力キャンセル膜９で
あるＮｉ−Ｆｅ蒸着膜の引っ張り応力である。ここでＭ
Ｒ素子部５に加わる応力は（δＹ−δＣ）に比例するた
め、δＹ二δｃＶＣ選べばＭＲ素子部５１Ｃ加わる応力
を著しく低減することが可能である。
す。図中、δＹはヨーク膜７．８でろるＮｉ−Ｆｅスパ
ッタ膜の圧縮応力であり、δＣは応力キャンセル膜９で
あるＮｉ−Ｆｅ蒸着膜の引っ張り応力である。ここでＭ
Ｒ素子部５に加わる応力は（δＹ−δＣ）に比例するた
め、δＹ二δｃＶＣ選べばＭＲ素子部５１Ｃ加わる応力
を著しく低減することが可能である。
本実施例において使用したヨーク膜７．８のＮ１−Ｆｅ
スパッタ膜の内部応力は約−７ｘｌＯ９ｄｙｎｅ／ｃｍ
２であり、応力キャンセル膜９のＮｉ−Ｆｅ蒸着膜の内
部応力は約＋ｌ ５Ｘ Ｉ ０９ｄｙｎｅ ／Ｃ１ｎ２
であった。
スパッタ膜の内部応力は約−７ｘｌＯ９ｄｙｎｅ／ｃｍ
２であり、応力キャンセル膜９のＮｉ−Ｆｅ蒸着膜の内
部応力は約＋ｌ ５Ｘ Ｉ ０９ｄｙｎｅ ／Ｃ１ｎ２
であった。
従って、ＮｉＦｅスパンタ膜のｌ／２の膜厚のＮ１−Ｆ
６蒸層膜を積層することによりヨーク膜７，８と応力キ
ャンセル膜９の２層膜からＭＲ素子部５に加わる応力を
著しく低減できた。この様子を第６図に示す。同図はト
ラック幅方向と垂直な面における断面図であり、ヨーク
膜７．８に、そのｌ／２の膜厚の応力キャンセル膜９を
積層することにより、全体として応力がキャンセルされ
た状態を示す。
６蒸層膜を積層することによりヨーク膜７，８と応力キ
ャンセル膜９の２層膜からＭＲ素子部５に加わる応力を
著しく低減できた。この様子を第６図に示す。同図はト
ラック幅方向と垂直な面における断面図であり、ヨーク
膜７．８に、そのｌ／２の膜厚の応力キャンセル膜９を
積層することにより、全体として応力がキャンセルされ
た状態を示す。
第７図に一つの基板上に本発明に係る薄膜磁気ヘッドと
従来の薄膜磁気ヘッドの両方を並設した例を示す。同図
で各チップは、それぞれ２０トランクのヘッドから構成
される。このうち、斜線を付した８チツプは、本発明に
係る薄膜磁気ヘッド溝造乏し、残りの８チツプを従来の
薄膜磁気ヘッド構造とし、同一基板によって試作した−
０この様にした場合、本発明に係るヘッド（８チツプ）
のトラック（２０Ｘ８＝］６０ トラック）中バルク・
ハウゼン・ノイズの出現したトランクは’ ％）？ッ。
従来の薄膜磁気ヘッドの両方を並設した例を示す。同図
で各チップは、それぞれ２０トランクのヘッドから構成
される。このうち、斜線を付した８チツプは、本発明に
係る薄膜磁気ヘッド溝造乏し、残りの８チツプを従来の
薄膜磁気ヘッド構造とし、同一基板によって試作した−
０この様にした場合、本発明に係るヘッド（８チツプ）
のトラック（２０Ｘ８＝］６０ トラック）中バルク・
ハウゼン・ノイズの出現したトランクは’ ％）？ッ。
であり、一方従来の構造のヘッド（８チツプ）のトラッ
クについて（，１砕枯石ッ、であった。この様に、本発
明に係る薄膜磁気ヘッドではバルク・）・ウゼン・ノイ
ズの顕著な低減効果が得られた。
クについて（，１砕枯石ッ、であった。この様に、本発
明に係る薄膜磁気ヘッドではバルク・）・ウゼン・ノイ
ズの顕著な低減効果が得られた。
ここで、以上の実施例においてはヨーク膜７゜８として
スパッタリング法で成膜したＮｉ−Ｆｅ膜を用い、応力
キャンセル膜９，９として蒸着法で成膜したＮｉ−Ｆｅ
膜を用いた例を示したが、この逆の組み合わせでもよく
、更にこれ以外にもヨーク膜７，８及び応力キャンセル
膜９，９の組み合わせとして種々のものを使用可能であ
る。
スパッタリング法で成膜したＮｉ−Ｆｅ膜を用い、応力
キャンセル膜９，９として蒸着法で成膜したＮｉ−Ｆｅ
膜を用いた例を示したが、この逆の組み合わせでもよく
、更にこれ以外にもヨーク膜７，８及び応力キャンセル
膜９，９の組み合わせとして種々のものを使用可能であ
る。
即ちヨーク膜７，８として、Ｎ ｉ −Ｆ ｅ膜（圧縮
応力）、Ｆｅ−Ａｔ−Ｓｉ蒸着膜（引っ張り応力）、Ｆ
ｅ−ＡｔＳｉスパッタ膜（圧縮若しくは引っ張り応力）
、ＣＯに５ｉ、Ｂ、Ｐ等の反金属あるいはＺ ｒ＋Ｔｉ
＋ Ｎ ｌ） ＋ Ｔａ ＋ Ｈｆ ＋ Ｗ等の金１
ｉｌ’１ｌＯ−２０チ程度含有させてなるアモルファス
蒸着膜（引っ張り応力）、ｃｏにＳｉ、Ｂ、Ｐ等の反金
属あるいはＺｒ、 Ｔｉ、 Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｈｆ、〜
Ｖ等の遷移金属ｉ１０〜２０％程度含有させてなるアモ
ルファススパッタ膜（圧縮応力）が適用可能であり、一
方応力キャンセル膜９，９として上記ヨーク膜７，８の
適用可能な膜以外にＷ 、 Ｔ ｉ ＋ Ｔ ａ 、
Ｚ ｒ ＋ Ｎ ｂ ＋ Ｈｆ等の金属蒸着膜（引っ張
り応力）、Ｗ、 Ｔｉ、 Ｔａ、 Ｚｒ。
応力）、Ｆｅ−Ａｔ−Ｓｉ蒸着膜（引っ張り応力）、Ｆ
ｅ−ＡｔＳｉスパッタ膜（圧縮若しくは引っ張り応力）
、ＣＯに５ｉ、Ｂ、Ｐ等の反金属あるいはＺ ｒ＋Ｔｉ
＋ Ｎ ｌ） ＋ Ｔａ ＋ Ｈｆ ＋ Ｗ等の金１
ｉｌ’１ｌＯ−２０チ程度含有させてなるアモルファス
蒸着膜（引っ張り応力）、ｃｏにＳｉ、Ｂ、Ｐ等の反金
属あるいはＺｒ、 Ｔｉ、 Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｈｆ、〜
Ｖ等の遷移金属ｉ１０〜２０％程度含有させてなるアモ
ルファススパッタ膜（圧縮応力）が適用可能であり、一
方応力キャンセル膜９，９として上記ヨーク膜７，８の
適用可能な膜以外にＷ 、 Ｔ ｉ ＋ Ｔ ａ 、
Ｚ ｒ ＋ Ｎ ｂ ＋ Ｈｆ等の金属蒸着膜（引っ張
り応力）、Ｗ、 Ｔｉ、 Ｔａ、 Ｚｒ。
Ｎｂ、Ｈｆ等の金属スパッタ膜（圧縮応力） 、ＳｉＯ
２＋Ａｔ２０３． Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁物スパッタ膜（
圧縮応力）が適用可能である。但し互いに応力の向きが
反対のものを選択する必要があることは言うまでもない
。
２＋Ａｔ２０３． Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁物スパッタ膜（
圧縮応力）が適用可能である。但し互いに応力の向きが
反対のものを選択する必要があることは言うまでもない
。
ぐ発明の効果〉
以上説明した如く本発明によれば、ＭＲ素子部における
応力誘起の磁気異方性の発生を低減することが可能にな
り、その結果、バルク・ハウゼン・ノイズの少ない低雑
音のＹＭＲヘッドを実現することができるため、磁気媒
体からの信号を忠実に再生できる利点がある。
応力誘起の磁気異方性の発生を低減することが可能にな
り、その結果、バルク・ハウゼン・ノイズの少ない低雑
音のＹＭＲヘッドを実現することができるため、磁気媒
体からの信号を忠実に再生できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
図、第３図はその平面図、第４図はその応力の作用を示
す説明図、第５図、第６図は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの応力の作用を示す説明図、第７図は基板の平面図を
示す。 図中、１：高透磁率基板 ５：ＭＲ素子部６：ギヤツ
ブ部絶縁膜 ７．８：ヨーク膜 ９：Ｅ３カキャンセル膜 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）Ｏ 第３ 図 第４図
す説明図、第５図、第６図は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの応力の作用を示す説明図、第７図は基板の平面図を
示す。 図中、１：高透磁率基板 ５：ＭＲ素子部６：ギヤツ
ブ部絶縁膜 ７．８：ヨーク膜 ９：Ｅ３カキャンセル膜 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）Ｏ 第３ 図 第４図
Claims (1)
- １、磁気抵抗効果素子上に磁束を導く為のヨーク膜パタ
ーンが被覆され、該ヨーク膜パターン上に該ヨーク膜内
部に発生する応力を打ち消し若しくは低減せしめる応力
キャンセルが被覆されてなることを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29805085A JPS62154317A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 薄膜磁気ヘツド |
| DE19863644388 DE3644388A1 (de) | 1985-12-27 | 1986-12-24 | Duennfilm-joch-magnetkopf |
| US07/688,701 US5155644A (en) | 1985-12-27 | 1991-04-22 | Yoke thin film magnetic head constructed to avoid Barkhausen noises |
| US07/869,056 US5225951A (en) | 1985-12-27 | 1992-04-16 | Thin film magnetic head with reduced internal stresses |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29805085A JPS62154317A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154317A true JPS62154317A (ja) | 1987-07-09 |
| JPH0346885B2 JPH0346885B2 (ja) | 1991-07-17 |
Family
ID=17854482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29805085A Granted JPS62154317A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62154317A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0580027A2 (en) * | 1992-07-20 | 1994-01-26 | Read-Rite Corporation | Thin film magnetic head |
| JP2013232273A (ja) * | 2012-04-30 | 2013-11-14 | Seagate Technology Llc | データ記憶装置 |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP29805085A patent/JPS62154317A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0580027A2 (en) * | 1992-07-20 | 1994-01-26 | Read-Rite Corporation | Thin film magnetic head |
| EP0580027A3 (ja) * | 1992-07-20 | 1994-08-03 | Read Rite Corp | |
| JP2013232273A (ja) * | 2012-04-30 | 2013-11-14 | Seagate Technology Llc | データ記憶装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0346885B2 (ja) | 1991-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20020164828A1 (en) | Tunneling magnetoresistance transducer and method for manufacturing the same | |
| GB2387711A (en) | Magnetic sensing element with multi-layer free layer | |
| JP3050189B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
| US5668687A (en) | Magnetoresistive sensor employing an exchange-bias enhancing layer with a variable-composition transition region | |
| US20020034661A1 (en) | Method of manufacturing a spin valve structure | |
| JPH0572644B2 (ja) | ||
| JPH06274833A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS62154317A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0684144A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH0447890B2 (ja) | ||
| JPS61134913A (ja) | 磁気抵抗型薄膜ヘツド | |
| JP3130407B2 (ja) | 磁性膜の製法および薄膜磁気ヘッド | |
| JPS5987616A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS63129511A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド | |
| JPS61248214A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP2001250205A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0498608A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS5987615A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JP3008910B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子，磁気抵抗効果型ヘッドおよびこれを用いた磁気記録再生装置 | |
| JP2661068B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2001084531A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JP2569623B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JP3333945B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2000311314A (ja) | ヨーク型磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JP3180778B2 (ja) | スピンバルブ型磁気抵抗効果ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |