JPS59107417A - 永久磁石バイアス型磁気抵抗効果磁気ヘツド - Google Patents
永久磁石バイアス型磁気抵抗効果磁気ヘツドInfo
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- JPS59107417A JPS59107417A JP57216819A JP21681982A JPS59107417A JP S59107417 A JPS59107417 A JP S59107417A JP 57216819 A JP57216819 A JP 57216819A JP 21681982 A JP21681982 A JP 21681982A JP S59107417 A JPS59107417 A JP S59107417A
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- permanent magnet
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は再生用磁気ヘッドに係シ、特に高密度磁気記録
媒体に好適な永久磁石バイアス型磁気抵抗効果磁気ヘッ
ドに関する。
媒体に好適な永久磁石バイアス型磁気抵抗効果磁気ヘッ
ドに関する。
磁気ディスク記録装置、各種磁気テープ記録装置におい
ては、情報処理量の増大によシ、ますます大容量、高密
度化が要求されておシ、これに伴なって高密度記録技術
が必要となっている。これにともなって、当該磁気記録
装置に使用する磁気ヘッドも高密度記録に対する改善、
すなわち、記録トラック幅、記録波長の短縮が行なわれ
るとともに再生専用の磁気ヘッドについてもこれに対応
する種々の改善が行なわれている。
ては、情報処理量の増大によシ、ますます大容量、高密
度化が要求されておシ、これに伴なって高密度記録技術
が必要となっている。これにともなって、当該磁気記録
装置に使用する磁気ヘッドも高密度記録に対する改善、
すなわち、記録トラック幅、記録波長の短縮が行なわれ
るとともに再生専用の磁気ヘッドについてもこれに対応
する種々の改善が行なわれている。
このような目的で使用される再生用磁気ヘッドに軟磁性
材料、例えばパーマロイ等の細長薄膜素子（長手方向が
磁化容易軸方向）を用いた磁気抵抗効果磁気ヘッドがあ
る。この磁気ヘッドは磁気抵抗効果薄膜素子の磁化困難
軸方向（記録媒体からの信号磁場侵入方向）にバイアス
磁場にバイアス磁場を印加することが必要である。この
バイアス磁場の印加方法としては、磁気抵抗効果薄膜素
子の長手方向に平行に電流線を設ける電流バイアス法、
該素子に近接して該素子の長手方向に直角な磁場を作る
永久磁石を設ける永久磁石バイアス法、該素子の長手方
向にシャント電流ｆｉｌｆ：設けるシャントバイアス法
などの方法がある。しかし、これらのうちで、永久磁石
バイアス型磁気抵抗効果磁気ヘッドは電流線への通電が
不要なため、通電に必要な装置類が不要のほか、当該磁
気ヘッドの作製工程も短縮され、技術的、原価的に他の
素子に比較して有利である。
材料、例えばパーマロイ等の細長薄膜素子（長手方向が
磁化容易軸方向）を用いた磁気抵抗効果磁気ヘッドがあ
る。この磁気ヘッドは磁気抵抗効果薄膜素子の磁化困難
軸方向（記録媒体からの信号磁場侵入方向）にバイアス
磁場にバイアス磁場を印加することが必要である。この
バイアス磁場の印加方法としては、磁気抵抗効果薄膜素
子の長手方向に平行に電流線を設ける電流バイアス法、
該素子に近接して該素子の長手方向に直角な磁場を作る
永久磁石を設ける永久磁石バイアス法、該素子の長手方
向にシャント電流ｆｉｌｆ：設けるシャントバイアス法
などの方法がある。しかし、これらのうちで、永久磁石
バイアス型磁気抵抗効果磁気ヘッドは電流線への通電が
不要なため、通電に必要な装置類が不要のほか、当該磁
気ヘッドの作製工程も短縮され、技術的、原価的に他の
素子に比較して有利である。
永久磁石バイアス型磁気抵抗効果磁気ヘッドでは所望の
バイアス磁界を得るために、磁気抵抗効果薄膜素子に近
接した永久磁石膜を必要とする。
バイアス磁界を得るために、磁気抵抗効果薄膜素子に近
接した永久磁石膜を必要とする。
従来、この永久磁石膜の材料としては、Ｆｅ３０．やｒ
−Ｆｅ２０３が用いられているが、これらは反応性スパ
ッタリング、あるいは、スパッタリングとその後の相変
態処理が必要であシ、作製法が極めて繁雑である。また
、上記の処理に伴なって薄膜表面に割れや凹凸が発生し
たシ、不均一な相変態のために磁気特性にばらつきが生
じやすい欠点がある。
−Ｆｅ２０３が用いられているが、これらは反応性スパ
ッタリング、あるいは、スパッタリングとその後の相変
態処理が必要であシ、作製法が極めて繁雑である。また
、上記の処理に伴なって薄膜表面に割れや凹凸が発生し
たシ、不均一な相変態のために磁気特性にばらつきが生
じやすい欠点がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、作製が容易で、磁気抵抗効果素子に印
加されるバイアス磁界のばらつきが少ない、磁気的に安
定なバイアス用永久磁石膜を有する磁気抵抗効果磁気ヘ
ッドを提供することにある。
加されるバイアス磁界のばらつきが少ない、磁気的に安
定なバイアス用永久磁石膜を有する磁気抵抗効果磁気ヘ
ッドを提供することにある。
〔発明の概要〕 −
従来永久磁石バイアス型磁気抵抗効果磁気ヘッドに用い
られていたＦｅ３Ｏ４膜あるいはγ−Ｆｅ２Ｏ３膜に対
して、ＣＯｌあるいはＣｏｆ主成分とする合金などの金
属永久磁石！ＩＡは真空蒸着、スパッタリング蒸着した
ままの状態で、保磁力の大きい薄膜が得られ、作製工程
も簡単であシ、表面のあれなどの問題も小ない。金属あ
るいは合金系の永久磁石は塊状では多数開発されている
が、薄膜では基板上に形成されるため熱処理等に制限が
あシ、真空蒸着、あるいはスパッタリング蒸着のままで
、保磁力の大きな薄膜が得られるものは数少なく、ＣＯ
を基板に対して斜方蒸着した膜やＣ０−Ｒｅ 。
られていたＦｅ３Ｏ４膜あるいはγ−Ｆｅ２Ｏ３膜に対
して、ＣＯｌあるいはＣｏｆ主成分とする合金などの金
属永久磁石！ＩＡは真空蒸着、スパッタリング蒸着した
ままの状態で、保磁力の大きい薄膜が得られ、作製工程
も簡単であシ、表面のあれなどの問題も小ない。金属あ
るいは合金系の永久磁石は塊状では多数開発されている
が、薄膜では基板上に形成されるため熱処理等に制限が
あシ、真空蒸着、あるいはスパッタリング蒸着のままで
、保磁力の大きな薄膜が得られるものは数少なく、ＣＯ
を基板に対して斜方蒸着した膜やＣ０−Ｒｅ 。
Ｃｏ−Ｎ１−Ｗ、Ｃｏ−Ｐｔ合金スパッタリング膜など
が知られているだけである。この中で保磁力が８００〜
１００００ｅ、残留磁束密度が５００００以上の薄膜は
ＣＯ斜方蒸着膜とＣｏ−ｐｔスパッタリング膜だけであ
る。これらの中、ｃｏ−Ｐｔ合金膜には磁気特性の膜形
成基板面内での異方性はないが、ＣＯ斜方蒸着膜の場合
には膜形成基板面内で磁気的特性、たとえば保磁力など
が異方性をもつ。したがって、ＣＯ斜方蒸着膜を永久磁
石バイアス型磁気抵抗効果磁気ヘッドの磁気バイアス用
薄膜として使用する場合には、ｃｏ斜方蒸着膜の磁気的
特性の異方性と”ＵＫ磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子の
必要とするバイアス磁界方向との関係を最適にして使用
することが必要である。本発明は、永久磁石バイアス型
磁気抵抗効果磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果薄膜素
子の磁化困鵬軸方向とＣＯ斜方蒸着膜の蒸着方向とをは
ｙ一致させることにより、ＣＯ斜方蒸着膜を永久磁石バ
イアス膜として最も有効に利用するようにしたものであ
る。これによって、バイアス磁界強度のばらつきや外部
からの磁界によるバイアス膜の減磁現象などを最小にで
きる効果があシ、磁気的に安定な永久磁石バイアス型磁
気抵抗効果磁気ヘッドを得ることができる。
が知られているだけである。この中で保磁力が８００〜
１００００ｅ、残留磁束密度が５００００以上の薄膜は
ＣＯ斜方蒸着膜とＣｏ−ｐｔスパッタリング膜だけであ
る。これらの中、ｃｏ−Ｐｔ合金膜には磁気特性の膜形
成基板面内での異方性はないが、ＣＯ斜方蒸着膜の場合
には膜形成基板面内で磁気的特性、たとえば保磁力など
が異方性をもつ。したがって、ＣＯ斜方蒸着膜を永久磁
石バイアス型磁気抵抗効果磁気ヘッドの磁気バイアス用
薄膜として使用する場合には、ｃｏ斜方蒸着膜の磁気的
特性の異方性と”ＵＫ磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子の
必要とするバイアス磁界方向との関係を最適にして使用
することが必要である。本発明は、永久磁石バイアス型
磁気抵抗効果磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果薄膜素
子の磁化困鵬軸方向とＣＯ斜方蒸着膜の蒸着方向とをは
ｙ一致させることにより、ＣＯ斜方蒸着膜を永久磁石バ
イアス膜として最も有効に利用するようにしたものであ
る。これによって、バイアス磁界強度のばらつきや外部
からの磁界によるバイアス膜の減磁現象などを最小にで
きる効果があシ、磁気的に安定な永久磁石バイアス型磁
気抵抗効果磁気ヘッドを得ることができる。
まず、本発明に使用する永久磁石バイアス型磁気ヘッド
の構造を第１図及び第２図に示す。第１図において、図
（ａ）は断面図、図Φ）は部分平面図である。
の構造を第１図及び第２図に示す。第１図において、図
（ａ）は断面図、図Φ）は部分平面図である。
第１図において、１はガラス等からなる絶縁基板、２は
、その上に設けた長方形のＣｏ又はＣＯを主成分とする
合金の斜方蒸着膜からなるバイアス用永久磁石膜、４は
５ｉｏ２等からなる絶縁膜３を介して永久磁石膜２上に
設けた細長いパーマロイ薄膜等からなる磁気抵抗効果、
薄膜素子、５は磁気抵抗薄膜素子４の両端に設けた通電
用導体膜である。
、その上に設けた長方形のＣｏ又はＣＯを主成分とする
合金の斜方蒸着膜からなるバイアス用永久磁石膜、４は
５ｉｏ２等からなる絶縁膜３を介して永久磁石膜２上に
設けた細長いパーマロイ薄膜等からなる磁気抵抗効果、
薄膜素子、５は磁気抵抗薄膜素子４の両端に設けた通電
用導体膜である。
第２図は第１図の細長永久磁石膜２を磁気抵抗効果素子
４の長手方向に平行に該素子４とわずかな距離をおいて
該素子４とともに基板１上に設けるようにした磁気ヘッ
ドである。
４の長手方向に平行に該素子４とわずかな距離をおいて
該素子４とともに基板１上に設けるようにした磁気ヘッ
ドである。
本発明においては、バイアス用永久磁石膜として、磁気
異方性をもっているｃｏ又はＣＯ’ｌ主成分とする合金
の斜方蒸着膜、とくに、その蒸着方向を特定した膜を使
用するところに特徴がある。
異方性をもっているｃｏ又はＣＯ’ｌ主成分とする合金
の斜方蒸着膜、とくに、その蒸着方向を特定した膜を使
用するところに特徴がある。
以下に、本発明′ｔｌ−Ｃ′−ｏ斜着膜を用いて詳細に
説明する。
説明する。
第３図はＣＯをガラス基板に対して入射角７０゜として
、２ Ｘ １０−’ＴＯｒｒの真空中で、１１０ＯＨの
厚さに蒸着したＣｏ斜方蒸着薄膜の保磁力の蒸着方向と
外部磁場方向との角度αの関係を示す図であシ、同図か
ら、蒸着方向と外部磁場方向が平行（α＝０°）な場合
に保磁力は１１０００ｅであるが、両者が直角（α＝９
０°）になるとほぼ４０００ｅと非常に小さくなる。
、２ Ｘ １０−’ＴＯｒｒの真空中で、１１０ＯＨの
厚さに蒸着したＣｏ斜方蒸着薄膜の保磁力の蒸着方向と
外部磁場方向との角度αの関係を示す図であシ、同図か
ら、蒸着方向と外部磁場方向が平行（α＝０°）な場合
に保磁力は１１０００ｅであるが、両者が直角（α＝９
０°）になるとほぼ４０００ｅと非常に小さくなる。
第４図は第３図で示した蒸着膜をホ） ＩＪソグラフイ
技術で３０Ｘ９０μｍの長方形にノくターニングした場
合における蒸着膜の保磁力の外部磁場依存性を示す図で
、バターニングの影響で全般的に保磁力が小さくなると
同時に保磁力の外部磁界方向依存性もバターニング前よ
り増大している。
技術で３０Ｘ９０μｍの長方形にノくターニングした場
合における蒸着膜の保磁力の外部磁場依存性を示す図で
、バターニングの影響で全般的に保磁力が小さくなると
同時に保磁力の外部磁界方向依存性もバターニング前よ
り増大している。
第５図は前記磁着膜をさらに１０Ｘ３０μＩｎに微細に
加工した場合の蒸着膜の保磁力と外部磁界方向依存性を
示す図で、保磁力はさらに小さくなる。
加工した場合の蒸着膜の保磁力と外部磁界方向依存性を
示す図で、保磁力はさらに小さくなる。
磁気抵抗効果薄膜素子のバイアス磁場印加のために永久
磁石膜を使用する場合には、該永久磁石膜の保磁力が磁
気記録媒体からの洩れ磁界の強さより十分に大きいこと
が必要でちゃ、使用する記録媒体の特性によっても異な
るが、保磁力としては、５０００ｅ程度は必要である。
磁石膜を使用する場合には、該永久磁石膜の保磁力が磁
気記録媒体からの洩れ磁界の強さより十分に大きいこと
が必要でちゃ、使用する記録媒体の特性によっても異な
るが、保磁力としては、５０００ｅ程度は必要である。
そして、第５図に示・した１０Ｘ３０μｍにバターニン
グした場合、ＣＯの蒸着方向と外部磁界方向の角度が２
２゜以上に開くと、保磁力は５０００６以下に劣化する
。したがって、このような微細なパターン寸法のＣｏ斜
方蒸着膜を有する磁気抵抗効果薄膜素子では、Ｃｏ斜方
蒸着膜の蒸着方向と所望のバイアス磁界方向（前記磁気
抵抗効果素子の長手方向に直角な方向、すなわち磁化困
難軸方向）との角度α全２２８以内にすることが望まし
い。この角度αは、第４図に示すように、パターン寸法
が３０Ｘ９０μｍと大きい場合には２６°程度まで開い
てもよい。実際の磁気ヘッドにおいては、磁気抵抗効果
薄膜素子は第３図の説明で述べたように、極めて小さい
形状で利用されるものであシ、上述のように、Ｃｏ斜方
蒸着膜の蒸着方向とバイアス磁界方向の角度を限定する
ことが必要である。
グした場合、ＣＯの蒸着方向と外部磁界方向の角度が２
２゜以上に開くと、保磁力は５０００６以下に劣化する
。したがって、このような微細なパターン寸法のＣｏ斜
方蒸着膜を有する磁気抵抗効果薄膜素子では、Ｃｏ斜方
蒸着膜の蒸着方向と所望のバイアス磁界方向（前記磁気
抵抗効果素子の長手方向に直角な方向、すなわち磁化困
難軸方向）との角度α全２２８以内にすることが望まし
い。この角度αは、第４図に示すように、パターン寸法
が３０Ｘ９０μｍと大きい場合には２６°程度まで開い
てもよい。実際の磁気ヘッドにおいては、磁気抵抗効果
薄膜素子は第３図の説明で述べたように、極めて小さい
形状で利用されるものであシ、上述のように、Ｃｏ斜方
蒸着膜の蒸着方向とバイアス磁界方向の角度を限定する
ことが必要である。
第１図に示す永久磁石バイアス型磁気抵抗効果磁気ヘッ
ドにおいて、通電用導体膜５に挾まれた部分の磁気抵抗
効果薄膜４の寸法１ｉｏｘ２ｏμｍ１ＣＯ斜方蒸着膜２
０寸法を１２Ｘ３０μｍとし、この磁気ヘッドによる磁
気ディスクからの再生信号例を第６図に示す。同図（ａ
）はＣｏ斜方蒸着膜の蒸着方向とバイアス磁界方向との
角度を０°（Ｃｏ斜方蒸着膜の蒸着方向と磁気抵抗効果
薄膜素子の磁化容易軸との角９０°）としだ場合の結果
であシ、十分な再生出力が得られているが、これに対し
て、同図（ｂ）に示すように上記角度を３０°にした場
合には再生出力が極めて小さく、Ｃｏ斜方蒸着膜がバイ
アス磁場膜としての役目を十分に果していない。
ドにおいて、通電用導体膜５に挾まれた部分の磁気抵抗
効果薄膜４の寸法１ｉｏｘ２ｏμｍ１ＣＯ斜方蒸着膜２
０寸法を１２Ｘ３０μｍとし、この磁気ヘッドによる磁
気ディスクからの再生信号例を第６図に示す。同図（ａ
）はＣｏ斜方蒸着膜の蒸着方向とバイアス磁界方向との
角度を０°（Ｃｏ斜方蒸着膜の蒸着方向と磁気抵抗効果
薄膜素子の磁化容易軸との角９０°）としだ場合の結果
であシ、十分な再生出力が得られているが、これに対し
て、同図（ｂ）に示すように上記角度を３０°にした場
合には再生出力が極めて小さく、Ｃｏ斜方蒸着膜がバイ
アス磁場膜としての役目を十分に果していない。
これは、前述のＣｏ斜方蒸着膜の保磁力の外部磁界方向
依存性のためとみなされる。
依存性のためとみなされる。
以上説明したところから明らかなように、本発明の永久
磁石バイアス型蒸気抵抗効果磁気ヘッドは作製が容易で
、バイアス磁界のばらつきが少なく、再生出力も十分太
きいなどの特徴がある。
磁石バイアス型蒸気抵抗効果磁気ヘッドは作製が容易で
、バイアス磁界のばらつきが少なく、再生出力も十分太
きいなどの特徴がある。
第１図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
の断面図及び部分平面図、第２図は本発明の他の実施例
の部分斜視図、第３図はＣｏ斜方蒸着膜の保磁力の外部
磁界方向依存性を、示す図、第４図、第５図は第３図の
場合に用いたＣＯ蒸着膜を微細加工した場合の該膜の保
磁力の外部磁界方向依頼性を示す図、第６図はＣｏ斜方
蒸着膜を使用した第１図に示した型の磁気ヘットの再生
出力を示す図である。 １・・・非磁性絶縁基板、２・・・Ｃｏ斜方蒸着膜、３
・・・８１０２膜、４・・・磁気抵抗効果薄膜素子、５
・・・通電用導体膜。 代理人 弁理士 薄田利幸 第 １ 図 （ａン ｆ、ｚ 図 〒 ３ 区 ０３ρ ６ρ ２θ→区 光４図 −−〆
の断面図及び部分平面図、第２図は本発明の他の実施例
の部分斜視図、第３図はＣｏ斜方蒸着膜の保磁力の外部
磁界方向依存性を、示す図、第４図、第５図は第３図の
場合に用いたＣＯ蒸着膜を微細加工した場合の該膜の保
磁力の外部磁界方向依頼性を示す図、第６図はＣｏ斜方
蒸着膜を使用した第１図に示した型の磁気ヘットの再生
出力を示す図である。 １・・・非磁性絶縁基板、２・・・Ｃｏ斜方蒸着膜、３
・・・８１０２膜、４・・・磁気抵抗効果薄膜素子、５
・・・通電用導体膜。 代理人 弁理士 薄田利幸 第 １ 図 （ａン ｆ、ｚ 図 〒 ３ 区 ０３ρ ６ρ ２θ→区 光４図 −−〆
Claims (1)
- １、長手方向に磁化容易軸を有する細長い磁気抵抗効果
薄膜素子と、該素子にバイアス磁界を印加するために該
素子の長手方向に平行に、かつ該素子に接触しないよう
に近接して設けた細長い永久磁石膜をそなえている永久
磁石バイアス型磁気抵抗効果磁気ヘッドにおいて、前記
永久磁石膜がＣＯまたはＣＯを主成分とする合金の斜方
蒸着膜からなシ、該蒸着膜の蒸着展向と前記磁気抵抗効
果薄膜素子の磁化困難軸方向との
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57216819A JPS59107417A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 永久磁石バイアス型磁気抵抗効果磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57216819A JPS59107417A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 永久磁石バイアス型磁気抵抗効果磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59107417A true JPS59107417A (ja) | 1984-06-21 |
Family
ID=16694383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57216819A Pending JPS59107417A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 永久磁石バイアス型磁気抵抗効果磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59107417A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0171956A2 (en) * | 1984-08-13 | 1986-02-19 | Ampex Corporation | Permanent magnet biased narrow track magnetoresistive transducer |
| JPS61248484A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Nippon Denso Co Ltd | 強磁性磁気抵抗素子 |
| US5155644A (en) * | 1985-12-27 | 1992-10-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Yoke thin film magnetic head constructed to avoid Barkhausen noises |
| EP2573769A1 (en) * | 2011-09-21 | 2013-03-27 | Seagate Technology LLC | Varying morphology in magnetic sensor sub-layers |
-
1982
- 1982-12-13 JP JP57216819A patent/JPS59107417A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0171956A2 (en) * | 1984-08-13 | 1986-02-19 | Ampex Corporation | Permanent magnet biased narrow track magnetoresistive transducer |
| JPS61248484A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Nippon Denso Co Ltd | 強磁性磁気抵抗素子 |
| US5155644A (en) * | 1985-12-27 | 1992-10-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Yoke thin film magnetic head constructed to avoid Barkhausen noises |
| EP2573769A1 (en) * | 2011-09-21 | 2013-03-27 | Seagate Technology LLC | Varying morphology in magnetic sensor sub-layers |
| US9036308B2 (en) | 2011-09-21 | 2015-05-19 | Seagate Technology Llc | Varyinig morphology in magnetic sensor sub-layers |
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