JP2001167420A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 単磁区微小記録部が配列してなる記録トラッ
クを有するパターンド媒体において、線記録密度をさら
に向上させる。 【解決手段】 多数の単磁区微小記録部３が配列してな
る記録トラックを基板１上に有し、隣り合う単磁区微小
記録部３間が非磁性体（非記録部４）から構成されてお
り、単磁区微小記録部３において、記録トラック延在方
向の長さをＬ、記録トラックと直交する方向の長さをＷ
としたとき、Ｗ／Ｌ＞１であり、単磁区微小記録部３の
磁化容易軸の方向が記録トラック延在方向とほぼ一致
し、単磁区微小記録部３がＳｍ−Ｃｏを含有する磁性合
金から構成されている磁気記録媒体。
クを有するパターンド媒体において、線記録密度をさら
に向上させる。 【解決手段】 多数の単磁区微小記録部３が配列してな
る記録トラックを基板１上に有し、隣り合う単磁区微小
記録部３間が非磁性体（非記録部４）から構成されてお
り、単磁区微小記録部３において、記録トラック延在方
向の長さをＬ、記録トラックと直交する方向の長さをＷ
としたとき、Ｗ／Ｌ＞１であり、単磁区微小記録部３の
磁化容易軸の方向が記録トラック延在方向とほぼ一致
し、単磁区微小記録部３がＳｍ−Ｃｏを含有する磁性合
金から構成されている磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等の磁気
記録媒体およびその製造方法に関する。
記録媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータ用の磁気ディスク装置で
は、急速に大容量化が進んでいる。磁気ディスク装置で
は、磁気ヘッドから発生する信号磁界により、磁気ディ
スクの記録層中に記録磁区列が形成される。磁気ディス
クの面記録密度を向上する上では、記録磁区をいかに微
細化できるかが重要である。
は、急速に大容量化が進んでいる。磁気ディスク装置で
は、磁気ヘッドから発生する信号磁界により、磁気ディ
スクの記録層中に記録磁区列が形成される。磁気ディス
クの面記録密度を向上する上では、記録磁区をいかに微
細化できるかが重要である。
【０００３】記録層をその面内方向に磁化して記録磁区
を形成する面内磁化方式では、記録磁区列を微細化した
ときにも記録トラック延在方向（磁気ヘッド走行方向）
に磁化を安定して存在させるために、記録トラック延在
方向において記録層が高保磁力および高角形比を示すこ
とが要求される。
を形成する面内磁化方式では、記録磁区列を微細化した
ときにも記録トラック延在方向（磁気ヘッド走行方向）
に磁化を安定して存在させるために、記録トラック延在
方向において記録層が高保磁力および高角形比を示すこ
とが要求される。
【０００４】面内磁化方式の従来の磁気ディスクでは、
記録層の磁化容易軸を面内方向に配向させるために、通
常、記録層の下にＣｒやＣｒ合金からなる下地層を設け
ている。さらに、記録層が形成される基板の表面に、テ
クスチャと呼ばれる微細構造を設けることによっても、
磁化容易軸の面内配向を促進し、かつ、記録トラック延
在方向への配向を促進している。
記録層の磁化容易軸を面内方向に配向させるために、通
常、記録層の下にＣｒやＣｒ合金からなる下地層を設け
ている。さらに、記録層が形成される基板の表面に、テ
クスチャと呼ばれる微細構造を設けることによっても、
磁化容易軸の面内配向を促進し、かつ、記録トラック延
在方向への配向を促進している。
【０００５】従来の磁気ディスクにおいて記録層を構成
する磁性材料としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系やＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ系が多用されている。Ｃｒ、ＴａおよびＰｔと
いった添加元素を結晶粒界に介在させることで結晶粒間
の相互作用を弱めて、記録ビット間の境界において複雑
な磁壁構造が発生することを抑制し、記録層の保磁力お
よび角形性を向上させている。
する磁性材料としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系やＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ系が多用されている。Ｃｒ、ＴａおよびＰｔと
いった添加元素を結晶粒界に介在させることで結晶粒間
の相互作用を弱めて、記録ビット間の境界において複雑
な磁壁構造が発生することを抑制し、記録層の保磁力お
よび角形性を向上させている。
【０００６】しかし、磁気ディスク装置の面記録密度が
年率１００％程度で上昇している現在、このまま記録密
度が向上していくと１つの記録ビットの大きさが著しく
微小となるので、隣接する記録ビット間におけるフリン
ジングが問題となってくる。このフリンジングとは、磁
気ヘッドから空間的に発散する磁界によって生じる記録
磁区端部の磁気的にじみを意味する。
年率１００％程度で上昇している現在、このまま記録密
度が向上していくと１つの記録ビットの大きさが著しく
微小となるので、隣接する記録ビット間におけるフリン
ジングが問題となってくる。このフリンジングとは、磁
気ヘッドから空間的に発散する磁界によって生じる記録
磁区端部の磁気的にじみを意味する。
【０００７】面記録密度増大に伴うこのような問題を解
決する記録方式として、いわゆるパターンド媒体が提案
されている。パターンド媒体は、記録層をメッシュ状に
区切ることにより磁性体をアイランド状に孤立させ、隣
り合うアイランド状磁性体間を非磁性材料で埋めた構造
をもつ。図３に従来のパターンド媒体の構成例を示す。
図３では、基板１上に、非磁性材料からなる非記録部４
を挟んで多数の単磁区微小記録部３が配列しており、互
いに独立した単磁区微小記録記録部３のそれぞれを１ビ
ットに対応させることによって、隣接ビット間でのフリ
ンジングを解消している。パターンド媒体は例えば特公
平６−２８０３９号公報に記載されている。同公報に
は、単磁区微粒子（単磁区微小記録部）を構成する磁性
材料として、Ｆｅ、Ｆｅ合金、Ｃｏ、Ｃｏ合金、Ｎｉ、
Ｎｉ合金、Ｆｅ3Ａｌ、ホイスラー合金等の金属磁性材
料や、各種フェライト等の酸化物磁性材料が挙げられて
いる。
決する記録方式として、いわゆるパターンド媒体が提案
されている。パターンド媒体は、記録層をメッシュ状に
区切ることにより磁性体をアイランド状に孤立させ、隣
り合うアイランド状磁性体間を非磁性材料で埋めた構造
をもつ。図３に従来のパターンド媒体の構成例を示す。
図３では、基板１上に、非磁性材料からなる非記録部４
を挟んで多数の単磁区微小記録部３が配列しており、互
いに独立した単磁区微小記録記録部３のそれぞれを１ビ
ットに対応させることによって、隣接ビット間でのフリ
ンジングを解消している。パターンド媒体は例えば特公
平６−２８０３９号公報に記載されている。同公報に
は、単磁区微粒子（単磁区微小記録部）を構成する磁性
材料として、Ｆｅ、Ｆｅ合金、Ｃｏ、Ｃｏ合金、Ｎｉ、
Ｎｉ合金、Ｆｅ3Ａｌ、ホイスラー合金等の金属磁性材
料や、各種フェライト等の酸化物磁性材料が挙げられて
いる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記した特公平６−２
８０３９号公報に記載されたパターンド媒体では、保磁
力を高くするために、単磁区微粒子の長さＬを幅Ｗの２
〜１０倍とすることが好ましい旨が記載されている。単
磁区微粒子を細長い形状とすれば、形状磁気異方性によ
り磁化容易軸が単磁区微粒子の長軸方向に誘導される。
８０３９号公報に記載されたパターンド媒体では、保磁
力を高くするために、単磁区微粒子の長さＬを幅Ｗの２
〜１０倍とすることが好ましい旨が記載されている。単
磁区微粒子を細長い形状とすれば、形状磁気異方性によ
り磁化容易軸が単磁区微粒子の長軸方向に誘導される。
【０００９】したがって、図３に示すように、単磁区微
小記録部３の長軸方向を記録トラック延在方向（磁気ヘ
ッド移動方向）と一致させれば、単磁区微小記録部３の
長軸方向の残留磁化による信号磁界を、磁気ヘッドによ
り読みとることができる。
小記録部３の長軸方向を記録トラック延在方向（磁気ヘ
ッド移動方向）と一致させれば、単磁区微小記録部３の
長軸方向の残留磁化による信号磁界を、磁気ヘッドによ
り読みとることができる。
【００１０】しかし、線記録密度を向上させるために、
短軸に対する長軸の比を保ったまま長軸の長さを縮めて
いくと、単磁区微小記録部３の面積が小さくなりすぎて
十分な信号強度が得られなくなってしまう。また、短軸
方向の長さが短くなりすぎるため、単磁区微小記録部３
の形成が極めて困難となる。そのため、単磁区微小記録
部が記録トラック延在方向に長軸を有する形状であるパ
ターンド媒体では、線記録密度の向上に限界があり、ま
た、その結果、データ転送レートの向上にも限界が生じ
る。
短軸に対する長軸の比を保ったまま長軸の長さを縮めて
いくと、単磁区微小記録部３の面積が小さくなりすぎて
十分な信号強度が得られなくなってしまう。また、短軸
方向の長さが短くなりすぎるため、単磁区微小記録部３
の形成が極めて困難となる。そのため、単磁区微小記録
部が記録トラック延在方向に長軸を有する形状であるパ
ターンド媒体では、線記録密度の向上に限界があり、ま
た、その結果、データ転送レートの向上にも限界が生じ
る。
【００１１】本発明はこのような事情からなされたもの
であり、単磁区微小記録部が配列してなる記録トラック
を有するパターンド媒体において、線記録密度をさらに
向上させることを目的とする。
であり、単磁区微小記録部が配列してなる記録トラック
を有するパターンド媒体において、線記録密度をさらに
向上させることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、下記
（１）〜（７）の本発明により達成される。 （１） 多数の単磁区微小記録部が配列してなる記録ト
ラックを基板上に有し、隣り合う単磁区微小記録部間が
非磁性体から構成されており、前記単磁区微小記録部に
おいて、記録トラック延在方向の長さをＬ、記録トラッ
クと直交する方向の長さをＷとしたとき、 Ｗ／Ｌ＞１ であり、単磁区微小記録部の磁化容易軸の方向が記録ト
ラック延在方向とほぼ一致し、単磁区微小記録部がＳｍ
およびＣｏを含有する磁性合金から構成されている磁気
記録媒体。 （２） Ｗ／Ｌ≧１．２である上記（１）の磁気記録媒
体。 （３） 前記単磁区微小記録部の角形比を、記録トラッ
ク延在方向においてＳ P、記録トラックと直交する方向
においてＳCとし、配向比をＳP／ＳCで表したとき、 ＳP／ＳC≧１０ である上記（１）または（２）の磁気記録媒体。 （４） 前記磁性合金において、モル比Ｓｍ／（Ｓｍ＋
Ｃｏ）が１０〜２３％である上記（１）〜（３）のいず
れかの磁気記録媒体。 （５） 上記（１）〜（４）のいずれかの磁気記録媒体
を製造する方法であって、ＳｍおよびＣｏを含有する磁
性合金を磁界中で前記基板に付着させる工程を有する磁
気記録媒体の製造方法。 （６） 前記基板に付着した前記磁性合金の角形比を、
前記磁界の印加方向においてＳP、前記印加方向と直交
する方向においてＳCとし、配向比をＳP／ＳCで表した
とき、 ＳP／ＳC≧１０ となるように前記磁界の強度を設定する上記（５）の磁
気記録媒体の製造方法。 （７） 前記磁界の強度を７〜５０kA/mとする上記
（５）または（６）の磁気記録媒体の製造方法。
（１）〜（７）の本発明により達成される。 （１） 多数の単磁区微小記録部が配列してなる記録ト
ラックを基板上に有し、隣り合う単磁区微小記録部間が
非磁性体から構成されており、前記単磁区微小記録部に
おいて、記録トラック延在方向の長さをＬ、記録トラッ
クと直交する方向の長さをＷとしたとき、 Ｗ／Ｌ＞１ であり、単磁区微小記録部の磁化容易軸の方向が記録ト
ラック延在方向とほぼ一致し、単磁区微小記録部がＳｍ
およびＣｏを含有する磁性合金から構成されている磁気
記録媒体。 （２） Ｗ／Ｌ≧１．２である上記（１）の磁気記録媒
体。 （３） 前記単磁区微小記録部の角形比を、記録トラッ
ク延在方向においてＳ P、記録トラックと直交する方向
においてＳCとし、配向比をＳP／ＳCで表したとき、 ＳP／ＳC≧１０ である上記（１）または（２）の磁気記録媒体。 （４） 前記磁性合金において、モル比Ｓｍ／（Ｓｍ＋
Ｃｏ）が１０〜２３％である上記（１）〜（３）のいず
れかの磁気記録媒体。 （５） 上記（１）〜（４）のいずれかの磁気記録媒体
を製造する方法であって、ＳｍおよびＣｏを含有する磁
性合金を磁界中で前記基板に付着させる工程を有する磁
気記録媒体の製造方法。 （６） 前記基板に付着した前記磁性合金の角形比を、
前記磁界の印加方向においてＳP、前記印加方向と直交
する方向においてＳCとし、配向比をＳP／ＳCで表した
とき、 ＳP／ＳC≧１０ となるように前記磁界の強度を設定する上記（５）の磁
気記録媒体の製造方法。 （７） 前記磁界の強度を７〜５０kA/mとする上記
（５）または（６）の磁気記録媒体の製造方法。
【００１３】
【作用および効果】本発明の磁気記録媒体では、図１に
示すように、単磁区微小記録部３の短軸方向が記録トラ
ック延在方向と一致する。図示する単磁区微小記録部３
のように形状異方性を有する磁性体では、形状磁気異方
性により長軸方向に磁化容易軸が向くので、実質的に、
残留磁化が記録トラックに対し直交する方向にだけ発生
し、通常の磁気ヘッドによる記録再生ができなくなる。
したがって、通常の磁気ヘッドによる記録再生を行うた
めには、単磁区微小記録部３の短軸方向に磁化容易軸を
配向させる必要がある。前述したように、パターンド媒
体ではない従来の磁気ディスクでは、基板表面にテクス
チャと呼ばれる微細構造を設けることにより、記録トラ
ック延在方向への配向を促進している。しかし、単磁区
微小記録部３は極めて微細であるため、テクスチャを設
けることによる磁気異方性付与は不可能である。
示すように、単磁区微小記録部３の短軸方向が記録トラ
ック延在方向と一致する。図示する単磁区微小記録部３
のように形状異方性を有する磁性体では、形状磁気異方
性により長軸方向に磁化容易軸が向くので、実質的に、
残留磁化が記録トラックに対し直交する方向にだけ発生
し、通常の磁気ヘッドによる記録再生ができなくなる。
したがって、通常の磁気ヘッドによる記録再生を行うた
めには、単磁区微小記録部３の短軸方向に磁化容易軸を
配向させる必要がある。前述したように、パターンド媒
体ではない従来の磁気ディスクでは、基板表面にテクス
チャと呼ばれる微細構造を設けることにより、記録トラ
ック延在方向への配向を促進している。しかし、単磁区
微小記録部３は極めて微細であるため、テクスチャを設
けることによる磁気異方性付与は不可能である。
【００１４】そこで本発明の好ましい態様では、磁性材
料としてＳｍ−Ｃｏ合金を選択し、Ｓｍ−Ｃｏ合金を磁
界中で基板に付着させることにより、好ましくは上記配
向比ＳP／ＳCが所定値以上となるように磁気異方性を誘
導する。そのため、単磁区微小記録部の短軸方向が磁界
印加方向となるようにしたとき、その短軸方向に磁化容
易軸を容易に配向させることができる。したがって本発
明では、従来のパターンド媒体に比べ線記録密度を著し
く向上させることが可能となる。なお、配向比ＳP／ＳC
を上記範囲内とするために利用する手段は、Ｓｍ−Ｃｏ
合金を磁界中で基板に付着させる方法に限定されず、例
えば成長異方性を利用することもできる。成長異方性を
利用するには、例えば、基板表面に対するスパッタ粒子
の入射角を制御すればよい。ただし本発明では、磁界中
スパッタ法を利用することが最も好ましい。磁界中スパ
ッタ法を利用し、かつ、Ｓｍ−Ｃｏ合金の組成を上記範
囲内とすれば、上記範囲の配向比が容易に得られる。
料としてＳｍ−Ｃｏ合金を選択し、Ｓｍ−Ｃｏ合金を磁
界中で基板に付着させることにより、好ましくは上記配
向比ＳP／ＳCが所定値以上となるように磁気異方性を誘
導する。そのため、単磁区微小記録部の短軸方向が磁界
印加方向となるようにしたとき、その短軸方向に磁化容
易軸を容易に配向させることができる。したがって本発
明では、従来のパターンド媒体に比べ線記録密度を著し
く向上させることが可能となる。なお、配向比ＳP／ＳC
を上記範囲内とするために利用する手段は、Ｓｍ−Ｃｏ
合金を磁界中で基板に付着させる方法に限定されず、例
えば成長異方性を利用することもできる。成長異方性を
利用するには、例えば、基板表面に対するスパッタ粒子
の入射角を制御すればよい。ただし本発明では、磁界中
スパッタ法を利用することが最も好ましい。磁界中スパ
ッタ法を利用し、かつ、Ｓｍ−Ｃｏ合金の組成を上記範
囲内とすれば、上記範囲の配向比が容易に得られる。
【００１５】なお、Ｓｍ−Ｃｏ合金薄膜を磁界中で形成
することは知られている。例えば、日本応用磁気学会
誌,vol.7,No.2,47,(1983)（以下、文献１）には、アモ
ルファスＳｍ−Ｃｏスパッタ薄膜の作製方法が記載され
ている。しかし、文献１には、パターンド媒体に関する
記載はない。また、文献１記載の方法は、膜形成時に膜
面に垂直な磁界を印加することにより垂直磁化成分を得
ることを試みたものであり、面内磁化膜を得ようとする
ものではない。また、3rd Joint INTERMAG-MMM Conf.,A
F-05(1982)（以下、文献２）には、膜面内に磁界を印加
して真空蒸着法でＳｍ−Ｃｏ薄膜を作製することが記載
されている。文献２記載のＳｍ−Ｃｏ薄膜の組成はＳｍ
100-xＣｏx（７５＜ｘ＜９０）であり、本発明で用いる
Ｓｍ−Ｃｏ合金の組成と重なる。しかし、文献２には、
パターンド媒体に関する記載はない。したがって、当
然、パターンド媒体において単磁区微小記録部の短軸方
向に磁化容易軸を誘導可能な条件についての記載はな
い。
することは知られている。例えば、日本応用磁気学会
誌,vol.7,No.2,47,(1983)（以下、文献１）には、アモ
ルファスＳｍ−Ｃｏスパッタ薄膜の作製方法が記載され
ている。しかし、文献１には、パターンド媒体に関する
記載はない。また、文献１記載の方法は、膜形成時に膜
面に垂直な磁界を印加することにより垂直磁化成分を得
ることを試みたものであり、面内磁化膜を得ようとする
ものではない。また、3rd Joint INTERMAG-MMM Conf.,A
F-05(1982)（以下、文献２）には、膜面内に磁界を印加
して真空蒸着法でＳｍ−Ｃｏ薄膜を作製することが記載
されている。文献２記載のＳｍ−Ｃｏ薄膜の組成はＳｍ
100-xＣｏx（７５＜ｘ＜９０）であり、本発明で用いる
Ｓｍ−Ｃｏ合金の組成と重なる。しかし、文献２には、
パターンド媒体に関する記載はない。したがって、当
然、パターンド媒体において単磁区微小記録部の短軸方
向に磁化容易軸を誘導可能な条件についての記載はな
い。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体を磁気ディ
スクに適用したときの構成例を、図１に斜視図として示
す。
スクに適用したときの構成例を、図１に斜視図として示
す。
【００１７】図１に示す磁気ディスクは、ディスク状の
基板１上に、その周方向（記録トラック延在方向）およ
び半径方向のそれぞれに間隔をおいて配置された多数の
単磁区微小記録部３を有する。この磁気ディスクでは、
ディスク周方向に配列した単磁区微小記録部３が記録ト
ラックを構成する。なお、記録トラックは、同心円状に
設けてもよく、スパイラル状に設けてもよい。
基板１上に、その周方向（記録トラック延在方向）およ
び半径方向のそれぞれに間隔をおいて配置された多数の
単磁区微小記録部３を有する。この磁気ディスクでは、
ディスク周方向に配列した単磁区微小記録部３が記録ト
ラックを構成する。なお、記録トラックは、同心円状に
設けてもよく、スパイラル状に設けてもよい。
【００１８】隣り合う単磁区微小記録部間は、非磁性体
からなる非記録部４で構成されている。各単磁区微小記
録部３は、それぞれほぼ完全に磁気的に孤立した状態と
なるので、各単磁区微小記録部においてフリンジングの
発生を抑えることができる。
からなる非記録部４で構成されている。各単磁区微小記
録部３は、それぞれほぼ完全に磁気的に孤立した状態と
なるので、各単磁区微小記録部においてフリンジングの
発生を抑えることができる。
【００１９】本発明では、単磁区微小記録部３におい
て、記録トラック延在方向の長さをＬ、記録トラックと
直交する方向の長さをＷとしたとき、 Ｗ／Ｌ＞１ である。Ｗ／Ｌが大きいほど、十分な信号出力を保った
まま線記録密度を高くすることができるため、好ましく
はＷ／Ｌ≧１．２、より好ましくは Ｗ／Ｌ≧１．５ とする。ただし、Ｗ／Ｌが大きすぎると、形状異方性に
よる静磁気エネルギーに逆らって短軸方向に磁化容易軸
を配向させることが困難となるので、好ましくはＷ／Ｌ
≦５、より好ましくは Ｗ／Ｌ≦４ とする。
て、記録トラック延在方向の長さをＬ、記録トラックと
直交する方向の長さをＷとしたとき、 Ｗ／Ｌ＞１ である。Ｗ／Ｌが大きいほど、十分な信号出力を保った
まま線記録密度を高くすることができるため、好ましく
はＷ／Ｌ≧１．２、より好ましくは Ｗ／Ｌ≧１．５ とする。ただし、Ｗ／Ｌが大きすぎると、形状異方性に
よる静磁気エネルギーに逆らって短軸方向に磁化容易軸
を配向させることが困難となるので、好ましくはＷ／Ｌ
≦５、より好ましくは Ｗ／Ｌ≦４ とする。
【００２０】単磁区微小記録部３において磁化容易軸の
方向は、単磁区微小記録部の短軸方向、すなわち記録ト
ラック延在方向とほぼ一致する。単磁区微小記録部の短
軸方向に磁化容易軸を配向させるために、本発明では単
磁区微小記録部をＳｍ−Ｃｏ合金で構成すると共に、こ
のＳｍ−Ｃｏ合金を磁界中において基板に付着させる。
方向は、単磁区微小記録部の短軸方向、すなわち記録ト
ラック延在方向とほぼ一致する。単磁区微小記録部の短
軸方向に磁化容易軸を配向させるために、本発明では単
磁区微小記録部をＳｍ−Ｃｏ合金で構成すると共に、こ
のＳｍ−Ｃｏ合金を磁界中において基板に付着させる。
【００２１】Ｓｍ−Ｃｏ合金の基板への付着には、スパ
ッタ法を利用することが好ましい。前記文献２では、膜
面内に磁界を印加して真空蒸着法でＳｍ−Ｃｏ薄膜を形
成しているが、スパッタ法は真空蒸着法に比べ以下に挙
げる利点がある。第１に、スパッタ粒子のもつエネルギ
ーは、蒸着粒子のそれに比べはるかに高いため、磁界の
影響を受けやすい。そのため、磁気異方性の誘導が容易
である。第２に、真空蒸着法では膜構成元素の蒸気圧の
違いによって組成ずれが生じやすいが、スパッタ法では
このような組成ずれが生じない。後述するようにＳｍ−
Ｃｏ合金の誘導磁気異方性は合金中のＳｍ含有率に大き
く影響されるため、組成を正確に制御することは重要で
ある。第３に、膜厚の制御が容易である。短軸方向に磁
気異方性を誘導するためには、短軸方向長さよりも厚さ
を小さくすることが好ましいため、単磁区微小記録部の
厚さ制御は重要である。
ッタ法を利用することが好ましい。前記文献２では、膜
面内に磁界を印加して真空蒸着法でＳｍ−Ｃｏ薄膜を形
成しているが、スパッタ法は真空蒸着法に比べ以下に挙
げる利点がある。第１に、スパッタ粒子のもつエネルギ
ーは、蒸着粒子のそれに比べはるかに高いため、磁界の
影響を受けやすい。そのため、磁気異方性の誘導が容易
である。第２に、真空蒸着法では膜構成元素の蒸気圧の
違いによって組成ずれが生じやすいが、スパッタ法では
このような組成ずれが生じない。後述するようにＳｍ−
Ｃｏ合金の誘導磁気異方性は合金中のＳｍ含有率に大き
く影響されるため、組成を正確に制御することは重要で
ある。第３に、膜厚の制御が容易である。短軸方向に磁
気異方性を誘導するためには、短軸方向長さよりも厚さ
を小さくすることが好ましいため、単磁区微小記録部の
厚さ制御は重要である。
【００２２】スパッタ法における各種条件は特に限定さ
れないが、磁界印加により磁気異方性を誘導させるため
には、以下のような設定でスパッタを行うことが好まし
い。基板温度は、０〜５０℃とすることが好ましい。基
板温度が低すぎると、スパッタ粒子のもつエネルギーが
基板上で凍結されるため、印加磁界の方向に沿った粒子
配置が困難となる。その結果、磁界印加による磁気異方
性の誘導が困難となる。一方、基板温度が高すぎると、
膜の結晶性が高くなりすぎるため、磁界印加による磁気
異方性の誘導が困難となる。成膜圧力は、０．１〜２Pa
とすることが好ましい。成膜パワーは１００〜４００W
とすることが好ましい。本発明では、直流スパッタを用
いてもＲＦスパッタを用いてもよい。
れないが、磁界印加により磁気異方性を誘導させるため
には、以下のような設定でスパッタを行うことが好まし
い。基板温度は、０〜５０℃とすることが好ましい。基
板温度が低すぎると、スパッタ粒子のもつエネルギーが
基板上で凍結されるため、印加磁界の方向に沿った粒子
配置が困難となる。その結果、磁界印加による磁気異方
性の誘導が困難となる。一方、基板温度が高すぎると、
膜の結晶性が高くなりすぎるため、磁界印加による磁気
異方性の誘導が困難となる。成膜圧力は、０．１〜２Pa
とすることが好ましい。成膜パワーは１００〜４００W
とすることが好ましい。本発明では、直流スパッタを用
いてもＲＦスパッタを用いてもよい。
【００２３】Ｓｍ−Ｃｏ合金を付着させる際の基板表面
付近における磁界強度は、以下に説明する方法により決
定することが好ましい。まず、媒体を製造する場合と同
じ条件で基板上にＳｍ−Ｃｏ合金層を形成する。このと
き用いる基板は、媒体に用いる基板と同材質であること
が好ましい。また、実際の媒体において基板上に下地層
を設ける場合には、同じ下地層を設けた基板を用いるこ
とが好ましい。次に、基板上に形成したＳｍ−Ｃｏ合金
層の角形比を、磁界印加方向と、層面内において磁界印
加方向に直交する方向とのそれぞれにおいて測定する。
そして、磁界印加方向における角形比をＳP、磁界印加
方向に直交する方向における角形比をＳCとしたとき、
配向比ＳP／ＳCが好ましくは ＳP／ＳC≧１０、より好ましくは ＳP／ＳC≧２０、さらに好ましくは ＳP／ＳC≧２５ となるように、基板表面付近における磁界の強度を設定
する。ＳP／ＳCを十分に大きくできない強度の磁界を印
加した場合には、単磁区微小記録部の短軸方向（印加磁
界の方向）に磁気異方性を誘導することが困難となる。
なお、Ｓｍ−Ｃｏ合金層中におけるモル比Ｓｍ／（Ｓｍ
＋Ｃｏ）が、後述する好ましい範囲内にあるとき、印加
磁界強度の具体的範囲は、好ましくは７kA/m以上、より
好ましくは１５kA/m以上である。ただし、この磁界強度
を著しく高くしても、配向比が著しく向上するわけでは
ない。また、この磁界強度が高すぎると、スパッタター
ゲット近傍に存在するプラズマの形状がこの磁界によっ
て乱されてプラズマ密度が大きく変化してしまう。ま
た、Ｓｍと異なり、磁性体であるＣｏは磁界によって影
響を受ける。これらの結果、磁界強度を高くしすぎた場
合には、形成される膜の組成比に狂いが生じ、具体的に
は膜のＳｍ含有量がターゲットのＳｍ含有量より少なく
なるので、高配向比を安定して得ることが難しくなる。
そのため、磁界強度は、好ましくは５０kA/m以下、より
好ましくは４０kA/m以下とする。
付近における磁界強度は、以下に説明する方法により決
定することが好ましい。まず、媒体を製造する場合と同
じ条件で基板上にＳｍ−Ｃｏ合金層を形成する。このと
き用いる基板は、媒体に用いる基板と同材質であること
が好ましい。また、実際の媒体において基板上に下地層
を設ける場合には、同じ下地層を設けた基板を用いるこ
とが好ましい。次に、基板上に形成したＳｍ−Ｃｏ合金
層の角形比を、磁界印加方向と、層面内において磁界印
加方向に直交する方向とのそれぞれにおいて測定する。
そして、磁界印加方向における角形比をＳP、磁界印加
方向に直交する方向における角形比をＳCとしたとき、
配向比ＳP／ＳCが好ましくは ＳP／ＳC≧１０、より好ましくは ＳP／ＳC≧２０、さらに好ましくは ＳP／ＳC≧２５ となるように、基板表面付近における磁界の強度を設定
する。ＳP／ＳCを十分に大きくできない強度の磁界を印
加した場合には、単磁区微小記録部の短軸方向（印加磁
界の方向）に磁気異方性を誘導することが困難となる。
なお、Ｓｍ−Ｃｏ合金層中におけるモル比Ｓｍ／（Ｓｍ
＋Ｃｏ）が、後述する好ましい範囲内にあるとき、印加
磁界強度の具体的範囲は、好ましくは７kA/m以上、より
好ましくは１５kA/m以上である。ただし、この磁界強度
を著しく高くしても、配向比が著しく向上するわけでは
ない。また、この磁界強度が高すぎると、スパッタター
ゲット近傍に存在するプラズマの形状がこの磁界によっ
て乱されてプラズマ密度が大きく変化してしまう。ま
た、Ｓｍと異なり、磁性体であるＣｏは磁界によって影
響を受ける。これらの結果、磁界強度を高くしすぎた場
合には、形成される膜の組成比に狂いが生じ、具体的に
は膜のＳｍ含有量がターゲットのＳｍ含有量より少なく
なるので、高配向比を安定して得ることが難しくなる。
そのため、磁界強度は、好ましくは５０kA/m以下、より
好ましくは４０kA/m以下とする。
【００２４】本発明においてＳP／ＳCの上限は特にない
が、通常、ＳP／ＳCが５０を超える範囲では磁気異方性
エネルギーがほぼ飽和しているため、一般にＳP／ＳCが
５０を超える必要はない。また、磁界発生手段の大型化
を抑えるためにもこれを超える値とする必要はない。な
お、上記したＳP／ＳCの限定は、形状異方性による静磁
気エネルギーに逆らって短軸方向に磁化容易軸を配向さ
せるためのものであり、必要とされるＳP／ＳCは単磁区
微小記録部のアスペクト比（長軸長／短軸長）に依存す
る。上記したＳP／ＳCの好ましい範囲は、前記した好ま
しいアスペクト比の範囲に対応するものである。
が、通常、ＳP／ＳCが５０を超える範囲では磁気異方性
エネルギーがほぼ飽和しているため、一般にＳP／ＳCが
５０を超える必要はない。また、磁界発生手段の大型化
を抑えるためにもこれを超える値とする必要はない。な
お、上記したＳP／ＳCの限定は、形状異方性による静磁
気エネルギーに逆らって短軸方向に磁化容易軸を配向さ
せるためのものであり、必要とされるＳP／ＳCは単磁区
微小記録部のアスペクト比（長軸長／短軸長）に依存す
る。上記したＳP／ＳCの好ましい範囲は、前記した好ま
しいアスペクト比の範囲に対応するものである。
【００２５】Ｓｍ−Ｃｏ合金層において、配向比ＳP／
ＳCを上記範囲内とするためには、層中のモル比Ｓｍ／
（Ｓｍ＋Ｃｏ）を好ましくは１０〜２３％、より好まし
くは１４〜２１％、さらに好ましくは１４〜１９％とす
る。このモル比が低すぎても高すぎても、配向比ＳP／
ＳCを高くすることが困難となる。
ＳCを上記範囲内とするためには、層中のモル比Ｓｍ／
（Ｓｍ＋Ｃｏ）を好ましくは１０〜２３％、より好まし
くは１４〜２１％、さらに好ましくは１４〜１９％とす
る。このモル比が低すぎても高すぎても、配向比ＳP／
ＳCを高くすることが困難となる。
【００２６】単磁区微小記録部３の寸法は特に限定され
ないが、好ましくは、短軸方向長さＬを０．０１〜０．
１μmとし、厚さを５〜５０nmとする。また、短軸方向
に磁気異方性を誘導するためには、短軸方向長さよりも
厚さを小さくすることが好ましい。隣り合う単磁区微小
記録部の間隔は、好ましくは２０nm以上、より好ましく
は３０nm以上とする。隣り合う単磁区微小記録部同士が
接近しすぎていると、以下のような問題が生じる。第１
に、両者間でフリンジングが生じてしまう。第２に、単
磁区微小記録部に記録するため磁気ヘッドから磁界を印
加すると、それに隣接する単磁区微小記録部の磁化反転
が生じやすくなる。第３に、隣接する単磁区微小記録部
からの静磁界の影響が大きくなるので、磁化反転が生じ
やすくなる。
ないが、好ましくは、短軸方向長さＬを０．０１〜０．
１μmとし、厚さを５〜５０nmとする。また、短軸方向
に磁気異方性を誘導するためには、短軸方向長さよりも
厚さを小さくすることが好ましい。隣り合う単磁区微小
記録部の間隔は、好ましくは２０nm以上、より好ましく
は３０nm以上とする。隣り合う単磁区微小記録部同士が
接近しすぎていると、以下のような問題が生じる。第１
に、両者間でフリンジングが生じてしまう。第２に、単
磁区微小記録部に記録するため磁気ヘッドから磁界を印
加すると、それに隣接する単磁区微小記録部の磁化反転
が生じやすくなる。第３に、隣接する単磁区微小記録部
からの静磁界の影響が大きくなるので、磁化反転が生じ
やすくなる。
【００２７】なお、単磁区微小記録部３の平面形状は、
短軸および長軸を有する形状であれば特に限定されない
が、通常、図示するような長方形とすることが好まし
く、長円形としてもよい。
短軸および長軸を有する形状であれば特に限定されない
が、通常、図示するような長方形とすることが好まし
く、長円形としてもよい。
【００２８】非記録部４を構成する非磁性材料として
は、例えばＳｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の酸化物、
Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物、ＴｉＣ等の炭化
物、ＢＮ等の硼化物、炭素、有機材料が挙げられる。有
機材料としては、ＣＨ系、ＣＦ系等の高分子化合物が挙
げられる。
は、例えばＳｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の酸化物、
Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物、ＴｉＣ等の炭化
物、ＢＮ等の硼化物、炭素、有機材料が挙げられる。有
機材料としては、ＣＨ系、ＣＦ系等の高分子化合物が挙
げられる。
【００２９】非記録部４は、基板１表面のうち単磁区微
小記録部３以外を覆う。図示例では、非記録部４と単磁
区微小記録部３とは同じ厚さであり、両者の表面は同一
平面内に存在しているが、必要に応じ、単磁区微小記録
部３を非記録部４に対し突出させてもよく、非記録部４
を単磁区微小記録部３に対し突出させてもよい。
小記録部３以外を覆う。図示例では、非記録部４と単磁
区微小記録部３とは同じ厚さであり、両者の表面は同一
平面内に存在しているが、必要に応じ、単磁区微小記録
部３を非記録部４に対し突出させてもよく、非記録部４
を単磁区微小記録部３に対し突出させてもよい。
【００３０】基板構成材料は特に限定されず、従来の磁
気ディスクと同様であってよい。例えば本発明をハード
ディスクに適用する場合には、基板構成材料をアルミ合
金やガラスなどから選択すればよく、また、シリコンや
樹脂を用いてもよい。基板の厚さは特に限定されず、例
えば１００〜１０００μm程度とすればよい。
気ディスクと同様であってよい。例えば本発明をハード
ディスクに適用する場合には、基板構成材料をアルミ合
金やガラスなどから選択すればよく、また、シリコンや
樹脂を用いてもよい。基板の厚さは特に限定されず、例
えば１００〜１０００μm程度とすればよい。
【００３１】基板と単磁区微小記録部との間には、必要
に応じて下地層を設けてもよい。下地層としては、例え
ば配向制御層が挙げられる。Ｓｍ−Ｃｏ磁性合金の配向
を制御するためには、配向制御層を例えばＣｒ、Ｃｒ合
金（Ｃｒ−Ｔｉ、Ｃｒ−Ｖ等）から構成すればよい。ま
た、媒体の単磁区微小記録部形成面側の最上面に、必要
に応じて保護層および／または潤滑剤層を設けてもよ
い。
に応じて下地層を設けてもよい。下地層としては、例え
ば配向制御層が挙げられる。Ｓｍ−Ｃｏ磁性合金の配向
を制御するためには、配向制御層を例えばＣｒ、Ｃｒ合
金（Ｃｒ−Ｔｉ、Ｃｒ−Ｖ等）から構成すればよい。ま
た、媒体の単磁区微小記録部形成面側の最上面に、必要
に応じて保護層および／または潤滑剤層を設けてもよ
い。
【００３２】本発明の磁気記録媒体を製造する方法の好
ましい例を、図２に工程（Ａ）〜工程（Ｈ）として示
す。
ましい例を、図２に工程（Ａ）〜工程（Ｈ）として示
す。
【００３３】工程（Ａ）では、まず、ガラスからなる基
板１上に、下地層２、磁性層３Ａ、中間層１０１、非磁
性層１０２および電子線レジスト層１０３をこの順で形
成する。下地層２は、前記した配向制御層であり、必要
に応じて設けられる。磁性層３Ａは、後に単磁区微小記
録部となる層であり、Ｓｍ−Ｃｏ合金から構成される。
中間層１０１は、後の工程で非磁性層１０２を剥離しや
すくするためのものであり、必要に応じて設けられる。
中間層１０１は、例えば炭素から構成される。非磁性層
１０２を構成する非磁性材料は特に限定されず、例えば
ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の誘電体材料から構成すればよ
い。電子線レジスト層１０３の構成材料は特に限定され
ず、例えばα−メチルスチレンとα−クロロメチルアク
リレートとの共重合体（例えば日本ゼオン社製のＺＥ
Ｐ）を用いることができる。電子線レジスト層１０３を
除く各層は、スパッタ法により形成することが好まし
く、電子線レジスト層１０３はスピンコートやディッピ
ング等の塗布法により形成することが好ましい。磁性層
３Ａは、前記したように磁界を印加しながら形成する。
なお、下地層２と基板１との間には、必要に応じ、例え
ばＡｇからなるバッファ層を設けてもよい。このバッフ
ァ層は、磁性層３Ａの配向性を向上させる。すべての層
を形成した後、電子線レジスト層１０３に電子線をパタ
ーン照射し、現像することにより、電子線レジスト層１
０３に、単磁区微小記録部の配置パターンと同じパター
ンをもつ孔部を形成する。電子線のパターン照射には、
例えば電子線描画を利用すればよい。
板１上に、下地層２、磁性層３Ａ、中間層１０１、非磁
性層１０２および電子線レジスト層１０３をこの順で形
成する。下地層２は、前記した配向制御層であり、必要
に応じて設けられる。磁性層３Ａは、後に単磁区微小記
録部となる層であり、Ｓｍ−Ｃｏ合金から構成される。
中間層１０１は、後の工程で非磁性層１０２を剥離しや
すくするためのものであり、必要に応じて設けられる。
中間層１０１は、例えば炭素から構成される。非磁性層
１０２を構成する非磁性材料は特に限定されず、例えば
ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の誘電体材料から構成すればよ
い。電子線レジスト層１０３の構成材料は特に限定され
ず、例えばα−メチルスチレンとα−クロロメチルアク
リレートとの共重合体（例えば日本ゼオン社製のＺＥ
Ｐ）を用いることができる。電子線レジスト層１０３を
除く各層は、スパッタ法により形成することが好まし
く、電子線レジスト層１０３はスピンコートやディッピ
ング等の塗布法により形成することが好ましい。磁性層
３Ａは、前記したように磁界を印加しながら形成する。
なお、下地層２と基板１との間には、必要に応じ、例え
ばＡｇからなるバッファ層を設けてもよい。このバッフ
ァ層は、磁性層３Ａの配向性を向上させる。すべての層
を形成した後、電子線レジスト層１０３に電子線をパタ
ーン照射し、現像することにより、電子線レジスト層１
０３に、単磁区微小記録部の配置パターンと同じパター
ンをもつ孔部を形成する。電子線のパターン照射には、
例えば電子線描画を利用すればよい。
【００３４】工程（Ｂ）では、工程（Ａ）においてパタ
ーニングした電子線レジスト層１０３上に、マスク層１
０４を形成する。このとき、前記孔部内にマスク層１０
４が充填される。マスク層１０４の構成材料は特に限定
されず、工程（Ｄ）においてエッチングマスクとして機
能するように適宜選択すればよく、例えばＣｒが利用で
きる。マスク層１０４の形成には、スパッタ法、イオン
ビームスパッタ法、蒸着法等のいずれを用いてもよい。
ーニングした電子線レジスト層１０３上に、マスク層１
０４を形成する。このとき、前記孔部内にマスク層１０
４が充填される。マスク層１０４の構成材料は特に限定
されず、工程（Ｄ）においてエッチングマスクとして機
能するように適宜選択すればよく、例えばＣｒが利用で
きる。マスク層１０４の形成には、スパッタ法、イオン
ビームスパッタ法、蒸着法等のいずれを用いてもよい。
【００３５】工程（Ｃ）では、例えば加熱アセトンによ
り電子線レジスト層１０３を除去する。その際、マスク
層１０４のうち電子線レジスト層１０３上に存在する領
域も一緒に除去される。その結果、前記孔部内に充填さ
れたマスク層１０４が非磁性層１０２上に残存すること
になる。
り電子線レジスト層１０３を除去する。その際、マスク
層１０４のうち電子線レジスト層１０３上に存在する領
域も一緒に除去される。その結果、前記孔部内に充填さ
れたマスク層１０４が非磁性層１０２上に残存すること
になる。
【００３６】工程（Ｄ）では、マスク層１０４をエッチ
ングマスクとして利用し、ＲＩＥ（Reactive Ion Etchi
ng）により非磁性層１０２および中間層１０１をエッチ
ングする。ＲＩＥにおける反応性ガスとしては、例えば
ＣＨＦ3＋Ｏ2を用いることができる。
ングマスクとして利用し、ＲＩＥ（Reactive Ion Etchi
ng）により非磁性層１０２および中間層１０１をエッチ
ングする。ＲＩＥにおける反応性ガスとしては、例えば
ＣＨＦ3＋Ｏ2を用いることができる。
【００３７】工程（Ｅ）では、中間層１０１、非磁性層
１０２およびマスク層１０４をエッチングマスクとして
利用し、スパッタエッチングやＲＩＥ等により磁性層３
Ａおよび下地層２をエッチングする。このエッチングに
より磁性層３Ａがパターニングされ、単磁区微小記録部
３が形成される。
１０２およびマスク層１０４をエッチングマスクとして
利用し、スパッタエッチングやＲＩＥ等により磁性層３
Ａおよび下地層２をエッチングする。このエッチングに
より磁性層３Ａがパターニングされ、単磁区微小記録部
３が形成される。
【００３８】工程（Ｆ）では、非磁性層１０２およびマ
スク層１０４を、例えば加熱アセトンを用いて除去し、
さらに、中間層１０１を例えばＲＩＥ等により除去し
て、単磁区微小記録部３表面を露出させる。なお、この
とき、酸素プラズマエッチングを併用してもよい。
スク層１０４を、例えば加熱アセトンを用いて除去し、
さらに、中間層１０１を例えばＲＩＥ等により除去し
て、単磁区微小記録部３表面を露出させる。なお、この
とき、酸素プラズマエッチングを併用してもよい。
【００３９】工程（Ｇ）では、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の
非磁性材料からなる非磁性層４Ａを、単磁区微小記録部
３の上および隣り合う単磁区微小記録部３間に堆積させ
る。非磁性層４Ａの形成には、スパッタ法を利用するこ
とが好ましい。
非磁性材料からなる非磁性層４Ａを、単磁区微小記録部
３の上および隣り合う単磁区微小記録部３間に堆積させ
る。非磁性層４Ａの形成には、スパッタ法を利用するこ
とが好ましい。
【００４０】工程（Ｈ）では、非磁性層４Ａを、その厚
さ方向において一部除去し、単磁区微小記録部３の表面
を露出させる。これにより、単磁区微小記録部３間に残
存する非磁性層が非記録部４となる。厚さ方向における
非磁性層４Ａの一部除去には、化学的機械的研磨を利用
することが好ましい。化学的機械的研磨の条件は特に限
定されないが、例えば粒径２０〜６０nmのＳｉＯ2を用
い、pH９〜１２程度で行えばよい。次いで、前記した保
護層や潤滑層を必要に応じて形成し、磁気録記録媒体を
得る。
さ方向において一部除去し、単磁区微小記録部３の表面
を露出させる。これにより、単磁区微小記録部３間に残
存する非磁性層が非記録部４となる。厚さ方向における
非磁性層４Ａの一部除去には、化学的機械的研磨を利用
することが好ましい。化学的機械的研磨の条件は特に限
定されないが、例えば粒径２０〜６０nmのＳｉＯ2を用
い、pH９〜１２程度で行えばよい。次いで、前記した保
護層や潤滑層を必要に応じて形成し、磁気録記録媒体を
得る。
【００４１】
【実施例】実施例１ 以下の手順で、磁性層組成の異なる複数の磁気特性測定
用サンプルを作製した。
用サンプルを作製した。
【００４２】まず、ガラスからなる平面寸法２６mm×１
０mm、厚さ０．８〜１．０mmの基板を、ガラスディスク
上に固定し、基板の両サイドに永久磁石を取り付けるこ
とにより、基板表面と平行な外部磁界を発生させる構成
とした。基板表面付近における外部磁界強度を表１に示
す。次いで、上記ガラスディスクをスパッタ装置の真空
槽内のディスクホルダに取り付け、真空槽内を３×１０
-4Paまで減圧した。次いで、Ｓｍ−Ｃｏ合金からなる厚
さ３０nmの磁性層を、スパッタ法により基板上に形成し
て、磁気特性測定用サンプルを得た。スパッタターゲッ
トには、Ｃｏターゲット上に複数のＳｍチップを貼り付
けたものを用い、貼り付けるＳｍチップの数で磁性層の
組成を調整した。スパッタ条件は、 流入ガス：Ａｒ、 Ａｒガス流量：１０SCCM、 成膜圧力：０．３Pa、 成膜パワー：１００W（ＲＦ）、 基板回転数：６rpm、 基板温度：室温 とした。各サンプルの磁性層の組成を表１に示す。な
お、磁性層の組成はＩＣＰにより測定した。
０mm、厚さ０．８〜１．０mmの基板を、ガラスディスク
上に固定し、基板の両サイドに永久磁石を取り付けるこ
とにより、基板表面と平行な外部磁界を発生させる構成
とした。基板表面付近における外部磁界強度を表１に示
す。次いで、上記ガラスディスクをスパッタ装置の真空
槽内のディスクホルダに取り付け、真空槽内を３×１０
-4Paまで減圧した。次いで、Ｓｍ−Ｃｏ合金からなる厚
さ３０nmの磁性層を、スパッタ法により基板上に形成し
て、磁気特性測定用サンプルを得た。スパッタターゲッ
トには、Ｃｏターゲット上に複数のＳｍチップを貼り付
けたものを用い、貼り付けるＳｍチップの数で磁性層の
組成を調整した。スパッタ条件は、 流入ガス：Ａｒ、 Ａｒガス流量：１０SCCM、 成膜圧力：０．３Pa、 成膜パワー：１００W（ＲＦ）、 基板回転数：６rpm、 基板温度：室温 とした。各サンプルの磁性層の組成を表１に示す。な
お、磁性層の組成はＩＣＰにより測定した。
【００４３】サンプルをガラスディスクから剥離した
後、１０mm角の寸法に切り出し、外部磁界印加方向の角
形比ＳPと、基板面内で前記印加方向と直交する方向の
角形比ＳCとを、ＶＳＭにより求めた。各サンプルの
ＳP、ＳC、配向比ＳP／ＳCおよびＳP測定方向における
保磁力を、表１に示す。
後、１０mm角の寸法に切り出し、外部磁界印加方向の角
形比ＳPと、基板面内で前記印加方向と直交する方向の
角形比ＳCとを、ＶＳＭにより求めた。各サンプルの
ＳP、ＳC、配向比ＳP／ＳCおよびＳP測定方向における
保磁力を、表１に示す。
【００４４】また、比較のために、磁性層形成時に外部
磁界を印加しなかったほかは上記サンプルと同様にして
比較サンプルを作製し、角形比および保磁力を測定し
た。このサンプルについて表１に示したＳPおよびＳ
Cは、それぞれ他のサンプルにおけるＳPおよびＳCの測
定方向における角形比であり、保磁力はＳP測定方向に
おける保磁力である。
磁界を印加しなかったほかは上記サンプルと同様にして
比較サンプルを作製し、角形比および保磁力を測定し
た。このサンプルについて表１に示したＳPおよびＳ
Cは、それぞれ他のサンプルにおけるＳPおよびＳCの測
定方向における角形比であり、保磁力はＳP測定方向に
おける保磁力である。
【００４５】
【表１】
【００４６】表１から、磁性層を構成するＳｍ−Ｃｏ合
金の組成を制御し、かつ外部磁界を印加することによ
り、配向比ＳP／ＳCの制御が可能であることがわかる。
なお、磁界印加を行わなかったサンプルNo.３において
ＳP／ＳCが１になっていないのは、スパッタ時の粒子入
射方向に依存して生じる成長異方性によるものと考えら
れる。
金の組成を制御し、かつ外部磁界を印加することによ
り、配向比ＳP／ＳCの制御が可能であることがわかる。
なお、磁界印加を行わなかったサンプルNo.３において
ＳP／ＳCが１になっていないのは、スパッタ時の粒子入
射方向に依存して生じる成長異方性によるものと考えら
れる。
【００４７】実施例２ 磁性層形成時の成膜パワーを２００Wとし、外部磁界強
度を表２に示す値とし、磁性層上に厚さ１０nmのＣｒ層
を酸化防止層として設けたほかは実施例１のサンプルN
o.２と同様にして、サンプルを作製した。Ｃｒ層はスパ
ッタ法により形成した。なお、外部磁界強度は、基板の
両サイドに配置した永久磁石の間隔を変えることにより
制御した。これらのサンプルについて、ＳP、ＳCおよび
配向比Ｓ P／ＳCを求めた。結果を表２に示す。
度を表２に示す値とし、磁性層上に厚さ１０nmのＣｒ層
を酸化防止層として設けたほかは実施例１のサンプルN
o.２と同様にして、サンプルを作製した。Ｃｒ層はスパ
ッタ法により形成した。なお、外部磁界強度は、基板の
両サイドに配置した永久磁石の間隔を変えることにより
制御した。これらのサンプルについて、ＳP、ＳCおよび
配向比Ｓ P／ＳCを求めた。結果を表２に示す。
【００４８】
【表２】
【００４９】表２から、磁性層を構成するＳｍ−Ｃｏ合
金の組成を制御し、かつ外部磁界強度を制御することに
より、配向比ＳP／ＳCを高くできることがわかる。
金の組成を制御し、かつ外部磁界強度を制御することに
より、配向比ＳP／ＳCを高くできることがわかる。
【００５０】実施例３ シリコンウエハ上に、実施例１のサンプルNo.２と同条
件でＳｍ−Ｃｏ磁性層を形成した。次いで、Ｇａイオン
を用いたフォーカスト・イオンビーム・エッチングによ
りＳｍ−Ｃｏ磁性層をパターニングし、長軸長が０．２
μm、短軸長が０．１μm、長軸長／短軸長が２である長
方形の微小記録部を、長軸方向のピッチおよび短軸方向
のピッチがいずれも０．８μmとなるように形成し、パ
ターンド媒体サンプルを得た。なお、磁性層のパターニ
ングは、短軸方向が磁界印加方向と一致するように行っ
た。
件でＳｍ−Ｃｏ磁性層を形成した。次いで、Ｇａイオン
を用いたフォーカスト・イオンビーム・エッチングによ
りＳｍ−Ｃｏ磁性層をパターニングし、長軸長が０．２
μm、短軸長が０．１μm、長軸長／短軸長が２である長
方形の微小記録部を、長軸方向のピッチおよび短軸方向
のピッチがいずれも０．８μmとなるように形成し、パ
ターンド媒体サンプルを得た。なお、磁性層のパターニ
ングは、短軸方向が磁界印加方向と一致するように行っ
た。
【００５１】また、シリコンウエハ上に実施例２のサン
プルNo.７と同条件で磁性層を形成したほかは上記パタ
ーンド媒体サンプルと同様にして、パターンド媒体サン
プルを得た。
プルNo.７と同条件で磁性層を形成したほかは上記パタ
ーンド媒体サンプルと同様にして、パターンド媒体サン
プルを得た。
【００５２】これらのサンプルの微小記録部を着磁し
た。着磁は、微小記録部短軸方向の外部磁界により行っ
た。着磁後、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）により観察したと
ころ、微小記録部から生じる漏れ磁界による磁気的な斥
力および引力にそれぞれ対応する明縞および暗縞が、前
記短軸方向と平行に延びていることが確認できた。この
結果から、この微小記録部はその短軸方向に残留磁化を
もつことがわかった。
た。着磁は、微小記録部短軸方向の外部磁界により行っ
た。着磁後、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）により観察したと
ころ、微小記録部から生じる漏れ磁界による磁気的な斥
力および引力にそれぞれ対応する明縞および暗縞が、前
記短軸方向と平行に延びていることが確認できた。この
結果から、この微小記録部はその短軸方向に残留磁化を
もつことがわかった。
【図１】本発明の磁気記録媒体を磁気ディスクに適用し
たときの構成例を示す斜視図である。
たときの構成例を示す斜視図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体を製造する方法の一例を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図３】従来のパターンド媒体（磁気ディスク）の構成
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
１ 基板 ２ 下地層 ３ 単磁区微小記録部 ３Ａ 磁性層 ４ 非記録部 ４Ａ 非磁性層 １０１ 中間層 １０２ 非磁性層 １０３ 電子線レジスト層 １０４ マスク層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 41/18 Ｈ０１Ｆ 41/18 (72)発明者 和田 善光 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 AA09 BA02 BA06 BA21 BA24 BC06 BD11 CA05 DC03 DC04 DC40 EA02 5D006 BB01 BB07 5D112 AA05 BB01 DD01 FA04 5E049 AA04 AA09 BA07 GC04
Claims (7)
- 【請求項１】 多数の単磁区微小記録部が配列してなる
記録トラックを基板上に有し、隣り合う単磁区微小記録
部間が非磁性体から構成されており、 前記単磁区微小記録部において、記録トラック延在方向
の長さをＬ、記録トラックと直交する方向の長さをＷと
したとき、 Ｗ／Ｌ＞１ であり、 単磁区微小記録部の磁化容易軸の方向が記録トラック延
在方向とほぼ一致し、 単磁区微小記録部がＳｍおよびＣｏを含有する磁性合金
から構成されている磁気記録媒体。 - 【請求項２】 Ｗ／Ｌ≧１．２である請求項１の磁気記
録媒体。 - 【請求項３】 前記単磁区微小記録部の角形比を、記録
トラック延在方向においてＳP、記録トラックと直交す
る方向においてＳCとし、配向比をＳP／ＳCで表したと
き、 ＳP／ＳC≧１０ である請求項１または２の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記磁性合金において、モル比Ｓｍ／
（Ｓｍ＋Ｃｏ）が１０〜２３％である請求項１〜３のい
ずれかの磁気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかの磁気記録媒体
を製造する方法であって、 ＳｍおよびＣｏを含有する磁性合金を磁界中で前記基板
に付着させる工程を有する磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 前記基板に付着した前記磁性合金の角形
比を、前記磁界の印加方向においてＳP、前記印加方向
と直交する方向においてＳCとし、配向比をＳ P／ＳCで
表したとき、 ＳP／ＳC≧１０ となるように前記磁界の強度を設定する請求項５の磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 前記磁界の強度を７〜５０kA/mとする請
求項５または６の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000063179A JP2001167420A (ja) | 1999-09-27 | 2000-03-08 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27192999 | 1999-09-27 | ||
| JP11-271929 | 1999-09-27 | ||
| JP2000063179A JP2001167420A (ja) | 1999-09-27 | 2000-03-08 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001167420A true JP2001167420A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=26549951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000063179A Withdrawn JP2001167420A (ja) | 1999-09-27 | 2000-03-08 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001167420A (ja) |
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2000
- 2000-03-08 JP JP2000063179A patent/JP2001167420A/ja not_active Withdrawn
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