JP2000268341A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 垂直磁気記録媒体の垂直磁化膜の表面近傍に
生じる、媒体ノイズの主原因になる逆磁区の発生を抑制
し、媒体ノイズ特性の優れた垂直磁気記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 本発明の垂直磁気記録媒体２０によれ
ば、下地軟磁性膜として金属軟磁性膜よりも遥かに抵抗
率の大きい絶縁体軟磁性膜２４を用いているため、高記
録密度時の高周波の記録磁界に対する下地軟磁性膜の渦
電流損失を抑制することができる。その結果、高記録密
度時の高周波の記録磁界に対する下地軟磁性膜の渦電流
損失を低減させて高周波の記録磁界に対する下地軟磁性
膜の磁化の応答性を改善し、高記録密度の領域での記録
能力に優れた垂直磁気記録媒体とすることができる。
生じる、媒体ノイズの主原因になる逆磁区の発生を抑制
し、媒体ノイズ特性の優れた垂直磁気記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 本発明の垂直磁気記録媒体２０によれ
ば、下地軟磁性膜として金属軟磁性膜よりも遥かに抵抗
率の大きい絶縁体軟磁性膜２４を用いているため、高記
録密度時の高周波の記録磁界に対する下地軟磁性膜の渦
電流損失を抑制することができる。その結果、高記録密
度時の高周波の記録磁界に対する下地軟磁性膜の渦電流
損失を低減させて高周波の記録磁界に対する下地軟磁性
膜の磁化の応答性を改善し、高記録密度の領域での記録
能力に優れた垂直磁気記録媒体とすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク等と
して用いられる垂直磁気記録媒体に関する。
して用いられる垂直磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータやワーク
ステーションの進歩に伴うハードディスクドライブの大
容量化及び小型化により、磁気ディスクはさらなる高面
密度化が必要とされている。しかし、現在広く普及して
いる長手記録方式では、高記録密度を実現しようとする
と、記録ビットの微細化に伴う記録磁化の熱揺らぎの問
題や、記録ヘッドの記録能力を超えかねない高保磁力化
の問題が発生する。そこで、これらの問題を解決しつ
つ、面記録密度を大幅に向上できる手段として、垂直磁
気記録方式が検討されている。
ステーションの進歩に伴うハードディスクドライブの大
容量化及び小型化により、磁気ディスクはさらなる高面
密度化が必要とされている。しかし、現在広く普及して
いる長手記録方式では、高記録密度を実現しようとする
と、記録ビットの微細化に伴う記録磁化の熱揺らぎの問
題や、記録ヘッドの記録能力を超えかねない高保磁力化
の問題が発生する。そこで、これらの問題を解決しつ
つ、面記録密度を大幅に向上できる手段として、垂直磁
気記録方式が検討されている。
【０００３】図７７は、このような垂直磁気記録媒体の
従来例を示す概略断面図である。この垂直磁気記録媒体
５０は、垂直磁気異方性をもつ垂直磁化膜５４が基板５
６上に形成されたものである。例えば、垂直磁化膜とし
てはＣｏＣr系合金が用いられる（日本応用磁気学会
誌、Vｏl.８, Nｏ.１, １９８４, p１７）。
従来例を示す概略断面図である。この垂直磁気記録媒体
５０は、垂直磁気異方性をもつ垂直磁化膜５４が基板５
６上に形成されたものである。例えば、垂直磁化膜とし
てはＣｏＣr系合金が用いられる（日本応用磁気学会
誌、Vｏl.８, Nｏ.１, １９８４, p１７）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７７
のような従来の垂直磁気記録媒体では、高記録密度の領
域で垂直記録層への書き込みが困難になるという問題が
あった。この高記録密度の領域での記録能力の劣化の問
題は、高密度記録の情報記録装置を形成する際に大きな
障害となる。
のような従来の垂直磁気記録媒体では、高記録密度の領
域で垂直記録層への書き込みが困難になるという問題が
あった。この高記録密度の領域での記録能力の劣化の問
題は、高密度記録の情報記録装置を形成する際に大きな
障害となる。
【０００５】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、高記録密度の
領域での記録能力に優れた新規な垂直磁気記録媒体を提
供することにある。
領域での記録能力に優れた新規な垂直磁気記録媒体を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、記録密度の
向上により記録周波数が上昇すると、記録ヘッドから発
生する高周波の記録磁界に対する下地軟磁性膜の磁化の
応答性に損失が生じ、その損失が主に渦電流損失である
ことを見出した。本発明は、この知見に基づきなされた
ものであり、高記録密度時の高周波の記録磁界に対する
下地軟磁性膜の渦電流損失を低減させることにより、高
周波の記録磁界に対する下地軟磁性膜の磁化の応答性を
改善するものである。
向上により記録周波数が上昇すると、記録ヘッドから発
生する高周波の記録磁界に対する下地軟磁性膜の磁化の
応答性に損失が生じ、その損失が主に渦電流損失である
ことを見出した。本発明は、この知見に基づきなされた
ものであり、高記録密度時の高周波の記録磁界に対する
下地軟磁性膜の渦電流損失を低減させることにより、高
周波の記録磁界に対する下地軟磁性膜の磁化の応答性を
改善するものである。
【０００７】すなわち、本発明に係る垂直磁気記録媒体
は、少なくとも下地軟磁性膜と垂直磁化膜との二層から
なる垂直磁気記録媒体において、下地軟磁性膜が絶縁体
下地軟磁性膜であることを特徴とするものである。
は、少なくとも下地軟磁性膜と垂直磁化膜との二層から
なる垂直磁気記録媒体において、下地軟磁性膜が絶縁体
下地軟磁性膜であることを特徴とするものである。
【０００８】本発明の垂直磁気記録媒体は、下地軟磁性
膜として金属軟磁性膜ではなく、金属軟磁性膜よりもは
るかに抵抗率の大きい絶縁体軟磁性膜を用いているた
め、高記録密度時の高周波の記録磁界に対する下地軟磁
性膜の渦電流損失を抑制することができる。その結果、
高記録密度時の高周波の記録磁界に対する下地軟磁性膜
の渦電流損失を低減させて高周波の記録磁界に対する下
地軟磁性膜の磁化の応答性を改善し、高記録密度の領域
での記録能力に優れた垂直磁気記録媒体とすることがで
きる。
膜として金属軟磁性膜ではなく、金属軟磁性膜よりもは
るかに抵抗率の大きい絶縁体軟磁性膜を用いているた
め、高記録密度時の高周波の記録磁界に対する下地軟磁
性膜の渦電流損失を抑制することができる。その結果、
高記録密度時の高周波の記録磁界に対する下地軟磁性膜
の渦電流損失を低減させて高周波の記録磁界に対する下
地軟磁性膜の磁化の応答性を改善し、高記録密度の領域
での記録能力に優れた垂直磁気記録媒体とすることがで
きる。
【０００９】請求項２記載の垂直磁気記録媒体は、請求
項１記載の垂直磁気記録媒体において、絶縁体下地軟磁
性膜が酸化物磁性体である。請求項３記載の垂直磁気記
録媒体は、請求項２記載の垂直磁気記録媒体において、
酸化物磁性体がフェライトである。請求項４記載の垂直
磁気記録媒体は、絶縁体下地軟磁性膜がグラニュラー薄
膜である。請求項５記載の垂直磁気記録媒体は、請求項
１〜３記載の垂直磁気記録媒体において、絶縁体下地軟
磁性膜の抵抗率が０．１［Ω・ｍ］以上である。請求項
６記載の垂直磁気記録媒体は、請求項３記載の垂直磁気
記録媒体において、フェライトがＲＦｅ２Ｏ４（Ｒ＝Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ）である。請求項７記載の垂直磁
気記録媒体は、請求項３記載の垂直磁気記録媒体におい
て、フェライトがＲ−Ｚｎ系フェライトのＲｘＺｎ
１−ｘＦｅ２Ｏ４（Ｒ＝Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、０＜ｘ＜
１）である。請求項８記載の垂直磁気記録媒体は、請求
項３記載の垂直磁気記録媒体において、フェライトがＭ
ｎｘＦｅ１−ｘＦｅ２Ｏ４（０．４≦ｘ＜１）である。
請求項９記載の垂直磁気記録媒体は、請求項３記載の垂
直磁気記録媒体において、フェライトがＲｘＦｅ１−ｘ
Ｆｅ２Ｏ４（Ｒ＝Ｎｉ、Ｃｕ、０．５≦ｘ＜１）であ
る。請求項１０記載の垂直磁気記録媒体は、請求項３記
載の垂直磁気記録媒体において、フェライトがガーネッ
ト型フェライトである。請求項１１記載の垂直磁気記録
媒体は、請求項１０記載の垂直磁気記録媒体において、
ガーネット型フェライトがイットリウム−鉄−ガーネッ
ト（ＹＩＧ、Ｙ ３Ｆｅ５Ｏ１２）である。請求項１２記
載の垂直磁気記録媒体は、請求項１０記載の垂直磁気記
録媒体において、ガーネット型フェライトがＭ置換（Ｍ
＝Ｃａ，Ｓｉ）イットリウム−鉄−ガーネット（ＹＩ
Ｇ、ＹｘＭ３−ｘＦｅ５Ｏ１２）である。請求項１３記
載の垂直磁気記録媒体は、請求項４記載の垂直磁気記録
媒体において、グラニュラー薄膜の母材がＳｉＯ２、Ｃ
又はＡｌ２Ｏ３であり、その母材中に分散させる粒子が
強磁性材料である。請求項１４記載の垂直磁気記録媒体
は、請求項１３記載の垂直磁気記録媒体において、強磁
性材料がＣｏ又はＣｏＦｅである。請求項１５記載の垂
直磁気記録媒体は、請求項１〜１４記載の垂直磁気記録
媒体において、下地軟磁性膜の飽和磁束密度の値をＢｓ
[Ｇ]、膜厚をｄ[μｍ]としたときに、Ｂｓ・ｄの値が５
００〜１００００である。
項１記載の垂直磁気記録媒体において、絶縁体下地軟磁
性膜が酸化物磁性体である。請求項３記載の垂直磁気記
録媒体は、請求項２記載の垂直磁気記録媒体において、
酸化物磁性体がフェライトである。請求項４記載の垂直
磁気記録媒体は、絶縁体下地軟磁性膜がグラニュラー薄
膜である。請求項５記載の垂直磁気記録媒体は、請求項
１〜３記載の垂直磁気記録媒体において、絶縁体下地軟
磁性膜の抵抗率が０．１［Ω・ｍ］以上である。請求項
６記載の垂直磁気記録媒体は、請求項３記載の垂直磁気
記録媒体において、フェライトがＲＦｅ２Ｏ４（Ｒ＝Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ）である。請求項７記載の垂直磁
気記録媒体は、請求項３記載の垂直磁気記録媒体におい
て、フェライトがＲ−Ｚｎ系フェライトのＲｘＺｎ
１−ｘＦｅ２Ｏ４（Ｒ＝Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、０＜ｘ＜
１）である。請求項８記載の垂直磁気記録媒体は、請求
項３記載の垂直磁気記録媒体において、フェライトがＭ
ｎｘＦｅ１−ｘＦｅ２Ｏ４（０．４≦ｘ＜１）である。
請求項９記載の垂直磁気記録媒体は、請求項３記載の垂
直磁気記録媒体において、フェライトがＲｘＦｅ１−ｘ
Ｆｅ２Ｏ４（Ｒ＝Ｎｉ、Ｃｕ、０．５≦ｘ＜１）であ
る。請求項１０記載の垂直磁気記録媒体は、請求項３記
載の垂直磁気記録媒体において、フェライトがガーネッ
ト型フェライトである。請求項１１記載の垂直磁気記録
媒体は、請求項１０記載の垂直磁気記録媒体において、
ガーネット型フェライトがイットリウム−鉄−ガーネッ
ト（ＹＩＧ、Ｙ ３Ｆｅ５Ｏ１２）である。請求項１２記
載の垂直磁気記録媒体は、請求項１０記載の垂直磁気記
録媒体において、ガーネット型フェライトがＭ置換（Ｍ
＝Ｃａ，Ｓｉ）イットリウム−鉄−ガーネット（ＹＩ
Ｇ、ＹｘＭ３−ｘＦｅ５Ｏ１２）である。請求項１３記
載の垂直磁気記録媒体は、請求項４記載の垂直磁気記録
媒体において、グラニュラー薄膜の母材がＳｉＯ２、Ｃ
又はＡｌ２Ｏ３であり、その母材中に分散させる粒子が
強磁性材料である。請求項１４記載の垂直磁気記録媒体
は、請求項１３記載の垂直磁気記録媒体において、強磁
性材料がＣｏ又はＣｏＦｅである。請求項１５記載の垂
直磁気記録媒体は、請求項１〜１４記載の垂直磁気記録
媒体において、下地軟磁性膜の飽和磁束密度の値をＢｓ
[Ｇ]、膜厚をｄ[μｍ]としたときに、Ｂｓ・ｄの値が５
００〜１００００である。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る垂直磁気記
録媒体の一実施形態を示す概略断面図である。本実施形
態の垂直磁気記録媒体２０は、垂直磁化膜２８と、垂直
磁化膜２８の下の絶縁体軟磁性膜２４とが、基板２２上
に形成されたものである。
録媒体の一実施形態を示す概略断面図である。本実施形
態の垂直磁気記録媒体２０は、垂直磁化膜２８と、垂直
磁化膜２８の下の絶縁体軟磁性膜２４とが、基板２２上
に形成されたものである。
【００１１】金属軟磁性膜よりも遥かに抵抗率の大きい
酸化物軟磁性体のフェライト軟磁性膜、ガーネット型フ
ェライト軟磁性膜、グラニュラー軟磁性膜等を下地軟磁
性膜として用いることにより、高記録密度時の高周波の
記録磁界に対する下地軟磁性膜の渦電流損失を抑制する
ことができる。その結果、高記録密度時の高周波の記録
磁界に対する下地軟磁性膜の渦電流損失を低減させて、
高周波の記録磁界に対する下地軟磁性膜の磁化の応答性
を改善し、高記録密度の領域での記録能力に優れた垂直
磁気記録媒体とすることが可能である。以下、具体的な
実施例について説明する。
酸化物軟磁性体のフェライト軟磁性膜、ガーネット型フ
ェライト軟磁性膜、グラニュラー軟磁性膜等を下地軟磁
性膜として用いることにより、高記録密度時の高周波の
記録磁界に対する下地軟磁性膜の渦電流損失を抑制する
ことができる。その結果、高記録密度時の高周波の記録
磁界に対する下地軟磁性膜の渦電流損失を低減させて、
高周波の記録磁界に対する下地軟磁性膜の磁化の応答性
を改善し、高記録密度の領域での記録能力に優れた垂直
磁気記録媒体とすることが可能である。以下、具体的な
実施例について説明する。
【００１２】
【実施例１】図２は、本発明に係る垂直磁気記録媒体の
実施例１を示す概略断面図である。６インチのＭｎＦｅ
２Ｏ４ターゲットを用いてスパッタ法により、下地軟磁
性膜としてＭｎＦｅ２Ｏ４膜１６を２．５インチの基板
１２上に、基板温度４００［℃］で４５〜５２０［ｎ
ｍ］の範囲内で６種類の膜厚で成膜した。成膜条件は、
初期真空度５×１０−７［ｍＴｏｒｒ］において、投入
電力０．５［ｋＷ］、アルゴンガス圧４［ｍＴｏｒ
ｒ］、成膜速度３［ｎｍ／ｓｅＣ］とした。その上にＣ
ｏ７８Ｃｒ１９Ｔａ３（ａｔ％）ターゲットを用いてＣ
ｏ７８Ｃｒ１９Ｔａ３（ａｔ％）膜を１００［ｎｍ］成
膜した。更にその上にＣ保護膜を１０［ｎｍ］成膜し
た。下地軟磁性膜の飽和磁束密度ＢｓをＶＳＭ（試料振
動型磁力計）で測定したところ、５０００[Ｇ]であっ
た。下地のＭｓ・ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本
発明媒体Ｂ１とする。本発明媒体Ｂ１にでおいて、Ｍｎ
Ｆｅ２Ｏ４ターゲットの代わりにＮｉＦｅターゲットを
用いて、ＭｎＦｅ２Ｏ４膜の代わりにＮｉＦｅ膜を有す
る媒体を従来媒体Ａ１とする。なお、以下で用いる「従
来媒体」とは、必ずしも従来からあったものではなく、
本発明媒体の比較用媒体という意味である。
実施例１を示す概略断面図である。６インチのＭｎＦｅ
２Ｏ４ターゲットを用いてスパッタ法により、下地軟磁
性膜としてＭｎＦｅ２Ｏ４膜１６を２．５インチの基板
１２上に、基板温度４００［℃］で４５〜５２０［ｎ
ｍ］の範囲内で６種類の膜厚で成膜した。成膜条件は、
初期真空度５×１０−７［ｍＴｏｒｒ］において、投入
電力０．５［ｋＷ］、アルゴンガス圧４［ｍＴｏｒ
ｒ］、成膜速度３［ｎｍ／ｓｅＣ］とした。その上にＣ
ｏ７８Ｃｒ１９Ｔａ３（ａｔ％）ターゲットを用いてＣ
ｏ７８Ｃｒ１９Ｔａ３（ａｔ％）膜を１００［ｎｍ］成
膜した。更にその上にＣ保護膜を１０［ｎｍ］成膜し
た。下地軟磁性膜の飽和磁束密度ＢｓをＶＳＭ（試料振
動型磁力計）で測定したところ、５０００[Ｇ]であっ
た。下地のＭｓ・ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本
発明媒体Ｂ１とする。本発明媒体Ｂ１にでおいて、Ｍｎ
Ｆｅ２Ｏ４ターゲットの代わりにＮｉＦｅターゲットを
用いて、ＭｎＦｅ２Ｏ４膜の代わりにＮｉＦｅ膜を有す
る媒体を従来媒体Ａ１とする。なお、以下で用いる「従
来媒体」とは、必ずしも従来からあったものではなく、
本発明媒体の比較用媒体という意味である。
【００１３】ＮｉＦｅ膜及びＭｎＦｅ２Ｏ４膜の電気抵
抗率を測定した。その結果、ＮｉＦｅ膜は５×１０−８
［Ω・ｍ］、ＭｎＦｅ２Ｏ４膜は０．１［Ω・ｍ］であ
った。ＮｉＦｅ膜及びＭｎＦｅ２Ｏ４膜の交流透磁率を
測定した結果をそれぞれ図３及び図４に示す。ＮｉＦｅ
膜の場合、周波数１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率の
虚数成分が大きくなり、損失が見られることが分かる。
これは、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が小さいため、高周波
の磁場に対して渦電流損失が大きくなるためである。そ
れに対し、ＭｎＦｅ２Ｏ４膜の場合、周波数１００［Ｍ
Ｈｚ］あたりになってもまだ交流透磁率の虚数成分はそ
れほど大きくならず、損失が小さいことが分かる。これ
は、ＭｎＦｅ２Ｏ４膜の電気抵抗が大きいために渦電流
損失を生じにくいためである。
抗率を測定した。その結果、ＮｉＦｅ膜は５×１０−８
［Ω・ｍ］、ＭｎＦｅ２Ｏ４膜は０．１［Ω・ｍ］であ
った。ＮｉＦｅ膜及びＭｎＦｅ２Ｏ４膜の交流透磁率を
測定した結果をそれぞれ図３及び図４に示す。ＮｉＦｅ
膜の場合、周波数１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率の
虚数成分が大きくなり、損失が見られることが分かる。
これは、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が小さいため、高周波
の磁場に対して渦電流損失が大きくなるためである。そ
れに対し、ＭｎＦｅ２Ｏ４膜の場合、周波数１００［Ｍ
Ｈｚ］あたりになってもまだ交流透磁率の虚数成分はそ
れほど大きくならず、損失が小さいことが分かる。これ
は、ＭｎＦｅ２Ｏ４膜の電気抵抗が大きいために渦電流
損失を生じにくいためである。
【００１４】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｂ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。ここ
で、ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドの記録トラック幅は４［μ
ｍ］、再生トラック幅は３［μｍ］、記録ギャップ長は
０．４［μｍ］、再生ギャップ長は０．３２［μｍ］で
ある。評価は、センス電流１２［ｍＡ］、周速度１０．
１６［ｍ／ｓ］、浮上量４５［ｎｍ］の条件下で行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｂ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図５に示す。これら
は、本発明媒体Ｂ１の最大出力で規格化して示してい
る。図５から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録周
波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増加
が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほとん
ど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒体
Ｂ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増加
に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波数
１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できている
ことが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数の
増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られる
ように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記録
能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｂ１では、記
録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図４
に見られるように抑制されているため、高い記録周波数
の領域で十分な記録能力を確保できているためである。
体Ｂ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。ここ
で、ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドの記録トラック幅は４［μ
ｍ］、再生トラック幅は３［μｍ］、記録ギャップ長は
０．４［μｍ］、再生ギャップ長は０．３２［μｍ］で
ある。評価は、センス電流１２［ｍＡ］、周速度１０．
１６［ｍ／ｓ］、浮上量４５［ｎｍ］の条件下で行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｂ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図５に示す。これら
は、本発明媒体Ｂ１の最大出力で規格化して示してい
る。図５から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録周
波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増加
が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほとん
ど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒体
Ｂ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増加
に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波数
１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できている
ことが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数の
増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られる
ように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記録
能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｂ１では、記
録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図４
に見られるように抑制されているため、高い記録周波数
の領域で十分な記録能力を確保できているためである。
【００１５】従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｂ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図６に示す。両者とも記録
密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図６か
ら分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数１０
０［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］
近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度化に
伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著しく
劣化している。これに対し、本発明媒体Ｂ１の場合、記
録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００
［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されており、従
来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周波数の
高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できていること
が分かる。これは、上述したように、本発明媒体Ｂ１の
下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれより遥
かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失を遥か
に抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図６に示す。両者とも記録
密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図６か
ら分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数１０
０［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］
近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度化に
伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著しく
劣化している。これに対し、本発明媒体Ｂ１の場合、記
録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００
［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されており、従
来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周波数の
高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できていること
が分かる。これは、上述したように、本発明媒体Ｂ１の
下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれより遥
かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失を遥か
に抑えられるためである。
【００１６】下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値を４００〜１
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図７に
示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の総
量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００で
は十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢｓ
・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を十
分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５００
〜１００００の範囲内では出力値が十分取れているが、
Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少してし
まう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなることによ
り下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜の配
向性を乱すようになるので、出力が減少してしまう。こ
のことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１０００
０の範囲内であることが望ましい。
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図７に
示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の総
量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００で
は十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢｓ
・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を十
分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５００
〜１００００の範囲内では出力値が十分取れているが、
Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少してし
まう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなることによ
り下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜の配
向性を乱すようになるので、出力が減少してしまう。こ
のことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１０００
０の範囲内であることが望ましい。
【００１７】以上のことより、本発明媒体Ｂ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
【００１８】
【実施例２】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４ターゲッ
トの代わりにＮｉＦｅ２Ｏ４ターゲットを用いて、実施
例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成した。下地軟
磁性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）で
測定したところ、３４００[Ｇ]であった。下地のＢｓ・
ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｃ１とす
る。
トの代わりにＮｉＦｅ２Ｏ４ターゲットを用いて、実施
例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成した。下地軟
磁性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）で
測定したところ、３４００[Ｇ]であった。下地のＢｓ・
ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｃ１とす
る。
【００１９】ＮｉＦｅ２Ｏ４膜の電気抵抗率を測定した
結果１０７［Ω・ｍ］であった。なお、ＮｉＦｅ膜の電
気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１０−８［Ω
・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＮｉＦｅ２Ｏ４膜の交流
透磁率を測定した結果をそれぞれ図３、図８に示す。図
３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数１［Ｍ
Ｈｚ］あたりから交流透磁率の虚数成分が大きくなり、
損失が見られることが分かる。これは、ＮｉＦｅ膜の電
気抵抗率が小さいため、高周波の磁場に対して渦電流損
失が大きくなるためである。それに対し、ＮｉＦｅ２Ｏ
４膜の場合、周波数１００［ＭＨｚ］あたりになっても
まだ交流透磁率の虚数成分はそれほど大きくならず、損
失が小さいことが分かる。これは、ＮｉＦｅ２Ｏ４膜の
電気抵抗が大きいために渦電流損失を生じにくいためで
ある。
結果１０７［Ω・ｍ］であった。なお、ＮｉＦｅ膜の電
気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１０−８［Ω
・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＮｉＦｅ２Ｏ４膜の交流
透磁率を測定した結果をそれぞれ図３、図８に示す。図
３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数１［Ｍ
Ｈｚ］あたりから交流透磁率の虚数成分が大きくなり、
損失が見られることが分かる。これは、ＮｉＦｅ膜の電
気抵抗率が小さいため、高周波の磁場に対して渦電流損
失が大きくなるためである。それに対し、ＮｉＦｅ２Ｏ
４膜の場合、周波数１００［ＭＨｚ］あたりになっても
まだ交流透磁率の虚数成分はそれほど大きくならず、損
失が小さいことが分かる。これは、ＮｉＦｅ２Ｏ４膜の
電気抵抗が大きいために渦電流損失を生じにくいためで
ある。
【００２０】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｃ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｃ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図９に示す。これら
は、本発明媒体Ｃ１の最大出力で規格化して示してい
る。図９から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録周
波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増加
が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほとん
ど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒体
Ｃ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増加
に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波数
１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できている
ことが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数の
増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られる
ように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記録
能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｃ１では、記
録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図８
に見られるように抑制されているため、高い記録周波数
の領域で十分な記録能力を確保できているためである。
体Ｃ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｃ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図９に示す。これら
は、本発明媒体Ｃ１の最大出力で規格化して示してい
る。図９から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録周
波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増加
が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほとん
ど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒体
Ｃ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増加
に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波数
１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できている
ことが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数の
増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られる
ように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記録
能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｃ１では、記
録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図８
に見られるように抑制されているため、高い記録周波数
の領域で十分な記録能力を確保できているためである。
【００２１】従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｃ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図１０に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図１
０から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｃ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｃ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図１０に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図１
０から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｃ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｃ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【００２２】下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値を４００〜１
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図１１
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図１１
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
【００２３】以上のことより、本発明媒体Ｃ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
【００２４】
【実施例３】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４ターゲッ
トの代わりにＣｕＦｅ２Ｏ４ターゲットを用いて、実施
例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成した。下地軟
磁性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）で
測定したところ、２１００[Ｇ]であった。下地のＢｓ・
ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｄ１とす
る。
トの代わりにＣｕＦｅ２Ｏ４ターゲットを用いて、実施
例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成した。下地軟
磁性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）で
測定したところ、２１００[Ｇ]であった。下地のＢｓ・
ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｄ１とす
る。
【００２５】ＣｕＦｅ２Ｏ４膜の電気抵抗率を測定した
結果１０４［Ω・ｍ］であった。なお、ＮｉＦｅ膜の電
気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１０−８［Ω
・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＣｕＦｅ２Ｏ４膜の交流
透磁率を測定した結果をそれぞれ図３及び図１２に示
す。図３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数
１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率の虚数成分が大きく
なり、損失が見られることが分かる。これは、ＮｉＦｅ
膜の電気抵抗率が小さいため、高周波の磁場に対して渦
電流損失が大きくなるためである。それに対し、ＣｕＦ
ｅ２Ｏ４膜の場合、周波数１００［ＭＨｚ］あたりにな
ってもまだ交流透磁率の虚数成分はそれほど大きくなら
ず、損失が小さいことが分かる。これは、ＣｕＦｅ２Ｏ
４膜の電気抵抗が大きいために渦電流損失を生じにくい
ためである。
結果１０４［Ω・ｍ］であった。なお、ＮｉＦｅ膜の電
気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１０−８［Ω
・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＣｕＦｅ２Ｏ４膜の交流
透磁率を測定した結果をそれぞれ図３及び図１２に示
す。図３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数
１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率の虚数成分が大きく
なり、損失が見られることが分かる。これは、ＮｉＦｅ
膜の電気抵抗率が小さいため、高周波の磁場に対して渦
電流損失が大きくなるためである。それに対し、ＣｕＦ
ｅ２Ｏ４膜の場合、周波数１００［ＭＨｚ］あたりにな
ってもまだ交流透磁率の虚数成分はそれほど大きくなら
ず、損失が小さいことが分かる。これは、ＣｕＦｅ２Ｏ
４膜の電気抵抗が大きいために渦電流損失を生じにくい
ためである。
【００２６】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｄ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｄ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図１３に示す。これ
らは、本発明媒体Ｄ１の最大出力で規格化して示してい
る。図１３から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｄ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｄ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
１２に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
体Ｄ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｄ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図１３に示す。これ
らは、本発明媒体Ｄ１の最大出力で規格化して示してい
る。図１３から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｄ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｄ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
１２に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
【００２７】従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｄ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図１４に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図１
４から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｄ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｄ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図１４に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図１
４から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｄ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｄ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【００２８】下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値を４００〜１
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図１５
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図１５
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
【００２９】以上のことより、本発明媒体Ｄ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
【００３０】
【実施例４】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４ターゲッ
トの代わりにＺｎＦｅ２Ｏ４ターゲットを用いて、実施
例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成した。下地軟
磁性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）で
測定したところ、３０００[Ｇ]であった。下地のＢｓ・
ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｅ１とす
る。
トの代わりにＺｎＦｅ２Ｏ４ターゲットを用いて、実施
例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成した。下地軟
磁性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）で
測定したところ、３０００[Ｇ]であった。下地のＢｓ・
ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｅ１とす
る。
【００３１】ＺｎＦｅ２Ｏ４膜の電気抵抗率を測定した
結果１０２［Ω・ｍ］であった。なお、ＮｉＦｅ膜の電
気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１０−８［Ω
・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＺｎＦｅ２Ｏ４膜の交流
透磁率を測定した結果をそれぞれ図３及び図１６に示
す。図３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数
１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率の虚数成分が大きく
なり、損失が見られることが分かる。これは、ＮｉＦｅ
膜の電気抵抗率が小さいため、高周波の磁場に対して渦
電流損失が大きくなるためである。それに対し、ＺｎＦ
ｅ２Ｏ４膜の場合、周波数１００［ＭＨｚ］あたりにな
ってもまだ交流透磁率の虚数成分はそれほど大きくなら
ず、損失が小さいことが分かる。これは、ＺｎＦｅ２Ｏ
４膜の電気抵抗が大きいために渦電流損失を生じにくい
ためである。
結果１０２［Ω・ｍ］であった。なお、ＮｉＦｅ膜の電
気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１０−８［Ω
・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＺｎＦｅ２Ｏ４膜の交流
透磁率を測定した結果をそれぞれ図３及び図１６に示
す。図３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数
１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率の虚数成分が大きく
なり、損失が見られることが分かる。これは、ＮｉＦｅ
膜の電気抵抗率が小さいため、高周波の磁場に対して渦
電流損失が大きくなるためである。それに対し、ＺｎＦ
ｅ２Ｏ４膜の場合、周波数１００［ＭＨｚ］あたりにな
ってもまだ交流透磁率の虚数成分はそれほど大きくなら
ず、損失が小さいことが分かる。これは、ＺｎＦｅ２Ｏ
４膜の電気抵抗が大きいために渦電流損失を生じにくい
ためである。
【００３２】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｅ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｅ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図１７に示す。これ
らは、本発明媒体Ｅ１の最大出力で規格化して示してい
る。図１７から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｅ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｅ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
１６に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
体Ｅ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｅ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図１７に示す。これ
らは、本発明媒体Ｅ１の最大出力で規格化して示してい
る。図１７から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｅ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｅ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
１６に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
【００３３】従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｅ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図１８に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図１
８から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｅ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｅ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図１８に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図１
８から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｅ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｅ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【００３４】下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値を４００〜１
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図１９
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図１９
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
【００３５】以上のことより、本発明媒体Ｅ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
【００３６】
【実施例５】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４ターゲッ
トの代わりにＭｎ０．５Ｚｎ０．５Ｆｅ２Ｏ４ターゲッ
トを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を
作成した。下地軟磁性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料
振動型磁力計）で測定したところ、２５００[Ｇ]であっ
た。下地のＢｓ・ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本
発明媒体Ｆ１とする。
トの代わりにＭｎ０．５Ｚｎ０．５Ｆｅ２Ｏ４ターゲッ
トを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を
作成した。下地軟磁性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料
振動型磁力計）で測定したところ、２５００[Ｇ]であっ
た。下地のＢｓ・ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本
発明媒体Ｆ１とする。
【００３７】Ｍｎ０．５Ｚｎ０．５Ｆｅ２Ｏ４膜の電気
抵抗率を測定した結果１０２［Ω・ｍ］であった。な
お、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示したとお
り、５×１０−８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＭ
ｎ０．５Ｚｎ０．５Ｆｅ２Ｏ４膜の交流透磁率を測定し
た結果をそれぞれ図３及び図２０に示す。図３から分か
るように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数１［ＭＨｚ］あた
りから交流透磁率の虚数成分が大きくなり、損失が見ら
れることが分かる。これは、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が
小さいため、高周波の磁場に対して渦電流損失が大きく
なるためである。それに対し、Ｍｎ０．５Ｚｎ０．５Ｆ
ｅ２Ｏ４膜の場合、周波数１００［ＭＨｚ］あたりにな
ってもまだ交流透磁率の虚数成分はそれほど大きくなら
ず、損失が小さいことが分かる。これは、Ｍｎ０．５Ｚ
ｎ０．５Ｆｅ２Ｏ４膜の電気抵抗が大きいために渦電流
損失を生じにくいためである。
抵抗率を測定した結果１０２［Ω・ｍ］であった。な
お、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示したとお
り、５×１０−８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＭ
ｎ０．５Ｚｎ０．５Ｆｅ２Ｏ４膜の交流透磁率を測定し
た結果をそれぞれ図３及び図２０に示す。図３から分か
るように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数１［ＭＨｚ］あた
りから交流透磁率の虚数成分が大きくなり、損失が見ら
れることが分かる。これは、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が
小さいため、高周波の磁場に対して渦電流損失が大きく
なるためである。それに対し、Ｍｎ０．５Ｚｎ０．５Ｆ
ｅ２Ｏ４膜の場合、周波数１００［ＭＨｚ］あたりにな
ってもまだ交流透磁率の虚数成分はそれほど大きくなら
ず、損失が小さいことが分かる。これは、Ｍｎ０．５Ｚ
ｎ０．５Ｆｅ２Ｏ４膜の電気抵抗が大きいために渦電流
損失を生じにくいためである。
【００３８】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｆ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｆ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図２１に示す。これ
らは、本発明媒体Ｆ１の最大出力で規格化して示してい
る。図２１から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｆ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｆ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
２０に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
体Ｆ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｆ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図２１に示す。これ
らは、本発明媒体Ｆ１の最大出力で規格化して示してい
る。図２１から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｆ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｆ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
２０に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
【００３９】従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｆ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図２２に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図２
２から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｆ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｆ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図２２に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図２
２から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｆ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｆ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【００４０】下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値を４００〜１
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図２３
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図２３
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
【００４１】以上のことより、本発明媒体Ｆ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
【００４２】
【実施例６】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４ターゲッ
トの代わりにＮｉ０．３Ｚｎ０．７Ｆｅ２Ｏ４ターゲッ
トを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を
作成した。下地軟磁性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料
振動型磁力計）で測定したところ、４０００[Ｇ]であっ
た。下地のＢｓ・ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本
発明媒体Ｇ１とする。
トの代わりにＮｉ０．３Ｚｎ０．７Ｆｅ２Ｏ４ターゲッ
トを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を
作成した。下地軟磁性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料
振動型磁力計）で測定したところ、４０００[Ｇ]であっ
た。下地のＢｓ・ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本
発明媒体Ｇ１とする。
【００４３】Ｎｉ０．３Ｚｎ０．７Ｆｅ２Ｏ４膜の電気
抵抗率を測定した結果１０２［Ω・ｍ］であった。な
お、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示したとお
り、５×１０−８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＮ
ｉ０．３Ｚｎ０．７Ｆｅ２Ｏ４膜の交流透磁率を測定し
た結果をそれぞれ図３及び図２４に示す。図３から分か
るように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数１［ＭＨｚ］あた
りから交流透磁率の虚数成分が大きくなり、損失が見ら
れることが分かる。これは、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が
小さいため、高周波の磁場に対して渦電流損失が大きく
なるためである。それに対し、Ｎｉ０．３Ｚｎ０．７Ｆ
ｅ２Ｏ４膜の場合、周波数１００［ＭＨｚ］あたりにな
ってもまだ交流透磁率の虚数成分はそれほど大きくなら
ず、損失が小さいことが分かる。これは、Ｎｉ０．３Ｚ
ｎ０．７Ｆｅ２Ｏ４膜の電気抵抗が大きいために渦電流
損失を生じにくいためである。
抵抗率を測定した結果１０２［Ω・ｍ］であった。な
お、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示したとお
り、５×１０−８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＮ
ｉ０．３Ｚｎ０．７Ｆｅ２Ｏ４膜の交流透磁率を測定し
た結果をそれぞれ図３及び図２４に示す。図３から分か
るように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数１［ＭＨｚ］あた
りから交流透磁率の虚数成分が大きくなり、損失が見ら
れることが分かる。これは、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が
小さいため、高周波の磁場に対して渦電流損失が大きく
なるためである。それに対し、Ｎｉ０．３Ｚｎ０．７Ｆ
ｅ２Ｏ４膜の場合、周波数１００［ＭＨｚ］あたりにな
ってもまだ交流透磁率の虚数成分はそれほど大きくなら
ず、損失が小さいことが分かる。これは、Ｎｉ０．３Ｚ
ｎ０．７Ｆｅ２Ｏ４膜の電気抵抗が大きいために渦電流
損失を生じにくいためである。
【００４４】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｇ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｇ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図２５に示す。これ
らは、本発明媒体Ｇ１の最大出力で規格化して示してい
る。図２５から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｇ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｇ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
２４に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
体Ｇ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｇ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図２５に示す。これ
らは、本発明媒体Ｇ１の最大出力で規格化して示してい
る。図２５から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｇ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｇ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
２４に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
【００４５】従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｇ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図２６に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図２
６から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｇ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｇ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図２６に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図２
６から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｇ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｇ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【００４６】下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値を４００〜１
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図２３
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図２３
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
【００４７】以上のことより、本発明媒体Ｇ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
【００４８】
【実施例７】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４ターゲッ
トの代わりにＣｕ０．５Ｍｎ０．５Ｆｅ２Ｏ４ターゲッ
トを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を
作成した。下地軟磁性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料
振動型磁力計）で測定したところ、２５００[Ｇ]であっ
た。下地のＢｓ・ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本
発明媒体Ｈ１とする。
トの代わりにＣｕ０．５Ｍｎ０．５Ｆｅ２Ｏ４ターゲッ
トを用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を
作成した。下地軟磁性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料
振動型磁力計）で測定したところ、２５００[Ｇ]であっ
た。下地のＢｓ・ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本
発明媒体Ｈ１とする。
【００４９】Ｃｕ０．５Ｍｎ０．５Ｆｅ２Ｏ４膜の電気
抵抗率を測定した結果１０２［Ω・ｍ］であった。な
お、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示したとお
り、５×１０−８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＣ
ｕ０．５Ｍｎ０．５Ｆｅ２Ｏ４膜の交流透磁率を測定し
た結果をそれぞれ図３及び図２８に示す。図３から分か
るように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数１［ＭＨｚ］あた
りから交流透磁率の虚数成分が大きくなり、損失が見ら
れることが分かる。これは、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が
小さいため、高周波の磁場に対して渦電流損失が大きく
なるためである。それに対し、Ｃｕ０．５Ｍｎ０．５Ｆ
ｅ２Ｏ４膜の場合、周波数１００［ＭＨｚ］あたりにな
ってもまだ交流透磁率の虚数成分はそれほど大きくなら
ず、損失が小さいことが分かる。これは、Ｃｕ０．５Ｍ
ｎ０．５Ｆｅ２Ｏ４膜の電気抵抗が大きいために渦電流
損失を生じにくいためである。
抵抗率を測定した結果１０２［Ω・ｍ］であった。な
お、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示したとお
り、５×１０−８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＣ
ｕ０．５Ｍｎ０．５Ｆｅ２Ｏ４膜の交流透磁率を測定し
た結果をそれぞれ図３及び図２８に示す。図３から分か
るように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数１［ＭＨｚ］あた
りから交流透磁率の虚数成分が大きくなり、損失が見ら
れることが分かる。これは、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が
小さいため、高周波の磁場に対して渦電流損失が大きく
なるためである。それに対し、Ｃｕ０．５Ｍｎ０．５Ｆ
ｅ２Ｏ４膜の場合、周波数１００［ＭＨｚ］あたりにな
ってもまだ交流透磁率の虚数成分はそれほど大きくなら
ず、損失が小さいことが分かる。これは、Ｃｕ０．５Ｍ
ｎ０．５Ｆｅ２Ｏ４膜の電気抵抗が大きいために渦電流
損失を生じにくいためである。
【００５０】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｈ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｈ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図２９に示す。これ
らは、本発明媒体Ｈ１の最大出力で規格化して示してい
る。図２９から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｈ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｈ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
２８に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
体Ｈ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｈ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図２９に示す。これ
らは、本発明媒体Ｈ１の最大出力で規格化して示してい
る。図２９から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｈ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｈ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
２８に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
【００５１】従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｈ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図３０に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図３
０から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｈ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｈ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図３０に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図３
０から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｈ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｈ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【００５２】下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値を４００〜１
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図３１
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図３１
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
【００５３】以上のことより、本発明媒体Ｈ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
【００５４】
【実施例８】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４ターゲッ
トの代わりにＭｎｘＦｅ１−ｘＦｅ ２Ｏ４（ｘ＝０．
１、０．３、０．４、０．７、０．９５）ターゲットを
用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成
した。下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値は５００[Ｇ・μｍ]
と設定した。Ｍｎ０．４Ｆｅ０．６Ｆｅ２Ｏ４ターゲッ
ト、Ｍｎ０．３Ｆｅ０．７Ｆｅ２Ｏ４ターゲットを用い
て作成した媒体をそれぞれ本発明媒体Ｊ１、従来媒体Ａ
２とする。
トの代わりにＭｎｘＦｅ１−ｘＦｅ ２Ｏ４（ｘ＝０．
１、０．３、０．４、０．７、０．９５）ターゲットを
用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成
した。下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値は５００[Ｇ・μｍ]
と設定した。Ｍｎ０．４Ｆｅ０．６Ｆｅ２Ｏ４ターゲッ
ト、Ｍｎ０．３Ｆｅ０．７Ｆｅ２Ｏ４ターゲットを用い
て作成した媒体をそれぞれ本発明媒体Ｊ１、従来媒体Ａ
２とする。
【００５５】ＭｎｘＦｅ１−ｘＦｅ２Ｏ４（ｘ＝０．
１、０．３、０．４、０．７、０．９５）膜の電気抵抗
率と交流透磁率を測定した結果を図３２に示す。図３２
から分かるように、ｘ＝０．１、０．３の場合は鉄（Ｆ
ｅ）の組成が多いため、電気抵抗率が低く、そのために
周波数１００［ＭＨｚ］での交流透磁率の虚数成分が大
きい。それに対し、ｘ＝０．４以上になると鉄（Ｆｅ）
の組成が少なくなるために電気抵抗率が高くなり、その
ために周波数１００［ＭＨｚ］での交流透磁率の虚数成
分が小さい。これはｘ＝０．４以上になると電気抵抗が
高いために渦電流損失が抑えられているためである。
１、０．３、０．４、０．７、０．９５）膜の電気抵抗
率と交流透磁率を測定した結果を図３２に示す。図３２
から分かるように、ｘ＝０．１、０．３の場合は鉄（Ｆ
ｅ）の組成が多いため、電気抵抗率が低く、そのために
周波数１００［ＭＨｚ］での交流透磁率の虚数成分が大
きい。それに対し、ｘ＝０．４以上になると鉄（Ｆｅ）
の組成が少なくなるために電気抵抗率が高くなり、その
ために周波数１００［ＭＨｚ］での交流透磁率の虚数成
分が小さい。これはｘ＝０．４以上になると電気抵抗が
高いために渦電流損失が抑えられているためである。
【００５６】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｊ１及び従来媒体Ａ２の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ２及び本発明媒体Ｊ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図３３に示す。これ
らは、本発明媒体Ｊ１の最大出力で規格化して示してい
る。図３３から分かるように、従来媒体Ａ２では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｊ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ２では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３２に見ら
れるように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な
記録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｊ１で
は、記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失
が図３２に見られるように抑制されているため、高い記
録周波数の領域で十分な記録能力を確保できているため
である。
体Ｊ１及び従来媒体Ａ２の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ２及び本発明媒体Ｊ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図３３に示す。これ
らは、本発明媒体Ｊ１の最大出力で規格化して示してい
る。図３３から分かるように、従来媒体Ａ２では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｊ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ２では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３２に見ら
れるように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な
記録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｊ１で
は、記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失
が図３２に見られるように抑制されているため、高い記
録周波数の領域で十分な記録能力を確保できているため
である。
【００５７】従来媒体Ａ２及び本発明媒体Ｊ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図３４に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図３
４から分かるように、従来媒体Ａ２の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｊ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ２で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｊ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ２のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図３４に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図３
４から分かるように、従来媒体Ａ２の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｊ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ２で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｊ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ２のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【００５８】以上のことより、本発明媒体Ｊ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
また、本発明媒体Ｊ１よりもＭｎ濃度の高い媒体の場合
も、図３２より下地軟磁性膜の高周波での渦電流損失を
抑えられるため、同様な効果が得られる。そして、組成
ｘ＝１の場合が実施例１の場合となる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
また、本発明媒体Ｊ１よりもＭｎ濃度の高い媒体の場合
も、図３２より下地軟磁性膜の高周波での渦電流損失を
抑えられるため、同様な効果が得られる。そして、組成
ｘ＝１の場合が実施例１の場合となる。
【００５９】
【実施例９】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４ターゲッ
トの代わりにＮｉｘＦｅ１−ｘＦｅ ２Ｏ４（ｘ＝０．
２、０．４、０．５、０．７、０．９５）ターゲットを
用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成
した。下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値は５００[Ｇ・μｍ]
と設定した。Ｎｉ０．５Ｆｅ０．５Ｆｅ２Ｏ４ターゲッ
ト、Ｎｉ０．４Ｆｅ０．６Ｆｅ２Ｏ４ターゲットを用い
て作成した媒体をそれぞれ本発明媒体Ｋ１、従来媒体Ａ
３とする。
トの代わりにＮｉｘＦｅ１−ｘＦｅ ２Ｏ４（ｘ＝０．
２、０．４、０．５、０．７、０．９５）ターゲットを
用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成
した。下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値は５００[Ｇ・μｍ]
と設定した。Ｎｉ０．５Ｆｅ０．５Ｆｅ２Ｏ４ターゲッ
ト、Ｎｉ０．４Ｆｅ０．６Ｆｅ２Ｏ４ターゲットを用い
て作成した媒体をそれぞれ本発明媒体Ｋ１、従来媒体Ａ
３とする。
【００６０】ＮｉｘＦｅ１−ｘＦｅ２Ｏ４（ｘ＝０．
２、０．４、０．５、０．７、０．９５）膜の電気抵抗
率と交流透磁率を測定した結果を図３５に示す。図３５
から分かるように、ｘ＝０．２、０．４の場合は鉄（Ｆ
ｅ）の組成が多いため、電気抵抗率が低く、そのために
周波数１００［ＭＨｚ］での交流透磁率の虚数成分が大
きい。それに対し、ｘ＝０．５以上になると鉄（Ｆｅ）
の組成が少なくなるために電気抵抗率が高くなり、その
ために周波数１００［ＭＨｚ］での交流透磁率の虚数成
分が小さい。これはｘ＝０．５以上になると電気抵抗が
高いために渦電流損失が抑えられているためである。
２、０．４、０．５、０．７、０．９５）膜の電気抵抗
率と交流透磁率を測定した結果を図３５に示す。図３５
から分かるように、ｘ＝０．２、０．４の場合は鉄（Ｆ
ｅ）の組成が多いため、電気抵抗率が低く、そのために
周波数１００［ＭＨｚ］での交流透磁率の虚数成分が大
きい。それに対し、ｘ＝０．５以上になると鉄（Ｆｅ）
の組成が少なくなるために電気抵抗率が高くなり、その
ために周波数１００［ＭＨｚ］での交流透磁率の虚数成
分が小さい。これはｘ＝０．５以上になると電気抵抗が
高いために渦電流損失が抑えられているためである。
【００６１】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｋ１及び従来媒体Ａ３の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ３及び本発明媒体Ｋ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図３６に示す。これ
らは、本発明媒体Ｋ１の最大出力で規格化して示してい
る。図３６から分かるように、従来媒体Ａ３では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｋ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ３では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３５に見ら
れるように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な
記録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｋ１で
は、記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失
が図３５に見られるように抑制されているため、高い記
録周波数の領域で十分な記録能力を確保できているため
である。
体Ｋ１及び従来媒体Ａ３の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ３及び本発明媒体Ｋ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図３６に示す。これ
らは、本発明媒体Ｋ１の最大出力で規格化して示してい
る。図３６から分かるように、従来媒体Ａ３では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｋ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ３では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３５に見ら
れるように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な
記録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｋ１で
は、記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失
が図３５に見られるように抑制されているため、高い記
録周波数の領域で十分な記録能力を確保できているため
である。
【００６２】従来媒体Ａ３及び本発明媒体Ｋ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図３７に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図３
７から分かるように、従来媒体Ａ３の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｋ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ３で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｋ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ３のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図３７に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図３
７から分かるように、従来媒体Ａ３の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｋ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ３で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｋ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ３のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【００６３】以上のことより、本発明媒体Ｋ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
また、本発明媒体Ｋ１よりもＮｉ濃度の高い媒体の場合
も、図３５より下地軟磁性膜の高周波での渦電流損失を
抑えられるため、同様な効果が得られる。そして、組成
ｘ＝１の場合が実施例２の場合となる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
また、本発明媒体Ｋ１よりもＮｉ濃度の高い媒体の場合
も、図３５より下地軟磁性膜の高周波での渦電流損失を
抑えられるため、同様な効果が得られる。そして、組成
ｘ＝１の場合が実施例２の場合となる。
【００６４】
【実施例１０】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４ターゲ
ットの代わりにＣｕｘＦｅ１−ｘＦｅ ２Ｏ４（ｘ＝０．
２、０．４、０．５、０．７、０．９５）ターゲットを
用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成
した。下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値は５００[Ｇ・μｍ]
と設定した。Ｃｕ０．５Ｆｅ０．５Ｆｅ２Ｏ４ターゲッ
ト、Ｃｕ０．４Ｆｅ０．６Ｆｅ２Ｏ４ターゲットを用い
て作成した媒体をそれぞれ本発明媒体Ｌ１、従来媒体Ａ
４とする。
ットの代わりにＣｕｘＦｅ１−ｘＦｅ ２Ｏ４（ｘ＝０．
２、０．４、０．５、０．７、０．９５）ターゲットを
用いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成
した。下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値は５００[Ｇ・μｍ]
と設定した。Ｃｕ０．５Ｆｅ０．５Ｆｅ２Ｏ４ターゲッ
ト、Ｃｕ０．４Ｆｅ０．６Ｆｅ２Ｏ４ターゲットを用い
て作成した媒体をそれぞれ本発明媒体Ｌ１、従来媒体Ａ
４とする。
【００６５】ＣｕｘＦｅ１−ｘＦｅ２Ｏ４（ｘ＝０．
２、０．４、０．５、０．７、０．９５）膜の電気抵抗
率と交流透磁率を測定した結果を図３８に示す。図３８
から分かるように、ｘ＝０．２、０．４の場合は鉄（Ｆ
ｅ）の組成が多いため、電気抵抗率が低く、そのために
周波数１００［ＭＨｚ］での交流透磁率の虚数成分が大
きい。それに対し、ｘ＝０．５以上になると鉄（Ｆｅ）
の組成が少なくなるために電気抵抗率が高くなり、その
ために周波数１００［ＭＨｚ］での交流透磁率の虚数成
分が小さい。これはｘ＝０．５以上になると電気抵抗が
高いために渦電流損失が抑えられているためである。
２、０．４、０．５、０．７、０．９５）膜の電気抵抗
率と交流透磁率を測定した結果を図３８に示す。図３８
から分かるように、ｘ＝０．２、０．４の場合は鉄（Ｆ
ｅ）の組成が多いため、電気抵抗率が低く、そのために
周波数１００［ＭＨｚ］での交流透磁率の虚数成分が大
きい。それに対し、ｘ＝０．５以上になると鉄（Ｆｅ）
の組成が少なくなるために電気抵抗率が高くなり、その
ために周波数１００［ＭＨｚ］での交流透磁率の虚数成
分が小さい。これはｘ＝０．５以上になると電気抵抗が
高いために渦電流損失が抑えられているためである。
【００６６】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｌ１及び従来媒体Ａ４の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ４及び本発明媒体Ｌ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図３９に示す。これ
らは、本発明媒体Ｋ１の最大出力で規格化して示してい
る。図３９から分かるように、従来媒体Ａ３では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｌ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ４では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３８に見ら
れるように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な
記録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｌ１で
は、記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失
が図３８に見られるように抑制されているため、高い記
録周波数の領域で十分な記録能力を確保できているため
である。
体Ｌ１及び従来媒体Ａ４の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ４及び本発明媒体Ｌ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図３９に示す。これ
らは、本発明媒体Ｋ１の最大出力で規格化して示してい
る。図３９から分かるように、従来媒体Ａ３では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｌ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ４では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３８に見ら
れるように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な
記録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｌ１で
は、記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失
が図３８に見られるように抑制されているため、高い記
録周波数の領域で十分な記録能力を確保できているため
である。
【００６７】従来媒体Ａ４及び本発明媒体Ｌ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図４０に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図４
０から分かるように、従来媒体Ａ４の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｌ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ４で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｌ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ４のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図４０に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図４
０から分かるように、従来媒体Ａ４の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｌ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ４で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｌ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ４のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【００６８】以上のことより、本発明媒体Ｌ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
また、本発明媒体Ｌ１よりもＣｕ濃度の高い媒体の場合
も、図３８より下地軟磁性膜の高周波での渦電流損失を
抑えられるため、同様な効果が得られる。そして、組成
ｘ＝１の場合が実施例３の場合となる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
また、本発明媒体Ｌ１よりもＣｕ濃度の高い媒体の場合
も、図３８より下地軟磁性膜の高周波での渦電流損失を
抑えられるため、同様な効果が得られる。そして、組成
ｘ＝１の場合が実施例３の場合となる。
【００６９】
【実施例１１】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４ターゲ
ットの代わりにＹ３Ｆｅ５Ｏ１２ターゲットを用いて、
実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成した。下
地軟磁性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力
計）で測定したところ、１８００[Ｇ]であった。下地の
Ｂｓ・ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｍ
１とする。
ットの代わりにＹ３Ｆｅ５Ｏ１２ターゲットを用いて、
実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成した。下
地軟磁性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力
計）で測定したところ、１８００[Ｇ]であった。下地の
Ｂｓ・ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｍ
１とする。
【００７０】Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２膜の電気抵抗率を測定し
た結果１０４［Ω・ｍ］であった。なお、ＮｉＦｅ膜の
電気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１０
−８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＹ３Ｆｅ５Ｏ
１２膜の交流透磁率を測定した結果をそれぞれ図３及び
図４１に示す。図３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場
合、周波数１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率の虚数成
分が大きくなり、損失が見られることが分かる。これ
は、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が小さいため、高周波の磁
場に対して渦電流損失が大きくなるためである。それに
対し、Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２膜の場合、周波数１００［ＭＨ
ｚ］あたりになってもまだ交流透磁率の虚数成分はそれ
ほど大きくならず、損失が小さいことが分かる。これ
は、Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２膜の電気抵抗が大きいために渦電
流損失を生じにくいためである。
た結果１０４［Ω・ｍ］であった。なお、ＮｉＦｅ膜の
電気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１０
−８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＹ３Ｆｅ５Ｏ
１２膜の交流透磁率を測定した結果をそれぞれ図３及び
図４１に示す。図３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場
合、周波数１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率の虚数成
分が大きくなり、損失が見られることが分かる。これ
は、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が小さいため、高周波の磁
場に対して渦電流損失が大きくなるためである。それに
対し、Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２膜の場合、周波数１００［ＭＨ
ｚ］あたりになってもまだ交流透磁率の虚数成分はそれ
ほど大きくならず、損失が小さいことが分かる。これ
は、Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２膜の電気抵抗が大きいために渦電
流損失を生じにくいためである。
【００７１】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｍ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｍ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図４２に示す。これ
らは、本発明媒体Ｍ１の最大出力で規格化して示してい
る。図４２から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｍ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｍ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
４１に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
体Ｍ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｍ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図４２に示す。これ
らは、本発明媒体Ｍ１の最大出力で規格化して示してい
る。図４２から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｍ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｍ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
４１に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
【００７２】従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｍ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図４３に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図４
３から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｍ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｍ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図４３に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図４
３から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｍ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｍ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【００７３】下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値を４００〜１
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図４４
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図４４
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
【００７４】以上のことより、本発明媒体Ｍ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
【００７５】
【実施例１２】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４ターゲ
ットの代わりにＹ２．９９８Ｃａ０． ００２Ｆｅ５Ｏ
１２ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁
気記録媒体を作成した。下地軟磁性膜の飽和磁化Ｂｓを
ＶＳＭ（試料振動型磁力計）で測定したところ、１７０
０[Ｇ]であった。下地のＢｓ・ｄの値が５００[Ｇ・μ
ｍ]の媒体を本発明媒体Ｎ１とする。
ットの代わりにＹ２．９９８Ｃａ０． ００２Ｆｅ５Ｏ
１２ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁
気記録媒体を作成した。下地軟磁性膜の飽和磁化Ｂｓを
ＶＳＭ（試料振動型磁力計）で測定したところ、１７０
０[Ｇ]であった。下地のＢｓ・ｄの値が５００[Ｇ・μ
ｍ]の媒体を本発明媒体Ｎ１とする。
【００７６】Ｙ２．９９８Ｃａ０．００２Ｆｅ５Ｏ１２
膜の電気抵抗率を測定した結果１０ ４［Ω・ｍ］であっ
た。なお、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示した
とおり、５×１０−８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及
びＹ２．９９８Ｃａ０．００ ２Ｆｅ５Ｏ１２膜の交流透
磁率を測定した結果をそれぞれ図３、図４５に示す。図
３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数１［Ｍ
Ｈｚ］あたりから交流透磁率の虚数成分が大きくなり、
損失が見られることが分かる。これは、ＮｉＦｅ膜の電
気抵抗率が小さいため、高周波の磁場に対して渦電流損
失が大きくなるためである。それに対し、Ｙ２．９９８
Ｃａ０．００２Ｆｅ５Ｏ１２膜の場合、周波数１００
［ＭＨｚ］あたりになってもまだ交流透磁率の虚数成分
はそれほど大きくならず、損失が小さいことが分かる。
これは、Ｙ２．９９８Ｃａ０．００ ２Ｆｅ５Ｏ１２膜の
電気抵抗が大きいために渦電流損失を生じにくいためで
ある。
膜の電気抵抗率を測定した結果１０ ４［Ω・ｍ］であっ
た。なお、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示した
とおり、５×１０−８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及
びＹ２．９９８Ｃａ０．００ ２Ｆｅ５Ｏ１２膜の交流透
磁率を測定した結果をそれぞれ図３、図４５に示す。図
３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数１［Ｍ
Ｈｚ］あたりから交流透磁率の虚数成分が大きくなり、
損失が見られることが分かる。これは、ＮｉＦｅ膜の電
気抵抗率が小さいため、高周波の磁場に対して渦電流損
失が大きくなるためである。それに対し、Ｙ２．９９８
Ｃａ０．００２Ｆｅ５Ｏ１２膜の場合、周波数１００
［ＭＨｚ］あたりになってもまだ交流透磁率の虚数成分
はそれほど大きくならず、損失が小さいことが分かる。
これは、Ｙ２．９９８Ｃａ０．００ ２Ｆｅ５Ｏ１２膜の
電気抵抗が大きいために渦電流損失を生じにくいためで
ある。
【００７７】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｎ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｎ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図４６に示す。これ
らは、本発明媒体Ｎ１の最大出力で規格化して示してい
る。図４６から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｎ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｎ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
４５に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
体Ｎ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｎ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図４６に示す。これ
らは、本発明媒体Ｎ１の最大出力で規格化して示してい
る。図４６から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｎ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｎ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
４５に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
【００７８】従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｎ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図４７に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図４
７から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｎ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｎ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図４７に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図４
７から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｎ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｎ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【００７９】下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値を４００〜１
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図４８
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図４８
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
【００８０】以上のことより、本発明媒体Ｎ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
【００８１】
【実施例１３】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４ターゲ
ットの代わりにＹ２．９９８Ｓｉ０． ００２Ｆｅ５Ｏ
１２ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁
気記録媒体を作成した。下地軟磁性膜の飽和磁化Ｂｓを
ＶＳＭ（試料振動型磁力計）で測定したところ、１８０
０[Ｇ]であった。下地のＢｓ・ｄの値が５００[Ｇ・μ
ｍ]の媒体を本発明媒体Ｐ１とする。
ットの代わりにＹ２．９９８Ｓｉ０． ００２Ｆｅ５Ｏ
１２ターゲットを用いて、実施例１と同様にして垂直磁
気記録媒体を作成した。下地軟磁性膜の飽和磁化Ｂｓを
ＶＳＭ（試料振動型磁力計）で測定したところ、１８０
０[Ｇ]であった。下地のＢｓ・ｄの値が５００[Ｇ・μ
ｍ]の媒体を本発明媒体Ｐ１とする。
【００８２】Ｙ２．９９８Ｓｉ０．００２Ｆｅ５Ｏ１２
膜の電気抵抗率を測定した結果１０ ４［Ω・ｍ］であっ
た。なお、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示した
とおり、５×１０−８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及
びＹ２．９９８Ｓｉ０．００ ２Ｆｅ５Ｏ１２膜の交流透
磁率を測定した結果をそれぞれ図３及び図４９に示す。
図３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数１
［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率の虚数成分が大きくな
り、損失が見られることが分かる。これは、ＮｉＦｅ膜
の電気抵抗率が小さいため、高周波の磁場に対して渦電
流損失が大きくなるためである。それに対し、Ｙ
２．９９８Ｓｉ０．００２Ｆｅ５Ｏ１２膜の場合、周波
数１００［ＭＨｚ］あたりになってもまだ交流透磁率の
虚数成分はそれほど大きくならず、損失が小さいことが
分かる。これは、Ｙ２．９９８Ｓｉ０．０ ０２Ｆｅ５Ｏ
１２膜の電気抵抗が大きいために渦電流損失を生じにく
いためである。
膜の電気抵抗率を測定した結果１０ ４［Ω・ｍ］であっ
た。なお、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示した
とおり、５×１０−８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及
びＹ２．９９８Ｓｉ０．００ ２Ｆｅ５Ｏ１２膜の交流透
磁率を測定した結果をそれぞれ図３及び図４９に示す。
図３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数１
［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率の虚数成分が大きくな
り、損失が見られることが分かる。これは、ＮｉＦｅ膜
の電気抵抗率が小さいため、高周波の磁場に対して渦電
流損失が大きくなるためである。それに対し、Ｙ
２．９９８Ｓｉ０．００２Ｆｅ５Ｏ１２膜の場合、周波
数１００［ＭＨｚ］あたりになってもまだ交流透磁率の
虚数成分はそれほど大きくならず、損失が小さいことが
分かる。これは、Ｙ２．９９８Ｓｉ０．０ ０２Ｆｅ５Ｏ
１２膜の電気抵抗が大きいために渦電流損失を生じにく
いためである。
【００８３】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｐ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｐ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図５０に示す。これ
らは、本発明媒体Ｐ１の最大出力で規格化して示してい
る。図５０から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｐ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｐ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
４９に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
体Ｐ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｐ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図５０に示す。これ
らは、本発明媒体Ｐ１の最大出力で規格化して示してい
る。図５０から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｐ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｐ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
４９に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
【００８４】従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｐ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図５１に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図５
１から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｐ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｐ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図５１に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図５
１から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｐ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｐ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【００８５】下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値を４００〜１
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図５２
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図５２
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
【００８６】以上のことより、本発明媒体Ｐ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
【００８７】２．５インチの基板上にスパッタ法により
でＣｏ−ＳｉＯ２分散膜を５０［ｎｍ］〜５００［ｎ
ｍ］に渡って色々な膜厚で成膜した。成膜条件は、初期
真空度５×１０−７［ｍＴｏｒｒ］以下において、投入
電力０．５［ｋＷ］、アルゴンガス圧４［ｍＴｏｒ
ｒ］、成膜速度３［ｎｍ／ｓｅＣ］とした。分散膜は、
基板にバイアス電圧を印加しながらＣｏターゲットとＳ
ｉＯ２ターゲットを、同時にスパッタして得た。分散膜
中のＣｏの体積比は５０［％］程度に設定した。その上
にＣｏ７８Ｃｒ１９Ｔａ３（ａｔ％）ターゲットを用い
て基板温度４００［℃］としてＣｏ７８Ｃｒ１９Ｔａ３
膜を１００［ｎｍ］成膜した。更にその上にＣ保護膜を
１０［ｎｍ］成膜した。これらの媒体のうち、Ｃｏ−Ｓ
ｉＯ２分散膜の膜厚が５００［ｎｍ］、４００［ｎｍ］
である媒体をそれぞれ便宜上、本発明媒体Ｅ２、本発明
媒体Ｅ３とする。
でＣｏ−ＳｉＯ２分散膜を５０［ｎｍ］〜５００［ｎ
ｍ］に渡って色々な膜厚で成膜した。成膜条件は、初期
真空度５×１０−７［ｍＴｏｒｒ］以下において、投入
電力０．５［ｋＷ］、アルゴンガス圧４［ｍＴｏｒ
ｒ］、成膜速度３［ｎｍ／ｓｅＣ］とした。分散膜は、
基板にバイアス電圧を印加しながらＣｏターゲットとＳ
ｉＯ２ターゲットを、同時にスパッタして得た。分散膜
中のＣｏの体積比は５０［％］程度に設定した。その上
にＣｏ７８Ｃｒ１９Ｔａ３（ａｔ％）ターゲットを用い
て基板温度４００［℃］としてＣｏ７８Ｃｒ１９Ｔａ３
膜を１００［ｎｍ］成膜した。更にその上にＣ保護膜を
１０［ｎｍ］成膜した。これらの媒体のうち、Ｃｏ−Ｓ
ｉＯ２分散膜の膜厚が５００［ｎｍ］、４００［ｎｍ］
である媒体をそれぞれ便宜上、本発明媒体Ｅ２、本発明
媒体Ｅ３とする。
【００８８】
【実施例１４】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４膜の代
わりにＣｏ−ＳｉＯ２分散膜を成膜し、実施例１と同様
にして垂直磁気記録媒体を作成した。分散膜は、基板に
バイアス電圧を印加しながらＣｏターゲットとＳｉＯ２
ターゲットを、同時にスパッタして得た。分散膜中のＣ
ｏの体積比は５０［％］程度に設定した。下地軟磁性膜
の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）で測定し
たところ、６００[Ｇ]であった。下地のＢｓ・ｄの値が
５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｑ１とする。
わりにＣｏ−ＳｉＯ２分散膜を成膜し、実施例１と同様
にして垂直磁気記録媒体を作成した。分散膜は、基板に
バイアス電圧を印加しながらＣｏターゲットとＳｉＯ２
ターゲットを、同時にスパッタして得た。分散膜中のＣ
ｏの体積比は５０［％］程度に設定した。下地軟磁性膜
の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）で測定し
たところ、６００[Ｇ]であった。下地のＢｓ・ｄの値が
５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｑ１とする。
【００８９】Ｃｏ−ＳｉＯ２分散膜の電気抵抗率を測定
した結果２×１０４［Ω・ｍ］であった。なお、ＮｉＦ
ｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１０
−８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＣｏ−ＳｉＯ２
分散膜の交流透磁率を測定した結果をそれぞれ図３及び
図５３に示す。図３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場
合、周波数１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率の虚数成
分が大きくなり、損失が見られることが分かる。これ
は、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が小さいため、高周波の磁
場に対して渦電流損失が大きくなるためである。それに
対し、Ｃｏ−ＳｉＯ２分散膜の場合、周波数１００［Ｍ
Ｈｚ］あたりになってもまだ交流透磁率の虚数成分はそ
れほど大きくならず、損失が小さいことが分かる。これ
は、Ｃｏ−ＳｉＯ２分散膜の電気抵抗が大きいために渦
電流損失を生じにくいためである。
した結果２×１０４［Ω・ｍ］であった。なお、ＮｉＦ
ｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１０
−８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＣｏ−ＳｉＯ２
分散膜の交流透磁率を測定した結果をそれぞれ図３及び
図５３に示す。図３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場
合、周波数１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率の虚数成
分が大きくなり、損失が見られることが分かる。これ
は、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が小さいため、高周波の磁
場に対して渦電流損失が大きくなるためである。それに
対し、Ｃｏ−ＳｉＯ２分散膜の場合、周波数１００［Ｍ
Ｈｚ］あたりになってもまだ交流透磁率の虚数成分はそ
れほど大きくならず、損失が小さいことが分かる。これ
は、Ｃｏ−ＳｉＯ２分散膜の電気抵抗が大きいために渦
電流損失を生じにくいためである。
【００９０】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｑ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｑ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図５４に示す。これ
らは、本発明媒体Ｐ１の最大出力で規格化して示してい
る。図５４から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｑ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｑ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
５３に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
体Ｑ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｑ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図５４に示す。これ
らは、本発明媒体Ｐ１の最大出力で規格化して示してい
る。図５４から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｑ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｑ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
５３に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
【００９１】従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｑ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図５５に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図５
５から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｑ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｑ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図５５に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図５
５から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｑ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｑ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【００９２】下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値を４００〜１
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図５６
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図５６
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
【００９３】以上のことより、本発明媒体Ｑ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
【００９４】
【実施例１５】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４膜の代
わりにＣｏ−Ｃ分散膜を成膜し、実施例１と同様にして
垂直磁気記録媒体を作成した。分散膜は、基板にバイア
ス電圧を印加しながらＣｏターゲットとＣターゲット
を、同時にスパッタして得た。分散膜中のＣｏの体積比
は５０［％］程度に設定した。下地軟磁性膜の飽和磁化
ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）で測定したところ、
５５０[Ｇ]であった。下地のＢｓ・ｄの値が５００[Ｇ
・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｒ１とする。
わりにＣｏ−Ｃ分散膜を成膜し、実施例１と同様にして
垂直磁気記録媒体を作成した。分散膜は、基板にバイア
ス電圧を印加しながらＣｏターゲットとＣターゲット
を、同時にスパッタして得た。分散膜中のＣｏの体積比
は５０［％］程度に設定した。下地軟磁性膜の飽和磁化
ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）で測定したところ、
５５０[Ｇ]であった。下地のＢｓ・ｄの値が５００[Ｇ
・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｒ１とする。
【００９５】Ｃｏ−Ｃ分散膜の電気抵抗率を測定した結
果１０４［Ω・ｍ］であった。なお、ＮｉＦｅ膜の電気
抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１０−８［Ω・
ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＣｏ−Ｃ分散膜の交流透磁
率を測定した結果をそれぞれ図３及び図５７に示す。図
３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数１［Ｍ
Ｈｚ］あたりから交流透磁率の虚数成分が大きくなり、
損失が見られることが分かる。これは、ＮｉＦｅ膜の電
気抵抗率が小さいため、高周波の磁場に対して渦電流損
失が大きくなるためである。それに対し、Ｃｏ−Ｃ分散
膜の場合、周波数１００［ＭＨｚ］あたりになってもま
だ交流透磁率の虚数成分はそれほど大きくならず、損失
が小さいことが分かる。これは、Ｃｏ−Ｃ分散膜の電気
抵抗が大きいために渦電流損失を生じにくいためであ
る。
果１０４［Ω・ｍ］であった。なお、ＮｉＦｅ膜の電気
抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１０−８［Ω・
ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＣｏ−Ｃ分散膜の交流透磁
率を測定した結果をそれぞれ図３及び図５７に示す。図
３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場合、周波数１［Ｍ
Ｈｚ］あたりから交流透磁率の虚数成分が大きくなり、
損失が見られることが分かる。これは、ＮｉＦｅ膜の電
気抵抗率が小さいため、高周波の磁場に対して渦電流損
失が大きくなるためである。それに対し、Ｃｏ−Ｃ分散
膜の場合、周波数１００［ＭＨｚ］あたりになってもま
だ交流透磁率の虚数成分はそれほど大きくならず、損失
が小さいことが分かる。これは、Ｃｏ−Ｃ分散膜の電気
抵抗が大きいために渦電流損失を生じにくいためであ
る。
【００９６】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｒ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｒ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図５８に示す。これ
らは、本発明媒体Ｐ１の最大出力で規格化して示してい
る。図５８から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｒ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｒ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
５７に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
体Ｒ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｒ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図５８に示す。これ
らは、本発明媒体Ｐ１の最大出力で規格化して示してい
る。図５８から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｒ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｒ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
５７に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
【００９７】従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｒ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図５９に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図５
９から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｒ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｒ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図５９に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図５
９から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｒ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｒ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【００９８】下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値を４００〜１
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図６０
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図６０
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
【００９９】以上のことより、本発明媒体Ｒ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
【０１００】
【実施例１６】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４膜の代
わりにＣｏ−Ａｌ２Ｏ３分散膜を成膜し、実施例１と同
様にして垂直磁気記録媒体を作成した。分散膜は、基板
にバイアス電圧を印加しながらＣｏターゲットとＡｌ２
Ｏ３ターゲットを、同時にスパッタして得た。分散膜中
のＣｏの体積比は５０［％］程度に設定した。下地軟磁
性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）で測
定したところ、５８０[Ｇ]であった。下地のＢｓ・ｄの
値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｓ１とする。
わりにＣｏ−Ａｌ２Ｏ３分散膜を成膜し、実施例１と同
様にして垂直磁気記録媒体を作成した。分散膜は、基板
にバイアス電圧を印加しながらＣｏターゲットとＡｌ２
Ｏ３ターゲットを、同時にスパッタして得た。分散膜中
のＣｏの体積比は５０［％］程度に設定した。下地軟磁
性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）で測
定したところ、５８０[Ｇ]であった。下地のＢｓ・ｄの
値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｓ１とする。
【０１０１】Ｃｏ−Ａｌ２Ｏ３分散膜の電気抵抗率を測
定した結果３×１０４［Ω・ｍ］であった。なお、Ｎｉ
Ｆｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１
０− ８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＣｏ−Ａｌ２
Ｏ３分散膜の交流透磁率を測定した結果をそれぞれ図３
及び図６１に示す。図３から分かるように、ＮｉＦｅ膜
の場合、周波数１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率の虚
数成分が大きくなり、損失が見られることが分かる。こ
れは、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が小さいため、高周波の
磁場に対して渦電流損失が大きくなるためである。それ
に対し、Ｃｏ−Ａｌ２Ｏ３分散膜の場合、周波数１００
［ＭＨｚ］あたりになってもまだ交流透磁率の虚数成分
はそれほど大きくならず、損失が小さいことが分かる。
これは、Ｃｏ−Ａｌ２Ｏ３分散膜の電気抵抗が大きいた
めに渦電流損失を生じにくいためである。
定した結果３×１０４［Ω・ｍ］であった。なお、Ｎｉ
Ｆｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１
０− ８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＣｏ−Ａｌ２
Ｏ３分散膜の交流透磁率を測定した結果をそれぞれ図３
及び図６１に示す。図３から分かるように、ＮｉＦｅ膜
の場合、周波数１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率の虚
数成分が大きくなり、損失が見られることが分かる。こ
れは、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が小さいため、高周波の
磁場に対して渦電流損失が大きくなるためである。それ
に対し、Ｃｏ−Ａｌ２Ｏ３分散膜の場合、周波数１００
［ＭＨｚ］あたりになってもまだ交流透磁率の虚数成分
はそれほど大きくならず、損失が小さいことが分かる。
これは、Ｃｏ−Ａｌ２Ｏ３分散膜の電気抵抗が大きいた
めに渦電流損失を生じにくいためである。
【０１０２】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｓ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｓ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図６２に示す。これ
らは、本発明媒体Ｐ１の最大出力で規格化して示してい
る。図６２から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｓ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｓ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
６１に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
体Ｓ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｓ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図６２に示す。これ
らは、本発明媒体Ｐ１の最大出力で規格化して示してい
る。図６２から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｓ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｓ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
６１に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
【０１０３】従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｓ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図６３に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図６
３から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｓ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｓ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図６３に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図６
３から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｓ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｓ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【０１０４】下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値を４００〜１
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図６４
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図６４
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
【０１０５】以上のことより、本発明媒体Ｓ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
【０１０６】
【実施例１７】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４膜の代
わりにＣｏＦｅ−ＳｉＯ２分散膜を成膜し、実施例１と
同様にして垂直磁気記録媒体を作成した。分散膜は、基
板にバイアス電圧を印加しながらＣｏターゲットとＳｉ
Ｏ２ターゲットを、同時にスパッタして得た。分散膜中
のＣｏの体積比は５０［％］程度に設定した。下地軟磁
性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）で測
定したところ、６００[Ｇ]であった。下地のＢｓ・ｄの
値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｔ１とする。
わりにＣｏＦｅ−ＳｉＯ２分散膜を成膜し、実施例１と
同様にして垂直磁気記録媒体を作成した。分散膜は、基
板にバイアス電圧を印加しながらＣｏターゲットとＳｉ
Ｏ２ターゲットを、同時にスパッタして得た。分散膜中
のＣｏの体積比は５０［％］程度に設定した。下地軟磁
性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）で測
定したところ、６００[Ｇ]であった。下地のＢｓ・ｄの
値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｔ１とする。
【０１０７】ＣｏＦｅ−ＳｉＯ２分散膜の電気抵抗率を
測定した結果３×１０３［Ω・ｍ］であった。なお、Ｎ
ｉＦｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×
１０ −８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＣｏＦｅ−
ＳｉＯ２分散膜の交流透磁率を測定した結果をそれぞれ
図３及び図６５に示す。図３から分かるように、ＮｉＦ
ｅ膜の場合、周波数１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率
の虚数成分が大きくなり、損失が見られることが分か
る。これは、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が小さいため、高
周波の磁場に対して渦電流損失が大きくなるためであ
る。それに対し、ＣｏＦｅ−ＳｉＯ２分散膜の場合、周
波数１００［ＭＨｚ］あたりになってもまだ交流透磁率
の虚数成分はそれほど大きくならず、損失が小さいこと
が分かる。これは、ＣｏＦｅ−ＳｉＯ２分散膜の電気抵
抗が大きいために渦電流損失を生じにくいためである。
測定した結果３×１０３［Ω・ｍ］であった。なお、Ｎ
ｉＦｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×
１０ −８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＣｏＦｅ−
ＳｉＯ２分散膜の交流透磁率を測定した結果をそれぞれ
図３及び図６５に示す。図３から分かるように、ＮｉＦ
ｅ膜の場合、周波数１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率
の虚数成分が大きくなり、損失が見られることが分か
る。これは、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が小さいため、高
周波の磁場に対して渦電流損失が大きくなるためであ
る。それに対し、ＣｏＦｅ−ＳｉＯ２分散膜の場合、周
波数１００［ＭＨｚ］あたりになってもまだ交流透磁率
の虚数成分はそれほど大きくならず、損失が小さいこと
が分かる。これは、ＣｏＦｅ−ＳｉＯ２分散膜の電気抵
抗が大きいために渦電流損失を生じにくいためである。
【０１０８】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｔ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｔ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図６６に示す。これ
らは、本発明媒体Ｐ１の最大出力で規格化して示してい
る。図６６から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｔ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｔ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
６１に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
体Ｔ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｔ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図６６に示す。これ
らは、本発明媒体Ｐ１の最大出力で規格化して示してい
る。図６６から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｔ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｔ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
６１に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
【０１０９】従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｔ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図６７に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図６
７から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｔ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｔ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図６７に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図６
７から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｔ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｔ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【０１１０】下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値を４００〜１
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図６８
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図６８
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
【０１１１】以上のことより、本発明媒体Ｔ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
【０１１２】
【実施例１８】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４膜の代
わりにＣｏＦｅ−Ｃ分散膜を成膜し、実施例１と同様に
して垂直磁気記録媒体を作成した。分散膜は、基板にバ
イアス電圧を印加しながらＣｏターゲットとＣターゲッ
トを、同時にスパッタして得た。分散膜中のＣｏの体積
比は５０［％］程度に設定した。下地軟磁性膜の飽和磁
化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）で測定したとこ
ろ、６１０[Ｇ]であった。下地のＢｓ・ｄの値が５００
[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｕ１とする。
わりにＣｏＦｅ−Ｃ分散膜を成膜し、実施例１と同様に
して垂直磁気記録媒体を作成した。分散膜は、基板にバ
イアス電圧を印加しながらＣｏターゲットとＣターゲッ
トを、同時にスパッタして得た。分散膜中のＣｏの体積
比は５０［％］程度に設定した。下地軟磁性膜の飽和磁
化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）で測定したとこ
ろ、６１０[Ｇ]であった。下地のＢｓ・ｄの値が５００
[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｕ１とする。
【０１１３】ＣｏＦｅ−Ｃ分散膜の電気抵抗率を測定し
た結果２×１０３［Ω・ｍ］であった。なお、ＮｉＦｅ
膜の電気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１０
−８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＣｏＦｅ−Ｃ分
散膜の交流透磁率を測定した結果をそれぞれ図３及び図
６９に示す。図３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場
合、周波数１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率の虚数成
分が大きくなり、損失が見られることが分かる。これ
は、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が小さいため、高周波の磁
場に対して渦電流損失が大きくなるためである。それに
対し、ＣｏＦｅ−Ｃ分散膜の場合、周波数１００［ＭＨ
ｚ］あたりになってもまだ交流透磁率の虚数成分はそれ
ほど大きくならず、損失が小さいことが分かる。これ
は、ＣｏＦｅ−Ｃ分散膜の電気抵抗が大きいために渦電
流損失を生じにくいためである。
た結果２×１０３［Ω・ｍ］であった。なお、ＮｉＦｅ
膜の電気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１０
−８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＣｏＦｅ−Ｃ分
散膜の交流透磁率を測定した結果をそれぞれ図３及び図
６９に示す。図３から分かるように、ＮｉＦｅ膜の場
合、周波数１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率の虚数成
分が大きくなり、損失が見られることが分かる。これ
は、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が小さいため、高周波の磁
場に対して渦電流損失が大きくなるためである。それに
対し、ＣｏＦｅ−Ｃ分散膜の場合、周波数１００［ＭＨ
ｚ］あたりになってもまだ交流透磁率の虚数成分はそれ
ほど大きくならず、損失が小さいことが分かる。これ
は、ＣｏＦｅ−Ｃ分散膜の電気抵抗が大きいために渦電
流損失を生じにくいためである。
【０１１４】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｕ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｕ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図７０に示す。これ
らは、本発明媒体Ｐ１の最大出力で規格化して示してい
る。図７０から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｕ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｕ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
６９に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
体Ｕ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｕ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図７０に示す。これ
らは、本発明媒体Ｐ１の最大出力で規格化して示してい
る。図７０から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｕ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｕ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
６９に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
【０１１５】従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｕ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図７１に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図７
１から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｕ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｕ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図７１に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図７
１から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｕ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｕ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【０１１６】下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値を４００〜１
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図７２
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図７２
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
【０１１７】以上のことより、本発明媒体Ｕ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
【０１１８】
【実施例１９】実施例１においてＭｎＦｅ２Ｏ４膜の代
わりにＣｏＦｅ−Ａｌ２Ｏ３分散膜を成膜し、実施例１
と同様にして垂直磁気記録媒体を作成した。分散膜は、
基板にバイアス電圧を印加しながらＣｏターゲットとＡ
ｌ２Ｏ３ターゲットを、同時にスパッタして得た。分散
膜中のＣｏの体積比は５０［％］程度に設定した。下地
軟磁性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）
で測定したところ、５９０[Ｇ]であった。下地のＢｓ・
ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｖ１とす
る。
わりにＣｏＦｅ−Ａｌ２Ｏ３分散膜を成膜し、実施例１
と同様にして垂直磁気記録媒体を作成した。分散膜は、
基板にバイアス電圧を印加しながらＣｏターゲットとＡ
ｌ２Ｏ３ターゲットを、同時にスパッタして得た。分散
膜中のＣｏの体積比は５０［％］程度に設定した。下地
軟磁性膜の飽和磁化ＢｓをＶＳＭ（試料振動型磁力計）
で測定したところ、５９０[Ｇ]であった。下地のＢｓ・
ｄの値が５００[Ｇ・μｍ]の媒体を本発明媒体Ｖ１とす
る。
【０１１９】ＣｏＦｅ−Ａｌ２Ｏ３分散膜の電気抵抗率
を測定した結果１０３［Ω・ｍ］であった。なお、Ｎｉ
Ｆｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１
０− ８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＣｏＦｅ−Ａ
ｌ２Ｏ３分散膜の交流透磁率を測定した結果をそれぞれ
図３及び図７３に示す。図３から分かるように、ＮｉＦ
ｅ膜の場合、周波数１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率
の虚数成分が大きくなり、損失が見られることが分か
る。これは、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が小さいため、高
周波の磁場に対して渦電流損失が大きくなるためであ
る。それに対し、ＣｏＦｅ−Ａｌ２Ｏ３分散膜の場合、
周波数１００［ＭＨｚ］あたりになってもまだ交流透磁
率の虚数成分はそれほど大きくならず、損失が小さいこ
とが分かる。これは、ＣｏＦｅ−Ａｌ２Ｏ３分散膜の電
気抵抗が大きいために渦電流損失を生じにくいためであ
る。
を測定した結果１０３［Ω・ｍ］であった。なお、Ｎｉ
Ｆｅ膜の電気抵抗率は実施例１に示したとおり、５×１
０− ８［Ω・ｍ］である。ＮｉＦｅ膜及びＣｏＦｅ−Ａ
ｌ２Ｏ３分散膜の交流透磁率を測定した結果をそれぞれ
図３及び図７３に示す。図３から分かるように、ＮｉＦ
ｅ膜の場合、周波数１［ＭＨｚ］あたりから交流透磁率
の虚数成分が大きくなり、損失が見られることが分か
る。これは、ＮｉＦｅ膜の電気抵抗率が小さいため、高
周波の磁場に対して渦電流損失が大きくなるためであ
る。それに対し、ＣｏＦｅ−Ａｌ２Ｏ３分散膜の場合、
周波数１００［ＭＨｚ］あたりになってもまだ交流透磁
率の虚数成分はそれほど大きくならず、損失が小さいこ
とが分かる。これは、ＣｏＦｅ−Ａｌ２Ｏ３分散膜の電
気抵抗が大きいために渦電流損失を生じにくいためであ
る。
【０１２０】ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて、本発明媒
体Ｖ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｖ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図７４に示す。これ
らは、本発明媒体Ｐ１の最大出力で規格化して示してい
る。図７４から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｖ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｕ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
７３に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
体Ｖ１及び従来媒体Ａ１の記録再生特性を調べた。使用
ヘッド及びＲ／Ｗ測定条件は実施例１と同様にして行っ
た。従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｖ１の入出力特性（出
力の記録電流依存性）の測定結果を図７４に示す。これ
らは、本発明媒体Ｐ１の最大出力で規格化して示してい
る。図７４から分かるように、従来媒体Ａ１では、記録
周波数の増加に伴って、記録電流の増加に伴う出力の増
加が緩慢になり、記録周波数１００［ＭＨｚ］ではほと
んど記録できないことが分かる。それに対し、本発明媒
体Ｖ１では、記録周波数の増加に伴って、記録電流の増
加に伴う出力の増加はそれほど緩慢にならず、記録周波
数１００［ＭＨｚ］でも十分な記録能力を確保できてい
ることが分かる。これは、従来媒体Ａ１では記録周波数
の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図３に見られ
るように顕著なため、高い記録周波数の領域で十分な記
録能力が確保できないのに対し、本発明媒体Ｕ１では、
記録周波数の増加に伴う下地軟磁性膜の渦電流損失が図
７３に見られるように抑制されているため、高い記録周
波数の領域で十分な記録能力を確保できているためであ
る。
【０１２１】従来媒体Ａ１及び本発明媒体Ｖ１の出力の
記録密度依存性の測定結果を図７５に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図７
５から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｖ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｖ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
記録密度依存性の測定結果を図７５に示す。両者とも記
録密度の増加にともなって出力は減少して行くが、図７
５から分かるように、従来媒体Ａ１の場合、記録周波数
１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５００［ｋＦＲＰ
Ｉ］近傍では、ほとんど出力が観測されず、高記録密度
化に伴う記録周波数の高周波化に伴って、記録能力が著
しく劣化している。これに対し、本発明媒体Ｖ１の場
合、記録周波数１００［ＭＨｚ］に相当する記録密度５
００［ｋＦＲＰＩ］近傍でも出力が十分観測されてお
り、従来媒体Ａ１で見られた高記録密度化に伴う記録周
波数の高周波化に伴った記録能力の劣化を抑制できてい
ることが分かる。これは、上述したように、本発明媒体
Ｖ１の下地軟磁性膜の電気抵抗率が従来媒体Ａ１のそれ
より遥かに高いため、高周波の磁場に対する渦電流損失
を遥かに抑えられるためである。
【０１２２】下地軟磁性膜のＢｓ・ｄの値を４００〜１
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図７６
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
１０００[Ｇ・μｍ]の範囲内で変化させたときの各媒体
の記録密度５００［ｋＦＲＰＩ］の時の出力値を図７６
に示す。Ｂｓ・ｄは下地軟磁性膜が受け入れうる磁束の
総量を表す。これから分かるように、Ｂｓ・ｄ＝４００
では十分に出力が取れない。これは、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄの値が小さすぎて、下地軟磁性膜としての機能を
十分に果たしていないためである。Ｂｓ・ｄの値が５０
０〜１００００の範囲内では出力値が十分取れている
が、Ｂｓ・ｄ＝１１０００となると再び出力値が減少し
てしまう。これは、下地軟磁性膜の膜厚が厚くなること
により下地の表面平滑性が劣化し、その上の垂直磁化膜
の配向性を乱すようになるので、出力が減少してしま
う。このことから、下地膜のＢｓ・ｄの値は５００〜１
００００の範囲内であることが望ましい。
【０１２３】以上のことより、本発明媒体Ｖ１を用いる
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
ことにより、記録密度の向上に伴って記録周波数が向上
しても記録能力の劣化を抑制できる、将来の超高密度記
録にふさわしい垂直磁気記録媒体とすることができる。
【０１２４】
【発明の効果】請求項１乃至１５記載の垂直磁気記録媒
体によれば、下地軟磁性膜として金属軟磁性膜よりも遥
かに抵抗率の大きい酸化物軟磁性体のフェライト軟磁性
膜、ガーネット型フェライト軟磁性膜、グラニュラー軟
磁性膜を用いているため、高記録密度時の高周波の記録
磁界に対する下地軟磁性膜の渦電流損失を抑制すること
ができる。その結果、高記録密度時の高周波の記録磁界
に対する下地軟磁性膜の渦電流損失を低減させて高周波
の記録磁界に対する下地軟磁性膜の磁化の応答性を改善
し、高記録密度の領域での記録能力に優れた垂直磁気記
録媒体とすることができる。
体によれば、下地軟磁性膜として金属軟磁性膜よりも遥
かに抵抗率の大きい酸化物軟磁性体のフェライト軟磁性
膜、ガーネット型フェライト軟磁性膜、グラニュラー軟
磁性膜を用いているため、高記録密度時の高周波の記録
磁界に対する下地軟磁性膜の渦電流損失を抑制すること
ができる。その結果、高記録密度時の高周波の記録磁界
に対する下地軟磁性膜の渦電流損失を低減させて高周波
の記録磁界に対する下地軟磁性膜の磁化の応答性を改善
し、高記録密度の領域での記録能力に優れた垂直磁気記
録媒体とすることができる。
【図１】本発明に係る垂直磁気記録媒体の一実施形態を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施例１における垂直磁気記録媒体を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図３】本発明の実施例１における、透磁率の周波数依
存性を示すグラフである。
存性を示すグラフである。
【図４】本発明の実施例１における、透磁率の周波数依
存性を示すグラフである。
存性を示すグラフである。
【図５】本発明の実施例１における、出力の記録電流依
存性を示すグラフである。
存性を示すグラフである。
【図６】本発明の実施例１における、出力の記録密度依
存性を示すグラフである。
存性を示すグラフである。
【図７】本発明の実施例１における、下地軟磁性膜のＢ
ｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
ｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
【図８】本発明の実施例２における、透磁率の周波数依
存性を示すグラフである。
存性を示すグラフである。
【図９】本発明の実施例２における、出力の記録電流依
存性を示すグラフである。
存性を示すグラフである。
【図１０】本発明の実施例２における、出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図１１】本発明の実施例２における、下地軟磁性膜の
Ｂｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
Ｂｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
【図１２】本発明の実施例３における、透磁率の周波数
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図１３】本発明の実施例３における、出力の記録電流
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図１４】本発明の実施例３における、出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図１５】本発明の実施例３における、下地軟磁性膜の
Ｂｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
Ｂｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
【図１６】本発明の実施例４における、透磁率の周波数
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図１７】本発明の実施例４における、出力の記録電流
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図１８】本発明の実施例４における、出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図１９】本発明の実施例４における、下地軟磁性膜の
Ｂｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
Ｂｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
【図２０】本発明の実施例５における、透磁率の周波数
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図２１】本発明の実施例５における、出力の記録電流
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図２２】本発明の実施例５における、出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図２３】本発明の実施例５における、下地軟磁性膜の
Ｂｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
Ｂｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
【図２４】本発明の実施例６における、透磁率の周波数
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図２５】本発明の実施例６における、出力の記録電流
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図２６】本発明の実施例６における、出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図２７】本発明の実施例６における、下地軟磁性膜の
Ｂｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
Ｂｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
【図２８】本発明の実施例７における、透磁率の周波数
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図２９】本発明の実施例７における、出力の記録電流
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図３０】本発明の実施例７における、出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図３１】本発明の実施例７における、下地軟磁性膜の
Ｂｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
Ｂｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
【図３２】本発明の実施例８における、抵抗率、透磁率
と周波数の関係を示す図表である。
と周波数の関係を示す図表である。
【図３３】本発明の実施例８における、出力の記録電流
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図３４】本発明の実施例８における、出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図３５】本発明の実施例９における、抵抗率、透磁率
と周波数の関係を示す図表である。
と周波数の関係を示す図表である。
【図３６】本発明の実施例９における、出力の記録電流
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図３７】本発明の実施例９における、出力の記録密度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図３８】本発明の実施例１０における、抵抗率、透磁
率と周波数の関係を示す図表である。
率と周波数の関係を示す図表である。
【図３９】本発明の実施例１０における、出力の記録電
流依存性を示すグラフである。
流依存性を示すグラフである。
【図４０】本発明の実施例１０における、出力の記録密
度依存性を示すグラフである。
度依存性を示すグラフである。
【図４１】本発明の実施例１１における、透磁率の周波
数依存性を示すグラフである。
数依存性を示すグラフである。
【図４２】本発明の実施例１１における、出力の記録電
流依存性を示すグラフである。
流依存性を示すグラフである。
【図４３】本発明の実施例１１における、出力の記録密
度依存性を示すグラフである。
度依存性を示すグラフである。
【図４４】本発明の実施例１１における、下地軟磁性膜
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
【図４５】本発明の実施例１２における、透磁率の周波
数依存性を示すグラフである。
数依存性を示すグラフである。
【図４６】本発明の実施例１２における、出力の記録電
流依存性を示すグラフである。
流依存性を示すグラフである。
【図４７】本発明の実施例１２における、出力の記録密
度依存性を示すグラフである。
度依存性を示すグラフである。
【図４８】本発明の実施例１２における、下地軟磁性膜
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
【図４９】本発明の実施例１３における、透磁率の周波
数依存性を示すグラフである。
数依存性を示すグラフである。
【図５０】本発明の実施例１３における、出力の記録電
流依存性を示すグラフである。
流依存性を示すグラフである。
【図５１】本発明の実施例１３における、出力の記録密
度依存性を示すグラフである。
度依存性を示すグラフである。
【図５２】本発明の実施例１３における、下地軟磁性膜
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
【図５３】本発明の実施例１４における、透磁率の周波
数依存性を示すグラフである。
数依存性を示すグラフである。
【図５４】本発明の実施例１４における、出力の記録電
流依存性を示すグラフである。
流依存性を示すグラフである。
【図５５】本発明の実施例１４における、出力の記録密
度依存性を示すグラフである。
度依存性を示すグラフである。
【図５６】本発明の実施例１４における、下地軟磁性膜
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
【図５７】本発明の実施例１５における、透磁率の周波
数依存性を示すグラフである。
数依存性を示すグラフである。
【図５８】本発明の実施例１５における、出力の記録電
流依存性を示すグラフである。
流依存性を示すグラフである。
【図５９】本発明の実施例１５における、出力の記録密
度依存性を示すグラフである。
度依存性を示すグラフである。
【図６０】本発明の実施例１５における、下地軟磁性膜
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
【図６１】本発明の実施例１６における、透磁率の周波
数依存性を示すグラフである。
数依存性を示すグラフである。
【図６２】本発明の実施例１６における、出力の記録電
流依存性を示すグラフである。
流依存性を示すグラフである。
【図６３】本発明の実施例１６における、出力の記録密
度依存性を示すグラフである。
度依存性を示すグラフである。
【図６４】本発明の実施例１６における、下地軟磁性膜
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
【図６５】本発明の実施例１７における、透磁率の周波
数依存性を示すグラフである。
数依存性を示すグラフである。
【図６６】本発明の実施例１７における、出力の記録電
流依存性を示すグラフである。
流依存性を示すグラフである。
【図６７】本発明の実施例１７における、出力の記録密
度依存性を示すグラフである。
度依存性を示すグラフである。
【図６８】本発明の実施例１７における、下地軟磁性膜
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
【図６９】本発明の実施例１８における、透磁率の周波
数依存性を示すグラフである。
数依存性を示すグラフである。
【図７０】本発明の実施例１８における、出力の記録電
流依存性を示すグラフである。
流依存性を示すグラフである。
【図７１】本発明の実施例１８における、出力の記録密
度依存性を示すグラフである。
度依存性を示すグラフである。
【図７２】本発明の実施例１８における、下地軟磁性膜
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
【図７３】本発明の実施例１９における、透磁率の周波
数依存性を示すグラフである。
数依存性を示すグラフである。
【図７４】本発明の実施例１９における、出力の記録電
流依存性を示すグラフである。
流依存性を示すグラフである。
【図７５】本発明の実施例１９における、出力の記録密
度依存性を示すグラフである。
度依存性を示すグラフである。
【図７６】本発明の実施例１９における、下地軟磁性膜
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
のＢｓ・ｄと出力の関係を示す図表である。
【図７７】従来の垂直磁気記録媒体を示す概略断面図で
ある。
ある。
１０，２０ 垂直磁気記録媒体 １２，２２ 基板 １６ ＭｎＦｅ２Ｏ４下地軟磁性膜 １８ Ｃｏ７８Ｃｒ１９Ｔａ３（ａｔ％）垂直磁化膜 ２４ 絶縁体軟磁性膜 ２８ 垂直磁化膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｚ Ｈ０１Ｆ 10/20 Ｈ０１Ｆ 10/20
Claims (15)
- 【請求項１】 少なくとも下地軟磁性膜と垂直磁化膜と
の二層からなる垂直磁気記録媒体において、 前記下地軟磁性膜が絶縁体下地軟磁性膜であることを特
徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記絶縁体下地軟磁性膜が酸化物磁性体
である、請求項１記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記酸化物磁性体がフェライトである、
請求項２記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記絶縁体下地軟磁性膜がグラニュラー
薄膜である、請求項１記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記絶縁体下地軟磁性膜の抵抗率が０．
１［Ω・ｍ］以上であることを特徴とする請求項１、２
又は３記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記フェライトがＲＦｅ２Ｏ４（Ｒ＝Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ）である、請求項３記載の垂直磁
気記録媒体。 - 【請求項７】 前記フェライトがＲ−Ｚｎ系フェライト
のＲｘＺｎ１−ｘＦｅ２Ｏ４（Ｒ＝Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、
０＜ｘ＜１）である、請求項３記載の垂直磁気記録媒
体。 - 【請求項８】 前記フェライトがＭｎｘＦｅ１−ｘＦｅ
２Ｏ４（０．４≦ｘ＜１）である、請求項３記載の垂直
磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記フェライトがＲｘＦｅ１−ｘＦｅ２
Ｏ４（Ｒ＝Ｎｉ、Ｃｕ、０．５≦ｘ＜１）である、請求
項３記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 前記フェライトがガーネット型フェラ
イトである、請求項３記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 前記ガーネット型フェライトがイット
リウム−鉄−ガーネット（ＹＩＧ、Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２）
である、請求項１０記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項１２】 前記ガーネット型フェライトがＭ置換
（Ｍ＝Ｃａ，Ｓｉ）イットリウム−鉄−ガーネット（Ｙ
ＩＧ、ＹｘＭ３−ｘＦｅ５Ｏ１２）である、請求項１０
記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項１３】 前記グラニュラー薄膜の母材がＳｉＯ
２、Ｃ又はＡｌ２Ｏ ３であり、その母材中に分散させる
粒子が強磁性材料である、請求項４記載の垂直磁気記録
媒体。 - 【請求項１４】 前記強磁性材料がＣｏ又はＣｏＦｅで
ある、請求項１３記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項１５】 前記下地軟磁性膜の飽和磁束密度の値
をＢｓ[Ｇ]、膜厚をｄ[μｍ]としたときに、Ｂｓ・ｄの
値が５００〜１００００である、請求項１、２、３、
４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３又は
１４記載の垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11068633A JP2000268341A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11068633A JP2000268341A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000268341A true JP2000268341A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13379351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11068633A Pending JP2000268341A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000268341A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003203324A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-07-18 | Toda Kogyo Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2013012271A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US8980447B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-03-17 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium having a soft magnetic underlayer with tailored relative permeability regions |
-
1999
- 1999-03-15 JP JP11068633A patent/JP2000268341A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003203324A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-07-18 | Toda Kogyo Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2013012271A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US8980447B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-03-17 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium having a soft magnetic underlayer with tailored relative permeability regions |
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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