JPS5987616A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS5987616A JPS5987616A JP19728882A JP19728882A JPS5987616A JP S5987616 A JPS5987616 A JP S5987616A JP 19728882 A JP19728882 A JP 19728882A JP 19728882 A JP19728882 A JP 19728882A JP S5987616 A JPS5987616 A JP S5987616A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- iron oxide
- magnetic
- coercive force
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は一軸磁気異方性を有する金属強磁性薄膜の磁化
困難軸方向に印加される信り・磁界の変化を磁化容易軸
方向の電気抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子（
以下ＭＲ素子と略す。）を具備して磁気記録媒体に記録
される信号の検出を行う薄膜磁気ヘッド（以下薄膜ＭＲ
ヘッドと略す。）に関する。
困難軸方向に印加される信り・磁界の変化を磁化容易軸
方向の電気抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子（
以下ＭＲ素子と略す。）を具備して磁気記録媒体に記録
される信号の検出を行う薄膜磁気ヘッド（以下薄膜ＭＲ
ヘッドと略す。）に関する。
〈従来技術〉
従来、薄膜ＭＲヘッドは巻線型の磁気ヘッドと比較して
多くの利点があることが知られている。
多くの利点があることが知られている。
即ち薄膜ＭＲヘッドは磁気テープ等の磁気記録媒体に書
き込まれた信号磁界を受ける事によって磁気抵抗効果素
子内部の磁区方向（磁化方向）が変化すると内部抵抗が
それに応じて変り、この内部抵抗の変化を外部出力とし
て取シ出すものである。
き込まれた信号磁界を受ける事によって磁気抵抗効果素
子内部の磁区方向（磁化方向）が変化すると内部抵抗が
それに応じて変り、この内部抵抗の変化を外部出力とし
て取シ出すものである。
従って磁束応答型のヘッドであシ磁気記録媒体の移送速
度に依存せずに信号磁界を再生できるものである。この
薄膜ＭＲヘッドは半導体の微細加工技術により高集積化
、多素子化が容易であるので、高密度記録が行なわれる
固定ヘッド式ＰＣＭ録音機の再生用磁気ヘッドとして有
望視されている。
度に依存せずに信号磁界を再生できるものである。この
薄膜ＭＲヘッドは半導体の微細加工技術により高集積化
、多素子化が容易であるので、高密度記録が行なわれる
固定ヘッド式ＰＣＭ録音機の再生用磁気ヘッドとして有
望視されている。
さて、元来ＭＲ素子は外部磁界に対して二乗曲線をも、
つ感応特性を示すことから、ＭＲ素子を再生ヘッドとし
て構成する場合には素子形状をストライプ状（磁区の配
向を安定化する為）にすると共に線型応答特性を得る為
には所定のノくイアス磁界を印加する構成を備える事が
必要である。更にＭＲ素子に高分解機能を持たせる為に
は上記ストライプ状のＭＲ素子の上側及び下側に絶縁層
を介して軟磁性材料（パーマロ仁センダスト等）からな
る薄膜を磁気シールド層として形成する事が必要である
。以上の点から従来の薄膜ＭＲへ・ンドの構造は第１図
に示される如きものとなっている。
つ感応特性を示すことから、ＭＲ素子を再生ヘッドとし
て構成する場合には素子形状をストライプ状（磁区の配
向を安定化する為）にすると共に線型応答特性を得る為
には所定のノくイアス磁界を印加する構成を備える事が
必要である。更にＭＲ素子に高分解機能を持たせる為に
は上記ストライプ状のＭＲ素子の上側及び下側に絶縁層
を介して軟磁性材料（パーマロ仁センダスト等）からな
る薄膜を磁気シールド層として形成する事が必要である
。以上の点から従来の薄膜ＭＲへ・ンドの構造は第１図
に示される如きものとなっている。
同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ −
Ａ’切断面での正面断面図である。この第１図に示した
従来の薄膜ＭＲヘッドは大路次の様にして製造された。
Ａ’切断面での正面断面図である。この第１図に示した
従来の薄膜ＭＲヘッドは大路次の様にして製造された。
！、ずＮ １−Ｚｎ等のフェライト基板１に５ｉ０２等
の絶縁膜２をスパッタにより形成する。
の絶縁膜２をスパッタにより形成する。
次に上記絶縁膜２上に磁気バイアス用のＣ０−Ｐ等の高
抗磁力膜３をスパッタによ膜形成し化学エツチングある
いはスパッタエツチングにより目的のパターンに加工す
る。次に上記高抗磁力膜３上に５ｉ０２等の絶縁膜４を
スパッタにより形成する。
抗磁力膜３をスパッタによ膜形成し化学エツチングある
いはスパッタエツチングにより目的のパターンに加工す
る。次に上記高抗磁力膜３上に５ｉ０２等の絶縁膜４を
スパッタにより形成する。
次にＭＲ素子として一軸磁気異方性を有するＮｉ−Ｆｅ
膜（パーマロイ膜）５を真空蒸着し更に化学エツチング
あるいはスパッタエツチングにより目的のパターンに加
工する。次にＡｌ−Ｃｕ膜６をスパッタにより形成し更
にプラズマエツチングにより目的のパターンに加工する
。このＡｌ−Ｃｕ膜６は上記Ｎｉ−Ｆｅ膜５のリード線
となるものである。次に上記Ｎｉ−Ｆｅ膜膜上上５ｉ（
ｈ等の絶縁膜７をスパッタにより形成する。次に上記絶
縁膜７上にＮｉ−Ｆｅ等からなる磁気シールド層８を形
成する。
膜（パーマロイ膜）５を真空蒸着し更に化学エツチング
あるいはスパッタエツチングにより目的のパターンに加
工する。次にＡｌ−Ｃｕ膜６をスパッタにより形成し更
にプラズマエツチングにより目的のパターンに加工する
。このＡｌ−Ｃｕ膜６は上記Ｎｉ−Ｆｅ膜５のリード線
となるものである。次に上記Ｎｉ−Ｆｅ膜膜上上５ｉ（
ｈ等の絶縁膜７をスパッタにより形成する。次に上記絶
縁膜７上にＮｉ−Ｆｅ等からなる磁気シールド層８を形
成する。
ところで、以上の様な従来の両面シールド型の薄膜磁気
ヘッドにおいては３つの層の絶縁層２゜４．７と、ＭＲ
素子としてのＮ ｉ −Ｆ ｅ膜５と、バイアス磁界印
加手段としての高抗磁力膜３と、磁気シールド層８との
合計６層もの薄膜が形成されており、従って製造工程は
複雑であり、製造時間も長く要した。
ヘッドにおいては３つの層の絶縁層２゜４．７と、ＭＲ
素子としてのＮ ｉ −Ｆ ｅ膜５と、バイアス磁界印
加手段としての高抗磁力膜３と、磁気シールド層８との
合計６層もの薄膜が形成されており、従って製造工程は
複雑であり、製造時間も長く要した。
〈目 的〉
本発明は以上の従来欠点を改善する為になされたもので
あり、薄膜ＭＲヘッドの構成要素に改良を加えることに
よシ製法上の簡略化を達成する事を目的とするものであ
る。
あり、薄膜ＭＲヘッドの構成要素に改良を加えることに
よシ製法上の簡略化を達成する事を目的とするものであ
る。
〈実施例〉
以下、本発明に係る薄膜ＭＲヘッドについて詳細に説明
を行なう。
を行なう。
第２図は本発明に係る薄膜ＭＲヘッドの構造を示すもの
であシ、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）
のＡ−Ａ’ 切断面での正面断面図、同図（ｃ）は若
干拡大した側面断面図である。同図に示される構造は図
面上の形状は第１図のものと同様であるが、その構成材
料及び製法は全く異なる。
であシ、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）
のＡ−Ａ’ 切断面での正面断面図、同図（ｃ）は若
干拡大した側面断面図である。同図に示される構造は図
面上の形状は第１図のものと同様であるが、その構成材
料及び製法は全く異なる。
以下、本発明に係る薄膜ＭＲヘッドを製造工程順に説明
する。
する。
Ｎｉ−Ｚｎ等のフェライト基板］、−，ｌ−にα−Ｆｅ
２０３相の酸化鉄膜９を、ＦｅあるいはＦ ｃにＣ８等
を添加したものを酸素雰囲気中で蒸発反応させて形成す
るかあるいは酸化鉄をアルゴン・プラズマ中でスパッタ
することによって形成する。この時酸素圧あるいはアル
ゴン圧を調節することによって酸化鉄膜９はα−Ｆｅ２
０３相のものを形成する。
２０３相の酸化鉄膜９を、ＦｅあるいはＦ ｃにＣ８等
を添加したものを酸素雰囲気中で蒸発反応させて形成す
るかあるいは酸化鉄をアルゴン・プラズマ中でスパッタ
することによって形成する。この時酸素圧あるいはアル
ゴン圧を調節することによって酸化鉄膜９はα−Ｆｅ２
０３相のものを形成する。
α−Ｆｅ２０３相の酸化鉄膜は非磁性であシ且っ絶縁性
である。次に酸化鉄膜９上にＦｅ５ｒ４相の酸化鉄膜１
０を、ＦｅあるいはＦｅにＣ６等を添加したものを酸素
雰囲気中で蒸発反応させて形成するかあるいは酸化鉄を
アルゴン・プラズマ中でスパッタすることによって形成
する。この時酸素圧あるいはアルゴン圧を調節すること
によって酸化鉄膜１０はＦｅ３Ｏ４相のものを形成する
。Ｆｅ５Ｏｎ相の酸化鉄膜は強磁性を示すので、このＦ
ｅ３Ｏ４相の酸化鉄膜１０をバイアス用の高抗磁力膜と
して使うことができる。次にＦｅ３０ａ相の酸化鉄膜１
０の上にα−Ｆｅ２０３相の酸化鉄膜１１を形成する。
である。次に酸化鉄膜９上にＦｅ５ｒ４相の酸化鉄膜１
０を、ＦｅあるいはＦｅにＣ６等を添加したものを酸素
雰囲気中で蒸発反応させて形成するかあるいは酸化鉄を
アルゴン・プラズマ中でスパッタすることによって形成
する。この時酸素圧あるいはアルゴン圧を調節すること
によって酸化鉄膜１０はＦｅ３Ｏ４相のものを形成する
。Ｆｅ５Ｏｎ相の酸化鉄膜は強磁性を示すので、このＦ
ｅ３Ｏ４相の酸化鉄膜１０をバイアス用の高抗磁力膜と
して使うことができる。次にＦｅ３０ａ相の酸化鉄膜１
０の上にα−Ｆｅ２０３相の酸化鉄膜１１を形成する。
このα−Ｆｅ２０３相の酸化鉄膜１１の形成方法は前述
のα−Ｆｅ２０３相の酸化鉄膜９の形成方法と同じであ
る。こうして上記α−Ｆ Ｃ２ｏ３相の酸化鉄膜９と上
記Ｆｅ５０．相の酸化鉄膜１０と上記α−ＦｅｚＯａ相
の酸化鉄膜１１とは酸素圧あるいはアルゴン圧の調節に
よって同一工程にて作成できるものである。次にＭＲ素
子として一軸異方性を有するＮｉ−Ｆｅ膜（パーマロイ
膜）５を真空蒸着し更に化学エツチングあるいはスバツ
タエッチングにより目的のパターンに加工する。次にＡ
ｇ−Ｃｕ膜６をスパッタによ膜形成し更にプラズマエツ
チングにより目的のパターンに加工する。
のα−Ｆｅ２０３相の酸化鉄膜９の形成方法と同じであ
る。こうして上記α−Ｆ Ｃ２ｏ３相の酸化鉄膜９と上
記Ｆｅ５０．相の酸化鉄膜１０と上記α−ＦｅｚＯａ相
の酸化鉄膜１１とは酸素圧あるいはアルゴン圧の調節に
よって同一工程にて作成できるものである。次にＭＲ素
子として一軸異方性を有するＮｉ−Ｆｅ膜（パーマロイ
膜）５を真空蒸着し更に化学エツチングあるいはスバツ
タエッチングにより目的のパターンに加工する。次にＡ
ｇ−Ｃｕ膜６をスパッタによ膜形成し更にプラズマエツ
チングにより目的のパターンに加工する。
このＡ／−Ｃｕ膜６は上記Ｎｉ−Ｆｅ膜５のリード線と
なる。次に上記Ｎ ｉ −Ｆ ｅ膜５上に５ｉ０２膜あ
るいはα−Ｆｅ２０３相の酸化鉄１模】２を形成する。
なる。次に上記Ｎ ｉ −Ｆ ｅ膜５上に５ｉ０２膜あ
るいはα−Ｆｅ２０３相の酸化鉄１模】２を形成する。
次に上記５ｉ（ｈ膜あるいはα−Ｆｅ２０３相の酸化鉄
膜１２上にＮｉ−Ｆｅ？５からなる磁気シールド層８を
形成する。以上の工程により薄膜ＭＲヘッドが完成する
。
膜１２上にＮｉ−Ｆｅ？５からなる磁気シールド層８を
形成する。以上の工程により薄膜ＭＲヘッドが完成する
。
〈効 果〉
本発明によればＭＲ素子にバイアス磁界を付与する高抗
磁力磁性薄膜と、該高枕磁力磁性薄膜を絶縁する非磁性
絶縁層とを同一工程にて作成することができるので製造
工程を簡略化することができるものである。
磁力磁性薄膜と、該高枕磁力磁性薄膜を絶縁する非磁性
絶縁層とを同一工程にて作成することができるので製造
工程を簡略化することができるものである。
第１図は従来の薄膜ＭＲヘッドの構造を示し、同図（ａ
）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ｎ切断面で
の正面断面図、第２図は本発明に係る薄膜ＭＲヘッドの
構造を示し、同図（ａ）は平面図、図中、１：フェライ
ト基板 ２，４．７：絶縁膜３：高抗磁力膜 ５：
Ｎｉ−Ｆｅ膜６：Ａｊ’−Ｃｕ膜 ８：磁気シール
ド層９．１１：α−Ｆｅ２０３相の酸化鉄膜１０ ：
Ｆ ｅ３０４相の酸化鉄膜 １２：ＳｉＯ□膜あるいはα−Ｆｅ２Ｑ、＋相の酸化鉄
膜 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）（ａ） （ｂ） 第１図 ｒｂノ 第２ 図
）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ｎ切断面で
の正面断面図、第２図は本発明に係る薄膜ＭＲヘッドの
構造を示し、同図（ａ）は平面図、図中、１：フェライ
ト基板 ２，４．７：絶縁膜３：高抗磁力膜 ５：
Ｎｉ−Ｆｅ膜６：Ａｊ’−Ｃｕ膜 ８：磁気シール
ド層９．１１：α−Ｆｅ２０３相の酸化鉄膜１０ ：
Ｆ ｅ３０４相の酸化鉄膜 １２：ＳｉＯ□膜あるいはα−Ｆｅ２Ｑ、＋相の酸化鉄
膜 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）（ａ） （ｂ） 第１図 ｒｂノ 第２ 図
Claims (1)
- １、−軸磁気異方性を有する金属強磁性薄膜の磁化困難
軸方向に印加される借り・磁界の変化を磁化容易軸方向
の電気抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子と、該
素子にバイアス磁界を付与する高抗磁力磁性薄膜と、該
高抗磁力磁性薄膜を絶縁する非磁性絶縁層とを備え、前
記高抗磁力磁性薄膜と前記非磁性絶縁層とが酸化度の異
なる同一材質の酸化物から形成されることを特徴とする
薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19728882A JPS5987616A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19728882A JPS5987616A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987616A true JPS5987616A (ja) | 1984-05-21 |
Family
ID=16371966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19728882A Pending JPS5987616A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987616A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210511A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッド |
| EP0905802A2 (en) * | 1997-09-29 | 1999-03-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistance effect device, magnetoresistance head and method for producing magnetoresistance effect device |
| EP0930624A1 (en) * | 1998-01-16 | 1999-07-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film |
-
1982
- 1982-11-09 JP JP19728882A patent/JPS5987616A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210511A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッド |
| EP0905802A2 (en) * | 1997-09-29 | 1999-03-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistance effect device, magnetoresistance head and method for producing magnetoresistance effect device |
| EP0905802A3 (en) * | 1997-09-29 | 1999-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistance effect device, magnetoresistance head and method for producing magnetoresistance effect device |
| EP1134815A2 (en) * | 1997-09-29 | 2001-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistance effect device, and method for producing the same |
| EP1134815A3 (en) * | 1997-09-29 | 2001-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistance effect device, and method for producing the same |
| US6597547B1 (en) | 1997-09-29 | 2003-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive device with an α-Fe2O3 antiferromagnetic film and indirect exchange coupling film layers of differing thickness |
| EP0930624A1 (en) * | 1998-01-16 | 1999-07-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film |
| US6258470B1 (en) | 1998-01-16 | 2001-07-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film |
| EP1122749A2 (en) * | 1998-01-16 | 2001-08-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film |
| EP1122749A3 (en) * | 1998-01-16 | 2001-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film |
| US6562486B2 (en) | 1998-01-16 | 2003-05-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film |
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