JP3384494B2 - 磁気抵抗材料およびこれを用いた磁界センサ - Google Patents
磁気抵抗材料およびこれを用いた磁界センサInfo
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- magnetoresistive material
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁界センサに使用される
磁気抵抗材料にかかわり、特に磁気記録において再生ヘ
ッドとして使用される磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッ
ド）の磁気抵抗材料に関するものである。
磁気抵抗材料にかかわり、特に磁気記録において再生ヘ
ッドとして使用される磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッ
ド）の磁気抵抗材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年磁気記録技術の進歩は著しく、家庭
用ＶＴＲの分野では小型、計量化のために、また磁気デ
ィスク装置の分野では小型、大容量化のために記録密度
の高密度化が進められている。特に磁気ディスク装置を
例にとると、記録密度を向上させるため記録再生分離型
ヘッドの開発が活発である。これらの記録再生分離型ヘ
ッドの再生ヘッドとしては通常ＭＲヘッドが使用されて
いる。磁気ディスク装置の小型化のために媒体とヘッド
との相対速度が低下すると従来のインダクティブヘッド
では出力が低下するという欠点を有しているが、ＭＲヘ
ッドは出力が相対速度に依存せず一定であるという特徴
を有するからである。このＭＲヘッドの感磁部には通常
パーマロイ単層膜が使用されている。パーマロイ単層膜
の磁気抵抗変化率は高々３％と決して大きくはないが、
異方性磁界が小さく高感度であるという理由による。そ
のためパーマロイ単層膜を感磁部に用いたＭＲヘッドは
再生出力が必ずしも充分でないという欠点がある。一
方、厚さ０．８ｎｍから４ｎｍの強磁性層と厚さ０．５
ｎｍから２．５ｎｍの常磁性層が交互に積層されている
磁気抵抗材料が１０〜６５％と巨大な磁気抵抗変化率を
示すことは、Moscaらによる、ジャーナル・オブ・マグ
ネティズム・アンド・マグネティック・マテリアルズ(J
ournal of Magnetism and Magnetic Materials)、第94
巻、L1〜L5ページに記載の「Co/Cu多層膜における振動
的な中間層結合および巨大磁気抵抗」(Oscillatory in
terlayer coupling and giant magnetoresistance in C
o/Cu multilayers)から公知である。該磁気抵抗材料を
感磁部に用いたＭＲヘッドは大きな再生出力の向上が期
待できる。しかし、Ｃｏのように保磁力が大きい合金を
強磁性層として用いた場合、該磁気抵抗材料は磁気抵抗
曲線に大きなヒステリシスを生じ、ＭＲヘッドへの応用
が困難になるといった問題があった。
用ＶＴＲの分野では小型、計量化のために、また磁気デ
ィスク装置の分野では小型、大容量化のために記録密度
の高密度化が進められている。特に磁気ディスク装置を
例にとると、記録密度を向上させるため記録再生分離型
ヘッドの開発が活発である。これらの記録再生分離型ヘ
ッドの再生ヘッドとしては通常ＭＲヘッドが使用されて
いる。磁気ディスク装置の小型化のために媒体とヘッド
との相対速度が低下すると従来のインダクティブヘッド
では出力が低下するという欠点を有しているが、ＭＲヘ
ッドは出力が相対速度に依存せず一定であるという特徴
を有するからである。このＭＲヘッドの感磁部には通常
パーマロイ単層膜が使用されている。パーマロイ単層膜
の磁気抵抗変化率は高々３％と決して大きくはないが、
異方性磁界が小さく高感度であるという理由による。そ
のためパーマロイ単層膜を感磁部に用いたＭＲヘッドは
再生出力が必ずしも充分でないという欠点がある。一
方、厚さ０．８ｎｍから４ｎｍの強磁性層と厚さ０．５
ｎｍから２．５ｎｍの常磁性層が交互に積層されている
磁気抵抗材料が１０〜６５％と巨大な磁気抵抗変化率を
示すことは、Moscaらによる、ジャーナル・オブ・マグ
ネティズム・アンド・マグネティック・マテリアルズ(J
ournal of Magnetism and Magnetic Materials)、第94
巻、L1〜L5ページに記載の「Co/Cu多層膜における振動
的な中間層結合および巨大磁気抵抗」(Oscillatory in
terlayer coupling and giant magnetoresistance in C
o/Cu multilayers)から公知である。該磁気抵抗材料を
感磁部に用いたＭＲヘッドは大きな再生出力の向上が期
待できる。しかし、Ｃｏのように保磁力が大きい合金を
強磁性層として用いた場合、該磁気抵抗材料は磁気抵抗
曲線に大きなヒステリシスを生じ、ＭＲヘッドへの応用
が困難になるといった問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、厚さ０．８ｎｍから４ｎｍの強磁性層と厚さ０．
５ｎｍから２．５ｎｍの常磁性層が交互に積層されてい
る磁気抵抗材料をよりＭＲヘッドの応用が容易な磁気抵
抗材料にするため、磁気抵抗曲線に生ずるヒステリシス
を最小に抑えようというものである。
的は、厚さ０．８ｎｍから４ｎｍの強磁性層と厚さ０．
５ｎｍから２．５ｎｍの常磁性層が交互に積層されてい
る磁気抵抗材料をよりＭＲヘッドの応用が容易な磁気抵
抗材料にするため、磁気抵抗曲線に生ずるヒステリシス
を最小に抑えようというものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題は厚さ０．８ｎ
ｍから４ｎｍの強磁性層と厚さ０．５ｎｍから２．５ｎ
ｍの常磁性層が交互に積層されている磁気抵抗材料にお
いて、強磁性層が原子％で示してｘａｔ％Ｎｉ−ｙａｔ
％Ｆｅ−ｚａｔ％Ｃｏで示される組成を有しその組成範
囲が ７６＜ｘ＜８５ １５＜ｙ＜２４ ０＜ｚ＜５ であることによって解決される。
ｍから４ｎｍの強磁性層と厚さ０．５ｎｍから２．５ｎ
ｍの常磁性層が交互に積層されている磁気抵抗材料にお
いて、強磁性層が原子％で示してｘａｔ％Ｎｉ−ｙａｔ
％Ｆｅ−ｚａｔ％Ｃｏで示される組成を有しその組成範
囲が ７６＜ｘ＜８５ １５＜ｙ＜２４ ０＜ｚ＜５ であることによって解決される。
【０００５】
【作用】本発明による考えは、厚さ０．８ｎｍから４ｎ
ｍの強磁性層と厚さ０．５ｎｍから２．５ｎｍの常磁性
層が交互に積層されている磁気抵抗材料において、強磁
性層の組成を適当な組成のＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ合金とした
場合の実験事実より導かれた。該実験により、単層合金
状態で保磁力が大きい合金を強磁性層に使用した場合ほ
ど、厚さ０．８ｎｍから４ｎｍの強磁性層と厚さ０．５
ｎｍから２．５ｎｍの常磁性層が交互に積層されている
磁気抵抗材料は磁気抵抗曲線に大きなヒステリシスを生
じた。原子％で示してｘａｔ％Ｎｉ−ｙａｔ％Ｆｅ−ｚ
ａｔ％Ｃｏで示される組成を有しその組成範囲が ７６＜ｘ＜８５ １５＜ｙ＜２４ ０＜ｚ＜５ である合金を強磁性層に使用した場合に、上記の磁気抵
抗材料は磁気抵抗曲線に生ずるヒステリシスを最小に抑
えることができた。これは、該合金の単層状態における
小さな保磁力が、本発明の磁気抵抗材料においても保た
れているからである。本発明の磁気抵抗材料をＭＲヘッ
ドの感磁部に用いると、大幅に再生出力の向上が達成さ
れると同時に、歪の少ない再生波形を得ることが出来
る。再生波形に歪が少なくなる理由は、磁気抵抗曲線に
生ずるヒステリシスを小さく抑えることができるからで
ある。
ｍの強磁性層と厚さ０．５ｎｍから２．５ｎｍの常磁性
層が交互に積層されている磁気抵抗材料において、強磁
性層の組成を適当な組成のＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ合金とした
場合の実験事実より導かれた。該実験により、単層合金
状態で保磁力が大きい合金を強磁性層に使用した場合ほ
ど、厚さ０．８ｎｍから４ｎｍの強磁性層と厚さ０．５
ｎｍから２．５ｎｍの常磁性層が交互に積層されている
磁気抵抗材料は磁気抵抗曲線に大きなヒステリシスを生
じた。原子％で示してｘａｔ％Ｎｉ−ｙａｔ％Ｆｅ−ｚ
ａｔ％Ｃｏで示される組成を有しその組成範囲が ７６＜ｘ＜８５ １５＜ｙ＜２４ ０＜ｚ＜５ である合金を強磁性層に使用した場合に、上記の磁気抵
抗材料は磁気抵抗曲線に生ずるヒステリシスを最小に抑
えることができた。これは、該合金の単層状態における
小さな保磁力が、本発明の磁気抵抗材料においても保た
れているからである。本発明の磁気抵抗材料をＭＲヘッ
ドの感磁部に用いると、大幅に再生出力の向上が達成さ
れると同時に、歪の少ない再生波形を得ることが出来
る。再生波形に歪が少なくなる理由は、磁気抵抗曲線に
生ずるヒステリシスを小さく抑えることができるからで
ある。
【０００６】
【実施例】厚さ０．８ｎｍから４ｎｍの強磁性層と厚さ
０．５ｎｍから２．５ｎｍの常磁性層が交互に積層され
ている磁気抵抗材料では、強磁性層としてＦｅ、Ｎｉ、
Ｃｏおよびこれらの合金が一般的に使われている。図１
に上記合金の厚さ４０ｎｍの単層薄膜状態における磁化
困難軸方向の保磁力を示す。図１より、上記合金におけ
る磁化困難軸方向の保磁力は、ｘａｔ％Ｎｉ−ｙａｔ％
Ｆｅ−ｚａｔ％Ｃｏで示される組成を有しその組成範囲
が ７６＜ｘ＜８５ １５＜ｙ＜２４ ０＜ｚ＜５ であるときに４０Ａ／ｍ以下の小さな値を示すことが分
かる。以下に上記組成の合金を代表して、８０ａｔ％Ｎ
ｉ−２０ａｔ％Ｆｅを強磁性層として用いた本発明の磁
気抵抗材料について詳細に説明する。
０．５ｎｍから２．５ｎｍの常磁性層が交互に積層され
ている磁気抵抗材料では、強磁性層としてＦｅ、Ｎｉ、
Ｃｏおよびこれらの合金が一般的に使われている。図１
に上記合金の厚さ４０ｎｍの単層薄膜状態における磁化
困難軸方向の保磁力を示す。図１より、上記合金におけ
る磁化困難軸方向の保磁力は、ｘａｔ％Ｎｉ−ｙａｔ％
Ｆｅ−ｚａｔ％Ｃｏで示される組成を有しその組成範囲
が ７６＜ｘ＜８５ １５＜ｙ＜２４ ０＜ｚ＜５ であるときに４０Ａ／ｍ以下の小さな値を示すことが分
かる。以下に上記組成の合金を代表して、８０ａｔ％Ｎ
ｉ−２０ａｔ％Ｆｅを強磁性層として用いた本発明の磁
気抵抗材料について詳細に説明する。
【０００７】図２は本発明の磁気抵抗材料の断面の構造
を示す模式図である。Ｓｉ基板１の（１００）面上にＳ
ｉＯ2からなる自然酸化膜２が１．５ｎｍ形成されたも
のを基板として用いた。該基板上にＦｅからなる下地層
３を設けた。この下地層は高い磁気抵抗変化率を得るた
めに必要なものである。図３に磁気抵抗変化率の下地層
の厚さ依存性を示す。図より、１５％以上の高い磁気抵
抗変化率を得るには４ｎｍから１０ｎｍのＦｅ下地層が
必要とされることが分かる。また、Ｆｅの他に同程度の
厚さのＮｉ−Ｆｅ合金を用いても、ほぼ同等の効果が得
られることが分かる。該下地層３の上に厚さ１ｎｍの８
０ａｔ％Ｎｉ−２０ａｔ％Ｆｅからなる強磁性層５と常
磁性層４を交互に合計３９層積層した。常磁性層４の材
料は、強磁性層との格子ミスマッチが少なく比抵抗の低
い材料が望ましい。このようなことから本発明の磁気抵
抗材料においては常磁性層としてＣｕを使用するのが望
ましい。それぞれの層は、３枚のターゲットを同一のチ
ャンバ内に設置したイオンビーム・スパッタリング装置
内で連続的に形成、積層した。作製条件は表１の通りと
した。
を示す模式図である。Ｓｉ基板１の（１００）面上にＳ
ｉＯ2からなる自然酸化膜２が１．５ｎｍ形成されたも
のを基板として用いた。該基板上にＦｅからなる下地層
３を設けた。この下地層は高い磁気抵抗変化率を得るた
めに必要なものである。図３に磁気抵抗変化率の下地層
の厚さ依存性を示す。図より、１５％以上の高い磁気抵
抗変化率を得るには４ｎｍから１０ｎｍのＦｅ下地層が
必要とされることが分かる。また、Ｆｅの他に同程度の
厚さのＮｉ−Ｆｅ合金を用いても、ほぼ同等の効果が得
られることが分かる。該下地層３の上に厚さ１ｎｍの８
０ａｔ％Ｎｉ−２０ａｔ％Ｆｅからなる強磁性層５と常
磁性層４を交互に合計３９層積層した。常磁性層４の材
料は、強磁性層との格子ミスマッチが少なく比抵抗の低
い材料が望ましい。このようなことから本発明の磁気抵
抗材料においては常磁性層としてＣｕを使用するのが望
ましい。それぞれの層は、３枚のターゲットを同一のチ
ャンバ内に設置したイオンビーム・スパッタリング装置
内で連続的に形成、積層した。作製条件は表１の通りと
した。
【表１】
【０００８】図４は上記のようにして作製した本発明の
磁気抵抗材料の典型的な磁気抵抗曲線である。本発明の
磁気抵抗材料は約１９％の磁気抵抗変化率を示し、パー
マロイ単層膜の磁気抵抗変化率３％の６倍以上の値を有
している。磁気抵抗曲線に生じているヒステリシスは、
磁気抵抗変化率がピークを示す印加磁界の値でほぼ定量
的に示される。本実施例において、磁気抵抗変化率がピ
ークを示す印加磁界の値は０．５９ｋＡ／ｍという小さ
な値であった。
磁気抵抗材料の典型的な磁気抵抗曲線である。本発明の
磁気抵抗材料は約１９％の磁気抵抗変化率を示し、パー
マロイ単層膜の磁気抵抗変化率３％の６倍以上の値を有
している。磁気抵抗曲線に生じているヒステリシスは、
磁気抵抗変化率がピークを示す印加磁界の値でほぼ定量
的に示される。本実施例において、磁気抵抗変化率がピ
ークを示す印加磁界の値は０．５９ｋＡ／ｍという小さ
な値であった。
【０００９】図５は本発明の磁気抵抗材料とは強磁性層
の合金組成が異なる場合における磁気抵抗変化率を示し
た状態図である。また、図６は本発明の磁気抵抗材料と
は強磁性層の合金組成が異なる場合における、磁気抵抗
変化率がピークを示す磁界の値を示した状態図である。
図を見ると、磁気抵抗変化率を高めるには強磁性層の合
金のＣｏの含有量を増加させることが好ましいことが分
かる。しかし、Ｃｏの含有量を増加させた場合、図６に
示されているように、磁気抵抗変化率がピークを示す磁
界に小さな値は期待できないことが分かる。例えば２５
％以上の磁気抵抗変化率を得ようとすれば、磁気抵抗変
化率がピークを示す磁界は３０００Ａ／ｍを越えてしま
い、３０％以上の磁気抵抗変化率を得ようとすれば磁気
抵抗変化率がピークを示す磁界は３００００Ａ／ｍ以上
になってしまう。すなわち磁気抵抗曲線に生ずるヒステ
リシスが大きくなってしまう。このためＭＲヘッドへの
応用がより困難になるといった問題を生ずるようにな
る。
の合金組成が異なる場合における磁気抵抗変化率を示し
た状態図である。また、図６は本発明の磁気抵抗材料と
は強磁性層の合金組成が異なる場合における、磁気抵抗
変化率がピークを示す磁界の値を示した状態図である。
図を見ると、磁気抵抗変化率を高めるには強磁性層の合
金のＣｏの含有量を増加させることが好ましいことが分
かる。しかし、Ｃｏの含有量を増加させた場合、図６に
示されているように、磁気抵抗変化率がピークを示す磁
界に小さな値は期待できないことが分かる。例えば２５
％以上の磁気抵抗変化率を得ようとすれば、磁気抵抗変
化率がピークを示す磁界は３０００Ａ／ｍを越えてしま
い、３０％以上の磁気抵抗変化率を得ようとすれば磁気
抵抗変化率がピークを示す磁界は３００００Ａ／ｍ以上
になってしまう。すなわち磁気抵抗曲線に生ずるヒステ
リシスが大きくなってしまう。このためＭＲヘッドへの
応用がより困難になるといった問題を生ずるようにな
る。
【００１０】図７は本発明の磁気抵抗材料とは強磁性層
の合金組成が異なり、強磁性層が保磁力の大きな７０ａ
ｔ％Ｎｉ−５ａｔ％Ｆｅ−２５ａｔ％Ｃｏである場合に
おける磁気抵抗曲線の一例である。磁気抵抗変化率は非
常に高い値を示しているが、磁気抵抗変化率がピークを
示す印加磁界の値は３００００Ａ／ｍであり、また磁気
抵抗曲線の形状を見ても磁気抵抗曲線には大きなヒステ
リシスが生じていることが分かる。このような磁気抵抗
材料をＭＲヘッドの感磁部に用いると、再生波形は歪の
大きなものとなり、媒体情報の正確な再生が困難とな
る。
の合金組成が異なり、強磁性層が保磁力の大きな７０ａ
ｔ％Ｎｉ−５ａｔ％Ｆｅ−２５ａｔ％Ｃｏである場合に
おける磁気抵抗曲線の一例である。磁気抵抗変化率は非
常に高い値を示しているが、磁気抵抗変化率がピークを
示す印加磁界の値は３００００Ａ／ｍであり、また磁気
抵抗曲線の形状を見ても磁気抵抗曲線には大きなヒステ
リシスが生じていることが分かる。このような磁気抵抗
材料をＭＲヘッドの感磁部に用いると、再生波形は歪の
大きなものとなり、媒体情報の正確な再生が困難とな
る。
【００１１】図８は本発明の磁気抵抗材料を感磁部に用
いた磁界センサの一例で、おもに磁気ディスク装置の再
生ヘッドとして使用可能なＭＲヘッドの図である。該Ｍ
Ｒヘッドは、本発明の磁気抵抗材料６および電流を流し
て出力電圧を検出するための導体層７から構成されてい
る。導体層７の材料としては、例えばＣｕが使用され
る。図７の感磁デバイスを用いて磁気ディスクから発す
る磁界を検出すると、パーマロイ単層膜を感磁部に用い
たＭＲヘッドで検出する場合に比べ、６倍以上の出力電
圧を得ることが出来る。しかも本発明の磁気抵抗材料が
ヒステリシスのきわめて小さい磁気抵抗曲線を有するた
め、パーマロイ単層膜を感磁部に用いたＭＲヘッドと同
等に歪の少ない再生波形を得ることが出来る。
いた磁界センサの一例で、おもに磁気ディスク装置の再
生ヘッドとして使用可能なＭＲヘッドの図である。該Ｍ
Ｒヘッドは、本発明の磁気抵抗材料６および電流を流し
て出力電圧を検出するための導体層７から構成されてい
る。導体層７の材料としては、例えばＣｕが使用され
る。図７の感磁デバイスを用いて磁気ディスクから発す
る磁界を検出すると、パーマロイ単層膜を感磁部に用い
たＭＲヘッドで検出する場合に比べ、６倍以上の出力電
圧を得ることが出来る。しかも本発明の磁気抵抗材料が
ヒステリシスのきわめて小さい磁気抵抗曲線を有するた
め、パーマロイ単層膜を感磁部に用いたＭＲヘッドと同
等に歪の少ない再生波形を得ることが出来る。
【００１２】
【発明の効果】本発明の磁気抵抗材料を磁界センサの感
磁部に用いると、大幅に再生出力の向上が達成されると
同時に、歪の少ない再生波形を得ることが出来る。再生
波形に歪が少なくなる理由は、磁気抵抗曲線に生ずるヒ
ステリシスを小さく抑えることができるからである。
磁部に用いると、大幅に再生出力の向上が達成されると
同時に、歪の少ない再生波形を得ることが出来る。再生
波形に歪が少なくなる理由は、磁気抵抗曲線に生ずるヒ
ステリシスを小さく抑えることができるからである。
【図１】Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ合金の厚さ４０ｎｍの単層薄
膜状態における磁化困難軸方向の保磁力を示す状態図。
膜状態における磁化困難軸方向の保磁力を示す状態図。
【図２】本発明の磁気抵抗材料の断面の構造を示す模式
図。
図。
【図３】本発明の磁気抵抗材料において、磁気抵抗変化
率の下地層の厚さ依存性を示した図。
率の下地層の厚さ依存性を示した図。
【図４】本発明の磁気抵抗材料の典型的な磁気抵抗曲
線。
線。
【図５】本発明の磁気抵抗材料とは強磁性層の合金組成
が異なる場合における、磁気抵抗変化率を示した状態
図。
が異なる場合における、磁気抵抗変化率を示した状態
図。
【図６】本発明の磁気抵抗材料とは強磁性層の合金組成
が異なる場合における、磁気抵抗変化率がピークを示す
磁界の値を示した状態図。
が異なる場合における、磁気抵抗変化率がピークを示す
磁界の値を示した状態図。
【図７】本発明の磁気抵抗材料とは強磁性層の合金組成
が異なる場合における、磁気抵抗曲線の一例。
が異なる場合における、磁気抵抗曲線の一例。
【図８】本発明の磁気抵抗材料を用いた磁界センサの構
造を示す模式図。
造を示す模式図。
【符号の説明】
１ Ｓｉ基板
２ 厚さ１．５ｎｍのＳｉＯ2からなる自然酸化層
３ 厚さ５ｎｍのＦｅからなる下地層
４ 厚さ１ｎｍのＣｕからなる常磁性層
５ 厚さ１ｎｍのＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅからなる強磁性
層 ６ 本発明の磁気抵抗材料 ７ Ｃｕからなる導体層
層 ６ 本発明の磁気抵抗材料 ７ Ｃｕからなる導体層
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−90026（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−109506（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−238106（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−218121（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−295104（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−48708（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−327061（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−166629（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−280483（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−242436（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01F 10/00 - 10/32
G11B 5/39
H01L 43/08
H01L 43/10
Claims (3)
- 【請求項１】 厚さ０．８ｎｍから４ｎｍの強磁性層と
厚さ０．５ｎｍから２．５ｎｍの常磁性層が交互に積層
されている磁気抵抗材料において、強磁性層が原子％で
示してｘａｔ％Ｎｉ−ｙａｔ％Ｆｅ−ｚａｔ％Ｃｏで示
される組成を有する合金であり、その組成範囲が、 ７６＜ｘ＜８５ １５＜ｙ＜２４ ０＜ｚ＜５ であり、前記合金の保持力は４０Ａ／ｍ以下であること
を特徴とする磁気抵抗材料。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気抵抗材料の直下
に、厚さ４ｎｍから１０ｎｍのＦｅ層またはＮｉ−Ｆｅ
合金層が接していることを特徴とする磁気抵抗材料。 - 【請求項３】 請求項１乃至２のいずれかに記載の磁気
抵抗材料を感磁部に用いた磁界センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21398292A JP3384494B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 磁気抵抗材料およびこれを用いた磁界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21398292A JP3384494B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 磁気抵抗材料およびこれを用いた磁界センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661049A JPH0661049A (ja) | 1994-03-04 |
| JP3384494B2 true JP3384494B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=16648291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21398292A Expired - Lifetime JP3384494B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 磁気抵抗材料およびこれを用いた磁界センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3384494B2 (ja) |
-
1992
- 1992-08-11 JP JP21398292A patent/JP3384494B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0661049A (ja) | 1994-03-04 |
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