JPS6161217A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6161217A JPS6161217A JP18321484A JP18321484A JPS6161217A JP S6161217 A JPS6161217 A JP S6161217A JP 18321484 A JP18321484 A JP 18321484A JP 18321484 A JP18321484 A JP 18321484A JP S6161217 A JPS6161217 A JP S6161217A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- ferrite
- insulating film
- thickness
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、磁気記録全行わせる薄膜磁気ヘッドの基板
に関するもので、各ヘッドや導体ノぐターンの絶縁性全
強化し、例えばＩ）ＡＴ等の磁気記録装置の量産化に寄
与できる技術である。
に関するもので、各ヘッドや導体ノぐターンの絶縁性全
強化し、例えばＩ）ＡＴ等の磁気記録装置の量産化に寄
与できる技術である。
従来の技術
ｔドｎ’ｓ ｆｆｌ ａ”＾・９に一１神 亡立皿のパ
ル々ヘッド、ｌ−比較して、記録密度向上やマルチヘッ
ド化が容易であり、ＤＡＴ等の機器に適用されている。
ル々ヘッド、ｌ−比較して、記録密度向上やマルチヘッ
ド化が容易であり、ＤＡＴ等の機器に適用されている。
すなわち、再生専用のマルチヘッドとしては、その比抵
抗ρが、外部磁場に応じて変化する自らの磁化Ｍと、そ
れに流す電流との、なす角度θについて変化する磁気抵
抗効果全利用したＭＲヘッドがある。
抗ρが、外部磁場に応じて変化する自らの磁化Ｍと、そ
れに流す電流との、なす角度θについて変化する磁気抵
抗効果全利用したＭＲヘッドがある。
このＭＲヘッドは、例えば、特開昭５８−２２０２４０
号公報に記述されており、第３図に示すように強磁性体
、例えばＭ ｎ −Ｚ ｎフェライト基板１を下部シー
ルド板とし、さらに非磁性体絶縁膜２全被覆しておき、
先述したＭＲ素子３，３．・・・・・・全形成し、ＭＲ
素子３，３．・・・・・・の夫々の両端に、導体リード
パターン４，４．・・・・・・ 、５，５．・・・・・
・ 全接続させている。そしてさらに、それらの上に上
部シールド板６及び保護ガラス板７を接層させるものが
一般的である。
号公報に記述されており、第３図に示すように強磁性体
、例えばＭ ｎ −Ｚ ｎフェライト基板１を下部シー
ルド板とし、さらに非磁性体絶縁膜２全被覆しておき、
先述したＭＲ素子３，３．・・・・・・全形成し、ＭＲ
素子３，３．・・・・・・の夫々の両端に、導体リード
パターン４，４．・・・・・・ 、５，５．・・・・・
・ 全接続させている。そしてさらに、それらの上に上
部シールド板６及び保護ガラス板７を接層させるものが
一般的である。
発明が解決しようとする問題点
ところで１上述したＪ１１１Ｒヘッドで、ＭＲ素子３゜
３、・・・・・・全下部シールド板１、上部シールド板
６にて挾んで磁気的にシールドするのけ、記録波長を短
波長指向とするためである。また、下部シールド板１と
しては、磁気特性が優れているＭ ｎ −Ｚ ｎフェラ
イトが用゛いられるが、Ｍｎ−Ｚｎフェライトは、比抵
抗が約１０−錦と小さく、電気絶縁性が不十分である。
３、・・・・・・全下部シールド板１、上部シールド板
６にて挾んで磁気的にシールドするのけ、記録波長を短
波長指向とするためである。また、下部シールド板１と
しては、磁気特性が優れているＭ ｎ −Ｚ ｎフェラ
イトが用゛いられるが、Ｍｎ−Ｚｎフェライトは、比抵
抗が約１０−錦と小さく、電気絶縁性が不十分である。
そこで、従来より非磁性体絶縁膜２を少くとも数ｐｍ以
上の厚膜に設定して、導体ツクターン４，４．・・・・
・・ １５＃５ｊ・・・・・・ と下部シールド板１と
の絶縁強化を図っている。ところが、非磁性体絶縁膜２
全厚く設定すれば、当然シールドギャップ寸法ｔが増す
こととなり、ＭＲヘッドの高記録密度化が困難となる問
題がある。
上の厚膜に設定して、導体ツクターン４，４．・・・・
・・ １５＃５ｊ・・・・・・ と下部シールド板１と
の絶縁強化を図っている。ところが、非磁性体絶縁膜２
全厚く設定すれば、当然シールドギャップ寸法ｔが増す
こととなり、ＭＲヘッドの高記録密度化が困難となる問
題がある。
この発明は、上記問題を矛盾なく解消することを目的し
て提唱するものである。
て提唱するものである。
問題点を解決するための手段
この発明は、上記問題を解決するために九次の手段全裸
ること全特徴としている。つまり、この発明は、フェラ
イト基板上に非磁性体絶縁膜、強磁性体薄膜全形成して
設けるものにおいて、フェライト基板１Ｍｎ−Ｚｎ基部
と、その上に形成したＮｉ−Ｚｎ薄膜とから構成する。
ること全特徴としている。つまり、この発明は、フェラ
イト基板上に非磁性体絶縁膜、強磁性体薄膜全形成して
設けるものにおいて、フェライト基板１Ｍｎ−Ｚｎ基部
と、その上に形成したＮｉ−Ｚｎ薄膜とから構成する。
すなわち、この発明Ｊｔｉ、Ｍｕ−ＺｎフェライトとＮ
ｉ −Ｚ ｎフェライトと全比較すると、Ｎｉ−Ｚｎ
フェライトの比抵抗は数ＭΩ−停とはるかに大きいこと
全前提としている。
ｉ −Ｚ ｎフェライトと全比較すると、Ｎｉ−Ｚｎ
フェライトの比抵抗は数ＭΩ−停とはるかに大きいこと
全前提としている。
作用
この発明は、上述のフェライト基板構造とすることによ
り、磁気シールドギャップ寸法全項すことなく、確実な
絶縁が図れる。しかも、この発明では、フェライト基板
の素子形成上面自身の電気絶縁性が１分となるので、従
来よりの非磁性体絶縁膜は、単″に非磁性体膜とするこ
とができる。さらに、薄膜磁気ヘッドは一般に保護ガラ
スで被覆する場合が多いが、この発明では、フェライト
基板の基部は従来と同様なＭｎ−Ｚｎフェライトとする
ことができるので、保護ガラスとの融着作業が従来通り
に行える。
り、磁気シールドギャップ寸法全項すことなく、確実な
絶縁が図れる。しかも、この発明では、フェライト基板
の素子形成上面自身の電気絶縁性が１分となるので、従
来よりの非磁性体絶縁膜は、単″に非磁性体膜とするこ
とができる。さらに、薄膜磁気ヘッドは一般に保護ガラ
スで被覆する場合が多いが、この発明では、フェライト
基板の基部は従来と同様なＭｎ−Ｚｎフェライトとする
ことができるので、保護ガラスとの融着作業が従来通り
に行える。
実施例
第１図は、この発明の第１実施例？示す薄膜磁気ヘッド
の斜視図で、従来の場合全示した第３図と同一呼称は、
同一図番で示しである。さらに８は、Ｍｎ−Ｚｎ７エラ
イト基板ｌの上面に膜厚１〜２ｐｍに被覆形成されたＮ
ｉ−Ｚｎフェライト薄膜で、高周波スパッタリング技術
にて形成したものである。このＮ ｉ −Ｚ ｎフェラ
イト薄膜８は、比抵抗が約１００−錦、最大磁束密１ｉ
、、３ｍが４０００ Ｇａｕｓｓ １抗磁力Ｈａが０．
１″６ｅの強磁性体である。したがって、非磁性体絶縁
膜２は、従来よりも薄い０．１〜０．３μｍ程度の膜厚
である。
の斜視図で、従来の場合全示した第３図と同一呼称は、
同一図番で示しである。さらに８は、Ｍｎ−Ｚｎ７エラ
イト基板ｌの上面に膜厚１〜２ｐｍに被覆形成されたＮ
ｉ−Ｚｎフェライト薄膜で、高周波スパッタリング技術
にて形成したものである。このＮ ｉ −Ｚ ｎフェラ
イト薄膜８は、比抵抗が約１００−錦、最大磁束密１ｉ
、、３ｍが４０００ Ｇａｕｓｓ １抗磁力Ｈａが０．
１″６ｅの強磁性体である。したがって、非磁性体絶縁
膜２は、従来よりも薄い０．１〜０．３μｍ程度の膜厚
である。
この薄膜磁気ヘッドは、以上の説明から判るように、Ｍ
Ｒ素子３．３１・・・・・・と導体パターン４゜４、・
・・・・・ 、５，５．・・・・・・とが、電気的には
、Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板１に対して、非磁性体絶縁
膜２及びＮｉ−Ｚｎフェライト薄膜８により確実に絶縁
されてい°るとともに、磁気的には、非磁性体絶縁膜２
の膜厚に等しいシールドギャップに設定されている。ま
た、この薄膜磁気ヘッドは、熱的特性すなわち熱膀張係
数αが５ＮｉＺｎフエライト薄膜８で９２Ｘｌｏ−／”
ｃに対して、大＠な体積を占めるＭ ｎ−Ｚ ｎフェラ
イト基板１並びに保護ガラス板７で１０５ Ｘ ｌ ｏ
−’／”ｃであり、ガラス融着時の加ル九 Ｖ ｒ
７＋ 軌 ａＳ ノｉ や 勿 ４に ス−１（弁 ど
げ 、レ が １１ 会 λ−−第２図は、この発明
の第２実施例全示す誘導型薄膜磁気ヘッドの断面図であ
る。まず９は、Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板で、その上面
にＮｉ−Ｚｎフェライト薄膜１０、そして例えば５ｉＯ
ｚの非磁性体絶縁膜１１が、−万端部寄りにスパッタリ
ング被着されている。つぎに１２．１２．・・・・・・
は、非磁性体絶縁膜１１に形成されたスパイラル状の導
電コイルパターンで、さらにその上には絶縁層１３が被
覆されている。そして、１４は、Ｍｕ−Ｚｎフェライト
基板９の他方端部上で密層接合し、絶縁層１３上へ乗り
上げて、一方端部の非磁性体絶縁膜１１にまで到達して
いるパーマロイの強磁性体膜である。つまり、この誘導
型薄膜磁気ヘッドは、上、下部コアとなる強磁性体膜λ
４．Ｎｉ−Ｚｎフェライト薄膜１０及びＭ ｎ −Ｚ
ｎフェライト基板９が、非磁性体絶縁膜１１の厚さで決
まる磁気ギャップＧを有し、導電コイルパターン１２
、１２ 、・・・・・・が、非磁性体絶縁膜１１及び、
Ｎｉ−Ｚｎフェライト薄膜１０にてＭ ｎ −Ｚ ｎフ
ェライト基板９と絶縁されている。したがって、この場
合もｌｉｉ−Ｚｎ）エライｌ−＃贋１０が、電気的絶縁
と、磁気的通路の役割全果している点で、第１実施例と
共通で、ツユライト基板は、Ｍｕ−Ｚｎ部とＮ ｉ −
Ｚ ｎ薄膜とから構成されている。 ・ 発明の効果 この発明によれば、薄膜磁気ヘッドにおける導体の絶縁
が、磁気的ギャップを増す“ことなく行えるので、薄膜
磁気ヘッドの高記録密度化全促しながら、信頼性も向上
させることができる。しかも九この発明では、保護ガラ
ス溶着作業性向上も期待でき、より一層量化全伸長でき
る長所がある。
Ｒ素子３．３１・・・・・・と導体パターン４゜４、・
・・・・・ 、５，５．・・・・・・とが、電気的には
、Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板１に対して、非磁性体絶縁
膜２及びＮｉ−Ｚｎフェライト薄膜８により確実に絶縁
されてい°るとともに、磁気的には、非磁性体絶縁膜２
の膜厚に等しいシールドギャップに設定されている。ま
た、この薄膜磁気ヘッドは、熱的特性すなわち熱膀張係
数αが５ＮｉＺｎフエライト薄膜８で９２Ｘｌｏ−／”
ｃに対して、大＠な体積を占めるＭ ｎ−Ｚ ｎフェラ
イト基板１並びに保護ガラス板７で１０５ Ｘ ｌ ｏ
−’／”ｃであり、ガラス融着時の加ル九 Ｖ ｒ
７＋ 軌 ａＳ ノｉ や 勿 ４に ス−１（弁 ど
げ 、レ が １１ 会 λ−−第２図は、この発明
の第２実施例全示す誘導型薄膜磁気ヘッドの断面図であ
る。まず９は、Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板で、その上面
にＮｉ−Ｚｎフェライト薄膜１０、そして例えば５ｉＯ
ｚの非磁性体絶縁膜１１が、−万端部寄りにスパッタリ
ング被着されている。つぎに１２．１２．・・・・・・
は、非磁性体絶縁膜１１に形成されたスパイラル状の導
電コイルパターンで、さらにその上には絶縁層１３が被
覆されている。そして、１４は、Ｍｕ−Ｚｎフェライト
基板９の他方端部上で密層接合し、絶縁層１３上へ乗り
上げて、一方端部の非磁性体絶縁膜１１にまで到達して
いるパーマロイの強磁性体膜である。つまり、この誘導
型薄膜磁気ヘッドは、上、下部コアとなる強磁性体膜λ
４．Ｎｉ−Ｚｎフェライト薄膜１０及びＭ ｎ −Ｚ
ｎフェライト基板９が、非磁性体絶縁膜１１の厚さで決
まる磁気ギャップＧを有し、導電コイルパターン１２
、１２ 、・・・・・・が、非磁性体絶縁膜１１及び、
Ｎｉ−Ｚｎフェライト薄膜１０にてＭ ｎ −Ｚ ｎフ
ェライト基板９と絶縁されている。したがって、この場
合もｌｉｉ−Ｚｎ）エライｌ−＃贋１０が、電気的絶縁
と、磁気的通路の役割全果している点で、第１実施例と
共通で、ツユライト基板は、Ｍｕ−Ｚｎ部とＮ ｉ −
Ｚ ｎ薄膜とから構成されている。 ・ 発明の効果 この発明によれば、薄膜磁気ヘッドにおける導体の絶縁
が、磁気的ギャップを増す“ことなく行えるので、薄膜
磁気ヘッドの高記録密度化全促しながら、信頼性も向上
させることができる。しかも九この発明では、保護ガラ
ス溶着作業性向上も期待でき、より一層量化全伸長でき
る長所がある。
第１図は・この発明の第１実施例を示す薄膜磁気ヘッド
の斜視図、第２図はその第２実施例全示す薄膜磁気ヘッ
ドの断面図、第３図は、従来の薄膜磁気ヘッドの斜視図
である。 ｌ ｒ ９ ｍ ａ ・Ｍ ｎ Ｚ ｎ ７工ライト
基部（基板〕、２．１１争・・非磁性体絶縁膜、 ４．５，１２・・・導体、 ｓ 、 ｌ Ｏ１１＋１１１ ｙｘ−Ｚｎ７工ライトＭ
膜。 特許出願人 関西日本電気株式会社 第１図 第 ２ 図゛ 第３図
の斜視図、第２図はその第２実施例全示す薄膜磁気ヘッ
ドの断面図、第３図は、従来の薄膜磁気ヘッドの斜視図
である。 ｌ ｒ ９ ｍ ａ ・Ｍ ｎ Ｚ ｎ ７工ライト
基部（基板〕、２．１１争・・非磁性体絶縁膜、 ４．５，１２・・・導体、 ｓ 、 ｌ Ｏ１１＋１１１ ｙｘ−Ｚｎ７工ライトＭ
膜。 特許出願人 関西日本電気株式会社 第１図 第 ２ 図゛ 第３図
Claims (1)
- フェライト基板上に非磁性体絶縁膜、強磁性体薄膜を形
成して設けるものにおいて、上記フェライト基板をＭｎ
−Ｚｎ基部と、その上に形成したＮｉ−Ｚｎ薄膜とから
構成することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18321484A JPS6161217A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18321484A JPS6161217A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6161217A true JPS6161217A (ja) | 1986-03-29 |
Family
ID=16131773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18321484A Pending JPS6161217A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6161217A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0573155A2 (en) * | 1992-06-05 | 1993-12-08 | Hewlett-Packard Company | Magnetoresistive transducer conductor configuration |
| JPWO2008056809A1 (ja) * | 2006-11-10 | 2010-02-25 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 電磁攪拌装置 |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP18321484A patent/JPS6161217A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0573155A2 (en) * | 1992-06-05 | 1993-12-08 | Hewlett-Packard Company | Magnetoresistive transducer conductor configuration |
| EP0573155A3 (en) * | 1992-06-05 | 1994-11-02 | Hewlett Packard Co | Conductor arrangement of a magnetoresistive transducer. |
| JPWO2008056809A1 (ja) * | 2006-11-10 | 2010-02-25 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 電磁攪拌装置 |
| JP5352236B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2013-11-27 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 電磁攪拌装置 |
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