JP2000251222A - 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法およびそれに用いるウエファ - Google Patents

複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法およびそれに用いるウエファ

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 サブミクロン単位での制御を可能にすること
により高い面記録密度を有し、かつ再生出力の劣化のな
い薄膜磁気ヘッドを高い歩留まりで製造する方法を提供
する。 【解決手段】 複合型薄膜磁気ヘッドを製造するに当た
り、ウエハ上に誘導型薄膜磁気ヘッドの各部材を形成す
ると同時に、第１および第２の電極部材18ａ、26ａの接
合面のエアベアリング面とは反対側の内側縁からスロー
トハイト零の基準位置TH0までの距離がそれぞれ異なる
複数の研磨量モニタ用素子を形成し、複数の複合型薄膜
磁気ヘッドユニットが配列された複数のバーにウエハを
切断し、各バーに形成された研磨量モニタ用素子の電極
部材間の導通−切断状態を測定してエアベアリング面の
研磨量を監視しながらバーの端面を研磨して所望のスロ
ートハイトを有する複合型薄膜磁気ヘッドユニットを形
成し、最後にバーを個々の複合型薄膜磁気ヘッドに切断
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基体の表面に、誘
導型の書き込み用薄膜磁気変換素子と、磁気抵抗効果型
の読み取り用薄膜磁気変換素子とを互いに磁気的および
電気的に絶縁分離した状態で積層した複合型薄膜磁気ヘ
ッドを製造する方法に関するものである。本発明はさら
にこのような複合型薄膜磁気ヘッドを製造するために用
いられるウエファにも関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年ハードディスク装置の面記録密度の
向上に伴って薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められてい
る。読み取り用ヘッドの性能向上に関しては、磁気抵抗
効果型磁気変換素子が広く用いられている。この磁気抵
抗効果型磁気変換素子としては、磁気異方性を示す磁気
抵抗（AMR:Anisotropic Magneto-Resistive ）効果を用
いたものが従来一般に使用されてきたが、これよりも抵
抗変化率が数倍も大きな巨大磁気抵抗（GMR:Giant Magn
eto-Resistive ）効果を用いたものも開発されている。
本明細書では、これらＡＭＲ素子およびＧＭＲ素子など
を総称して磁気抵抗効果型磁気変換素子（以下、ＭＲ素
子と略す場合がある）と称することにする。
【０００３】ＡＭＲ素子を使用することにより数ギガビ
ット／インチ2 の面記録密度を実現することができ、さ
らに面記録密度を上げるためにはＧＭＲ素子を使用する
ことが提案されている。このように面記録密度を高くす
ることにより、１０Ｇバイト以上の大容量のハードディ
スク装置の実現が可能となってきている。このようなＭ
Ｒ素子より成る読み取りヘッドの性能を決定する要因の
一つとしてＭＲ素子の高さ（ＭＲ Height ：以下、ＭＲ
ハイトという場合がある）がある。これは、側縁がエア
ベアリング面（Air Bearing Surface ：以下、ＡＢＳと
略すことがある）に露出するＭＲ素子の、ＡＢＳから測
った距離であり、薄膜磁気ヘッドの製造過程において
は、ＡＢＳを研磨する際の研磨量を制御することによっ
て所望のＭＲハイトを得るようにしている。
【０００４】一方、書き込み用の薄膜磁気ヘッドの性能
向上も求められている。面記録密度を上げるためには、
磁気記録媒体でのトラック密度を上げる必要がある。こ
のためには、エアベアリング面におけるライトギャップ
（write-gap ）の幅を数ミクロンからサブミクロンオー
ダーまで狭くする必要があり、このためには半導体加工
技術を利用することが提案されている。特に、書き込み
用薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因の一つとしてス
ロートハイト（Throat Height ：以下、ＴＨと略す場合
がある）がある。これは薄膜コイルを電気的に分離する
絶縁層のエッジからＡＢＳまでの磁極部分の距離であ
り、この距離をできるだけ短くすることが望まれてい
る。
【０００５】図１〜１２は従来の標準的な薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における順次の工程および完成した従来の
薄膜磁気ヘッドを示すものであり、この薄膜磁気ヘッド
は誘導型の書き込み用薄膜磁気ヘッドおよびＭＲ素子を
具える読み取り用薄膜磁気ヘッドとを積層した複合型の
ものである。
【０００６】先ず、図１に示すように、例えばアルティ
ック（AlTiC ）より成る基板１１１上にアルミナ絶縁層
１１２を約５〜１０μｍの厚さに堆積する。次に、図２
に示すように、読み取り用ヘッドのＭＲ再生素子を外部
磁界の影響から保護する磁気シールドを構成する下部シ
ールド磁性層１１３を形成した後、図３に示すようにア
ルミナを100 〜150 ｎｍの膜厚にスパッタ堆積させて絶
縁層１１４を形成する。
【０００７】図３に示すように、この絶縁層１１４の上
にＭＲ再生素子を構成する磁気抵抗効果を有する材料よ
り成る磁気抵抗層１１５を数十ｎｍの膜厚に形成し、高
精度のマスクアライメントで所望の形状とする。次に図
４に示すように、アルミナ絶縁膜１１４と同様のアルミ
ナ絶縁層１１６を形成し、さらにその上にパーマロイよ
り成る磁性層１１７を３〜４μｍの膜厚に形成した様子
を図５に示す。この磁性層１１７は上述した下部シール
ド磁性層１１３とともにＭＲ再生素子を磁気遮蔽する上
部シールド磁性層の機能を有するとともに書き込み用薄
膜磁気ヘッドの下部磁性層としての機能をも有するもの
である。ここでは説明の便宜上この磁性層１１７を書き
込み用磁気ヘッドを構成する一方の磁性層であることに
注目して第１の磁性層と称することにする。
【０００８】次に、図６に示すように、第１の磁性層１
１７の上に非磁性材料、例えばアルミナより成るギャッ
プ層１１８を１５０〜３００ｎｍの膜厚に形成し、さら
にこのギャップ層の上に電気絶縁性のフォトレジスト層
１１９を高精度のマスクアライメントで所定のパターン
に形成し、さらにこのフォトレジスト層の上に、例えば
銅より成る第１層の薄膜コイル１２０を形成する。
【０００９】次に、図７に示すように、第１層目の薄膜
コイル１２０の上に、高精度のマスクアライメントを行
って絶縁性のフォトレジスト層１２１を形成した後、そ
の上面を平坦とするために、例えば２５０℃の温度でベ
ークする。さらに、このフォトレジスト層１２１の平坦
とした表面の上に第２層目の薄膜コイル１２２を形成
し、この第２層目の薄膜コイル１２２の上に高精度マス
クアライメントでフォトレジスト層１２３を形成した
後、再度薄膜コイル１２２の上の表面を平坦とするため
に、例えば２５０℃の温度でベークした状態を図８に示
す。上述したように、フォトレジスト層１１９，１２１
および１２３を高精度のマスクアライメントで形成する
理由は、後述するようにフォトレジスト層のエッジを位
置の基準としてスロートハイト（ＴＨ）やＭＲハイトを
規定しているためである。
【００１０】次に、図９に示すように、ギャップ層１１
８およびフォトレジスト層１１９，１２１および１２３
の上に、例えばパーマロイより成る第２の磁性層１２４
を３〜４μｍの膜厚で所望のパターンにしたがって選択
的に形成する。この第２の磁性層１２４は磁気抵抗層１
１５を形成した側から離れた位置において第１の磁性層
１１７と接触し、第１および第２の磁性層によって構成
される閉磁路を薄膜コイル１２０，１２２が通り抜ける
ようにしている。この第２の磁性層の磁極部分はトラッ
ク幅を規定する所望の形状およびサイズの磁極部分を有
している。さらに、第２の磁性層１２４およびギャップ
層１１８の露出表面の上にアルミナより成るオーバーコ
ート層１２５を堆積する。上述した薄膜コイル１２０，
１２２およびＭＲ再生素子に対する電気的接続を行なう
ためのリードやパッドを含む導電パターンが形成されて
いるが、図面には示していない。
【００１１】実際の複合型薄膜磁気ヘッドの製造におい
ては、上述した基板１１１はウエハで構成されており、
このウエハに多数の薄膜磁気ヘッドユニットをマトリッ
クス状に配列して形成した後、ウエハを、複数の薄膜磁
気ヘッドユニットが一列に配列された複数のバーに切断
し、このバーの端面を研磨して複数の薄膜磁気ヘッドの
エアベアリング面を同時に形成し、その後このバーを切
断して個々の複合型薄膜磁気ヘッドを得るようにしてい
る。すなわち、図１０に示すように、磁気抵抗層１１５
を形成した側面１２６を研磨して、磁気記録媒体と対向
するエアベアリング面１２７を形成している。このエア
ベアリング面１２７の形成過程において磁気抵抗層１１
５も研磨され、ＭＲ再生素子１２８が得られ、これと同
時に、上述したスロートハイトＴＨおよびＭＲハイトが
決定される。
【００１２】エアベアリング面の研磨を行なう際には、
スロートハイトやＭＲハイトを実際に観察しながら研磨
を行なうことはできないので、磁気抵抗層１１５に接続
された導電パターン（図面には示していない）に抵抗測
定回路を接続し、磁気抵抗層１１５が研磨されてその高
さが減少して行くことによる抵抗値の変化を、例えば電
流値の変化として読み出し、この電流値の変化から磁気
抵抗層１１５の研磨量を算出して行っていた。すなわ
ち、ＭＲ再生素子１２８の抵抗値が所望の値となるよう
に研磨を行なうことによって所望のＭＲハイトおよびス
ロートハイトを得るようにしている。
【００１３】図１０，１１および１２は、上述したよう
にして製造された従来の複合型薄膜磁気ヘッドを、オー
バーコート層１２５を省いて示すそれぞれ断面図、正面
図および平面図である。なお、図１０においては、ＭＲ
再生素子１２８を囲むアルミナ絶縁層１１４及び１１６
を単一の絶縁層として示し、図１２に示す平面図におい
ては、図面を簡単とするために薄膜コイル１２０，１２
２を同心円状に示した。図１０に明瞭に示すように、薄
膜コイル１２０，１２２を絶縁分離するフォトレジスト
層１１９，１２１，１２３の側面の角部を結ぶ線分Ｓと
第２の磁性層１２４の上面との成す角度θとして規定さ
れるアペックスアングル（Apex Angle：）も上述したス
ロートハイトＴＨおよびＭＲハイトとともに薄膜磁気ヘ
ッドの性能を決定する重要なファクタとなっている。ま
た、図１２の平面図に示すように、第２の磁性層１２４
の磁極部分１２４ａの幅Ｗは狭くなっており、この幅に
よって磁気記録媒体に記録されるトラックの幅が規定さ
れるので、高い面記録密度を実現するためには、この幅
Ｗをできるだけ狭くする必要がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】磁気記録媒体の面記録
密度を向上するためには、記録ヘッドおよび再生ヘッド
の性能を向上することが要求されており、上述した複合
型薄膜磁気ヘッドの製造においては、半導体加工技術を
利用したサブミクロンオーダでの制御が不可欠となって
いる。この複合型薄膜磁気ヘッド製造の歩留まりに対し
て大きな影響を及ぼすのが、書き込み用の誘導型薄膜磁
気ヘッドのスロートハイトと、ＭＲ再生素子より成る読
み取り用の薄膜磁気ヘッドのＭＲハイトである。
【００１５】図１〜１２を参照して説明したように、従
来の薄膜磁気ヘッドの製造においては、ＭＲ再生素子の
磁気抵抗層１１５の抵抗値を測定し、その値が所望の値
となるように研磨を制御することによって所望のＭＲハ
イトおよびスロートハイトを得るようにしている。しか
しながら、この磁気抵抗層１１５の抵抗値とＭＲハイト
との間の関係は一定ではないので、このような方法では
所望のＭＲハイトを得ることは困難である。すなわち、
磁気抵抗層１１５は、組成や製造条件などによってその
抵抗値にばらつきがあるので、抵抗値が所望の値となっ
てもＭＲハイトが所望の値とはならない。このようにＭ
Ｒハイトが所望の値から外れるとスロートハイトも所望
の値から外れることになる。このように、従来の製造方
法においては、ＭＲ再生素子の抵抗値が所望の値になっ
たとして、ＭＲハイトやスロートハイトが所望の値から
ずれてしまい、複合型薄膜磁気ヘッドは不良となってし
まう。
【００１６】上述した欠点を解消するために、例えば特
開昭63-29315号公報には、複数の薄膜磁気ヘッドが形成
されたバーの両端に、研磨の進行とともに順次開放され
る複数のスイッチ接点を直列に形成するとともに研磨の
進行とともに連続的に抵抗値が変化するガイド抵抗を各
スイッチ接点と並列に形成し、直列接続されたガイド抵
抗全体の抵抗値の変化を測定することによってスイッチ
接点の開放を検知し、これによりスロートハイトが所望
の値となるように研磨を行なうようにしたものが開示さ
れている。
【００１７】しかしながら、このような従来の方法で
は、バーの両端に複数のスイッチ接点とガイド抵抗とを
形成する工程が余分に必要となり、スループットが相当
低下してしまう欠点がある。すなわち、スイッチ接点を
導電パターンによって形成し、ガイド抵抗を抵抗材料で
形成する工程が薄膜磁気ヘッドを製造する工程とは別個
に必要となる。また、複数のスイッチ接点は、順次のス
イッチ接点間の距離がスイッチ接点を構成する電極エレ
メントの研磨方向の寸法よりも相当大きくなるように形
成されているので、スイッチ接点の切断を測定して段階
的なスロートハイトの変化を検出し、ガイド抵抗の変化
を測定して順次の段階の間のスロートハイトの連続的な
変化を検出し、両者を併せてスロートハイトの制御を行
っているが、ガイド抵抗の変化にはばらつきがあり、例
えば、0.1 〜0.3 μm といった微細な制御を正確に行な
うことは困難である。
【００１８】さらに、特開平４−３６０００８号公報に
は、上述した従来例と同様に、抵抗変化によって研磨量
を検出するための抵抗性ラッピング素子と、完全に研磨
される完全ラッピング素子との両方を用いて研磨量を検
出するものであって、これらの抵抗性ラッピング素子お
よび完全ラッピング素子を磁気抵抗素子と同じ材料で形
成することが開示されている。この場合には、研磨量検
出用の素子を形成する工程は簡単となるが、磁気抵抗材
料の抵抗は変動が比較的大きく、その抵抗値の変化から
研磨量を正確に検出することは困難である。
【００１９】したがって、本発明の目的は、スロートハ
イトおよびＭＲハイトを正確かつ微細に所望の値に制御
することができ、しかもスループットを低下することも
ない複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供しようとす
るものである。
【００２０】さらに本発明の他の目的は、このような複
合型薄膜磁気ヘッドを製造するのに有利に使用すること
ができるウエファを提供しようとするものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明による複合型薄膜
磁気ヘッドの製造方法は、基体の表面に、誘導型の書き
込み用薄膜磁気変換素子と、磁気抵抗効果型の読み取り
用薄膜磁気変換素子とを互いに磁気的および電気的に絶
縁分離した状態で積層した複合型薄膜磁気ヘッドを製造
する方法であって、前記基体を構成するウエハに、第１
の磁極部分を有する第１の磁性部材を形成し、少なくと
もこの第１の磁極部分を覆うようにライトギャップ層を
形成した後、このライトギャップ層を介して前記第１の
磁極部分と対向する第２の磁極部分を有するとともに磁
極部分とは離れた位置において前記第１の磁性部材と磁
気的に連結された第２の磁性部材を形成する工程と同時
に、前記第１の磁極部分と同じ磁性材料でこれとほぼ同
じ構造の第１の電極部材と、前記第２の磁極部分と同じ
磁性材料でこれとほぼ同じ構造を有し、前記第１の電極
部材と前記ライトギャップ層を介することなく直接接触
する第２の電極部材と、これら第１および第２の電極部
材にそれぞれ接続された第１および第２のリード部材と
を有し、前記第１および第２の電極部材の接合面の、エ
アベアリング面とは反対側の内側縁がスロートハイト零
の基準位置に対して所定の位置関係を持つように形成さ
れた研磨量モニタ用素子を形成する工程と、前記書き込
み用薄膜磁気変換素子および読み取り用薄膜磁気変換素
子をウエハ上に形成した後、各々が複数の複合型薄膜磁
気ヘッドユニットと少なくとも１つの研磨量モニタ用素
子の配列を有する複数のバーにウエハを切断する工程
と、このバーの端面を、前記研磨量モニタ用素子の第１
および第２の電極部材間の導通−遮断を前記第１および
第２のリード部材に接続された測定回路によって電気的
にモニタして薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面の研磨
量を監視しながら研磨する工程と、前記バーを、各々が
所望のスロートハイトが得られるように研磨されたエア
ベアリング面を有する複数の複合型薄膜磁気ヘッドに切
断する工程と、を具えることを特徴とするものである。
【００２２】このような本発明による複合型薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法によれば、研磨量モニタ用素子の第１お
よび第２の電極部材を、誘導型薄膜磁気ヘッドの第１お
よび第２の磁極部分と同じ材料で同時に形成するので、
研磨量モニタ用素子を形成するための特別な材料や工程
が必要でなくなり、容易かつ安価に実施できるとともに
スループットも向上する。さらに、第１および第２の電
極部材の間の導通・遮断を検知して研磨量を測定してい
るので抵抗値の変動に影響されることなく研磨量を正確
に検知することができる。
【００２３】上述した本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を実施するに当たっては、各バーには、第
１および第２の電極部材の接合面の、エアベアリング面
とは反対側の内側縁からスロートハイト零の基準位置ま
での距離を等しくするかまたは相違させた複数の研磨量
モニタ用素子を形成するのが好適である。
【００２４】さらに、第１および第２の電極部材の接合
面の、エアベアリング面とは反対側の内側縁からスロー
トハイト零の基準位置までの距離を相違させる場合に
は、これらの距離が0.1 〜0.5 μm の単位で相違するよ
うに形成するのが特に好適である。その理由は、この場
合には、スロートハイトが数ミクロンからサブミクロン
ときわめて短い薄膜磁気ヘッドのスロートハイトをサブ
ミクロンのオーダーで正確に制御しながら研磨すること
ができるからである。
【００２５】さらに、本発明による製造方法では、前記
複数の研磨量モニタ用素子を、前記バーに形成された複
数の複合型薄膜磁気ヘッドユニット中に分散させて形成
するのが好適である。この場合には、エアベアリング面
の研磨中における側面の傾きによるスロートハイトの誤
差を低減することができるので、一層正確にスロートハ
イトを制御することができる。
【００２６】さらに本発明は上述した製造方法に使用す
るウエファに関するものであり、本発明によるウエファ
は、基体の表面に、誘導型の書き込み用薄膜磁気変換素
子と、磁気抵抗効果型の読み取り用薄膜磁気変換素子と
を互いに磁気的および電気的に絶縁分離した状態で積層
した複合型薄膜磁気ヘッドを製造するのに用いるウエフ
ァであって、後に切断されてバーとなる領域の各々に、
前記誘導型薄膜磁気ヘッドの第１の磁極部分を有する第
１の磁性部材を形成し、少なくともこの第１の磁極部分
を覆うようにライトギャップ層を形成した後、このライ
トギャップ層を介して前記第１の磁極部分と対向する第
２の磁極部分を有するとともに磁極部分とは離れた位置
において前記第１の磁性部材と磁気的に連結された第２
の磁性部材を形成する工程と同時に、前記第１の磁極部
分と同じ磁性材料でこれとほぼ同じ構造に形成された第
１の電極部材と、前記第２の磁極部分と同じ磁性材料で
これとほぼ同じ構造を有し、前記第１の電極部材と前記
ライトギャップ層を介することなく直接接触するように
形成された第２の電極部材と、これら第１および第２の
電極部材にそれぞれ接続された第１および第２のリード
部材とを有し、前記第１および第２の電極部材の接合面
の、エアベアリング面とは反対側の内側縁がスロートハ
イト零の基準位置に対して所定の位置関係を持つように
形成された少なくとも１つの研磨量モニタ用素子が、複
数の複合型薄膜磁気ヘッドユニットとともに形成されて
いることを特徴とするものである。
【００２７】このような本発明によるウエファの好適な
実施例においては、前記バーとなる領域に、第１および
第２の電極部材の接合面の、エアベアリング面とは反対
側の内側縁からスロートハイト零の基準位置までの距離
が等しいかまたは相違する複数の研磨量モニタ用素子を
形成する。
【００２８】複数の研磨量モニタ用素子を、それらの第
１および第２の電極部材の接合面の、エアベアリング面
とは反対側の内側縁からスロートハイト零の基準位置ま
での距離を相違させる場合には、これらの距離が0.1 〜
0.5 μm の単位で相違するように形成するのが特に好適
である。従来のように研磨の進行とともに変化する抵抗
値を測定して研磨量を検出するものでは、抵抗値の変動
による影響が大きいので、このような精度で研磨量を検
出することは実際上非常に難しい。
【００２９】また、上述したようにバーとなる領域の各
々に複数の研磨量モニタ用素子を設ける場合には、これ
らを複数の複合型薄膜磁気ヘッドユニット中に分散させ
て形成するのが好適である。このように形成すると、エ
アベアリング面の研磨中のバーの傾きによる影響を軽減
することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を発明の実施の形態
に基づいて詳細に説明する。 （製造方法の第１の実施例）図１３〜２１は、本発明に
よる複合型薄膜磁気ヘッドの一実施例の順次の製造工程
を示すものである。各図面においては、本発明の特徴を
明確に示すために、各構成部分の寸法は誇張して示して
いる。また、同一の構成部分については、同じ符号を用
いて表している。
【００３１】最初に、図１３に示すように、アルティッ
ク（ＡｌＴｉＣ）より成る基体１１上の全面に亘って、
アルミナより成る絶縁層１２を５〜１０μｍの膜厚に形
成した後、ＭＲ再生素子を外部磁界から遮蔽するための
下部シールド層１３をパーマロイにより２〜３μｍの膜
厚に形成する。
【００３２】次に図１４に示すように、下部シールド層
１３の上に70〜400nm の膜厚のアルミナより成る下部シ
ールドギャップ層をスパッタリングにより成膜した後、
後にエアベアリング面が形成される側面の近傍に、ＧＭ
Ｒ再生素子を構成するＧＭＲ層１４を、数ｎｍの膜厚に
形成する。この際、従来と同様に研磨量をモニタするた
めの抵抗パターンを同時に形成することもできるが、こ
のことは本発明の要旨ではない。さらに、ＧＭＲ層１４
を所定の形状にパターニングした後、これを覆うように
70〜400nm の膜厚のアルミナより成る上部シールドギャ
ップ層をスパッタリングにより形成する。このようにし
て下部および上部のシールドギャップ層の間に埋設され
たＧＭＲ層１４が得られるが、図面では簡単とするため
にこれらのシールドギャップ層を単一のシールドギャッ
プ層１５として示す。また、ＧＭＲ層１４を外部回路へ
接続するためのリードを１６ａおよび１６ｂで示す。
【００３３】さらに、図１４に示すように、シールドギ
ャップ層１５の上にＧＭＲ再生素子に対する上部シード
層を兼ねる誘導型薄膜磁気ヘッドの下部ポール１７をパ
ーマロイを１．５〜２．５μｍの膜厚に成膜して形成
し、さらにこの下部ポールの上に飽和磁束密度の高い磁
性材料より成る下部ポールチップ１８を１〜２μｍの膜
厚に形成する。なお、この下部ポールチップ１８と同時
に、下部ポールと上部ポールとを磁気的に連結するため
の連結部材１９を形成する。
【００３４】次に、図１５に示すように、アルミナより
成る絶縁層２０を３〜４μｍの膜厚に形成した後、化学
−機械的研磨（ＣＭＰ）によって下部ポールチップ１８
および連結部材１９の表面が露出するまで平坦に研磨す
る。このようなＣＭＰに代えて機械的な研磨によって平
坦化することもできる。
【００３５】次に図１６に示すように、上述したように
して平坦とした表面にアルミナより成るライトギャップ
層２１を０．２〜０．３μm の膜厚に形成し、さらにそ
の上に第１層目の薄膜コイル２２を形成する。ここまで
の工程は従来のものと同じであるが、本発明では図１７
に示すように、研磨量モニタ用素子を形成すべき部分で
はライトギャップ層を選択的に除去するか初めから形成
しないようにし、第１層目の薄膜コイルを絶縁層２０の
上に直接形成する。このような薄膜コイルは実際の誘導
型薄膜磁気ヘッドではコイルとしては機能しないのでこ
こではダミー薄膜コイル２２ａと称することにする。し
たがってこの研磨量モニタ用素子を形成すべき領域にお
けるＧＭＲ層、下部ポールおよび下部ポールチップもダ
ミーであるので、図１７ではそれぞれ１４ａ、１７ａお
よび１８ａで示した。さらに、下部ポールと上部ポール
とを連結するための連結部材は後述するように電気的な
接続部材として機能するので接続部材１９ａと称するこ
とにする。
【００３６】次に図１８および１９に示すように、誘導
型薄膜磁気ヘッドを形成すべき領域および研磨量モニタ
用素子を形成すべき領域の双方において、第１層目の薄
膜コイル２２およびダミー薄膜コイル２２ａを覆うよう
にフォトレジスト絶縁層２３を形成し、熱処理を施して
表面を平坦とした後、第２層目の薄膜コイル２４および
ダミー薄膜コイル２４ａを形成し、さらにこれらの第２
層目の薄膜コイルおよびダミー薄膜コイルを覆うように
フォトレジスト絶縁層２５を形成し、再度熱処理を施し
て薄膜コイルの表面を平坦とする。
【００３７】さらに、図１８に示すように、誘導型薄膜
磁気ヘッドを形成すべき領域においては、磁極部分がラ
イトギャップ層２１を介して下部ポールチップ１８と対
向し、エアベアリング面とは離れた位置においては連絡
部材１９と直接接触するようにパーマロイより成る上部
ポール２６を２〜３μm の膜厚に形成する。これと同時
に、研磨量モニタ用素子を形成すべき領域においては、
図１９に示すようにダミーの下部ポールチップ（第１の
電極部材）１８ａと接触するように第１のダミー上部ポ
ール（第２の電極部材）２６ａを形成するとともに接続
部材１９ａと接触するように第２のダミー上部ポール
（第２のリード部材の一部）２６ｂを形成する。したが
ってこれら第１および第２のダミーポール２６ａおよび
２６ｂは、ダミーの下部ポールチップ１８ａ、ダミーの
下部ポール１７ａおよび接続部材１９ａを介して電気的
に接続され、ダミー薄膜コイルの上方では電気的に接続
されていないように形成する。このような構造を本発明
では研磨量モニタ用素子と称している。
【００３８】つぎに、図２０に示すように、誘導型薄膜
磁気ヘッドを形成すべき領域においては、上部ポール２
６の磁極部分をマスクとして、その近傍のライトギャッ
プ層２１を除去した後、下部ポールチップ１８をその膜
厚の一部分に亘って除去してトリム構造を形成する。こ
の場合、ライトギャップ層２１をリアクティブイオンエ
ッチングによって除去し、下部ポール１７をイオンビー
ムエッチングによって除去するのが処理効率を改善する
とともに素子特性を向上する上で有効であるが、本発明
はこのような組み合わせに限定されるものではない。さ
らに、図２１に示すように、このようなエッチング処理
は研磨量モニタ用素子を形成すべき領域においても行わ
れるが、この領域にはライトギャップ層は存在していな
いのでダミーの下部ポールチップ１８ａが幾分オーバー
エッチングされる傾向にあるが、この領域は誘導型薄膜
磁気ヘッドとして使用しないので何ら問題はない。
【００３９】（研磨量モニタ用素子の第１の実施例）さ
らに、全体の上にアルミナより成るオーバーコート層２
７を２０〜３０μmの膜厚に形成する。このオーバーコ
ート層２７を形成する前に研磨量モニタ用素子を形成す
べき領域に対しては、図２１に示すように第１および第
２のダミーポール２６ａおよび２６ｂを外部に配置され
た測定回路２８へ接続するための第１および第２のリー
ド２９ａおよび２９ｂを形成するが、これらのリードは
複合型薄膜磁気ヘッドユニットを形成する工程と同時に
形成することができるので、特に製造工程が増えること
はない。なお、図２１ではこれら第１および第２のリー
ド２９ａおよび２９ｂは説明の便宜上簡略化して示し
た。
【００４０】上述したようにして複合型薄膜磁気ヘッド
ユニットと研磨量モニタ用素子とを同時に形成した後、
側面を研磨してエアベアリング面を形成するが、本発明
においてはこの研磨作業中に研磨量モニタ用素子の導通
状態から遮断状態への変化を測定回路２８で検知し、こ
の検知出力を研磨制御回路３０へ供給し、この制御回路
によって研磨機３１の駆動を制御する。
【００４１】すなわち最初はダミーの下部ポールチップ
１８ａによってダミーの下部ポール１７ａと第１のダミ
ーポール２６ａとは電気的に接続された状態にあるが、
研磨が進んでダミーの下部ポールチップ１８ａが完全に
消失すると、ダミーの下部ポール１７ａと第１のダミー
ポール２６ａとは電気的に遮断されることになる。この
ように測定回路２８によって第１および第２のダミーポ
ール２６ａおよび２６ｂ間の導通・遮断状態を測定する
ことによって、研磨がダミーの下部ポールチップ１８ａ
の内側縁まで進んだか否かを検知することができ、第１
および第２のダミーポール２６ａおよび２６ｂ間の遮断
状態が検知されたら研磨制御回路３０を介して研磨機３
１の駆動を停止する。本例では、このダミーの下部ポー
ルチップ１８ａの内側縁の位置を、図２０に示す下部ポ
ールチップ１８の内側縁の位置で決まるスロートハイト
零の基準位置ＴＨ0 から所望のスロートハイトの長さに
等しい距離ｄだけエアベアリング面側に寄った位置ＴＨ
1 に設定しておくことにより、常に所望のスロートハイ
トを正確に得ることができる。
【００４２】（研磨量モニタ用素子の第２の実施例）図
２２は、本発明による研磨量モニタ用素子の第２の実施
例を示す断面図であり、上述した実施例におけるものと
同様の部分には同じ符号を付けて示した。上述した実施
例においては、研磨量モニタ用素子の構造は、ライトギ
ャップ層２１がない以外には複合型薄膜磁気ヘッドユニ
ットの構造と同一であるが、本例では薄膜コイルを省い
てある。すなわち、下部ポールチップ１８ａおよび絶縁
層２０の平坦な表面に、第１および第２のダミーポール
２６ａおよび２６ｂを形成したものである。これらのダ
ミーポール２６ａおよび２６ｂをリード２９ａおよび２
９ｂを介して測定回路３０に接続する。
【００４３】上述した実施例の説明から明らかなよう
に、本発明においては研磨量モニタ用素子は複合型薄膜
磁気ヘッドとしての機能を持つ必要がないので、本実施
例のように薄膜コイルを省略することができる。ただ
し、上述した実施例のように薄膜コイルを形成する場合
には、第１および第２のダミーポール２６ａおよび２６
ｂを、複合型薄膜磁気ヘッドの上部ポールと同様に形成
できるので有利な場合もある。一方、本実施例では、第
１および第２のダミーポール２６ａおよび２６ｂを、下
部ポールチップ１８ａおよびアルミナ絶縁層２０の平坦
な表面に形成できるのでパターンエッジを一層鮮明に形
成できる利点がある。
【００４４】（製造方法の第２の実施例）図23〜２９
は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の第
２の実施例の順次の工程を示すものである。本例におい
ても、前例と同様の部分には同じ符号を付けて示す。
【００４５】図23〜２５の工程は第１の実施例の図13〜
１５までの工程と同じである。本例においては、図26に
示すようにライトギャップ層２１の上に上部ポールチッ
プ３５を２〜３μｍの膜厚に形成すると共に下部ポール
チップ１８と同時に形成した連結部材１９と接触するよ
うに連結部材３６を形成した後、第１層目の薄膜コイル
２２を２〜３μｍの膜厚に形成する。この上部ポールチ
ップ３５は、飽和磁束密度の高い磁性材料で形成する。
【００４６】次に、図27に示すように上部ポールチップ
３５をマスクとしてエッチングを施してトリム構造を形
成し、第１層目の薄膜コイル２２および上部ポールチッ
プ３５を覆うようにアルミナなどの無機絶縁材料より成
る絶縁層３７を３〜４μｍの膜厚に形成した後、ＣＭＰ
によって平坦化して上部ポールチップ３５の表面を露出
させる。
【００４７】さらに図28に示すように、第１層目の薄膜
コイル２２の上に第２層目の薄膜コイル２４を形成し、
フォトレジストより成る絶縁層２５によって絶縁分離し
た状態で支持した後、上部ポール２６を磁極部分では上
部ポールチップ３５と接触し、磁極部分から離れた位置
では連結部材３６と接触するように形成する。本例で
は、この上部ポール２６のエアベアリング面側の先端面
をエアベアリング面から後退させるように形成する。さ
らに、第１の実施例と同じように全体の上にアルミナよ
り成るオーバーコート層２７を形成する。
【００４８】（研磨量モニタ用素子の第３の実施例）本
発明においては、同じウエファに形成される複数の複合
型薄膜磁気ヘッドユニットの中に少なくとも１個の研磨
量モニタ用素子を形成するが、図29は本例の研磨量モニ
タ用素子の構成を示すものである。図28に示した複合型
薄膜磁気ヘッドユニットと比較して図29に示す研磨量モ
ニタ用素子は、ライトギャップ層２１がない点だけが相
違しており、その他の構成は同様である。上述した実施
例と同様に、ダミーの下部ポールチップ１８aの、エア
ベアリング面とは反対側の端面が、スロートハイト零の
基準位置ＴＨ0から所望のスロートハイトに等しい距離
ｄだけ離間させた位置ＴＨ1と一致するように形成す
る。本例でも、研磨量モニタ用素子の第１および第２の
ダミーポール２６ａおよび２６ｂをリード２９ａおよび
２９ｂを介して測定回路２８に接続する。
【００４９】本例においてもエアベアリング面の研磨作
業中に研磨量モニタ用素子の導通状態から遮断状態への
変化を測定回路２８で検知し、この検知出力を研磨制御
回路３０へ供給し、この制御回路によって研磨機３１の
駆動を制御する。すなわち、最初はダミーの下部ポール
チップ１８ａおよびダミーの上部ポールチップ３５を介
して第１のダミーポール２６ａと第２のダミーポール２
６ｂとは電気的に接続された状態にあるが、研磨が進ん
でダミーの下部ポールチップ１８ａが完全に消失する
と、第１のダミーポール２６ａと第２のダミーポール２
６ｂとは電気的に遮断されることになる。このように測
定回路２８によって第１および第２のダミーポール２６
ａおよび２６ｂ間の導通・遮断状態を測定することによ
って、研磨がダミーの下部ポールチップ１８ａの内側縁
まで進んだか否かを検知することができ、第１および第
２のダミーポール２６ａおよび２６ｂ間の遮断状態が検
知されたら研磨制御回路３０を介して研磨機３１の駆動
を停止する。上述したように、このダミーの下部ポール
チップ１８ａの内側縁の位置はスロートハイト零の基準
位置ＴＨ0 から所望のスロートハイトに等しい距離ｄだ
けエアベアリング面側に寄った位置に設定してあるの
で、上述したようにして研磨量を制御することによって
常に所望のスロートハイトを正確に得ることができる。
【００５０】上述した実施例においては、ダミーの下部
ポールチップ１８ａの内側縁をスロートハイト零の基準
位置から所望のスロートハイトに等しい距離だけエアベ
アリング面側に寄った位置に設定し、研磨量モニタ用素
子での遮断状態を検出したときに研磨を停止するように
したが、スロートハイトをサブミクロンのオーダーで精
密に制御するために上述した距離が相違する複数の研磨
量モニタ用素子を形成しておき、それらの導通・遮断を
モニタしながらエアベアリング面の研磨の制御を行うこ
ともできる。
【００５１】（研磨量モニタ用素子の第４の実施例）図
３０〜３２は、上述したようにダミーの下部ポールチッ
プ１８ａの内側縁の位置を、スロートハイト零の基準位
置から異なる距離だけエアベアリング面側に離間させた
３つの研磨量モニタ用素子を示すものであり、その基本
的な構成は図２９に示した研磨量モニタ用素子と同じで
ある。本例では、図３０に示す研磨量モニタ用素子のダ
ミーの下部ポールチップ１８ａの内側縁とスロートハイ
ト零の基準位置ＴＨ0までの距離ｄ1を０．７μｍとし、
図３１に示す研磨量モニタ用素子のダミーの下部ポール
チップ１８ａの内側縁とスロートハイト零の基準位置Ｔ
Ｈ0までの距離ｄ2を０．８μｍとし、図３２に示す研磨
量モニタ用素子のダミーの下部ポールチップ１８ａの内
側縁とスロートハイト零の基準位置ＴＨ0までの距離ｄ3
を１．０μｍとする。
【００５２】上述したようにスロートハイト零の基準位
置ＴＨ0 からの距離ｄ1 、ｄ2 、ｄ 3 が異なる複数の研
磨量モニタ用素子を形成しておくことにより、最初に最
も長い距離ｄ1 の研磨量モニタ用素子（図３２に示す）
の第１ダミーポール２６ａと第２のダミーポール２６ｂ
との間の導通状態が遮断されるのを検出して、研磨がス
ロートハイト零の基準位置から１．０μｍ の距離まで
進行していることを検知できる。ここで、所望のスロー
トハイトが０．７μｍ であるとすると、次に、図３２
に示す研磨量モニタ用素子で遮断状態が検出されたこと
によってスロートハイト零の基準位置から０．８μｍ
の位置まで研磨が進んでいることを検知できる。このよ
うな時点で研磨速度を遅くして最後に図３０に示す研磨
量モニタ用素子で遮断状態が検知されたときに直ちに研
磨を停止する。このようにして０．７μｍ の所望のス
ロートハイトを有する複合型薄膜磁気ヘッドを得ること
ができる。
【００５３】図３３は上述したようにスロートハイト零
の基準位置からの距離を相違させた３種類の研磨量モニ
タ用素子をウエファ上でどのように分布させるのかを示
す線図的な平面図である。上述したように実際の複合型
薄膜磁気ヘッドの製造においては、ウエファＷに多数の
複合型薄膜磁気ヘッドユニットＨをマトリックス状に形
成した後、ウエファを、各々において多数の複合型薄膜
磁気ヘッドユニットが配列された複数のバーＢに分割
し、各バーの側面を研磨して多数の複合型薄膜磁気ヘッ
ドを同時に形成するようにしている。本例では、上述し
た３種類の研磨量モニタ用素子Ｍ1 、Ｍ2 、Ｍ3 を各バ
ーの両端部および中央部に分散して形成してある。
【００５４】（研磨量モニタ用素子の第５の実施例）図
３４〜３６は、上述したようにダミーの下部ポールチッ
プ１８ａの内側縁をスロートハイト零の基準位置から異
なる距離だけエアベアリング面側に離間させた３種類の
研磨量モニタ用素子の第５の実施例を示すものである。
本例の研磨量モニタ用素子は、図２９に示した研磨量モ
ニタ用素子からダミーの第２層目の薄膜コイル２４ａお
よびそれを覆う絶縁層２５を省き、第１および第２のダ
ミーのポール２６ａおよび２６ｂを平坦に形成したもの
である。なお、これらの図面においてはオーバーコート
層は省略してある。
【００５５】（研磨量モニタ用素子の第６の実施例）図
３７〜３９は、ダミーの下部ポールチップ１８ａの内側
縁の位置を、スロートハイト零の基準位置から異なる距
離だけエアベアリング面側に離間させた３種類つの研磨
量モニタ用素子の第６の実施例を示すものである。本例
では、図３４〜３６に示す研磨量モニタ用素子のダミー
の第１層目の薄膜コイル２２ａを除去したものである。
【００５６】（製造方法の第３の実施例）図４０〜４４
は本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の第３
の実施例の順次の工程を示す断面図である。図４０に示
すように、アルティック（ＡｌＴｉＣ）より成る基体１
１上の全面に亘って、アルミナより成る絶縁層１２を５
〜１０μｍの膜厚に形成した後、ＭＲ再生素子を外部磁
界から遮蔽するための下部シールド層１３をパーマロイ
により２〜３μｍの膜厚に形成する。
【００５７】次に、図４１に示すようにＧＭＲ層１４を
シールドギャップ層１５内に埋設するように形成したの
後、シールドギャップ層上に下部ポール１７を２．５〜
３．５μm の膜厚に形成し、さらにホトレジスト層４１
を所定のパターンにしたがって形成した後、エッチン
グ、本例ではイオンビームエッチングによって凹部４２
を形成する。この凹部の中央には島状の連結部材４３が
形成されている。
【００５８】次に図４２に示すように、フォトレジスト
層４１を除去した後、アルミナより成る絶縁層４４を３
〜４μｍの膜厚に形成し、ＣＭＰによって平坦に研磨し
て下部ポール１７の磁極部分および連結部材４３の表面
を露出させる。
【００５９】続いて図４３に示すように、平坦な表面に
ライトギャップ層２１を形成した後、第１の実施例と同
様に、第１層目の薄膜コイル２２、これを覆う絶縁層２
３、第２層目の薄膜コイル２４およびこれを覆う絶縁層
２５を形成し、さらに下部ポール１７の磁極部分および
連結部材４３と接触するように上部ポール２６を形成す
る。その後全体を覆うようにオーバーコート層を形成す
るが、図４３では省略してある。このような構成では、
スロートハイト零の基準位置ＴＨ0 は、凹部４２のエア
ベアリング面側の端縁の位置によって規定されている。
【００６０】（研磨量モニタ用素子の第７の実施例）図
４４は本例における研磨量モニタ用素子の構成を示すも
のであり、ライトギャップ層２１が形成されていないこ
と、ダミーの下部ポール１７ａに形成されている凹部の
エアベアリング面側の端縁が、スロートハイト零の基準
位置ＴＨ0から所定の距離ｄだけエアベアリング面側に
寄っていること以外は通常の複合型薄膜磁気ヘッドの構
造と同じである。また、ダミーの第１および第２のポー
ル２６ａおよび２６ｂは、それぞれリード２９ａおよび
２９ｂを介して外部の測定回路２８に接続する。
【００６１】本例においてもエアベアリング面を研磨す
る作業の間、図４４に示す第１および第２のダミーのポ
ール２６ａおよび２６ｂの間の電気的な導通・遮断状態
を測定回路２８においてモニタし、これらが遮断したこ
とを検知したら研磨制御回路３０を介して研磨機３１の
駆動を停止することによって所望のスロートハイトを正
確に得ることができる。
【００６２】（研磨量モニタ用素子の第８の実施例）図
４５は本発明による複合型薄膜磁気ヘッドと研磨量モニ
タ用素子の第８の実施例を示す線図的な平面図である。
本例では、ダミーの下部ポールチップ１８ａとダミーの
上部ポール２６ａとの接合面の、エアベアリング面とは
反対側の側縁からスロートハイト零の基準位置ＴＨ0 ま
での距離ｄ1 、ｄ2 、ｄ3 が０．４μｍ、０．６μｍ、
０．８μｍと異なる３つの研磨量モニタ用素子を形成し
たものである。
【００６３】上述した実施例では研磨量モニタ用素子の
第１および第２のダミーポール２６ａと２６ｂとの間の
導通・遮断状態を検知して研磨量をモニタしているが、
本例ではダミーの下部ポール１７ａの一部分をエアベア
リング面とは反対側へ延長させ、この延長部に一方のリ
ード２９ｂを接続したものである。したがって、上部に
は１つのダミーポール２６ａが形成されており、その一
部分を延長させて他方のリード２９ａに接続している。
【００６４】本例では研磨量モニタ用素子に設けられて
いるＧＭＲ層１４の両端に接続されているリード１６ａ
および１６ｂを外部へ接続するようにしているが、これ
はエアベアリング面の研磨の際にＧＭＲ層の抵抗値の変
化をも検出し、そのデータも研磨量の制御に用いるよう
にするためであるが、本発明ではこのことは必ずしも必
要ではない。すなわち、本発明では上述した研磨量モニ
タ用素子のダミーの下部ポールチップ１８ａまたはダミ
ーの下部ポールの磁極部分のエアベアリング面とは反対
側の端縁の位置をスロートハイト零の基準位置から所定
の距離だけ離間させ、下部ポールチップと下部ポールと
の導通状態が遮断されることを検出してエアベアリング
面の研磨を停止することを基本的な要件とするものであ
る。
【００６５】本発明は上述した実施例にのみ限定される
ものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例え
ば、所望のスロートハイトおよびＭＲハイトを有する複
合型薄膜磁気ヘッドユニットを配列したバー研磨量を監
視するための研磨量モニタ用素子は複合型薄膜磁気ヘッ
ドとしては用いられないので、１本のバー当たりの研磨
量モニタ用素子の個数は少ない方が良い。しかし、１個
では研磨面の傾斜の監視が難しく、エアベアリング面を
正確に出すことができない場合もあるので、バーの両端
またはその近傍に各々研磨量モニタ用素子を形成するの
が好適である。
【００６６】さらに、本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法によれば、磁気抵抗膜の形成と研磨量モニ
タ用素子の形成とは全く独立しているので、書き込み用
薄膜磁気ヘッドと読み出し用薄膜磁気ヘッドとの積層順
序は任意で良い。すなわち、上述した実施例では、読み
出し用の磁気抵抗型の薄膜磁気ヘッドの上方に書き込み
用の誘導型薄膜磁気ヘッドを形成したが、書き込み用の
誘導型薄膜磁気ヘッドの上に読み出し用の磁気抵抗型の
薄膜磁気ヘッドを形成しても良い。
【００６７】
【発明の効果】以上から明らかなように、本発明による
複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、書き込み用
の誘導型薄膜磁気ヘッドを形成するのと同時にエアベア
リング面の研磨量を監視する研磨量モニタ用素子を形成
するので、特別な製造工程が必要でなく、製造コストの
上昇を招くことはない。
【００６８】また、研磨量モニタ用素子の連続的な抵抗
値の変化ではなく、その導通−切断を検出して研磨量を
検知しているので、きわめて高い精度で研磨量を制御す
ることができ、したがって、所望のスロートハイトおよ
びＭＲハイトを有する複合型薄膜磁気ヘッドを容易かつ
正確に製造することができる。
【００６９】また、本発明によるウエファによれば、上
述した研磨量モニタ用素子を予め形成してあるので、最
終的な複合型薄膜磁気ヘッドを形成する際に、所望のス
ロートハイトを有する誘導型薄膜磁気ヘッドを得ること
ができる。特に、スロートハイト零の基準位置からダミ
ーのポールの内側縁までの距離を相違させた複数の研磨
量モニタ用素子を予め形成しておく場合には、任意所望
のスロートハイトを有する誘導型薄膜磁気ヘッドを持っ
た複合型薄膜磁気ヘッドを容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の最
初の工程を示す断面図である。
【図２】 次の工程を示す断面図である。
【図３】 次の工程を示す断面図である。
【図４】 次の工程を示す断面図である。
【図５】 次の工程を示す断面図である。
【図６】 次の工程を示す断面図である。
【図７】 次の工程を示す断面図である。
【図８】 次の工程を示す断面図である。
【図９】 次の工程を示す断面図である。
【図１０】 次の工程を示す断面図である。
【図１１】 そのときの正面図である。
【図１２】 そのときの平面図である。
【図１３】 本発明における複合型薄膜磁気ヘッドの製
造方法の第１の実施例の最初の工程を示す断面図であ
る。
【図１４】 次の工程を示す断面図である。
【図１５】 次の工程を示す断面図である。
【図１６】 次の工程を示す断面図である。
【図１７】 次の工程を示す断面図である。
【図１８】 次の工程を示す断面図である。
【図１９】 そのときの研磨量モニタ用素子が形成され
る部分を示す断面図である。
【図２０】 次の工程を示す断面図である。
【図２１】 研磨量モニタ用素子（第１の実施例）を使
用してエアベアリング面の研磨を制御する構成を示す断
面図である。
【図２２】 本発明による研磨量モニタ用素子の第２の
実施例の構成を示す断面図である。
【図２３】 本発明における複合型薄膜磁気ヘッドの製
造方法の第２の実施例の最初の工程を示す断面図であ
る。
【図２４】 次の工程を示す断面図である。
【図２５】 次の工程を示す断面図である。
【図２６】 次の工程を示す断面図である。
【図２７】 次の工程を示す断面図である。
【図２８】 次の工程を示す断面図である。
【図２９】 そのときの研磨量モニタ用素子（第３の実
施例）の部分を示す断面図である。
【図３０】 本発明の研磨量モニタ用素子の第４の実施
例の構成を示す断面図である。
【図３１】 図３０の研磨量モニタ用素子と同時に形成
される研磨量モニタ用素子を示す断面図である。
【図３２】 図３０、３１の研磨量モニタ用素子と同時
に形成される研磨量モニタ用素子を示す断面図である。
【図３３】 複数の研磨量モニタ用素子を形成した本発
明によるウエファを示す線図的な平面図である。
【図３４】 本発明の研磨量モニタ用素子の第５の実施
例の構造を示す断面図である。
【図３５】 図３４の研磨量モニタ用素子と同時に形成
される研磨量モニタ用素子を示す断面図である。
【図３６】 図３４、３５の研磨量モニタ用素子と同時
に形成される研磨量モニタ用素子を示す断面図である。
【図３７】 本発明の研磨量モニタ用素子の第６の実施
例の構造を示す断面図である。
【図３８】 図３７の研磨量モニタ用素子と同時に形成
される研磨量モニタ用素子を示す断面図である。
【図３９】 図３７、３８の研磨量モニタ用素子と同時
に形成される研磨量モニタ用素子を示す断面図である。
【図４０】 本発明における複合型薄膜磁気ヘッドの製
造方法の第３の実施例の最初の工程を示す断面図であ
る。
【図４１】 次の工程を示す断面図である。
【図４２】 次の工程を示す断面図である。
【図４３】 次の工程を示す断面図である。
【図４４】 そのときの研磨量モニタ用素子（第７の実
施例）の部分を示す断面図である。
【図４５】 本発明によるウエファに形成される複合型
薄膜磁気ヘッドユニットおよび研磨量モニタ用素子の第
８の実施例を示す線図的な平面図である。
【符号の説明】
１１ 基体（ウエハ）、 １２ 絶縁層、 １３ 下部
シールド層、 １４ ＧＭＲ膜、 １５ シールドギャ
ップ層、 １６ａ、１６ｂ リード、 １７ 下部ポー
ル、 １７ａ ダミーの下部ポール、 １８ 下部ポー
ルチップ、 １８ａ ダミーの下部ポールチップ、 １
９ 連結部材、 ２０ 絶縁層、 ２１ライトギャップ
層、 ２２ 第１層目の薄膜コイル、 ２３ 絶縁膜、
２４第２層目の薄膜コイル、 ２５ 絶縁層、 ２６
上部ポール、 ２６ａ 第１の電極部材（ダミーの上
部ポール）、 ２６ｂ 第２の電極部材、 ２７ オー
バーコート層、 ２８ 測定回路、 ３０ 研磨制御回
路、 ３１ 研磨機、３５ 上部ポールチップ、 ３５
ａ ダミーの上部ポールチップ、 ３７ 無機絶縁層、
Ｗ ウエファ、 Ｂ バー、 Ｍ 研磨量モニタ用素
子、 Ｈ 複合型薄膜磁気ヘッドユニット、 ４４ 無
機絶縁層、 ＴＨ0 スロートハイト零の基準位置

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体の表面に、誘導型の書き込み用薄膜
    磁気変換素子と、磁気抵抗効果型の読み取り用薄膜磁気
    変換素子とを互いに磁気的および電気的に絶縁分離した
    状態で積層した複合型薄膜磁気ヘッドを製造する方法で
    あって、 前記基体を構成するウエハに、第１の磁極部分を有する
    第１の磁性部材を形成し、少なくともこの第１の磁極部
    分を覆うようにライトギャップ層を形成した後、このラ
    イトギャップ層を介して前記第１の磁極部分と対向する
    第２の磁極部分を有するとともにこれらの磁極部分とは
    離れた位置において前記第１の磁性部材と磁気的に連結
    された第２の磁性部材を形成する工程と同時に、前記第
    １の磁極部分と同じ磁性材料でこれとほぼ同じ構造の第
    １の電極部材と、前記第２の磁極部分と同じ磁性材料で
    これとほぼ同じ構造を有し、前記第１の電極部材と前記
    ライトギャップ層を介することなく直接接触する第２の
    電極部材と、これら第１および第２の電極部材にそれぞ
    れ接続された第１および第２のリード部材とを有し、前
    記第１および第２の電極部材の接合面の、エアベアリン
    グ面とは反対側の内側縁がスロートハイト零の基準位置
    に対して所定の位置関係を持つように形成された研磨量
    モニタ用素子を形成する工程と、 前記書き込み用薄膜磁気変換素子および読み取り用薄膜
    磁気変換素子をウエハ上に形成した後、各々が複数の複
    合型薄膜磁気ヘッドユニットと少なくとも１個の研磨量
    モニタ用素子の配列を有する複数のバーにウエハを切断
    する工程と、 このバーの端面を、前記研磨量モニタ用素子の第１およ
    び第２の電極部材間の導通−遮断を前記第１および第２
    のリード部材に接続された測定回路によって電気的にモ
    ニタして薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面の研磨量を
    監視しながら研磨する工程と、 前記バーを、各々が所望のスロートハイトが得られるよ
    うに研磨されたエアベアリング面を有する複数の複合型
    薄膜磁気ヘッドに切断する工程と、を具えることを特徴
    とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  2. 【請求項２】 前記バーの各々に、第１および第２の電
    極部材の接合面の、エアベアリング面とは反対側の内側
    縁からスロートハイト零の基準位置までの距離を等しく
    した複数の研磨量モニタ用素子を形成することを特徴と
    する請求項１に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  3. 【請求項３】 前記バーの各々に、第１および第２の電
    極部材の接合面の、エアベアリング面とは反対側の内側
    縁からスロートハイト零の基準位置までの距離が相違す
    る複数の研磨量モニタ用素子を形成することを特徴とす
    る請求項１に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  4. 【請求項４】 前記複数の研磨量モニタ用素子を、それ
    らの第１および第２の電極部材の接合面の、エアベアリ
    ング面とは反対側の内側縁からスロートハイト零の基準
    位置までの距離が0.1 〜0.5 μm の単位で相違するよう
    に形成することを特徴とする請求項２または３に記載の
    複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  5. 【請求項５】 前記バーの各々において、複数の研磨量
    モニタ用素子を、複数の複合型薄膜磁気ヘッドユニット
    中に分散させて形成することを特徴とする請求項２〜４
    の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  6. 【請求項６】 基体の表面に、誘導型の書き込み用薄膜
    磁気変換素子と、磁気抵抗効果型の読み取り用薄膜磁気
    変換素子とを互いに磁気的および電気的に絶縁分離した
    状態で積層した複合型薄膜磁気ヘッドを製造するのに用
    いるウエファであって、後に切断されてバーとなる領域
    の各々に、 前記誘導型薄膜磁気ヘッドの第１の磁極部分を有する第
    １の磁性部材を形成し、少なくともこの第１の磁極部分
    を覆うようにライトギャップ層を形成した後、このライ
    トギャップ層を介して前記第１の磁極部分と対向する第
    ２の磁極部分を有するとともに磁極部分とは離れた位置
    において前記第１の磁性部材と磁気的に連結された第２
    の磁性部材を形成する工程と同時に、前記第１の磁極部
    分と同じ磁性材料でこれとほぼ同じ構造に形成された第
    １の電極部材と、前記第２の磁極部分と同じ磁性材料で
    これとほぼ同じ構造を有し、前記第１の電極部材と前記
    ライトギャップ層を介することなく直接接触するように
    形成された第２の電極部材と、これら第１および第２の
    電極部材にそれぞれ接続された第１および第２のリード
    部材とを有し、前記第１および第２の電極部材の接合面
    の、エアベアリング面とは反対側の内側縁がスロートハ
    イト零の基準位置に対して所定の位置関係を持つように
    形成された少なくとも１つの研磨量モニタ用素子が、複
    数の複合型薄膜磁気ヘッドユニットとともに形成されて
    いることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド製造用ウエ
    ファ。
  7. 【請求項７】 前記バーとなる領域の各々に、第１およ
    び第２の電極部材の接合面の、エアベアリング面とは反
    対側の内側縁からスロートハイト零の基準位置までの距
    離を等しくした複数の研磨量モニタ用素子を形成したこ
    とを特徴とする請求項６に記載の複合型薄膜磁気ヘッド
    製造用ウエファ。
  8. 【請求項８】 前記バーとなる領域の各々に、第１およ
    び第２の電極部材の接合面の、エアベアリング面とは反
    対側の内側縁からスロートハイト零の基準位置までの距
    離を相違させた複数の研磨量モニタ用素子を形成したこ
    とを特徴とする請求項６に記載の複合型薄膜磁気ヘッド
    製造用ウエファ。
  9. 【請求項９】 前記複数の研磨量モニタ用素子の第１お
    よび第２の電極部材の接合面の、エアベアリング面とは
    反対側の内側縁からスロートハイト零の基準位置までの
    距離を0.1 〜0.5 μm の単位で相違させたことを特徴と
    する請求項８に記載の複合型薄膜磁気ヘッド製造用ウエ
    ファ。
  10. 【請求項１０】 前記複数の研磨量モニタ用素子が、複
    数の複合型薄膜磁気ヘッドユニット中に分散させて形成
    されていることを特徴とする請求項７〜９の何れかに記
    載の複合型薄膜磁気ヘッド製造用ウエファ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7854060B2 (en) 2007-12-06 2010-12-21 Tdk Corporation Magnetic head substructure for use for manufacturing a magnetic head
US8213117B2 (en) 2010-06-04 2012-07-03 Tdk Corporation Magnetic head with protective layer and a protective film removal method for the magnetic head

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6591480B1 (en) * 2000-05-12 2003-07-15 Headway Technologies, Inc. Process for fabricating a flux concentrating stitched head
US6694201B1 (en) * 2000-08-17 2004-02-17 Industrial Technology Research Institute Supervisory parallel switching device for computer integrated manufacturing system with secs-compliant serial communication links
JP3847068B2 (ja) * 2000-09-11 2006-11-15 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US7588884B2 (en) * 2004-05-28 2009-09-15 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for enhancing wafer alignment marks
US7433151B2 (en) * 2004-12-28 2008-10-07 Headway Technologies, Inc. Method of manufacturing magnetic head using magnetic head sub-structure with indicators for indicating the location of the ABS
JP2006209905A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Toshiba Corp 垂直磁気ヘッドが形成されたローバーのラッピング方法およびラッピング装置
US7369361B2 (en) * 2005-02-07 2008-05-06 Headway Technologies, Inc. Magnetic head and magnetic head substructure including resistor element whose resistance corresponds to the length of the track width defining portion of the pole layer
US9287344B2 (en) * 2010-08-23 2016-03-15 The Hong Kong University Of Science And Technology Monolithic magnetic induction device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5229607B2 (ja) * 1972-01-01 1977-08-03
US4689877A (en) 1985-08-29 1987-09-01 International Business Machines Corp. Method and apparatus for controlling the throat height of batch fabricated thin film magnetic transducers
US5065483A (en) 1991-02-19 1991-11-19 International Business Machines Corporation Method of lapping magnetic recording heads

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7854060B2 (en) 2007-12-06 2010-12-21 Tdk Corporation Magnetic head substructure for use for manufacturing a magnetic head
US8213117B2 (en) 2010-06-04 2012-07-03 Tdk Corporation Magnetic head with protective layer and a protective film removal method for the magnetic head

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