JP3285094B2 - 薄膜磁気ヘッドの研磨方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの研磨方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基体の上に、誘導型の
薄膜磁気変換素子及び磁気抵抗効果素子を積層して設け
た薄膜磁気ヘッドのポ−ル部及び前記磁気抵抗効果素子
の一端面を同時に研磨する研磨方法に関する。
薄膜磁気変換素子及び磁気抵抗効果素子を積層して設け
た薄膜磁気ヘッドのポ−ル部及び前記磁気抵抗効果素子
の一端面を同時に研磨する研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドにおいて、電磁変換特性
を定める重要な一つの要素にポ−ル部の高さがある。面
内記録再生用の薄膜磁気ヘッドでは、このポ−ル部の高
さをスロ−トハイトまたはギャップ深さと称している。
スロ−トハイトと電磁変換特性との関係については、例
えば、特開昭５５−８４０１９号公報に記載されてい
る。
を定める重要な一つの要素にポ−ル部の高さがある。面
内記録再生用の薄膜磁気ヘッドでは、このポ−ル部の高
さをスロ−トハイトまたはギャップ深さと称している。
スロ−トハイトと電磁変換特性との関係については、例
えば、特開昭５５−８４０１９号公報に記載されてい
る。
【０００３】誘導型薄膜磁気変換素子を有する薄膜磁気
ヘッドを、所定のスロ−トハイトに調整する研磨方法の
従来技術として、特開昭６３−１９１５７０号公報が知
られている。この先行技術においては、同公報の第５図
に示すように、複数の薄膜磁気ヘッドを集合させた基体
の一端に電気的研磨案内抵抗器を設け、研磨量と抵抗器
の抵抗値との特性から、最終的なスロ−トハイトを得る
ようになっている。
ヘッドを、所定のスロ−トハイトに調整する研磨方法の
従来技術として、特開昭６３−１９１５７０号公報が知
られている。この先行技術においては、同公報の第５図
に示すように、複数の薄膜磁気ヘッドを集合させた基体
の一端に電気的研磨案内抵抗器を設け、研磨量と抵抗器
の抵抗値との特性から、最終的なスロ−トハイトを得る
ようになっている。
【０００４】また、誘導型薄膜磁気変換素子を用いた薄
膜磁気ヘッドにおいて、高い読み出し出力を得るため、
読み出し素子を磁気抵抗効果素子によって構成し、誘導
型薄膜磁気変換素子を書き込み専用として用いるように
した技術が知られている。公知技術文献としては、例え
ば特公昭５９−３５０８８号公報がある。
膜磁気ヘッドにおいて、高い読み出し出力を得るため、
読み出し素子を磁気抵抗効果素子によって構成し、誘導
型薄膜磁気変換素子を書き込み専用として用いるように
した技術が知られている。公知技術文献としては、例え
ば特公昭５９−３５０８８号公報がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６３−１９１５７０号公報の先行技術では次のような問
題点を有している。 （Ａ） 電気的研磨案内抵抗器を薄膜磁気ヘッドとは別
体として基体に設ける構造となっているため、薄膜磁気
ヘッドの集積率が低下する。 （Ｂ） 電気的研磨案内抵抗器は基体の一端に設ける構
成になっているので、他端側の研磨量が把握できず、研
磨が一様に行なわれない場合は、他端側の薄膜磁気ヘッ
ドを所定のスロ−トハイトに研磨できない。
６３−１９１５７０号公報の先行技術では次のような問
題点を有している。 （Ａ） 電気的研磨案内抵抗器を薄膜磁気ヘッドとは別
体として基体に設ける構造となっているため、薄膜磁気
ヘッドの集積率が低下する。 （Ｂ） 電気的研磨案内抵抗器は基体の一端に設ける構
成になっているので、他端側の研磨量が把握できず、研
磨が一様に行なわれない場合は、他端側の薄膜磁気ヘッ
ドを所定のスロ−トハイトに研磨できない。
【０００６】そこで、本発明の主な課題は、磁気抵抗効
果素子を有する薄膜磁気ヘッドの研磨工程において、研
磨量測定のために薄膜磁気ヘッドの集積率を低下させる
ことがない薄膜磁気ヘッドの研磨方法を提供することで
ある。
果素子を有する薄膜磁気ヘッドの研磨工程において、研
磨量測定のために薄膜磁気ヘッドの集積率を低下させる
ことがない薄膜磁気ヘッドの研磨方法を提供することで
ある。
【０００７】本発明の別の課題は、それぞれの薄膜磁気
ヘッドの研磨量を測定して偏研磨によるバラツキを防止
し、歩留を向上させ得る薄膜磁気ヘッドの研磨方法を提
供することである。
ヘッドの研磨量を測定して偏研磨によるバラツキを防止
し、歩留を向上させ得る薄膜磁気ヘッドの研磨方法を提
供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】主な課題解決のため、本
発明は、基体上に誘導型の薄膜磁気変換素子及び磁気抵
抗効果素子を積層して設けた薄膜磁気ヘッドの端面を研
磨し、前記端面を基準とする前記薄膜磁気変換素子のポ
−ル高さを定める研磨方法であって、前記薄膜磁気変換
素子は、コイル膜と共に磁気回路を構成する磁性膜を有
し、前記磁性膜がポ−ル部と前記ポ−ル部の後方側で広
がるヨ−ク部とを有しており、前記ポール部の先端及び
前記磁気抵抗効果素子の先端が前記端面上に位置してお
り、前記端面の研磨に伴う前記ポ−ル高さを、前記磁気
抵抗効果素子の電気抵抗値を測定しその測定値に基づき
検出することを特徴とする。
発明は、基体上に誘導型の薄膜磁気変換素子及び磁気抵
抗効果素子を積層して設けた薄膜磁気ヘッドの端面を研
磨し、前記端面を基準とする前記薄膜磁気変換素子のポ
−ル高さを定める研磨方法であって、前記薄膜磁気変換
素子は、コイル膜と共に磁気回路を構成する磁性膜を有
し、前記磁性膜がポ−ル部と前記ポ−ル部の後方側で広
がるヨ−ク部とを有しており、前記ポール部の先端及び
前記磁気抵抗効果素子の先端が前記端面上に位置してお
り、前記端面の研磨に伴う前記ポ−ル高さを、前記磁気
抵抗効果素子の電気抵抗値を測定しその測定値に基づき
検出することを特徴とする。
【０００９】更に別の課題解決のため、基体の上に複数
の薄膜磁気ヘッドを一方向に間隔を隔てて整列してある
薄膜磁気ヘッド集合体の状態で研磨し、前記薄膜磁気ヘ
ッドのそれぞれは、磁気抵抗効果素子の電気抵抗値が測
定されるようになっていることを特徴とする。
の薄膜磁気ヘッドを一方向に間隔を隔てて整列してある
薄膜磁気ヘッド集合体の状態で研磨し、前記薄膜磁気ヘ
ッドのそれぞれは、磁気抵抗効果素子の電気抵抗値が測
定されるようになっていることを特徴とする。
【００１０】
【作用】端面の研磨に伴うポ−ル高さを、磁気抵抗効果
素子の電気抵抗値を測定しその測定値に基づき検出する
から、従来と異なって、磁気抵抗効果素子をそのまま使
用でき、電気的な研磨量測定のための電気的研磨案内抵
抗器が不要となる。このため、薄膜磁気ヘッドの集積率
を低下させることがない。
素子の電気抵抗値を測定しその測定値に基づき検出する
から、従来と異なって、磁気抵抗効果素子をそのまま使
用でき、電気的な研磨量測定のための電気的研磨案内抵
抗器が不要となる。このため、薄膜磁気ヘッドの集積率
を低下させることがない。
【００１１】また、磁気抵抗効果素子の電気抵抗値が所
定値になったときに、ポ−ル部が所定の高さに研磨され
たことを判断できるため、高精度で容易に研磨すること
ができる。
定値になったときに、ポ−ル部が所定の高さに研磨され
たことを判断できるため、高精度で容易に研磨すること
ができる。
【００１２】基体の上に複数の薄膜磁気ヘッドを一方向
に間隔を隔てて整列してある薄膜磁気ヘッド集合体の状
態で研磨し、薄膜磁気ヘッドのそれぞれは、磁気抵抗効
果素子の電気抵抗値が測定されるようになっているか
ら、薄膜磁気ヘッドピ−スの研磨状態を個別に常時把握
でき、残りの研磨量を調整できる。このため、偏研磨に
よるバラツキが防止され、歩留が向上する。特開昭６２
−６５２２１号公報は、薄膜磁気ヘッドの巻線のインピ
ーダンス変化を検出して、ギャップ深さを所定寸法に仕
上げる技術を開示している。しかし、磁気抵抗効果素子
についての言及がない。従って、磁気抵抗効果素子の電
気抵抗値を測定して、その値から薄膜磁気ヘッドピ−ス
の研磨状態を把握する本願発明とは異なる。 次に、特開
昭６０ー２５８７１６号公報は、ギャップ材を所要ギャ
ップ長よりも長く形成すると共に、このギャップ材をテ
ーパエッチングし、テーパの途中の所要ギャップ長の地
点までギャップ深さ加工を行う点が開示されているが、
磁気抵抗効果素子についての言及がない。従って、磁気
抵抗効果素子の電気抵抗値を測定して、その値から薄膜
磁気ヘッドピ−スの研磨状態を把握する本願発明とは異
なる。
に間隔を隔てて整列してある薄膜磁気ヘッド集合体の状
態で研磨し、薄膜磁気ヘッドのそれぞれは、磁気抵抗効
果素子の電気抵抗値が測定されるようになっているか
ら、薄膜磁気ヘッドピ−スの研磨状態を個別に常時把握
でき、残りの研磨量を調整できる。このため、偏研磨に
よるバラツキが防止され、歩留が向上する。特開昭６２
−６５２２１号公報は、薄膜磁気ヘッドの巻線のインピ
ーダンス変化を検出して、ギャップ深さを所定寸法に仕
上げる技術を開示している。しかし、磁気抵抗効果素子
についての言及がない。従って、磁気抵抗効果素子の電
気抵抗値を測定して、その値から薄膜磁気ヘッドピ−ス
の研磨状態を把握する本願発明とは異なる。 次に、特開
昭６０ー２５８７１６号公報は、ギャップ材を所要ギャ
ップ長よりも長く形成すると共に、このギャップ材をテ
ーパエッチングし、テーパの途中の所要ギャップ長の地
点までギャップ深さ加工を行う点が開示されているが、
磁気抵抗効果素子についての言及がない。従って、磁気
抵抗効果素子の電気抵抗値を測定して、その値から薄膜
磁気ヘッドピ−スの研磨状態を把握する本願発明とは異
なる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの研磨方
法を示す図、図２は図１に示す薄膜ヘッドのＡ−Ａ線上
の断面図である。図１及び図２は構造の概略を示すため
に用いられているもので、各部寸法は誇張されており、
必ずしも一致していない。本実施例は面内記録再生用の
薄膜磁気ヘッドを示している。図において、１は薄膜磁
気ヘッド、２は薄膜磁気変換素子、３は磁気抵抗効果素
子、４は抵抗測定器、５は治具である。薄膜磁気ヘッド
の研磨は、通常、生産性を考慮し、複数個が集合された
薄膜磁気ヘッド集合体の状態で研磨される。図１は説明
の都合上、その一つを抜き出して示してある。薄膜磁気
ヘッドは、通常、１個または２個のトランスデューサを
有しているが、説明の都合上、１個のトランスデュ−サ
を示してある。薄膜磁気ヘッド１は治具５に接着等の手
段により取付けられ、取付け面１Ａとは反対側の一端面
１Ｂが研磨される。
法を示す図、図２は図１に示す薄膜ヘッドのＡ−Ａ線上
の断面図である。図１及び図２は構造の概略を示すため
に用いられているもので、各部寸法は誇張されており、
必ずしも一致していない。本実施例は面内記録再生用の
薄膜磁気ヘッドを示している。図において、１は薄膜磁
気ヘッド、２は薄膜磁気変換素子、３は磁気抵抗効果素
子、４は抵抗測定器、５は治具である。薄膜磁気ヘッド
の研磨は、通常、生産性を考慮し、複数個が集合された
薄膜磁気ヘッド集合体の状態で研磨される。図１は説明
の都合上、その一つを抜き出して示してある。薄膜磁気
ヘッドは、通常、１個または２個のトランスデューサを
有しているが、説明の都合上、１個のトランスデュ−サ
を示してある。薄膜磁気ヘッド１は治具５に接着等の手
段により取付けられ、取付け面１Ａとは反対側の一端面
１Ｂが研磨される。
【００１４】薄膜磁気ヘッド１は、スライダ部材となる
基体１０上に書き込み素子となる誘導型の薄膜磁気変換
素子２及び読み出し素子となる磁気抵抗効果素子３を積
層して設けてある。基体１０は、Al2O3-Tic 等で構成さ
れる基体部分１０１及びその上に形成されたアルミナ等
の絶縁膜１０２を有している。
基体１０上に書き込み素子となる誘導型の薄膜磁気変換
素子２及び読み出し素子となる磁気抵抗効果素子３を積
層して設けてある。基体１０は、Al2O3-Tic 等で構成さ
れる基体部分１０１及びその上に形成されたアルミナ等
の絶縁膜１０２を有している。
【００１５】薄膜磁気変換素子２は、コイル膜２５と共
に磁気回路を構成する下部磁性膜２２及び上部磁性膜２
６を有している。下部磁性膜２２及び上部磁性膜２６
は、アルミナ等でなるギャップ膜２３を介して互いに対
向すると共に、端面１Ｂの方向に延び電磁変換部分とな
るポール部２２１、２６１と、ポール部２２１、２６１
の後方に連なり後方側で広がるヨーク部２２２、２６２
とを有している。ヨーク部２２２、２６２の後方領域
は、磁気回路を完成するように互いに結合した構造とな
っている。
に磁気回路を構成する下部磁性膜２２及び上部磁性膜２
６を有している。下部磁性膜２２及び上部磁性膜２６
は、アルミナ等でなるギャップ膜２３を介して互いに対
向すると共に、端面１Ｂの方向に延び電磁変換部分とな
るポール部２２１、２６１と、ポール部２２１、２６１
の後方に連なり後方側で広がるヨーク部２２２、２６２
とを有している。ヨーク部２２２、２６２の後方領域
は、磁気回路を完成するように互いに結合した構造とな
っている。
【００１６】面内記録再生用薄膜磁気ヘッドでは、上部
磁性膜２６はポール部２６１が下部磁性膜２２のポール
部２２１に対する対向間隔を変えずにギャップ膜２３を
介して互いに対向する領域と、対向間隔が変化する領域
とを有し、ポ−ル部２２１、２６１の一端面２２０、２
６０からポ−ル部２２１、２６１の対向間隔が変化する
変曲点２６３までの距離がポ−ル高さＰとなっている。
ポ−ル高さＰは所定の高さＰd に調整される。コイル膜
２５は、結合部２２６の周りを渦巻状に回るように配置
されて、層間絶縁膜２４により絶縁されている。上部磁
性膜２６はアルミナ等の保護膜２７により覆われてい
る。
磁性膜２６はポール部２６１が下部磁性膜２２のポール
部２２１に対する対向間隔を変えずにギャップ膜２３を
介して互いに対向する領域と、対向間隔が変化する領域
とを有し、ポ−ル部２２１、２６１の一端面２２０、２
６０からポ−ル部２２１、２６１の対向間隔が変化する
変曲点２６３までの距離がポ−ル高さＰとなっている。
ポ−ル高さＰは所定の高さＰd に調整される。コイル膜
２５は、結合部２２６の周りを渦巻状に回るように配置
されて、層間絶縁膜２４により絶縁されている。上部磁
性膜２６はアルミナ等の保護膜２７により覆われてい
る。
【００１７】磁気抵抗効果素子３はＮｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−
Ｃｏ等の強磁性薄膜材料を用いて形成され、両側に電極
３１、３２が設けられている。磁気抵抗効果素子３の電
気抵抗値Ｒx は研磨量Ｘに対して変化し、図３に示すよ
うな特性となっている。電気抵抗値Ｒx は研磨量Ｘに対
して一意に決定できれば、曲線となっていてもよい。ま
た、磁気抵抗効果素子３には、通常、入力磁界に対して
直線性のよい検出信号を得るため、図示しないバイアス
磁界が加えられる。バイアス磁界を発生する手段とし
て、磁気抵抗効果素子３に直接バイアス導体膜を成膜
し、バイアス導体膜に流す電流による発生磁界を利用し
てバイアスを加えるシャントバイアス方式、磁気抵抗効
果素子３に近接して薄膜永久磁石を配置し、薄膜永久磁
石の発生磁界を利用するマグネットバイアス方式等が採
用される。
Ｃｏ等の強磁性薄膜材料を用いて形成され、両側に電極
３１、３２が設けられている。磁気抵抗効果素子３の電
気抵抗値Ｒx は研磨量Ｘに対して変化し、図３に示すよ
うな特性となっている。電気抵抗値Ｒx は研磨量Ｘに対
して一意に決定できれば、曲線となっていてもよい。ま
た、磁気抵抗効果素子３には、通常、入力磁界に対して
直線性のよい検出信号を得るため、図示しないバイアス
磁界が加えられる。バイアス磁界を発生する手段とし
て、磁気抵抗効果素子３に直接バイアス導体膜を成膜
し、バイアス導体膜に流す電流による発生磁界を利用し
てバイアスを加えるシャントバイアス方式、磁気抵抗効
果素子３に近接して薄膜永久磁石を配置し、薄膜永久磁
石の発生磁界を利用するマグネットバイアス方式等が採
用される。
【００１８】ポ−ル部２２１、２６１及び磁気抵抗効果
素子３のそれぞれの一端２２０、２６０、３０は、同時
に研磨され、一端面１Ｂに常時現れるように研磨され
る。抵抗測定器４は、一端面１Ｂから研磨を開始したと
きの磁気抵抗効果素子３の電気抵抗値Ｒx を測定し、そ
の測定値Ｒx に基づきポ−ル高さＰを検出する。測定値
Ｒx が目標抵抗値Ｒd になったときに、所定のポ−ル高
さＰd まで研磨されたと判断する。
素子３のそれぞれの一端２２０、２６０、３０は、同時
に研磨され、一端面１Ｂに常時現れるように研磨され
る。抵抗測定器４は、一端面１Ｂから研磨を開始したと
きの磁気抵抗効果素子３の電気抵抗値Ｒx を測定し、そ
の測定値Ｒx に基づきポ−ル高さＰを検出する。測定値
Ｒx が目標抵抗値Ｒd になったときに、所定のポ−ル高
さＰd まで研磨されたと判断する。
【００１９】上述したように、薄膜磁気ヘッドは薄膜磁
気変換素子２及び磁気抵抗効果素子３を積層して設けた
構成となっており、ポ−ル高さＰを磁気抵抗効果素子３
の電気抵抗値を測定しその測定値に基づき検出するよう
になっているから、研磨量測定のために薄膜磁気ヘッド
の集積率を低下させることがない。
気変換素子２及び磁気抵抗効果素子３を積層して設けた
構成となっており、ポ−ル高さＰを磁気抵抗効果素子３
の電気抵抗値を測定しその測定値に基づき検出するよう
になっているから、研磨量測定のために薄膜磁気ヘッド
の集積率を低下させることがない。
【００２０】更に実施例では、磁気抵抗効果素子３は基
体１０を構成する絶縁膜１０２内に設けられている。基
体部分１０１はフェライトで形成されている。薄膜磁気
変換素子２は磁気抵抗効果素子３の上に設けられてお
り、下部磁性膜２２は基体部分１０１と共に磁気抵抗効
果素子３の磁気シ−ルドの役目を担っている。このた
め、磁気変換素子２の磁気回路及び磁気抵抗効果素子３
の磁気シ−ルドを共用させた薄膜磁気ヘッドにおいて
も、電気的な研磨量測定のために薄膜磁気ヘッドの集積
率を低下させることがない。
体１０を構成する絶縁膜１０２内に設けられている。基
体部分１０１はフェライトで形成されている。薄膜磁気
変換素子２は磁気抵抗効果素子３の上に設けられてお
り、下部磁性膜２２は基体部分１０１と共に磁気抵抗効
果素子３の磁気シ−ルドの役目を担っている。このた
め、磁気変換素子２の磁気回路及び磁気抵抗効果素子３
の磁気シ−ルドを共用させた薄膜磁気ヘッドにおいて
も、電気的な研磨量測定のために薄膜磁気ヘッドの集積
率を低下させることがない。
【００２１】図４は別の実施例における断面図である。
図において、図１及び図２と同一参照符号は同一性ある
構成部分を示している。
図において、図１及び図２と同一参照符号は同一性ある
構成部分を示している。
【００２２】本実施例では、基体１０が凹部１０３を有
しており、薄膜磁気変換素子２は大半が凹部１０３内に
配置されている。誘導型磁気変換素子２は、図２に示す
実施例と同様、スパッタリング等による薄膜形成工程、
フォトリソグラフィによる高精度パターン形成工程、熱
処理工程等を経て基体１０の表面に形成されている。磁
気抵抗効果素子３は薄膜磁気変換素子２の上に絶縁膜２
７１を介して設けられている。上部シ−ルド２８は絶縁
膜２７２を介して磁気抵抗効果素子３の上に設けられて
いる。上部シ−ルド２８は上部磁性膜２６と共に磁気抵
抗効果素子３の磁気シ−ルドを行なっている。上部シ−
ルド２８は絶縁膜２７３により保護されている。
しており、薄膜磁気変換素子２は大半が凹部１０３内に
配置されている。誘導型磁気変換素子２は、図２に示す
実施例と同様、スパッタリング等による薄膜形成工程、
フォトリソグラフィによる高精度パターン形成工程、熱
処理工程等を経て基体１０の表面に形成されている。磁
気抵抗効果素子３は薄膜磁気変換素子２の上に絶縁膜２
７１を介して設けられている。上部シ−ルド２８は絶縁
膜２７２を介して磁気抵抗効果素子３の上に設けられて
いる。上部シ−ルド２８は上部磁性膜２６と共に磁気抵
抗効果素子３の磁気シ−ルドを行なっている。上部シ−
ルド２８は絶縁膜２７３により保護されている。
【００２３】このため、磁気抵抗効果素子３の積層化を
容易にすると共に、磁気抵抗効果素子３の磁気バイアス
効果を減磁させたり、磁気的に焼鈍させたり、磁気異方
性を破壊したりするおそれのない薄膜磁気ヘッドにおい
て、電気的な研磨量測定のために薄膜磁気ヘッドの集積
率を低下させることのない薄膜磁気ヘッドの研磨方法が
得られる。
容易にすると共に、磁気抵抗効果素子３の磁気バイアス
効果を減磁させたり、磁気的に焼鈍させたり、磁気異方
性を破壊したりするおそれのない薄膜磁気ヘッドにおい
て、電気的な研磨量測定のために薄膜磁気ヘッドの集積
率を低下させることのない薄膜磁気ヘッドの研磨方法が
得られる。
【００２４】図５は更に別の実施例に係る断面図であ
る。図において、図１及び図２と同一参照符号は同一性
ある構成部分を示している。
る。図において、図１及び図２と同一参照符号は同一性
ある構成部分を示している。
【００２５】本実施例では、磁気抵抗効果素子３がギャ
ップ膜２３内に設けられている。かかる構造であると、
下部磁性膜２２及び上部磁性膜２６を磁気抵抗効果素子
３の磁気シ−ルドとして共用し、最も薄型化できる薄膜
磁気ヘッドにおいて、電気的な研磨量測定のために薄膜
磁気ヘッドの集積率を低下させることがない。
ップ膜２３内に設けられている。かかる構造であると、
下部磁性膜２２及び上部磁性膜２６を磁気抵抗効果素子
３の磁気シ−ルドとして共用し、最も薄型化できる薄膜
磁気ヘッドにおいて、電気的な研磨量測定のために薄膜
磁気ヘッドの集積率を低下させることがない。
【００２６】図１及び図２に戻って説明する。磁気抵抗
効果素子３はＮｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｆｅ等の強磁性材料で
形成された薄膜となっており、薄膜は、トラック幅方向
ａの両側に間隔を隔てて設けられた一対のリ−ド電極３
１、３２を有する。このため、磁気抵抗効果素子３は、
図３に示すような、電気抵抗値の特性を示す。
効果素子３はＮｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｆｅ等の強磁性材料で
形成された薄膜となっており、薄膜は、トラック幅方向
ａの両側に間隔を隔てて設けられた一対のリ−ド電極３
１、３２を有する。このため、磁気抵抗効果素子３は、
図３に示すような、電気抵抗値の特性を示す。
【００２７】図６は薄膜磁気ヘッド集合体の状態を研磨
する薄膜磁気ヘッドの研磨方法を説明する図である。図
において、図１と同一参照符号は同一性ある構成部分を
示している。薄膜磁気ヘッド集合体１００は、基体１０
の上に複数の薄膜磁気ヘッドＱ1 〜Ｑn を一方向に間隔
を隔てて整列してある。薄膜磁気ヘッドＱ1 〜Ｑn のそ
れぞれは、磁気抵抗効果素子３の電気抵抗値が測定でき
るようになっている。
する薄膜磁気ヘッドの研磨方法を説明する図である。図
において、図１と同一参照符号は同一性ある構成部分を
示している。薄膜磁気ヘッド集合体１００は、基体１０
の上に複数の薄膜磁気ヘッドＱ1 〜Ｑn を一方向に間隔
を隔てて整列してある。薄膜磁気ヘッドＱ1 〜Ｑn のそ
れぞれは、磁気抵抗効果素子３の電気抵抗値が測定でき
るようになっている。
【００２８】薄膜磁気ヘッドＱ1 〜Ｑn を支持する基体
１０は、μｍ単位ではあるが、歪みによる撓みを生じ
る。この撓みのため、均一に研磨しても各薄膜磁気ヘッ
ドのポ−ル高さにはバラツキが発生する。薄膜磁気ヘッ
ドＱ1 〜Ｑn のそれぞれは、磁気抵抗効果素子３の電気
抵抗値が測定できるようになっているから、バラツキが
最小となるように研磨できる。このため、偏研磨による
バラツキが防止され、歩留が向上する。
１０は、μｍ単位ではあるが、歪みによる撓みを生じ
る。この撓みのため、均一に研磨しても各薄膜磁気ヘッ
ドのポ−ル高さにはバラツキが発生する。薄膜磁気ヘッ
ドＱ1 〜Ｑn のそれぞれは、磁気抵抗効果素子３の電気
抵抗値が測定できるようになっているから、バラツキが
最小となるように研磨できる。このため、偏研磨による
バラツキが防止され、歩留が向上する。
【００２９】以上の実施例では、面内記録再生用の薄膜
磁気ヘッドについて述べたが、本発明は垂直記録再生用
の薄膜磁気ヘッドについても同様に適用できる。垂直記
録再生用の薄膜磁気ヘッドは、特開昭６３−６６７０８
号公報に開示されているように、磁性膜は一つでポール
部が膜厚段差構造を有しており、ポール高さは端面から
膜厚が変化する点までとなる。
磁気ヘッドについて述べたが、本発明は垂直記録再生用
の薄膜磁気ヘッドについても同様に適用できる。垂直記
録再生用の薄膜磁気ヘッドは、特開昭６３−６６７０８
号公報に開示されているように、磁性膜は一つでポール
部が膜厚段差構造を有しており、ポール高さは端面から
膜厚が変化する点までとなる。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係る薄膜磁
気ヘッドの研磨方法によれば、次のような効果が得られ
る。 （ａ）薄膜磁気ヘッドは、基体上に薄膜磁気変換素子及
び磁気抵抗効果素子を積層して設けた構成となってお
り、ポ−ル部及び磁気抵抗効果素子の一端面が同時に研
磨され、研磨に伴うポ−ル高さを磁気抵抗効果素子の電
気抵抗値を測定しその測定値に基づき検出するようにな
っているから、研磨量測定のために薄膜磁気ヘッドの集
積率を低下させることのない薄膜磁気ヘッドの研磨方法
を提供できる。 （ｂ）基体の上に複数の薄膜磁気ヘッドを一方向に間隔
を隔てて整列してある薄膜磁気ヘッド集合体の状態で研
磨し、薄膜磁気ヘッドのそれぞれは、磁気抵抗効果素子
の電気抵抗値が測定されるようになっているから、偏研
磨によるポ−ル高さのバラツキを防止し、歩留を向上さ
せ得る薄膜磁気ヘッドの研磨方法を提供できる。
気ヘッドの研磨方法によれば、次のような効果が得られ
る。 （ａ）薄膜磁気ヘッドは、基体上に薄膜磁気変換素子及
び磁気抵抗効果素子を積層して設けた構成となってお
り、ポ−ル部及び磁気抵抗効果素子の一端面が同時に研
磨され、研磨に伴うポ−ル高さを磁気抵抗効果素子の電
気抵抗値を測定しその測定値に基づき検出するようにな
っているから、研磨量測定のために薄膜磁気ヘッドの集
積率を低下させることのない薄膜磁気ヘッドの研磨方法
を提供できる。 （ｂ）基体の上に複数の薄膜磁気ヘッドを一方向に間隔
を隔てて整列してある薄膜磁気ヘッド集合体の状態で研
磨し、薄膜磁気ヘッドのそれぞれは、磁気抵抗効果素子
の電気抵抗値が測定されるようになっているから、偏研
磨によるポ−ル高さのバラツキを防止し、歩留を向上さ
せ得る薄膜磁気ヘッドの研磨方法を提供できる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの研磨方法を示す
図である。
図である。
【図２】図１に示す薄膜ヘッドのＡ−Ａ線上の断面図で
ある。
ある。
【図３】磁気抵抗効果素子の電気抵抗値と研磨量の関係
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図４】図１に示す薄膜ヘッドの別の実施例に係るＡ−
Ａ線上の断面図である。
Ａ線上の断面図である。
【図５】図１に示す薄膜磁気ヘッドの更に別の実施例に
係るＡ−Ａ線上断面図である。
係るＡ−Ａ線上断面図である。
【図６】薄膜磁気ヘッド集合体で研磨する薄膜磁気ヘッ
ドの研磨方法を説明する図である。
ドの研磨方法を説明する図である。
１ 薄膜磁気ヘッド １０ 基体 ２ 薄膜磁気変換素子 ２２、２６ 磁性膜 ２２１、２６１ ポ−ル部 ２２２、２６２ ヨ−ク部 Ｐ ポ−ル高さ ２５ コイル膜 ３ 磁気抵抗効果素子 ４ 抵抗測定器
Claims (9)
- 【請求項１】 基体上に誘導型の薄膜磁気変換素子及び
磁気抵抗効果素子を積層して設けた薄膜磁気ヘッドの端
面を研磨し、前記端面を基準とする前記薄膜磁気変換素
子のポ−ル高さを定める研磨方法であって、 前記薄膜磁気変換素子は、コイル膜と共に磁気回路を構
成する磁性膜を有し、前記磁性膜がポ−ル部と前記ポ−
ル部の後方側で広がるヨ−ク部とを有しており、 前記ポール部の先端及び前記磁気抵抗効果素子の先端が
前記端面上に位置しており、 前記端面の研磨に伴う前記ポ−ル高さを、前記磁気抵抗
効果素子の電気抵抗値を測定しその測定値に基づき検出
することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの研磨方法。 - 【請求項２】 前記磁性膜は、下部磁性膜及び上部磁性
膜を有し、前記上部磁性膜は前記ポール部が前記下部磁
性膜の前記ポール部に対する対向間隔を変えずにギャッ
プ膜を介して互いに対向する領域と、前記対向間隔が変
化する領域とを有しており、 前記ポ−ル高さは、前記端面から前記対向間隔が変化す
る変曲点までの距離とすることを特徴とする請求項１に
記載の薄膜磁気ヘッドの研磨方法。 - 【請求項３】 前記薄膜磁気変換素子は、前記磁気抵抗
効果素子の上に設けられていることを特徴とする請求項
１または２に記載の薄膜磁気ヘッドの研磨方法。 - 【請求項４】 前記薄膜磁気変換素子は、前記磁気抵抗
効果素子の下に設けられていることを特徴とする請求項
１または２に記載の薄膜磁気ヘッドの研磨方法。 - 【請求項５】 前記基体は、凹部を有しており、 前記薄膜磁気変換素子は、前記凹部内に配置されている
ことを特徴とする請求項４に記載の薄膜磁気ヘッドの研
磨方法。 - 【請求項６】 前記磁気抵抗効果素子は、前記ギャップ
膜内に設けられていることを特徴とする請求項２に記載
の薄膜磁気ヘッドの研磨方法。 - 【請求項７】 前記磁気抵抗効果素子は、強磁性材料で
形成された薄膜となっており、 前記薄膜は、トラック幅方向の両側に間隔を隔てて設け
られた一対のリ−ド電極を有することを特徴とする請求
項１乃至６の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの研磨方
法。 - 【請求項８】 基体の上に複数の薄膜磁気ヘッドを一方
向に間隔を隔てて整列してある薄膜磁気ヘッド集合体の
状態で研磨し、 前記薄膜磁気ヘッドのそれぞれは、磁気抵抗効果素子の
電気抵抗値が測定されるようになっていることを特徴と
する請求項１乃至７の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの
研磨方法。 - 【請求項９】 前記磁性膜は一つで前記ポール部が膜厚
段差構造を有しており、 前記ポール高さは、前記端面から膜厚が変化する点まで
とすることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッ
ドの研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22652591A JP3285094B2 (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 薄膜磁気ヘッドの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22652591A JP3285094B2 (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 薄膜磁気ヘッドの研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0546945A JPH0546945A (ja) | 1993-02-26 |
| JP3285094B2 true JP3285094B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=16846497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22652591A Expired - Fee Related JP3285094B2 (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 薄膜磁気ヘッドの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3285094B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3022023B2 (ja) * | 1992-04-13 | 2000-03-15 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録再生装置 |
| JP2914343B2 (ja) * | 1997-04-07 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果型複合ヘッド及びその製造方法並びに磁気記憶装置 |
-
1991
- 1991-08-12 JP JP22652591A patent/JP3285094B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0546945A (ja) | 1993-02-26 |
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