JPH0473201B2 - - Google Patents
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- JPH0473201B2 JPH0473201B2 JP58155484A JP15548483A JPH0473201B2 JP H0473201 B2 JPH0473201 B2 JP H0473201B2 JP 58155484 A JP58155484 A JP 58155484A JP 15548483 A JP15548483 A JP 15548483A JP H0473201 B2 JPH0473201 B2 JP H0473201B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/465—Arrangements for demagnetisation of heads
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気抵抗効果（以下MRという）素子
が用いられて成る磁気抵抗効果型磁気ヘツド
（MR型磁気ヘツド）に係わる。
が用いられて成る磁気抵抗効果型磁気ヘツド
（MR型磁気ヘツド）に係わる。
背景技術とその問題点
第１図及び第２図は、夫々MR型磁気ヘツドの
要部の拡大平面パターン図と拡大断面図を示す。
図示のMR型磁気ヘツドはそのMR素子が磁気媒
体との対接面より後退した位置に配置されたいわ
ゆるリア型のMR型磁気ヘツドである。このリア
型磁気ヘツドは、例えばNi−Zn系フエライト、
或いはMn−Zn系フエライトより成る磁性基体１
上に、この基体１が上述したNn−Zn系フエライ
トのように導電性を有する場合においては、これ
の上にSiO2，Si3N4等より成る絶縁層２を介し
て、被着された例えば、帯状導電層より成り、後
述するMR素子に対してバイアス磁界を供給する
ための通電によつて磁界を発生するバイアス磁界
発生用の電流手段３が設けられる。また、この電
流手段３上には、同様の絶縁層４を介して、例え
ばNi−Fe系合金，Ni−Co系合金薄膜等より成る
MR素子５が被着される。更にこのMR素子５上
には同様の絶縁層６が被着され、この絶縁層６を
介して、MR素子５及び電流手段３を横切る方向
に延長して磁気回路を構成する対の磁気コアとな
る磁性層７及び８が、例えばNi−Fe系合金層に
よつて形成される。この場合、一方の磁性層７の
前方端は、基体１上に、所要の厚さを有する非磁
性のギヤツプスペーサ層９を介して延在し、この
磁性層７と基体１との間にギヤツプスペーサ層９
の厚さによつてそのギヤツプ長が規制される磁気
ギヤツプｇが形成され、この磁気ギヤツプｇが、
磁気媒体との対接面１０に臨むように構成され
る。他方の磁性層８の後端は基体１に、例えば直
接的に接触するようにして両者が磁気的に密に結
合するようになされる。また、磁性層７の後方端
部と、磁性層８の前方端部とは所要の間隔Ｗを保
持して対向するようになされ、両者間に磁気回路
の不連続部１１が構成するようになされる。この
場合、この不連続部１１内に磁気的にMR素子５
が配置され、この素子５によつて磁気的に不連続
部が連結するようにする。これがため磁性層７の
後方端部と、磁性層８の前方端部とは、夫夫MR
素子５上に夫々絶縁層６を介して跨るようになさ
れ、絶縁層６の厚さが薄くされることによつて、
各端部とMR５とが磁気的に結合するようにす
る。このようにして基体１−磁気ギヤツプｇ−磁
性層７−MR素子５−磁性層８−基体１の閉磁路
が構成される。
要部の拡大平面パターン図と拡大断面図を示す。
図示のMR型磁気ヘツドはそのMR素子が磁気媒
体との対接面より後退した位置に配置されたいわ
ゆるリア型のMR型磁気ヘツドである。このリア
型磁気ヘツドは、例えばNi−Zn系フエライト、
或いはMn−Zn系フエライトより成る磁性基体１
上に、この基体１が上述したNn−Zn系フエライ
トのように導電性を有する場合においては、これ
の上にSiO2，Si3N4等より成る絶縁層２を介し
て、被着された例えば、帯状導電層より成り、後
述するMR素子に対してバイアス磁界を供給する
ための通電によつて磁界を発生するバイアス磁界
発生用の電流手段３が設けられる。また、この電
流手段３上には、同様の絶縁層４を介して、例え
ばNi−Fe系合金，Ni−Co系合金薄膜等より成る
MR素子５が被着される。更にこのMR素子５上
には同様の絶縁層６が被着され、この絶縁層６を
介して、MR素子５及び電流手段３を横切る方向
に延長して磁気回路を構成する対の磁気コアとな
る磁性層７及び８が、例えばNi−Fe系合金層に
よつて形成される。この場合、一方の磁性層７の
前方端は、基体１上に、所要の厚さを有する非磁
性のギヤツプスペーサ層９を介して延在し、この
磁性層７と基体１との間にギヤツプスペーサ層９
の厚さによつてそのギヤツプ長が規制される磁気
ギヤツプｇが形成され、この磁気ギヤツプｇが、
磁気媒体との対接面１０に臨むように構成され
る。他方の磁性層８の後端は基体１に、例えば直
接的に接触するようにして両者が磁気的に密に結
合するようになされる。また、磁性層７の後方端
部と、磁性層８の前方端部とは所要の間隔Ｗを保
持して対向するようになされ、両者間に磁気回路
の不連続部１１が構成するようになされる。この
場合、この不連続部１１内に磁気的にMR素子５
が配置され、この素子５によつて磁気的に不連続
部が連結するようにする。これがため磁性層７の
後方端部と、磁性層８の前方端部とは、夫夫MR
素子５上に夫々絶縁層６を介して跨るようになさ
れ、絶縁層６の厚さが薄くされることによつて、
各端部とMR５とが磁気的に結合するようにす
る。このようにして基体１−磁気ギヤツプｇ−磁
性層７−MR素子５−磁性層８−基体１の閉磁路
が構成される。
このようにして、基体１上に磁気ギヤツプｇ
と、MR素子５とが磁路中に設けられた磁気回路
が構成された磁気ヘツド素子ｈが形成される。
と、MR素子５とが磁路中に設けられた磁気回路
が構成された磁気ヘツド素子ｈが形成される。
そして、例えば多チヤンネル型のMR型磁気ヘ
ツドにおいては、上述した構成による磁気ヘツド
素子ｈが各ヤンネルに対応して共通の基体１に平
行配例される。
ツドにおいては、上述した構成による磁気ヘツド
素子ｈが各ヤンネルに対応して共通の基体１に平
行配例される。
尚、実際上はこの基体１上に形成された磁気ヘ
ツド素子ｈを覆つて非磁性の絶縁性保護層１２が
設けられ、これの上に接着剤層１３によつて保護
基板１４が接合されてMR型の磁気ヘツドが構成
される。
ツド素子ｈを覆つて非磁性の絶縁性保護層１２が
設けられ、これの上に接着剤層１３によつて保護
基板１４が接合されてMR型の磁気ヘツドが構成
される。
このような構成によるMR型磁気ヘツドは、そ
の対接面１０に対接する磁気媒体からの信号磁界
が磁気ギヤツプｇより、磁気回中のMR素子５中
を通ずることによつてその抵抗変化によつて媒体
上の記録が検出される。この場合MR素子５に
は、その抵抗変化を検出するために、すなわち出
力をとり出すための電流（以下検出電流という）
を通ずると共に、この場合、MR素子において高
い感度と直線性が得られるようにMR素子に所要
のバイアス磁場を与えるために、電流手段３に所
要の電流（以下バイアス電流という）を通ずる。
の対接面１０に対接する磁気媒体からの信号磁界
が磁気ギヤツプｇより、磁気回中のMR素子５中
を通ずることによつてその抵抗変化によつて媒体
上の記録が検出される。この場合MR素子５に
は、その抵抗変化を検出するために、すなわち出
力をとり出すための電流（以下検出電流という）
を通ずると共に、この場合、MR素子において高
い感度と直線性が得られるようにMR素子に所要
のバイアス磁場を与えるために、電流手段３に所
要の電流（以下バイアス電流という）を通ずる。
このような構成によるMR型磁気ヘツドにおけ
るMR素子にバイアス磁場を与える電流手段への
バイアス電流iBに対する出力特性は、第３図に示
すようにMR素子に所定の検出電流を与えた状態
では実線曲線ａで示すように或る電流値iB0まで
ほぼ直線的に増加する特性となる。したがつて、
この種のMRヘツドにおいては、その電流手段に
は電流iB0近傍のバイアス電流IBを通電することに
よつて磁気媒体上の記録の再生を行うようにして
いる。
るMR素子にバイアス磁場を与える電流手段への
バイアス電流iBに対する出力特性は、第３図に示
すようにMR素子に所定の検出電流を与えた状態
では実線曲線ａで示すように或る電流値iB0まで
ほぼ直線的に増加する特性となる。したがつて、
この種のMRヘツドにおいては、その電流手段に
は電流iB0近傍のバイアス電流IBを通電することに
よつて磁気媒体上の記録の再生を行うようにして
いる。
ところが、実際上この種のMR型極磁気ヘツド
においては、上述した基体１、磁性層７及び８、
MR素子５を含む磁気回路において磁気ヒステリ
シスを有するために、第３図中破線図示の曲線ｂ
に示すようにその出力特性においてもヒステリシ
ス特性を示す。つまり、磁気ヘツドのたどつた磁
気的履歴が次の再生動作の出力特性に影響を及ぼ
し、同一のバイアス電流IBにおいて、異なる大き
さの出力が得られることになり実質的に出力が不
安定となる。このことは特に複数の磁気ヘツド素
子ｈを有して成る多チヤンネル磁気ヘツドでは、
各チヤンネル間の特性のばらつきとなり望ましく
ない。
においては、上述した基体１、磁性層７及び８、
MR素子５を含む磁気回路において磁気ヒステリ
シスを有するために、第３図中破線図示の曲線ｂ
に示すようにその出力特性においてもヒステリシ
ス特性を示す。つまり、磁気ヘツドのたどつた磁
気的履歴が次の再生動作の出力特性に影響を及ぼ
し、同一のバイアス電流IBにおいて、異なる大き
さの出力が得られることになり実質的に出力が不
安定となる。このことは特に複数の磁気ヘツド素
子ｈを有して成る多チヤンネル磁気ヘツドでは、
各チヤンネル間の特性のばらつきとなり望ましく
ない。
一方、磁気ヘツドにおいて、その再生動作開始
時において、バイアス電流として電流値iB0の近
傍の所定の電流値IBを通ずるが、この場合不安定
な磁壁が生じこれによつてバルクハウゼンノイズ
が発生してしまう場合がある。
時において、バイアス電流として電流値iB0の近
傍の所定の電流値IBを通ずるが、この場合不安定
な磁壁が生じこれによつてバルクハウゼンノイズ
が発生してしまう場合がある。
発明の目的
本発明は上述したMR型磁気ヘツドにおけるヒ
ステリシス効果による出力の不安定性を解消する
と共にバルクハウゼンノイズの発生を効果的に回
避することができるようにしたMR型磁気ヘツド
を提供するものである。
ステリシス効果による出力の不安定性を解消する
と共にバルクハウゼンノイズの発生を効果的に回
避することができるようにしたMR型磁気ヘツド
を提供するものである。
発明の概要
本発明においては、第１図及び第２図で説明し
たような磁気媒体との対接面１０に所要の磁気ギ
ヤツプｇを有する磁気回路と、この磁気回路に設
けられた上述の磁気ギヤツプｇとは別の不連続部
１１に磁気的に結合されて配されたMR素子５
と、このMR素子５に所要のバイアス磁場を与え
るための所要のバイアス電流を通ずる電流手段３
とを有するMR型磁気ヘツドにおいて、この磁気
ヘツドの再生動作の開始時に、その再生動作に先
立つて、その再生動作時における動作条件下で、
すなわちMR素子５に再生動作時において与える
べき検出電流を与え、且つ電流手段３に、同様に
再生動作時において与えるべきバイアス電流を通
じた状態で、磁気ギヤツプｇにすなわち磁気回路
に信号磁場を与えない、無信号磁場状態におい
て、電流手段３に減衰交番電流を重畳印加する。
たような磁気媒体との対接面１０に所要の磁気ギ
ヤツプｇを有する磁気回路と、この磁気回路に設
けられた上述の磁気ギヤツプｇとは別の不連続部
１１に磁気的に結合されて配されたMR素子５
と、このMR素子５に所要のバイアス磁場を与え
るための所要のバイアス電流を通ずる電流手段３
とを有するMR型磁気ヘツドにおいて、この磁気
ヘツドの再生動作の開始時に、その再生動作に先
立つて、その再生動作時における動作条件下で、
すなわちMR素子５に再生動作時において与える
べき検出電流を与え、且つ電流手段３に、同様に
再生動作時において与えるべきバイアス電流を通
じた状態で、磁気ギヤツプｇにすなわち磁気回路
に信号磁場を与えない、無信号磁場状態におい
て、電流手段３に減衰交番電流を重畳印加する。
実施例
本発明においては、上述したように第１図及び
第２図で説明したいわゆるリア型のMR型磁気ヘ
ツドすなわち磁気回路を有するMR型磁気ヘツド
において、その電流手段３に、第４図に示すよう
に、再生動作開始時にこれに先だつて第４図中曲
線４１に示すように、再生動作時において与えら
れるべき検出電流IMRをMR素子５に通電すると
共に、電流手段３に第４図中曲線４２に示すよう
に同様に再生動作時に通電すべきバイアス電流IB
に重畳して減衰交番電流を重畳して印加し、再生
開始時点において常に一定の磁化状態が磁気回路
に与えられるようにする。
第２図で説明したいわゆるリア型のMR型磁気ヘ
ツドすなわち磁気回路を有するMR型磁気ヘツド
において、その電流手段３に、第４図に示すよう
に、再生動作開始時にこれに先だつて第４図中曲
線４１に示すように、再生動作時において与えら
れるべき検出電流IMRをMR素子５に通電すると
共に、電流手段３に第４図中曲線４２に示すよう
に同様に再生動作時に通電すべきバイアス電流IB
に重畳して減衰交番電流を重畳して印加し、再生
開始時点において常に一定の磁化状態が磁気回路
に与えられるようにする。
このようにすることによつて本発明において
は、再生開始時に常に一定の磁化状態を得るよう
にして、先の再生動作時等において磁気ヘツドに
与えられた磁化状態の履歴を解消し、常に一定の
磁気的条件で再生が開始されるようになすと共に
減衰交番電流が与えられることによつて常に一定
の安定した磁区配列状態で再生が開始されるよう
にすることによつてバルクハウゼンノイズの発生
を効果的に抑制する。
は、再生開始時に常に一定の磁化状態を得るよう
にして、先の再生動作時等において磁気ヘツドに
与えられた磁化状態の履歴を解消し、常に一定の
磁気的条件で再生が開始されるようになすと共に
減衰交番電流が与えられることによつて常に一定
の安定した磁区配列状態で再生が開始されるよう
にすることによつてバルクハウゼンノイズの発生
を効果的に抑制する。
発明の効果
上述したように本発明によれば、再生動作の開
始前に減衰交番電流を与えるようにしたので一定
の磁化状態で再生を開始することができると共
に、バルクハウゼンノイズの抑制を効果的に行う
ことができる。また、特に複数の磁気ヘツド素子
が配列されてなる多チヤンネルMR型磁気ヘツド
に適用するときは、各磁気ヘツド素子に関して、
上述した履歴現象を解消できたことによつて各チ
ヤンネルに関しての実質的出力特性のばらつきを
解消でき、安定した動作を確実に行うことができ
るので、特にその利益は甚大なものである。
始前に減衰交番電流を与えるようにしたので一定
の磁化状態で再生を開始することができると共
に、バルクハウゼンノイズの抑制を効果的に行う
ことができる。また、特に複数の磁気ヘツド素子
が配列されてなる多チヤンネルMR型磁気ヘツド
に適用するときは、各磁気ヘツド素子に関して、
上述した履歴現象を解消できたことによつて各チ
ヤンネルに関しての実質的出力特性のばらつきを
解消でき、安定した動作を確実に行うことができ
るので、特にその利益は甚大なものである。
第１図及び第２図は夫々本発明を適用する磁気
抵抗効果型磁気ヘツドの一例の略線的拡大平面パ
ターン図及び拡大断面図、第３図はそのヒステリ
シス出力特性図、第４図はバイアス電流波形図で
ある。 １は基体、３は電流手段、５は磁気抵抗効果素
子、７及び８は磁性層、１０は磁気媒体との対接
面、ｇは磁気ギヤツプである。
抵抗効果型磁気ヘツドの一例の略線的拡大平面パ
ターン図及び拡大断面図、第３図はそのヒステリ
シス出力特性図、第４図はバイアス電流波形図で
ある。 １は基体、３は電流手段、５は磁気抵抗効果素
子、７及び８は磁性層、１０は磁気媒体との対接
面、ｇは磁気ギヤツプである。
Claims (1)
- １ 磁気媒体との対接面に所要の磁気ギヤツプを
有する磁気回路と、該磁気回路に設けられた上記
磁気ギヤツプとは別の不連続部に磁気的に結合さ
れて配された磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗果
素子にバイアス磁場を与える電流手段とを有する
磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおいて、該磁気ヘツ
ドの再生動作状態の下で無信号磁場状態で上記電
流手段に減衰交番電流を重畳して印加することを
特徴とする磁気抵抗効果磁気ヘツド。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58155484A JPS6047223A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| CA000461325A CA1220858A (en) | 1983-08-25 | 1984-08-20 | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| EP84305753A EP0137676B1 (en) | 1983-08-25 | 1984-08-22 | Magnetic transducer heads utilizing magnetoresistance effect |
| DE8484305753T DE3471789D1 (en) | 1983-08-25 | 1984-08-22 | Magnetic transducer heads utilizing magnetoresistance effect |
| US06/643,398 US4679107A (en) | 1983-08-25 | 1984-08-23 | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58155484A JPS6047223A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047223A JPS6047223A (ja) | 1985-03-14 |
| JPH0473201B2 true JPH0473201B2 (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=15607050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58155484A Granted JPS6047223A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4679107A (ja) |
| EP (1) | EP0137676B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6047223A (ja) |
| CA (1) | CA1220858A (ja) |
| DE (1) | DE3471789D1 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3613619A1 (de) * | 1985-04-26 | 1986-10-30 | Sharp K.K., Osaka | Duennfilm-magnetkopf |
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