JPS6032245B2 - 磁気抵抗効果ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6032245B2 JPS6032245B2 JP6507777A JP6507777A JPS6032245B2 JP S6032245 B2 JPS6032245 B2 JP S6032245B2 JP 6507777 A JP6507777 A JP 6507777A JP 6507777 A JP6507777 A JP 6507777A JP S6032245 B2 JPS6032245 B2 JP S6032245B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- alternating current
- magnetoresistive
- magnetoresistive element
- bias magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は強磁性体の磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効
果ヘッドでそのバイアス磁場印加手段を改良した磁気抵
抗効果へッド‘こ関するものである。
果ヘッドでそのバイアス磁場印加手段を改良した磁気抵
抗効果へッド‘こ関するものである。
強磁性体より成る磁気抵抗効果素子（以下単にＭ旧素子
と略称する。
と略称する。
）を用いた磁気抵抗効果ヘッド（以下単にＭＲヘッドと
略称する。）は大きな再生出力と高い分解館そして優れ
た周波数特性の故に、次期情報処理システムの中核とな
る磁気記録装置の再生ヘッドとして大いに注目されてい
る。ＭＲヘッドの再生出力を高めるためには直流バィア
ス磁場が不可欠とされているが、このバイアス磁場は各
Ｍ凪素子に対し若干の差があり微調整を要するばかりで
なく、使用中に受ける雑音的な強磁場や磁気媒体との衝
突・磨耗によって受けた歪力等のため最適バイアス値が
少々ずれることがあるため、直流バイアス磁場の微調整
も不可欠であることが判って来た。
略称する。）は大きな再生出力と高い分解館そして優れ
た周波数特性の故に、次期情報処理システムの中核とな
る磁気記録装置の再生ヘッドとして大いに注目されてい
る。ＭＲヘッドの再生出力を高めるためには直流バィア
ス磁場が不可欠とされているが、このバイアス磁場は各
Ｍ凪素子に対し若干の差があり微調整を要するばかりで
なく、使用中に受ける雑音的な強磁場や磁気媒体との衝
突・磨耗によって受けた歪力等のため最適バイアス値が
少々ずれることがあるため、直流バイアス磁場の微調整
も不可欠であることが判って来た。
この発明はこのような要請に答えるべく考出されたもの
で直流バイアス磁場印加手段もしくは新たに設けた導体
層に交流電流を流すことによって媒体からの信号磁場に
似せた疑似交流磁場を発生させ、この磁場によるＭＲ素
子からの出力が大きく最も歪の少なくなるように直流バ
イアス磁場印加手段を調整することを特徴とするもので
あり，最適バイアス磁場の簡便な調整を可能とする磁気
抵抗効果ヘッドを提供するばかりでなく、ＭＲ素子自身
の特性評価の一手段としても活用できる手法を提供する
ことを目的とするものである。
で直流バイアス磁場印加手段もしくは新たに設けた導体
層に交流電流を流すことによって媒体からの信号磁場に
似せた疑似交流磁場を発生させ、この磁場によるＭＲ素
子からの出力が大きく最も歪の少なくなるように直流バ
イアス磁場印加手段を調整することを特徴とするもので
あり，最適バイアス磁場の簡便な調整を可能とする磁気
抵抗効果ヘッドを提供するばかりでなく、ＭＲ素子自身
の特性評価の一手段としても活用できる手法を提供する
ことを目的とするものである。
次にこの発明について図面を参照しながら説明する。第
１図はこの発明の一実施例を模式的に示したもので、高
透磁率磁性体から成る磁気シールド２および３に挟まれ
てＭ旧素子４が直流バイアス磁場印加手段となる導体５
とこの発明の特徴を生かす導体６が隣接して配置され、
それぞれは適当な絶縁体（見易くするため図中では省略
されている。）で互いに電気的に絶縁されている。ＭＲ
素子４，導体５および導体６にはそれぞれ端子７，８お
よび９が接続されており、それぞれにセンス電流ｌｓ，
バイアス用直流電流ｌｂおよび微小交流電流ｉが流れて
いる。微小交流電流ｊの作る磁場はＭ旧素子４に作用し
，ＭＲ素子の抵抗を変化させるが、その結果としての出
力が大きくしかも最も歪の少なくなるように導体５に流
す直流電流ｌｂを調整し，これにより発生した直流磁場
，即ちバイアス磁場を調節する。第２図は本発明の他の
実施例を模式的に示した図で、第１図のＭＲヘッドよ′
り更に簡単な構成となっており、Ｍ旧素子４−とそれに
近接した導体５が磁気シールド２および３に挟まれてい
る。
１図はこの発明の一実施例を模式的に示したもので、高
透磁率磁性体から成る磁気シールド２および３に挟まれ
てＭ旧素子４が直流バイアス磁場印加手段となる導体５
とこの発明の特徴を生かす導体６が隣接して配置され、
それぞれは適当な絶縁体（見易くするため図中では省略
されている。）で互いに電気的に絶縁されている。ＭＲ
素子４，導体５および導体６にはそれぞれ端子７，８お
よび９が接続されており、それぞれにセンス電流ｌｓ，
バイアス用直流電流ｌｂおよび微小交流電流ｉが流れて
いる。微小交流電流ｊの作る磁場はＭ旧素子４に作用し
，ＭＲ素子の抵抗を変化させるが、その結果としての出
力が大きくしかも最も歪の少なくなるように導体５に流
す直流電流ｌｂを調整し，これにより発生した直流磁場
，即ちバイアス磁場を調節する。第２図は本発明の他の
実施例を模式的に示した図で、第１図のＭＲヘッドよ′
り更に簡単な構成となっており、Ｍ旧素子４−とそれに
近接した導体５が磁気シールド２および３に挟まれてい
る。
このようなＭＲヘッドに対してもこの発明を適用するこ
とができる。すなわち、導体５に流す電流として直流電
流ｌｂと微小交流電流ｉを第３図のように重畳して流す
ことによりＭＲ素子４には、直流バイアス磁場と交流疑
似信号磁場が同時に加わることになり、第１図の実施例
と同様にＭ旧素子の出力が大きく歪が最も小さくなるよ
うに直流電流ｌｂを調整する。なお微づ・交流電流ｉと
してはＭＲ素子４と導体５または６の間隔が１仏ｍ程度
の時，誘導電流の大きくならない５０皿ＨＺ以内の周波
数で振幅数ｍＡ及至数十ｍＡ程度が適しており、直流バ
イアス電流の値としては数十ｍＡ及至数百ｍＡ程度が適
している。
とができる。すなわち、導体５に流す電流として直流電
流ｌｂと微小交流電流ｉを第３図のように重畳して流す
ことによりＭＲ素子４には、直流バイアス磁場と交流疑
似信号磁場が同時に加わることになり、第１図の実施例
と同様にＭ旧素子の出力が大きく歪が最も小さくなるよ
うに直流電流ｌｂを調整する。なお微づ・交流電流ｉと
してはＭＲ素子４と導体５または６の間隔が１仏ｍ程度
の時，誘導電流の大きくならない５０皿ＨＺ以内の周波
数で振幅数ｍＡ及至数十ｍＡ程度が適しており、直流バ
イアス電流の値としては数十ｍＡ及至数百ｍＡ程度が適
している。
以上のように、この発明によれば最適バイアス磁場を容
易に設定できるわけであるが、さらに一定振幅の交流電
流ｉによるＭＲ素子の抵抗変化量則ち再生出力の大きさ
を測定することによりこのＭ町素子の特性評価をするこ
とが出来、実際の装置に組み込んで動作テストをする前
に性能の良し悪しを判定することができるという利点を
も持っている。
易に設定できるわけであるが、さらに一定振幅の交流電
流ｉによるＭＲ素子の抵抗変化量則ち再生出力の大きさ
を測定することによりこのＭ町素子の特性評価をするこ
とが出来、実際の装置に組み込んで動作テストをする前
に性能の良し悪しを判定することができるという利点を
も持っている。
第１図および第２図は本発明の実施例を示す概略斜視図
、第３図は第２図の構成における導体に流す電流を示す
図である。 図において、２，３……磁気シールド、４…・・・Ｍ旧
素子、５，６……導体、７，８，９……端子。 髪′図 劣２図 髪３図
、第３図は第２図の構成における導体に流す電流を示す
図である。 図において、２，３……磁気シールド、４…・・・Ｍ旧
素子、５，６……導体、７，８，９……端子。 髪′図 劣２図 髪３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気抵抗効果素子とこの磁気抵抗効果素子に直流バ
イアス磁場を印加する手段を含んで成る再生用磁気抵抗
効果ヘツドにおいて、前記磁気抵抗効果素子に交流磁場
を印加する手段を設け、この交流磁場により前記磁気抵
抗効果素子の再生出力が大きく最も歪が少なくなるよう
に前記直流バイアス磁場を調節することを特徴とする磁
気抵抗効果ヘツド。 ２ 交流磁場は磁気抵抗効果素子の近傍に導体層を設け
、この導体層に交流電流を流すことにより印加される特
許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果ヘツド。 ３ 交流磁場は直流バイアス磁場印加手段に交流電流を
重畳することにより印加される特許請求の範囲第１項記
載の磁気抵抗効果ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6507777A JPS6032245B2 (ja) | 1977-06-01 | 1977-06-01 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6507777A JPS6032245B2 (ja) | 1977-06-01 | 1977-06-01 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53149309A JPS53149309A (en) | 1978-12-26 |
| JPS6032245B2 true JPS6032245B2 (ja) | 1985-07-26 |
Family
ID=13276520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6507777A Expired JPS6032245B2 (ja) | 1977-06-01 | 1977-06-01 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032245B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6047223A (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-14 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
-
1977
- 1977-06-01 JP JP6507777A patent/JPS6032245B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53149309A (en) | 1978-12-26 |
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