JPH1021515A - 磁気ヘッドパターン、磁気ヘッドパターンの製造方法、磁気ヘッドパターンから得られる磁気ヘッドの直流バイアス電流の決定方法及びその磁気ヘッドを用いた磁気情報再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 比較的簡単な構造でかつ再生感度の良好な磁
気ヘッドを作製するための磁気ヘッドパターンを得る。 【解決手段】 長方形状の非磁性基板１の全面に非磁性
薄膜２を形成する。非磁性薄膜２の上に、所定の間隔を
置いて長手方向と直角の方向に一対の磁極３を形成す
る。各磁極３を、上下一対の第１及び第２の軟磁性薄膜
３ａ、３ｂにより構成する。非磁性薄膜２の上に、その
一部を第１及び第２の軟磁性薄膜３ａ、３ｂ間に挟んだ
状態で略Ｕ字状の第１の導体線４を形成し、第１の導体
線４の両端に電極５、６を一体成形する。第１の導体線
４と第１及び第２の軟磁性薄膜３ａ、３ｂを電気的に絶
縁する。非磁性薄膜２の上に、各磁極３の先端近傍の上
を通って直線状の第２の導体線７を形成し、第２の導体
線７の両端に電極８、９を一体成形する。第２の導体線
７と磁極３を電気的に絶縁する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高密度に記録され
た情報を再生する磁気ヘッドを作製するための磁気ヘッ
ドパターン、磁気ヘッドパターンの製造方法、磁気ヘッ
ドパターンから得られる磁気ヘッドの直流バイアス電流
の決定方法及びその磁気ヘッドを用いた磁気情報再生装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、大容量の磁気記録装置の需要が増
大しているために、情報をより高密度に磁気記録媒体に
記録し、かつ磁気記録媒体に記録された情報を再生する
ことのできる磁気ヘッドが要望されていた。このような
要望に応えるべく、従来広く用いられていた誘導型ヘッ
ド、特に誘導型薄膜ヘッドに代わって、より再生感度の
高い再生専用ヘッドである複合型ＭＲヘッドが実用化さ
れている。この複合型ＭＲヘッドは、ＭＲヘッドと誘導
型薄膜ヘッドとを備えた磁気ヘッドであり、再生時には
再生感度の高いＭＲヘッドが使用され、記録時には誘導
型薄膜ヘッドが使用される。ここで、ＭＲヘッドとは、
磁気抵抗（ＭＲ：Magneto-Resistance）素子を用いた磁
気ヘッドのことである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、磁気抵抗素子
を用いた複合型ＭＲヘッドは、ヘッド構造が従来の誘導
型ヘッドに比べてかなり複雑である。具体的には、磁気
抵抗素子の周りにシールド層や再生用の磁気ギャップを
必要とし、磁気抵抗効果膜を単磁区化するための構成を
必要とする。さらに、線形な再生を行うために、バイア
ス磁界を印加する独自の構成も必要である。

【０００４】このように、複合型ＭＲヘッドの製造には
高度の製造技術が要求されるため、高い歩留まりを確保
することは困難であるという問題点があった。本発明
は、従来技術における前記課題を解決するためになされ
たものであり、比較的簡単な構造で、しかも再生感度の
高い磁気ヘッドを作製するための磁気ヘッドパターン、
磁気ヘッドパターンの製造方法、磁気ヘッドパターンか
ら得られる磁気ヘッドの直流バイアス電流の決定方法及
びその磁気ヘッドを用いた磁気情報再生装置を提供する
ことを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る磁気ヘッドパターンの構成は、非磁性
基板と、前記非磁性基板上に形成された非磁性薄膜と、
前記非磁性薄膜上に順次重ねた状態で形成された第１及
び第２の軟磁性薄膜と、一部が前記第１及び第２の軟磁
性薄膜間に絶縁挟持された状態で前記非磁性薄膜上に形
成され、その両端に高周波電圧印加用の電極を有する第
１の導体線と、一部が前記第２の軟磁性薄膜上に絶縁配
置された状態で前記非磁性薄膜上に形成され、その両端
に低周波電圧印加用の電極を有する第２の導体線とを備
えたものである。この磁気ヘッドパターンの構成によれ
ば、第２の導体線に低周波電流を流して磁気媒体の記録
磁化に相当する電流磁界を発生させることができるの
で、第１及び第２の軟磁性薄膜からなる磁極に加えるべ
き直流バイアス磁界を容易に決定することができる。

【０００６】また、前記本発明の磁気ヘッドパターンの
構成においては、第２の軟磁性薄膜と当該第２の軟磁性
薄膜上の第２の導体線の上に形成された絶縁膜からなる
磁気ギャップ層と、一端が前記第２の導体線上に位置さ
れた状態で前記磁気ギャップ層上に形成された第３の軟
磁性薄膜とをさらに備えているのが好ましい。この好ま
しい例によれば、再生分解能及び再生効率の向上を図る
ことが可能になると共に、より高密度な面内磁化の再生
を行うことが可能になる。

【０００７】また、前記本発明の磁気ヘッドパターンの
構成においては、第２の導体線が直線状に形成され、か
つ、第１及び第２の軟磁性薄膜が前記第２の導体線に沿
って複数個形成されているのが好ましい。この好ましい
例によれば、複数の磁気ヘッドに対する直流バイアス磁
界を同一基板上でのパターン状態で決定することができ
るので、磁気ヘッドの作製時間を短縮することができ
る。

【０００８】また、前記本発明の磁気ヘッドパターンの
構成においては、第１の導体線が略Ｕ字状に形成されて
いるのが好ましい。この好ましい例によれば、磁気ヘッ
ドの小型化を図ることができる。

【０００９】また、本発明に係る磁気ヘッドパターンの
製造方法は、非磁性基板上に形成された非磁性薄膜上に
第１の軟磁性膜を形成する工程と、一部を前記第１の軟
磁性薄膜上に絶縁配置した状態で前記非磁性薄膜上に第
１の導体線を形成する工程と、前記第１の軟磁性薄膜上
に第２の軟磁性薄膜を形成する工程と、一部を前記第２
の軟磁性膜の先端近傍上に絶縁配置した状態で前記非磁
性薄膜上に第２の導体線を形成する工程とを備えたもの
である。この磁気ヘッドパターンの製造方法によれば、
磁極（第１及び第２の軟磁性薄膜）と第１及び第２の導
体線がパターン形成されるので、第１及び第２の軟磁性
薄膜からなる磁極に加えるべき直流バイアス磁界を磁気
ヘッドの製造工程中における基板上でのパターン状態で
決定することのできる磁気ヘッドパターンを容易に製造
することができる。

【００１０】また、前記本発明の磁気ヘッドパターンの
製造方法においては、第２の軟磁性薄膜と当該第２の軟
磁性薄膜上の第２の導体線の上に絶縁膜からなる磁気ギ
ャップ層を形成する工程と、一端を前記第２の導体線上
に位置させた状態で前記磁気ギャップ層上に第３の軟磁
性薄膜を形成する工程とをさらに備えているのが好まし
い。この好ましい例によれば、再生分解能及び再生効率
の向上を図ることが可能で、しかもより高密度な面内磁
化の再生を行うことが可能な磁気ヘッドが得られる。

【００１１】また、本発明に係る磁気ヘッドの直流バイ
アス電流の決定方法は、非磁性基板と、前記非磁性基板
上に形成された非磁性薄膜と、前記非磁性薄膜上に順次
重ねた状態で形成された第１及び第２の軟磁性薄膜と、
一部が前記第１及び第２の軟磁性薄膜間に絶縁挟持され
た状態で前記非磁性薄膜上に形成され、その両端に高周
波電圧印加用の電極を有する第１の導体線と、一部が前
記第２の軟磁性薄膜上に絶縁配置された状態で前記非磁
性薄膜上に形成され、その両端に低周波電圧印加用の電
極を有する第２の導体線とを備えた磁気ヘッドパターン
の前記第２の導体線部分を切除して得られる磁気ヘッド
の直流バイアス電流の決定方法であって、前記第２の導
体線に低周波電流を流し、前記低周波電流の値に応じて
変化する前記第１及び第２の軟磁性薄膜の透磁率の変化
を、前記第１の導体線に流した高周波電流によって前記
高周波電圧印加用の電極間に現れる高周波電圧として測
定し、前記低周波電流の所定振幅に対して前記高周波電
圧の値が比例するその中心となる直流電流値をバイアス
電流値として決定することを特徴とする。この磁気ヘッ
ドの直流バイアス電流の決定方法によれば、第２の導体
線に低周波電流を流すことによって生じる第１の導体線
の両端電極の逆起電力を検出することにより、基板上で
個々の磁気ヘッドの最適バイアス電流値を決定すること
が可能となるので、磁気ヘッドの性能、歩留まりがとも
に改善される。

【００１２】また、本発明に係る磁気情報再生装置の構
成は、非磁性基板と、前記非磁性基板上に形成された非
磁性薄膜と、前記非磁性薄膜上に順次重ねた状態で形成
された第１及び第２の軟磁性薄膜と、一部が前記第１及
び第２の軟磁性薄膜間に絶縁挟持された状態で前記非磁
性薄膜上に形成され、その両端に高周波電圧印加用の電
極を有する第１の導体線と、一部が前記第２の軟磁性薄
膜上に絶縁配置された状態で前記非磁性薄膜上に形成さ
れ、その両端に低周波電圧印加用の電極を有する第２の
導体線とを備えた磁気ヘッドパターンの前記第２の導体
線部分を切除して得られた磁気ヘッドと、前記第１の導
体線の両端の高周波電圧印加用の電極に直流バイアスさ
れた定電流の高周波信号を印加するキャリア信号印加手
段と、磁気媒体の磁気情報から生じる外部磁界に基づい
て変化する前記高周波電圧印加用の電極間の高周波電圧
を検出する高周波電圧検出手段とを備えたものである。
この磁気情報再生装置の構成によれば、磁気ヘッドパタ
ーン状態で最適な直流バイアス電流が決定された磁気ヘ
ッドを用いるものであるため、再生感度の向上を図るこ
とができる。

【００１３】また、前記本発明の磁気情報再生装置の構
成においては、高周波電圧検出手段によって検出された
高周波電圧をＡＭ復調するＡＭ復調手段をさらに備えて
いるのが好ましい。この好ましい例によれば、記録され
た情報を容易に再生することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、実施の形態を用いて本発明
をさらに具体的に説明する。 〈第１の実施の形態〉図１は本発明の第１の実施の形態
における磁気ヘッドパターンを示す概略斜視図である。
図１に示すように、アルミナチタンカーバイドからなる
長方形の板状の非磁性基板１の上には、その全面にアル
ミナからなる非磁性薄膜２が形成されている。非磁性薄
膜２の上には、所定の間隔を置いて長手方向と直角の方
向に一対の磁極３が形成されている。各磁極３は、パー
マロイ組成に近いＮｉ−Ｆｅ合金薄膜からなる上下一対
の第１及び第２の軟磁性薄膜３ａ、３ｂから構成されて
いる。また、非磁性薄膜２の上には、一部が第１及び第
２の軟磁性薄膜３ａ、３ｂ間に挟まれた状態で略Ｕ字状
のＣｕ薄膜からなる第１の導体線４が形成されており、
第１の導体線４の両端には高周波電圧印加用の電極５、
６が一体成形されている。ここで、第１の導体線４と第
１及び第２の軟磁性薄膜３ａ、３ｂとは電気的に絶縁さ
れている。このように第１の導体線４を略Ｕ字状に形成
したので、磁気ヘッドの小型化を図ることができる。ま
た、非磁性薄膜２の上には、各第２の軟磁性薄膜３ｂの
先端近傍の上を通って直線状のＣｕ薄膜からなる第２の
導体線７が形成されており、第２の導体線７の両端には
低周波電圧印加用の電極８、９が一体成形されている。
ここで、第２の導体線７と第２の軟磁性薄膜３ｂとは電
気的に絶縁されている。

【００１５】図１に示した磁気ヘッドパターンは、研
磨、切断され、これにより図２に示すような磁気ヘッド
が得られる。本発明の磁気ヘッドパターンを理解するた
めには、図２に示した磁気ヘッドとしての再生動作原理
を理解していることが必要であるため、以下にこの磁気
ヘッドの再生動作原理を簡単に説明する。

【００１６】図２中、３は、第１及び第２の軟磁性薄膜
３ａ、３ｂからなる磁極であり、この磁極３がいわゆる
再生磁極として動作する。すなわち、この磁気ヘッドが
矢印Ｂで示される磁気媒体の磁気情報に接近したとき、
その磁気情報Ｂによって生じる外部磁界によって磁極３
が磁化される。磁極３が磁化されると、磁極３の透磁率
μが変化するので、この透磁率μの変化を検出すること
により、磁気媒体の磁気情報Ｂを読み出すことができ
る。

【００１７】具体的には、電極５、６間に高周波電圧を
印加して第１の導体線４に一定振幅の高周波電流Ｉｃを
流し、磁極３を貫通する形で高周波電流Ｉｃが流れる際
に生じるインピーダンスＺが磁極３の透磁率μに比例す
ることを利用して、電極５、６間に生じる逆起電力Ｖｚ
（Ｖｚ＝Ｉｃ×Ｚ）を知ることにより、磁気媒体の磁気
情報Ｂを読み出すことができる。

【００１８】ところで、磁極３の外部磁界に対する透磁
率μの変化、すなわち、インピーダンスＺの変化は、実
際には、外部磁界の向きに依存しない。図３に、外部磁
界に対するインピーダンスの変化を示す。図３に示すよ
うに、外部磁界Ｈ_ext が＋ａの場合でも、逆極性の−ａ
の場合でも、インピーダンスＺの値はＺ１である。磁気
情報は、この磁界の向きが異なることによって記録され
ているので、このままでは磁気情報を再生することはで
きない。そこで、外部磁界の向きによってインピーダン
スＺの大きさを変化させるために、磁極３に対して一定
の直流バイアス磁界を加える。

【００１９】図４に、直流バイアス磁界ｄを加えたとき
のインピーダンスＺの変化を示す。図４に示すように、
この場合には、外部磁界Ｈ_ext が＋ａのときにインピー
ダンスＺの値はＣ１となり、逆極性の−ａのときにイン
ピーダンスＺの値はＣ１よりも小さいＣ３となる。その
結果、磁気媒体の磁化の向きによって逆起電力Ｖｚの大
きさが異なるので、逆起電力Ｖｚの大きさを検出するこ
とにより、磁気情報を再生することができる。

【００２０】本実施の形態においては、磁極３に直流バ
イアス磁界を加える方法として、電極５、６間に印加す
る高周波電圧に直流バイアス電圧を加える方法を用い
た。ところで、この加えるべき直流バイアス磁界の大き
さは、磁気ヘッドの製造工程中における様々な要因（例
えば、応力）により各磁気ヘッド間でばらついてしま
う。すなわち、図１における磁気ヘッド１００と磁気ヘ
ッド１０１とでは、必ずしも全く同じ直流バイアス磁界
でよいとは限らない。

【００２１】例えば、磁気ヘッド１００と磁気ヘッド１
０１に対して同一の直流バイアス磁界を加えているとき
の外部磁界Ｈ_ext に対するインピーダンスＺが、それぞ
れ図４、図５のように変化すると仮定する。この場合、
図６（ａ）に示すような外部磁界Ｈ_ext の変化によって
生じる磁気ヘッド１００と磁気ヘッド１０１のインピー
ダンスＺの変化は、それぞれ図６（ｂ）、図６（ｃ）の
ような形となる。

【００２２】図６から分かるように、磁気ヘッド１００
の場合には、外部磁界に比例したインピーダンス変化を
示しているので、比較的容易に磁気情報を再生すること
ができるが、磁気ヘッド１０１の場合には、外部磁界に
対するインピーダンスの変化が歪んでしまうので、磁気
情報を正確に再生することは困難である。これは、図５
に示しているように、磁気ヘッド１０１にとっては加え
た直流バイアス磁界が小さすぎて外部磁界に対する磁極
３のインピーダンス変化が線形でないことに起因してい
る。すなわち、加えるべき直流バイアス磁界は、各磁気
ヘッドによって適宜調整されなければならない、という
ことを示している。この調整を図２に示すような完成さ
れた磁気ヘッドに対して行うことはかなり煩雑であり、
また、既知の磁界を正確に与えることは実際上非常に困
難である。

【００２３】そこで、本実施の形態においては、この調
整を磁気ヘッドの製造工程中における基板上でのパター
ン状態で行うことを可能とするために、第２の導体線７
を磁極３の先端近傍に配置し、第２の導体線７に低周波
電流を流して磁気媒体の記録磁化に相当する電流磁界を
発生させることを可能にしている。

【００２４】以下に、直流バイアス磁界の調整方法につ
いて、図１、図４〜図６を用いて説明する。図１におい
て、第２の導体線７は、磁極３（第１及び第２軟磁性薄
膜３ａ、３ｂ）の上に配置されており、第２の導体線７
の両端電極８、９に一定の低周波電圧を印加し、第２の
導体線７に低周波電流を流すことにより、第２の導体線
７の周りに電流磁界を発生させる。この電流磁界は磁極
３上にも当然存在するので、第１及び第２の軟磁性薄膜
３ａ、３ｂから構成される磁極３は、この電流磁界によ
って磁化され、磁極３の透磁率が変化する。

【００２５】加えるべき直流バイアス磁界の調整は、次
のようにして行われる。すなわち、第２の導体線７の周
りに発生する電流磁界が図６（ａ）のようになるよう
に、第２の導体線７に流す低周波電流の値を決めて、第
２の導体線７の両端電極８、９間に所定の低周波電圧を
印加し、それに対する磁気ヘッド１００の磁極３のイン
ピーダンスＺが図６（ｂ）のような変化を示すように、
第１の導体線４の両端電極５、６間に所定の直流バイア
ス電圧を高周波電圧に重畳して印加することによって行
われる。同様の操作を磁気ヘッド１０１に対して行え
ば、各磁気ヘッドの最適な直流バイアス磁界を実現する
ことのできる直流バイアス電流を決定することができ
る。

【００２６】尚、本実施の形態においては、１枚の基板
上に２つの磁気ヘッドをパターン形成する場合を例に挙
げて説明しているが、３つ以上の磁気ヘッドをパターン
形成した場合においても、各磁気ヘッドに対して上記と
同様の調整を行うことにより、各磁気ヘッドの最適な直
流バイアス磁界を実現することのできるバイアス電流値
を決定することができる。

【００２７】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、各磁気ヘッドの磁極に加えるべき最適な直流バイア
ス磁界を、磁気ヘッドの製造工程中における基板上での
パターン状態で決定することができる。

【００２８】〈第２の実施の形態〉図７は本発明の第２
の実施の形態における磁気ヘッドパターンの製造工程を
示す概略斜視図、図８は図７のＩ−Ｉ断面図である。

【００２９】まず、図７（ａ）、図８（ａ）に示すよう
に、アルミナチタンカーバイドからなる厚み２ｍｍの長
方形の板状の非磁性基板１の上に、スパッタ法により全
面に膜厚２０μｍのアルミナ膜を成膜し、非磁性薄膜２
を形成した。そして、非磁性薄膜２に鏡面研磨を施し、
最終的な膜厚を約１０μｍとした。次いで、非磁性薄膜
２の上に、スパッタ法により全面に膜厚約０．５μｍの
Ｎｉ−Ｆｅ合金を成膜した後、フォトリソグラフィー技
術によってパターン化し、所定の間隔を置いて長手方向
と直角の方向に一対の第１の軟磁性薄膜３ａを形成し
た。次いで、非磁性薄膜２の上に、スパッタ法により全
面に膜厚約０．１μｍのＳｉＯ₂ 膜を成膜した後、フォ
トリソグラフィー技術によってパターン化し、第１の軟
磁性薄膜３ａ上の先端寄りの一部に、絶縁膜１０を形成
した（以上、図７（ａ）、図８（ａ））。

【００３０】次に、図７（ｂ）、図８（ｂ）に示すよう
に、第１の軟磁性薄膜３ａが形成された非磁性薄膜２の
上に、スパッタ法により全面に膜厚約１．５μｍのＣｕ
薄膜を成膜した後、フォトリソグラフィー技術によって
パターン化し、一部が絶縁膜１０（図７（ａ）、図８
（ａ））の上を通り、両端に高周波電圧印加用の電極
５、６を有する略Ｕ字状の第１の導体線４を形成した。
次いで、非磁性薄膜２の上に、スパッタ法により全面に
膜厚約０．１μｍのＳｉＯ₂ 膜を成膜した後、フォトリ
ソグラフィー技術によってパターン化し、第１の軟磁性
薄膜３ａ上の第１の導体線４の上に絶縁膜１１を形成し
た（以上、図７（ｂ）、図８（ｂ））。

【００３１】次に、図７（ｃ）、図８（ｃ）に示すよう
に、非磁性薄膜２の上に、スパッタ法により全面に膜厚
約０．５μｍのＮｉ−Ｆｅ合金を成膜した後、フォトリ
ソグラフィー技術によってパターン化し、第１の軟磁性
薄膜３ａの上に第２の軟磁性薄膜３ｂを形成した。これ
により、第１の導体線４は、その一部が第１及び第２の
軟磁性薄膜３ａ、３ｂ間に挟まれた状態となる。次い
で、非磁性薄膜２の上に、スパッタ法により全面に膜厚
約０．１μｍのＳｉＯ₂ 膜を成膜した後、フォトリソグ
ラフィー技術によってパターン化し、第２の軟磁性薄膜
３ａの先端近傍に絶縁膜１２を形成した（以上、図７
（ｃ）、図８（ｃ））。

【００３２】最後に、図７（ｄ）、図８（ｄ）に示すよ
うに、非磁性薄膜２の上に、スパッタ法により全面に膜
厚約１．５μｍのＣｕ薄膜を成膜した後、フォトリソグ
ラフィー技術によってパターン化し、一部が絶縁膜１２
（図７（ｃ）、図８（ｃ））の上を通り、両端に低周波
電圧印加用の電極８、９を有する直線状の第２の導体線
７を形成した。

【００３３】以上の製造工程においては、フォトリソグ
ラフィー技術によるエッチング方法として、イオンビー
ムエッチングを用いた。尚、エッチング方法としてはイ
オンビームエッチングに限定されるものではなく、例え
ば溶剤によるケミカルエッチング等であってもよい。

【００３４】また、以上の製造工程においては、Ｃｕ薄
膜等の成膜法としてスパッタ法を用いているが、必ずし
もこの方法に限定されるものではなく、例えばメッキ
法、蒸着法等のその他の方法であってもよい。

【００３５】〈第３の実施の形態〉図９は本発明の第３
の実施の形態における磁気情報再生装置の配置図であ
る。図９に示すように、磁気ヘッド１３は、上記第１の
実施の形態で説明した方法によって直流バイアス電流値
が調整決定された磁気ヘッドパターンを、切削研磨等す
ることによって得られたものである。磁気ヘッド１３の
構成は図２の構成と同様であるため、同一の箇所には同
一の符号を付してその説明は省略する。ディスク状磁気
媒体１４は、保護膜と垂直磁化層と面内等方性の軟磁性
膜とからなる、いわゆる２層膜垂直媒体であり、媒体面
に垂直に磁気情報が書き込まれている。図９中、矢印Ｃ
はディスク状磁気媒体１４に書き込まれた磁気情報の磁
化の向きを示し、矢印Ｄはディスク状磁気媒体１４の回
転方向を示している。ここで、磁気ヘッド１３は、いわ
ゆる『ジンバル』と呼ばれるバネの先端に固定されて、
ディスク状磁気媒体１４のディスク面から一定の距離の
所に保持されている。

【００３６】図１０は本発明の第３の実施の形態におけ
る磁気情報再生装置の回路構成を示すブロック図であ
る。図１０に示すように、この磁気情報再生装置は、磁
気ヘッド２８と、キャリア信号発生器１７と、再生信号
検出回路１８と、再生アンプ１９と、再生信号処理回路
２０とにより構成されている。尚、図１０中、２１は出
力端子であり、１５、１６は、図９の高周波信号印加用
電極５、６に相当する電極端子である。

【００３７】図１０の磁気ヘッド２８は、図９に示す磁
気ヘッド１３を等価回路的に示したものである。磁気ヘ
ッド２８は、インピーダンス素子（第１及び第２の軟磁
性薄膜３ａ、３ｂとそれを絶縁貫通する第１の導体線４
を含む）２２と導体線３０とを備えている。

【００３８】キャリア信号発生器１７は、キャリア信号
（周波数は例えば６００ＭＨｚ）の発振回路と定電流ド
ライブ回路と直流バイアス印加回路とにより構成されて
いる。このキャリア信号発生器１７は、再生時に、上記
第１の実施の形態で決定された直流バイアス電流が重畳
されたキャリア信号である高周波の定電流を、電極端子
１５、１６を介してインピーダンス素子２２に流す。

【００３９】再生信号検出回路１８は、ＡＭ検波回路と
ＡＭ復調回路とにより構成されている。ＡＭ検波回路
は、電極端子１５、１６間の信号を検出し、ＡＭ復調回
路は、ＡＭ検波回路で検出されたＡＭ波を復調して、本
来再生すべき信号を出力する。

【００４０】再生アンプ１９は、再生信号検出回路１８
で復調された再生信号を増幅する。再生信号処理回路２
０は、再生アンプ１９で増幅された再生信号を、出力す
るのに適した信号に変換する（例えば、符号復調などを
行う）。再生信号処理回路２０で変換された信号は、出
力端子２１から出力される。

【００４１】以下に、図９、図１０を用いて磁気情報の
再生動作について説明する。図９に示す磁気ヘッド１３
の磁極３がディスク状磁気媒体１４の磁気情報の磁化Ｃ
の上に在るとき、磁極３はその磁化Ｃによって磁化さ
れ、磁極３の透磁率が低下した状態となる。この状態
は、図１０に示すインピーダンス素子２２のインピーダ
ンスが低下しているのと等価な状態である。このとき、
磁気ヘッド１３の第１の導体線４には高周波の定電流が
流れているので、電極５、６間にはそのインピーダンス
に比例した逆起電力が発生する。再生信号検出回路１８
は電極端子１５、１６間の信号を検出し、インピーダン
ス値すなわち透磁率に比例した値の電圧を出力する。結
局、再生信号検出回路１８からはディスク状磁気媒体１
４の磁気情報の磁化Ｃの強さに逆比例した電圧値が出力
されることになり、いわゆる『磁束応答型』の再生が行
われることになる。

【００４２】出力される電圧値を大きくするためには、
インピーダンスが大きいことが望ましく、また、その磁
界応答性が高いことが望ましい。従って、磁極３の透磁
率の高い範囲内において、キャリア信号周波数はできる
だけ高い方が望ましい。

【００４３】以上説明してきたように、本発明の磁気ヘ
ッドパターンから得られる磁気ヘッドを用いれば、従来
の複合型ＭＲヘッドのような複雑な構成にすることな
く、磁気情報を再生することができる。さらに、比較的
簡単な構造であるにもかかわらず、再生信号の品質に関
わる直流バイアス電流を各磁気ヘッドごとに最適に決定
することができるので、安定した高い再生感度を有する
磁束応答型の再生ヘッドを実現することができる。

【００４４】〈第４の実施の形態〉図１１は本発明の第
４の実施の形態における磁気ヘッドパターンを示す概略
斜視図、図１２は図１１のＩＩ−ＩＩ断面図である。図
１１、図１２に示すように、第２の軟磁性薄膜３ｂと当
該第２の軟磁性薄膜３ｂ上の第２の導体線７の上には、
膜厚約０．１μｍのＳｉＯ₂ 膜からなる磁気ギャップ層
２４が形成されており、磁気ギャップ層２４の上方に
は、一端が第２の導体線７の上に位置し、他端が第２の
軟磁性薄膜３ｂの後端部の上に位置した状態で厚み３μ
ｍのＮｉ−Ｆｅ合金からなる第３の軟磁性薄膜２３が配
置されている。このように本実施の形態の磁気ヘッドパ
ターンにおいては、第１及び第２の軟磁性薄膜３ａ、３
ｂと第３の軟磁性薄膜２３とによっていわゆるリング状
の磁気回路が形成されている。他の構成は上記第１の実
施の形態の構成（図１参照）と同様であるため、同一の
箇所には同一の符号を付してその説明は省略する。

【００４５】本実施の形態の磁気ヘッドパターンは、図
７、図８に示した第２の実施の形態における製造工程の
後に、磁気ギャップ層２４となるＳｉＯ₂ 膜と第３の軟
磁性薄膜２３を他の絶縁膜１０、１１、１２や軟磁性薄
膜３ａ、３ｂと同様の方法により形成する工程を追加す
ることによって製造することができる。

【００４６】図１３は本発明の第４の実施の形態におけ
る磁気ヘッドパターンから得られる磁気ヘッドとディス
ク状磁気媒体との配置図である。図１３に示すように、
磁気ヘッド２９は、図１２に示す磁気ヘッドパターンを
一点鎖線のところまで切削研磨することによって得られ
る。ディスク状磁気媒体は、ガラス板からなる回転ディ
スク２５と、回転ディスク２５の上に形成され、面内に
容易軸を有するＣｏＮｉＣｒ系薄膜からなる記録層２６
とにより構成されている。図１３中、矢印２７の向きは
記録磁化のベクトルの方向を示している。面内記録され
た磁気情報は、本実施の形態の磁気ヘッドを、上記第３
の実施の形態と同様な構成を有する磁気情報再生装置に
組み込むことによって再生することができる。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第２の導体線に低周波電流を流して磁気媒体の記録磁化
に相当する電流磁界を発生させることができるので、第
１及び第２の軟磁性薄膜からなる磁極に加えるべき直流
バイアス磁界を磁気ヘッドの製造工程中における基板上
でのパターン状態で容易に決定することができる。その
結果、磁気ヘッドの性能、歩留まりがともに改善され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における磁気ヘッド
パターンを示す概略斜視図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態における磁気ヘッド
パターンから得られる磁気ヘッドを示す概略斜視図であ
る。

【図３】本発明の第１の実施の形態における磁気ヘッド
の外部磁界に対するインピーダンス変化を示す図であ
る。

【図４】本発明の第１の実施の形態における磁気ヘッド
に対して適正な直流バイアス磁界を加えた場合の外部磁
界に対するインピーダンス変化を示す図である。

【図５】本発明の第１の実施の形態における磁気ヘッド
に対して不適正な直流バイアス磁界を加えた場合の外部
磁界に対するインピーダンス変化を示す図である。

【図６】（ａ）は本発明の第１の実施の形態の磁気媒体
の磁化から発生する外部磁界強度を示す図、（ｂ）は図
４の磁気ヘッドにおけるインピーダンス変化を示す図、
（ｃ）は図５の磁気ヘッドにおけるインピーダンス変化
を示す図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態における磁気ヘッド
パターンの製造工程を示す概略斜視図である。

【図８】図７のＩ−Ｉ断面図である。

【図９】本発明の第３の実施の形態における磁気情報再
生装置の配置図である。

【図１０】本発明の第３の実施の形態における磁気情報
再生装置の回路構成を示すブロック図である。

【図１１】本発明の第４の実施の形態における磁気ヘッ
ドパターンを示す概略斜視図である。

【図１２】図１１のＩＩ−ＩＩ断面図である。

【図１３】本発明の第４の実施の形態における磁気ヘッ
ドパターンから得られる磁気ヘッドとディスク状磁気媒
体との配置図である。

【符号の説明】

１ 非磁性基板 ２ 非磁性薄膜 ３ 磁極 ３ａ 第１の軟磁性薄膜 ３ｂ 第２の軟磁性薄膜 ４ 第１の導体線 ５、６、８、９ 電極 ７ 第２の導体線 １０、１１、１２ 絶縁膜 １３、２８、２９ 磁気ヘッド １４ ディスク状磁気媒体 １５、１６ 端子電極 １７ キャリア信号発生器 １８ 再生信号検出回路 １９ 再生アンプ ２０ 再生信号処理回路 ２１ 出力端子 ２２ インピーダンス素子 ２３ 第３の軟磁性薄膜 ２４ 磁気ギャップ層 ２５ 回転ディスク ２６ 記録層

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基板と、前記非磁性基板上に形成
   された非磁性薄膜と、前記非磁性薄膜上に順次重ねた状
   態で形成された第１及び第２の軟磁性薄膜と、一部が前
   記第１及び第２の軟磁性薄膜間に絶縁挟持された状態で
   前記非磁性薄膜上に形成され、その両端に高周波電圧印
   加用の電極を有する第１の導体線と、一部が前記第２の
   軟磁性薄膜上に絶縁配置された状態で前記非磁性薄膜上
   に形成され、その両端に低周波電圧印加用の電極を有す
   る第２の導体線とを備えた磁気ヘッドパターン。
2. 【請求項２】 第２の軟磁性薄膜と当該第２の軟磁性薄
   膜上の第２の導体線の上に形成された絶縁膜からなる磁
   気ギャップ層と、一端が前記第２の導体線上に位置され
   た状態で前記磁気ギャップ層上に形成された第３の軟磁
   性薄膜とをさらに備えた請求項１に記載の磁気ヘッドパ
   ターン。
3. 【請求項３】 第２の導体線が直線状に形成され、か
   つ、第１及び第２の軟磁性薄膜が前記第２の導体線に沿
   って複数個形成された請求項１又は２に記載の磁気ヘッ
   ドパターン。
4. 【請求項４】 第１の導体線が略Ｕ字状に形成された請
   求項１又は２に記載の磁気ヘッドパターン。
5. 【請求項５】 非磁性基板上に形成された非磁性薄膜上
   に第１の軟磁性膜を形成する工程と、一部を前記第１の
   軟磁性薄膜上に絶縁配置した状態で前記非磁性薄膜上に
   第１の導体線を形成する工程と、前記第１の軟磁性薄膜
   上に第２の軟磁性薄膜を形成する工程と、一部を前記第
   ２の軟磁性膜の先端近傍上に絶縁配置した状態で前記非
   磁性薄膜上に第２の導体線を形成する工程とを備えた磁
   気ヘッドパターンの製造方法。
6. 【請求項６】 第２の軟磁性薄膜と当該第２の軟磁性薄
   膜上の第２の導体線の上に絶縁膜からなる磁気ギャップ
   層を形成する工程と、一端を前記第２の導体線上に位置
   させた状態で前記磁気ギャップ層上に第３の軟磁性薄膜
   を形成する工程とをさらに備えた請求項５に記載の磁気
   ヘッドパターンの製造方法。
7. 【請求項７】 非磁性基板と、前記非磁性基板上に形成
   された非磁性薄膜と、前記非磁性薄膜上に順次重ねた状
   態で形成された第１及び第２の軟磁性薄膜と、一部が前
   記第１及び第２の軟磁性薄膜間に絶縁挟持された状態で
   前記非磁性薄膜上に形成され、その両端に高周波電圧印
   加用の電極を有する第１の導体線と、一部が前記第２の
   軟磁性薄膜上に絶縁配置された状態で前記非磁性薄膜上
   に形成され、その両端に低周波電圧印加用の電極を有す
   る第２の導体線とを備えた磁気ヘッドパターンの前記第
   ２の導体線部分を切除して得られる磁気ヘッドの直流バ
   イアス電流の決定方法であって、前記第２の導体線に低
   周波電流を流し、前記低周波電流の値に応じて変化する
   前記第１及び第２の軟磁性薄膜の透磁率の変化を、前記
   第１の導体線に流した高周波電流によって前記高周波電
   圧印加用の電極間に現れる高周波電圧として測定し、前
   記低周波電流の所定振幅に対して前記高周波電圧の値が
   比例するその中心となる直流電流値をバイアス電流値と
   して決定することを特徴とする磁気ヘッドの直流バイア
   ス電流の決定方法。
8. 【請求項８】 非磁性基板と、前記非磁性基板上に形成
   された非磁性薄膜と、前記非磁性薄膜上に順次重ねた状
   態で形成された第１及び第２の軟磁性薄膜と、一部が前
   記第１及び第２の軟磁性薄膜間に絶縁挟持された状態で
   前記非磁性薄膜上に形成され、その両端に高周波電圧印
   加用の電極を有する第１の導体線と、一部が前記第２の
   軟磁性薄膜上に絶縁配置された状態で前記非磁性薄膜上
   に形成され、その両端に低周波電圧印加用の電極を有す
   る第２の導体線とを備えた磁気ヘッドパターンの前記第
   ２の導体線部分を切除して得られた磁気ヘッドと、前記
   第１の導体線の両端の高周波電圧印加用の電極に直流バ
   イアスされた定電流の高周波信号を印加するキャリア信
   号印加手段と、磁気媒体の磁気情報から生じる外部磁界
   に基づいて変化する前記高周波電圧印加用の電極間の高
   周波電圧を検出する高周波電圧検出手段とを備えた磁気
   情報再生装置。
9. 【請求項９】 高周波電圧検出手段によって検出された
   高周波電圧をＡＭ復調するＡＭ復調手段をさらに備えた
   請求項８に記載の磁気情報再生装置。