JPH11213305A - 磁気再生方法および磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 外部磁界によってインピーダンスが変化する
ことを利用して磁気記録媒体の磁化情報を再生する再生
方法と、この再生を行う磁気ヘッドの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 本発明の再生方法は、磁気ギャップ７を
有する上部コア１と下部コア２との間に存在する導体線
３に電極端子５、６から直流バイアスされた高周波のキ
ャリア電流を流し、上下コアの透磁率の変化によって導
体線３のインピーダンスが外部磁化８の強度に応じて変
化することを利用して外部磁化の変化を出力電圧の変化
として取り出す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、映像、音声、文字
等に関する情報が磁化の向きと強さ等で記録されている
磁気記憶媒体から情報を読みとり再生する磁気再生方法
およびこの磁気再生方法を実施する磁気ヘッドの製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年ますます、情報記憶装置の高記録密
度化とともに小型化及び大容量化の要求が強くなってい
る。記憶装置の記憶容量が大容量になればなるほど、記
録情報へのアクセス速度や情報の転送速度などの高速化
が求められる。

【０００３】このような要求に対して、ハードディスク
装置（以下ＨＤＤ装置と記す）では、特開昭５５−８４
０２０号公報に開示されている様なインダクティブ型の
薄膜磁気ヘッドの使用が主流になりつつある。前記薄膜
磁気ヘッドは、それ以前のバルク型ヘッドに比べてイン
ダクタンスが低く、より高い周波数での記録再生ができ
る。

【０００４】しかしながら、ＨＤＤ装置の小型化によ
り、ディスク径が小さくなってヘッドと記録媒体間の相
対速度が低下するに従い、磁束応答型の再生ヘッドが望
まれるようになってきた。その様な状況で、磁束応答型
で狭トラック化に対しても有利な、単位トラック幅当た
りの出力（感度）が高い磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子：
Magneto-Resistance素子）を用いたＭＲ再生ヘッドが注
目されている。そして、実際には前記インダクティブ型
薄膜ヘッドと複合した形の複合型ＭＲヘッドが実用化さ
れている。

【０００５】また最近では、さらに再生出力を向上させ
るため、より大きな磁気抵抗効果を示す薄膜材料を用い
た巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）による複合型ＭＲヘッド
の研究開発も盛んに行われている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】大容量記憶を実現する
ために重要な点は記憶されたデータを再生する際の再生
感度であり、その点においてＭＲ効果による複合型ＭＲ
ヘッドは有望である。

【０００７】しかしながら、ＭＲ効果をその再生原理に
用いる場合、ＭＲ素子の回りにはシールド層や再生用の
ギャップが必要である。またＭＲ膜を単磁区化する必要
がある。さらに線形の再生を行うにはバイアス磁界が必
要で、ヘッド構造としてはそれ以前のインダクティブ型
のヘッドよりかなり複雑である。

【０００８】磁気ヘッドの構造が複雑になれば、それだ
け高度な製造技術が要求され、高い歩留まりを確保する
ことが難しくなることは言うまでもない。本発明は、上
記の問題点に鑑み、再生感度の高い磁気再生方法を実施
するための、比較的簡単な構造で再生感度が従来のイン
ダクティブ型のヘッドよりも優れた磁気ヘッドの製造方
法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気再生方法
は、絶縁体からなる基板と、前記基板上に形成された軟
磁性膜と、前記軟磁性膜を通る磁力線の方向に交流磁界
を印加する機能を有する導体膜と、前記導体膜の両端に
接続され、かつ前記導体膜に直流でバイアスされた交流
電流を流すための少なくとも１対の電極端子と、前記導
体膜に接続され且つ前記導体膜に流れる電流によって生
じる電圧を検出するための前記１対の電極端子とは異な
る他の少なくとも１対の電極端子とを備えた磁気ヘッド
の再生方式であって、前記１対の電極端子に直流バイア
スされた高周波電流を通電しつつ前記磁気ヘッドで磁気
記録媒体上をトレースする際に、前記磁気記録媒体から
の漏洩磁界の強さに応じて変化する前記高周波電流の逆
起電圧信号を検出して再生出力を得るものである。

【００１０】本発明の磁気ヘッドの製造方法は、絶縁体
からなる基板上に所定のパターンの第１の軟磁性層を形
成するステップと、前記第１の軟磁性層の上に前記第１
の軟磁性層を通る磁力線に直交する方向に前記第１の軟
磁性層を横断する様に線状の第１の導体層を形成するス
テップと、前記第１の軟磁性層の上に所定形状に成膜加
工され磁気ギャップとなる非磁性層を形成するステップ
と、前記第１の軟磁性層の上に前記第１の導体層と非磁
性層とをはさんで第２の軟磁性層を形成するステップ
と、前記第１の導体層の所定部を外表面に露出させつつ
前記基板の面に所定の誘電率を有する誘電体層を形成す
るステップと、前記誘電体層の上に前記第１の導体層と
接続されかつ所定形状に加工された第２の導体層を形成
するステップと、前記第１の導体層と前記第２の導体層
と接続された電極端子を形成するステップと、前記電極
端子を保護するための保護層を形成するステップと、前
記保護層から前記電極端子を表面に露出させるための保
護層除去ステップとを有することを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】第１の実施例は本発明の磁気ヘッ
ドの構造とその再生方法に関するものであり、第２の実
施例は本発明の磁気ヘッドの製造方法に関するものであ
る。

【００１２】《第１実施例》第１の実施例を、図１ない
し図７を用いて以下に説明する。図１は、本発明の磁気
ヘッドの斜視図である。図２の（ａ）は図１のII−II断
面図、図２の（ｂ）は、図１の面Ｋから見た正面図、図
３は、図１における磁気ヘッドの各要素を図の上下方向
に分離して細部の構造を解りやすく示した分離斜視図で
ある。図４は、直流磁界を与える導体層６０を有する磁
気ヘッドの例の上下方向に分離して示した斜視図であ
り、図５は図４に示す磁気ヘッドのＶ−Ｖ断面図であ
る。図６は、図１の磁気ヘッドの再生動作を説明するた
めの図であり、図６の（ａ）は磁気ヘッドと記録媒体と
の位置関係を示した図であって、図６の（ｂ）は図１の
磁気ヘッドの磁気コアをインピーダンス素子としたとき
の等価回路図である。また、図７の（ａ）及び（ｂ）
は、図６の（ｂ）の等価回路における磁気ヘッドの再生
電圧波形を示したものである。

【００１３】図１ないし図３において、基板１００は、
例えば厚さ２ｍｍの導電性セラミック板やガラス板等で
ある。導電性セラミック板など導電性基板を用いるとき
は表面に厚さ約２０μｍのアルミナ膜５１が被着されて
鏡面加工されている。基板１００のアルミナ膜５１の表
面に形成された上部コア１はNiFe合金よりなる厚さ約
１．５μｍの軟磁性薄膜である。下部コア２も、NiFe合
金よりなる軟磁性薄膜である。

【００１４】導体コイル３は、前記上部コア１と下部コ
ア２に挟まれた厚さ約１μｍのCu薄膜により形成され再
生回路系のグランド端子でもある。２本の導体線４ａ、
４ｂの一方の端部は、前記導体コイル３の枝分かれした
２つの端部にそれぞれ電気的に接続されている。導体線
４ａ、４ｂの材質は導体コイル３と同様のCu薄膜等でも
よいが、本実施例では厚さ０．５μｍの高抵抗のTa薄膜
である。導体線４ａ、４ｂは所定周波数でのインピーダ
ンス値が所望の値になるように幅および長さが調整され
ていることが重要である。２本の導体線４ａ、４ｂの他
方の端部はそれぞれ電極端子５及び６に接続されてい
る。

【００１５】上部コア１と下部コア２との間に磁気ギャ
ップを設けるために、厚さ約０．３μｍのCu膜等の非磁
性膜によって磁気ギャップ部７が形成されている。矢印
８は、記録媒体中に記録された磁化（以下、磁化８と記
す）をベクトル表示したものであり、この磁化８は基板
１００の表面に垂直である。矢印９は、前記磁化８が磁
気ギャップ部７の近傍にある時、磁化８からの漏洩磁界
によって上部コア１及び下部コア２の内部を通る磁束の
方向を示すものである。導体線１０は、端部１０Ａが前
記導体コイル３に接続されているが、他の部分ではアル
ミナ膜５７を介して所定の間隔を保ちつつ上部コア１の
上を横断するように配置されている。電極端子１１は、
前記導体線１０の他端に接続されている。電極端子１２
は前記導体コイル３の端部に接続されている。

【００１６】図６の（ｂ）において、インピーダンス素
子２９は図１で示した磁気ヘッドを等価的に示したもの
である。キャリア信号発生器２２は、インピーダンス素
子２９に交流の定電流を流すための信号源であり、直流
バイアスを与えるための直流電源２７が直列に接続され
て、電極端子５と６に接続されている。直流電源２７に
よる直流バイアスによって上部コア１及び下部コア２に
強度及び方向が一定の直流バイアス磁界が生じる。抵抗
Ｒは導体線４ａ、４ｂの直流抵抗を表す。

【００１７】図４及び図５は、上部コア１及び下部コア
２に上記の方法とは異なる方法で直流バイアス磁界を生
じさせるための構成を示す各要素を分離した斜視図及び
断面図である。両図において、アルミナ膜５１の上に導
体膜６０を設ける。次に導体膜６０上に絶縁物としてア
ルミナ膜６３を設け、その上に下部コア２を設けてい
る。導体膜６０の両端はそれぞれ電極端子６１及び６２
に接続されている。両電極端子６１及び６２を直流電源
（図示省略）に接続し、直流電流を流すことにより、上
部コア１及び下部コア２に直流バイアス磁界を生じさせ
る。直流バイアス磁界を生じさせるための他の方法とし
て、上部コア１及び下部コア２の近傍に永久磁界を配置
してもよい。電極端子１１と１２は電圧信号を出力する
端子である。

【００１８】以下に本実施例の磁気ヘッドによる信号再
生の動作を説明する。磁気ヘッドの磁気ギャップ部７が
図６の（ａ）に示すように、記録媒体２６の磁化８上に
ある時、図１に示した様に、上部コア１と下部コア２の
内部を図において矢印９で示す磁束（以下、磁束９と記
す）が通り磁束９によって磁化されている状態となる。
磁化によって上部コア１と下部コア２の透磁率は低下す
る。その結果磁気によりインピーダンスが変化する効果
により、図６の（ｂ）におけるインピーダンス素子２９
のインピーダンスが低下するのと等価な状態になる。こ
のとき導体線４に交流の定電流を流しているので、電極
端子１１と１２の間にはそのインピーダンスに比例した
逆起電圧が発生する。すなわち電極端子１１と１２から
出力される出力電圧値は、インピーダンス値すなわち透
磁率に比例している。出力電圧値は流入する磁束９の量
すなわち磁化８の強さに比例することになり、いわゆる
磁束応答型の再生が行われることになる。出力電圧値を
大きくするためには、インピーダンスが大きいほど好ま
しく、またその磁界応答性が高いことが望まれる。従っ
て、磁気コアの透磁率が高い範囲でできるだけ高い周波
数の定電流を流すのが好ましい。

【００１９】磁気ヘッド２００と磁気記録媒体２６が図
６の（ａ）に示したような位置関係にあり、記録媒体内
の磁化８からの漏洩磁界が周期Ｔで極性を変えて磁気ヘ
ッド２００の磁気ギャップに与えられている場合の動作
を図７を用いて説明する。図７の（ａ）及び（ｂ）は、
それぞれ上部コア１と下部コア２に直流バイアス磁界を
加えていないときと、加えているときにおける出力電圧
Ｖを示したものである。図７の（ａ）及び（ｂ）におい
て、左側の図はそれぞれ、横軸に磁化８の強さを示し、
縦軸にインピーダンス素子２９のインピーダンスＺの値
を示す。また右側の図はそれぞれ、出力電圧Ｖの波形を
示す。

【００２０】図７の（ａ）に示したように、直流バイア
ス磁界を加えていない場合は、ヘッド２００のインピー
ダンスＺの変化は小さく、且つ、出力電圧Ｖのレベル変
化は磁化８の極性には依存せず磁化８の大きさのみに依
存している。また図７の（ｂ）に示したように、直流バ
イアス磁界Hbiasを加えている場合は、インピーダンス
の変化も大きく且つ磁化８の極性によって、そのインピ
ーダンスの大きさが異なっている。

【００２１】この様に、上部コア1及び下部コア２に直
流バイアス磁界を加えることによって磁化８の極性とそ
の大きさが図７の（ｂ）の右側の図に示すように、より
明確に出力電圧Ｖに反映される。以上説明してきたよう
に、本発明によると、従来のＭＲ効果によるヘッドに比
べて比較的簡単な構成で磁束応答型の再生ヘッドが得ら
れる。

【００２２】図８は、本発明の磁気ヘッドを用いた磁気
再生装置の構成を示すブロック図である。磁気ヘッド２
００は、図６の（ｂ）に示した等価回路と同様である。
直流バイアス電源２７が直列接続された高周波の定電流
源２２は、端子５と６の間に接続され、磁気ヘッド２０
０に振幅一定の高周波キャリア電流を流す。ＡＭ検波器
４６は、電極端子１１、１２に接続され、外部磁化８の
漏洩磁界によって生じるインピーダンス変化に応じた上
部コア１と下部コア２と磁気ギャップ７から成るＭＩ素
子部で生じるＡＭ波形の逆起電圧Ｖを検波し再生電圧を
出力する。再生アンプ４７は、前記ＡＭ検波器４６に接
続され、再生電圧を増幅し、出力する。復調回路４８
は、入力された再生電圧から例えば１や０で表現される
ようなデジタル再生信号を取り出す。

【００２３】以下に信号再生の動作を詳しく説明する。
まず、磁気ヘッド２００の電極５及び６には高周波の定
電流源２２から一定振幅の高周波電流（例えば７００Ｍ
Ｈｚ）が流されている。この状態で、図１に示した様に
外部磁化８が磁気ギャップ部７の近傍に有れば、その漏
洩磁界によって、図８に示した、磁気によりインピーダ
ンスが変化する素子のＭＩ素子部である、インピーダン
ス素子２９のインピーダンスが変化する。図７の（ｂ）
に示すように、適当な直流バイアス磁界を加えているの
で、外部磁化８からの漏洩磁界の強度と方向に応じてイ
ンピーダンスが大きく変化する。

【００２４】図８において、ＭＩ素子部のインピーダン
ス素子２９には一定振幅の高周波電流がキャリア電流と
して流れているので、ＭＩ素子部のインピーダンス素子
２９の両端の電極端子１１、１２間には前記キャリア周
波数における高周波電圧が生じている。

【００２５】前記の高周波電圧は、インピーダンス素子
２９のインピーダンス変化に応じて変化し、図７の
（ｂ）の右の図に示す波形の出力電圧Ｖが得られる。こ
の出力電圧ＶはＡＭ検波器４６に入力されてＡＭ検波さ
れ、図７の（ｂ）の右側の波形図に太線の放絡線で示す
出力信号が得られる。この出力信号は再生アンプ４７で
増幅され、復調回路４８で復調されて、再生出力とな
る。

【００２６】《第２実施例》以下に第２の実施例とし
て、図９と図１０を用いて本発明の磁気ヘッドの製造方
法を説明する。まず図９を用いて本発明の第１の製造方
法を説明する。図９の（Ａ）ないし（Ｊ）は、磁気ヘッ
ドの断面図であり、各断面図の左側面が、図１の面Ｋに
相当する。第１の製造方法は、前記断面図の（Ａ）ない
し（Ｊ）で示す工程を有する。以後図５の（Ａ）ないし
（Ｊ）を、それぞれ工程ＡないしＪと称する。以下に詳
細に説明する工程ＡないしＪにおける各要素の材質及び
厚さ等はいずれもそれぞれのものの１例を示すものであ
り、これらに限定されるものではなく、他の材質、厚さ
等を選択することも本発明の範囲内である。

【００２７】工程Ａ：基板１００は、例えば厚さ２ｍｍ
のアルミナ・チタンカーバイド(AlTiC)基板上にアルミ
ナ膜５１を被着し鏡面加工したものである。 工程Ｂ：基板１００のアルミナ膜５１の全面に、１．５
μｍ厚の第１の軟磁性層としてのNiFe合金層５１を形成
し、所定のマクスを用いたイオンミリング処理により、
NiFe合金層の下部コア２となる部分のみを残して他の部
分を除去する。

【００２８】工程Ｃ：導体線４を、Ta膜のスパッタリン
グとイオンミリング処理により形成する。この工程で、
導体線４の７００ＭＨｚでのインピーダンスが５０オー
ムになるようにTa膜の厚さと幅が設定される。 工程Ｄ：Cuのスパッタリングとイオンミリング処理によ
り、導体コイル３を形成する。導体コイル３は導体線４
に接続されるように形成される。導体コイル３は下部コ
ア２の上の一部分にも形成される。

【００２９】工程Ｅ：下部コア２の上の左側の領域にCu
のスパッタリングとイオンミリング処理により、磁気ギ
ャップ部７として働くCuの膜（厚さ０.３μｍ）を形成
する。Cuの膜は導体コイル３の上にも形成されて、導体
コイル３の厚さはその分厚くなる。この部分は後の工程
で電極端子５、６、１１及び１２を形成するときの土台
となる部分である。磁気ギャップ部７を形成する膜は非
磁性体の膜であればCu以外の材料を用いてもよい。 工程Ｆ：下部コア２の上と磁気ギャップ７のCu層の上に
第２の軟磁性層である上部コア１を、NiFe合金のスパッ
タリングとイオンミリング処理により形成する。

【００３０】工程Ｇ：電極端子５、６、１１及び１２と
なる部分を除く基板１００の各要素の全面に、アルミナ
膜などの誘電体膜５７をスパッタリングとイオンミリン
グ処理により形成する。 工程Ｈ：誘電体膜５７の上に導体線１０を形成し、かつ
Cu層の上に電極端子５、６、１１及び１２を、Cuのスパ
ッタリングとイオンミリング処理により形成する。導体
線１０は、工程（４）で形成された下部コア２の上の導
体コイル３と誘電体膜５７を介して対向し、マイクロス
トリップラインの構造を形成する。

【００３１】工程Ｉ：電極端子５、６、１１、１２の上
にCuのスパッタリングにより導電層を形成し電極端子
５、６、１１、１２の高さを高くする。次に工程Ａない
しＨで形成された各要素を含む基板１００の全面にスパ
ッタリングにより、アルミナ膜を保護膜１８として形成
する。形成された保護膜１８の表面には、内部の各要素
の凹凸に応じた凹凸部が生じる。 工程Ｊ：保護膜１８の表面をラッピング処理により凹凸
部を削り平坦にするとともに、イオンミリングにより、
電極端子５、６、１１及び１２の部分の保護膜１８を除
去して孔５Ａを形成し、電極端子５、６、１１、１２を
露出させる。

【００３２】次に図１０を参照して本発明の第２の製造
方法を説明する。第２の製造方法では、工程ＡとＢは図
９の第１の製造方法と同じであるので重複する説明を省
略する。

【００３３】工程Ｃ：Cuのスパッタリングとイオンミリ
ング処理により下部コア２の上に導体コイル３を形成す
るとともに基板１００の上に導体コイル３を形成する。 工程Ｄ：下部コア２の上にCuのスパッタリングとイオン
ミリング処理により、磁気ギャップ部７として働くCuの
膜（厚さ０.４μｍ）を形成する。

【００３４】工程Ｅ：NiFe合金のスパッタリングとイオ
ンミリング処理により、下部コア２の上と、磁気ギャッ
プ部７を形成するCu膜の上に上部コア１を形成する。 工程Ｆ：Ta膜のスパッタリングとイオンミリング処理に
より、導体コイル３の上に高周波のキャリア信号電流を
流すための導体線４を形成する。導体線４の線幅と膜厚
は、所定の周波数のキャリア電流を流す導体線の電極端
子５及び６の間のインピーダンスが所定値になるように
設定される。

【００３５】工程Ｇ：導体線４を除く基板１００上の各
要素の全面に膜厚３μｍのアルミナ膜による誘電体膜５
７をスパッタリングとイオンミリング処理により形成す
る。導体線４はマイクロストリップラインの要素として
働く。 工程Ｈ：誘電体膜５７の上の導体コイル３に対向する部
分に導体線１０を、Cuのスパッタリングとイオンミリン
グ処理により形成する。また同時に電極端子５、６、１
１、１２の基台となる導体部５ＢをCu膜により形成す
る。

【００３６】工程Ｉ：Cuのスパッタリング又は電気メッ
キにより、導体部５Ｂの上に電極端子５、６、１１、１
２を形成して高さを５ないし１５μｍにする。スパッタ
リングによる場合は、全面にCu膜を設けた後、エッチン
グにより電極端子５、６、１１、１２の部分を形成す
る。電気メッキ法の場合は電気メッキ用の電極薄膜を形
成した後エッチングする。本実施例では、約１０μｍの
Cu膜をスパッタリングで形成し、イオンミリング処理に
より電極端子５、６、１１、１２以外の部分を除去し
た。 工程Ｊ：各要素を有する基板１００の上に保護膜として
の厚さ約３５μｍのアルミナ膜を形成し、次にラッピン
グにより表面を平坦にするとともに、イオンミリングに
より電極端子５、６、１１、１２部のアルミナ膜を除去
して電極端子５---１２を露出させる。

【００３７】軟磁性層としては、例えばＣｏ系のアモル
ファス膜でも良いし、Ｆｅ系の膜でも良い。また製法も
蒸着やスパッターメッキ等様々な薄膜製法を用いること
ができる。さらに、高周波での透磁率を高めるための多
層化や異方性磁界の調整なども、必要に応じて行えばよ
いことは言うまでもない。さらに基板の材質や保護膜の
材質及び製法も本実施例に限定されるものではない。

【００３８】

【発明の効果】本発明の磁気ヘッドは、簡単な構造なの
でその製造工程も単純であって、比較的高い歩留まりを
確保しやすく、量産性に優れている。さらに、磁気によ
るインピーダンスの変化に基づいて再生するので従来よ
りも感度の高い再生が可能になり、より一層記録密度の
高密度化がはかれる。さらに従来のＭＲヘッドと同様に
磁束応答型なので、磁気ディスクの回転速度が低い小型
の磁気再生装置においても高い再生感度が得られ、磁気
再生装置の小型化及び低速度化にも対応できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の磁気ヘッドの斜視図

【図２】 （ａ）は図１のII−II断面図 （ｂ）は図１の面Ｋの正面図

【図３】 図１における各要素を図の上下方向に分離し
て示した斜視図

【図４】 本発明の磁気ヘッドの他の構成例の、各要素
を図の上下方向に分離して示した斜視図

【図５】 図４に示す磁気ヘッドのＶ−Ｖ断面図

【図６】（ａ）は本発明の磁気ヘッドと磁気記録媒体と
の相対位置を示す図 （ｂ）は本発明の磁気ヘッドの等価回路

【図７】（ａ）は直流バイアス磁界がない場合の本発明
の磁気ヘッドの再生動作の説明図 （ｂ）は直流バイアス磁界がある場合の本発明の磁気ヘ
ッドの再生動作の説明図

【図８】 本発明の磁気ヘッドを用いた磁気再生装置の
ブロック図

【図９】 本発明の磁気ヘッドの第１の製造法を示す断
面図

【図１０】 本発明の磁気ヘッドの第２の製造法を示す
断面図

【符号の説明】

１ 上部コア ２ 下部コア ３ 導体コイル ４ 導体線 ５、６、１１、１２、６１、６２ 電極端子 ７ 磁気ギャップ部 ８ 磁化 ９ 上部磁性膜中の磁束 １０ 導体線 １００ 基板 ２００ 磁気ヘッド ２６ 磁気ディスク ２９ インピーダンス素子 ２２ 高周波定電流源 ４６ ＡＭ検波器 ４７ 再生アンプ ４８ 復調回路

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁体の基板と、 前記基板上に形成された軟磁性膜と、 前記軟磁性膜を通る磁力線に並行する方向に交流磁界を
   印加するための導体膜と、 前記導体膜の両端に接続され、前記導体膜に直流でバイ
   アスされた交流電流を流すための少なくとも１対の電極
   端子と、 前記導体膜に接続され且つ前記導体膜に流れる電流によ
   って生じる電圧を検出するための前記１対の電極端子と
   は異なる他の少なくとも１対の電極端子とを備えた磁気
   ヘッドの再生方式であって、 前記１対の電極端子に、直流でバイアスされた高周波電
   流を通電しつつ前記磁気ヘッドを磁気記録媒体上をトレ
   ースさせ、前記磁気記録媒体からの漏洩磁界によって変
   化する前記高周波電流に基づく電圧信号を検出し、前記
   磁気記録媒体に記録された情報を再生する磁気再生方
   法。
2. 【請求項２】 絶縁体基板の上に所定のパターンの第１
   の軟磁性層を形成するステップと、 前記第１の軟磁性層の上に前記第１の軟磁性層を通る磁
   力線に直交する方向に第１の軟磁性層を横断する様に線
   状の第１の導体層を形成するステップと、 前記第１の軟磁性層の上に所定形状の磁気ギャップとし
   て働く非磁性層を形成するステップと、 前記第１の軟磁性層の上に前記第１の導体層と非磁性層
   をはさんで第２の軟磁性層を形成するステップと、 前記第１の導体層の所定部を外表面に露出させつつ、前
   記基板の面に所定の誘電率を有する誘電体層を形成する
   ステップと、 前記誘電体層の上に形成され、前記第１の導体層の外表
   面へ露出した所定部と接続されかつ所定形状に加工され
   た第２の導体層を形成するステップと、 前記第１の導体層と前記第２の導体層とに接続された電
   極端子を形成するステップと、 前記電極端子を保護するための保護層を形成するステッ
   プと、 前記保護層から前記電極端子を露出させるための保護層
   除去ステップとを有することを特徴とする磁気ヘッドの
   製造方法。