JP2002025014A - 磁気トンネル効果型磁気ヘッド及び記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 一対の磁気シールド層の間に導電性ギャップ
層を介して磁気トンネル接合素子が挟み込まれてなる構
造において、磁気記録媒体に対する良好な媒体対向面を
得ることを可能とする。 【解決手段】 一対の磁気シールド層２４，２８の間に
導電性ギャップ層２５，２７を介して磁気トンネル接合
素子２６が配されてなる磁気トンネル効果型磁気ヘッド
２０において、導電性ギャップ層２５，２７は、Ｔａ，
Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから選ば
れる１種の金属単体を含有する少なくとも１層以上の非
磁性金属膜からなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一対の磁気シール
ド層の間に導電性ギャップ層を介して磁気トンネル接合
素子が配されてなる磁気トンネル効果型磁気ヘッド、並
びにそのような磁気トンネル効果型磁気ヘッドを用い
て、磁気記録媒体に対する信号の記録及び／又は再生を
行う記録再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、一対の磁性層で薄い絶縁層を
挟持してなる積層構造において、一対の磁性層間に所定
の電圧を印加すると、絶縁層を介して流れる、いわゆる
トンネル電流のコンダクタンスが一対の磁性層の磁化の
相対角度に依存して変化する、いわゆる磁気トンネル効
果が知られている。すなわち、一対の磁性層で薄い絶縁
層を挟持してなる積層構造では、絶縁層に流れるトンネ
ル電流に対する磁気抵抗効果を示すのである。

【０００３】この磁気トンネル効果では、一対の磁性層
の磁化の分極率により磁気抵抗比を理論的に算出でき、
特に、一対の磁性層にＦｅを用いた場合には、約４０％
の磁気抵抗比を期待することができる。

【０００４】このため、一対の磁性層で薄い絶縁層を挟
持してなる積層構造を有する磁気トンネル接合素子（以
下、ＴＭＲ素子という。）が磁気抵抗効果素子として注
目を集めており、特に、磁気ヘッドの分野において、こ
のＴＭＲ素子を磁気記録媒体からの磁気信号を検出する
感磁素子として用いる、いわゆる磁気トンネル効果型磁
気ヘッド（以下、ＴＭＲヘッドという。）が注目されて
いる。

【０００５】ここで、このようなＴＭＲヘッドの一例を
図４５に示す。なお、図４５は、このＴＭＲヘッド１０
０を媒体対向面側から見た概略端面図である。

【０００６】このＴＭＲヘッド１００は、上下一対の磁
気シールド層１０１，１０２によりギャップ層１０３を
介してＴＭＲ素子１０４が挟み込まれてなる、いわゆる
シールド型ＴＭＲヘッドであり、これら各構成要素が薄
膜積層工程によって基板１０５上に積層された構造を有
している。このＴＭＲヘッド１００において、一対の磁
気シールド層１０１，１０２は、ＴＭＲ素子１０４に対
する電極としての機能を有しており、これらの間には、
ギャップ層１０３のうち、一対のシールド層１０１とＴ
ＭＲ素子１０４とを電気的に接続する非磁性導電性膜１
０６，１０７が配されている。また、このＴＭＲヘッド
１００では、非磁性導電性膜１０７の突出部１０７ａと
当接された部分が、このＴＭＲ素子１０４の感磁部１０
４ａとなり、この幅が再生トラック幅Ｔｗとされてい
る。

【０００７】一方、図４６に示す従来のシールド型ＭＲ
ヘッド２００は、上下一対の磁気シールド層２０１，２
０２によりギャップ層２０３を介してＭＲ素子２０４及
びその両端部に形成された一対の導電膜２０５，２０６
が挟持されてなり、これら各構成要素が薄膜形成工程に
よって基板２０７上に積層された構造を有している。ま
た、このＭＲヘッド２００では、一対の導電膜２０５，
２０６に挟み込まれた部分が、このＭＲ素子２０４の感
磁部２０４ａとなり、この幅が再生トラック幅Ｔｗとさ
れている。なお、図４６は、このＭＲヘッド２００を媒
体対向面側から見た概略端面図である。

【０００８】このシールド型ＭＲヘッド２００では、高
記録密度化に対応して挟ギャップ化が進むと、ギャップ
層２０３を形成する非磁性非導電性膜の膜厚が薄くな
る。特に、上層側の非磁性非導電性膜は、ＭＲ素子２０
４の両端部に配された一対の導電体膜２０５，２０６が
段差部を形成するために、このような段差部上に非磁性
非導電性膜を成膜する場合、全面に亘って均一な膜厚で
成膜することが困難となる。そして、磁気記録媒体に対
して高密度で記録された信号の再生を行うために、一対
の磁気シールド層２０１，２０２とＭＲ素子２０４との
間の距離、すなわちシールド間距離を狭くした場合に
は、この一対の磁気シールド層２０１，２０２とＭＲ素
子２０４との絶縁性を確保することが非常に困難となっ
てしまう。

【０００９】それに対して、図４５に示すＴＭＲヘッド
１００では、一対の磁気シールド層１０１，１０２が電
極としての機能を果たすことにより、ギャップ層１０３
の膜厚を薄くすることができ、一対の磁気シールド層１
０１，１０２とＴＭＲ素子１０４との間の距離を狭くす
ることができる。したがって、このＴＭＲヘッド１００
では、挟ギャップ化が可能となり、磁気記録媒体のさら
なる高記録密度化に対応することが可能となる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うなＴＭＲヘッド１００を製造する際は、例えば略円盤
状の基板を用意し、この基板上にＴＭＲヘッド１００の
各構成要素を薄膜形成工程によって順次積層した後、こ
の基板を個々のヘッドチップとして切り出すことによ
り、複数のＴＭＲヘッド１００が一括して作製されるこ
ととなる。

【００１１】しかしながら、このＴＭＲヘッド１００の
作製工程において、定盤を用いた研磨加工によりＴＭＲ
素子１０４のデプス方向の高さを調整した際に、ギャッ
プ層１０３を構成する非磁性導電性膜１０６，１０７が
研磨されずに引き伸ばされてしまい、このＴＭＲ素子１
０４を挟み込む一対の磁気シールド層１０１，１０２の
電気的な短絡を生じさせてしまうことがあった。すなわ
ち、作製されたＴＭＲヘッド１００の媒体対向面には、
図４７に示すような非磁性導電性膜１０６，１０７が引
き伸ばされてなる欠陥部分１０８が生じてしまうことが
あった。

【００１２】この場合、作製されたＴＭＲヘッド１００
では、ＴＭＲ素子１０４の感磁部１０４ａに電流が流れ
ずに、磁気記録媒体からの再生出力がほとんど検出され
ないといった不具合が生ずることとなる。

【００１３】そこで、本発明はこのような従来の事情に
鑑みて提案されたものであり、一対の磁気シールド層の
間に導電性ギャップ層を介して磁気トンネル接合素子が
挟み込まれてなる構造において、磁気記録媒体に対する
良好な媒体対向面を得ることを可能とすることにより、
歩留りの向上した高品質の磁気トンネル効果型磁気ヘッ
ド、並びにそのような磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用い
て磁気記録媒体に対する信号の記録及び／又は再生を行
う記録再生装置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この目的を達成する本発
明に係る磁気トンネル効果型磁気ヘッドは、一対の磁気
シールド層の間に導電性ギャップ層を介して磁気トンネ
ル接合素子が配されてなる磁気トンネル効果型磁気ヘッ
ドである。そして、導電性ギャップ層は、Ｔａ，Ｔｉ，
Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから選ばれる１
種の金属単体を含有する少なくとも１層以上の非磁性金
属膜からなることを特徴とする。

【００１５】この磁気トンネル効果型磁気ヘッドでは、
導電性ギャップ層が、Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから選ばれる１種の金属単体を含
有する少なくとも１層以上の非磁性金属膜からなること
から、磁気記録媒体に対する良好な媒体対向面を得るこ
とができる。

【００１６】また、この目的を達成する本発明に係る磁
気トンネル効果型磁気ヘッドは、一対の磁気シールド層
の間に導電性ギャップ層を介して磁気トンネル接合素子
が配されてなる磁気トンネル効果型磁気ヘッドである。
そして、導電性ギャップ層は、Ａｌ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａ
ｕ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのう
ちから選ばれる２種類以上の元素からなる合金を含有す
る少なくとも１層以上の非磁性金属膜からなることを特
徴とする。

【００１７】この磁気トンネル効果型磁気ヘッドでは、
導電性ギャップ層が、Ａｌ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｔａ，
Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから選ば
れる２種類以上の元素からなる合金を含有する少なくと
も１層以上の非磁性金属膜からなることから、磁気記録
媒体に対する良好な媒体対向面を得ることができる。

【００１８】また、この目的を達成する本発明に係る記
録再生装置は、一対の磁気シールド層の間に導電性ギャ
ップ層を介して磁気トンネル接合素子が配されてなる磁
気トンネル効果型磁気ヘッドを用いて、磁気記録媒体に
対する信号の記録及び／又は再生を行う記録再生装置で
ある。そして、磁気トンネル効果型磁気ヘッドの導電性
ギャップ層は、Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｚｒのうちから選ばれる１種の金属単体を含有する
少なくとも１層以上の非磁性金属膜からなることを特徴
とする。

【００１９】この記録再生装置では、磁気トンネル効果
型磁気ヘッドの導電性ギャップ層が、Ｔａ，Ｔｉ，Ｃ
ｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから選ばれる１種
の金属単体を含有する少なくとも１層以上の非磁性金属
膜からなることから、この磁気トンネル効果型磁気ヘッ
ドが磁気記録媒体に対して良好な媒体対向面を得ること
ができる。したがって、この記録再生装置では、磁気記
録媒体に対する信号の再生を適切に行うことができる。

【００２０】また、この目的を達成する本発明に係る記
録再生装置は、一対の磁気シールド層の間に導電性ギャ
ップ層を介して磁気トンネル接合素子が配されてなる磁
気トンネル効果型磁気ヘッドを用いて、磁気記録媒体に
対する信号の記録及び／又は再生を行う記録再生装置で
ある。そして、磁気トンネル効果型磁気ヘッドの導電性
ギャップ層は、Ａｌ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｔａ，Ｔｉ，
Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから選ばれる２
種類以上の元素からなる合金を含有する少なくとも１層
以上の非磁性金属膜からなることを特徴とする。

【００２１】この記録再生装置では、磁気トンネル効果
型磁気ヘッドの導電性ギャップ層が、Ａｌ，Ｐｔ，Ｃ
ｕ，Ａｕ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚ
ｒのうちから選ばれる２種類以上の元素からなる合金を
含有する少なくとも１層以上の非磁性金属膜からなるこ
とから、この磁気トンネル効果型磁気ヘッドが磁気記録
媒体に対して良好な媒体対向面を得ることができる。し
たがって、この記録再生装置では、磁気記録媒体に対す
る信号の再生を適切に行うことができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００２３】なお、以下の説明で用いる図面は、特徴を
わかりやすくするために、特徴となる部分を拡大して示
している場合があり、各構成要素の寸法比率が実際と同
じであるとは限らない。

【００２４】本発明の実施の形態として図１に示すハー
ドディスクドライブ装置は、図示を省略する筐体の内部
に設けられた装置本体１のシャーシ２上に、スピンドル
モータにより回転駆動される磁気ディスク３と、この磁
気ディスク３に対して情報信号の記録又は再生を行う磁
気ヘッドが搭載されたヘッドスライダ４を先端部に有す
るヘッドアクチュエータ５とを備えている。

【００２５】また、このハードディスクドライブ装置
は、シャーシ２の磁気ディスク３やヘッドアクチュエー
タ５等が実装される面とは反対側のシャーシ２上に、記
録再生時に信号処理等を行う信号処理回路や、磁気ヘッ
ドのサーボ制御等を行うサーボ制御回路、システム全体
の制御を行うシステムコントローラ等の各制御回路６を
備えている。

【００２６】磁気ディスク３は、いわゆるハードディス
クであり、略中央部に中心孔を有する略円盤状のディス
ク基板上に、磁性層及び保護層等が順次積層されてな
る。そして、このハードディスクドライブ装置では、複
数枚の磁気ディスク３が、その中心孔をスピンドルモー
タの回転軸７と嵌合しながらクランパ８により固定され
ており、制御回路により駆動制御されるスピンドルモー
タの回転に伴って、図１中矢印Ａの方向に所定の速度に
て回転駆動されるようになされている。

【００２７】ヘッドアクチュエータ５は、その支軸９を
中心として回動される支持アーム１０と、この支持アー
ム１０の一端側に設けられたボイスコイルモータ１１
と、この支持アーム１０の他端側に取り付けられた所定
の弾性を有するサスペンション１２と、このサスペンシ
ョン１２の先端部に取り付けられた上記ヘッドスライダ
４とを備えている。

【００２８】ボイスコイルモータ１１は、支持アーム１
０側に取り付けられたコイル１３と、このコイル１３と
対向するシャーシ２側に取り付けられたマグネット１４
とを有し、コイル１３に電流が供給されることにより磁
界が発生し、このコイル１３と対向配置されたマグネッ
ト１４との磁気的作用により、支持アーム１０が支軸９
を中心として図１中矢印Ｂ方向、すなわち磁気ディスク
３の径方向に沿って所定の角度だけ回動するようになさ
れている。

【００２９】また、サスペンション１２は、その先端部
にヘッドスライダ４が取り付けられており、このヘッド
スライダ４を支持しながら、弾性力により磁気ディスク
３側へと付勢している。

【００３０】ヘッドスライダ４は、図１及び図２に示す
ように、略矩形状に成形されてなり、各磁気ディスク３
に対応して複数設けられた支持アーム１０の各サスペン
ション１２の先端部に、それぞれ磁気ディスク３の信号
記録面と相対向するように支持されている。また、ヘッ
ドスライダ４には、磁気ディスク３と対向する面（以
下、媒体対向面という。）４ａに、この磁気ディスク３
の回転に伴って発生する空気流により浮上力を発生させ
るための空気潤滑面（ＡＢＳ面）が形成されている。

【００３１】すなわち、サスペンション１２の先端部に
取り付けられたヘッドスライダ４は、磁気ディスク３の
回転により生じる空気流を受けて、この磁気ディスク３
上を所定の浮上量で浮上しながら、このヘッドスライダ
４に搭載された磁気ヘッド２０が、磁気ディスク３の信
号記録面に対して信号の記録又は再生を行うようになさ
れている。なお、ヘッドスライダ４の空気潤滑面の形状
は、特に限定されるものではなく、任意の形状とするこ
とが可能である。

【００３２】磁気ヘッド２０は、図１中矢印Ａ方向に回
転駆動される磁気ディスク３に対して、浮上走行するヘ
ッドスライダ４の後端部に位置して設けられている。

【００３３】この磁気ヘッド２０は、図２及び図３に示
すように、例えば再生ヘッド部として、磁気トンネル効
果型磁気ヘッド（以下、ＴＭＲヘッドという。）２１
と、記録ヘッド部として、インダクティブ型薄膜ヘッド
２２とを組み合わせた複合型の薄膜磁気ヘッドである。
なお、図３は、この磁気ヘッド２０を媒体対向面４ａの
側から見た概略端面図である。

【００３４】この磁気ヘッド２０では、例えばメッキ法
や、スパッタ法等の薄膜形成技術により、上記再生ヘッ
ド部及び記録ヘッド部の各構成要素を形成することか
ら、挟トラック化や挟ギャップ化等の微細寸法化が容易
であり、高分解能での記録再生が可能であるといった利
点を有している。

【００３５】具体的に、この磁気ヘッド２０は、詳細を
後述する薄膜積層工程によって、例えばアルミナチタン
カーバイト（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ）等の硬質の非磁性材料
からなる基板２３上に、再生ヘッド部として、磁気トン
ネル効果を利用した磁気ディスク３に対する信号の再生
を行うＴＭＲヘッド２１と、このＴＭＲヘッド２１上
に、記録ヘッド部として、電磁誘導を利用した磁気ディ
スク３に対する信号の記録を行うインダクティブ型薄膜
ヘッド２２とが積層されてなる。また、磁気ヘッド２０
においては、再生ヘッド部及び記録ヘッド部を構成する
各構成要素が媒体対向面４ａから外方に臨んで略同一端
面を構成している。

【００３６】このうち、ＴＭＲヘッド２１は、上下一対
の磁気シールド層によりシールドギャップ層を介して磁
気トンネル接合素子（以下、ＴＭＲ素子という。）が挟
み込まれてなる、いわゆるシールド型ＴＭＲヘッドであ
る。詳述すると、このＴＭＲヘッド２１は、基板２３上
に形成された下層シールド層２４と、この下層シールド
層２４上に形成された下層非磁性導電性層２５と、この
下層非磁性導電性層２５上に形成されたＴＭＲ素子２６
と、このＴＭＲ素子２６上に形成された上層非磁性導電
性層２７と、この上層非磁性導電性層２７上に形成され
た上層シールド層２８とを有し、これら基板２３から上
層シールド層２８に至る隙間部分には、例えばＡｌ₂Ｏ₃
等の非磁性非導電性材料２９が配されている。

【００３７】ＴＭＲ素子２６は、磁気トンネル効果を利
用して磁気ディスク３からの信号を検出する感磁素子で
あり、このＴＭＲ素子２６を流れるトンネル電流のコン
ダクタンスが、磁気ディスク３からの磁界によって磁化
される方向に依存して変化する、いわゆる磁気トンネル
効果を利用して、このトンネル電流の電圧変化を検出
し、磁気ディスク３に記録された信号を読み取るように
なされている。

【００３８】具体的に、このＴＭＲ素子２６は、所定の
方向に磁化が固定された磁化固定層３０と、外部磁界に
応じて磁化方向を変化させる磁化自由層３１とが、トン
ネル障壁層３２を介して積層された磁気トンネル接合膜
３３を有している。

【００３９】この磁気トンネル接合膜３３において、磁
気化固定層３０は、例えば、下層非磁性導電性層２５上
に形成された下層となる膜厚３ｎｍのＴａ膜上に、膜厚
３ｎｍのＮｉＦｅ膜と、膜厚１０ｎｍのＩｒＭｎ膜と、
膜厚４ｎｍのＣｏＦｅ膜とが順次積層された３層構造と
されている。このうち、ＩｒＭｎ膜は、反強磁性膜であ
り、ＣｏＦｅ膜との間で交換結合しており、このＣｏＦ
ｅ膜の磁化方向を所定の方向に固定している。

【００４０】また、トンネル障壁層３２は、磁化固定層
３０のＣｏＦｅ膜上に、絶縁層として、例えば膜厚１．
３ｎｍのＡｌの酸化膜（Ａｌ₂Ｏ₃）が積層されてなる。

【００４１】また、磁化自由層３１は、トンネル障壁層
３上に、例えば膜厚４ｎｍのＣｏＦｅ膜と、膜厚５ｎｍ
のＮｉＦｅ膜とが順次積層された２層構造とされてい
る。そして、この磁化自由層３１上に、例えば上層とな
る膜厚５ｎｍのＴａ膜が形成されている。このうち、Ｃ
ｏＦｅ膜は、スピン分極率を増加させるためのものであ
る。ＮｉＦｅ膜は、その保持力が低く、外部磁界に応じ
て磁化の方向が変化することになり、これらがＴＭＲ素
子２６の感磁部２６ａとなっている。

【００４２】磁気トンネル接合膜３３では、このような
スピンバルブ型の積層構造とすることにより、このＴＭ
Ｒ素子２６の磁気抵抗比を大きくすることができる。な
お、磁気トンネル接合膜３３を構成する各層の材料及び
その膜厚は、以上の例に限定されるものではなく、ＴＭ
Ｒ素子２６の使用目的等に応じて適切な材料を選択し、
適切な膜厚に設定すればよい。

【００４３】また、このＴＭＲ素子２６は、磁気トンネ
ル接合膜３３のうち、このＴＭＲ素子２６の感磁部２６
ａとなる部分を残して、磁化自由層３１から磁化固定層
３０の中途部に至るまでエッチングされることにより、
その磁気ディスク３に対するトラック幅Ｔｗ₁が規制さ
れている。なお、ここでは、トラック幅Ｔｗ₁を約５μ
ｍとしたが、システムの要求等に応じて適切な値に設定
すればよい。

【００４４】また、ＴＭＲヘッド２１では、ＴＭＲ素子
２６にトンネル障壁層３２を介してトンネル電流が流れ
るように、下層シールド層２４及び下層非磁性導電性層
２５が、ＴＭＲ素子２６の磁化固定層３０に対する電極
として機能しており、上層シールド層２８及び上層非磁
性導電性層２７が、磁化自由層３１に対する電極として
機能している。

【００４５】具体的に、下層非磁性導電性層２５は、Ｔ
ＭＲ素子２６の磁化固定層３０と下層シールド層２４と
が電気的に接続されるように配されている。一方、上層
非磁性導電性層２７は、ＴＭＲ素子２６の感磁部２６ａ
となる部分に当接する突出部２７ａを有し、この突出部
２７ａを通して、ＴＭＲ素子２６の磁化自由層３１と上
層シールド層２８とが電気的に接続されるように配され
ている。

【００４６】また、下層非磁性導電性層２５及び上層非
磁性導電性層２７は、ＴＭＲ素子２６と下層シールド層
２４及び上層シールド層２８との間の隙間部分に配され
た非磁性非導電性材料２９と共に、シールドギャップ層
を構成しており、このＴＭＲ素子２６と下層シールド層
２４及び上層シールド層２８との間を磁気的に隔離して
いる。

【００４７】下層シールド層２４及び上層シールド層２
８は、導電性を有する軟磁性材料からなり、例えば膜厚
２．３μｍのＣｏＺｒＮｂＴａからなるアモルファス積
層膜により形成されている。そして、下層シールド層２
４及び上層シールド層２８は、下層非磁性導電性層２５
及び上層非磁性導電性層２７を介してＴＭＲ素子２６に
電気を供給するようになされている。

【００４８】また、下層シールド層２４及び上層シール
ド層２８は、ＴＭＲ素子２６を磁気的にシールドするの
に十分な幅を有し、下層非磁性導電性層２５及び上層非
磁性導電性層２７を介してＴＭＲ素子２６を挟み込むこ
とにより、磁気ディスク３からの信号磁界のうち、再生
対象外の磁界がＴＭＲ素子２６に引き込まれないように
機能する一対の磁気シールド層を構成している。すなわ
ち、ＴＭＲヘッド２１においては、ＴＭＲ素子２６に対
して再生対象外の信号磁界が下層シールド層２４及び上
層シールド層２８に導かれ、再生対象の信号磁界だけが
ＴＭＲ素子２６に導かれる。これにより、ＴＭＲヘッド
２１では、ＴＭＲ素子２６の周波数特性及び読み取り分
解能の向上が図られている。

【００４９】なお、ＴＭＲヘッド２１では、この下層シ
ールド層２４及び上層シールド層２８とＴＭＲ素子２６
との間の距離が、いわゆるシールド間距離（ギャップ
長）とされている。

【００５０】また、ＴＭＲヘッド２１には、図２に示す
ように、下層シールド層２４及び上層シールド層２８と
電気的に接続された引き出し導線３４ａ，３４ｂがそれ
ぞれ設けられており、この引き出し導線３４ａ，３４ｂ
の端部に、外部接続用端子３５ａ，３５ｂが、ヘッドス
ライダ４の後端部側の端面から外部に臨むようにそれぞ
れ設けられている。

【００５１】引き出し導線３４ａ，３４ｂは、例えばＣ
ｕ等の導電性材料により薄膜形成されている。また、外
部接続用端子３５ａ，３５ｂは、例えば金（Ａｕ）等の
導電性材料からなり、同じく金（Ａｕ）からなる導線が
ワイヤーボンディング等によりサスペンション１２側に
設けられた配線端子と電気的に接続されることで外部回
路との接触が可能となっている。

【００５２】一方、インダクティブ型薄膜ヘッド２２
は、図２及び図３に示すように、上層シールド層２８と
同一部材である下層コア層３６と、この下層コア層３６
上に磁気ギャップ３７を介して設けられた上層コア層３
８と、この上層コア層３８に接合されると共に、媒体対
向面４ａから離間した他端側にて下層コア層３６とバッ
クギャップを構成するバックヨーク３９とを有し、これ
ら下層コア層３６から上層コア層３８上に至る隙間部分
には、例えばＡｌ₂Ｏ₃等の非磁性非導電性材料２９が配
されている。

【００５３】また、インダクティブ型薄膜ヘッド２２に
は、下層コア層３６とバックヨーク３９との間に位置し
て、バックギャップを中心に巻回された薄膜コイル４０
と、この薄膜コイル４０の内周側の端部及び外周側の端
部と電気的に接続された引き出し導線４１ａ，４１ｂと
が設けられており、これら引き出し導線４１ａ，４１ｂ
の端部に外部接続用端子４２ａ，４２ｂがヘッドスライ
ダ４の後端部側の端面から外部に臨むように設けられて
いる。

【００５４】下層コア層３６、上層コア層３８及びバッ
クヨーク３９は、閉磁路となる磁気コアを構成するもの
である。このうち、上層コア層３８は、例えばアモルフ
ァス積層膜等の導電性を有する軟磁性材料が所定の幅に
成形されてなり、非磁性非導電性材料２９を介して下層
コア層３６と対向配置されることにより、磁気ギャップ
３７が形成され、この幅がトラック幅Ｔｗ₂とされてい
る。なお、このトラック幅Ｔｗ₂は、システムの要求等
に応じて適切な値に設定すればよい。

【００５５】なお、このインダクティブ型薄膜ヘッド２
２では、所定のトラック幅Ｔｗ₂となる上層コア層３８
と対向して下層コア層３６に凸部を形成することによ
り、磁気ギャップ３７で生じる漏れ磁界を細くすること
が可能であり、微細な磁気信号を磁気ディスク３に高精
度に記録することが可能となる。

【００５６】薄膜コイル４０は、例えばＣｕ等の導電性
材料がスパイラル状に薄膜形成されてなる。

【００５７】引き出し導線４１ａ，４１ｂは、上述した
引き出し導線３４と同様に、例えばＣｕ等の導電性材料
により薄膜形成されている。

【００５８】また、外部接続用端子４２ａ，４２ｂは、
上述した外部接続用端子３５と同様に、例えば金（Ａ
ｕ）等の導電性材料からなり、同じく金（Ａｕ）からな
る導線がワイヤーボンディング等によりサスペンション
１２側に設けられた配線端子と電気的に接続されること
で外部回路との接触が可能となっている。

【００５９】なお、磁気ヘッド２０には、ヘッドスライ
ダ４の後端部側の端面上に、外部接続用端子３５，４２
が外部に臨む部分を除いて、例えばＡｌ₂Ｏ₃等の非磁性
非導電性材料２９からなる保護膜が成膜されており、薄
膜コイル４０及び引き出し導線３４，４１の保護を図っ
ている。

【００６０】以上のように構成される磁気ヘッド２０に
おいて、ＴＭＲヘッド２１を用いて磁気ディスク３に対
する信号の再生を行う際には、ＴＭＲ素子２６の磁化固
定層３０と磁化自由層３１との間に所定の電圧を印加す
る。このとき、ＴＭＲ素子２６のトンネル障壁層３２を
介して流れるトンネル電流のコンダクタンスが、磁気デ
ィスク３からの信号磁界に応じて変化する。このため、
ＴＭＲヘッド２１では、ＴＭＲ素子２６に流れるトンネ
ル電流の電圧値が変化することとなり、このＴＭＲ素子
２６の電圧値の変化を検出することによって、磁気ディ
スク３に対する信号の再生を行うことができる。

【００６１】一方、インダクティブ型薄膜ヘッド２２を
用いて磁気ディスク３に対する信号の記録を行う際に
は、薄膜コイル４０に記録する信号に応じた電流が供給
される。このとき、インダクティブ型薄膜ヘッド２２に
は、薄膜コイル４０から発生する磁界により、磁気コア
に磁束が流れると共に、磁気ギャップ３７から漏れ磁界
が発生する。そして、インダクティブ型薄膜ヘッド２２
では、この漏れ磁界を磁気ディスク３に対して印加して
いくことにより信号の記録を行うことができる。

【００６２】ところで、この磁気ヘッド２０において、
再生ヘッド部となるＴＭＲヘッド２１は、本発明を適用
した磁気トンネル効果型磁気ヘッドであり、このＴＭＲ
ヘッド２１の下層非磁性導電性層２５及び上層非磁性導
電性層２７が、Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｚｒのうちから選ばれる１種の金属単体を含有する
少なくとも１層以上の非磁性金属膜からなることを特徴
としている。

【００６３】すなわち、この下層非磁性導電性層２５及
び上層非磁性導電性層２７は、非磁性金属膜として、Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから
選ばれる１種の金属単体を含有する単層膜、或いは、Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから
選ばれる１種の金属単体を含有する少なくとも２層以上
の積層膜からなることを特徴としている。

【００６４】ここで、Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒは、従来から非磁性金属膜として用いら
れているＡｌよりも、機械的特性の優れた比較的硬い非
磁性導電性材料である。

【００６５】この場合、ＴＭＲヘッド２１では、非磁性
金属膜として、このようなＡｌよりも機械的特性の優れ
た非磁性導電性材料を用いることにより、後述する作製
工程において、媒体対向面４ａとなる面に対して研磨加
工を施した際に、これら上層及び下層非磁性導電性層２
５，２７となる非磁性金属膜が研磨されずに引き伸ばさ
れてしまい、このＴＭＲヘッド２１の媒体対向面４ａ
に、非磁性金属膜の引き伸ばしによる欠陥が生じてしま
うといったことを防ぐことができる。

【００６６】また、ＴＭＲヘッド２１において、下層非
磁性導電性層２５及び上層非磁性導電性層２７は、Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから
選ばれる１種の金属単体を含有する金属層と、Ａｌ，Ｐ
ｔ，Ｃｕ，Ａｕのうちから選ばれる１種の金属単体を含
有する金属層とを有する少なくとも２層以上の非磁性金
属膜からなる構成であってもよい。

【００６７】すなわち、この下層非磁性導電性層２５及
び上層非磁性導電性層２７は、非磁性金属膜として、Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから
選ばれる１種の金属単体を含有する金属膜と、Ａｌ，Ｐ
ｔ，Ｃｕ，Ａｕのうちから選ばれる１種の金属単体を含
有する金属膜とを２層以上に亘って積層させた積層膜か
らなる構成であってもよい。

【００６８】この場合も、ＴＭＲヘッド２１では、後述
する作製工程において、媒体対向面４ａとなる面に対し
て研磨加工を施した際に、これら上層及び下層非磁性導
電性層２５，２７となる非磁性金属膜が研磨されずに引
き伸ばされてしまい、このＴＭＲヘッド２１の媒体対向
面４ａに、非磁性金属膜の引き伸ばしによる欠陥が生じ
てしまうといったことを防ぐことができる。

【００６９】また、この場合には、非磁性金属膜の２層
以上に亘って積層された積層膜のうち、Ａｌ，Ｐｔ，Ｃ
ｕ，Ａｕのうちから選ばれる１種の金属単体を含有する
金属膜が、良好な表面粗さを有し、平滑性に優れた面を
形成することが可能である。そして、この平滑性の優れ
た金属膜を下層非磁性導電性層２５となる非磁性金属膜
に用いることによって、この下層非磁性導電性層２５上
に形成されるＴＭＲ素子２６において、磁化固定層３０
と磁化自由層３１との間で極めて薄い絶縁膜であるトン
ネル障壁層３２が破断し、この磁化固定層３０と磁化自
由層３１との接触による電気的な短絡が生じてしまうと
いったことを防ぐことができる。

【００７０】したがって、このＴＭＲヘッド２１では、
ＴＭＲ素子２６の磁気抵抗比が低下してしまうのを防ぐ
ことができ、安定した再生出力を得ることができる。

【００７１】また、ＴＭＲヘッド２１において、下層非
磁性導電性層２５及び上層非磁性導電性層２７は、Ａ
ｌ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから選ばれる２種類以上の元素か
らなる合金を含有する少なくとも１層以上の非磁性金属
膜からなる構成であってもよい。

【００７２】すなわち、この下層非磁性導電性層２５及
び上層非磁性導電性層２７は、Ａｌ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａ
ｕ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのう
ちから選ばれる２種類以上の元素からなる合金を含有す
る単層膜、或いは、Ａｌ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｔａ，Ｔ
ｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから選ばれ
る２種類以上の元素からなる合金を含有する少なくとも
２層以上の積層膜からなる構成であってもよい。

【００７３】この場合も、ＴＭＲヘッド２１では、後述
する作製工程において、媒体対向面４ａとなる面に対し
て研磨加工を施した際に、これら上層及び下層非磁性導
電性層２５，２７となる非磁性金属膜が研磨されずに引
き伸ばされてしまい、このＴＭＲヘッド２１の媒体対向
面４ａに、非磁性金属膜の引き伸ばしによる欠陥が生じ
てしまうといったことを防ぐことができる。

【００７４】また、このＴＭＲ素子２６では、磁化固定
層３０と磁化自由層３１との間で極めて薄い絶縁膜であ
るトンネル障壁層３２が破断し、この磁化固定層３０と
磁化自由層３１との接触による電気的な短絡が生じてし
まうといったことを防ぐことができる。

【００７５】以上のように、このＴＭＲヘッド２１で
は、磁気ディスク３に対して良好な媒体対向面４ａを得
ることが可能であり、ＴＭＲ素子２６と下層シールド層
２４及び上層シールド層２８との挟ギャップ化が可能な
ことから、磁気記録媒体のさらなる高密度化に対応する
ことが可能である。

【００７６】また、このハードディスクドライブ装置で
は、ＴＭＲヘッド２１が磁気ディスク３に対して良好な
媒体対向面４ａを得ることが可能なことから、安定した
再生出力を得ることが可能となり、磁気ディスク３に対
する信号の再生を適切に行うことが可能である。

【００７７】次に、上述した磁気ヘッド２０を搭載する
ヘッドスライダ４の製造方法について説明する。

【００７８】なお、以下の説明で用いる図面は、特徴を
わかりやすく図示するために、図１乃至図３と同様に、
特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構
成要素の寸法比率が実際と同じであるとは限らない。ま
た、以下の説明では、磁気ヘッド２０を構成する各構成
要素並びにその材料、大きさ及び膜厚等について具体的
な例を挙げるが、本発明は以下の例に限定されるもので
はない。例えば、以下の説明では、ハードディスク装置
等で実用化されているものと同様な構造を有する、いわ
ゆるシールド型ＴＭＲヘッドを用いた例を挙げるが、軟
磁性体を磁気回路の一部とする、いわゆるヨーク型構造
の磁気ヘッド等であってもよく、このような例に必ずし
も限定されるものではない。

【００７９】この磁気ヘッド２０を作製する際は、先
ず、図４及び図５に示すように、例えば直径４インチ程
度の円盤状の基板５０を用意し、この基板５０の表面に
対して鏡面加工を施す。そして、この基板５０上に、上
記下層シールド層２４となる第１の軟磁性膜５１をスパ
ッタリング等により成膜する。なお、図５は、図４中に
示す線分Ｘ₁−Ｘ₁’による概略断面図である。

【００８０】この基板５０は、最終的に上記磁気ヘッド
２０の基板２３となるものであり、この主面上に磁気ヘ
ッド２０の各構成要素が薄膜形成工程によって順次積層
された後、この基板５０を個々のヘッドチップとして切
り出すことにより、磁気ヘッド２０を搭載する上記ヘッ
ドスライダ４が一括して複数作製されることとなる。

【００８１】なお、この基板５０の材料としては、アル
ミナチタンカーバイト（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ）等が好適で
ある。一方、第１の軟磁性膜５１としては、例えば膜厚
２．３μｍのＣｏＺｒＮｂＴａからなるアモルファス積
層膜を成膜した。

【００８２】次に、第１の軟磁性膜５１上に、フォトレ
ジストを塗布し、硬化させることによりレジスト層を形
成する。そして、フォトリソグラフィ技術を用いて、こ
のレジスト層を所定の形状にパターニングすることによ
り、図６及び図７に示すような第１のレジストパターン
５２を形成する。具体的に、レジスト層を所定の形状に
パターニングする際は、先ず、所望するパターンに対応
するようにレジスト層を露光する。次に、露光した箇所
のレジスト層を現像液にて溶解して除去した後、ポスト
ベーク処理を施す。これにより、所定の形状とされたレ
ジストパターンが得られる。なお、図７は、図６中に示
す線分Ｘ₂−Ｘ₂’による概略断面図である。

【００８３】次に、この第１のレジストパターン５２を
マスクとして、ドライエッチングにより第１の軟磁性膜
５１に対してエッチングを行った後、この第１のレジス
トパターン５２を第１の軟磁性膜５１上から除去する。
これにより、図８及び図９に示すような上記下層シール
ド層２４が複数形成される。なお、下層シールド層２４
の形状は、後工程で形成されるＴＭＲ素子２６の下層側
を磁気的にシールドするのに十分な大きさとなるように
しておく。なお、図９は、図８中に示す線分Ｘ ₃−Ｘ₃’
による概略断面図である。

【００８４】次に、図１０及び図１１に示すように、こ
の基板５０の全面に亘って、スパッタリング等により、
例えばＡｌ₂Ｏ₃等からなる第１の非磁性非導電性膜５３
を成膜した後、この基板５０上に複数形成された下層シ
ールド層２４が露出するまで研磨する。これにより、基
板５０と下層シールド層２４との間に第１の非磁性非導
電性膜５３が埋め込まれ、基板５０上の下層シールド層
２４が形成されていない部分との段差が無くなり平坦化
される。なお、図１１は、図１０中に示す線分Ｘ₄−
Ｘ₄’による概略断面図である。

【００８５】次に、図１２及び図１３に示すように、平
坦化された基板５０上に、上記下層非磁性導電性層２５
となる第１の非磁性導電性膜５４をスパッタリング等に
より成膜する。この第１の非磁性導電性膜５４は、上述
した非磁性金属膜であり、その膜厚は磁気記録媒体に記
録された信号の周波数等に応じて適切な値に設定すれば
よく、例えば１００ｎｍ程度とする。なお、図１３は、
図１２中に示す線分Ｘ ₅−Ｘ₅’による概略断面図であ
る。

【００８６】次に、図１４及び図１５に示すように、第
１の非磁性導電性膜５４上に、上記磁気トンネル接合膜
３３となる磁気トンネル接合用膜５５をスパッタリング
等により成膜する。なお、図１５は、図１４中に示す線
分Ｘ₅−Ｘ₅’による断面図である。

【００８７】この磁気トンネル接合用膜５５は、例え
ば、下層となる膜厚３ｎｍのＴａ膜と、上記磁化固定層
３０となる膜厚３ｎｍのＮｉＦｅ膜，膜厚１０ｎｍのＩ
ｒＭｎ膜及び膜厚４ｎｍのＣｏＦｅ膜と、上記トンネル
障壁層３２となる膜厚１．３ｎｍのＡｌの酸化膜（Ａｌ
₂Ｏ₃）と、上記磁化自由層３１となる膜厚４ｎｍのＣｏ
Ｆｅ膜及び膜厚５ｎｍのＮｉＦｅ膜と、上層となる膜厚
約５ｎｍのＴａ層とが、この順でスパッタリング等によ
り順次積層されることにより形成される。

【００８８】なお、磁気トンネル接合用膜５５を構成す
る各層の材料及びその膜厚は、以上の例に限定されるも
のではなく、ＴＭＲ素子２６の使用目的等に応じて適切
な材料を選択し、適切な膜厚に設定するようにすればよ
い。

【００８９】次に、磁気トンネル接合用膜５５上に、フ
ォトレジストを塗布し、硬化させることによりレジスト
層を形成する。そして、フォトリソグラフィ技術を用い
て、このレジスト層を所定の形状にパターニングするこ
とにより、図１６及び図１７に示すような第２のレジス
トパターン５６を形成する。なお、図１７は、図１６中
に示す線分Ｘ₇−Ｘ₇’による概略断面図である。

【００９０】次に、図１８及び図１９に示すように、こ
の第２のレジストパターン５６をマスクとして、磁気ト
ンネル接合用膜５５及び第１の非磁性導電性膜５４に対
してエッチングを行った後、この第２のレジストパター
ン５６を除去する。これにより、下層シールド層２４上
に所定の形状とされた上記下層非磁性導電性層２５及び
上記磁気トンネル接合膜３３が形成される。なお、図１
９は、図１８中に示す線分Ｘ₈−Ｘ₈’による概略断面図
である。

【００９１】次に、図２０及び図２１に示すように、こ
の基板５０の全面に亘って、スパッタリング等により、
例えばＡｌ₂Ｏ₃等からなる第２の非磁性非導電性膜５７
を成膜した後、この基板５０上に複数形成された磁気ト
ンネル接合膜３３が露出するまで研磨する。これによ
り、基板５０と下層非磁性導電性層２５及び磁気トンネ
ル接合膜３３との間に第２の非磁性非導電性膜５７が埋
め込まれ、基板５０上の下層非磁性導電性層２５及び磁
気トンネル接合膜３３が形成されていない部分との段差
が無くなり平坦化される。なお、図２１は、図２０中に
示す線分Ｘ₉−Ｘ₉’による概略断面図である。

【００９２】次に、図２２及び図２３に示すように、平
坦化された基板５０上に、フォトレジストを塗布し、硬
化させることによりレジスト層を形成し、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて、このレジスト層を所定の形状にパ
ターニングする。そして、このパターニングされたレジ
スト層をマスクとして、イオンエッチングにより、磁気
トンネル接合膜３３のうち、ＴＭＲ素子２６の感磁部２
６ａとなる部分を残して、磁化自由層３１から磁化固定
層３０の中途部に至るまでエッチングした後、このレジ
スト層を基板５０上から除去する。これにより、ＴＭＲ
素子６の磁気ディスク３に対するトラック幅Ｔｗ₁が規
制される。なお、ここでは、トラック幅Ｔｗ₁を約５μ
ｍとしたが、トラック幅Ｔｗ₁は、以上の例に限定され
るものではなく、システムの要求等に応じて適切な値に
設定すればよい。なお、図２２は、図２０中に示す囲み
部分Ｃを拡大して示す概略平面図であり、図２３は、図
２２中に示す線分Ｘ₁₀−Ｘ₁₀’による概略断面図であ
る。

【００９３】次に、この基板５０上に、フォトレジスト
を塗布し、硬化させることによりレジスト層を形成す
る。そして、フォトリソグラフィ技術を用いて、このレ
ジスト層を所定の形状にパターニングすることにより、
ＴＭＲ素子２６の感磁部２６ａの直上に位置して、図２
４及び図２５に示すような第３のレジストパターン５８
を形成する。なお、図２４は、図２０中に示す囲み部分
Ｃを拡大して示す概略平面図であり、図２５は、図２４
中に示す線分Ｘ₁₁−Ｘ₁₁’による概略断面図である。

【００９４】次に、図２６及び図２７に示すように、こ
の第３のレジストパターン５８を用いて、例えばＡｌ₂
Ｏ₃等からなる第３の非磁性非導電性膜５９をスパッタ
リング等により成膜した後、第３のレジストパターン５
８を、この第３のレジストパターン５８上に堆積した第
３の非磁性非導電性膜５９と共に除去する。これによ
り、ＴＭＲ素子２６の感磁部２６ａの直上にて開口され
たコンタクトホール６０を有する第３の非磁性非導電性
膜５９が形成される。なお、図２６は、図２０中に示す
囲み部分Ｃを拡大して示す概略平面図であり、図２７
は、図２６中に示す線分Ｘ₁₂−Ｘ₁₂’による概略断面図
である。

【００９５】次に、この第３の非磁性非導電性膜５９上
に、フォトレジストを塗布し、硬化させることによりレ
ジスト層を形成する。そして、フォトリソグラフィ技術
を用いて、このレジスト層を所定の形状にパターニング
することにより、図２８及び図２９に示ような所定の形
状とされた開口部６１ａを有する第４のレジストパター
ン６１を形成する。なお、図２８は、図２０中に示す囲
み部分Ｃを拡大して示す概略平面図であり、図２９は、
図２８中に示す線分Ｘ₁₃−Ｘ₁₃’による概略断面図であ
る。

【００９６】次に、図３０及び図３１に示すように、こ
の第４のレジストパターン６１を用いて、上記上層非磁
性導電性層２７となる第２の非磁性導電性膜６２をスパ
ッタリング等により成膜する。このとき、第３の非磁性
非導電性膜５９のコンタクトホール６０に、第２の非磁
性導電性膜６２が埋め込まれることとなる。これによ
り、ＴＭＲ素子２６の感磁部２６ａと当接する上記上層
非磁性導電性層２７の突出部２７ａが形成される。な
お、第２の非磁性導電性膜６２は、上述した非磁性金属
膜であり、その膜厚は磁気記録媒体に記録された信号の
周波数等に応じて適切な値に設定すればよい。

【００９７】そして、この第２の非磁性導電性膜６２上
に、上記上層シールド層２８及び上記下層コア層３６と
なる第２の軟磁性膜６３をスパッタリング等により成膜
する。この第２の軟磁性膜６３としては、例えば膜厚
２．３μｍのＣｏＺｒＮｂＴａからなるアモルファス積
層膜を成膜した。なお、この第２の軟磁性膜６３の材料
としては、アモルファス積層膜以外の材料を選択するこ
とが可能であり、上述したスパッタリング以外にも、例
えばメッキ法や蒸着法等を用いて第２の軟磁性膜６３を
形成してもよい。

【００９８】そして、第４のレジストパターン６１を、
この第４のレジストパターン６１上に堆積した第２の非
磁性導電性膜６２及び第２の軟磁性膜６３と共に除去す
る。これにより、第３の非磁性非導電性膜５９上に、所
定の形状とされた上記上層非磁性導電性層２７及び上記
上層シールド層２８が形成される。なお、図３０は、図
２０中に示す囲み部分Ｃを拡大して示す概略平面図であ
り、図３１は、図３０中に示す線分Ｘ₁₄−Ｘ₁₄’による
概略断面図である。

【００９９】次に、図３２及び図３３に示すように、こ
の基板５０の全面に亘って、スパッタリング等により、
例えばＡｌ₂Ｏ₃等からなる第４の非磁性非導電性膜６４
を成膜した後、この基板５０上に複数形成された上層シ
ールド層２８が露出するまで研磨する。これにより、基
板５０と上層シールド層２８との間に第４の非磁性非導
電性膜６４が埋め込まれ、基板５０上の上層シールド層
２８が形成されていない部分との段差が無くなり平坦化
される。なお、図３２は、図２０中に示す囲み部分Ｃを
拡大して示す概略平面図であり、図３３は、図３２中に
示す線分Ｘ₁₅−Ｘ₁₅’による概略断面図である。

【０１００】次に、図３４及び図３５に示すように、こ
の平坦化された基板５０上に、上記磁気ギャップ３７と
なる第５の非磁性非導電性膜６５をスパッタリング等に
より成膜する。この第５の非磁性非導電性膜６５の材料
としては、例えばＡｌ₂Ｏ₃等が好適である。なお、図３
４は、図２０中に示す囲み部分Ｃを拡大して示す概略平
面図であり、図３５は、図３４中に示す線分Ｘ₁₆−
Ｘ₁₆’による概略断面図である。

【０１０１】次に、図３６及び図３７に示すように、こ
の第５の非磁性非導電性膜６５上に、フォトレジストを
塗布し、硬化させることによりレジスト層を形成し、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて、このレジスト層を所定
の形状にパターニングする。そして、このパターニング
されたレジスト層を用いて、例えばアモルファス積層膜
等からなる第３の軟磁性膜６６をスパッタリング等によ
り成膜した後、レジスト層をこのレジスト層上に堆積し
た第３の軟磁性膜６６と共に除去する。これにより、第
５の非磁性非導電性膜６４上に、所定の幅に成形された
上記上層コア層３８が形成される。また、第５の非磁性
非導電性膜６７を介して下層コア層３８と対向配置され
ることにより、磁気ギャップ３７が形成され、この幅が
トラック幅Ｔｗ₂となる。なお、このトラック幅Ｔｗ
₂は、システムの要求等に応じて適切な値に設定すれば
よい。なお、図３６は、図２０中に示す囲み部分Ｃを拡
大して示す概略平面図であり、図３７は、図３６中に示
す線分Ｘ₁₇−Ｘ₁₇’による概略断面図である。

【０１０２】次に、図３８及び図３９に示すように、こ
の基板５０の全面に亘って、スパッタリング等により、
例えばＡｌ₂Ｏ₃等からなる第６の非磁性非導電性膜６７
を成膜した後、この基板５０上に複数形成された上層コ
ア層３８が露出するまで研磨する。これにより、基板５
０と上層コア層３８との間に第６の非磁性非導電性膜６
７が埋め込まれ、基板５０上の上層コア層３８が形成さ
れていない部分との段差が無くなり平坦化される。な
お、図３８は、図２０中に示す囲み部分Ｃを拡大して示
す概略平面図であり、図３９は、図３８中に示す線分Ｘ
₁₈−Ｘ₁₈’による概略断面図である。

【０１０３】次に、図４０に示すように、この平坦化さ
れた基板５０上に、薄膜コイル４０、バックヨーク３９
及び引き出し導線３４，４１をそれぞれ形成する。

【０１０４】薄膜コイル４０は、下層コア層３６とバッ
クヨーク３９とが当接する部分を中心として、スパッタ
リング等によりスパイラル状に成膜され、この薄膜コイ
ル４０を覆うように非磁性非導電性膜が成膜される。薄
膜コイル４０の材料としては、例えばＣｕ等の導電性材
料が用いられる。

【０１０５】バックヨーク３９は、上層コア層３８と接
合しながら形成されると共に、スパイラル状に形成され
た薄膜コイル４０の略中心部にて下層コア層３６と当接
するように形成される。これにより、下層コア層３６、
上層コア層３８及びバックヨーク３９は、インダクティ
ブ型薄膜ヘッド２２の磁気コアを構成することとなる。

【０１０６】引き出し導線３４，４１としては、下層シ
ールド層２４及び上層シールド層２８とそれぞれ電気的
に接続される引き出し導線３４ａ，３４ｂと、薄膜コイ
ル４０の内周側の端部及び外周側の端部とそれぞれ電気
的に接続される引き出し導電線４１ａ，４１ｂとが形成
される。具体的には、フォトリソグラフィ技術を用いて
所定の形状にパターニングされたフォトレジストをマス
クとしてエッチングを行い、これら下層シールド層２４
及び上層シールド層２８、並びに、薄膜コイル４０の内
周側端部及び外周側の端部と当接される部分が露出する
端子溝を形成する。そして、このフォトレジストを残し
たまま、例えば、硫酸銅溶液を用いた電解メッキによ
り、膜厚６μｍ程度のＣｕからなる導電膜を成膜した
後、フォトレジストを、このフォトレジスト上に堆積し
た導電膜と共に除去する。これにより、下層シールド層
２４及び上層シールド層２８、並びに、薄膜コイル４０
の内周側端部及び外周側の端部と端子溝に埋め込まれた
導電膜とが電気的に接続される。そして、この端子溝に
埋め込まれた導電膜と接合されるように、例えば、硫酸
銅溶液を用いた電解メッキにより、所定の形状とされた
Ｃｕからなる導電膜を成膜する。これにより、図４０に
示すような引き出し導線３４ａ，３４ｂ，４１ａ，４１
ｂがそれぞれ形成される。なお、この導電膜の形成方法
は、他の膜に影響を与えないものであれば、電解メッキ
以外の方法であってもよい。

【０１０７】次に、図４１に示すように、これら引き出
し導線３４，４１の端部上に、それぞれ外部接続用端子
３５，４２を形成する。この外部接続用端子３５，４２
としては、引き出し導線３４ａ，３４ｂとそれぞれ電気
的に接続される外部接続用端子３５ａ，３５ｂと、引き
出し導線４１ａ，４１ｂとそれぞれ電気的に接続される
外部接続用端子４２ａ，４２ｂとが形成される。具体的
には、フォトリソグラフィ技術を用いて所定の形状にパ
ターニングされたフォトレジストを用いて、例えばスパ
ッタリングや電解メッキ等により、金（Ａｕ）からなる
導電膜を成膜した後、フォトレジストを、このフォトレ
ジスト上に堆積した導電膜と共に除去する。これによ
り、図４３に示すような外部接続用端子３５ａ，３５
ｂ，４２ａ，４２ｂがそれぞれ形成される。

【０１０８】次に、図４２に示すように、基板５０の全
面に亘って、スパッタリング等により、例えばＡｌ₂Ｏ₃
等からなる保護膜６８を成膜した後、この基板５０上に
形成された外部接続用端子３５，４２が露出するまで研
磨する。具体的には、例えば、スパッタリングによって
Ａｌ₂Ｏ₃からなる保護膜６８を４μｍ程度の膜厚となる
ように成膜する。なお、この保護膜６８の材料として
は、非磁性非導電性の材料であればＡｌ₂Ｏ₃以外も使用
可能であるが、耐環境性や耐摩耗性を考慮すると、Ａｌ
₂Ｏ₃が好適である。また、この保護膜６８は、スパッタ
リング以外の方法によって形成してもよく、例えば、蒸
着法等によって形成してもよい。そして、外部接続用端
子３５，４２が表面に露出するまで研磨する。この研磨
工程においては、例えば、粒径が約２μｍのダイヤモン
ド砥粒によって、外部接続用端子３５，４２の表面が露
出するまで研磨する。そして、シリコン砥粒によってバ
フ研磨を施して、表面を鏡面状態に仕上げる。これによ
り、最終的に磁気ヘッド２０となる複数のヘッド素子６
９が形成された基板５０が得られる。

【０１０９】次に、図４３に示すように、複数のヘッド
素子６９が複数形成された基板５０を短冊状に切り分け
ることにより、横方向に磁気ヘッド２０となるヘッド素
子６９が並ぶ棒状のヘッドブロック７０を形成する。

【０１１０】次に、ヘッドブロック７０の媒体抵抗面４
ａとなる面に対して、定盤を用いた研磨加工を施すこと
により、ヘッド素子６９の高さを調節する。

【０１１１】ところで、従来のように、上層及び下層非
磁性導電性層２５，２７となる第１及び第２の非磁性導
電性膜５４，６２として、例えばＡｌを用いた場合に
は、このような研磨加工を施した際に、この上層及び下
層非磁性導電性層２５，２７となる第１及び第２の非磁
性導電性膜５４，６２が研磨されずに引き伸ばされてし
まい、作製されたヘッドスライダ４のＴＭＲヘッド２１
の媒体対向面４ａに、この第１及び第２の非磁性導電性
膜５４，６２の引き伸ばしによる欠陥を生じさせてしま
うことがあった。

【０１１２】それに対して、本発明では、上層及び下層
非磁性導電性層２５，２７となる第１及び第２の非磁性
導電性膜５４，６２を、上述した非磁性金属膜とするこ
とにより、これら上層及び下層非磁性導電性層２５，２
７となる第１及び第２の非磁性導電性膜５４，６２が研
磨されずに引き伸ばされてしまい、このＴＭＲヘッド２
１の媒体対向面４ａに、非磁性金属膜の引き伸ばしによ
る欠陥が生じてしまうといったことを防ぐことができ
る。

【０１１３】これにより、磁気ヘッド２０を構成する各
構成要素が媒体対向面４ａから外方に臨んで良好な略同
一端面を形成することとなる。

【０１１４】次に、ヘッドブロック７０に対して、ヘッ
ドスライダ４の空気潤滑面を形成するための溝加工及び
テーパー加工等を施した後、個々のヘッドチップにそれ
ぞれ分割する。これにより、図４４に示すような磁気ヘ
ッド２０を搭載する複数のヘッドスライダ４が作製され
る。

【０１１５】以上のように作製されたヘッドスライダ４
を使用する際は、このヘッドスライダ４をサスペンショ
ン１２の先端部に取り付けると共に、このサスペンショ
ン１２側に設けられた配線端子と、磁気ヘッド２０の外
部接続用端子３５，４２とを金（Ａｕ）等からなる導線
を用いてワイヤーボンディング等により電気的に接続す
る。これにより、磁気ヘッド２０は、外部回路との接触
が可能となる。そして、このヘッドスライダ４は、サス
ペンション１２に搭載された状態で、図１に示すような
ハードディスクドライブ装置に実装されることとなる。

【０１１６】以上のような工程を経て作製されたヘッド
スライダ４では、上述したヘッドブロック７０に研磨加
工を施した際に、ＴＭＲヘッド２１の上層及び下層非磁
性導電性層２５，２７となる非磁性金属膜が研磨されず
に引き伸ばされてしまい、このＴＭＲヘッド２１の媒体
対向面４ａに、非磁性金属膜の引き伸ばしによる欠陥が
生じてしまうといったことを防ぐことができる。

【０１１７】ここで、下層非磁性導電性層２５，２７と
なる非磁性金属膜として、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒの各単層
膜、並びに、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔの各金属膜と、Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから
選ばれる１種の金属単体を含有する金属膜との積層膜か
らなる各シールド型ＴＭＲヘッドについて、これら非磁
性金属膜の引き伸ばしによる欠陥が生じた場合について
の加工歩留りの評価を行った。

【０１１８】以下、この加工歩留りの評価結果を表１に
示す。なお、表１において、マルは、加工歩留りが８０
％以上であることを示し、サンカクは、加工歩留りが３
０％〜８０％であることを示し、バツは、加工歩留りが
３０以下であることを示す。

【０１１９】

【表１】

【０１２０】表１の評価結果から、従来から非磁性金属
膜として用いられているＡｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔの各単
層膜のうち、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕを用いた場合には、これ
ら各ＴＭＲヘッドの加工歩留りが悪く、Ｐｔを用いた場
合でも、このＴＭＲヘッドの加工歩留りが良好とならな
いことがわかる。

【０１２１】それに対して、本発明のように、非磁性金
属膜として、Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，
Ｚｒを用いた場合には、これら各ＴＭＲヘッドの加工歩
留りが良好になっていることがわかる。

【０１２２】そして、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔの各金属
膜を、Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒの
うちから選ばれる１種の金属単体を含有する金属膜との
積層膜とした場合には、これら各ＴＭＲヘッドの加工歩
留りが良好になることがわかる。

【０１２３】次に、下層非磁性導電性層２５，２７とな
る非磁性金属膜として、ＡｌＴａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣ
ｒ，ＡｌＷ，ＡｌＭｏ，ＡｌＶ，ＡｌＮｂ，ＡｌＺｒの
各合金を含有する単層膜からなる各シールド型ＭＲヘッ
ドについて、これら非磁性金属膜の引き伸ばしによる欠
陥が生じた場合についての加工歩留りの評価を行った。

【０１２４】以下、この加工歩留りの評価結果を表２に
示す。なお、表２において、評価方法は、表１の場合と
同様とし、参考として、上述したＡｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐ
ｔの各単層膜の評価結果を付した。

【０１２５】

【表２】

【０１２６】表２の評価結果から、非磁性金属膜とし
て、ＡｌＴａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＷ，ＡｌＭ
ｏ，ＡｌＶ，ＡｌＮｂ，ＡｌＺｒを用いた場合には、こ
れら各ＴＭＲヘッドの加工歩留りが良好になっているこ
とがわかる。

【０１２７】この場合、これら合金を含有する金属膜と
の積層膜であっても、ＴＭＲヘッドの加工歩留りが良好
になるのは明らかである。

【０１２８】以上のように、本発明によれば、ＴＭＲヘ
ッド２１における下層シールド層２４と下層シールド層
２８との電気的な短絡を防ぐことができ、コストの増大
を招くことなく歩留りの向上した高品質のＴＭＲヘッド
２１を大量に製造することが可能であり、生産性を大幅
に向上させることが可能である。

【０１２９】なお、上述の説明では、再生ヘッド部とし
てＴＭＲヘッド２１と、記録ヘッド部としてインダクテ
ィブ型薄膜ヘッド２２とを組み合わせた複合型の薄膜磁
気ヘッドについて説明したが、本発明は、ＴＭＲヘッド
のみの構成とした場合にも適用可能なことはもちろんで
ある。

【０１３０】また、上述の説明では、本発明を適用した
記録再生装置の一例として、ハードディスクドライブ装
置について説明したが、本発明は、磁気記録の分野にお
いて広く適用可能であり、例えば、記録媒体としてフレ
キシブルディスクを用いる磁気ディスクドライブ装置
や、記録媒体として磁気テープを用いる磁気テープドラ
イブ装置等にも適用可能である。

【０１３１】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る磁気トンネル効果型磁気ヘッドによれば、磁気記録媒
体に対して良好な媒体対向面を得ることが可能であり、
下層シールド層及び上層シールド層と磁気トンネル接合
素子との挟ギャップ化が可能なことから、磁気記録媒体
のさらなる高密度化に対応することが可能である。

【０１３２】また、本発明に係る記録再生装置によれ
ば、磁気トンネル効果型磁気ヘッドが磁気記録媒体に対
して良好な媒体対向面を得ることが可能なことから、安
定した再生出力を得ることが可能となり、磁気記録媒体
に対する信号の再生を適切に行うことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】ハードディスクドライブ装置の一例を示す概略
斜視図である。

【図２】ヘッドスライダの構成を示す概略斜視図であ
る。

【図３】磁気ヘッドを媒体対向面側から見た要部端面図
である。

【図４】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、基
板上に第１の軟磁性膜を成膜した状態を示す概略平面図
である。

【図５】図４中に示す線分Ｘ₁−Ｘ₁’による概略断面図
である。

【図６】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、第
１の軟磁性膜上に第１のレジストパターンを形成した状
態を示す概略平面図である。

【図７】図６中に示す線分Ｘ₂−Ｘ₂’による概略断面図
である。

【図８】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、基
板上に下層シールド層を形成した状態を示す概略平面図
である。

【図９】図８中に示す線分Ｘ₃−Ｘ₃’による概略断面図
である。

【図１０】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
基板上に第１の非磁性非導電性膜を成膜し、下層シール
ド層の表面が露呈するまで研磨した状態を示す概略平面
図である。

【図１１】図１０中に示す線分Ｘ₄−Ｘ₄’による概略断
面図である。

【図１２】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
平坦化された基板上に第１の非磁性導電性膜を成膜した
状態を示す概略平面図である。

【図１３】図１２中に示す線分Ｘ₅−Ｘ₅’による概略断
面図である。

【図１４】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
第１の非磁性導電性膜上に磁気トンネル接合用膜を成膜
した状態を示す概略平面図である。

【図１５】図１４中に示す線分Ｘ₆−Ｘ₆’による概略断
面図である。

【図１６】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
磁気トンネル接合用膜上に第２のレジストパターンを形
成した状態を示す概略平面図である。

【図１７】図１６中に示す線分Ｘ₇−Ｘ₇’による概略断
面図である。

【図１８】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
下層シールド層上に下層非磁性導電性層及び磁気トンネ
ル接合膜を形成した状態を示す概略平面図である。

【図１９】図１８中に示す線分Ｘ₈−Ｘ₈’による概略断
面図である。

【図２０】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
基板上に第２の非磁性非導電性膜を成膜し、磁気トンネ
ル接合膜の表面が露呈するまで研磨した状態を示す概略
平面図である。

【図２１】図２０中に示す線分Ｘ₉−Ｘ₉’による概略断
面図である。

【図２２】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
磁気トンネル接合膜のうちＴＭＲ素子の感磁部となる部
分の周囲に溝部を形成した状態を示す概略平面図であ
る。

【図２３】図２２中に示す線分Ｘ₁₀−Ｘ₁₀’による概略
断面図である。

【図２４】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
ＴＭＲ素子の感磁部の直上に位置して第３のレジストパ
ターンを形成した状態を示す概略平面図である。

【図２５】図２４中に示す線分Ｘ₁₁−Ｘ₁₁’による概略
断面図である。

【図２６】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
ＴＭＲ素子の感磁部の直上にコンタクトホールを有する
第３の非磁性非導電性膜を形成した状態を示す概略平面
図である。

【図２７】図２６中に示す線分Ｘ₁₂−Ｘ₁₂’による概略
断面図である。

【図２８】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
第３の非磁性非導電性膜上に第４のレジストパターンを
形成した状態を示す概略平面図である。

【図２９】図２８中に示す線分Ｘ₁₃−Ｘ₁₃’による概略
断面図である。

【図３０】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
第３の非磁性非導電性膜上に上層非磁性導電性層及び上
層シールド層を形成した状態を示す概略平面図である。

【図３１】図３０中に示す線分Ｘ₁₄−Ｘ₁₄’による概略
断面図である。

【図３２】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
基板上に第４の非磁性非導電性膜を成膜し、上層シール
ド層の表面が露呈するまで研磨した状態を示す概略平面
図である。

【図３３】図３２中に示す線分Ｘ₁₅−Ｘ₁₅’による概略
断面図である。

【図３４】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
平坦化された基板上に第５の非磁性非導電性膜を成膜し
た状態を示す概略平面図である。

【図３５】図３４中に示す線分Ｘ₁₆−Ｘ₁₆’による概略
断面図である。

【図３６】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
第５の非磁性非導電性膜上に上層コア層を形成した状態
を示す概略平面図である。

【図３７】図３６中に示す線分Ｘ₁₇−Ｘ₁₇’による概略
断面図である。

【図３８】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
基板上に第６の非磁性非導電性膜を成膜し、上層コア層
の表面が露呈するまで研磨した状態を示す概略平面図で
ある。

【図３９】図３８中に示す線分Ｘ₁₈−Ｘ₁₈’による概略
断面図である。

【図４０】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
平坦化された基板上に薄膜コイル、バックヨーク及び引
き出し導線をそれぞれ形成した状態を示す概略平面図で
ある。

【図４１】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
引き出し導線の端部上にそれぞれ外部接続用端子を形成
した状態を示す概略平面図である。

【図４２】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
基板上に保護膜を成膜し、外部接続用端子の表面が露呈
するまで研磨した状態を示す概略断面図である。

【図４３】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
基板を短冊状に切り分けることにより、棒状のヘッドブ
ロックを複数形成した状態を示す概略平面図である。

【図４４】ヘッドスライダの製造工程を示す図であり、
ヘッドブロックを個々のヘッドチップに分割することに
よりヘッドスライダが複数作製された状態を示す概略斜
視図である。

【図４５】シールド型ＴＭＲヘッドの構成を説明するた
めの媒体対向面側から見た要部端面図である。

【図４６】シールド型ＭＲヘッドの構成を説明するため
の媒体抵抗面側から見た要部端面図である。

【図４７】シールド型ＴＭＲヘッドに欠陥が生じた状態
を示す要部端面図である。

【符号の説明】

３ 磁気ディスク、４ ヘッドスライダ、２０ 磁気ヘ
ッド、２１ ＴＭＲヘッド、２２ インダクティブ型薄
膜ヘッド、２３ 基板、２４ 下層シールド層、２５
下層非磁性導電性層（非磁性金属膜）、２６ ＴＭＲ素
子、２７ 上層非磁性導電性層（非磁性金属膜）、２８
上層シールド層、２９ 非磁性非導電性材料、３０
磁化固定層、３１ 磁化自由層、３２ トンネル障壁
層、３３磁気トンネル接合膜、３４，４１ 引き出し導
線、３５，４２ 外部接続用端子、３６ 下層コア層、
３７ 磁気ギャップ、３８ 上層コア層、３９ バック
ヨーク、４０ 薄膜コイル、５０ 基板、５１ 第１の
軟磁性膜、５３ 第１の非磁性非導電性膜、５４ 第１
の非磁性導電性膜、５５ 磁気トンネル接合用膜、５７
第２の非磁性非導電性膜、５９ 第３の非磁性非導電
性膜、６０ コンタクトホール、６２ 第２の非磁性導
電性膜、６３ 第２の軟磁性膜、６４ 第４の非磁性非
導電性膜、６５ 第５の非磁性非導電性膜、６６ 第３
の軟磁性膜、６７ 第６の非磁性非導電性膜、６８ 保
護膜、６９ ヘッド素子、７０ ヘッドブロック

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅原 淳一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 2G017 AA01 AC01 AD51 5D034 BA03 BA05 BA08 BA15 CA08

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の磁気シールド層の間に導電性ギャ
   ップ層を介して磁気トンネル接合素子が配されてなる磁
   気トンネル効果型磁気ヘッドにおいて、 上記導電性ギャップ層は、Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍ
   ｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから選ばれる１種の金属単体
   を含有する少なくとも１層以上の非磁性金属膜からなる
   ことを特徴とする磁気トンネル効果型磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 上記導電性ギャップ層は、Ｔａ，Ｔｉ，
   Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから選ばれる１
   種の金属単体を含有する金属層と、Ａｌ，Ｐｔ，Ｃｕ，
   Ａｕのうちから選ばれる１種の金属単体を含有する金属
   層とを有する少なくとも２層以上の非磁性金属膜からな
   ることを特徴とする請求項１記載の磁気トンネル効果型
   磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 一対の磁気シールド層の間に導電性ギャ
   ップ層を介して磁気トンネル接合素子が配されてなる磁
   気トンネル効果型磁気ヘッドにおいて、 上記導電性ギャップ層は、Ａｌ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｔ
   ａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから
   選ばれる２種類以上の元素からなる合金を含有する少な
   くとも１層以上の非磁性金属膜からなることを特徴とす
   る磁気トンネル効果型磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 一対の磁気シールド層の間に導電性ギャ
   ップ層を介して磁気トンネル接合素子が配されてなる磁
   気トンネル効果型磁気ヘッドを用いて、磁気記録媒体に
   対する信号の記録及び／又は再生を行う記録再生装置に
   おいて、 上記磁気トンネル効果型磁気ヘッドの上記導電性ギャッ
   プ層は、Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒ
   のうちから選ばれる１種の金属単体を含有する少なくと
   も１層以上の非磁性金属膜からなることを特徴とする記
   録再生装置。
5. 【請求項５】 上記導電性ギャップ層は、Ｔａ，Ｔｉ，
   Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから選ばれる１
   種の金属単体を含有する金属層と、Ａｌ，Ｐｔ，Ｃｕ，
   Ａｕのうちから選ばれる１種の金属単体を含有する金属
   層とを有する少なくとも２層以上の非磁性金属膜からな
   ることを特徴とする請求項４記載の記録再生装置。
6. 【請求項６】 一対の磁気シールド層の間に導電性ギャ
   ップ層を介して磁気トンネル接合素子が配されてなる磁
   気トンネル効果型磁気ヘッドを用いて、磁気記録媒体に
   対する信号の記録及び／又は再生を行う記録再生装置に
   おいて、 上記磁気トンネル効果型磁気ヘッドの上記導電性ギャッ
   プ層は、Ａｌ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｒ，
   Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒのうちから選ばれる２種類以
   上の元素からなる合金を含有する少なくとも１層以上の
   非磁性金属膜からなることを特徴とする記録再生装置。