JPH10255237A - 磁気抵抗効果型ヘッド及びディスク装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッド及びディスク装置Info
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- JPH10255237A JPH10255237A JP5909097A JP5909097A JPH10255237A JP H10255237 A JPH10255237 A JP H10255237A JP 5909097 A JP5909097 A JP 5909097A JP 5909097 A JP5909097 A JP 5909097A JP H10255237 A JPH10255237 A JP H10255237A
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- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気抵抗効果素子層，硬磁性層，端子部形成
用導体層を有し、磁界の変化を、磁気抵抗効果素子層の
電気抵抗値の変化として検出する磁気抵抗効果型ヘッ
ド、並びに、このヘッドを備えたディスク装置におい
て、電気抵抗が低い端子部形成用導体層を有し、且つ、
機械加工時の取り扱いが容易な磁気抵抗効果型ヘッド、
並びに、低コストのディスク装置を実現すること。 【解決手段】 端子部形成用導体層４６として、硬磁性
層４４上にＷ又はＷ合金でなる下地層４５を使用してＢ
ＣＣ構造を持ったＴａを形成したものを用いる。或い
は、上記構成に加えて、硬磁性層４４と下地層４５との
間に、Ｔａでなる隔離層を形成する。
用導体層を有し、磁界の変化を、磁気抵抗効果素子層の
電気抵抗値の変化として検出する磁気抵抗効果型ヘッ
ド、並びに、このヘッドを備えたディスク装置におい
て、電気抵抗が低い端子部形成用導体層を有し、且つ、
機械加工時の取り扱いが容易な磁気抵抗効果型ヘッド、
並びに、低コストのディスク装置を実現すること。 【解決手段】 端子部形成用導体層４６として、硬磁性
層４４上にＷ又はＷ合金でなる下地層４５を使用してＢ
ＣＣ構造を持ったＴａを形成したものを用いる。或い
は、上記構成に加えて、硬磁性層４４と下地層４５との
間に、Ｔａでなる隔離層を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素子
層と、この磁気抵抗効果素子層の両端に形成された硬磁
性層と、この硬磁性層に積層された端子部形成用導体層
とを有し、磁界の変化を、磁気抵抗効果素子層の電気抵
抗値の変化として検出する磁気抵抗効果型ヘッド、並び
に、この磁気抵抗効果型ヘッドを備えたディスク装置に
関する。
層と、この磁気抵抗効果素子層の両端に形成された硬磁
性層と、この硬磁性層に積層された端子部形成用導体層
とを有し、磁界の変化を、磁気抵抗効果素子層の電気抵
抗値の変化として検出する磁気抵抗効果型ヘッド、並び
に、この磁気抵抗効果型ヘッドを備えたディスク装置に
関する。
【０００２】近年、ディスク装置の大容量化や小型化が
要望され、面記録密度の高密度化が進んでいる。
要望され、面記録密度の高密度化が進んでいる。
【０００３】
【従来の技術】高密度化に対応した再生ヘッドとして、
磁界の強さに応じて電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果
素子を用いた磁気抵抗効果型ヘッドが知られている。磁
気抵抗効果型ヘッドは、一般にはＭＲヘッド（ＭＲはma
gnetoresistiveの略）と呼ばれ、異方性磁気抵抗効果を
利用したＡＭＲヘッド（ＡＭＲは anisotropic magneto
resistiveの略）や、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭ
Ｒヘッド（ＧＭＲは giant magnetoresistiveの略）等
がある。
磁界の強さに応じて電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果
素子を用いた磁気抵抗効果型ヘッドが知られている。磁
気抵抗効果型ヘッドは、一般にはＭＲヘッド（ＭＲはma
gnetoresistiveの略）と呼ばれ、異方性磁気抵抗効果を
利用したＡＭＲヘッド（ＡＭＲは anisotropic magneto
resistiveの略）や、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭ
Ｒヘッド（ＧＭＲは giant magnetoresistiveの略）等
がある。
【０００４】ＡＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子層は、例
えば、ＮｉＦｅＲｈやＮｉＦｅＣｒ等の軟磁性体からな
るソフトアジャセント層（Soft Adjacent Layer）と、
ソフトアジャセント層に重ねて形成されたＴａ等の非磁
性中間層と、非磁性中間層に重ねて形成されたＮｉＦｅ
（フェライト）等の磁気抵抗層（ＭＲ層）とから構成さ
れる。
えば、ＮｉＦｅＲｈやＮｉＦｅＣｒ等の軟磁性体からな
るソフトアジャセント層（Soft Adjacent Layer）と、
ソフトアジャセント層に重ねて形成されたＴａ等の非磁
性中間層と、非磁性中間層に重ねて形成されたＮｉＦｅ
（フェライト）等の磁気抵抗層（ＭＲ層）とから構成さ
れる。
【０００５】代表的なＡＭＲヘッドでは、磁気抵抗効果
素子層の両端に、ＣｏＣｒＰｔやＣｏＣｒＴａ等の強磁
性体でなる硬磁性層が形成され、更に両硬磁性層上に、
センス電流を供給するための端子部形成用導体層（導電
性リード層）が積層されている。
素子層の両端に、ＣｏＣｒＰｔやＣｏＣｒＴａ等の強磁
性体でなる硬磁性層が形成され、更に両硬磁性層上に、
センス電流を供給するための端子部形成用導体層（導電
性リード層）が積層されている。
【０００６】このＡＭＲヘッドにおいては、着磁された
硬磁性層により、磁気抵抗層に記録トラックの幅方向の
磁気バイアス（横バイアス）が与えられると共に、ソフ
トアジャセント層に流れるセンス電流による磁場によ
り、磁気抵抗層に硬磁性層の磁気バイアスと直角方向の
磁気バイアス（縦バイアス）が与えられる。
硬磁性層により、磁気抵抗層に記録トラックの幅方向の
磁気バイアス（横バイアス）が与えられると共に、ソフ
トアジャセント層に流れるセンス電流による磁場によ
り、磁気抵抗層に硬磁性層の磁気バイアスと直角方向の
磁気バイアス（縦バイアス）が与えられる。
【０００７】ここで、磁気抵抗層における磁化方向とセ
ンス電流方向とが直角のときには、磁気抵抗効果素子層
の電気抵抗値が最小になり、磁化方向とセンス電流方向
とが同一又は逆のときには、電気抵抗値が最大になる。
ンス電流方向とが直角のときには、磁気抵抗効果素子層
の電気抵抗値が最小になり、磁化方向とセンス電流方向
とが同一又は逆のときには、電気抵抗値が最大になる。
【０００８】よって、記録データに基づく外部磁界がＡ
ＭＲヘッドに作用すると、磁気抵抗層における磁化方向
がセンス電流方向に対して変化し、磁気抵抗効果素子層
の電気抵抗値が変化し、センス電流も変化することにな
る。このため、センス電流の変化から記録データの読み
取りを行うことができる。
ＭＲヘッドに作用すると、磁気抵抗層における磁化方向
がセンス電流方向に対して変化し、磁気抵抗効果素子層
の電気抵抗値が変化し、センス電流も変化することにな
る。このため、センス電流の変化から記録データの読み
取りを行うことができる。
【０００９】ここで、上記硬磁性層に端子接続用導体層
の機能を兼ねさせず、硬磁性層とは別に端子接続用導体
層を設けている理由は、硬磁性層が磁気抵抗層にバイア
ス磁界を与えるものであり、硬磁性層に端子接続用導体
層の機能を兼ねさせようとして硬磁性層の膜厚を大きく
すると、バイアス磁界が強くなり過ぎるからである。
の機能を兼ねさせず、硬磁性層とは別に端子接続用導体
層を設けている理由は、硬磁性層が磁気抵抗層にバイア
ス磁界を与えるものであり、硬磁性層に端子接続用導体
層の機能を兼ねさせようとして硬磁性層の膜厚を大きく
すると、バイアス磁界が強くなり過ぎるからである。
【００１０】端子接続用導体層は、電気抵抗の低いＷで
形成され、その膜厚は500〜3000オングストローム程度
である。この端子接続用導体層は下地層を介して硬磁性
層に積層されている。下地層はスパッタや蒸着等の真空
成膜装置により端子接続用導体層よりも薄く形成され、
その成膜材料としては、Ｔａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ
やこれらを含む合金等が用いられる。
形成され、その膜厚は500〜3000オングストローム程度
である。この端子接続用導体層は下地層を介して硬磁性
層に積層されている。下地層はスパッタや蒸着等の真空
成膜装置により端子接続用導体層よりも薄く形成され、
その成膜材料としては、Ｔａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ
やこれらを含む合金等が用いられる。
【００１１】この下地層は端子接続用導体層の酸化防止
・拡散防止・エレクトロマイグレーションの抑制等を目
的とするものであり、端子接続用導体層の両面に成膜す
ることが多い。
・拡散防止・エレクトロマイグレーションの抑制等を目
的とするものであり、端子接続用導体層の両面に成膜す
ることが多い。
【００１２】他の磁気抵抗効果型ヘッドであるＧＭＲヘ
ッドは、保持力の異なる材料の界面で起こる電子散乱の
度合いが外部磁界により変化することを利用して、記録
データの読み取りを行うもので、ＡＭＲヘッドよりも、
一層の高密度化が可能になる。ＧＭＲヘッドとしては、
スピンバルブ膜、超格子ＧＭＲ膜、グラニュラ膜等、種
々の膜構造を有したものが知られている。
ッドは、保持力の異なる材料の界面で起こる電子散乱の
度合いが外部磁界により変化することを利用して、記録
データの読み取りを行うもので、ＡＭＲヘッドよりも、
一層の高密度化が可能になる。ＧＭＲヘッドとしては、
スピンバルブ膜、超格子ＧＭＲ膜、グラニュラ膜等、種
々の膜構造を有したものが知られている。
【００１３】ＧＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子層は、例
えばスピンバルブ膜の場合、保持力の大きいピン層や保
持力の小さいスピン層等の複数の磁性層を非磁性中間層
を介して積層し、ピン層に隣接した反強磁性層によりピ
ン層の磁化方向を固定する多層構造を有したものであ
る。
えばスピンバルブ膜の場合、保持力の大きいピン層や保
持力の小さいスピン層等の複数の磁性層を非磁性中間層
を介して積層し、ピン層に隣接した反強磁性層によりピ
ン層の磁化方向を固定する多層構造を有したものであ
る。
【００１４】上記ＧＭＲヘッドにおいて、外部磁界が変
化するとフリー層の磁化方向が変化する。そして、フリ
ー層の磁化方向がピン層の磁化方向と一致（平行）した
ときに磁気抵抗効果素子層の電気抵抗値が最小になり、
180度逆（反平行）のときに最大になる。この電気抵抗
値の変化はセンス電流の変化として現れる。
化するとフリー層の磁化方向が変化する。そして、フリ
ー層の磁化方向がピン層の磁化方向と一致（平行）した
ときに磁気抵抗効果素子層の電気抵抗値が最小になり、
180度逆（反平行）のときに最大になる。この電気抵抗
値の変化はセンス電流の変化として現れる。
【００１５】そこで、このセンス電流の変化から記録デ
ータの読み取りを行うことができる。このＧＭＲヘッド
にも、磁気抵抗効果素子層の両端に磁気バイアス印加用
の硬磁性層を有し、この硬磁性層上に端子部形成用導体
層が積層されたものがある。
ータの読み取りを行うことができる。このＧＭＲヘッド
にも、磁気抵抗効果素子層の両端に磁気バイアス印加用
の硬磁性層を有し、この硬磁性層上に端子部形成用導体
層が積層されたものがある。
【００１６】ＡＭＲヘッド及びＧＭＲヘッド共、情報の
再生のみ可能であり、記録が行えないため、通常は、記
録を行う薄膜ヘッド（磁気誘導型ヘッド）と一体になっ
て、複合型の磁気ヘッドを構成する場合が多い。
再生のみ可能であり、記録が行えないため、通常は、記
録を行う薄膜ヘッド（磁気誘導型ヘッド）と一体になっ
て、複合型の磁気ヘッドを構成する場合が多い。
【００１７】図９はこの複合型の磁気ヘッドの主要部を
示す図、図１０は図９中の磁気抵抗効果素子層，硬磁性
層及び導体層を示す斜視図である。これらの図におい
て、１０は磁気記録媒体のトラック、２０は磁気記録媒
体へのデータの記録を行う薄膜ヘッドからなる記録ヘッ
ド部、３０は記録データの読み出しを行う磁気抵抗効果
型ヘッドからなる再生ヘッド部である。
示す図、図１０は図９中の磁気抵抗効果素子層，硬磁性
層及び導体層を示す斜視図である。これらの図におい
て、１０は磁気記録媒体のトラック、２０は磁気記録媒
体へのデータの記録を行う薄膜ヘッドからなる記録ヘッ
ド部、３０は記録データの読み出しを行う磁気抵抗効果
型ヘッドからなる再生ヘッド部である。
【００１８】セラミック製の基板（スライダ）２５上に
は、図示しないが、Ａｌ2Ｏ3等の非磁性絶縁膜でなる基
板保護層、ＮｉＦｅ等でなる下部シールド層、Ａｌ2Ｏ3
等でなる非磁性絶縁層が、この順序で形成されており、
再生ヘッド部３０の磁気抵抗効果素子層３０Ａは、この
非磁性絶縁層上に形成されている。
は、図示しないが、Ａｌ2Ｏ3等の非磁性絶縁膜でなる基
板保護層、ＮｉＦｅ等でなる下部シールド層、Ａｌ2Ｏ3
等でなる非磁性絶縁層が、この順序で形成されており、
再生ヘッド部３０の磁気抵抗効果素子層３０Ａは、この
非磁性絶縁層上に形成されている。
【００１９】仮に、磁気抵抗効果素子層３０Ａを前述の
ＡＭＲヘッドで構成するのであれば、図１０に示したよ
うに、磁気抵抗効果素子層３０Ａは、ソフトアジャセン
ト層３５、非磁性中間層３６、磁気抵抗層３７等で形成
される。この磁気抵抗効果素子層３０Ａの両端には一対
の硬磁性層３８が形成され、更に、両硬磁性層３８に図
示しない下地層を介して端子部形成用導体層３１が積層
されることにより、再生ヘッド部３０が形成される。
ＡＭＲヘッドで構成するのであれば、図１０に示したよ
うに、磁気抵抗効果素子層３０Ａは、ソフトアジャセン
ト層３５、非磁性中間層３６、磁気抵抗層３７等で形成
される。この磁気抵抗効果素子層３０Ａの両端には一対
の硬磁性層３８が形成され、更に、両硬磁性層３８に図
示しない下地層を介して端子部形成用導体層３１が積層
されることにより、再生ヘッド部３０が形成される。
【００２０】再生ヘッド部３０上には、図示しないＡｌ
2Ｏ3等でなる非磁性絶縁層を介して、薄膜ヘッドからな
る記録ヘッド部２０が形成されている。この記録ヘッド
部２０は、ＮｉＦｅ等でなる上部シールド層（下部磁極
層）２１と、Ａｌ2Ｏ3等でなり記録ギャップを形成する
磁気ギャップ層２２と、トラックとの対向部分が磁気ギ
ャップ層２２を介して上部シールド層２１と対向したＮ
ｉＦｅ等でなる上部磁極層２３と、上記磁極層２１，２
３を励磁し、記録ギャップ部分にて、磁気記録媒体の記
録トラック１０に情報の記録を行わせるコイル層２４等
から構成される。
2Ｏ3等でなる非磁性絶縁層を介して、薄膜ヘッドからな
る記録ヘッド部２０が形成されている。この記録ヘッド
部２０は、ＮｉＦｅ等でなる上部シールド層（下部磁極
層）２１と、Ａｌ2Ｏ3等でなり記録ギャップを形成する
磁気ギャップ層２２と、トラックとの対向部分が磁気ギ
ャップ層２２を介して上部シールド層２１と対向したＮ
ｉＦｅ等でなる上部磁極層２３と、上記磁極層２１，２
３を励磁し、記録ギャップ部分にて、磁気記録媒体の記
録トラック１０に情報の記録を行わせるコイル層２４等
から構成される。
【００２１】尚、コイル層２４周辺の空間には、コイル
層２４を挟むようにしてポリイミド等でなる非磁性絶縁
層２６が隙間なく設けられている。又、記録ヘッド部２
０の表面を覆うために、上部磁極層２３の外側には、図
示しないＡｌ2Ｏ3等でなる保護層が形成されている。
層２４を挟むようにしてポリイミド等でなる非磁性絶縁
層２６が隙間なく設けられている。又、記録ヘッド部２
０の表面を覆うために、上部磁極層２３の外側には、図
示しないＡｌ2Ｏ3等でなる保護層が形成されている。
【００２２】ところで、上記磁気ヘッドの製造プロセス
においては、多数の磁気ヘッドが、二次元的配列でもっ
てウエハ（基板）上に一度に形成される。その後、機械
加工に移り、磁気ヘッドが表面に成膜されたウエハは、
複数の磁気ヘッドが直線状に配列されたブロックに分割
され、ブロック単位で、磁気抵抗効果素子高さ（図９の
磁気抵抗効果素子層３０Ａの上下方向の幅、図１０中の
長さＨ）が所定の値になるようにラップ盤等を用いて浮
上面が研磨される。次に、各ブロックは磁気ヘッド毎に
分割され、図１１に示すような個々のスライダ付き磁気
ヘッドが作製されることになる。
においては、多数の磁気ヘッドが、二次元的配列でもっ
てウエハ（基板）上に一度に形成される。その後、機械
加工に移り、磁気ヘッドが表面に成膜されたウエハは、
複数の磁気ヘッドが直線状に配列されたブロックに分割
され、ブロック単位で、磁気抵抗効果素子高さ（図９の
磁気抵抗効果素子層３０Ａの上下方向の幅、図１０中の
長さＨ）が所定の値になるようにラップ盤等を用いて浮
上面が研磨される。次に、各ブロックは磁気ヘッド毎に
分割され、図１１に示すような個々のスライダ付き磁気
ヘッドが作製されることになる。
【００２３】図１１において、スライダ２８（基板２５
が分割されたもの）の磁気記録媒体に対向する浮上面に
は、該磁気記録媒体の回転によって生じる空気流の方向
に沿った浮上力発生用レール２８ａが設けられ、レール
２８ａの空気流入側部分には、傾斜面２８ｂが形成され
ている。磁気ヘッド２７はこのスライダ２８の後端面に
位置している。
が分割されたもの）の磁気記録媒体に対向する浮上面に
は、該磁気記録媒体の回転によって生じる空気流の方向
に沿った浮上力発生用レール２８ａが設けられ、レール
２８ａの空気流入側部分には、傾斜面２８ｂが形成され
ている。磁気ヘッド２７はこのスライダ２８の後端面に
位置している。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】磁気ヘッドを成膜した
後のウエハを、ブロックに切断し、浮上面を研磨し、個
々の磁気ヘッドに分割する、という一連の機械加工時に
おいて、ウエハ上に成膜した多くの膜が露出し、端子部
形成用導体層も露出することになる。ここで、端子部形
成用導体層は、当然ながら電気抵抗が低いことを要求さ
れ、従来はＷで形成されている。
後のウエハを、ブロックに切断し、浮上面を研磨し、個
々の磁気ヘッドに分割する、という一連の機械加工時に
おいて、ウエハ上に成膜した多くの膜が露出し、端子部
形成用導体層も露出することになる。ここで、端子部形
成用導体層は、当然ながら電気抵抗が低いことを要求さ
れ、従来はＷで形成されている。
【００２５】しかし、Ｗは非常に腐食し易く、露出時
に、機械加工や洗浄中に使用する水や大気中の水分と反
応して、すぐに錆びてしまう。このため、加工用のラッ
プ液や洗浄液として水を含まないものを用いたり、端子
部形成用導体層が露出している状態のブロックは、乾燥
した雰囲気内に保管しなければならず、機械加工時の取
り扱いが面倒であった。又、このことが、ディスク装置
のコストを押し上げる要因の一つにもなっていた。
に、機械加工や洗浄中に使用する水や大気中の水分と反
応して、すぐに錆びてしまう。このため、加工用のラッ
プ液や洗浄液として水を含まないものを用いたり、端子
部形成用導体層が露出している状態のブロックは、乾燥
した雰囲気内に保管しなければならず、機械加工時の取
り扱いが面倒であった。又、このことが、ディスク装置
のコストを押し上げる要因の一つにもなっていた。
【００２６】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、電気抵抗が低い端子部形成用導体層
を有し、且つ、機械加工時の取り扱いが容易な磁気抵抗
効果型ヘッドを実現することにある。本発明の他の目的
は、コストダウンが可能なディスク装置を実現すること
にある。
ので、その目的は、電気抵抗が低い端子部形成用導体層
を有し、且つ、機械加工時の取り扱いが容易な磁気抵抗
効果型ヘッドを実現することにある。本発明の他の目的
は、コストダウンが可能なディスク装置を実現すること
にある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する磁気
抵抗効果型ヘッドに関する発明は、磁気抵抗効果素子層
と、この磁気抵抗効果素子層の両端に形成された硬磁性
層と、この硬磁性層に積層された端子部形成用導体層と
を有し、磁界の変化を、前記磁気抵抗効果素子層の電気
抵抗値の変化として検出する磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、前記端子部形成用導体層として、前記硬磁性層上
にＷ又はＷ合金でなる下地層を使用してＢＣＣ（Body-C
entered-Cubic）構造を持ったＴａを形成したものを用
いたことを特徴とするものである。
抵抗効果型ヘッドに関する発明は、磁気抵抗効果素子層
と、この磁気抵抗効果素子層の両端に形成された硬磁性
層と、この硬磁性層に積層された端子部形成用導体層と
を有し、磁界の変化を、前記磁気抵抗効果素子層の電気
抵抗値の変化として検出する磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、前記端子部形成用導体層として、前記硬磁性層上
にＷ又はＷ合金でなる下地層を使用してＢＣＣ（Body-C
entered-Cubic）構造を持ったＴａを形成したものを用
いたことを特徴とするものである。
【００２８】ＢＣＣ構造を持ったＴａは、電気抵抗が低
く、耐食性は高い。よって、この発明のように、端子部
形成用導体層として、硬磁性層上にＷ又はＷ合金でなる
下地層を使用してＢＣＣ構造を持ったＴａを形成したも
のを用いると、端子部形成用導体層の電気抵抗は低く、
且つ、磁気ヘッドを成膜した後のウエハを、ブロックに
切断し、浮上面を研磨し、個々の磁気ヘッドに分割す
る、という一連の機械加工時において、端子部形成用導
体層が露出しても、腐食の問題は生じない。
く、耐食性は高い。よって、この発明のように、端子部
形成用導体層として、硬磁性層上にＷ又はＷ合金でなる
下地層を使用してＢＣＣ構造を持ったＴａを形成したも
のを用いると、端子部形成用導体層の電気抵抗は低く、
且つ、磁気ヘッドを成膜した後のウエハを、ブロックに
切断し、浮上面を研磨し、個々の磁気ヘッドに分割す
る、という一連の機械加工時において、端子部形成用導
体層が露出しても、腐食の問題は生じない。
【００２９】このため、機械加工や洗浄中に水を使用し
たり、非乾燥雰囲気中にブロックを放置しても、端子部
形成用導体層が錆びることはない。従って、機械加工時
の取り扱いが容易である。
たり、非乾燥雰囲気中にブロックを放置しても、端子部
形成用導体層が錆びることはない。従って、機械加工時
の取り扱いが容易である。
【００３０】尚、下地層にＷを用いると、このＷが腐食
することになるが、下地層はその膜厚が薄く露出面積が
狭いので、腐食の問題はほとんど生じない。この点、下
地層にＷ合金を用いれば、Ｗ合金の耐食性が高いことか
ら、その分だけ耐食性を向上させることができる。例え
ば、Ｗ合金として、Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆの少
なくとも一つの元素とＷとを混ぜたものを用いれば、一
層耐食性が向上する。
することになるが、下地層はその膜厚が薄く露出面積が
狭いので、腐食の問題はほとんど生じない。この点、下
地層にＷ合金を用いれば、Ｗ合金の耐食性が高いことか
ら、その分だけ耐食性を向上させることができる。例え
ば、Ｗ合金として、Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆの少
なくとも一つの元素とＷとを混ぜたものを用いれば、一
層耐食性が向上する。
【００３１】硬磁性層上にＷ合金でなる下地層を直接成
膜すると、下地層のＷ合金の結晶構造が、硬磁性層の影
響を受けて変化し、下地層上に、十分にＢＣＣ構造の端
子部形成用導体層を形成できないが、Ｔａでなる隔離層
を硬磁性層と下地層との間に成膜すると、下地層をなす
Ｗ合金の結晶構造が大きく変化せず、下地層上に、十分
にＢＣＣ構造の端子部形成用導体層を形成でき、端子部
形成用導体層の電気抵抗を更に下げることができる。
膜すると、下地層のＷ合金の結晶構造が、硬磁性層の影
響を受けて変化し、下地層上に、十分にＢＣＣ構造の端
子部形成用導体層を形成できないが、Ｔａでなる隔離層
を硬磁性層と下地層との間に成膜すると、下地層をなす
Ｗ合金の結晶構造が大きく変化せず、下地層上に、十分
にＢＣＣ構造の端子部形成用導体層を形成でき、端子部
形成用導体層の電気抵抗を更に下げることができる。
【００３２】上記課題を解決するディスク装置に関する
発明は、磁気抵抗効果素子層と、この磁気抵抗効果素子
層の両端に形成された硬磁性層と、この硬磁性層に積層
された端子部形成用導体層とを有し、磁界の変化を、前
記磁気抵抗効果素子層の電気抵抗値の変化として検出す
る磁気抵抗効果型ヘッドを備えたディスク装置におい
て、前記端子部形成用導体層として、前記硬磁性層上に
Ｗ又はＷ合金でなる下地層を使用してＢＣＣ構造を持っ
たＴａを形成したものを用いたことを特徴とするもので
ある。
発明は、磁気抵抗効果素子層と、この磁気抵抗効果素子
層の両端に形成された硬磁性層と、この硬磁性層に積層
された端子部形成用導体層とを有し、磁界の変化を、前
記磁気抵抗効果素子層の電気抵抗値の変化として検出す
る磁気抵抗効果型ヘッドを備えたディスク装置におい
て、前記端子部形成用導体層として、前記硬磁性層上に
Ｗ又はＷ合金でなる下地層を使用してＢＣＣ構造を持っ
たＴａを形成したものを用いたことを特徴とするもので
ある。
【００３３】
【発明の実施の形態】磁気抵抗効果型ヘッド及びディス
ク装置に関する発明共、その実施の形態例は、端子部形
成用導体層周辺の層構造が従来技術と相違しているだけ
で、この部分を除けば、従来技術と全く同様な構造を有
している。
ク装置に関する発明共、その実施の形態例は、端子部形
成用導体層周辺の層構造が従来技術と相違しているだけ
で、この部分を除けば、従来技術と全く同様な構造を有
している。
【００３４】（形態例１）形態例１は、前述のＡＭＲヘ
ッドに関するもので、端子部形成用導体層周辺の層構造
は図１のようになっている。ここで、図１は形態例１で
の磁気抵抗効果素子層，硬磁性層及び端子部形成用導体
層を示す斜視図である。
ッドに関するもので、端子部形成用導体層周辺の層構造
は図１のようになっている。ここで、図１は形態例１で
の磁気抵抗効果素子層，硬磁性層及び端子部形成用導体
層を示す斜視図である。
【００３５】図１において、磁気抵抗効果素子層４０
は、ＮｉＦｅとＲｈ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｈｆ等との合
金でなる軟磁性体のソフトアジャセント層４１、Ｔａ等
の非磁性中間層４２、ＮｉＦｅ等の磁気抵抗層４３等で
形成されている。
は、ＮｉＦｅとＲｈ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｈｆ等との合
金でなる軟磁性体のソフトアジャセント層４１、Ｔａ等
の非磁性中間層４２、ＮｉＦｅ等の磁気抵抗層４３等で
形成されている。
【００３６】この磁気抵抗効果素子層４０の両端には、
ＣｏＣｒやＣｏＣｒ合金（例えばＣｏＣｒＰｔやＣｏＣ
ｒＴａ）等の強磁性体でなる一対の硬磁性層４４が形成
され、更に、両硬磁性層４４上に、ＷやＷ合金でなる下
地層４５を介して、ＢＣＣ構造を持ったＴａでなる端子
部形成用導体層４６が形成されている。
ＣｏＣｒやＣｏＣｒ合金（例えばＣｏＣｒＰｔやＣｏＣ
ｒＴａ）等の強磁性体でなる一対の硬磁性層４４が形成
され、更に、両硬磁性層４４上に、ＷやＷ合金でなる下
地層４５を介して、ＢＣＣ構造を持ったＴａでなる端子
部形成用導体層４６が形成されている。
【００３７】ＢＣＣ構造（バルクと同じ結晶構造で体心
立方晶）を持ったＴａは、一般にαＴａと呼ばれてい
る。端子部形成用導体層４６をスパッタで形成する場
合、スパッタ条件等により、このαＴａになったり、β
Ｔａになったりすることはよく知られていることであ
る。従って、本発明では、αＴａが形成されるようにス
パッタ条件等を選択することになる。
立方晶）を持ったＴａは、一般にαＴａと呼ばれてい
る。端子部形成用導体層４６をスパッタで形成する場
合、スパッタ条件等により、このαＴａになったり、β
Ｔａになったりすることはよく知られていることであ
る。従って、本発明では、αＴａが形成されるようにス
パッタ条件等を選択することになる。
【００３８】真空成膜技術を用いてＴａを単独で成膜す
ると、その結晶構造は、ＢＣＣ構造とはならず、比抵抗
が200μΩｃｍ程度になってしまい、端子部形成用導体
層４６としては使用できない。このために本形態例で
は、下地層４５として、ＷやＷ合金を用いている。Ｔａ
がＢＣＣ構造を持てば、比抵抗は数十μΩｃｍ程度まで
下がり、十分に端子部形成用導体層４６として使用でき
る。
ると、その結晶構造は、ＢＣＣ構造とはならず、比抵抗
が200μΩｃｍ程度になってしまい、端子部形成用導体
層４６としては使用できない。このために本形態例で
は、下地層４５として、ＷやＷ合金を用いている。Ｔａ
がＢＣＣ構造を持てば、比抵抗は数十μΩｃｍ程度まで
下がり、十分に端子部形成用導体層４６として使用でき
る。
【００３９】Ｔａ，Ｗ，ＴｉＷの各単層膜における比抵
抗は、その膜厚が200オングストロームの場合、それぞ
れ、192.0，15.2，44.8μΩｃｍであるが、下地層４５
としてＴｉＷを用い、αＴａを成膜した場合、Ｔａ膜並
びにＴｉＷ／Ｔａ積層膜の比抵抗は、一例を挙げると、
次のようになる。
抗は、その膜厚が200オングストロームの場合、それぞ
れ、192.0，15.2，44.8μΩｃｍであるが、下地層４５
としてＴｉＷを用い、αＴａを成膜した場合、Ｔａ膜並
びにＴｉＷ／Ｔａ積層膜の比抵抗は、一例を挙げると、
次のようになる。
【００４０】ＴｉＷ，Ｔａの膜厚がそれぞれ200，1000
オングストロームの場合 Ｔａ膜の比抵抗；17.9μΩｃｍ ＴｉＷ／Ｔａ積層膜の比抵抗；17.8μΩｃｍ ＴｉＷ，Ｔａの膜厚がそれぞれ300，1000オングストロ
ームの場合 Ｔａ膜の比抵抗；19.4μΩｃｍ ＴｉＷ／Ｔａ積層膜の比抵抗；19.3μΩｃｍ ＴｉＷ，Ｔａの膜厚がそれぞれ400，1000オングストロ
ームの場合 Ｔａ膜の比抵抗；17.7μΩｃｍ ＴｉＷ／Ｔａ積層膜の比抵抗；18.1μΩｃｍ このデータから、下地層４５としてＴｉＷを用いると、
ＴａはαＴａとなり、端子部形成用導体層４６の電気抵
抗を大きく下げることがわかる。又、ＴｉＷの膜厚は端
子部形成用導体層４６の電気抵抗にあまり影響を与えな
いこともわかる。
オングストロームの場合 Ｔａ膜の比抵抗；17.9μΩｃｍ ＴｉＷ／Ｔａ積層膜の比抵抗；17.8μΩｃｍ ＴｉＷ，Ｔａの膜厚がそれぞれ300，1000オングストロ
ームの場合 Ｔａ膜の比抵抗；19.4μΩｃｍ ＴｉＷ／Ｔａ積層膜の比抵抗；19.3μΩｃｍ ＴｉＷ，Ｔａの膜厚がそれぞれ400，1000オングストロ
ームの場合 Ｔａ膜の比抵抗；17.7μΩｃｍ ＴｉＷ／Ｔａ積層膜の比抵抗；18.1μΩｃｍ このデータから、下地層４５としてＴｉＷを用いると、
ＴａはαＴａとなり、端子部形成用導体層４６の電気抵
抗を大きく下げることがわかる。又、ＴｉＷの膜厚は端
子部形成用導体層４６の電気抵抗にあまり影響を与えな
いこともわかる。
【００４１】このように、端子部形成用導体層４６とし
て、硬磁性層４４上にＷ又はＷ合金でなる下地層４５を
使用してＢＣＣ構造を持ったＴａを形成したものを用い
ると、端子部形成用導体層４６の電気抵抗を下げること
ができる。
て、硬磁性層４４上にＷ又はＷ合金でなる下地層４５を
使用してＢＣＣ構造を持ったＴａを形成したものを用い
ると、端子部形成用導体層４６の電気抵抗を下げること
ができる。
【００４２】しかも、磁気ヘッド（磁気抵抗効果型ヘッ
ドを含む）を成膜した後のウエハを、ブロックに切断
し、浮上面を研磨し、個々の磁気ヘッドに分割する、と
いう一連の機械加工時において、端子部形成用導体層４
６が露出しても、端子部形成用導体層４６の腐食の問題
は生じず、機械加工や洗浄中に水を使用したり、非乾燥
雰囲気中にブロックを放置しても、端子部形成用導体層
４６が錆びることはない。このため、機械加工時の取り
扱いが容易である。
ドを含む）を成膜した後のウエハを、ブロックに切断
し、浮上面を研磨し、個々の磁気ヘッドに分割する、と
いう一連の機械加工時において、端子部形成用導体層４
６が露出しても、端子部形成用導体層４６の腐食の問題
は生じず、機械加工や洗浄中に水を使用したり、非乾燥
雰囲気中にブロックを放置しても、端子部形成用導体層
４６が錆びることはない。このため、機械加工時の取り
扱いが容易である。
【００４３】ここで、下地層４５にＷを単体で用いる
と、このＷが腐食することになるが、下地層４５は現実
にはその膜厚が薄く露出面積が狭いので、腐食の問題は
ほとんど生じない。しかし、この耐食性にを問題にする
のであれば、下地層４５にＷ合金を用いればよい。
と、このＷが腐食することになるが、下地層４５は現実
にはその膜厚が薄く露出面積が狭いので、腐食の問題は
ほとんど生じない。しかし、この耐食性にを問題にする
のであれば、下地層４５にＷ合金を用いればよい。
【００４４】これにより、Ｗ合金の耐食性が高いことか
ら、その分だけ耐食性を向上させることができる。この
Ｗ合金としては、Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆの少な
くとも一つの元素とＷとを混ぜたものがある。例えば、
Ｗ合金として前述のＴｉＷを用いれば、Ｗ単体の場合と
比べて、２倍以上に耐食性が向上する。
ら、その分だけ耐食性を向上させることができる。この
Ｗ合金としては、Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆの少な
くとも一つの元素とＷとを混ぜたものがある。例えば、
Ｗ合金として前述のＴｉＷを用いれば、Ｗ単体の場合と
比べて、２倍以上に耐食性が向上する。
【００４５】本形態例の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
も、前述のＡＭＲヘッドと同様に、着磁された硬磁性層
４４により、磁気抵抗層４３に記録トラックの幅方向の
横バイアスが与えられると共に、ソフトアジャセント層
４１に流れるセンス電流による磁場により、磁気抵抗層
４３に硬磁性層４４の磁気バイアスと直角方向の縦バイ
アスが与えられ、磁気抵抗層４３における磁化方向とセ
ンス電流方向とが直角のときには、磁気抵抗効果素子層
４０の電気抵抗値が最小になり、磁化方向とセンス電流
方向とが同一又は逆のときには、電気抵抗値が最大にな
る。そこで、センス電流の変化から記録データの読み取
りを行うことになる。
も、前述のＡＭＲヘッドと同様に、着磁された硬磁性層
４４により、磁気抵抗層４３に記録トラックの幅方向の
横バイアスが与えられると共に、ソフトアジャセント層
４１に流れるセンス電流による磁場により、磁気抵抗層
４３に硬磁性層４４の磁気バイアスと直角方向の縦バイ
アスが与えられ、磁気抵抗層４３における磁化方向とセ
ンス電流方向とが直角のときには、磁気抵抗効果素子層
４０の電気抵抗値が最小になり、磁化方向とセンス電流
方向とが同一又は逆のときには、電気抵抗値が最大にな
る。そこで、センス電流の変化から記録データの読み取
りを行うことになる。
【００４６】（形態例２）形態例２も、前述のＡＭＲヘ
ッドに関するもので、端子部形成用導体層周辺の層構造
は図２のようになっている。ここで、図２は形態例２で
の磁気抵抗効果素子層，硬磁性層及び導体層を示す斜視
図である。
ッドに関するもので、端子部形成用導体層周辺の層構造
は図２のようになっている。ここで、図２は形態例２で
の磁気抵抗効果素子層，硬磁性層及び導体層を示す斜視
図である。
【００４７】本形態例は、隔離層を設けた点で、形態例
１とはその構成が相違している（図２において、図１と
対応する部分には同一符号を付した）。即ち、本形態例
は、硬磁性層４４と下地層４５との間に、Ｔａでなる隔
離層４７を成膜している点に特徴がある。
１とはその構成が相違している（図２において、図１と
対応する部分には同一符号を付した）。即ち、本形態例
は、硬磁性層４４と下地層４５との間に、Ｔａでなる隔
離層４７を成膜している点に特徴がある。
【００４８】形態例１のように、硬磁性層４４上にＷ合
金でなる下地層４５を直接成膜すると、下地層４５のＷ
合金の結晶構造が、硬磁性層４４の影響を受けて変化
し、下地層４５上に、十分にＢＣＣ構造の端子部形成用
導体層４６を形成できない。これに対して、本形態例の
ように、Ｔａでなる隔離層４７を硬磁性層４４と下地層
４５との間に成膜すると、下地層４５をなすＷ合金の結
晶構造が大きく変化せず、下地層４５上に、十分にＢＣ
Ｃ構造の端子部形成用導体層４６を形成でき、端子部形
成用導体層４６の電気抵抗を一層下げることができる。
金でなる下地層４５を直接成膜すると、下地層４５のＷ
合金の結晶構造が、硬磁性層４４の影響を受けて変化
し、下地層４５上に、十分にＢＣＣ構造の端子部形成用
導体層４６を形成できない。これに対して、本形態例の
ように、Ｔａでなる隔離層４７を硬磁性層４４と下地層
４５との間に成膜すると、下地層４５をなすＷ合金の結
晶構造が大きく変化せず、下地層４５上に、十分にＢＣ
Ｃ構造の端子部形成用導体層４６を形成でき、端子部形
成用導体層４６の電気抵抗を一層下げることができる。
【００４９】例えば、ＴｉＷ，Ｔａの膜厚がそれぞれ20
0，1000オングストロームの場合、ＴｉＷ／Ｔａ積層膜
の比抵抗は、前述の通り、17.8μΩｃｍであるが、現実
に、ＣｏＣｒＰｔ等の硬磁性層４４上にＴｉＷでなる下
地層４５を直接成膜すると、下地層４５のＴｉＷの結晶
構造が硬磁性層４４の影響を受けて変化して、ＴｉＷ／
Ｔａ積層膜の比抵抗が38.0μΩｃｍとなり、硬磁性層４
４及び下地層４５をも含めた端子部形成用導体層４６部
分全体の比抵抗は、28.1μΩｃｍになってしまう。
0，1000オングストロームの場合、ＴｉＷ／Ｔａ積層膜
の比抵抗は、前述の通り、17.8μΩｃｍであるが、現実
に、ＣｏＣｒＰｔ等の硬磁性層４４上にＴｉＷでなる下
地層４５を直接成膜すると、下地層４５のＴｉＷの結晶
構造が硬磁性層４４の影響を受けて変化して、ＴｉＷ／
Ｔａ積層膜の比抵抗が38.0μΩｃｍとなり、硬磁性層４
４及び下地層４５をも含めた端子部形成用導体層４６部
分全体の比抵抗は、28.1μΩｃｍになってしまう。
【００５０】これに対して、硬磁性層４４と下地層４５
との間にＴａでなる隔離層４７を成膜すると、硬磁性層
４４，隔離層４７及び下地層４５をも含めた端子部形成
用導体層４６部分全体の電気抵抗はかなり下がる。
との間にＴａでなる隔離層４７を成膜すると、硬磁性層
４４，隔離層４７及び下地層４５をも含めた端子部形成
用導体層４６部分全体の電気抵抗はかなり下がる。
【００５１】例えば、下地層４５を膜厚が200オングス
トロームのＴｉＷで形成し，端子部形成用導体層４６を
膜厚が1000オングストロームのαＴａで形成する場合に
おいて、隔離層４７をなすＴａの膜厚と、硬磁性層４
４，隔離層４７及び下地層４５をも含めた端子部形成用
導体層４６部分全体の比抵抗との関係は、次のようにな
る。
トロームのＴｉＷで形成し，端子部形成用導体層４６を
膜厚が1000オングストロームのαＴａで形成する場合に
おいて、隔離層４７をなすＴａの膜厚と、硬磁性層４
４，隔離層４７及び下地層４５をも含めた端子部形成用
導体層４６部分全体の比抵抗との関係は、次のようにな
る。
【００５２】隔離層４７の膜厚が50オングストロームの
場合；24.6μΩｃｍ 隔離層４７の膜厚が100オングストロームの場合；22.9
μΩｃｍ 隔離層４７の膜厚が150オングストロームの場合；24.4
μΩｃｍ このデータからもわかるように、隔離層４７の膜厚が50
オングストローム以上であれば、隔離層４７は十分その
機能を発揮できる。
場合；24.6μΩｃｍ 隔離層４７の膜厚が100オングストロームの場合；22.9
μΩｃｍ 隔離層４７の膜厚が150オングストロームの場合；24.4
μΩｃｍ このデータからもわかるように、隔離層４７の膜厚が50
オングストローム以上であれば、隔離層４７は十分その
機能を発揮できる。
【００５３】このように、本形態例においては、端子部
形成用導体層４６の電気抵抗を一層下げることができ
る。しかも、磁気ヘッド（磁気抵抗効果型ヘッドを含
む）を成膜した後のウエハを、ブロックに切断し、浮上
面を研磨し、個々の磁気ヘッドに分割する、という一連
の機械加工時において、端子部形成用導体層４６が露出
しても、腐食の問題は生じず、機械加工や洗浄中に水を
使用したり、非乾燥雰囲気中にブロックを放置しても、
端子部形成用導体層４６が錆びることはない。このた
め、機械加工時の取り扱いが容易である。
形成用導体層４６の電気抵抗を一層下げることができ
る。しかも、磁気ヘッド（磁気抵抗効果型ヘッドを含
む）を成膜した後のウエハを、ブロックに切断し、浮上
面を研磨し、個々の磁気ヘッドに分割する、という一連
の機械加工時において、端子部形成用導体層４６が露出
しても、腐食の問題は生じず、機械加工や洗浄中に水を
使用したり、非乾燥雰囲気中にブロックを放置しても、
端子部形成用導体層４６が錆びることはない。このた
め、機械加工時の取り扱いが容易である。
【００５４】（形態例３）形態例１及び２の磁気抵抗効
果型ヘッドも、従来のものと同様に、単体で形成される
よりも、記録を行う薄膜ヘッドと一体になった複合型の
磁気ヘッドとして形成される場合が多い。そこで、複合
型の磁気ヘッドとして構成された形態例を図３及び４を
用いて説明する。
果型ヘッドも、従来のものと同様に、単体で形成される
よりも、記録を行う薄膜ヘッドと一体になった複合型の
磁気ヘッドとして形成される場合が多い。そこで、複合
型の磁気ヘッドとして構成された形態例を図３及び４を
用いて説明する。
【００５５】図３は形態例３における浮上面側から見た
主要部の成膜状態を示す図（図４中の浮上面位置におけ
る断面図）、図４は図３のＡ方向から見た主要部の成膜
状態を示す図（磁気抵抗効果素子層の中央での断面図）
である。
主要部の成膜状態を示す図（図４中の浮上面位置におけ
る断面図）、図４は図３のＡ方向から見た主要部の成膜
状態を示す図（磁気抵抗効果素子層の中央での断面図）
である。
【００５６】これらの図において、Ａｌ2Ｏ3ＴｉＣ等の
基板５０上には、Ａｌ2Ｏ3等の非磁性絶縁膜でなる基板
保護層５１と、ＦｅＮやＮｉＦｅ等でなる下部シールド
層５２と、Ａｌ2Ｏ3等でなる非磁性絶縁層５３とが、こ
の順序でスパッタ等により形成されている。
基板５０上には、Ａｌ2Ｏ3等の非磁性絶縁膜でなる基板
保護層５１と、ＦｅＮやＮｉＦｅ等でなる下部シールド
層５２と、Ａｌ2Ｏ3等でなる非磁性絶縁層５３とが、こ
の順序でスパッタ等により形成されている。
【００５７】そして、非磁性絶縁層５３の上に、磁気抵
抗効果素子層５４が形成されている。具体的には、絶縁
層５３の上に、ＮｉＦｅＲｈやＮｉＦｅＣｒ等の軟磁性
体からなるソフトアジャセント層５５と、Ｔａ等の非磁
性中間層５６と、ＮｉＦｅ等の磁気抵抗層５７とが、こ
の順序でスパッタ等により形成されている。
抗効果素子層５４が形成されている。具体的には、絶縁
層５３の上に、ＮｉＦｅＲｈやＮｉＦｅＣｒ等の軟磁性
体からなるソフトアジャセント層５５と、Ｔａ等の非磁
性中間層５６と、ＮｉＦｅ等の磁気抵抗層５７とが、こ
の順序でスパッタ等により形成されている。
【００５８】又、この磁気抵抗効果素子層５４の両側に
は、ＣｏＣｒやＣｏＣｒ合金（ＣｏＣｒＰｔやＣｏＣｒ
Ｔａ等）でなる硬磁性層６５がスパッタ等により形成さ
れ、その上に、ＷやＷ合金でなる下地層６４を介して、
ＢＣＣ構造を持ったＴａでなる端子部形成用導体層６６
がスパッタや蒸着等により形成されている。この部分の
構成は形態例１の場合と全く同様である。尚、この部分
の膜構造を形態例２のようにしてもよい。
は、ＣｏＣｒやＣｏＣｒ合金（ＣｏＣｒＰｔやＣｏＣｒ
Ｔａ等）でなる硬磁性層６５がスパッタ等により形成さ
れ、その上に、ＷやＷ合金でなる下地層６４を介して、
ＢＣＣ構造を持ったＴａでなる端子部形成用導体層６６
がスパッタや蒸着等により形成されている。この部分の
構成は形態例１の場合と全く同様である。尚、この部分
の膜構造を形態例２のようにしてもよい。
【００５９】この磁気抵抗効果型ヘッドでなる再生ヘッ
ド部の上に、Ａｌ2Ｏ3等でなる非磁性絶縁層６７を介し
て記録ヘッド部が形成されている。この記録ヘッド部
は、従来技術と全く同様な構成を有している。
ド部の上に、Ａｌ2Ｏ3等でなる非磁性絶縁層６７を介し
て記録ヘッド部が形成されている。この記録ヘッド部
は、従来技術と全く同様な構成を有している。
【００６０】即ち、薄膜ヘッドで記録ヘッド部を構成し
ており、ＮｉＦｅ等でなる上部シールド層（下部磁極
層）７１と、Ａｌ2Ｏ3等でなり記録ギャップを形成する
磁気ギャップ層７２と、トラックとの対向部分が磁気ギ
ャップ層７２を介して上部シールド層７１と対向したＮ
ｉＦｅ等でなる上部磁極層７３と、上記磁極層７１，７
３を励磁し、記録ギャップ部分にて、磁気記録媒体の記
録トラックに情報の記録を行わせるコイル層７４と、コ
イル層７４を挟むように配置されるポリイミド等でなる
コイル部第１，第２絶縁層７５，７６等と、記録ヘッド
部用の端子接続層７７及び端子層７８とを積層すること
により形成されている。尚、図示しないが、上部磁極層
７３の外側にはＡｌ2Ｏ3等でなる保護層が形成される。
ており、ＮｉＦｅ等でなる上部シールド層（下部磁極
層）７１と、Ａｌ2Ｏ3等でなり記録ギャップを形成する
磁気ギャップ層７２と、トラックとの対向部分が磁気ギ
ャップ層７２を介して上部シールド層７１と対向したＮ
ｉＦｅ等でなる上部磁極層７３と、上記磁極層７１，７
３を励磁し、記録ギャップ部分にて、磁気記録媒体の記
録トラックに情報の記録を行わせるコイル層７４と、コ
イル層７４を挟むように配置されるポリイミド等でなる
コイル部第１，第２絶縁層７５，７６等と、記録ヘッド
部用の端子接続層７７及び端子層７８とを積層すること
により形成されている。尚、図示しないが、上部磁極層
７３の外側にはＡｌ2Ｏ3等でなる保護層が形成される。
【００６１】磁気ヘッドの製造プロセスにおいては、前
述の通り、多数の磁気ヘッドが、二次元的配列でもって
ウエハ（基板；加工後にスライダとなる）上に一度に形
成される（ウエハ工程）。
述の通り、多数の磁気ヘッドが、二次元的配列でもって
ウエハ（基板；加工後にスライダとなる）上に一度に形
成される（ウエハ工程）。
【００６２】この磁気ヘッドが表面に成膜されたウエハ
は、その後、機械加工に移り、例えば、複数の磁気ヘッ
ドが直線状に配列されたブロックに分割され（切り出し
工程）、ブロック単位で、磁気抵抗効果素子高さが所定
の値になるように加工される（加工工程）。最後に、各
ブロックは個々の磁気ヘッドに分割される（分割工
程）。
は、その後、機械加工に移り、例えば、複数の磁気ヘッ
ドが直線状に配列されたブロックに分割され（切り出し
工程）、ブロック単位で、磁気抵抗効果素子高さが所定
の値になるように加工される（加工工程）。最後に、各
ブロックは個々の磁気ヘッドに分割される（分割工
程）。
【００６３】各工程を具体的に説明すると、まず、ウエ
ハ工程においては、図５に示すように、例えば円板状の
ウエハ１０１の表面に、二次元的配列でもって磁気ヘッ
ド（磁気抵抗効果型ヘッド及び／又は薄膜ヘッドからな
る）を成膜する。
ハ工程においては、図５に示すように、例えば円板状の
ウエハ１０１の表面に、二次元的配列でもって磁気ヘッ
ド（磁気抵抗効果型ヘッド及び／又は薄膜ヘッドからな
る）を成膜する。
【００６４】切り出し工程において、この磁気ヘッド成
膜後のウエハ１０１から、複数のブロック１０２を切り
出す。図５の例においては、ブロック１０２は２列にわ
たって多数形成されており、この区画にそってブロック
１０２を切り出すことになる。
膜後のウエハ１０１から、複数のブロック１０２を切り
出す。図５の例においては、ブロック１０２は２列にわ
たって多数形成されており、この区画にそってブロック
１０２を切り出すことになる。
【００６５】各ブロック１０２は、図６に示すように、
磁気ヘッド１０３が直線状に配列されたもので、この例
では、磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さ等の加工監視用
の抵抗モニタパターン１０４が、ブロック１０２の左右
の端部（双方の端部）と中央部とに設けられている。
磁気ヘッド１０３が直線状に配列されたもので、この例
では、磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さ等の加工監視用
の抵抗モニタパターン１０４が、ブロック１０２の左右
の端部（双方の端部）と中央部とに設けられている。
【００６６】ブロック１０２に切り出した後、各ブロッ
ク１０２の裏面側（ウエハ１０１の裏面側）を研削し
て、スライダの全長を仕上げる（ウエハ１０１の厚さ方
向がスライダの長さ方向である）。尚、ブロック１０２
は細長く扱い難いので、以後の加工はブロック１０２を
治具に貼り付けて行う。
ク１０２の裏面側（ウエハ１０１の裏面側）を研削し
て、スライダの全長を仕上げる（ウエハ１０１の厚さ方
向がスライダの長さ方向である）。尚、ブロック１０２
は細長く扱い難いので、以後の加工はブロック１０２を
治具に貼り付けて行う。
【００６７】磁気抵抗効果型ヘッドの素子高さ方向や薄
膜ヘッドのギャップ深さ方向は、図６の上方向である。
そこで、加工工程では、まず、スライダの浮上面である
下面１０２Ａを研削し、その後、抵抗モニタパターン１
０４の電気抵抗値を監視しながら、ラッピングにより、
この下面１０２Ａを高精度に仕上げる。
膜ヘッドのギャップ深さ方向は、図６の上方向である。
そこで、加工工程では、まず、スライダの浮上面である
下面１０２Ａを研削し、その後、抵抗モニタパターン１
０４の電気抵抗値を監視しながら、ラッピングにより、
この下面１０２Ａを高精度に仕上げる。
【００６８】次に、浮上面の空気流入側部分に傾斜面
（図１１の傾斜面２８ｂに相当する）を形成し、更に、
スライダの磁気記録媒体への吸着を防ぐために、クラウ
ン研磨を行い、浮上面側にわずかなアールを付ける。
（図１１の傾斜面２８ｂに相当する）を形成し、更に、
スライダの磁気記録媒体への吸着を防ぐために、クラウ
ン研磨を行い、浮上面側にわずかなアールを付ける。
【００６９】その後、浮上面に保護膜を形成し、この保
護膜形成後、フォトリソグラフィやイオンミリング等に
より、浮上面に浮上力発生用レール（図１１の浮上力発
生用レール２８ａに相当する）を形成する。最後に、ブ
ロックを個々の磁気ヘッドに砥石で切断し、スライダ付
きの磁気ヘッドを得る。
護膜形成後、フォトリソグラフィやイオンミリング等に
より、浮上面に浮上力発生用レール（図１１の浮上力発
生用レール２８ａに相当する）を形成する。最後に、ブ
ロックを個々の磁気ヘッドに砥石で切断し、スライダ付
きの磁気ヘッドを得る。
【００７０】本形態例においても、端子部形成用導体層
４６の電気抵抗を下げることができる。しかも、磁気ヘ
ッド（磁気抵抗効果型ヘッドを含む）を成膜した後のウ
エハ１０１を、ブロック１０２に切断し、浮上面を研磨
し、個々の磁気ヘッドに分割する、という一連の機械加
工時において、端子部形成用導体層が露出しても、腐食
の問題は生じず、機械加工や洗浄中に水を使用したり、
非乾燥雰囲気中にブロックを放置しても、端子部形成用
導体層が錆びることはない。このため、機械加工時の取
り扱いが容易である。
４６の電気抵抗を下げることができる。しかも、磁気ヘ
ッド（磁気抵抗効果型ヘッドを含む）を成膜した後のウ
エハ１０１を、ブロック１０２に切断し、浮上面を研磨
し、個々の磁気ヘッドに分割する、という一連の機械加
工時において、端子部形成用導体層が露出しても、腐食
の問題は生じず、機械加工や洗浄中に水を使用したり、
非乾燥雰囲気中にブロックを放置しても、端子部形成用
導体層が錆びることはない。このため、機械加工時の取
り扱いが容易である。
【００７１】上記形態例３は、記録ヘッド部を有するも
のであったが、前述のように、記録ヘッド部を形成する
ことは、本発明にとって必須の構成ではない。又、記録
／再生ヘッドとして形成する場合であっても、上記形態
例３のように記録ギャップと読み出しギャップとが分け
られたもの（ピギーバック型）ではなく、記録ギャップ
中に磁気抵抗効果素子層を配置する構成（インギャップ
型）をとり、記録ギャップと読み出しギャップとを共用
するように形成してもよい。更に、記録ヘッド部は薄膜
ヘッドでなくてもよい。又、ＡＭＲヘッドに限らず、Ｇ
ＭＲヘッドに対しても、本発明を適用できる。
のであったが、前述のように、記録ヘッド部を形成する
ことは、本発明にとって必須の構成ではない。又、記録
／再生ヘッドとして形成する場合であっても、上記形態
例３のように記録ギャップと読み出しギャップとが分け
られたもの（ピギーバック型）ではなく、記録ギャップ
中に磁気抵抗効果素子層を配置する構成（インギャップ
型）をとり、記録ギャップと読み出しギャップとを共用
するように形成してもよい。更に、記録ヘッド部は薄膜
ヘッドでなくてもよい。又、ＡＭＲヘッドに限らず、Ｇ
ＭＲヘッドに対しても、本発明を適用できる。
【００７２】（形態例４）本形態例はディスク装置に関
するもので、上記形態例３の磁気ヘッドを用いて構成さ
れている。図７は形態例４でのディスク装置を示す平面
図（カバーを除いた状態）、図８は図７におけるＡ−Ａ
断面図である。
するもので、上記形態例３の磁気ヘッドを用いて構成さ
れている。図７は形態例４でのディスク装置を示す平面
図（カバーを除いた状態）、図８は図７におけるＡ−Ａ
断面図である。
【００７３】図において、磁気記録媒体をなす磁気ディ
スク１５０は、複数枚（本形態例では３枚）設けられて
いる。この磁気ディスク１５０は、ベースプレート１５
１上に設けられたスピンドルモータ１５２によって回転
駆動される。
スク１５０は、複数枚（本形態例では３枚）設けられて
いる。この磁気ディスク１５０は、ベースプレート１５
１上に設けられたスピンドルモータ１５２によって回転
駆動される。
【００７４】アクチュエータ１５３はベースプレート１
５１上に回転可能に設けられている。このアクチュエー
タ１５３の一方の回転端部には、磁気ディスク１５０の
記録面方向に延出する複数のヘッドアーム１５４が形成
されている。
５１上に回転可能に設けられている。このアクチュエー
タ１５３の一方の回転端部には、磁気ディスク１５０の
記録面方向に延出する複数のヘッドアーム１５４が形成
されている。
【００７５】このヘッドアーム１５４の回転端部には、
スプリングアーム１５５が取り付けられ、更に、このス
プリングアーム１５５のフレクシャー部に、磁気ヘッド
１４０が図示しない絶縁膜を介して傾動可能に取り付け
られている。一方、アクチュエータ１５３の他方の回転
端部には、コイル１５７が設けられている。
スプリングアーム１５５が取り付けられ、更に、このス
プリングアーム１５５のフレクシャー部に、磁気ヘッド
１４０が図示しない絶縁膜を介して傾動可能に取り付け
られている。一方、アクチュエータ１５３の他方の回転
端部には、コイル１５７が設けられている。
【００７６】ベースプレート１５１上には、マグネット
及びヨークで構成された磁気回路１５８が設けられ、こ
の磁気回路１５８の磁気ギャップ内に、上記コイル１５
７が配置されている。これら磁気回路１５８とコイル１
５７とで、ムービングコイル型のリニアモータ（ＶＣ
Ｍ：ボイスコイルモータ）が構成される。尚、ベースプ
レート１５１の上部はカバー１５９で覆われている。
及びヨークで構成された磁気回路１５８が設けられ、こ
の磁気回路１５８の磁気ギャップ内に、上記コイル１５
７が配置されている。これら磁気回路１５８とコイル１
５７とで、ムービングコイル型のリニアモータ（ＶＣ
Ｍ：ボイスコイルモータ）が構成される。尚、ベースプ
レート１５１の上部はカバー１５９で覆われている。
【００７７】次に、このディスク装置の作動を説明す
る。磁気ディスク１５０が停止している時には、磁気ヘ
ッド１４０は磁気ディスク１５０の退避ゾーンに接触し
停止している。一方、磁気ディスク１５０がスピンドル
モータ１５２によって、高速で回転駆動されると、この
磁気ディスク１５０の回転による発生する空気流によっ
て、スライダ１４０は微小間隔をもってディスク面から
浮上する。
る。磁気ディスク１５０が停止している時には、磁気ヘ
ッド１４０は磁気ディスク１５０の退避ゾーンに接触し
停止している。一方、磁気ディスク１５０がスピンドル
モータ１５２によって、高速で回転駆動されると、この
磁気ディスク１５０の回転による発生する空気流によっ
て、スライダ１４０は微小間隔をもってディスク面から
浮上する。
【００７８】この浮上状態でコイル１５７に電流を流す
と、コイル１５７には推力が発生し、アクチュエータ１
５３が回転する。これにより、磁気ヘッド１４０を磁気
ディスク１５０の所望のトラック上に移動させ、データ
のリード/ライトを行なうことができる。
と、コイル１５７には推力が発生し、アクチュエータ１
５３が回転する。これにより、磁気ヘッド１４０を磁気
ディスク１５０の所望のトラック上に移動させ、データ
のリード/ライトを行なうことができる。
【００７９】上記ディスク装置においては、磁気ヘッド
（磁気抵抗効果型ヘッド）１４０の作製工程における機
械加工時の取り扱いが容易であるため、ディスク装置の
製造コストを下げることができる。
（磁気抵抗効果型ヘッド）１４０の作製工程における機
械加工時の取り扱いが容易であるため、ディスク装置の
製造コストを下げることができる。
【００８０】
【発明の効果】以上説明したように、磁気抵抗効果型ヘ
ッドに関する発明では、端子部形成用導体層として、硬
磁性層上にＷ又はＷ合金でなる下地層を使用してＢＣＣ
構造を持ったＴａを形成している。
ッドに関する発明では、端子部形成用導体層として、硬
磁性層上にＷ又はＷ合金でなる下地層を使用してＢＣＣ
構造を持ったＴａを形成している。
【００８１】ＢＣＣ構造を持ったＴａは、電気抵抗が低
く、耐食性は高い。よって、この発明のように、端子部
形成用導体層として、硬磁性層上にＷ又はＷ合金でなる
下地層を使用してＢＣＣ構造を持ったＴａを形成したも
のを用いると、端子部形成用導体層の電気抵抗を低くで
きる。しかも、磁気ヘッドを成膜した後のウエハを、ブ
ロックに切断し、浮上面を研磨し、個々の磁気ヘッドに
分割する、という一連の機械加工時において、端子部形
成用導体層が露出しても、腐食の問題は生じず、機械加
工や洗浄中に水を使用したり、非乾燥雰囲気中にブロッ
クを放置しても、端子部形成用導体層が錆びることはな
い。このため、機械加工時の取り扱いが容易である。
く、耐食性は高い。よって、この発明のように、端子部
形成用導体層として、硬磁性層上にＷ又はＷ合金でなる
下地層を使用してＢＣＣ構造を持ったＴａを形成したも
のを用いると、端子部形成用導体層の電気抵抗を低くで
きる。しかも、磁気ヘッドを成膜した後のウエハを、ブ
ロックに切断し、浮上面を研磨し、個々の磁気ヘッドに
分割する、という一連の機械加工時において、端子部形
成用導体層が露出しても、腐食の問題は生じず、機械加
工や洗浄中に水を使用したり、非乾燥雰囲気中にブロッ
クを放置しても、端子部形成用導体層が錆びることはな
い。このため、機械加工時の取り扱いが容易である。
【００８２】下地層にＷを用いると、このＷが腐食する
ことになるが、下地層はその膜厚が薄く露出面積が狭い
ので、腐食の問題はほとんど生じない。この点に関し、
下地層にＷ合金を用いれば、Ｗ合金の耐食性が高いこと
から、その分だけ耐食性を向上させることができる。例
えば、Ｗ合金として、Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆの
少なくとも一つの元素とＷとを混ぜたものを用いれば、
一層耐食性が向上する。
ことになるが、下地層はその膜厚が薄く露出面積が狭い
ので、腐食の問題はほとんど生じない。この点に関し、
下地層にＷ合金を用いれば、Ｗ合金の耐食性が高いこと
から、その分だけ耐食性を向上させることができる。例
えば、Ｗ合金として、Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆの
少なくとも一つの元素とＷとを混ぜたものを用いれば、
一層耐食性が向上する。
【００８３】硬磁性層上にＷ合金でなる下地層を直接成
膜すると、下地層のＷ合金の結晶構造が、硬磁性層の影
響を受けて変化し、下地層上に、十分にＢＣＣ構造の端
子部形成用導体層を形成できないが、硬磁性層と下地層
との間にＴａでなる隔離層を成膜すると、下地層をなす
Ｗ合金の結晶構造が大きく変化せず、下地層上に、十分
にＢＣＣ構造の端子部形成用導体層を形成でき、端子部
形成用導体層の電気抵抗を一層下げることができる。
膜すると、下地層のＷ合金の結晶構造が、硬磁性層の影
響を受けて変化し、下地層上に、十分にＢＣＣ構造の端
子部形成用導体層を形成できないが、硬磁性層と下地層
との間にＴａでなる隔離層を成膜すると、下地層をなす
Ｗ合金の結晶構造が大きく変化せず、下地層上に、十分
にＢＣＣ構造の端子部形成用導体層を形成でき、端子部
形成用導体層の電気抵抗を一層下げることができる。
【００８４】ディスク装置に関する発明では、磁気抵抗
効果型ヘッドの端子部形成用導体層として、硬磁性層上
にＷ又はＷ合金でなる下地層を使用してＢＣＣ構造を持
ったＴａを形成している。このため、磁気抵抗効果型ヘ
ッドの作製工程における機械加工時の取り扱いが容易で
あり、ディスク装置の製造コストを下げることができ
る。
効果型ヘッドの端子部形成用導体層として、硬磁性層上
にＷ又はＷ合金でなる下地層を使用してＢＣＣ構造を持
ったＴａを形成している。このため、磁気抵抗効果型ヘ
ッドの作製工程における機械加工時の取り扱いが容易で
あり、ディスク装置の製造コストを下げることができ
る。
【図１】形態例１での磁気抵抗効果素子層，硬磁性層及
び端子部形成用導体層を示す斜視図である。
び端子部形成用導体層を示す斜視図である。
【図２】形態例２での磁気抵抗効果素子層，硬磁性層及
び端子部形成用導体層を示す斜視図である。
び端子部形成用導体層を示す斜視図である。
【図３】形態例３における浮上面側から見た主要部の成
膜状態を示す図である。
膜状態を示す図である。
【図４】図３のＡ方向から見た主要部の成膜状態を示す
図である。
図である。
【図５】磁気ヘッド成膜後のウエハを示す図である。
【図６】切り出したブロックの形状を示す図である。
【図７】形態例４でのディスク装置を示す平面図であ
る。
る。
【図８】図７におけるＡ−Ａ断面図である。
【図９】複合型の磁気ヘッドの主要部を示す図である。
【図１０】図９中の磁気抵抗効果素子層，硬磁性層及び
端子部形成用導体層を示す斜視図である。
端子部形成用導体層を示す斜視図である。
【図１１】スライダ付き磁気ヘッドの浮上面側から見た
斜視図である。
斜視図である。
２０：記録ヘッド部 ３０：再生ヘッド部 ３０Ａ：磁気抵抗効果素子層 ４０，５４：磁気抵抗効果素子層 ４１，５５：ソフトアジャセント層 ４２，５６：非磁性中間層 ４３，５７：磁気抵抗層 ４４，６５：硬磁性層 ４５，６４：下地層 ４６，６６：端子部形成用導体層 ４７：隔離層 １４０：磁気ヘッド １５０：磁気ディスク １５２：スピンドルモータ １５３：アクチュエータ １５４：ヘッドアーム １５５：スプリングアーム １５７：コイル １５８：磁気回路
Claims (6)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子層と、この磁気抵抗効
果素子層の両端に形成された硬磁性層と、この硬磁性層
に積層された端子部形成用導体層とを有し、磁界の変化
を、前記磁気抵抗効果素子層の電気抵抗値の変化として
検出する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 前記端子部形成用導体層として、前記硬磁性層上にＷで
なる下地層を使用してＢＣＣ構造を持ったＴａを形成し
たものを用いたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果素子層と、この磁気抵抗効
果素子層の両端に形成された硬磁性層と、この硬磁性層
に積層された端子部形成用導体層とを有し、磁界の変化
を、前記磁気抵抗効果素子層の電気抵抗値の変化として
検出する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 前記端子部形成用導体層として、前記硬磁性層上にＷ合
金でなる下地層を使用してＢＣＣ構造を持ったＴａを形
成したものを用いたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘ
ッド。 - 【請求項３】 前記下地層をなすＷ合金として、Ｔｉ，
Ｔａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆの少なくとも一つの元素とＷと
を混ぜたものを用いたことを特徴とする請求項２記載の
磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】 前記硬磁性層と前記下地層との間にＴａ
でなる隔離層を成膜することを特徴とする請求項２又は
３記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項５】 磁気抵抗効果素子層と、この磁気抵抗効
果素子層の両端に形成された硬磁性層と、この硬磁性層
に積層された端子部形成用導体層とを有し、磁界の変化
を、前記磁気抵抗効果素子層の電気抵抗値の変化として
検出する磁気抵抗効果型ヘッドを備えたディスク装置に
おいて、 前記端子部形成用導体層として、前記硬磁性層上にＷで
なる下地層を使用してＢＣＣ構造を持ったＴａを形成し
たものを用いたことを特徴とするディスク装置。 - 【請求項６】 磁気抵抗効果素子層と、この磁気抵抗効
果素子層の両端に形成された硬磁性層と、この硬磁性層
に積層された端子部形成用導体層とを有し、磁界の変化
を、前記磁気抵抗効果素子層の電気抵抗値の変化として
検出する磁気抵抗効果型ヘッドを備えたディスク装置に
おいて、 前記端子部形成用導体層として、前記硬磁性層上にＷ合
金でなる下地層を使用してＢＣＣ構造を持ったＴａを形
成したものを用いたことを特徴とするディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5909097A JPH10255237A (ja) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5909097A JPH10255237A (ja) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10255237A true JPH10255237A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13103304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5909097A Withdrawn JPH10255237A (ja) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10255237A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100326825B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2002-03-04 | 가타오카 마사타카 | 박막도체층과 그것을 이용한 자기저항효과소자 및 박막도체층의 제조방법 |
| US6667493B2 (en) * | 2000-11-09 | 2003-12-23 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic element capable of effectively orienting magnetization direction of magnetic layer and manufacturing method thereof |
| US7019948B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-03-28 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head, magnetic head device and magnetic recording/reproducing device |
-
1997
- 1997-03-13 JP JP5909097A patent/JPH10255237A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100326825B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2002-03-04 | 가타오카 마사타카 | 박막도체층과 그것을 이용한 자기저항효과소자 및 박막도체층의 제조방법 |
| US6667493B2 (en) * | 2000-11-09 | 2003-12-23 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic element capable of effectively orienting magnetization direction of magnetic layer and manufacturing method thereof |
| US7019948B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-03-28 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head, magnetic head device and magnetic recording/reproducing device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |