JPS61296522A - 磁気抵抗効果ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘツドInfo
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- JPS61296522A JPS61296522A JP13738785A JP13738785A JPS61296522A JP S61296522 A JPS61296522 A JP S61296522A JP 13738785 A JP13738785 A JP 13738785A JP 13738785 A JP13738785 A JP 13738785A JP S61296522 A JPS61296522 A JP S61296522A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気記憶媒体に書き込まれた磁気的情報をいわ
ゆる磁気抵抗効果を利用して、読み出しを行う強磁性磁
気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称す）を備えた磁気
抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す）に関する。
ゆる磁気抵抗効果を利用して、読み出しを行う強磁性磁
気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称す）を備えた磁気
抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す）に関する。
（従来技術とその問題点）
周知の如く、ＭＲ素子を磁気記憶媒体に書き込まれた磁
気的情報に対して、線形応答を呈する高効率の再生用ヘ
ッドとして用いる場合には、ＭＲ素子に流すセンス電流
工とＭＲ素子の磁化Ｍの成す角度θＢ （以下、バイア
ス角度と称す）を所定の値（望ましくは４５°）に設定
するバイアス手段を具備しなければならない。
気的情報に対して、線形応答を呈する高効率の再生用ヘ
ッドとして用いる場合には、ＭＲ素子に流すセンス電流
工とＭＲ素子の磁化Ｍの成す角度θＢ （以下、バイア
ス角度と称す）を所定の値（望ましくは４５°）に設定
するバイアス手段を具備しなければならない。
従来、ＭＲ素子のバイアス方法として、第４図に示す構
成を有するＭＲヘッドが、特開昭５２−６２４１７号に
開示されている。第４図（ａ）は該ＭＲヘッドのバイア
ス手段を提示するＭＲ素子部分の平面図、第４図（ｂ）
は該ＭＲ素千部分を磁気記憶媒体摺動面より見た正面図
を示す。図において強磁性合金薄膜より成る短冊状のＭ
Ｒ素子ｌに直接接触して付着された比較的高抵抗率の非
磁性物質より成るシャント層２、該シャント層２に直接
接触して付着された導電性の軟磁性材料よりなるバイア
ス層３から構成される電磁変換素子４と、これにセンス
電流Ｉｓを供給するために、該電磁変換素子４の長手方
向両端のバイアス層３に直接接触して付着された良導電
性の電極５から成る。
成を有するＭＲヘッドが、特開昭５２−６２４１７号に
開示されている。第４図（ａ）は該ＭＲヘッドのバイア
ス手段を提示するＭＲ素子部分の平面図、第４図（ｂ）
は該ＭＲ素千部分を磁気記憶媒体摺動面より見た正面図
を示す。図において強磁性合金薄膜より成る短冊状のＭ
Ｒ素子ｌに直接接触して付着された比較的高抵抗率の非
磁性物質より成るシャント層２、該シャント層２に直接
接触して付着された導電性の軟磁性材料よりなるバイア
ス層３から構成される電磁変換素子４と、これにセンス
電流Ｉｓを供給するために、該電磁変換素子４の長手方
向両端のバイアス層３に直接接触して付着された良導電
性の電極５から成る。
該を磁変換素子４のシャン））ｉｊ）２は、バイアス層
３とＭ几素子ｌが充分な静磁気的結合を行い得る厚みに
設定されている。かかる構成のＭＲヘッドにおいて、一
対の電極５から、センス電流Ｉｓが供給されると、該セ
ンス電流Ｉｓは、′ｌｔｇ！変換素子４のＬで表示する
領域において、電磁変換素子４の内部を流れる。即ち、
センス電流Ｉｓは、ＭＲ素子１、シャントＭ２、バイア
ス層３の内部を、それぞれの抵抗値に応じて分流する。
３とＭ几素子ｌが充分な静磁気的結合を行い得る厚みに
設定されている。かかる構成のＭＲヘッドにおいて、一
対の電極５から、センス電流Ｉｓが供給されると、該セ
ンス電流Ｉｓは、′ｌｔｇ！変換素子４のＬで表示する
領域において、電磁変換素子４の内部を流れる。即ち、
センス電流Ｉｓは、ＭＲ素子１、シャントＭ２、バイア
ス層３の内部を、それぞれの抵抗値に応じて分流する。
夫々に分流したセンス電流は、ＭＲ素子１とバイアス層
３の膜面内を通り、センス電流Ｉｓと直交方向に、磁界
を発生し、ＭＲ，素子１とバイアス層３の磁化を励磁す
る。即ち、この磁界は、Ｍ几素子１とバイアス層３の相
互に静磁気結合によって、センス電流Ｉｓに対して所定
のバイアス角θＢ（望ましくはθＢ＝４５度）をなすよ
うに、ＭＴｔ素子ｌ内の磁化を回転させる。
３の膜面内を通り、センス電流Ｉｓと直交方向に、磁界
を発生し、ＭＲ，素子１とバイアス層３の磁化を励磁す
る。即ち、この磁界は、Ｍ几素子１とバイアス層３の相
互に静磁気結合によって、センス電流Ｉｓに対して所定
のバイアス角θＢ（望ましくはθＢ＝４５度）をなすよ
うに、ＭＴｔ素子ｌ内の磁化を回転させる。
しかし、かかる構成のＭＲヘッドにおいては、電磁変換
素子４の婦手方向の両端、即ち、良導体である電極５が
接続された領域のＭＲ素子１１シャント層２及びバイア
ス層３には、センス電流が殆ど分流しない。従って、こ
のＭＲ素子１及びバイアス層３は励磁されることがなく
、ＭＲ素子ｌのバイアス角は低いレベルに保たれる。
素子４の婦手方向の両端、即ち、良導体である電極５が
接続された領域のＭＲ素子１１シャント層２及びバイア
ス層３には、センス電流が殆ど分流しない。従って、こ
のＭＲ素子１及びバイアス層３は励磁されることがなく
、ＭＲ素子ｌのバイアス角は低いレベルに保たれる。
しかも、電磁変換素子４の外部信号に対する検知能力を
有する領域りと電極５との境界では、センス電流が、Ｍ
Ｒ素子１１シャント層２及びバイアス層３の各厚み方向
にも分布するため、該境界近傍に発生するＭＲ素子１と
バイアス層３の磁化を励磁するための磁界が弱くなる。
有する領域りと電極５との境界では、センス電流が、Ｍ
Ｒ素子１１シャント層２及びバイアス層３の各厚み方向
にも分布するため、該境界近傍に発生するＭＲ素子１と
バイアス層３の磁化を励磁するための磁界が弱くなる。
従って、該境界におけるＭＲ素子１のバイアス角はＭＲ
素子ｌの中央部よりも低く設定される。第５図に、この
様なＭｌ（、素子１の長手方向におけるバイアス角の分
布を示す。この様に、第４図に示す従来のＭＲヘッドで
は、信号磁界検知領域り内に、バイアス角の低い領域が
形成されるため、効率の低下が見られる。特に、狭トラ
ツク幅のＭＲヘッド、即ち、領域りが小さなｈｌ、 Ｒ
ヘッドでは、効率の大きな低下と、再生波形歪が見られ
るため、狭トラツク化が困難であった。
素子ｌの中央部よりも低く設定される。第５図に、この
様なＭｌ（、素子１の長手方向におけるバイアス角の分
布を示す。この様に、第４図に示す従来のＭＲヘッドで
は、信号磁界検知領域り内に、バイアス角の低い領域が
形成されるため、効率の低下が見られる。特に、狭トラ
ツク幅のＭＲヘッド、即ち、領域りが小さなｈｌ、 Ｒ
ヘッドでは、効率の大きな低下と、再生波形歪が見られ
るため、狭トラツク化が困難であった。
（発明の目的）
本発明は、このような欠点を招来することなく、信号磁
界検知領域でほぼ一様なバイアス角を有し、狭トラツク
化が可能な磁気抵抗効果ヘッドを提供することにある。
界検知領域でほぼ一様なバイアス角を有し、狭トラツク
化が可能な磁気抵抗効果ヘッドを提供することにある。
（発明の構成）
本発明の構成は、強磁性合金薄膀から成る磁気抵抗効果
素子と、高抵抗率のＩｔ’磁性材料より成るシャント層
と導電性の軟磁性材料より成るバイアス層とが積層され
た短冊状の電磁変換素子と、該電磁変換素子のバイアス
層側に形成される少くなくとも１対のｖＬ電極部備えた
磁気抵抗効果ヘッドにおいて、電極部は前記バイアス層
上に形成される導電性の軟磁性膜を含む構成であること
を特徴とする。
素子と、高抵抗率のＩｔ’磁性材料より成るシャント層
と導電性の軟磁性材料より成るバイアス層とが積層され
た短冊状の電磁変換素子と、該電磁変換素子のバイアス
層側に形成される少くなくとも１対のｖＬ電極部備えた
磁気抵抗効果ヘッドにおいて、電極部は前記バイアス層
上に形成される導電性の軟磁性膜を含む構成であること
を特徴とする。
（構成の詳細な説明）
本発明は、上述の様な電極構成をとることにより従来技
術の問題点を解決した。
術の問題点を解決した。
即ち、本発明では、電磁変換素子の電極部分の軟磁性膜
にセンス電流を分流させ、該分流センス電流によって、
ＭＢ２子の幅方向に発生する磁界を利用して、ＭＲ素子
の長手方向両端のバイアス角を、信号磁界検知領域のバ
イアス角よりも大きく設定している。
にセンス電流を分流させ、該分流センス電流によって、
ＭＢ２子の幅方向に発生する磁界を利用して、ＭＲ素子
の長手方向両端のバイアス角を、信号磁界検知領域のバ
イアス角よりも大きく設定している。
従って、該信号ω界検知領域の両端のバイアス角の低下
を防ぎ、バイアス角の低下にともなう、効率の低下、狭
トラツク化の困難を解消することができる。
を防ぎ、バイアス角の低下にともなう、効率の低下、狭
トラツク化の困難を解消することができる。
以下、本発明を実施例を示す図面を用いて、更に詳細に
説明する。
説明する。
（実施例）
第１図は、本発明の第１の実施例を示す図で、第１図（
ａ）、（ｂ）は、それぞれ平面図及び摺動面より見た正
面図である。
ａ）、（ｂ）は、それぞれ平面図及び摺動面より見た正
面図である。
図において、電磁変換素子４は、ＮｉＦｅ。
ＮｉＣｏ合金等の強磁性合金薄膜から成るＭＲ素子１に
Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ等の他の層の材料より比較的高抵抗率
の非磁性材料から成るシャント層２が直接接触して積層
され、該シャント層２に、軟磁性アモルファス合金（例
えばＣｏＺｒ、ＣｏＴａ等のＣｏ−メタル系アモルファ
ス）、パーマロイ等ｄ導覧性を有するバイアス層３が直
接接触して積層された構成を有し、短冊状に加工されて
いる。
Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ等の他の層の材料より比較的高抵抗率
の非磁性材料から成るシャント層２が直接接触して積層
され、該シャント層２に、軟磁性アモルファス合金（例
えばＣｏＺｒ、ＣｏＴａ等のＣｏ−メタル系アモルファ
ス）、パーマロイ等ｄ導覧性を有するバイアス層３が直
接接触して積層された構成を有し、短冊状に加工されて
いる。
電磁変換素子４のシャン）Ｍ４の厚みは、ＭＲ素子ｌと
バイアス層３が静磁気的な結合が行える範囲に選定され
る。
バイアス層３が静磁気的な結合が行える範囲に選定され
る。
該短冊状１１！磁変換素子４の長手方向の両端には一対
の電極部として、バイアスＮ３と直接接触させて、軟磁
性アモルファス合金、パーマロイ等の導電性を有する軟
磁性膜６が積層され、該軟磁性膜６の上には、人ｕ、Ｃ
ｕＸＡＪ等の良導電性の電極５が接続しである。電極５
は軟磁性膜６より小さい面積で、しかも ；覇１；軟磁性膜６の中央部簀り側が露出される様に被
着されている。
の電極部として、バイアスＮ３と直接接触させて、軟磁
性アモルファス合金、パーマロイ等の導電性を有する軟
磁性膜６が積層され、該軟磁性膜６の上には、人ｕ、Ｃ
ｕＸＡＪ等の良導電性の電極５が接続しである。電極５
は軟磁性膜６より小さい面積で、しかも ；覇１；軟磁性膜６の中央部簀り側が露出される様に被
着されている。
かかる構成のＭＲヘッドにおいて、電極５からセンス電
流Ｉｓが供給されると、電極５と軟磁性膜６の接続面か
ら、センス電流Ｉｓは、電磁変換素子４と軟磁性薄膜６
にそれぞれの抵抗値に応じて分流し、電磁変換素子４の
中央部側の軟磁性膜６の端部から、再び電磁変換素子４
に集中して流れる様になる。電磁変換素子４の中央部分
におけるセンス電流１ｓは、ＭＲ素子１１シャント層２
及びバイアス＃３に、それぞれの抵抗値に応じて分流す
る。以下、従来技術と同様の動作により、該センス電流
Ｉ３は、ＭＲ素子１の磁化を、センス電流の方向に対し
て回転させ、所定のバイアス角に設定する。
流Ｉｓが供給されると、電極５と軟磁性膜６の接続面か
ら、センス電流Ｉｓは、電磁変換素子４と軟磁性薄膜６
にそれぞれの抵抗値に応じて分流し、電磁変換素子４の
中央部側の軟磁性膜６の端部から、再び電磁変換素子４
に集中して流れる様になる。電磁変換素子４の中央部分
におけるセンス電流１ｓは、ＭＲ素子１１シャント層２
及びバイアス＃３に、それぞれの抵抗値に応じて分流す
る。以下、従来技術と同様の動作により、該センス電流
Ｉ３は、ＭＲ素子１の磁化を、センス電流の方向に対し
て回転させ、所定のバイアス角に設定する。
一方、軟磁性膜６が積層された領域では、軟磁性膜６に
もセンス電流が分流しているため、実質的にＭＲ，素子
１の長手方向の両端に印加される幅方向の磁界は、電磁
変換素子４の中央部における、ＭＲ素子ｌに印加される
磁界よりも増加している。
もセンス電流が分流しているため、実質的にＭＲ，素子
１の長手方向の両端に印加される幅方向の磁界は、電磁
変換素子４の中央部における、ＭＲ素子ｌに印加される
磁界よりも増加している。
しかも、ＭＲ素子ｌと静磁気的結合を行う磁性体の膜厚
が軟磁性膜６の分だけ増加しているため、その静磁気的
結合は、前記中央部よりも大きくなっており、ＭＲ素子
１の幅方向反磁界は大きく減少している。
が軟磁性膜６の分だけ増加しているため、その静磁気的
結合は、前記中央部よりも大きくなっており、ＭＲ素子
１の幅方向反磁界は大きく減少している。
したがって、この領域では、ＭＲ素子１のバイアス角は
、中央部に比して、大きく設定されることになる。第２
図に、第１図に示す実施例のＭＲ素子１の長手方向にお
けるバイアス角の分布を示す。
、中央部に比して、大きく設定されることになる。第２
図に、第１図に示す実施例のＭＲ素子１の長手方向にお
けるバイアス角の分布を示す。
に設定）に対して、軟磁性膜６が積層された領域のＭＲ
，素子ｌのバイアス角は、大きな値を有しており、領域
りの両端における大きなバイアス角の低下は見られない
。
，素子ｌのバイアス角は、大きな値を有しており、領域
りの両端における大きなバイアス角の低下は見られない
。
軟磁性膜６が１ｉＩ層された領域におけるＭＲ素子１、
のバイアス角の大きさは、軟磁性膜６の膜厚、飽和磁化
等によって制御できる。
のバイアス角の大きさは、軟磁性膜６の膜厚、飽和磁化
等によって制御できる。
尚、電磁変換素子４の磁界検知領域をＬの大きさに規定
するためには、軟磁性膜６が積層された領域のＭＲ素子
１の磁化をその幅方向に飽和（即ｔ 、＋″ｍ箔槌＾ｌ
くノマフ企ちｏｎｏ＋−話中ナス１させ、信号磁界に対
して、磁化が応答しないようにするか、軟磁性膜６の抵
抗値が小さくなる膜厚あるいは材料を選択し、正味の抵
抗変化が極めて小さくなるように設定すればよい。
するためには、軟磁性膜６が積層された領域のＭＲ素子
１の磁化をその幅方向に飽和（即ｔ 、＋″ｍ箔槌＾ｌ
くノマフ企ちｏｎｏ＋−話中ナス１させ、信号磁界に対
して、磁化が応答しないようにするか、軟磁性膜６の抵
抗値が小さくなる膜厚あるいは材料を選択し、正味の抵
抗変化が極めて小さくなるように設定すればよい。
第１図は、電極部が軟磁性膜６の上部に″に極２を積層
した構成を有するが、上述した様に、軟磁性膜６の膜厚
を大きく設定するか、固有抵抗の小さな材料を選択し、
電気抵抗を低下させれば、電電極部は、軟磁性膜６のみ
で構成されている。軟磁性膜６の電気抵抗は、ＭＲ素子
１の抵抗値よりも充分小さく、例えばｌ／１０程度の大
きさになる様に設定される。
した構成を有するが、上述した様に、軟磁性膜６の膜厚
を大きく設定するか、固有抵抗の小さな材料を選択し、
電気抵抗を低下させれば、電電極部は、軟磁性膜６のみ
で構成されている。軟磁性膜６の電気抵抗は、ＭＲ素子
１の抵抗値よりも充分小さく、例えばｌ／１０程度の大
きさになる様に設定される。
これによって、軟磁性膜６が積層された領域の電不要と
なるため、ＭＲヘッドの製造プロセスが簡軟磁性膜６は
別種の材料で構成されているが、ＭＲヘッドの製造プロ
セスを簡単にするため、同一の材料で形成してもよい。
なるため、ＭＲヘッドの製造プロセスが簡軟磁性膜６は
別種の材料で構成されているが、ＭＲヘッドの製造プロ
セスを簡単にするため、同一の材料で形成してもよい。
即ち、電磁変換素子４のバイアス層３の膜厚を磁界検知
領域りの部分では、ＭＲ素子１に必要なバイアス角（望
ましくは４５°）を与える大きさに設定し、他の部分で
はこれ以上の大きさとなるように設定し、その電気抵抗
を低下されば良い。
領域りの部分では、ＭＲ素子１に必要なバイアス角（望
ましくは４５°）を与える大きさに設定し、他の部分で
はこれ以上の大きさとなるように設定し、その電気抵抗
を低下されば良い。
これは、シャント層２の上にバイアス層３を成膜する際
、予しめその膜厚を必要とされる軟磁性膜６及びバイア
スｙ＃３０膜厚の和に設定し、その後、磁界検知領域り
の部分を、必要とされるバイアスｗＩ３の膜Ｈまでエツ
チングすれば良い。
、予しめその膜厚を必要とされる軟磁性膜６及びバイア
スｙ＃３０膜厚の和に設定し、その後、磁界検知領域り
の部分を、必要とされるバイアスｗＩ３の膜Ｈまでエツ
チングすれば良い。
（発明の効果）
以上、述べた様に本発明では、電磁変換素子４の両端に
軟磁性膜６を積層し、Ｎ１几素子１と軟磁性膜６の静磁
気的結合及び軟磁性膜６に分流するセンス電流の発生す
る磁界を利用して、Ｍ几素子ｌの長手方向の両端のバイ
アス角を、中央部のバイアス角よりも大きく設定し、磁
界検知領域りの両端のバイアス角の低下を補っている。
軟磁性膜６を積層し、Ｎ１几素子１と軟磁性膜６の静磁
気的結合及び軟磁性膜６に分流するセンス電流の発生す
る磁界を利用して、Ｍ几素子ｌの長手方向の両端のバイ
アス角を、中央部のバイアス角よりも大きく設定し、磁
界検知領域りの両端のバイアス角の低下を補っている。
従って、この領域における効率の低下を補償し、再生波
形歪を解消でき、狭トラツク化が可能となる。更に、軟
磁性膜６の＠厚及び材料の選択により、軟磁性膜６が種
層された領域の正味の電気抵抗を小さく設定することに
より、外部信号磁界に対して抵抗変化が小さくなってい
る。
形歪を解消でき、狭トラツク化が可能となる。更に、軟
磁性膜６の＠厚及び材料の選択により、軟磁性膜６が種
層された領域の正味の電気抵抗を小さく設定することに
より、外部信号磁界に対して抵抗変化が小さくなってい
る。
従って、電磁変換素子４の磁界検知領域りを厳密に規定
できる。
できる。
又、軟磁性膜６は電極５としての機能、及びバイアス層
４としての機能も併用させることができるため、ＭＲヘ
ッドの構造が極めて、簡単になり、従って製造プロセス
が簡便になるという利点を生じる。
４としての機能も併用させることができるため、ＭＲヘ
ッドの構造が極めて、簡単になり、従って製造プロセス
が簡便になるという利点を生じる。
第１ 図（ａ）、（ｂ）は本発明による磁気抵抗効果ヘ
ッドの第１の実施例を示す図、第２図は、＠１図の磁気
抵抗効果ヘッドのバイアス角の分布を示す図、第３図（
ａ）、（ｂ）は本発明による磁気抵抗効果ヘッドの第２
の実施例を示す図、第４図は従来技術による磁気抵抗効
果ヘッドを示す図、第５図は、第４図の磁気抵抗効果ヘ
ッドのバイアス角の分布を示す図である。 図において、 ｌ・・・ＭＢ２子、２・・・シャント、ｖ１３・・・バ
イアス層、４・・・電磁変換素子、５・・・電極、６・
・・軟磁性膜 第７図 第Ｚ図 第５図 第４図 （ｔ２） 躬Ｓ図 →一÷
ッドの第１の実施例を示す図、第２図は、＠１図の磁気
抵抗効果ヘッドのバイアス角の分布を示す図、第３図（
ａ）、（ｂ）は本発明による磁気抵抗効果ヘッドの第２
の実施例を示す図、第４図は従来技術による磁気抵抗効
果ヘッドを示す図、第５図は、第４図の磁気抵抗効果ヘ
ッドのバイアス角の分布を示す図である。 図において、 ｌ・・・ＭＢ２子、２・・・シャント、ｖ１３・・・バ
イアス層、４・・・電磁変換素子、５・・・電極、６・
・・軟磁性膜 第７図 第Ｚ図 第５図 第４図 （ｔ２） 躬Ｓ図 →一÷
Claims (1)
- 強磁性合金薄膜からなる磁気抵抗効果素子と、高抵抗率
の非磁性材料から成るシャント層と、導電性の軟磁性材
料から成るバイアス層とが積層された短冊状の電磁変換
素子と、該電磁変換素子のバイアス層側に形成される少
くなくとも１対の電極部を備えた磁気抵抗効果ヘッドに
おいて、電極部は前記バイアス層上に形成される、導電
性の軟磁性膜を含む構成であることを特徴とする磁気抵
抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13738785A JPS61296522A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13738785A JPS61296522A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296522A true JPS61296522A (ja) | 1986-12-27 |
| JPH0572645B2 JPH0572645B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=15197495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13738785A Granted JPS61296522A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61296522A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0301294A2 (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-01 | International Business Machines Corporation | A magnetoresistive read transducer with insulator defined trackwidth |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0572645B2 (ja) | 1993-10-12 |
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