JPH0330109A - 磁気抵抗効果型再生ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型再生ヘッドInfo
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- JPH0330109A JPH0330109A JP16774789A JP16774789A JPH0330109A JP H0330109 A JPH0330109 A JP H0330109A JP 16774789 A JP16774789 A JP 16774789A JP 16774789 A JP16774789 A JP 16774789A JP H0330109 A JPH0330109 A JP H0330109A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- G—PHYSICS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気ディスク装置、或いは磁気テープ装置等に用いられ
るセルフバイアス方弐の磁気抵抗効果型再生ヘッドに関
し、 ＭＲ素子の素子長を短くしても反磁界を強めることなく
、かつ還流磁区の発生を防止して再生効率を向上するこ
とを目的とし、 両端に引き出し導体層を接合した磁気抵抗効果素子を挟
むように両側に、それぞれ非磁性絶縁層を介してシール
ド磁性体を設けたヘッド構成において、上記磁気抵抗効
果素子は対応する媒体のトラック幅と同等の長さを有し
、その両端に接合する引き出し導体層は磁気抵抗効果素
子よりも磁気抵抗効果の小さい軟磁性材からなり、かつ
前記素子の両端を延長する長さ部分を備えた構戒とする
。
るセルフバイアス方弐の磁気抵抗効果型再生ヘッドに関
し、 ＭＲ素子の素子長を短くしても反磁界を強めることなく
、かつ還流磁区の発生を防止して再生効率を向上するこ
とを目的とし、 両端に引き出し導体層を接合した磁気抵抗効果素子を挟
むように両側に、それぞれ非磁性絶縁層を介してシール
ド磁性体を設けたヘッド構成において、上記磁気抵抗効
果素子は対応する媒体のトラック幅と同等の長さを有し
、その両端に接合する引き出し導体層は磁気抵抗効果素
子よりも磁気抵抗効果の小さい軟磁性材からなり、かつ
前記素子の両端を延長する長さ部分を備えた構戒とする
。
本発明は磁気ディスク装置、或いは磁気テープ装置等に
用いられる磁気抵抗効果型再生へンドに係り、特に高ト
ラック密度な磁気記録媒体に対して良好な再生磁気特性
が得られるセルフバイアス方式の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドに関するものである。
用いられる磁気抵抗効果型再生へンドに係り、特に高ト
ラック密度な磁気記録媒体に対して良好な再生磁気特性
が得られるセルフバイアス方式の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドに関するものである。
磁気ディスク装置、或いは磁気テープ装置等はコンピュ
ータシステムの外部記４ｇ装置として広く用いられてお
り、近来、大容量化、高速化に伴って記録密度も益々高
められ、このような高密度記録に対処し得る高性能な再
生用磁気ヘッドが要求されている。このため、そのよう
な要求を満足させるものとして媒体速度に依存すること
なく、比較的高い出力が得られる磁気抵抗効果素子（以
下ＭＲ素子と略称する）を用いた磁気抵抗効果型再生ヘ
ッド（以下ＭＲヘッドと略称する）が注目されている。
ータシステムの外部記４ｇ装置として広く用いられてお
り、近来、大容量化、高速化に伴って記録密度も益々高
められ、このような高密度記録に対処し得る高性能な再
生用磁気ヘッドが要求されている。このため、そのよう
な要求を満足させるものとして媒体速度に依存すること
なく、比較的高い出力が得られる磁気抵抗効果素子（以
下ＭＲ素子と略称する）を用いた磁気抵抗効果型再生ヘ
ッド（以下ＭＲヘッドと略称する）が注目されている。
このようなＭＲヘッドも高トランク密度化によりトラッ
ク幅に対応してＭＲ素子の素子長（素子幅）を短くする
と、反磁界が強められると共に、該素子の磁区構造が不
安定となり再生特性が低下する傾向がある。このため、
そのようなＭＲ素子の素子長を短くしても反磁界が強め
られず、また素子長方向に一軸磁区構造が安定に維持さ
れる再生特性の良好なヘッド構成が必要とされている。
ク幅に対応してＭＲ素子の素子長（素子幅）を短くする
と、反磁界が強められると共に、該素子の磁区構造が不
安定となり再生特性が低下する傾向がある。このため、
そのようなＭＲ素子の素子長を短くしても反磁界が強め
られず、また素子長方向に一軸磁区構造が安定に維持さ
れる再生特性の良好なヘッド構成が必要とされている。
？従来の技術〕
従来のセルフバイアス方式のＭＲヘッドは第３図の要部
斜視図に示すように、両端にＣｕ，Ａｆｆｉ等からなる
非磁性な引き出し導体Ｊ！ｉｌ４ａ， １４ｂを接合し
てなるＮｉ−ＦｅからなるＭＲ素子１３の両側に、それ
ぞれＳｉＯ■等か゜らなる非磁性絶縁層１２ａ， １２
ｂを介してＮｉ−Ｚｎフェライト部材１１とＮｉ−Ｆｅ
からなるシールド磁性体層１５が配置された構或となっ
ている。
斜視図に示すように、両端にＣｕ，Ａｆｆｉ等からなる
非磁性な引き出し導体Ｊ！ｉｌ４ａ， １４ｂを接合し
てなるＮｉ−ＦｅからなるＭＲ素子１３の両側に、それ
ぞれＳｉＯ■等か゜らなる非磁性絶縁層１２ａ， １２
ｂを介してＮｉ−Ｚｎフェライト部材１１とＮｉ−Ｆｅ
からなるシールド磁性体層１５が配置された構或となっ
ている。
上記ＭＲ素子１３は第４図に示すように、その素子長Ｗ
の方向が磁化容易軸となるように磁気異方性が付与され
ており、該ＭＲ素子１３に流れる電流により発生する磁
界で磁化されたシールド磁性体層ｌ５からの漏洩磁界が
該素子１３にバイアス磁界として印加され、このＭＲ素
子１３の磁化困難軸方向への媒体からの磁束に応じて生
しる抵抗値の変化を両端の引き出し導体層１４ａ， １
４ｂより電圧変化として取り出すことによって再生を行
っている。
の方向が磁化容易軸となるように磁気異方性が付与され
ており、該ＭＲ素子１３に流れる電流により発生する磁
界で磁化されたシールド磁性体層ｌ５からの漏洩磁界が
該素子１３にバイアス磁界として印加され、このＭＲ素
子１３の磁化困難軸方向への媒体からの磁束に応じて生
しる抵抗値の変化を両端の引き出し導体層１４ａ， １
４ｂより電圧変化として取り出すことによって再生を行
っている。
（発明が解決しようとする課題〕
ところで、上記したような構或の従来のＭＲへッドを、
高トランク密度化された媒体の再生に用いる場合、その
狭トランク幅に対応してＭＲ素子ｌ３の素子長（素子Ｉ
ｌｇ）Ｗも短くする必要がある。
高トランク密度化された媒体の再生に用いる場合、その
狭トランク幅に対応してＭＲ素子ｌ３の素子長（素子Ｉ
ｌｇ）Ｗも短くする必要がある。
ところが、第５図に示すように該ＭＲ素子】３の素子長
ＷをＷａと短くするにしたがって、その素子長方向の磁
化と逆向きの反磁界が強くなり、該ＭＲ素子ｌ３の磁区
構造が磁束を閉し込め、静磁気的なエネルギーを低下さ
せるような複数の磁区からなる還流磁区が発生するよう
になる。
ＷをＷａと短くするにしたがって、その素子長方向の磁
化と逆向きの反磁界が強くなり、該ＭＲ素子ｌ３の磁区
構造が磁束を閉し込め、静磁気的なエネルギーを低下さ
せるような複数の磁区からなる還流磁区が発生するよう
になる。
そのため、再生効率が低下すると共に、外部磁界により
磁区間の磁壁が不連続的に移動し、これに起因してバル
クハウゼンノイズが発生するといった問題があった。
磁区間の磁壁が不連続的に移動し、これに起因してバル
クハウゼンノイズが発生するといった問題があった。
本発明は上記した従来の問題点に鑑み、ＭＲ素子の素子
長を短くしても反磁界を強めることなく、かつ還流磁区
の発生を防止して再生効率を向上した新規な磁気抵抗効
果型再生ヘッドを提供することを目的とするものである
。
長を短くしても反磁界を強めることなく、かつ還流磁区
の発生を防止して再生効率を向上した新規な磁気抵抗効
果型再生ヘッドを提供することを目的とするものである
。
本発明は上記した目的を達成するため、両端に引き出し
導体層を接合した磁気抵抗効果素子を挟むように両側に
、それぞれ非磁性絶縁層を介してシールド磁性体を設け
たヘッド構成において、上記６Ｒ気抵抗効果素子は対応
する媒体のトランク幅と同等の長さを有し、その両端に
接合する引き出し導体層は磁気抵抗効果素子よりも磁気
抵抗効果の小さい軟磁性材からなり、かつ前記素子の両
端を延長させる長さ部分を備えた構成とする。
導体層を接合した磁気抵抗効果素子を挟むように両側に
、それぞれ非磁性絶縁層を介してシールド磁性体を設け
たヘッド構成において、上記６Ｒ気抵抗効果素子は対応
する媒体のトランク幅と同等の長さを有し、その両端に
接合する引き出し導体層は磁気抵抗効果素子よりも磁気
抵抗効果の小さい軟磁性材からなり、かつ前記素子の両
端を延長させる長さ部分を備えた構成とする。
本発明のＭＲヘッドでは素子長く素子幅）の短いＭＲ素
子の両端に、該ＭＲ素子よりも磁気抵抗効果の小さい軟
磁性材からなる引き出し導体層の延長部分をそれぞれ接
合した構戒としているため、ＭＲ素子の素子長方向に発
生する該素子の磁化と逆向きの反磁界が減少すると共に
、還流磁区の発生も解消される。
子の両端に、該ＭＲ素子よりも磁気抵抗効果の小さい軟
磁性材からなる引き出し導体層の延長部分をそれぞれ接
合した構戒としているため、ＭＲ素子の素子長方向に発
生する該素子の磁化と逆向きの反磁界が減少すると共に
、還流磁区の発生も解消される。
その結果、ＭＲ素子は素子長方向に安定な一軸磁区構造
となり、再生効率が向上する。またバルクハウゼンノイ
ズの発生も防止される。
となり、再生効率が向上する。またバルクハウゼンノイ
ズの発生も防止される。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る磁気抵抗効果型再生ヘッドの一実
施例を示す要部斜視図、第２図はその磁気抵抗効果素子
（ＭＲ素子）の一実施例を示す要部斜視図である。
施例を示す要部斜視図、第２図はその磁気抵抗効果素子
（ＭＲ素子）の一実施例を示す要部斜視図である。
図において、１１は磁気シールド用のＮｉ−Ｚｎ， Ｍ
ｎ−Ｚｎ等からなるフエライト部材、１５はＮｉ−Ｆｅ
からなるシールド用磁性体層であり、この間にＳｉ０２
等からなる非磁性絶縁ｊＷ１２ａ， １２ｂを介して両
端に磁気抵抗効果の小さいアモルファスＣｏ−Ｚｒ等か
らなる軟磁性膜により形威された引き出し導体層２２ａ
， ２２ｂが接合された、例えば媒体の狭トラック幅
と対応する長さのＮｔ−ＦｅからなるＭＲ素子２１が配
置されている。
ｎ−Ｚｎ等からなるフエライト部材、１５はＮｉ−Ｆｅ
からなるシールド用磁性体層であり、この間にＳｉ０２
等からなる非磁性絶縁ｊＷ１２ａ， １２ｂを介して両
端に磁気抵抗効果の小さいアモルファスＣｏ−Ｚｒ等か
らなる軟磁性膜により形威された引き出し導体層２２ａ
， ２２ｂが接合された、例えば媒体の狭トラック幅
と対応する長さのＮｔ−ＦｅからなるＭＲ素子２１が配
置されている。
該ＭＲ素子２１の構造は更に詳細には第２図に示すよう
に、前記狭トラック幅と対応する短い素子長のＮｉ−Ｆ
ｅからなるＭＲ素子２１の両端には、該両端部より素子
長方向に所定長さだけ延長する延長部分２２１ａ． ２
２１ｂを有し、かつ該ＭＲ素子２１を構戒するＮｉ−Ｐ
ｅと外部磁界に対する電気抵抗変化率を比較して約二桁
程度小さく、しかも高磁束密度と高透磁率な軟磁性特性
を有するアモルファスＣｏ−Ｚｒ等からなる軟磁性膜に
より形威された引き出し導体層２２ａ， ２２ｂが接合
されている。
に、前記狭トラック幅と対応する短い素子長のＮｉ−Ｆ
ｅからなるＭＲ素子２１の両端には、該両端部より素子
長方向に所定長さだけ延長する延長部分２２１ａ． ２
２１ｂを有し、かつ該ＭＲ素子２１を構戒するＮｉ−Ｐ
ｅと外部磁界に対する電気抵抗変化率を比較して約二桁
程度小さく、しかも高磁束密度と高透磁率な軟磁性特性
を有するアモルファスＣｏ−Ｚｒ等からなる軟磁性膜に
より形威された引き出し導体層２２ａ， ２２ｂが接合
されている。
従って、前記ＭＲ素子２１の両端部に接合されてなる前
記各引き出し導体Ｎ２２ａ．２２ｂの延長部分２２１ａ
、２２１ｂの存在により、再生時における媒体からの磁
束を検知したＭＲ素子２１の再生信号に悪影響を与える
ことはなく、前記ＭＲ素子２１での反磁界の発生を著し
く減少することが可能となり、しかも還流磁区の発生も
解消される。
記各引き出し導体Ｎ２２ａ．２２ｂの延長部分２２１ａ
、２２１ｂの存在により、再生時における媒体からの磁
束を検知したＭＲ素子２１の再生信号に悪影響を与える
ことはなく、前記ＭＲ素子２１での反磁界の発生を著し
く減少することが可能となり、しかも還流磁区の発生も
解消される。
なお、上記した実施例では引き出し導体層にアモルファ
スＣｏ−Ｚｒからなる軟磁性膜を用いた場合の例につい
て説明したが、このような軟磁性膜の他に、例えばセン
ダスト（Ａ １ −Ｓｔ−Ｆｅ） ， Ｆｅ−Ｓｔなど
の磁性膜を用いても同様の効果を得ることができる。
スＣｏ−Ｚｒからなる軟磁性膜を用いた場合の例につい
て説明したが、このような軟磁性膜の他に、例えばセン
ダスト（Ａ １ −Ｓｔ−Ｆｅ） ， Ｆｅ−Ｓｔなど
の磁性膜を用いても同様の効果を得ることができる。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る磁気抵抗
効果型再生ヘッドによれば、ＭＲ素子の素子長を媒体の
狭トランク幅と対応するように短くしても、該ＭＲ素子
での反磁界の発生が著しく減少され、かつ還流磁区の発
生及びそれに起因するバルクハウゼンノイズの発生も防
止することが可能となる。
効果型再生ヘッドによれば、ＭＲ素子の素子長を媒体の
狭トランク幅と対応するように短くしても、該ＭＲ素子
での反磁界の発生が著しく減少され、かつ還流磁区の発
生及びそれに起因するバルクハウゼンノイズの発生も防
止することが可能となる。
従って、高トラソク密度度の磁気記録媒体に対する再生
時の効率が向上し、良好な再生特性が得られる等、実用
上優れた効果を奏する。
時の効率が向上し、良好な再生特性が得られる等、実用
上優れた効果を奏する。
明するための要部斜視図、
第４図は従来の磁気抵抗効果素子を示す斜視図、第５図
は従来例の問題点を説明するための斜視図である。
は従来例の問題点を説明するための斜視図である。
第１図〜第２図において、
１１はフエライト部材、１２ａ， １２ｂは非磁性絶縁
層、ｌ５はシールド磁性体層、２１はＭＲ素子、２２ａ
．２２ｂは引き出し導体層、２２１ａ、２２１ｂは延長
部分をそれぞれ示す。
層、ｌ５はシールド磁性体層、２１はＭＲ素子、２２ａ
．２２ｂは引き出し導体層、２２１ａ、２２１ｂは延長
部分をそれぞれ示す。
第１図は本発明に係る磁気抵抗効果型再生ヘッドの一実
施例を示す要部斜視図、 第２図は本発明の磁気抵抗効果素子の一実施例を示す斜
視図、 第３図は従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドを説半Ｚ咽一
ＭＲへ・７ｋ一一賞乃例乞木７事秤タト匣閏第１図 従上のＭＲへＪｅｓｔ咽む雰封１舛イ２ｍ第 ３ 図 本卒ｅｆｉ一門Ｒ青了＾一釘帥・ｊをネＴ糾技図第２図 第ｌ頁の続き ＠発明者 高 木 均 神奈川県川崎市中原区上小田中１０１５番地内 富士通株式会社 −６２一
施例を示す要部斜視図、 第２図は本発明の磁気抵抗効果素子の一実施例を示す斜
視図、 第３図は従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドを説半Ｚ咽一
ＭＲへ・７ｋ一一賞乃例乞木７事秤タト匣閏第１図 従上のＭＲへＪｅｓｔ咽む雰封１舛イ２ｍ第 ３ 図 本卒ｅｆｉ一門Ｒ青了＾一釘帥・ｊをネＴ糾技図第２図 第ｌ頁の続き ＠発明者 高 木 均 神奈川県川崎市中原区上小田中１０１５番地内 富士通株式会社 −６２一
Claims (1)
- 両端に引き出し導体層（２２ａ、２２ｂ）を接合した磁
気抵抗効果素子（２１）を挟むように両側に、それぞれ
非磁性絶縁層（１２ａ、１２ｂ）を介してシールド磁性
体（１１、１５）を設けたヘッド構成において、上記磁
気抵抗効果素子（２１）は対応する媒体のトラック幅と
同等の長さを有し、その両端に接合する引き出し導体層
（２２ａ、２２ｂ）は磁気抵抗効果素子（２１）よりも
磁気抵抗効果の小さい軟磁性材からなり、かつ前記素子
（２１）の両端を延長する長さ部分（２２１ａ、２２１
ｂ）を備えていることを特徴とする磁気抵抗効果型再生
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1167747A JP2773258B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 磁気抵抗効果型再生ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1167747A JP2773258B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 磁気抵抗効果型再生ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330109A true JPH0330109A (ja) | 1991-02-08 |
| JP2773258B2 JP2773258B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=15855360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1167747A Expired - Lifetime JP2773258B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 磁気抵抗効果型再生ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773258B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5959809A (en) * | 1994-07-29 | 1999-09-28 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head and method of manufacturing the same and magnetic recording apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61296522A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-27 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘツド |
-
1989
- 1989-06-28 JP JP1167747A patent/JP2773258B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61296522A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-27 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘツド |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5959809A (en) * | 1994-07-29 | 1999-09-28 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head and method of manufacturing the same and magnetic recording apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2773258B2 (ja) | 1998-07-09 |
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