JPH03260906A - 磁気抵抗効果型再生ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型再生ヘッドInfo
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- JPH03260906A JPH03260906A JP5789290A JP5789290A JPH03260906A JP H03260906 A JPH03260906 A JP H03260906A JP 5789290 A JP5789290 A JP 5789290A JP 5789290 A JP5789290 A JP 5789290A JP H03260906 A JPH03260906 A JP H03260906A
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- Japan
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- coils
- coil
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- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 11
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 abstract description 11
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気ディスク装置あるいは磁気テープ装置等に用いられ
る磁気抵抗効果型再生ヘッドに関し、磁気抵抗効果素子
内の磁区を制御しバルクハウゼン雑音を抑制することを
目的とし、 強磁性薄膜の磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型再
生ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子の両端部分にコイ
ルを巻き、磁気抵抗効果素子の長手方向に、コイル電流
による磁界を印加するように構成する。
る磁気抵抗効果型再生ヘッドに関し、磁気抵抗効果素子
内の磁区を制御しバルクハウゼン雑音を抑制することを
目的とし、 強磁性薄膜の磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型再
生ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子の両端部分にコイ
ルを巻き、磁気抵抗効果素子の長手方向に、コイル電流
による磁界を印加するように構成する。
本発明は磁気ディスク装置あるいは磁気テープ装置等に
用いられる磁気抵抗効果型再生ヘッドに関する。
用いられる磁気抵抗効果型再生ヘッドに関する。
近年、コンピュータ外部記憶装置である磁気記録装置の
大容量化に伴ない、高性能な磁気ヘッドが要求されてい
る。この要求を満足するものとして、記録媒体の速度に
依存せず小径ディスクに対しても利用でき、高い出力が
得られる磁気抵抗効果型再生ヘッドが注目されている。
大容量化に伴ない、高性能な磁気ヘッドが要求されてい
る。この要求を満足するものとして、記録媒体の速度に
依存せず小径ディスクに対しても利用でき、高い出力が
得られる磁気抵抗効果型再生ヘッドが注目されている。
従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドは例えば論文ｒｌＢＢ
Ｂ Ｔｒａｎｓ、Ｍａｇｎ、ＭＡＧ １８．１１５
５（１９８２） Ｊ ｌごｉ２載されているように
、第８図に示すような構造を有している。同図において
、■は矩形パターンの磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子
という）、２．２’（１） （２） はそれぞれ磁気抵抗効果素子の両端に接合された引き出
し導体細片であり、該引き出し導体細片２゜２′からＭ
Ｒ素子１にセンス電流１が流されている。また図示なき
記録媒体はＭＲ素子１の下をＸ軸の方向に移動する。そ
してＭＲ素子の出力検知領域ＰＱＲ３に媒体からの信号
磁界が入ると、ＰＱＲ３部分の電気抵抗が変化し、出力
検知領域の両端の電圧が変化する。この電圧変化を出力
として検知するようにな、っている。
Ｂ Ｔｒａｎｓ、Ｍａｇｎ、ＭＡＧ １８．１１５
５（１９８２） Ｊ ｌごｉ２載されているように
、第８図に示すような構造を有している。同図において
、■は矩形パターンの磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子
という）、２．２’（１） （２） はそれぞれ磁気抵抗効果素子の両端に接合された引き出
し導体細片であり、該引き出し導体細片２゜２′からＭ
Ｒ素子１にセンス電流１が流されている。また図示なき
記録媒体はＭＲ素子１の下をＸ軸の方向に移動する。そ
してＭＲ素子の出力検知領域ＰＱＲ３に媒体からの信号
磁界が入ると、ＰＱＲ３部分の電気抵抗が変化し、出力
検知領域の両端の電圧が変化する。この電圧変化を出力
として検知するようにな、っている。
上記従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドでは、そのＭＲ素
子が強磁性薄膜であるため、第９図に示すように、矢印
で示す磁化方向及び破線で示す磁壁を有する磁区が発生
しており、信号磁界が入ると薄膜内の磁壁が移動し、そ
れに伴ってバルクハウゼン雑音が発生するという問題が
生ずる。
子が強磁性薄膜であるため、第９図に示すように、矢印
で示す磁化方向及び破線で示す磁壁を有する磁区が発生
しており、信号磁界が入ると薄膜内の磁壁が移動し、そ
れに伴ってバルクハウゼン雑音が発生するという問題が
生ずる。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、ＭＲ素子内の磁区を
制御しバルクハウゼン雑音を抑制することを可能とした
磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供することを目的とする
。
制御しバルクハウゼン雑音を抑制することを可能とした
磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供することを目的とする
。
第１図に本発明の原理説明図を示す。
同図において、１２は磁気抵抗効果型再生ヘッドのＭＲ
素子であり、本発明はこのＭＲ素子の両端部分にコイル
１４．１４’を設けたものである。
素子であり、本発明はこのＭＲ素子の両端部分にコイル
１４．１４’を設けたものである。
コイル１４．１４’に電流１．１′を流し、発生した磁
界Ｍ・Ｍ′をＭＲ素子１の長手方向に印加することによ
り、ＭＲ素子１２のセンス部分が単磁区状態となり、バ
ルクハウゼン雑音の抑制が可能となる。
界Ｍ・Ｍ′をＭＲ素子１の長手方向に印加することによ
り、ＭＲ素子１２のセンス部分が単磁区状態となり、バ
ルクハウゼン雑音の抑制が可能となる。
第２図は本発明の第１の実施例を示す図であり、（ａ）
は記録媒体と共に示す斜視図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線
における断面図である。
は記録媒体と共に示す斜視図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線
における断面図である。
同図において、ｌＯは本実施例の磁気抵抗効果型（３）
（４）
再生ヘッド、１１は記録媒体である。本実施例の磁気抵
抗効果型再生ヘッド１０は、強磁性薄膜で形成された矩
形状のＭＲ素子１２を有し、該ＭＲ素子１２にはセンス
領域ＰＱＲ３の両端に１対の引き出し導体細片１３．１
３’が設けられ、さらにその外方のＭＲ素子１２の両端
に本発明の要点であるコイル１４．１４’が設けられて
いる。
抗効果型再生ヘッド１０は、強磁性薄膜で形成された矩
形状のＭＲ素子１２を有し、該ＭＲ素子１２にはセンス
領域ＰＱＲ３の両端に１対の引き出し導体細片１３．１
３’が設けられ、さらにその外方のＭＲ素子１２の両端
に本発明の要点であるコイル１４．１４’が設けられて
いる。
このような本実施例を作成するには第２図（ｂ）に示す
ように、薄膜法により基板１５の上にコイルの下半分１
６を形成し、これを絶縁層１７で覆い、その上に矩形パ
ターンのＭＲ素子１２と引き出し導体細片１３・１３′
を形成後、絶縁層１８及びコイルの上半分１９を積層す
る。なおコイルの下半分１６と上半分１９とは絶縁素層
１７にスルーホールを設けて接続する。
ように、薄膜法により基板１５の上にコイルの下半分１
６を形成し、これを絶縁層１７で覆い、その上に矩形パ
ターンのＭＲ素子１２と引き出し導体細片１３・１３′
を形成後、絶縁層１８及びコイルの上半分１９を積層す
る。なおコイルの下半分１６と上半分１９とは絶縁素層
１７にスルーホールを設けて接続する。
このように構成された本実施例は、記録媒体１１に記録
された磁界によりＭＲ素子■２のセンス領域ＰＱＲ３の
抵抗が磁気抵抗効果によって変化するのを、引出し導体
線型１３・１３′の両端でセンス電流の電圧変化として
検出し、情報を再生することができる。この際コイル１
４．１４’ に電流ｉ、ｉ’を流しておくことによりＭ
Ｒ素子１２の磁区は制御され、ＰＱＲ３で囲まれたセン
ス領域は単磁区状態となりバルクハウゼン雑音は抑制さ
れる。
された磁界によりＭＲ素子■２のセンス領域ＰＱＲ３の
抵抗が磁気抵抗効果によって変化するのを、引出し導体
線型１３・１３′の両端でセンス電流の電圧変化として
検出し、情報を再生することができる。この際コイル１
４．１４’ に電流ｉ、ｉ’を流しておくことによりＭ
Ｒ素子１２の磁区は制御され、ＰＱＲ３で囲まれたセン
ス領域は単磁区状態となりバルクハウゼン雑音は抑制さ
れる。
第３図は本発明の第２の実施例を、第４図は本発明の第
３の実施例を示す図である。両図において、第２図と同
一部分は同一符号を付して示した。
３の実施例を示す図である。両図において、第２図と同
一部分は同一符号を付して示した。
この第２及び第３の実施例は基本的には第１の実施例と
同様であり、異なるところは、記録媒体１１からの信号
磁界がＭＲ素子１２のセンス領域ＰＱＲ３に容易に入り
込めるようするため、第３図に示す第２の実施例ではセ
ンス領域ＰＱＲ３の下辺ＱＲを下方に突出させたこと、
第４図に示す第３の実施例では、ＭＲ素子１２の引き出
し導体細片１３．１３’の外方下辺を三角形状に切り落
し、コイル１４・１４′を領域ＰＱＲ３の下辺より後退
させ、何れもセンス領域ＰＱＲ３の下辺ＱＲを記録媒体
１１に近ずけることができるようにしたことである。
同様であり、異なるところは、記録媒体１１からの信号
磁界がＭＲ素子１２のセンス領域ＰＱＲ３に容易に入り
込めるようするため、第３図に示す第２の実施例ではセ
ンス領域ＰＱＲ３の下辺ＱＲを下方に突出させたこと、
第４図に示す第３の実施例では、ＭＲ素子１２の引き出
し導体細片１３．１３’の外方下辺を三角形状に切り落
し、コイル１４・１４′を領域ＰＱＲ３の下辺より後退
させ、何れもセンス領域ＰＱＲ３の下辺ＱＲを記録媒体
１１に近ずけることができるようにしたことである。
この第２、第３の実施例のバルクハウゼン雑音に対する
効果は第１の実施例と全く同様である。
効果は第１の実施例と全く同様である。
（５）
（６）
次に第４の実施例を第５図により説明する。同図（ａ）
は斜視図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線における断面図であ
る。
は斜視図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線における断面図であ
る。
同図において、２０は本実施例の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッド、１１は記録媒体、１２は強磁性薄膜で形成された
矩形状のＭＲ素子であり、該ＭＲ素子１２のセンス領域
ＰＱＲ３の外側に１対のパッド２１．２１’が設けられ
、且つ該パッド２１ 、２１’にそれぞれ一端を接続し
たコイル１４．１４’がＭＲ素子１２の両端に絶縁層１
７．１８を介して設けられている。なお本実施例は第２
図に示した第１の実施例と同様にして作成することがで
きる。
ッド、１１は記録媒体、１２は強磁性薄膜で形成された
矩形状のＭＲ素子であり、該ＭＲ素子１２のセンス領域
ＰＱＲ３の外側に１対のパッド２１．２１’が設けられ
、且つ該パッド２１ 、２１’にそれぞれ一端を接続し
たコイル１４．１４’がＭＲ素子１２の両端に絶縁層１
７．１８を介して設けられている。なお本実施例は第２
図に示した第１の実施例と同様にして作成することがで
きる。
以上のように構成された本実施例は、コイル１４の一端
からコイル１４′の一端へセンス電流１を流しておくこ
とにより、記録媒体１１からの信号磁界によるセンス領
域ＰＱＲ３の抵抗変化を検出し情報を再生すると同時に
コイル１４．１４’ に流れるセンス電流によって生ず
る磁界をセンス領域ＰＱＲ３に印加して、該領域を単磁
区状態となしバルクハウゼン雑音を抑制することができ
る。
からコイル１４′の一端へセンス電流１を流しておくこ
とにより、記録媒体１１からの信号磁界によるセンス領
域ＰＱＲ３の抵抗変化を検出し情報を再生すると同時に
コイル１４．１４’ に流れるセンス電流によって生ず
る磁界をセンス領域ＰＱＲ３に印加して、該領域を単磁
区状態となしバルクハウゼン雑音を抑制することができ
る。
第６図は本発明の第５の実施例を、第７図は本発明の第
６の実施例を示す図である。両図において第５図と同一
部分は同一符号を付して示した。
６の実施例を示す図である。両図において第５図と同一
部分は同一符号を付して示した。
この第５及び第６の実施例は基本的には第４の実施例と
同様であり、異なるところは、記録媒体１１からの信号
磁界がＭＲ素子１２のセンス領域ＰＱＲ３に容易に入り
込める様にするため第６図に示す第５図の実施例ではセ
ンス領域ＰＱＲ３の下辺ＱＲを下方に突出させたこと、
第７図に示す第６の実施例では、ＭＲ素子のパッド２１
、２１’の外方の下辺を三角形状に切り落し、コイル
１４．１４’をセンス領域ＰＱｔｌＳの下辺より後退さ
せたことである。
同様であり、異なるところは、記録媒体１１からの信号
磁界がＭＲ素子１２のセンス領域ＰＱＲ３に容易に入り
込める様にするため第６図に示す第５図の実施例ではセ
ンス領域ＰＱＲ３の下辺ＱＲを下方に突出させたこと、
第７図に示す第６の実施例では、ＭＲ素子のパッド２１
、２１’の外方の下辺を三角形状に切り落し、コイル
１４．１４’をセンス領域ＰＱｔｌＳの下辺より後退さ
せたことである。
この第５及び第６の実施例のバルクハウゼン雑音に対す
る効果は第４の実施例と全く同様である。
る効果は第４の実施例と全く同様である。
以上説明した様に、本発明によれば、ＭＲ素子の両端に
コイルを設け、該コイルに電流を流すことにより発生す
る磁界によりＭＲ素子の磁区は制御され、バルクハウゼ
ン雑音の抑制が可能となり、（７〉 （８） 磁気ディスク装置の大容量化に寄与するところ大である
。
コイルを設け、該コイルに電流を流すことにより発生す
る磁界によりＭＲ素子の磁区は制御され、バルクハウゼ
ン雑音の抑制が可能となり、（７〉 （８） 磁気ディスク装置の大容量化に寄与するところ大である
。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図は本発明の第１の実施例を示す図、第３図は本発
明の第２の実施例を示す図、第４図は本発明の第３の実
施例を示す図、第５図は本発明の第４の実施例を示す図
、第６図は本発明の第５の実施例を示す図、第７図は本
発明の第６の実施例を示す図、第８図は従来の磁気抵抗
効果型再生ヘッドを示す図、 第９図は磁気抵抗効果型ヘッドのパルクツ１ウゼン雑音
を説明するための図である。 図において、 １０・２０は磁気抵抗効果型再生ヘッド、１１は記録媒
体、 １２はＭＲ素子、 １３．１３’は引き出し導体細片、 １４．１４’ はコイル、 １５は基板、 ■６はコイル下半分、 １７・１８は絶縁層、 ■９はコイル上半分、 ２１・２１′ はパッド を示す。
明の第２の実施例を示す図、第４図は本発明の第３の実
施例を示す図、第５図は本発明の第４の実施例を示す図
、第６図は本発明の第５の実施例を示す図、第７図は本
発明の第６の実施例を示す図、第８図は従来の磁気抵抗
効果型再生ヘッドを示す図、 第９図は磁気抵抗効果型ヘッドのパルクツ１ウゼン雑音
を説明するための図である。 図において、 １０・２０は磁気抵抗効果型再生ヘッド、１１は記録媒
体、 １２はＭＲ素子、 １３．１３’は引き出し導体細片、 １４．１４’ はコイル、 １５は基板、 ■６はコイル下半分、 １７・１８は絶縁層、 ■９はコイル上半分、 ２１・２１′ はパッド を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、強磁性薄膜の磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果
型再生ヘッドにおいて、 磁気抵抗効果素子（１２）の両端部分にコイル（１４、
１４′）を巻き、磁気抵抗効果素子（１２）の長手方向
に、コイル電流による磁界を印加するようにしたことを
特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5789290A JPH03260906A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 磁気抵抗効果型再生ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5789290A JPH03260906A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 磁気抵抗効果型再生ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03260906A true JPH03260906A (ja) | 1991-11-20 |
Family
ID=13068635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5789290A Pending JPH03260906A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 磁気抵抗効果型再生ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03260906A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6661627B1 (en) * | 1999-10-19 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording device, method of adjusting magnetic head, and magnetic recording medium |
| US7432714B2 (en) * | 2004-01-26 | 2008-10-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for on-chip magnetic resonance spectroscopy |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP5789290A patent/JPH03260906A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6661627B1 (en) * | 1999-10-19 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording device, method of adjusting magnetic head, and magnetic recording medium |
| US7432714B2 (en) * | 2004-01-26 | 2008-10-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for on-chip magnetic resonance spectroscopy |
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