JPS63285718A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPS63285718A JPS63285718A JP11975187A JP11975187A JPS63285718A JP S63285718 A JPS63285718 A JP S63285718A JP 11975187 A JP11975187 A JP 11975187A JP 11975187 A JP11975187 A JP 11975187A JP S63285718 A JPS63285718 A JP S63285718A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 title description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 26
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- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 11
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/399—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures with intrinsic biasing, e.g. provided by equipotential strips
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は磁気テープ装置、或いは磁気ディスク装置など
に用いられるシャントバイアス型の磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドにおいて、２つのシールド磁性体間に、非磁
性絶縁層を介して設けたバイアス印加用導体層と、その
上に直接接合したＭＲ素子膜との構成を、該バイアス印
加用導体層の媒体トラック幅に対応する直線部分の幅を
、該トラック幅よりも長（設けると共に、その直線部分
上の中央部に前記媒体トラック幅とほぼ等しい幅のＭＲ
素子膜を直接接合した構成にして、これら両者の直線部
分に流れるバイアス電流の向きを対向する記録媒体のト
ラック幅方向と平行にすることにより、ＭＲ素子膜に効
率良くバイアス磁界が印加でき、高密度記録化（狭トラ
ツク化）された磁気記録媒体に対して高効率で再生し得
るようにしたものである。
に用いられるシャントバイアス型の磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドにおいて、２つのシールド磁性体間に、非磁
性絶縁層を介して設けたバイアス印加用導体層と、その
上に直接接合したＭＲ素子膜との構成を、該バイアス印
加用導体層の媒体トラック幅に対応する直線部分の幅を
、該トラック幅よりも長（設けると共に、その直線部分
上の中央部に前記媒体トラック幅とほぼ等しい幅のＭＲ
素子膜を直接接合した構成にして、これら両者の直線部
分に流れるバイアス電流の向きを対向する記録媒体のト
ラック幅方向と平行にすることにより、ＭＲ素子膜に効
率良くバイアス磁界が印加でき、高密度記録化（狭トラ
ツク化）された磁気記録媒体に対して高効率で再生し得
るようにしたものである。
本発明は磁気テープ装置、或いは磁気ディスク装置など
に用いられる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに係り、特
に磁気記録媒体の狭トラツク化された記録情報を再生す
るに好適なシャントバイアス型の磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドに関するものである。
に用いられる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに係り、特
に磁気記録媒体の狭トラツク化された記録情報を再生す
るに好適なシャントバイアス型の磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドに関するものである。
シャントバイアス型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは
構造が簡単で、出力が記録媒体速度に依存せず、しかも
磁気抵抗変化が比較的大きいので大出力が得られること
から、磁気記録媒体の狭記録トラック化による再生出力
低下に対して極めて有利な再生ヘッドとして注目されて
いる。
構造が簡単で、出力が記録媒体速度に依存せず、しかも
磁気抵抗変化が比較的大きいので大出力が得られること
から、磁気記録媒体の狭記録トラック化による再生出力
低下に対して極めて有利な再生ヘッドとして注目されて
いる。
このため、高密度記録化された磁気記録媒体に対して高
効率で再生し得るヘッド構造が必要とされている。
効率で再生し得るヘッド構造が必要とされている。
従来のシャントバイアス型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッド（以下ＭＲヘッドと略称する）は第２図に示すよう
に、例えばＭｎ−Ｚｎフェライトなどからなる下部シー
ルド磁性体を兼ねる磁性基板１１とパーマロイ（Ｎｉ−
Ｆｅ）などからなる上部シールド磁性体層１２との間に
、第３図の部分拡大図に示すようにチタン（Ｔｉ）から
なるバイアス印加用導体層１４上に直接接合されたパー
マロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などの強磁性体からなる磁気抵抗
効果素子膜（以下ＭＲ素子膜と称する）１５が、ＳｉＯ
□、またはＡ ／ ２０：ｌからなる非磁性絶縁層１３
で挟んで配設した構成からなっている。
ッド（以下ＭＲヘッドと略称する）は第２図に示すよう
に、例えばＭｎ−Ｚｎフェライトなどからなる下部シー
ルド磁性体を兼ねる磁性基板１１とパーマロイ（Ｎｉ−
Ｆｅ）などからなる上部シールド磁性体層１２との間に
、第３図の部分拡大図に示すようにチタン（Ｔｉ）から
なるバイアス印加用導体層１４上に直接接合されたパー
マロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などの強磁性体からなる磁気抵抗
効果素子膜（以下ＭＲ素子膜と称する）１５が、ＳｉＯ
□、またはＡ ／ ２０：ｌからなる非磁性絶縁層１３
で挟んで配設した構成からなっている。
そしてかかるＭＲヘッドは、該バイアス印加用導体層１
４及びＭＲ素子膜１５の磁化容易軸１５ａ方向に一定電
流を供給することにより、該バイアス印加用導体層１４
に分流する電流により発生ずる磁界がＭＲ素子膜１５に
印加され、磁化が矢印Ａの方向に回転し、かつ対向する
記録媒体１６からの、該ＭＲ素子膜１５の磁化容易軸１
５ａ方向に垂直な磁化困難軸方向の信号磁束に応じて発
生する、該ＭＲ素子膜１５の抵抗変化を電圧として検出
して再生を行っている。
４及びＭＲ素子膜１５の磁化容易軸１５ａ方向に一定電
流を供給することにより、該バイアス印加用導体層１４
に分流する電流により発生ずる磁界がＭＲ素子膜１５に
印加され、磁化が矢印Ａの方向に回転し、かつ対向する
記録媒体１６からの、該ＭＲ素子膜１５の磁化容易軸１
５ａ方向に垂直な磁化困難軸方向の信号磁束に応じて発
生する、該ＭＲ素子膜１５の抵抗変化を電圧として検出
して再生を行っている。
ところでこのような従来のＭＲヘッドにあっては、第３
図に示すようにＭＲ素子膜１５がバイアス印加用導体層
１４と同一形状に設けてあり、その直線部分、即ち磁束
検出部の幅が対向する記録媒体１６の再生すべきトラッ
ク１７の幅Ｗとほぼ等しく形成されているため、ＭＲ素
子膜１５及びバイアス印加用導体層１４に一定電流を供
給した際、該磁束検出部の両端部付近を流れるバイアス
電流１８の向きが、矢印Ｂで示すように対向する記録媒
体１６のトラック１７の幅方向と平行にならずにずれて
しまい、磁束検出部全体に効率良くバイアス磁界を印加
することができないといった問題が生じ、再生効率が低
下する欠点があった。
図に示すようにＭＲ素子膜１５がバイアス印加用導体層
１４と同一形状に設けてあり、その直線部分、即ち磁束
検出部の幅が対向する記録媒体１６の再生すべきトラッ
ク１７の幅Ｗとほぼ等しく形成されているため、ＭＲ素
子膜１５及びバイアス印加用導体層１４に一定電流を供
給した際、該磁束検出部の両端部付近を流れるバイアス
電流１８の向きが、矢印Ｂで示すように対向する記録媒
体１６のトラック１７の幅方向と平行にならずにずれて
しまい、磁束検出部全体に効率良くバイアス磁界を印加
することができないといった問題が生じ、再生効率が低
下する欠点があった。
このような問題は記録媒体１６のトラック幅Ｗが狭めら
れるに従って更に顕著となる傾向がある。
れるに従って更に顕著となる傾向がある。
本発明は上記従来の欠点に鑑み、バイアス印加用導体層
及びＭＲ素子膜に一定電流を供給した際に、これら両者
の直線部分、即ち磁束検出部に流れるバイアス電流の向
きを対向する記録媒体のトラックの幅方向に対して平行
にでき、ＭＲ素子膜に効率良くバイアス磁界を印加し得
る新規なシャントバイアス型の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドを提供することを目的とするものである。
及びＭＲ素子膜に一定電流を供給した際に、これら両者
の直線部分、即ち磁束検出部に流れるバイアス電流の向
きを対向する記録媒体のトラックの幅方向に対して平行
にでき、ＭＲ素子膜に効率良くバイアス磁界を印加し得
る新規なシャントバイアス型の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドを提供することを目的とするものである。
本発明は上記目的を達成するため、２つのシールド磁性
体間に、非磁性絶縁層を介して設けるバイアス印加用導
体層と、その上に直接接合するＭＲ素子膜との構成を、
先ず該バイアス印加用導体層の媒体トラック幅に対応す
る直線部分の幅を、該トラック幅よりも長く設けると共
に、その直線部分上の中央部に前記媒体トラック幅とほ
ぼ等しい幅を有するＭＲ素子膜を直接接合した構成とす
る。 ′ 〔作用〕 本発明のシャントバイアス型の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドでは、バイアス印加用導体層の直線部分の幅が、
直接接合された媒体トラック幅とほぼ等しい幅を有する
ＭＲ素子膜よりも広幅に設けられているため、該ＭＲ素
子膜及びその素子膜が直接接合されたバイアス印加用導
体層部分の幅方向に流れるバイアス電流の向きが、対向
する媒体トラックの幅方向と平行となり、この結果、該
ＭＲ素子膜にバイアス磁界が効率良く印加される。
体間に、非磁性絶縁層を介して設けるバイアス印加用導
体層と、その上に直接接合するＭＲ素子膜との構成を、
先ず該バイアス印加用導体層の媒体トラック幅に対応す
る直線部分の幅を、該トラック幅よりも長く設けると共
に、その直線部分上の中央部に前記媒体トラック幅とほ
ぼ等しい幅を有するＭＲ素子膜を直接接合した構成とす
る。 ′ 〔作用〕 本発明のシャントバイアス型の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドでは、バイアス印加用導体層の直線部分の幅が、
直接接合された媒体トラック幅とほぼ等しい幅を有する
ＭＲ素子膜よりも広幅に設けられているため、該ＭＲ素
子膜及びその素子膜が直接接合されたバイアス印加用導
体層部分の幅方向に流れるバイアス電流の向きが、対向
する媒体トラックの幅方向と平行となり、この結果、該
ＭＲ素子膜にバイアス磁界が効率良く印加される。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係るシャントバイアス型の磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドにおけるバイアス印加用導体層とＭ
Ｒ素子膜の構成の一実施例を示す斜視図であり、第３図
と同等部分には同一符号を付している。
果型薄膜磁気ヘッドにおけるバイアス印加用導体層とＭ
Ｒ素子膜の構成の一実施例を示す斜視図であり、第３図
と同等部分には同一符号を付している。
第１図の実施例が第３図の例と異なる点は、２つのシー
ルド磁性体間に、非磁性絶縁層を介して設けたバイアス
印加用導体層２１と、その上に直接接合するＭＲ素子膜
２２との構成として、該バイアス印加用導体Ｎ２１は記
録媒体１６のトラックに対応する直線部分の幅ｗ３を、
該トラック幅Ｗよりも長く設けると共に、その直線部分
上の中央部に前記トラック幅Ｗとほぼ等しい幅と該幅方
向に磁化容易軸２２ａを有するＭＲ素子膜２２を直接接
合した構成とされている。
ルド磁性体間に、非磁性絶縁層を介して設けたバイアス
印加用導体層２１と、その上に直接接合するＭＲ素子膜
２２との構成として、該バイアス印加用導体Ｎ２１は記
録媒体１６のトラックに対応する直線部分の幅ｗ３を、
該トラック幅Ｗよりも長く設けると共に、その直線部分
上の中央部に前記トラック幅Ｗとほぼ等しい幅と該幅方
向に磁化容易軸２２ａを有するＭＲ素子膜２２を直接接
合した構成とされている。
従って、バイアス印加用導体層２１及びＭＲ素子膜２２
に一定電流を供給した際、これら直線部分、即ち記録媒
体１６のトラック１７と対応する磁束検出部を流れるバ
イアス電流の向きが、矢印Ｃで示すように該トラック１
７の幅方向に平行となり、該磁束検出部全体に効率良く
バイアス磁界を印加することが可能となる。
に一定電流を供給した際、これら直線部分、即ち記録媒
体１６のトラック１７と対応する磁束検出部を流れるバ
イアス電流の向きが、矢印Ｃで示すように該トラック１
７の幅方向に平行となり、該磁束検出部全体に効率良く
バイアス磁界を印加することが可能となる。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドによれば、記録媒体のトラックと
対応するバイアス印加用導体層及びＭＲ素子膜の直線部
分に流れるバイアス電流の向きが、該トラックエフの幅
方向に平行となることから、該ＭＲ素子膜の磁束検出部
に効率良くバイアス磁界を印加することが可能となる優
れた利点を有する。
効果型薄膜磁気ヘッドによれば、記録媒体のトラックと
対応するバイアス印加用導体層及びＭＲ素子膜の直線部
分に流れるバイアス電流の向きが、該トラックエフの幅
方向に平行となることから、該ＭＲ素子膜の磁束検出部
に効率良くバイアス磁界を印加することが可能となる優
れた利点を有する。
従って、再生効率の良好なシャントバイアス型の磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドを得ることができ、高密度記録
化（狭トラツク化）された磁気媒体に対する再生ヘッド
として適用することにより実用上価れた効果を奏する。
抗効果型薄膜磁気ヘッドを得ることができ、高密度記録
化（狭トラツク化）された磁気媒体に対する再生ヘッド
として適用することにより実用上価れた効果を奏する。
第１図は本発明に係るシャントバイアス型の磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドにおける バイアス印加用導体層とＭＲ素子膜の 構成の一実施例を示す部分拡大斜視図、第２図は従来の
シャントバイアス型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを
説明するため の要部断面図、 第３図は従来のシャントバイアス型の磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドにおけるバイア ス印加用導体層とＭＲ素子膜の構成を 示す部分拡大斜視図である。 第１図において、 １６は記録媒体、２１はバイアス印加用導体層、２２は
ＭＲ素子膜、２２ａは磁化容易軸をそれぞれ示す。 停明シ語？Ｊもα明すｔ部斜視図 第１図 第２図
果型薄膜磁気ヘッドにおける バイアス印加用導体層とＭＲ素子膜の 構成の一実施例を示す部分拡大斜視図、第２図は従来の
シャントバイアス型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを
説明するため の要部断面図、 第３図は従来のシャントバイアス型の磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドにおけるバイア ス印加用導体層とＭＲ素子膜の構成を 示す部分拡大斜視図である。 第１図において、 １６は記録媒体、２１はバイアス印加用導体層、２２は
ＭＲ素子膜、２２ａは磁化容易軸をそれぞれ示す。 停明シ語？Ｊもα明すｔ部斜視図 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ２つのシールド磁性体間に、バイアス印加用導体層（２
１）上に直接接合した磁気抵抗効果素子膜（２２）を非
磁性絶縁層で挟んで配設したヘッド構成において、 上記バイアス印加用導体層（２１）の媒体トラック幅に
対応する直線部分の幅を、該トラック幅よりも長く設け
ると共に、その直線部分上の中央部に前記媒体トラック
幅とほぼ等しい幅を有する磁気抵抗効果素子膜（２２）
を設けて成ることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11975187A JPS63285718A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11975187A JPS63285718A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63285718A true JPS63285718A (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=14769249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11975187A Pending JPS63285718A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63285718A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5748415A (en) * | 1994-12-16 | 1998-05-05 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive head with a magnetoresistive film shaped to provide an improved read sensitivity profile |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP11975187A patent/JPS63285718A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5748415A (en) * | 1994-12-16 | 1998-05-05 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive head with a magnetoresistive film shaped to provide an improved read sensitivity profile |
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