JPH04298810A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH04298810A JPH04298810A JP6304591A JP6304591A JPH04298810A JP H04298810 A JPH04298810 A JP H04298810A JP 6304591 A JP6304591 A JP 6304591A JP 6304591 A JP6304591 A JP 6304591A JP H04298810 A JPH04298810 A JP H04298810A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置等に
用いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関し、特に磁気抵抗
効果素子からの磁界の洩れを防止する構成に関するもの
である。
用いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関し、特に磁気抵抗
効果素子からの磁界の洩れを防止する構成に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶装置であ
る磁気ディスク装置の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッ
ドが要求されている。この要求を満足するものとして、
記憶媒体の速度に依存せず高出力が得られる磁気抵抗効
果型ヘッド（以下ＭＲヘッドという）が注目されている
。
る磁気ディスク装置の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッ
ドが要求されている。この要求を満足するものとして、
記憶媒体の速度に依存せず高出力が得られる磁気抵抗効
果型ヘッド（以下ＭＲヘッドという）が注目されている
。
【０００３】図６は従来のＭＲヘッドを示す磁気抵抗効
果素子（以下ＭＲ素子という）の要部縦断側面図、図７
は非磁性絶縁層を除去した状態の磁気抵抗効果素子の要
部斜視図である。２つの磁気シールド１３ａ、１３ｂの
間に非磁性絶縁層１４ａよりなる再生ギャップ１４が形
成され、該再生ギャップ１４の下端の一方の磁気シール
ド１３ａ寄りにＭＲ素子１１が配置される。ＭＲ素子１
１はその長手方向（ｙ軸方向）が容易軸方向に一致する
ようにパターン形成されており、該ＭＲ素子１１の中央
部に信号検出領域１６を残して両端に信号導出用の引き
出し導体層１２が接合されている。従って、ＭＲ素子１
１及び引き出し導体層１２は、再生ギャップ１４の非磁
性絶縁層１４ａを介して磁気シールド１３ａ、１３ｂと
電気的に絶縁されていることになる。センス電流Ｊは引
き出し導体層１２を介してＭＲ素子１１の中央部に形成
された長方形の信号検出領域１６に流されることになる
。
果素子（以下ＭＲ素子という）の要部縦断側面図、図７
は非磁性絶縁層を除去した状態の磁気抵抗効果素子の要
部斜視図である。２つの磁気シールド１３ａ、１３ｂの
間に非磁性絶縁層１４ａよりなる再生ギャップ１４が形
成され、該再生ギャップ１４の下端の一方の磁気シール
ド１３ａ寄りにＭＲ素子１１が配置される。ＭＲ素子１
１はその長手方向（ｙ軸方向）が容易軸方向に一致する
ようにパターン形成されており、該ＭＲ素子１１の中央
部に信号検出領域１６を残して両端に信号導出用の引き
出し導体層１２が接合されている。従って、ＭＲ素子１
１及び引き出し導体層１２は、再生ギャップ１４の非磁
性絶縁層１４ａを介して磁気シールド１３ａ、１３ｂと
電気的に絶縁されていることになる。センス電流Ｊは引
き出し導体層１２を介してＭＲ素子１１の中央部に形成
された長方形の信号検出領域１６に流されることになる
。
【０００４】上記ＭＲ素子１１に加えられる磁界Ｈに対
するＭＲ素子１１の比抵抗ρの変化特性を表す曲線は図
９に示すような山型となり、磁界Ｈの変化にともなうＭ
Ｒ素子１１の抵抗変化を電圧（電流）の変化として取り
出すには、上記山型カーブの直線部を利用するところか
ら、ＭＲ素子１１にはバイアス磁界Ｈｂをかけるように
している。
するＭＲ素子１１の比抵抗ρの変化特性を表す曲線は図
９に示すような山型となり、磁界Ｈの変化にともなうＭ
Ｒ素子１１の抵抗変化を電圧（電流）の変化として取り
出すには、上記山型カーブの直線部を利用するところか
ら、ＭＲ素子１１にはバイアス磁界Ｈｂをかけるように
している。
【０００５】そこで、上記構成においてＭＲ素子１１に
はセンス電流Ｊが流されており、このセンス電流Ｊが形
成する磁界によってＭＲ素子１１に近い方の磁気シール
ド１３ａが磁化される。この磁気シールド１３ａが磁化
されることによって形成される磁界をＭＲ素子１１のバ
イアス磁界Ｈｂとしている。そして、図９に示すように
このバイアス磁界Ｈｂの元でＭＲ素子１１に対して直角
方向（図８中ｘ軸方向）に移動する磁気記録媒体１７の
磁界信号Ｓｈに対し、ＭＲ素子１１の比抵抗ρが線形変
動し、該ＭＲ素子１１の両端の電圧の変化としての再生
信号Ｓｅを検出するようになっている。
はセンス電流Ｊが流されており、このセンス電流Ｊが形
成する磁界によってＭＲ素子１１に近い方の磁気シール
ド１３ａが磁化される。この磁気シールド１３ａが磁化
されることによって形成される磁界をＭＲ素子１１のバ
イアス磁界Ｈｂとしている。そして、図９に示すように
このバイアス磁界Ｈｂの元でＭＲ素子１１に対して直角
方向（図８中ｘ軸方向）に移動する磁気記録媒体１７の
磁界信号Ｓｈに対し、ＭＲ素子１１の比抵抗ρが線形変
動し、該ＭＲ素子１１の両端の電圧の変化としての再生
信号Ｓｅを検出するようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記ＭＲ素子１１の磁
気抵抗効果を最大限に発揮させようとすると、磁気記録
媒体１７から得られる磁束がすべてＭＲ素子１１の下端
から上端に抜けることが望ましい。ところが、上記構成
ではＭＲ素子１１と磁気シールド１３ａとの間に磁気抵
抗の高い非磁性絶縁層１４ａが介在しているので、図８
に示すように磁気記録媒体１７からＭＲ素子１１に入っ
た磁束の一部はＭＲ素子１１の表面から洩れ磁束となっ
て、再生信号に有効に表れない欠点がある。特に、上記
のように一方の磁気シールド１３ａとＭＲ素子１１が接
近していると、該磁気シールド１３ａが接近している側
のＭＲ素子１１の面からの磁束の洩れが多くなり、上記
欠点を更に強めることになる。
気抵抗効果を最大限に発揮させようとすると、磁気記録
媒体１７から得られる磁束がすべてＭＲ素子１１の下端
から上端に抜けることが望ましい。ところが、上記構成
ではＭＲ素子１１と磁気シールド１３ａとの間に磁気抵
抗の高い非磁性絶縁層１４ａが介在しているので、図８
に示すように磁気記録媒体１７からＭＲ素子１１に入っ
た磁束の一部はＭＲ素子１１の表面から洩れ磁束となっ
て、再生信号に有効に表れない欠点がある。特に、上記
のように一方の磁気シールド１３ａとＭＲ素子１１が接
近していると、該磁気シールド１３ａが接近している側
のＭＲ素子１１の面からの磁束の洩れが多くなり、上記
欠点を更に強めることになる。
【０００７】この発明は上記従来の事情に鑑みて提案さ
れたものであって、ＭＲ素子表面よりの磁束の洩れをで
きる限り少なくして、できるだけ大きな信号を検出でき
る磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とする。
れたものであって、ＭＲ素子表面よりの磁束の洩れをで
きる限り少なくして、できるだけ大きな信号を検出でき
る磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明は以下の手段を採用している。すなわち、図
１に示すように、２つの磁気シールド１３ａ，１３ｂの
間に形成される非磁性絶縁層１４ａよりなる再生ギャッ
プ１４中に配備される磁気抵抗効果素子１１に電流を流
し、磁気抵抗効果を利用して磁気記録媒体１７からの信
号磁界を電気信号として再生する磁気抵抗効果型ヘッド
において、一方の磁気シールド１３ａが絶縁性磁性体か
ら成り、上記信号磁界が流入する上記磁気抵抗効果素子
１４の上端部で該磁気抵抗効果素子１１と該絶縁性磁性
体の磁気シールド１３ａとの間に磁気的な接合部１０を
形成するようにしている。
にこの発明は以下の手段を採用している。すなわち、図
１に示すように、２つの磁気シールド１３ａ，１３ｂの
間に形成される非磁性絶縁層１４ａよりなる再生ギャッ
プ１４中に配備される磁気抵抗効果素子１１に電流を流
し、磁気抵抗効果を利用して磁気記録媒体１７からの信
号磁界を電気信号として再生する磁気抵抗効果型ヘッド
において、一方の磁気シールド１３ａが絶縁性磁性体か
ら成り、上記信号磁界が流入する上記磁気抵抗効果素子
１４の上端部で該磁気抵抗効果素子１１と該絶縁性磁性
体の磁気シールド１３ａとの間に磁気的な接合部１０を
形成するようにしている。
【０００９】具体的には、前記絶縁性磁性体の磁気シー
ルド１３ａ，１３ｂの下端部に非磁性絶縁材１４ｂを埋
め込んだ切欠部２０を設け、該切欠部２０を挟んで磁気
抵抗効果素子１１を上記絶縁性磁性体の磁気シールド１
３ａに対向して配置するとともに、前記磁気抵抗効果素
子１１の上端部のみで該磁気抵抗効果素子１１と該絶縁
性磁性体の磁気シールド１３ａを直接当接させた接合部
１０を形成する構成とすることができる。また、前記磁
気抵抗効果素子１１の上端部と前記絶縁性磁性体の磁気
シールド１３ａとの間に、該磁気抵抗効果素子１１の比
抵抗より十分大きい軟磁性膜３０を配置して磁気的な接
合部１０を形成する構成とすることもできる。
ルド１３ａ，１３ｂの下端部に非磁性絶縁材１４ｂを埋
め込んだ切欠部２０を設け、該切欠部２０を挟んで磁気
抵抗効果素子１１を上記絶縁性磁性体の磁気シールド１
３ａに対向して配置するとともに、前記磁気抵抗効果素
子１１の上端部のみで該磁気抵抗効果素子１１と該絶縁
性磁性体の磁気シールド１３ａを直接当接させた接合部
１０を形成する構成とすることができる。また、前記磁
気抵抗効果素子１１の上端部と前記絶縁性磁性体の磁気
シールド１３ａとの間に、該磁気抵抗効果素子１１の比
抵抗より十分大きい軟磁性膜３０を配置して磁気的な接
合部１０を形成する構成とすることもできる。
【００１０】
【作用】上記構成によって、ＭＲ素子１１の上端部で一
方の磁気シールド１３ａと磁気的に接合することになる
ので、磁気記録媒体１７よりの信号磁界はＭＲ素子１１
の表面から殆ど洩れることなく、ＭＲ素子１１の下端か
ら上端、更に磁気シールド１３ａに抜けることになり、
また、上記一方の磁気シールド１３ａとして絶縁性磁性
体を使用しているので、ＭＲ素子１１に流れるセンス電
流Ｊがリークすることがなく大きな再生信号を得ること
ができることになる。
方の磁気シールド１３ａと磁気的に接合することになる
ので、磁気記録媒体１７よりの信号磁界はＭＲ素子１１
の表面から殆ど洩れることなく、ＭＲ素子１１の下端か
ら上端、更に磁気シールド１３ａに抜けることになり、
また、上記一方の磁気シールド１３ａとして絶縁性磁性
体を使用しているので、ＭＲ素子１１に流れるセンス電
流Ｊがリークすることがなく大きな再生信号を得ること
ができることになる。
【００１１】
【実施例】図２は本発明の一実施例を示すＭＲヘッドの
要部縦断側面図であり、図３は非磁性絶縁層及び後述す
る非磁性絶縁材を除去した状態の該実施例の要部斜視図
である。２枚の磁気シールド１３ａ，１３ｂの間に非磁
性絶縁層１４ａよりなる再生ギャップ１４が形成され、
該再生ギャップ１４の間にＭＲ素子１１が配置される構
成は従来と同じであるが、上記磁気シールド１３ａ，１
３ｂの中、ＭＲ素子１１が近接されて配設される側の磁
気シールド１３ａには、例えばＮｉＺｎ等の絶縁性磁性
体が採用される。そして、該磁気シールド１３ａの下端
に上記ＭＲ素子１１の高さより僅かに低い切欠部２０が
形成され、該切欠部２０には上記再生ギャップ１４に充
填されたと同じ種類の非磁性絶縁材１４ｂが充填される
。そして、ＭＲ素子１１は上記切欠部２０を介して磁気
シールド１３ａと対向して配置されるとともに、その上
端が絶縁性の磁気シールド１３ａと直接当接して磁気的
な接合部１０を形成するように配置される。
要部縦断側面図であり、図３は非磁性絶縁層及び後述す
る非磁性絶縁材を除去した状態の該実施例の要部斜視図
である。２枚の磁気シールド１３ａ，１３ｂの間に非磁
性絶縁層１４ａよりなる再生ギャップ１４が形成され、
該再生ギャップ１４の間にＭＲ素子１１が配置される構
成は従来と同じであるが、上記磁気シールド１３ａ，１
３ｂの中、ＭＲ素子１１が近接されて配設される側の磁
気シールド１３ａには、例えばＮｉＺｎ等の絶縁性磁性
体が採用される。そして、該磁気シールド１３ａの下端
に上記ＭＲ素子１１の高さより僅かに低い切欠部２０が
形成され、該切欠部２０には上記再生ギャップ１４に充
填されたと同じ種類の非磁性絶縁材１４ｂが充填される
。そして、ＭＲ素子１１は上記切欠部２０を介して磁気
シールド１３ａと対向して配置されるとともに、その上
端が絶縁性の磁気シールド１３ａと直接当接して磁気的
な接合部１０を形成するように配置される。
【００１２】この構成によって、上記ＭＲ素子１１の上
端部と磁気シールド１３ａの接合部１０の磁気抵抗が極
めて低くなり、磁気記録媒体１７より流入した磁束は、
上記磁気抵抗の低い接合部１０を介してＭＲ素子１１の
下端から上端に、更に磁気シールド１３ａに抜け、ＭＲ
素子１１の表面からの洩れ磁束が極めて少なくなり、し
かも、磁気シールド１３ａが絶縁性磁性体であるので、
ＭＲ素子１１から磁気シールド１３ａにリークする電流
も極めて小さくなり、ＭＲ素子１１の両端からは再生信
号を効率よく得ることができる。またこの構成によって
、再生ギャップ１４を従来より狭くすることが可能とな
り、高密度記憶の磁気媒体に対応することができること
になる。
端部と磁気シールド１３ａの接合部１０の磁気抵抗が極
めて低くなり、磁気記録媒体１７より流入した磁束は、
上記磁気抵抗の低い接合部１０を介してＭＲ素子１１の
下端から上端に、更に磁気シールド１３ａに抜け、ＭＲ
素子１１の表面からの洩れ磁束が極めて少なくなり、し
かも、磁気シールド１３ａが絶縁性磁性体であるので、
ＭＲ素子１１から磁気シールド１３ａにリークする電流
も極めて小さくなり、ＭＲ素子１１の両端からは再生信
号を効率よく得ることができる。またこの構成によって
、再生ギャップ１４を従来より狭くすることが可能とな
り、高密度記憶の磁気媒体に対応することができること
になる。
【００１３】図４はこの発明の他の実施例を示すＭＲヘ
ッドの要部縦断側面図であり、図５は該ＭＲヘッドの非
磁性絶縁層を除去した状態の要部斜視図である。この実
施例においても２つの磁気シールド１３ａ，１３ｂの間
の再生ギャップ１４に非磁性絶縁層１４ａが配置される
点、及びＭＲ素子１１が一方の磁気シールド１３ａに近
接して配置される点は従来と同じである。
ッドの要部縦断側面図であり、図５は該ＭＲヘッドの非
磁性絶縁層を除去した状態の要部斜視図である。この実
施例においても２つの磁気シールド１３ａ，１３ｂの間
の再生ギャップ１４に非磁性絶縁層１４ａが配置される
点、及びＭＲ素子１１が一方の磁気シールド１３ａに近
接して配置される点は従来と同じである。
【００１４】この実施例では上記第１の実施例と同様、
上記ＭＲ素子１１が近接している側の磁気シールド１３
ａとして絶縁性の磁性体を用いるとともに、該磁気シー
ルド１３ａとＭＲ素子１１の上端部との間にＭＲ素子１
１より比抵抗の大きい軟磁性膜３０を配置して、ＭＲ素
子１１と磁気シールド１３ａとの間に磁気的な接合部１
０を形成している。この軟磁性膜３０としては、Ｆｅ系
磁性膜あるいはＣｏ系アモルファス磁性膜、ＮｉＦｅ膜
に第３元素（Ｒｈ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｃ、
Ｏ、等）を添加した膜を用いることができる。
上記ＭＲ素子１１が近接している側の磁気シールド１３
ａとして絶縁性の磁性体を用いるとともに、該磁気シー
ルド１３ａとＭＲ素子１１の上端部との間にＭＲ素子１
１より比抵抗の大きい軟磁性膜３０を配置して、ＭＲ素
子１１と磁気シールド１３ａとの間に磁気的な接合部１
０を形成している。この軟磁性膜３０としては、Ｆｅ系
磁性膜あるいはＣｏ系アモルファス磁性膜、ＮｉＦｅ膜
に第３元素（Ｒｈ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｃ、
Ｏ、等）を添加した膜を用いることができる。
【００１５】この構成によって、前記実施例と同様、磁
気記録媒体１７よりの信号磁束は洩れ磁束を生ずること
なく、ＭＲ素子１１の下端から上端に抜けて大きな再生
信号を発生するとともに、ＭＲ素子１１から磁気シール
ド１３ａにリークする電流も極めて小さくなるので、Ｍ
Ｒ素子１１の両端に大きな再生信号を発生する。また、
上記図２乃至図３に示した実施例のように磁気シールド
１３ａに加工を施す必要がないので、製造が簡単となる
。
気記録媒体１７よりの信号磁束は洩れ磁束を生ずること
なく、ＭＲ素子１１の下端から上端に抜けて大きな再生
信号を発生するとともに、ＭＲ素子１１から磁気シール
ド１３ａにリークする電流も極めて小さくなるので、Ｍ
Ｒ素子１１の両端に大きな再生信号を発生する。また、
上記図２乃至図３に示した実施例のように磁気シールド
１３ａに加工を施す必要がないので、製造が簡単となる
。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明は、磁気記
録媒体からＭＲ素子に入力される信号磁束がＭＲ素子表
面から洩れることなく、ＭＲ素子の下端から上端まで抜
け、しかも、ＭＲ素子に流れるセンス電流がリークする
こともないので、ＭＲ素子の両端から効率よく大きな再
生信号を得ることができる効果がある。
録媒体からＭＲ素子に入力される信号磁束がＭＲ素子表
面から洩れることなく、ＭＲ素子の下端から上端まで抜
け、しかも、ＭＲ素子に流れるセンス電流がリークする
こともないので、ＭＲ素子の両端から効率よく大きな再
生信号を得ることができる効果がある。
【００１７】接合部が、前記絶縁性磁性体の磁気シール
ドの下端部に設けた切欠部を挟んで磁気抵抗効果素子の
上端部を磁気シールドに当接させた構成である場合、再
生ギャップを従来より狭くきることができ、より高密度
の磁気媒体への記録再生が可能となる効果がある。また
接合部が、軟磁性膜を挟んで磁気抵抗効果素子と磁気シ
ールドとの接合部を形成する構成である場合、磁気シー
ルドに直接加工を加える必要がなく、製造がより容易と
なる効果がある。
ドの下端部に設けた切欠部を挟んで磁気抵抗効果素子の
上端部を磁気シールドに当接させた構成である場合、再
生ギャップを従来より狭くきることができ、より高密度
の磁気媒体への記録再生が可能となる効果がある。また
接合部が、軟磁性膜を挟んで磁気抵抗効果素子と磁気シ
ールドとの接合部を形成する構成である場合、磁気シー
ルドに直接加工を加える必要がなく、製造がより容易と
なる効果がある。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の一実施例を示す要部縦断側面図である
。
。
【図３】本発明の一実施例の要部斜視図である。
【図４】本発明の他の実施例の要部縦断側面図である。
【図５】本発明の他の実施例の要部斜視図である。
【図６】従来例の要部縦断側面図である。
【図７】従来例の要部斜視図である。
【図８】従来のＭＲヘッドにおける信号磁界の流れを示
す説明図である。
す説明図である。
【図９】ＭＲヘッドの特性を示すグラフである。
１０ 接合部
１１ 磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１３ａ，１３ｂ
磁気シールド １４ 再生ギャップ １４ａ 非磁性絶縁層 １４ｂ 非磁性絶縁材 １７ 磁気記録媒体 ２０ 切欠部 ３０ 軟磁性膜
磁気シールド １４ 再生ギャップ １４ａ 非磁性絶縁層 １４ｂ 非磁性絶縁材 １７ 磁気記録媒体 ２０ 切欠部 ３０ 軟磁性膜
Claims (3)
- 【請求項１】 ２つの磁気シールド（１３ａ），（１
３ｂ） の間に形成される非磁性絶縁層（１４ａ） よ
りなる再生ギャップ（１４）中に配備される磁気抵抗効
果素子（１１）に電流を流し、磁気抵抗効果を利用して
磁気記録媒体（１７）からの信号磁界を電気信号として
再生する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、一方の磁気シ
ールド（１３ａ） が絶縁性磁性体から成り、上記信号
磁界が流入する上記磁気抵抗効果素子（１１）の上端部
で該磁気抵抗効果素子（１１）と該絶縁性磁性体の磁気
シールド（１３ａ） との間に磁気的な接合部（１０）
を形成したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 上記絶縁性磁性体の磁気シールド（１
３ａ） の下端部に非磁性絶縁材（１４ｂ） を埋め込
んだ切欠部（２０）を設け、該切欠部（２０）を挟んで
磁気抵抗効果素子（１１）を上記絶縁性磁性体の磁気シ
ールド（１３ａ） に対向して配置するとともに、前記
磁気抵抗効果素子（１１）の上端部のみで該磁気抵抗効
果素子（１１）と該絶縁性磁性体の磁気シールド（１３
ａ） とを直接当接させた接合部（１０）を形成したこ
とを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッド
。 - 【請求項３】 上記磁気抵抗効果素子（１１）の上端
部と前記絶縁性磁性体の磁気シールド（１３ａ） との
間に、該磁気抵抗効果素子（１１）より十分大きい比抵
抗の軟磁性膜（３０）を配置して上記磁気的な接合部（
１０）を形成したことを特徴とする請求項１に記載の磁
気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6304591A JPH04298810A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6304591A JPH04298810A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04298810A true JPH04298810A (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=13217972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6304591A Withdrawn JPH04298810A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04298810A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6765768B2 (en) * | 2001-04-02 | 2004-07-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head having ensured insulation between shield and magnetic detecting element |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP6304591A patent/JPH04298810A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6765768B2 (en) * | 2001-04-02 | 2004-07-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head having ensured insulation between shield and magnetic detecting element |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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