JP2697422B2 - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク等磁気記録
装置に使用される磁気抵抗効果ヘッドに係わり、特に高
分解能で高出力の得られる磁気抵抗効果ヘッドに関す
る。
装置に使用される磁気抵抗効果ヘッドに係わり、特に高
分解能で高出力の得られる磁気抵抗効果ヘッドに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年においては、磁気ディスク装置の大
容量化に伴い、高密度に対応したヘッドが望まれてい
る。この磁気記録の高密度化は、線記録密度とトラック
密度の向上により達成される。しかし、従来のインダク
ティブヘッドではギャップ損失による出力低下（これは
線記録密度を制限する要因となる）、狭トラックによる
出力低下とクロスト−クノイズ（これはトラック密度を
制限する要因となる）の問題から磁気記録の高密度化に
は限界が予想されている。これらの問題はいずれも再生
特性に係わることから、磁気記録における更なる高密度
化を成し得るためには、高分解能でかつ狭トラックにお
いても高出力の得られる再生専用ヘッドの開発が必要で
ある。そのような再生ヘッドとしては磁気抵抗効果ヘッ
ド（以下ＭＲヘッドとも記す）が有望である。ＭＲヘッ
ドには磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子とも記す）の両
側に軟磁性材（シ−ルド）を配したシ−ルド型ＭＲヘッ
ドや、ＭＲ素子に媒体から漏洩した磁束を導くための軟
磁性材からなるヨ−クを有するヨ−ク型ＭＲヘッドがあ
る。
容量化に伴い、高密度に対応したヘッドが望まれてい
る。この磁気記録の高密度化は、線記録密度とトラック
密度の向上により達成される。しかし、従来のインダク
ティブヘッドではギャップ損失による出力低下（これは
線記録密度を制限する要因となる）、狭トラックによる
出力低下とクロスト−クノイズ（これはトラック密度を
制限する要因となる）の問題から磁気記録の高密度化に
は限界が予想されている。これらの問題はいずれも再生
特性に係わることから、磁気記録における更なる高密度
化を成し得るためには、高分解能でかつ狭トラックにお
いても高出力の得られる再生専用ヘッドの開発が必要で
ある。そのような再生ヘッドとしては磁気抵抗効果ヘッ
ド（以下ＭＲヘッドとも記す）が有望である。ＭＲヘッ
ドには磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子とも記す）の両
側に軟磁性材（シ−ルド）を配したシ−ルド型ＭＲヘッ
ドや、ＭＲ素子に媒体から漏洩した磁束を導くための軟
磁性材からなるヨ−クを有するヨ−ク型ＭＲヘッドがあ
る。
【０００３】図６（Ａ）は、その従来のシ−ルド型ＭＲ
ヘッドの磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子とも記す）の
概略平面図を示し、図６（Ｂ）は、そのＺ−Ｚ断面図を
夫々示す。同図に示すようにシ−ルド型ＭＲヘッドは、
ＭＲ素子１、軟磁性材（シ−ルド材）２，３、非磁性絶
縁層４，５、リ−ド線１１及びバイアス導体１４等より
構成されるている。高密度化の観点からすれば、ヘッド
構造的にはシ−ルド型ＭＲヘッドの方が有利であり、Ｍ
Ｒ素子とシ−ルド間隔（シ−ルドギャップ長）を狭くす
ることにより、より高密度化が実現できる。
ヘッドの磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子とも記す）の
概略平面図を示し、図６（Ｂ）は、そのＺ−Ｚ断面図を
夫々示す。同図に示すようにシ−ルド型ＭＲヘッドは、
ＭＲ素子１、軟磁性材（シ−ルド材）２，３、非磁性絶
縁層４，５、リ−ド線１１及びバイアス導体１４等より
構成されるている。高密度化の観点からすれば、ヘッド
構造的にはシ−ルド型ＭＲヘッドの方が有利であり、Ｍ
Ｒ素子とシ−ルド間隔（シ−ルドギャップ長）を狭くす
ることにより、より高密度化が実現できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図６のような
ヘッド構造では、ＭＲ素子１に流入した磁束の多くは隣
接する軟磁性材（シ−ルド材）２，３に漏れ、ＭＲ素子
内の磁界分布は図７に示すようにＭＲ素子１の先端部で
強く、後方に行くにしたがって急激に減衰してしまう。
結局、再生出力に寄与するのは素子先端部だけとなる。
特に、シ−ルドギャップ長Ｇ及びＧ’が狭くなればなる
程この傾向は強くなり、素子の利用効率は下がり再生出
力は低下する。
ヘッド構造では、ＭＲ素子１に流入した磁束の多くは隣
接する軟磁性材（シ−ルド材）２，３に漏れ、ＭＲ素子
内の磁界分布は図７に示すようにＭＲ素子１の先端部で
強く、後方に行くにしたがって急激に減衰してしまう。
結局、再生出力に寄与するのは素子先端部だけとなる。
特に、シ−ルドギャップ長Ｇ及びＧ’が狭くなればなる
程この傾向は強くなり、素子の利用効率は下がり再生出
力は低下する。
【０００５】このように、高密度化のためにはシ−ルド
ギャップ長Ｇ、Ｇ’を狭くしなければならないが、シ−
ルドギャップ長が狭くなると再生出力が低下してしま
い、結局再生出力との兼ね合いからシ−ルドギャップ長
は制限を受けてしまっていた。また、シ−ルドギャップ
長が狭くなるとＭＲ素子１とシ−ルド材２，３との絶縁
を確保することが難しくなる他、ＭＲ素子１にセンス電
流を供給するためのリ−ド線１１及びＭＲ素子１にバイ
アス磁界を印加するためのバイアス導体１４の存在はシ
−ルドギャップ長を狭くすることを妨げていた。このよ
うな理由から、現状シ−ルドギャップ長は０．３μｍ程
度に抑えられ、線記録密度も１３０ＫＦＣＩ程度に止ま
っていた。そこで、本発明が解決しようとする課題は、
上記問題を解決し、高密度記録再生に好適な高分解能で
高出力の得られるＭＲヘッドを提供しようとするもので
ある。
ギャップ長Ｇ、Ｇ’を狭くしなければならないが、シ−
ルドギャップ長が狭くなると再生出力が低下してしま
い、結局再生出力との兼ね合いからシ−ルドギャップ長
は制限を受けてしまっていた。また、シ−ルドギャップ
長が狭くなるとＭＲ素子１とシ−ルド材２，３との絶縁
を確保することが難しくなる他、ＭＲ素子１にセンス電
流を供給するためのリ−ド線１１及びＭＲ素子１にバイ
アス磁界を印加するためのバイアス導体１４の存在はシ
−ルドギャップ長を狭くすることを妨げていた。このよ
うな理由から、現状シ−ルドギャップ長は０．３μｍ程
度に抑えられ、線記録密度も１３０ＫＦＣＩ程度に止ま
っていた。そこで、本発明が解決しようとする課題は、
上記問題を解決し、高密度記録再生に好適な高分解能で
高出力の得られるＭＲヘッドを提供しようとするもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果ヘ
ッドは、以上のような課題を解決するものであり、以下
の１）〜５）の構成より成る。即ち、 １）磁気抵抗効果素子の両側にそれぞれ非磁性絶縁層を
介して軟磁性材を配したシールド型磁気抵抗効果ヘッド
において、媒体対向面側の前方部に、前記磁気抵抗効果
素子と前記軟磁性材とにより所定の間隙を有してギャッ
プを形成し、前記ギャップの後方位置で、前記磁気抵抗
効果素子と前記軟磁性材とを、前記ギャップより広く互
いに対向させると共に、これより後方の前記磁気抵抗効
果素子の終端近傍位置で、前記ギャップよりも狭い間隔
で近接又は磁気的に接合させて、前記磁気抵抗効果素子
の両側に前記非磁性絶縁層を介して凸状部をそれぞれ形
成するように配置し、前記凸状部に、前記磁気抵抗効果
素子にバイアス磁界を印加するためのバイアス手段を設
けるようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 ２）軟磁性材の少なくとも一方が、磁気抵抗効果素子よ
りも高い比抵抗を有する軟磁性材であることを特徴とす
る請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。 ３）バイアス手段の少なくとも一つは導体であり、この
導体が高比抵抗の軟磁性材に設けられた溝に埋設されて
いることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気抵抗効
果ヘッド。 ４）磁気抵抗効果素子の長辺に信号磁界を作用させる構
成に成し、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給す
るためのリード線接続部が、非磁性絶縁層の凸部に設け
られていることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効
果ヘッド。 ５）磁気抵抗効果素子の短辺に信号磁界を作用させる構
成に成し、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給す
るためのリード線のうち媒体対向面側のリード線が、軟
磁性材の少なくとも一方に接するように成したことを特
徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
ッドは、以上のような課題を解決するものであり、以下
の１）〜５）の構成より成る。即ち、 １）磁気抵抗効果素子の両側にそれぞれ非磁性絶縁層を
介して軟磁性材を配したシールド型磁気抵抗効果ヘッド
において、媒体対向面側の前方部に、前記磁気抵抗効果
素子と前記軟磁性材とにより所定の間隙を有してギャッ
プを形成し、前記ギャップの後方位置で、前記磁気抵抗
効果素子と前記軟磁性材とを、前記ギャップより広く互
いに対向させると共に、これより後方の前記磁気抵抗効
果素子の終端近傍位置で、前記ギャップよりも狭い間隔
で近接又は磁気的に接合させて、前記磁気抵抗効果素子
の両側に前記非磁性絶縁層を介して凸状部をそれぞれ形
成するように配置し、前記凸状部に、前記磁気抵抗効果
素子にバイアス磁界を印加するためのバイアス手段を設
けるようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 ２）軟磁性材の少なくとも一方が、磁気抵抗効果素子よ
りも高い比抵抗を有する軟磁性材であることを特徴とす
る請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。 ３）バイアス手段の少なくとも一つは導体であり、この
導体が高比抵抗の軟磁性材に設けられた溝に埋設されて
いることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気抵抗効
果ヘッド。 ４）磁気抵抗効果素子の長辺に信号磁界を作用させる構
成に成し、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給す
るためのリード線接続部が、非磁性絶縁層の凸部に設け
られていることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効
果ヘッド。 ５）磁気抵抗効果素子の短辺に信号磁界を作用させる構
成に成し、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給す
るためのリード線のうち媒体対向面側のリード線が、軟
磁性材の少なくとも一方に接するように成したことを特
徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【０００７】
【作用】磁気抵抗効果素子の両側に非磁性絶縁層を介し
て軟磁性材を配したシ−ルド型ＭＲヘッドであり、磁気
抵抗効果素子と前記軟磁性材とを、媒体対向面側におい
て所定の間隙を有してギャップを形成する。後方部にお
いては、前記磁気抵抗素子と前記軟磁性材とを、前記ギ
ャップよりも狭い間隔で互いに接近させるか、または磁
気的に接合させる。更に磁気抵抗効果素子の奥行き方向
においては、前記磁気抵抗効果素子と前記軟磁性材とを
前記ギャップよりも広い間隔で対向配置し、前記磁気抵
抗効果素子の中央付近の非磁性絶縁層に凸部を形成す
る。そして、この凸部に前記磁気抵抗効果素子にバイア
ス磁界を印加するためのバイアス手段を配するようにし
て、磁気抵抗効果素子に流入した磁束の多くを隣接した
シ−ルド材に漏らすことなく、磁気抵抗効果素子の後端
部まで強い磁界強度で作用させ、狭ギャップ長にかかわ
らず再生出力の向上を図る。
て軟磁性材を配したシ−ルド型ＭＲヘッドであり、磁気
抵抗効果素子と前記軟磁性材とを、媒体対向面側におい
て所定の間隙を有してギャップを形成する。後方部にお
いては、前記磁気抵抗素子と前記軟磁性材とを、前記ギ
ャップよりも狭い間隔で互いに接近させるか、または磁
気的に接合させる。更に磁気抵抗効果素子の奥行き方向
においては、前記磁気抵抗効果素子と前記軟磁性材とを
前記ギャップよりも広い間隔で対向配置し、前記磁気抵
抗効果素子の中央付近の非磁性絶縁層に凸部を形成す
る。そして、この凸部に前記磁気抵抗効果素子にバイア
ス磁界を印加するためのバイアス手段を配するようにし
て、磁気抵抗効果素子に流入した磁束の多くを隣接した
シ−ルド材に漏らすことなく、磁気抵抗効果素子の後端
部まで強い磁界強度で作用させ、狭ギャップ長にかかわ
らず再生出力の向上を図る。
【０００８】また、前記軟磁性材の少なくとも一方を磁
気抵抗効果素子よりも高い抵抗を有する軟磁性材とする
ことにより、軟磁性材と磁気抵抗効果素子の絶縁を気に
することなくシ−ルドギャップ長を狭くすることが出来
る。
気抵抗効果素子よりも高い抵抗を有する軟磁性材とする
ことにより、軟磁性材と磁気抵抗効果素子の絶縁を気に
することなくシ−ルドギャップ長を狭くすることが出来
る。
【０００９】更に、前記磁気抵抗効果素子にバイアス磁
界を印加するためのバイアス手段を、前記高抵抗の軟磁
性材に設けた溝に埋設するように成すことにより、前記
高抵抗の軟磁性材の表面を平坦化でき薄い絶縁層でも容
易に絶縁を確保でき狭ギャップ化が容易になる。
界を印加するためのバイアス手段を、前記高抵抗の軟磁
性材に設けた溝に埋設するように成すことにより、前記
高抵抗の軟磁性材の表面を平坦化でき薄い絶縁層でも容
易に絶縁を確保でき狭ギャップ化が容易になる。
【００１０】更にまた、磁気抵抗効果素子の長辺に信号
磁界を作用させるように成したＭＲヘッドであって、前
記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するための電極
接続部を、ヘッドの媒体対向面より後方であり前記非磁
性絶縁層の前記凸部に設けることにより、前記磁気抵抗
効果素子にセンス電流を供給するための電極部の存在を
気にすることなくシ−ルドギャップ長を狭くすることが
できる。
磁界を作用させるように成したＭＲヘッドであって、前
記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するための電極
接続部を、ヘッドの媒体対向面より後方であり前記非磁
性絶縁層の前記凸部に設けることにより、前記磁気抵抗
効果素子にセンス電流を供給するための電極部の存在を
気にすることなくシ−ルドギャップ長を狭くすることが
できる。
【００１１】また、磁気抵抗効果素子の短辺に信号磁界
を作用させるように成したＭＲヘッドであって、前記磁
気抵抗効果素子にセンス電流を供給するための電極のう
ち、媒体摺動面側の電極を前記軟磁性材に接触させシ−
ルドギャップ長を前記媒体摺動面側の電極の厚みでもっ
て規制するように成せば、前記磁気抵抗効果素子と前記
軟磁性材との絶縁の問題は全く無視してシ−ルドギャッ
プ長を狭くすることができる。
を作用させるように成したＭＲヘッドであって、前記磁
気抵抗効果素子にセンス電流を供給するための電極のう
ち、媒体摺動面側の電極を前記軟磁性材に接触させシ−
ルドギャップ長を前記媒体摺動面側の電極の厚みでもっ
て規制するように成せば、前記磁気抵抗効果素子と前記
軟磁性材との絶縁の問題は全く無視してシ−ルドギャッ
プ長を狭くすることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図を用いて説明す
る。図１は、本発明の第１実施例に係るＭＲヘッドの要
部拡大断面図で、図２はＭＲ素子内の素子高さ方向の信
号磁界の磁界分布を示したものである。尚、前記従来例
と同一構成要素には同一符号を付す。同図に示すヘッド
は、ＭＲ素子１の両側に非磁性絶縁層４，５を介して軟
磁性材２，３が配されたシ−ルド型ＭＲヘッドの構造で
あり、媒体対向面８側においてＭＲ素子１と軟磁性材２
及び３は各々所定のギャップ長Ｇ，Ｇ’（以下シ−ルド
ギャップ長とも称する）を有して対向し、かつ後方部に
おいてはＭＲ素子１と軟磁性材２及び３は前記シ−ルド
ギャップ長Ｇ，Ｇ’よりも狭い間隔で互いに接近する
か、または磁気的に接合させたものである。
る。図１は、本発明の第１実施例に係るＭＲヘッドの要
部拡大断面図で、図２はＭＲ素子内の素子高さ方向の信
号磁界の磁界分布を示したものである。尚、前記従来例
と同一構成要素には同一符号を付す。同図に示すヘッド
は、ＭＲ素子１の両側に非磁性絶縁層４，５を介して軟
磁性材２，３が配されたシ−ルド型ＭＲヘッドの構造で
あり、媒体対向面８側においてＭＲ素子１と軟磁性材２
及び３は各々所定のギャップ長Ｇ，Ｇ’（以下シ−ルド
ギャップ長とも称する）を有して対向し、かつ後方部に
おいてはＭＲ素子１と軟磁性材２及び３は前記シ−ルド
ギャップ長Ｇ，Ｇ’よりも狭い間隔で互いに接近する
か、または磁気的に接合させたものである。
【００１３】更に、ＭＲ素子の奥行き方向であって、Ｍ
Ｒ素子１の中央付近に前記非磁性絶縁層４，５に凸部
６，７を設けて、ＭＲ素子１と軟磁性材２，３の間隔が
シ−ルドギャップ長Ｇ，Ｇ’よりも広くなるように成
し、前記非磁性絶縁層４、又は５の凸部６、又は７にＭ
Ｒ素子１にバイアス磁界を印加するためのバイアス手段
（図示せず）が配されている。
Ｒ素子１の中央付近に前記非磁性絶縁層４，５に凸部
６，７を設けて、ＭＲ素子１と軟磁性材２，３の間隔が
シ−ルドギャップ長Ｇ，Ｇ’よりも広くなるように成
し、前記非磁性絶縁層４、又は５の凸部６、又は７にＭ
Ｒ素子１にバイアス磁界を印加するためのバイアス手段
（図示せず）が配されている。
【００１４】このようなヘッド構成にすることにより、
ＭＲ素子１と軟磁性材２、３との間の磁気抵抗がＭＲ素
子１の中央部よりも後端部で小さく、媒体から漏洩しＭ
Ｒ素子１の先端部に流入した磁束の多くは、ＭＲ素子の
中央部から隣接する軟磁性材２、３に漏れることなくＭ
Ｒ素子１の後端部まで有効に作用することになり高出力
を得ることができる。このことは、図２に示したように
ＭＲ素子１内の素子高さ方向の信号磁界の磁界分布から
も明らかである。
ＭＲ素子１と軟磁性材２、３との間の磁気抵抗がＭＲ素
子１の中央部よりも後端部で小さく、媒体から漏洩しＭ
Ｒ素子１の先端部に流入した磁束の多くは、ＭＲ素子の
中央部から隣接する軟磁性材２、３に漏れることなくＭ
Ｒ素子１の後端部まで有効に作用することになり高出力
を得ることができる。このことは、図２に示したように
ＭＲ素子１内の素子高さ方向の信号磁界の磁界分布から
も明らかである。
【００１５】図１の本発明のＭＲヘッドにおいて、軟磁
性材２又は３の少なくとも一方、例えば軟磁性材２をＭ
Ｒ素子１よりも高い比抵抗を有する軟磁性材、例えば強
磁性酸化物磁性材とすることによりＭＲ素子１と軟磁性
材２間の電気的な絶縁性は問題にする必要性がなくな
り、非磁性絶縁層５は可能な限り薄くできシ−ルドギャ
ップ長Ｇを狭くすることができる。
性材２又は３の少なくとも一方、例えば軟磁性材２をＭ
Ｒ素子１よりも高い比抵抗を有する軟磁性材、例えば強
磁性酸化物磁性材とすることによりＭＲ素子１と軟磁性
材２間の電気的な絶縁性は問題にする必要性がなくな
り、非磁性絶縁層５は可能な限り薄くできシ−ルドギャ
ップ長Ｇを狭くすることができる。
【００１６】また、軟磁性材２を高比抵抗の軟磁性材と
し、該軟磁性材に設けられた溝９にＭＲ素子１にバイア
ス磁界を印加するためのバイアス手段の一つである導体
１０を埋設することにより軟磁性材２の表面は平坦化で
き、その上に被着される非磁性絶縁層５は極薄い膜であ
っても容易に電気的絶縁性は確保でき、シ−ルドギャッ
プ長Ｇは狭くすることができる。
し、該軟磁性材に設けられた溝９にＭＲ素子１にバイア
ス磁界を印加するためのバイアス手段の一つである導体
１０を埋設することにより軟磁性材２の表面は平坦化で
き、その上に被着される非磁性絶縁層５は極薄い膜であ
っても容易に電気的絶縁性は確保でき、シ−ルドギャッ
プ長Ｇは狭くすることができる。
【００１７】図３は第２実施例を示し、ＭＲ素子１の長
辺に信号磁界が作用するように成したＭＲヘッドであ
る。図３（Ａ）は該ＭＲヘッドのＭＲ素子部を抜き出し
た概略平面図で、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＸ−Ｘ断面
図である。この実施例によるヘッドはＭＲ素子１と該Ｍ
Ｒ素子１にセンス電流を供給するためのリ−ド線１１と
の接続部１２を、ＭＲヘッドの媒体対向面８よりも後退
した位置であって、非磁性絶縁層４の凸部６に対応した
部分に設けたものである。こうすることにより、リ−ド
線１１に影響されないでシ−ルドギャップ長Ｇ’を狭く
することができる。本実施例の場合、特に狭トラックの
ＭＲヘッドにおいても安定してシ−ルドギャップ長Ｇ’
の狭ギャップ化を可能にするものである。
辺に信号磁界が作用するように成したＭＲヘッドであ
る。図３（Ａ）は該ＭＲヘッドのＭＲ素子部を抜き出し
た概略平面図で、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＸ−Ｘ断面
図である。この実施例によるヘッドはＭＲ素子１と該Ｍ
Ｒ素子１にセンス電流を供給するためのリ−ド線１１と
の接続部１２を、ＭＲヘッドの媒体対向面８よりも後退
した位置であって、非磁性絶縁層４の凸部６に対応した
部分に設けたものである。こうすることにより、リ−ド
線１１に影響されないでシ−ルドギャップ長Ｇ’を狭く
することができる。本実施例の場合、特に狭トラックの
ＭＲヘッドにおいても安定してシ−ルドギャップ長Ｇ’
の狭ギャップ化を可能にするものである。
【００１８】図４は第３実施例を示し、ＭＲ素子１の短
辺に信号磁界が作用するように成したＭＲヘッドであ
る。図４（Ａ）は該ＭＲヘッドのＭＲ素子部を抜き出し
た概略平面図で、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のＹ−Ｙ断
面図である。この実施例においては、ＭＲ素子１と該Ｍ
Ｒ素子にセンス電流を供給するためのリ−ド線１１の媒
体対向面８側に位置するリ−ド線１３を軟磁性材３に接
触させたものであり、前記リ−ド線１３の膜厚でもって
シ−ルドギャップ長Ｇ’を規制するように成したもので
ある。本実施例によれば、リ−ド線１３と軟磁性材３と
は意識的に接触させているから、あえて両者間の絶縁を
考える必要はなくシ−ルドギャップ長Ｇ’の狭ギャップ
化に対してはリ−ド線１３の膜厚を薄くするだけでよい
から、シ−ルドギャップ長Ｇ’を容易に狭くすることが
できる。またＭＲ素子にセンス電流を供給するのに、軟
磁性材３を通して媒体対向面側リ−ド線１３に導く構成
としてもよい。
辺に信号磁界が作用するように成したＭＲヘッドであ
る。図４（Ａ）は該ＭＲヘッドのＭＲ素子部を抜き出し
た概略平面図で、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のＹ−Ｙ断
面図である。この実施例においては、ＭＲ素子１と該Ｍ
Ｒ素子にセンス電流を供給するためのリ−ド線１１の媒
体対向面８側に位置するリ−ド線１３を軟磁性材３に接
触させたものであり、前記リ−ド線１３の膜厚でもって
シ−ルドギャップ長Ｇ’を規制するように成したもので
ある。本実施例によれば、リ−ド線１３と軟磁性材３と
は意識的に接触させているから、あえて両者間の絶縁を
考える必要はなくシ−ルドギャップ長Ｇ’の狭ギャップ
化に対してはリ−ド線１３の膜厚を薄くするだけでよい
から、シ−ルドギャップ長Ｇ’を容易に狭くすることが
できる。またＭＲ素子にセンス電流を供給するのに、軟
磁性材３を通して媒体対向面側リ−ド線１３に導く構成
としてもよい。
【００１９】図５により以上説明した本実施例に係るＭ
Ｒヘッドと従来のシ−ルド型ＭＲヘッドとの記録密度特
性の比較を示した。同図において明らかなように、シ−
ルドギャップ長Ｇ、Ｇ’が０．３μｍの本実施例のヘッ
ドと従来例を比較すると、本実施例のヘッドはＤ50＝１
２０ＫＦＣＩの従来例のシ−ルド型ＭＲヘッドの線記録
密度を維持したまま高出力化が図られることが分かる。
また、シ−ルドギャップ長Ｇ、Ｇ’が０．１μｍの本実
施例のヘッドとシ−ルドギャップ長Ｇ、Ｇ’が０．３μ
ｍの従来例のシ−ルド型ＭＲヘッドの記録密度特性を比
較すると、本実施例のＭＲヘッドは狭ギャップでありな
がらその再生出力は従来のシ−ルド型ＭＲヘッドとほぼ
同等であるばかりでなく、線記録密度はＤ50＝１８０Ｋ
ＦＣＩと高密度記録再生を可能にしている。
Ｒヘッドと従来のシ−ルド型ＭＲヘッドとの記録密度特
性の比較を示した。同図において明らかなように、シ−
ルドギャップ長Ｇ、Ｇ’が０．３μｍの本実施例のヘッ
ドと従来例を比較すると、本実施例のヘッドはＤ50＝１
２０ＫＦＣＩの従来例のシ−ルド型ＭＲヘッドの線記録
密度を維持したまま高出力化が図られることが分かる。
また、シ−ルドギャップ長Ｇ、Ｇ’が０．１μｍの本実
施例のヘッドとシ−ルドギャップ長Ｇ、Ｇ’が０．３μ
ｍの従来例のシ−ルド型ＭＲヘッドの記録密度特性を比
較すると、本実施例のＭＲヘッドは狭ギャップでありな
がらその再生出力は従来のシ−ルド型ＭＲヘッドとほぼ
同等であるばかりでなく、線記録密度はＤ50＝１８０Ｋ
ＦＣＩと高密度記録再生を可能にしている。
【００２０】
【発明の効果】請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッドによ
れば、抵抗効果素子に流入した磁束の多くを隣接したシ
−ルド材に漏らすことなく、磁気抵抗効果素子の後端部
まで強い磁界強度で作用させ、狭ギャップ長にかかわら
ず再生出力の向上化を図ることができる。請求項２記載
の磁気抵抗効果ヘッドによれば、請求項１記載の磁気抵
抗効果ヘッドの効果に加えて、軟磁性材と磁気抵抗効果
素子の絶縁を気にすることなくシ−ルドギャップ長を狭
くすることが出来る。請求項３記載の磁気抵抗効果ヘッ
ドによれば、請求項１又は２記載の磁気抵抗効果ヘッド
の効果に加えて、高抵抗の軟磁性材の表面を平坦化でき
薄い絶縁層でも容易に絶縁を確保でき狭ギャップ化が容
易になる。請求項４記載の磁気抵抗効果ヘッドによれ
ば、請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッドの効果に加え
て、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するため
の電極部の存在を気にすることなくシ−ルドギャップ長
を狭くすることができる。請求項５記載の磁気抵抗効果
ヘッドによれば、磁気抵抗効果素子と軟磁性材との絶縁
の問題は全く無視してシ−ルドギャップ長を狭くするこ
とができる。
れば、抵抗効果素子に流入した磁束の多くを隣接したシ
−ルド材に漏らすことなく、磁気抵抗効果素子の後端部
まで強い磁界強度で作用させ、狭ギャップ長にかかわら
ず再生出力の向上化を図ることができる。請求項２記載
の磁気抵抗効果ヘッドによれば、請求項１記載の磁気抵
抗効果ヘッドの効果に加えて、軟磁性材と磁気抵抗効果
素子の絶縁を気にすることなくシ−ルドギャップ長を狭
くすることが出来る。請求項３記載の磁気抵抗効果ヘッ
ドによれば、請求項１又は２記載の磁気抵抗効果ヘッド
の効果に加えて、高抵抗の軟磁性材の表面を平坦化でき
薄い絶縁層でも容易に絶縁を確保でき狭ギャップ化が容
易になる。請求項４記載の磁気抵抗効果ヘッドによれ
ば、請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッドの効果に加え
て、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するため
の電極部の存在を気にすることなくシ−ルドギャップ長
を狭くすることができる。請求項５記載の磁気抵抗効果
ヘッドによれば、磁気抵抗効果素子と軟磁性材との絶縁
の問題は全く無視してシ−ルドギャップ長を狭くするこ
とができる。
【図１】本発明の第１実施例に係るＭＲヘッドの要部拡
大断面図である。
大断面図である。
【図２】ＭＲ素子内の素子高さ方向の信号磁界の磁界分
布を示した図である。
布を示した図である。
【図３】（Ａ）はＭＲヘッドのＭＲ素子部を抜き出した
概略平面図である。 （Ｂ）は図３（Ａ）のＸ−Ｘ断面図である。
概略平面図である。 （Ｂ）は図３（Ａ）のＸ−Ｘ断面図である。
【図４】（Ａ）はＭＲヘッドのＭＲ素子部を抜き出した
概略平面図である。 （Ｂ）は、図４（Ａ）のＹ−Ｙ断面図である。
概略平面図である。 （Ｂ）は、図４（Ａ）のＹ−Ｙ断面図である。
【図５】本実施例に係るＭＲヘッドと従来のシ−ルド型
ＭＲヘッドとの記録密度特性の比較図である。
ＭＲヘッドとの記録密度特性の比較図である。
【図６】従来のヘッド構造を示す図である。
【図７】従来ヘッドのＭＲ素子内の磁界分布を示す図で
ある。
ある。
１ ＭＲ素子 ２，３ 軟磁性材 ４，５ 非磁性材 ６，７ 凸部 ８ 媒体対抗面 ９ 溝 １０ 導体 １３ リ−ド線 １４ バイアス導体 Ｇ，Ｇ’ ギャップ長
Claims (5)
- 【請求項１】磁気抵抗効果素子の両側にそれぞれ非磁性
絶縁層を介して軟磁性材を配したシールド型磁気抵抗効
果ヘッドにおいて、 媒体対向面側の前方部に、前記磁気抵抗効果素子と前記
軟磁性材とにより所定の間隙を有してギャップを形成
し、前記ギャップの後方位置で、前記磁気抵抗効果素子と前
記軟磁性材とを、前記ギャップより広く互いに対向させ
ると共に、これより後方の前記磁気抵抗効果素子の終端
近傍位置で、前記ギャップよりも狭い間隔で近接又は磁
気的に接合させて、前記磁気抵抗効果素子の両側に前記
非磁性絶縁層を介して凸状部をそれぞれ形成するように
配置し、 前記凸状部に、前記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を
印加するためのバイアス手段を設けるようにした ことを
特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２】 軟磁性材の少なくとも一方が、磁気抵抗
効果素子よりも高い比抵抗を有する軟磁性材であること
を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項３】 バイアス手段の少なくとも一つは導体で
あり、この導体が高比抵抗の軟磁性材に設けられた溝に
埋設されていることを特徴とする請求項１又は２記載の
磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項４】 磁気抵抗効果素子の長辺に信号磁界を作
用させる構成に成し、前記磁気抵抗効果素子にセンス電
流を供給するためのリ−ド線接続部が、非磁性絶縁層の
凸部に設けられていることを特徴とする請求項１記載の
磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項５】 磁気抵抗効果素子の短辺に信号磁界を作
用させる構成に成し、前記磁気抵抗効果素子にセンス電
流を供給するためのリ−ド線のうち媒体対向面側のリ−
ド線が、軟磁性材の少なくとも一方に接するように成し
たことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3302585A JP2697422B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3302585A JP2697422B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114122A JPH05114122A (ja) | 1993-05-07 |
| JP2697422B2 true JP2697422B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=17910754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3302585A Expired - Lifetime JP2697422B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2697422B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58189819A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘツド |
| JPS6113415A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Nec Kansai Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6258411A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
-
1991
- 1991-10-22 JP JP3302585A patent/JP2697422B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05114122A (ja) | 1993-05-07 |
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