JPS63108519A - ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド - Google Patents
ヨ−ク型薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS63108519A JPS63108519A JP25395486A JP25395486A JPS63108519A JP S63108519 A JPS63108519 A JP S63108519A JP 25395486 A JP25395486 A JP 25395486A JP 25395486 A JP25395486 A JP 25395486A JP S63108519 A JPS63108519 A JP S63108519A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias
- thin film
- magnetic field
- yoke
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 50
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 5
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク装置、磁気テープ装置等におけ
る磁気記録媒体に記録された信号の検出を、強磁性薄膜
の磁気抵抗効果を応用した磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ
素子と称する）を用いて行うヨーク型薄膜磁気ヘッド（
以下ＹＭＲヘッドと称する）に関するものである。
る磁気記録媒体に記録された信号の検出を、強磁性薄膜
の磁気抵抗効果を応用した磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ
素子と称する）を用いて行うヨーク型薄膜磁気ヘッド（
以下ＹＭＲヘッドと称する）に関するものである。
従来のＹＭＲヘフドにおいて、第４図及び第５図に示す
ように、基板を成す下側ヨーク２１は、高透磁率磁性体
から成っており、一般には、多結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライ
ト基板や、単結晶或いは多結晶のＭｎ−Ｚｎフェライト
基板が用いられる。
ように、基板を成す下側ヨーク２１は、高透磁率磁性体
から成っており、一般には、多結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライ
ト基板や、単結晶或いは多結晶のＭｎ−Ｚｎフェライト
基板が用いられる。
下側ヨーク２１上には絶縁Ｎ２２が形成されており、こ
の絶縁層２２上には、後述のＭＲ素子２５にバイアス磁
界を印加するためのバイアス導体２３が形成されている
。このバイアス導体２３は、通常、Ａｊ２−Ｃｕ膜から
成っｔいる。バイアス導体２３及び絶縁層２２上には絶
りｔ層２４が被覆されており、この絶縁層２４上にはＭ
Ｒ素子２５が形成されている。このＭＲ素子２５の長手
方向の両端部には、リード線２９・２９が接続されてい
る。上記ＭＲ素子２５及び絶縁層２４は絶縁層２６によ
って被覆されており、この絶縁層２６における上記下側
ヨーク２１上の一端部はヘッドギャップ部２６ａを構成
している。絶縁層２６上には、図示しない磁気記録媒体
からの磁束を上記ＭＲ素子２５に導く磁路を構成する上
側ヨーク２８・２８が形成されている。上側ヨーク２８
・２８は、通常、０．５〜４．０μｍ程度の膜厚のパー
マロイ膜にて作製されている。また、前記絶縁層２２・
２４・２６は、ＳｉＯ，、Ａｆｆｉ□０１、或いは、Ｓ
ｉＯなどの絶縁物によって形成されている。
の絶縁層２２上には、後述のＭＲ素子２５にバイアス磁
界を印加するためのバイアス導体２３が形成されている
。このバイアス導体２３は、通常、Ａｊ２−Ｃｕ膜から
成っｔいる。バイアス導体２３及び絶縁層２２上には絶
りｔ層２４が被覆されており、この絶縁層２４上にはＭ
Ｒ素子２５が形成されている。このＭＲ素子２５の長手
方向の両端部には、リード線２９・２９が接続されてい
る。上記ＭＲ素子２５及び絶縁層２４は絶縁層２６によ
って被覆されており、この絶縁層２６における上記下側
ヨーク２１上の一端部はヘッドギャップ部２６ａを構成
している。絶縁層２６上には、図示しない磁気記録媒体
からの磁束を上記ＭＲ素子２５に導く磁路を構成する上
側ヨーク２８・２８が形成されている。上側ヨーク２８
・２８は、通常、０．５〜４．０μｍ程度の膜厚のパー
マロイ膜にて作製されている。また、前記絶縁層２２・
２４・２６は、ＳｉＯ，、Ａｆｆｉ□０１、或いは、Ｓ
ｉＯなどの絶縁物によって形成されている。
ところが、上記従来のＹＭＲヘッドは、第６図に示すよ
うに、ＭＲ素子２５におけるトラック幅ｌが１００μｍ
よりも小さく略この値に近い値であり、素子厚み【が数
百人、素子幅Ｗが約ＩＯμｍである場合、ＭＲ素子２５
は、その各部位が磁壁３０・・・によってドメイン（磁
区）３１・・・に区割されたドメイン構造をなす、この
場合、磁化困難軸方向（ＭＲ素子の幅方向）の磁界の変
化に対してドメイン３１・・・の境界である磁壁３０・
・・が不連続的に移動するために、磁化の不連続的な変
化を誘発され、第７図に示すように、ＭＲ素子２５の抵
抗変化にバルクハウゼンジャンプやヒステリシスを発生
することになる。ＭＲ素子を単体で使用する磁気抵抗効
果型薄膜ヘッドにおいては、ＭＲ素子の磁化容易軸方向
（ＭＲ素子の長手方向）に数〔Ｏｅ〕の弱い磁界を加え
ることによってＭＲ素子を容易に単磁区状態にし、上記
バルクハウゼンジャンプを抑制することは可能であるが
、ＹＭＲヘフドの場合には、ヨーク２８・２８等が設け
られているため、ＭＲ素子２５の磁化容易軸方向に磁界
を印加することは困難であり、バルクハウゼンジャンプ
の抑制は不可能であった。このバルクハウゼンジャンプ
は、ＹＭＲヘフドにおける再生出力にノイズを発生させ
るため、ＹＭＲヘッドのＳ／Ｎ比を大幅に劣化させると
いう問題を招来していた。
うに、ＭＲ素子２５におけるトラック幅ｌが１００μｍ
よりも小さく略この値に近い値であり、素子厚み【が数
百人、素子幅Ｗが約ＩＯμｍである場合、ＭＲ素子２５
は、その各部位が磁壁３０・・・によってドメイン（磁
区）３１・・・に区割されたドメイン構造をなす、この
場合、磁化困難軸方向（ＭＲ素子の幅方向）の磁界の変
化に対してドメイン３１・・・の境界である磁壁３０・
・・が不連続的に移動するために、磁化の不連続的な変
化を誘発され、第７図に示すように、ＭＲ素子２５の抵
抗変化にバルクハウゼンジャンプやヒステリシスを発生
することになる。ＭＲ素子を単体で使用する磁気抵抗効
果型薄膜ヘッドにおいては、ＭＲ素子の磁化容易軸方向
（ＭＲ素子の長手方向）に数〔Ｏｅ〕の弱い磁界を加え
ることによってＭＲ素子を容易に単磁区状態にし、上記
バルクハウゼンジャンプを抑制することは可能であるが
、ＹＭＲヘフドの場合には、ヨーク２８・２８等が設け
られているため、ＭＲ素子２５の磁化容易軸方向に磁界
を印加することは困難であり、バルクハウゼンジャンプ
の抑制は不可能であった。このバルクハウゼンジャンプ
は、ＹＭＲヘフドにおける再生出力にノイズを発生させ
るため、ＹＭＲヘッドのＳ／Ｎ比を大幅に劣化させると
いう問題を招来していた。
本発明は、上記従来の問題点を考慮してなされたもので
あって、磁気抵抗効果素子の磁化容易軸方向に磁界を印
加して磁気抵抗効果素子を単磁区状態にし、磁気抵抗効
果素子のバルクハウゼンジャンプを抑制し得るヨーク型
薄膜磁気ヘッドの提供を目的とするものである。
あって、磁気抵抗効果素子の磁化容易軸方向に磁界を印
加して磁気抵抗効果素子を単磁区状態にし、磁気抵抗効
果素子のバルクハウゼンジャンプを抑制し得るヨーク型
薄膜磁気ヘッドの提供を目的とするものである。
本発明に係るヨーク型薄膜磁気ヘッドは、上記の目的を
達成するために、磁気記録媒体において発生した信号磁
界を抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子と、ヘッ
ドギャップから上記磁気抵抗効果素子へ磁束を導くヨー
クとを備えたヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記磁
気抵抗効果素子の長手方向に対し直交方向をなす複数の
電流路が形成されたバイアス導体を設けて、上記磁気抵
抗効果素子の磁化容易軸方向に所定のバイアス磁界を印
加するように構成したことを特徴とするものである。
達成するために、磁気記録媒体において発生した信号磁
界を抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子と、ヘッ
ドギャップから上記磁気抵抗効果素子へ磁束を導くヨー
クとを備えたヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記磁
気抵抗効果素子の長手方向に対し直交方向をなす複数の
電流路が形成されたバイアス導体を設けて、上記磁気抵
抗効果素子の磁化容易軸方向に所定のバイアス磁界を印
加するように構成したことを特徴とするものである。
本発明の一実施例を第１図乃至第３図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。
れば、以下の通りである。
本発明に係るヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいて、第２図
に示すように、基板をなす下側ヨークｌ上には絶縁層２
が形成されており、この絶縁層２上には、後述のＭＲ素
子７に磁界を印加するための第１バイアス導体３が形成
されている。第１バイアス導体３及び絶縁層２の上には
、絶縁層４が被覆されており、この絶縁層４上には、第
２バイアス導体５が形成されている。この第２バイアス
導体５には、第１図及び第２図に示すように、ＭＲ素子
７の長手方向と同方向をなす電流路５ｂ・５ｂが形成さ
れており、さらに、上記電流路５ｂ・５ｂ間においてＭ
Ｒ素子７の長手方向に対し直交方向をなす複数の電流路
５ａ・・・が略等間隔で形成されている。第２バイアス
導体５上には絶縁層６が被覆されており、この絶縁層６
上にはＭＲ素子７が形成されている。ＭＲ素子７におけ
る磁化容易軸方向はＭＲ素子７の長手方向であり、磁化
困難軸方向はＭＲ素子７の幅方向である。ＭＲ素子７の
長手方向の両端部には、リード線１１・１１が接続され
ている。上記ＭＲ素子７及び絶縁層６上には絶縁層８が
被覆されており、この絶縁層８における上記下側ヨーク
ｌ上の一端部はヘッドギャップ部８ａを構成している。
に示すように、基板をなす下側ヨークｌ上には絶縁層２
が形成されており、この絶縁層２上には、後述のＭＲ素
子７に磁界を印加するための第１バイアス導体３が形成
されている。第１バイアス導体３及び絶縁層２の上には
、絶縁層４が被覆されており、この絶縁層４上には、第
２バイアス導体５が形成されている。この第２バイアス
導体５には、第１図及び第２図に示すように、ＭＲ素子
７の長手方向と同方向をなす電流路５ｂ・５ｂが形成さ
れており、さらに、上記電流路５ｂ・５ｂ間においてＭ
Ｒ素子７の長手方向に対し直交方向をなす複数の電流路
５ａ・・・が略等間隔で形成されている。第２バイアス
導体５上には絶縁層６が被覆されており、この絶縁層６
上にはＭＲ素子７が形成されている。ＭＲ素子７におけ
る磁化容易軸方向はＭＲ素子７の長手方向であり、磁化
困難軸方向はＭＲ素子７の幅方向である。ＭＲ素子７の
長手方向の両端部には、リード線１１・１１が接続され
ている。上記ＭＲ素子７及び絶縁層６上には絶縁層８が
被覆されており、この絶縁層８における上記下側ヨーク
ｌ上の一端部はヘッドギャップ部８ａを構成している。
絶縁Ｎ８上には、図示しない磁気記録媒体からの信号磁
束を上記ＭＲ素子７に導く磁路を構成する上側ヨークｌ
Ｏ・１０が形成されている。
束を上記ＭＲ素子７に導く磁路を構成する上側ヨークｌ
Ｏ・１０が形成されている。
上記の構成において、第３図に示すように、上記第２バ
イアス導体５に通電されると、電流は第２バイアス導体
５における一方の電流路５ｂから電流路５ａ・・・を経
て他方の電流路５ｂに流れる。
イアス導体５に通電されると、電流は第２バイアス導体
５における一方の電流路５ｂから電流路５ａ・・・を経
て他方の電流路５ｂに流れる。
電流路５ａ・・・は上記のごとく、ＭＲ素子７の長手方
向に対し直交方向をなしているので、これら電流路５ａ
・・・に電流が流れると、各電流路５ａ・・・には上記
ＭＲ素子７の磁化容易軸方向と同方向のバイアス磁界が
発生する。しかも、上記電流路５ａ・・・は、等間隔に
複数個形成されているので、上記バイアス磁界は電流路
５ｂ・５ｂ間において略均−の強さで存在している。こ
のバイアス磁界はＭＲ素子７に印加され、ＭＲ素子７は
かかるバイアス磁界によって単磁区状態となる。従って
、ＭＲ素子７にはドメイン構造による磁壁がなくなり、
バラスハウゼンジャンプは抑制される。これにより、Ｙ
ＭＲヘッドにおけるＳ／Ｎ比を向上させることが可能と
なる。
向に対し直交方向をなしているので、これら電流路５ａ
・・・に電流が流れると、各電流路５ａ・・・には上記
ＭＲ素子７の磁化容易軸方向と同方向のバイアス磁界が
発生する。しかも、上記電流路５ａ・・・は、等間隔に
複数個形成されているので、上記バイアス磁界は電流路
５ｂ・５ｂ間において略均−の強さで存在している。こ
のバイアス磁界はＭＲ素子７に印加され、ＭＲ素子７は
かかるバイアス磁界によって単磁区状態となる。従って
、ＭＲ素子７にはドメイン構造による磁壁がなくなり、
バラスハウゼンジャンプは抑制される。これにより、Ｙ
ＭＲヘッドにおけるＳ／Ｎ比を向上させることが可能と
なる。
なお、上記第１バイアス導体３は、入力磁界に対して二
乗特性を示すＭＲ素子７の抵抗変化を線形特性に近づけ
るためのバイアス磁界が発生している。
乗特性を示すＭＲ素子７の抵抗変化を線形特性に近づけ
るためのバイアス磁界が発生している。
また、上記ＭＲ素子７の特性は、ＭＲ素子７が設けられ
ている下地に影響され易いということが知られている。
ている下地に影響され易いということが知られている。
即ち、下地の凹凸が大きいほど、異方性磁界、抗磁力等
の磁気抵抗効果特性が劣化する。そのため、第３図に示
すように、各電流路５ａ・・・の間における穴部５Ｇ・
・・に塗布型の二酸化珪素等を充填して上記第２バイア
ス導体５の上面を平坦化することが望ましい。
の磁気抵抗効果特性が劣化する。そのため、第３図に示
すように、各電流路５ａ・・・の間における穴部５Ｇ・
・・に塗布型の二酸化珪素等を充填して上記第２バイア
ス導体５の上面を平坦化することが望ましい。
本発明に係るヨーク型薄膜磁気ヘッドは、以上のように
、磁気記録媒体において発生した信号磁界を抵抗変化と
して検出する磁気抵抗効果素子と、ベッドギャップから
上記磁気抵抗効果素子へ磁束を導くヨークとを備えたヨ
ーク型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素子
の長手方向に対し直交方向をなす複数の電流路が形成さ
れたバイアス導体を設けた構成である。これにより、磁
気抵抗効果素子の磁化容易軸方向に磁界を印加すること
ができ、磁気抵抗効果素子を単磁区状態にすることが可
能となる。よって、磁気抵抗効果素子のバルクハウゼン
ジャンプを抑制することが可能となり、かかるヨーク型
薄膜磁気ヘッドのＳ／Ｎ比を向上させ得るという効果を
奏する。
、磁気記録媒体において発生した信号磁界を抵抗変化と
して検出する磁気抵抗効果素子と、ベッドギャップから
上記磁気抵抗効果素子へ磁束を導くヨークとを備えたヨ
ーク型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素子
の長手方向に対し直交方向をなす複数の電流路が形成さ
れたバイアス導体を設けた構成である。これにより、磁
気抵抗効果素子の磁化容易軸方向に磁界を印加すること
ができ、磁気抵抗効果素子を単磁区状態にすることが可
能となる。よって、磁気抵抗効果素子のバルクハウゼン
ジャンプを抑制することが可能となり、かかるヨーク型
薄膜磁気ヘッドのＳ／Ｎ比を向上させ得るという効果を
奏する。
第１図乃至第３図は本発明の一実施例を示すものであっ
て、第１図はヨーク型薄膜磁気ヘッドを示す平面図、第
２図は第１図におけるＡ−Ａ矢視縦断面図、第３図は第
２バイアス導体を示す説明図、第４図乃至第７図は従来
例を示すものであって、第４図はヨーク型薄膜磁気ヘッ
ドを示す平面図、第５図は第４図におけるＢ−Ｂ矢視縦
断面図、第６図は磁気抵抗効果素子のドメイン状態を示
す説明図、第７図は第６図における磁気抵抗効果素子の
磁気抵抗効果特性を示すグラフである。 １は下側ヨーク、２・４・６・８は絶縁層、８ａはヘッ
ドギャップ部、３は第１バイアス導体、５は第２バイア
ス導体、５ａは電流路、７はＭＲ素子（磁気抵抗効果素
子）、１０は上側ヨーク、１１はリード線である。
て、第１図はヨーク型薄膜磁気ヘッドを示す平面図、第
２図は第１図におけるＡ−Ａ矢視縦断面図、第３図は第
２バイアス導体を示す説明図、第４図乃至第７図は従来
例を示すものであって、第４図はヨーク型薄膜磁気ヘッ
ドを示す平面図、第５図は第４図におけるＢ−Ｂ矢視縦
断面図、第６図は磁気抵抗効果素子のドメイン状態を示
す説明図、第７図は第６図における磁気抵抗効果素子の
磁気抵抗効果特性を示すグラフである。 １は下側ヨーク、２・４・６・８は絶縁層、８ａはヘッ
ドギャップ部、３は第１バイアス導体、５は第２バイア
ス導体、５ａは電流路、７はＭＲ素子（磁気抵抗効果素
子）、１０は上側ヨーク、１１はリード線である。
Claims (1)
- １、磁気記録媒体において発生した信号磁界を抵抗変化
として検出する磁気抵抗効果素子と、ヘッドギャップか
ら上記磁気抵抗効果素子へ磁束を導くヨークとを備えた
ヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素
子の長手方向に対し直交方向をなす複数の電流路が形成
されたバイアス導体を設けたことを特徴とするヨーク型
薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25395486A JPS63108519A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25395486A JPS63108519A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63108519A true JPS63108519A (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=17258281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25395486A Pending JPS63108519A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63108519A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03179215A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-05 | Hitachi Ltd | 磁気エンコーダ |
| EP0725388A2 (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-07 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect type magnetic head operable at optimum biasing point |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP25395486A patent/JPS63108519A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03179215A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-05 | Hitachi Ltd | 磁気エンコーダ |
| EP0725388A2 (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-07 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect type magnetic head operable at optimum biasing point |
| EP0725388A3 (en) * | 1995-01-31 | 1996-12-27 | Sony Corp | Magnetoresistance effect head, operational with optimal bias point |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0473201B2 (ja) | ||
| JPH05266426A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS63108519A (ja) | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド | |
| JPH05151536A (ja) | 結合読取／書込磁気ヘツド | |
| US6333840B1 (en) | Magnetic recording apparatus | |
| JP2583851B2 (ja) | 磁気抵抗型磁気ヘツド | |
| JPH0441415B2 (ja) | ||
| JP2661560B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその再生方法 | |
| JPH11203634A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH05266437A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPS63108521A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘツド | |
| JPS61196418A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS61237218A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおけるバイアス付与方法 | |
| JP2658868B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその再生方法 | |
| JPS61196417A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH011114A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS63129511A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド | |
| JPH052720A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘツド | |
| JPH03260906A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッド | |
| JPH0346885B2 (ja) | ||
| JPS61255525A (ja) | マルチトラツク磁気抵抗型磁気ヘツド | |
| JPH07307502A (ja) | 磁気センサとそれを用いた磁気記録再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 | |
| JPH06325327A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0115927B2 (ja) | ||
| JPH0426909A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド |