JPS61237218A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおけるバイアス付与方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおけるバイアス付与方法Info
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- JPS61237218A JPS61237218A JP7838485A JP7838485A JPS61237218A JP S61237218 A JPS61237218 A JP S61237218A JP 7838485 A JP7838485 A JP 7838485A JP 7838485 A JP7838485 A JP 7838485A JP S61237218 A JPS61237218 A JP S61237218A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおける磁気的
バイアスの付与方法に関する。
バイアスの付与方法に関する。
この発明は、磁気ギャップを介して磁気回路を形成する
磁性ヨークの不連続部に磁気抵抗効果素子（以下ｒＭＲ
素子」という）を配設してなる磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドにおいて、上記磁性ヨークにＭＲ素子の磁化容易軸と
平行な方向に電流を流すことにより、磁気回路内を還流
する磁束を発生させて、ＭＲ素子に対して磁気的なバイ
アスをかけるようにした効のである。
磁性ヨークの不連続部に磁気抵抗効果素子（以下ｒＭＲ
素子」という）を配設してなる磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドにおいて、上記磁性ヨークにＭＲ素子の磁化容易軸と
平行な方向に電流を流すことにより、磁気回路内を還流
する磁束を発生させて、ＭＲ素子に対して磁気的なバイ
アスをかけるようにした効のである。
磁気抵抗効果を利用した再生磁気ヘッドには。
ＭＲ素子を記録媒体との摺動面よりも内部に配置したヨ
ークタイプの磁気抵抗効果型磁気ヘッドがある。
ークタイプの磁気抵抗効果型磁気ヘッドがある。
第７図はそのような従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
概略断面図で、ＮｉＺｎ系フェライト。
概略断面図で、ＮｉＺｎ系フェライト。
ＭｎＺｎ系フェライト等よりなる磁性基板１上に、ＡＩ
、Ｃｕ等からなるバイアス導体２と、ＮｉＦｅ合金、Ｎ
ｉＣｏ合金等“よりなるＭＲ素子３と、ＮｉＦｅ合金、
センダスト等よりなり幅りの不連続部を有する磁性ヨー
ク４及び５が順次設けられており、バイアス導体２．Ｍ
Ｒ素子３．磁性ヨーク４及びＳの間には非磁性絶縁体６
が介在して相互の絶縁が保たれている。
、Ｃｕ等からなるバイアス導体２と、ＮｉＦｅ合金、Ｎ
ｉＣｏ合金等“よりなるＭＲ素子３と、ＮｉＦｅ合金、
センダスト等よりなり幅りの不連続部を有する磁性ヨー
ク４及び５が順次設けられており、バイアス導体２．Ｍ
Ｒ素子３．磁性ヨーク４及びＳの間には非磁性絶縁体６
が介在して相互の絶縁が保たれている。
このような構造にすることにより、記録媒体７との摺動
面８における磁気ギャップＧを介して磁気回路が構成さ
れる。
面８における磁気ギャップＧを介して磁気回路が構成さ
れる。
すなわち、磁性基板１−磁気ギャップＧ−磁性ヨーク４
−ＭＲ素子３−磁性ヨーク５−磁性基板１の磁気回路を
形成する磁気ヘッド素子となる。
−ＭＲ素子３−磁性ヨーク５−磁性基板１の磁気回路を
形成する磁気ヘッド素子となる。
そして、マルチトラック型磁気ヘッドにおいては、例え
ば第８図に示すように、共通の磁性基板１及びバイアス
導体２上に複数個の磁気ヘッド素子が並設される。
ば第８図に示すように、共通の磁性基板１及びバイアス
導体２上に複数個の磁気ヘッド素子が並設される。
そして、バイアス導体２にバイアス磁界発生用の電流ｉ
ｎを流すことによって、ＭＲ素子３に対して磁気的なバ
イアスをかけていた。
ｎを流すことによって、ＭＲ素子３に対して磁気的なバ
イアスをかけていた。
ＭＲ素子３にかける磁気的なバイアスの大きさは、信号
磁界によるＭＲ素子の抵抗値変化の線形性が良好な点に
設定される。
磁界によるＭＲ素子の抵抗値変化の線形性が良好な点に
設定される。
すなわち、第９図に示すように、長手方向Ｘに磁化容易
軸が向くように一軸異方性が付与されたＭＲ素子３に対
し、素子幅方向Ｙに外部磁界ＨＹが加わると、第１０図
に示すようにＭＲ素子３の抵抗値変化率ΔＲ／ΔＲｍａ
ｘが変化する現象を利用するわけであるが、外部磁界Ｈ
Ｙと抵抗値変化ΔＲ／ΔＲｗａｘとの関係はこのままで
は非線形となるため、第７図及び第８図に示したような
バイアス導体２を設けて、素子幅方向Ｙにバイアス磁界
を発生させて磁気的なバイアスをかけ、ＭＲ素子３の抵
抗値変化を線形化する。
軸が向くように一軸異方性が付与されたＭＲ素子３に対
し、素子幅方向Ｙに外部磁界ＨＹが加わると、第１０図
に示すようにＭＲ素子３の抵抗値変化率ΔＲ／ΔＲｍａ
ｘが変化する現象を利用するわけであるが、外部磁界Ｈ
Ｙと抵抗値変化ΔＲ／ΔＲｗａｘとの関係はこのままで
は非線形となるため、第７図及び第８図に示したような
バイアス導体２を設けて、素子幅方向Ｙにバイアス磁界
を発生させて磁気的なバイアスをかけ、ＭＲ素子３の抵
抗値変化を線形化する。
また、第７図または第８図において、バイアス導体２に
流れる電流ｉＢによって発生する磁界の他に、ＭＲ素子
乙の検出電流１Ｓによって生じる磁界が磁気コア内を還
流する磁束φを生じ、ＭＲ素子乙に自己バイアスとして
磁気的なバイアスがかかることも知られている。そのた
め、バイアス導体２を用いず、自己バイアスのみによっ
て動作する磁気抵抗効果型磁気ヘッドも開発されている
。
流れる電流ｉＢによって発生する磁界の他に、ＭＲ素子
乙の検出電流１Ｓによって生じる磁界が磁気コア内を還
流する磁束φを生じ、ＭＲ素子乙に自己バイアスとして
磁気的なバイアスがかかることも知られている。そのた
め、バイアス導体２を用いず、自己バイアスのみによっ
て動作する磁気抵抗効果型磁気ヘッドも開発されている
。
しかしながら、自己バイアスのみによってＭＲ素子に磁
気的なバイアスをかけるようにすると、バイアス導体２
の形成工程が省略できる反面、適正バイアス磁界を発生
させるためには、ＭＲ素子の検出電流１ｓを増大させる
必要があり、それによってＭＲ素子３の発熱による劣化
や熱雑音の増加を引き起こす恐れがあるので１通常はバ
イアス導体２を使用せざるを得なかった。
気的なバイアスをかけるようにすると、バイアス導体２
の形成工程が省略できる反面、適正バイアス磁界を発生
させるためには、ＭＲ素子の検出電流１ｓを増大させる
必要があり、それによってＭＲ素子３の発熱による劣化
や熱雑音の増加を引き起こす恐れがあるので１通常はバ
イアス導体２を使用せざるを得なかった。
この発明は、上記のような従来の問題点を解決するため
になされたもので、バイアス導体形成工程を省略でき、
且つＭＲ素子の検出電流を増加させることなく、ＭＲ素
子に適正な磁気的バイアスを付与することができるよう
にすることを目的とする。
になされたもので、バイアス導体形成工程を省略でき、
且つＭＲ素子の検出電流を増加させることなく、ＭＲ素
子に適正な磁気的バイアスを付与することができるよう
にすることを目的とする。
そのため、この発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おけるバイアス付与方法は、磁気ギャップを介して磁気
回路を形成する磁気ヨークに、ＭＲ素子の磁化容易軸と
平行な方向に電流を流すことにより、ＭＲ素子に磁気的
なバイアスをかけるようにしたものである。
おけるバイアス付与方法は、磁気ギャップを介して磁気
回路を形成する磁気ヨークに、ＭＲ素子の磁化容易軸と
平行な方向に電流を流すことにより、ＭＲ素子に磁気的
なバイアスをかけるようにしたものである。
［実 施 例〕
以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図はこの発明を実施する磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の一例を示す概略断面図であり、第７図と対応する部分
には同一符号を付しである。
の一例を示す概略断面図であり、第７図と対応する部分
には同一符号を付しである。
この磁気ヘッドは、図に示すように磁性基板１上にＭＲ
素子３．磁気ヨーク４及び５を順次設け、磁気ギャップ
Ｇを介して磁性基板１−磁気ギャップＧ−磁性ヨーク４
−ＭＲ素子３−磁性ヨーク５−磁性基板１の磁気回路を
形成する。
素子３．磁気ヨーク４及び５を順次設け、磁気ギャップ
Ｇを介して磁性基板１−磁気ギャップＧ−磁性ヨーク４
−ＭＲ素子３−磁性ヨーク５−磁性基板１の磁気回路を
形成する。
そして、従来のバイアス導体２に相当するものは設けて
おらず、上記磁気回路を形成する磁性ヨーク５にＭＲ素
子３の磁化容易軸（第Ｓ図のＸ軸）と平行な方向に電流
ｉｎを流す。
おらず、上記磁気回路を形成する磁性ヨーク５にＭＲ素
子３の磁化容易軸（第Ｓ図のＸ軸）と平行な方向に電流
ｉｎを流す。
この電流ｉＢにより発生した磁界は、ＭＲ素子３内を流
れる電流ｉｇによって発生する磁界と同様に、上記磁気
回路内を還流する磁束φを生じさせる。それによって−
ＭＲ素子３に磁気的なバイアスを付与することができる
。
れる電流ｉｇによって発生する磁界と同様に、上記磁気
回路内を還流する磁束φを生じさせる。それによって−
ＭＲ素子３に磁気的なバイアスを付与することができる
。
第１図の実施例において、磁性ヨーク５の電気的接続は
、第２図に示すようにＭＲ素子３の検出電流１ｓと独立
した電流１Ｂを流すようにしても、第３図に示すように
磁性ヨーク５とＭＲＲ子３とを直列に接続しても、ある
いは第４図に示すように磁性ヨーク５とＭＲＲ子３とを
並列に接続しても、いずれによってもＭＲ素素子上磁気
的なバイアスをかけることができる。
、第２図に示すようにＭＲ素子３の検出電流１ｓと独立
した電流１Ｂを流すようにしても、第３図に示すように
磁性ヨーク５とＭＲＲ子３とを直列に接続しても、ある
いは第４図に示すように磁性ヨーク５とＭＲＲ子３とを
並列に接続しても、いずれによってもＭＲ素素子上磁気
的なバイアスをかけることができる。
上述の第１図〜第４図の実施例においては、電流ｉＢと
電流ｉｇを同一方向に流しているが、互いに反対方向に
流してもＭＲＲ子３に磁気的なバイアスをかけることが
できる。
電流ｉｇを同一方向に流しているが、互いに反対方向に
流してもＭＲＲ子３に磁気的なバイアスをかけることが
できる。
また、第１図〜第４図の実施例においては、磁性ヨーク
５に通電した例を示したが、磁性ヨーク４に通電するよ
うにしてもよいし、あるいは磁性ヨーク４と磁性ヨーク
５の両方に通電するようにしてもよい。
５に通電した例を示したが、磁性ヨーク４に通電するよ
うにしてもよいし、あるいは磁性ヨーク４と磁性ヨーク
５の両方に通電するようにしてもよい。
さらに、上述の実施例においては、ＭＲＲ子３が非磁性
絶縁体６の盛り上げ部に配設されたものについて説明し
たが、第５図に示す実施例のように、磁性基板１１に溝
１１．を形成し、そこにＭＲＲ子３を保持する非磁性絶
縁体が嵌入して、磁性基板１１−磁気ギャップＧ−磁性
ヨーク１４−ＭＲ素子３−磁性ヨーク１５−磁性基板１
１の磁気回路を形成した磁気抵抗効果型磁気ヘッドにお
いても、磁性ヨーク１４又は１５にＭＲＲ子３の磁化容
易軸と平行な方向に電流１Ｂを流すことにより、上記実
施例と同様の効果が得られる。
絶縁体６の盛り上げ部に配設されたものについて説明し
たが、第５図に示す実施例のように、磁性基板１１に溝
１１．を形成し、そこにＭＲＲ子３を保持する非磁性絶
縁体が嵌入して、磁性基板１１−磁気ギャップＧ−磁性
ヨーク１４−ＭＲ素子３−磁性ヨーク１５−磁性基板１
１の磁気回路を形成した磁気抵抗効果型磁気ヘッドにお
いても、磁性ヨーク１４又は１５にＭＲＲ子３の磁化容
易軸と平行な方向に電流１Ｂを流すことにより、上記実
施例と同様の効果が得られる。
さらにまた、第６図に示すように一方の磁性ヨークを省
略して、磁性基板１１−磁気ギャップＧ−磁性ヨークｌ
４−ＭＲＲ子３−磁性基板１１の磁気回路を形成した
ものについても、磁性ヨーク１４に電流ｔ、Ｂを流すこ
とにより同様の効果が得られる。
略して、磁性基板１１−磁気ギャップＧ−磁性ヨークｌ
４−ＭＲＲ子３−磁性基板１１の磁気回路を形成した
ものについても、磁性ヨーク１４に電流ｔ、Ｂを流すこ
とにより同様の効果が得られる。
以上説明してきたように、この発明によるバイアス付与
方法を適用すれば、磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおける
磁性ヨークにＭＲ素子の磁化容易軸と平行な方向に電流
を流すことにより、ＭＲ素子に対して適正な磁気的バイ
アスをかけることができるので、従来必要であったバイ
アス導体を省略でき、それだけ製作コストを低減するこ
とができる。
方法を適用すれば、磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおける
磁性ヨークにＭＲ素子の磁化容易軸と平行な方向に電流
を流すことにより、ＭＲ素子に対して適正な磁気的バイ
アスをかけることができるので、従来必要であったバイ
アス導体を省略でき、それだけ製作コストを低減するこ
とができる。
また、ＭＲ素子の検出電流を増加させることなく、ＭＲ
素子に適正な磁気的バイアスをかけることができるので
、ＭＲ素子の発熱による劣化や熱騒音等を低減すること
もできる。
素子に適正な磁気的バイアスをかけることができるので
、ＭＲ素子の発熱による劣化や熱騒音等を低減すること
もできる。
第１図はこの発明の一実施例を示す磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの概略断面図。 第２図は第１図における電気的接続例を示す概略平面図
。 第３図は第１図における電気的接続の他の例を示す概略
平面図。 第４図は第１図における電気的接続のさらに他の例を示
す概略平面図。 第５図はこの発明の他の実施例を示す磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの概略断面図、 第６図はこの発明のさらに他の実施例を示す磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの概略断面図。 第７図は従来のバイアス付与方法を説明するための磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの概略断面図、第８図は同じくそ
の電気的接続例を示す概略平面図、 第Ｓ図は磁気抵抗効果素子の動作を説明するための概略
斜視図。 第１０図は磁気抵抗効果素子の抵抗値変化率と外部磁界
との関係を示す線図である。 １．１１・・・磁性基板 ２・・・バイアス導体３
・・・磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）４．１４，５．Ｉ
ｓ・・・磁性ヨーク ６．１６・・・非磁性絶縁体 ７・・・記録媒体８・
・・摺動面 Ｇ・・・磁気ギャップ第１ｓ 第２８ ｓ５ 図 第６図 第７ｆｆｉ 第８図 第９図 第１０ ！！！１ □４尺□
ヘッドの概略断面図。 第２図は第１図における電気的接続例を示す概略平面図
。 第３図は第１図における電気的接続の他の例を示す概略
平面図。 第４図は第１図における電気的接続のさらに他の例を示
す概略平面図。 第５図はこの発明の他の実施例を示す磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの概略断面図、 第６図はこの発明のさらに他の実施例を示す磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの概略断面図。 第７図は従来のバイアス付与方法を説明するための磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの概略断面図、第８図は同じくそ
の電気的接続例を示す概略平面図、 第Ｓ図は磁気抵抗効果素子の動作を説明するための概略
斜視図。 第１０図は磁気抵抗効果素子の抵抗値変化率と外部磁界
との関係を示す線図である。 １．１１・・・磁性基板 ２・・・バイアス導体３
・・・磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）４．１４，５．Ｉ
ｓ・・・磁性ヨーク ６．１６・・・非磁性絶縁体 ７・・・記録媒体８・
・・摺動面 Ｇ・・・磁気ギャップ第１ｓ 第２８ ｓ５ 図 第６図 第７ｆｆｉ 第８図 第９図 第１０ ！！！１ □４尺□
Claims (1)
- １ 磁気ギャップを介して磁気回路を形成する磁性ヨー
クの不連続部に磁気抵抗効果素子を配設してなる磁気抵
抗効果型磁気ヘッドにおいて、上記磁性ヨークに上記磁
気抵抗効果素子の磁化容易軸と平行な方向に電流を流す
ことにより、上記磁気抵抗効果素子に磁気的バイアスを
かけることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドにお
けるバイアス付与方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7838485A JPS61237218A (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおけるバイアス付与方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7838485A JPS61237218A (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおけるバイアス付与方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61237218A true JPS61237218A (ja) | 1986-10-22 |
Family
ID=13660515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7838485A Pending JPS61237218A (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおけるバイアス付与方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61237218A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6352315A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-05 | Nec Kansai Ltd | Ｍｒヘツド |
| US5909344A (en) * | 1995-11-30 | 1999-06-01 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with high resistivity flux guide |
| US5933298A (en) * | 1995-03-24 | 1999-08-03 | U.S. Philips Corporation | System comprising a magnetic head, measuring device and a current device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715225A (en) * | 1980-07-01 | 1982-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetic resistance effect type magnetic head |
-
1985
- 1985-04-15 JP JP7838485A patent/JPS61237218A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715225A (en) * | 1980-07-01 | 1982-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetic resistance effect type magnetic head |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6352315A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-05 | Nec Kansai Ltd | Ｍｒヘツド |
| US5933298A (en) * | 1995-03-24 | 1999-08-03 | U.S. Philips Corporation | System comprising a magnetic head, measuring device and a current device |
| US5909344A (en) * | 1995-11-30 | 1999-06-01 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with high resistivity flux guide |
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