JPS61230614A - 磁気抵抗効果薄膜ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果薄膜ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61230614A JPS61230614A JP7109585A JP7109585A JPS61230614A JP S61230614 A JPS61230614 A JP S61230614A JP 7109585 A JP7109585 A JP 7109585A JP 7109585 A JP7109585 A JP 7109585A JP S61230614 A JPS61230614 A JP S61230614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- bias
- head
- shield
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、磁気抵抗効果素子を用いた磁気抵抗効果型の
薄膜ヘッド、特にシールド型磁気抵抗効果薄膜ヘッドに
関する。
薄膜ヘッド、特にシールド型磁気抵抗効果薄膜ヘッドに
関する。
〈従来の技術〉
電気抵抗が磁界の強弱によって変化する磁気抵抗効果素
子（ＭＲ素子）を再生用磁気ヘッドに応用しに磁気抵抗
効果型の薄膜ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略称する〕は
、一般にインダクティブ型の磁気ヘッドに比べて狭トラ
ック再生、短波長再生及び低速再生において、高い再生
出力が得られるという利点を有している。従来、この種
の高密度記録信号再生用ＭＲヘッドとして、第３図に示
すような構造のシールド型ＭＲヘッドが知らｎている（
例えば、フィリップステクニカルレビュー（Ｐｈ１ｌｊ
ｐｓ ｔｅｃｈ 、 Ｒｅｖ、）３７ Ｐ４２ （１
９７７）紗照）。
子（ＭＲ素子）を再生用磁気ヘッドに応用しに磁気抵抗
効果型の薄膜ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略称する〕は
、一般にインダクティブ型の磁気ヘッドに比べて狭トラ
ック再生、短波長再生及び低速再生において、高い再生
出力が得られるという利点を有している。従来、この種
の高密度記録信号再生用ＭＲヘッドとして、第３図に示
すような構造のシールド型ＭＲヘッドが知らｎている（
例えば、フィリップステクニカルレビュー（Ｐｈ１ｌｊ
ｐｓ ｔｅｃｈ 、 Ｒｅｖ、）３７ Ｐ４２ （１
９７７）紗照）。
シールド型Ｍ ｋｌヘッドは、第３図のように、矢印ａ
の向きを移動方向とする磁気ディスクまたは磁気テープ
等の記録媒体ｌに対して図示のような関係で配設して用
いらｎるもので、高透磁率の磁性膜から成るシールド２
．３を備えておシ、そのシールド２及び３の間にｔよ。
の向きを移動方向とする磁気ディスクまたは磁気テープ
等の記録媒体ｌに対して図示のような関係で配設して用
いらｎるもので、高透磁率の磁性膜から成るシールド２
．３を備えておシ、そのシールド２及び３の間にｔよ。
ＳｉＯ□ 、４ｚ、０．等の絶縁層４を介してＭｆｔ索
子５が配置さｎている。Ｍ Ｒ素子５は、夫々の所定の
膜厚型、素子高さＷ、）ラック幅ｔを有する第４図に示
すような形状のものであり。
子５が配置さｎている。Ｍ Ｒ素子５は、夫々の所定の
膜厚型、素子高さＷ、）ラック幅ｔを有する第４図に示
すような形状のものであり。
このトラック幅の方向すなわち第４図中のＸ方向（第３
図では紙面に垂直な方向）の各端部から信号用人出力端
子６，７か引き出さｎ。
図では紙面に垂直な方向）の各端部から信号用人出力端
子６，７か引き出さｎ。
このＭｆ’Ｌ素子５の信号用入出力端子６と７の間で七
ンスー流Ｊが流ｎる。そして、ＭＲｚ子内磁化Ｍは通常
、形状おるい−ま誘導磁気異方性により、上記第２図Ｘ
方向に向けらｎている。
ンスー流Ｊが流ｎる。そして、ＭＲｚ子内磁化Ｍは通常
、形状おるい−ま誘導磁気異方性により、上記第２図Ｘ
方向に向けらｎている。
ところが、上記のようなＭＲ索子５の磁々抵抗効果を用
いて再生を行なう場合％ＭＲ素子５は外部磁界に対し、
非線形の抵抗変化を示すことから、ＭＲ素子５の動作を
線形化するために、外部直流磁界によって磁化Ｍをバイ
アスさせなけｎばならない。バイアス点の設定について
は、第４図に示すように、磁化Ｍと電流Ｊとのなす角を
θとすれば、θ＝４ｆとなるようにＭＲ素子５に外部磁
界を印加するこ占によ多線形性を得ることができ、異方
性磁界ヲ１１Ｋ′ とすると、θ＝４ｔとするのに必要
なバイアス磁界１１Ｂの値は、１１Ｂ〜（’／、−ｚ）
・１１に１となる。そして、このバイアス磁界を与える
方法としては１通常、永久磁石によるものと、バイアス
磁界流により与えるようにするもの、すなわち１流によ
る外部磁界印加方式によるものが考えらｆＬ、菌３図の
シールド膜の一方をバイアス導体として、こｎにバイア
ス電流そ流すのが構造上簡単な方法ではある。
いて再生を行なう場合％ＭＲ素子５は外部磁界に対し、
非線形の抵抗変化を示すことから、ＭＲ素子５の動作を
線形化するために、外部直流磁界によって磁化Ｍをバイ
アスさせなけｎばならない。バイアス点の設定について
は、第４図に示すように、磁化Ｍと電流Ｊとのなす角を
θとすれば、θ＝４ｆとなるようにＭＲ素子５に外部磁
界を印加するこ占によ多線形性を得ることができ、異方
性磁界ヲ１１Ｋ′ とすると、θ＝４ｔとするのに必要
なバイアス磁界１１Ｂの値は、１１Ｂ〜（’／、−ｚ）
・１１に１となる。そして、このバイアス磁界を与える
方法としては１通常、永久磁石によるものと、バイアス
磁界流により与えるようにするもの、すなわち１流によ
る外部磁界印加方式によるものが考えらｆＬ、菌３図の
シールド膜の一方をバイアス導体として、こｎにバイア
ス電流そ流すのが構造上簡単な方法ではある。
・ しかし、電流による外部磁界印加方式の場合、ＭＲ
素子５の再生出力と異方性磁界はほぼ素子島さＷに反比
例するため、再生出力を増大させようとして素子高さＷ
を小さくすると、異方性磁界も増大し、バイアス電流で
必要なバイアス磁界を得るにに多くのバイアス１１ｔ流
が必資とさｎる。例えは、高さｌＯ〜２０・２ｍ％厚さ
ｌｐｍのバイアス導体に電流を流し、０．４μ匍離ｎた
Ｍｌ素子５（素子高さＷ＝＝ｌＱμｍ、膜厚ｔ＝４００
１）−Ｆバイアスす□ る場合を例に採ると、これに必
要なバイアス電流は、４０〜７０ ｍ Ａになる。そし
て、このようにバイアスに要する電流が多いときは。
素子５の再生出力と異方性磁界はほぼ素子島さＷに反比
例するため、再生出力を増大させようとして素子高さＷ
を小さくすると、異方性磁界も増大し、バイアス電流で
必要なバイアス磁界を得るにに多くのバイアス１１ｔ流
が必資とさｎる。例えは、高さｌＯ〜２０・２ｍ％厚さ
ｌｐｍのバイアス導体に電流を流し、０．４μ匍離ｎた
Ｍｌ素子５（素子高さＷ＝＝ｌＱμｍ、膜厚ｔ＝４００
１）−Ｆバイアスす□ る場合を例に採ると、これに必
要なバイアス電流は、４０〜７０ ｍ Ａになる。そし
て、このようにバイアスに要する電流が多いときは。
熱による再生信号のドリフト及びノイズの増加尋の支障
が生じてしまう。
が生じてしまう。
ま□た。電流による外部磁界印加方式のＭＲヘッドの場
合は、バイアス線用と信号用の２組の入出力端子が必要
となるので、構造が複雑になると共に、２組の電源系を
必要とする。
合は、バイアス線用と信号用の２組の入出力端子が必要
となるので、構造が複雑になると共に、２組の電源系を
必要とする。
〈発明が解決しようとする問題点〉
本発明＃′ｉ、このようにＭＲヘッドにおいてバイアス
電流によ如バイアス磁界を印加する場合に多くのバイア
ス電流が必要とさｎ％また入出力端子の数も多くなると
いう問題に鑑みてなさｎたもので、少なｉバイアス電流
で最適なバイアス点に保つことが可能なＭＲヘッド、ま
た更に入出力端子の少ないＭＲヘッドを提供することを
目的とする＠ 〈問題点を解決するための手段〉 上記目的を達成するた葡１本発・明の嬉１発明に係るＭ
Ｒヘッド＆Ｌ ２枚のシールド磁性体の間にＭＲ水素子
配置し、このＭＲ水素子バイアス磁界を印加するべく上
記シールド磁性体に電流を流すＭＲへ・ラドであって、
上記２枚のシールド磁性体の一方の端部を電気的に接続
し、他方の端部をバイアス電流入出力部とするようにし
たことを特徴とし、また。
電流によ如バイアス磁界を印加する場合に多くのバイア
ス電流が必要とさｎ％また入出力端子の数も多くなると
いう問題に鑑みてなさｎたもので、少なｉバイアス電流
で最適なバイアス点に保つことが可能なＭＲヘッド、ま
た更に入出力端子の少ないＭＲヘッドを提供することを
目的とする＠ 〈問題点を解決するための手段〉 上記目的を達成するた葡１本発・明の嬉１発明に係るＭ
Ｒヘッド＆Ｌ ２枚のシールド磁性体の間にＭＲ水素子
配置し、このＭＲ水素子バイアス磁界を印加するべく上
記シールド磁性体に電流を流すＭＲへ・ラドであって、
上記２枚のシールド磁性体の一方の端部を電気的に接続
し、他方の端部をバイアス電流入出力部とするようにし
たことを特徴とし、また。
第２発明に係るＭＲヘッドは、２枚のシールド磁性体の
間にＭＲ水素子配置し、このＭＲ素子−こバイアス磁界
を印加するべく上記シールド磁性体に′直流を流すＭ
Ｉ（ヘッドでおって。
間にＭＲ水素子配置し、このＭＲ素子−こバイアス磁界
を印加するべく上記シールド磁性体に′直流を流すＭ
Ｉ（ヘッドでおって。
上記２枚のシールド磁性体の一方の端部を電気的に接続
し、他方の端部のいずｎか一方を上記Ｍｆｔ素子の一方
の端部に電気的ζこ接続し。
し、他方の端部のいずｎか一方を上記Ｍｆｔ素子の一方
の端部に電気的ζこ接続し。
シールド磁性体の端部とＭＲ素子の端部を電流入出力部
とするようにしたことを特徴とする。
とするようにしたことを特徴とする。
〈実 施 例〉
以下１本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は磁化バイアスに斐する電流を少なくし得るよう
にしたＭＲヘッドの一実施例を示す構造図で、第３図で
示したようなシールド型Ｍ Ｒヘッドに適用した場合に
おいてその媒体摺動面（Ｙ方向）、より見たときの各構
成膜の配ｌｉｉを示している。
にしたＭＲヘッドの一実施例を示す構造図で、第３図で
示したようなシールド型Ｍ Ｒヘッドに適用した場合に
おいてその媒体摺動面（Ｙ方向）、より見たときの各構
成膜の配ｌｉｉを示している。
第１図に示すように、このＭＲヘッドは、ＺＩＩ−フェ
ライト等の基板８と、夫々Ｎｉ −Ｆｅ等から成る第１
．第２シールド膜９．ｌＯと。
ライト等の基板８と、夫々Ｎｉ −Ｆｅ等から成る第１
．第２シールド膜９．ｌＯと。
こｎら第１．第２シールド膜９，１０の間に配置したＭ
Ｒ索子１１と、第１．第２シールド膜９，１０とＭＲ素
子１１とを絶縁するＳｊＯ□、 Ｓｉ ｓＮａ 、 Ａ
ｌ２Ｏ５等の絶縁膜１２と、第１シールド膜９と第２シ
ールド膜１０の夫々の一端を電気的に接続するためのｋ
ｔ等の接続導体膜１３と、ヘッド上層に堆積させたＳｉ
Ｃ！２ 、 Ｓｉ ＢＨ３、Ａｌ＊Ｏｘ 等から成る
保護膜１４と、バイアス電流のための電流入力部１５と
、その電流出力部１６とから構成されている。
Ｒ索子１１と、第１．第２シールド膜９，１０とＭＲ素
子１１とを絶縁するＳｊＯ□、 Ｓｉ ｓＮａ 、 Ａ
ｌ２Ｏ５等の絶縁膜１２と、第１シールド膜９と第２シ
ールド膜１０の夫々の一端を電気的に接続するためのｋ
ｔ等の接続導体膜１３と、ヘッド上層に堆積させたＳｉ
Ｃ！２ 、 Ｓｉ ＢＨ３、Ａｌ＊Ｏｘ 等から成る
保護膜１４と、バイアス電流のための電流入力部１５と
、その電流出力部１６とから構成されている。
このように、Ｍｆ’を素子１１ｉはさむ２枚の第１．第
２シールド膜９，１０の一方の端部そ電気的に接続し、
他方の端部をバイアス電流入出力端子とするようにして
いる。なお、図中、矢印す、ｃは夫々バイアス電流が流
れる方向を示す。また１図示していないが、この第１図
の構成の場合には１ＭＲ素子１１からは一対の信号用の
線が引き出さｎる。
２シールド膜９，１０の一方の端部そ電気的に接続し、
他方の端部をバイアス電流入出力端子とするようにして
いる。なお、図中、矢印す、ｃは夫々バイアス電流が流
れる方向を示す。また１図示していないが、この第１図
の構成の場合には１ＭＲ素子１１からは一対の信号用の
線が引き出さｎる。
上記構成のシールド型ＭＲヘッドにおいて。
Ｍｆｔ素子１１をバイアス電流ｌこよって磁化バイアス
するには、人出力部１５と１６の間に直流電流を印加す
ｎばよく、この場合に少ないバイアス電流で必要とする
バイアス磁界を得ることができる。すなわち、直流電流
を印加すると、直流入力部１５．第２シールド膜１０％
接続導体部１３１第１シールド膜９゜電流出力部１６の
順に定゛確流回路が形成され、このときＭＲ素子１１に
は、第２シールド膜ｌＯの通電によｉｌＹ方向の磁界が
印加さｎｌかつｔｉ＆ｌシールド膜９の通電−こよシ同
−磁界がＹ方向に更に印加されることになる。従って、
従来のような片側のみの導体バイアスに比べ、約半分の
電流で磁化バイアスが可能となる。
するには、人出力部１５と１６の間に直流電流を印加す
ｎばよく、この場合に少ないバイアス電流で必要とする
バイアス磁界を得ることができる。すなわち、直流電流
を印加すると、直流入力部１５．第２シールド膜１０％
接続導体部１３１第１シールド膜９゜電流出力部１６の
順に定゛確流回路が形成され、このときＭＲ素子１１に
は、第２シールド膜ｌＯの通電によｉｌＹ方向の磁界が
印加さｎｌかつｔｉ＆ｌシールド膜９の通電−こよシ同
−磁界がＹ方向に更に印加されることになる。従って、
従来のような片側のみの導体バイアスに比べ、約半分の
電流で磁化バイアスが可能となる。
このようにして、Ｍｌ’を素子１１の上下に配置された
第１．第２シールド膜９．１０を磁気的に直列接続し、
とｆ′Ｌ８バイアス導体として用いることにより、少な
い電流によって磁化バイアスが可能で最適なバイアス点
に保つことができ、しかもこのような構造のシールド型
Ｍ）ｔヘッドではシールド間ギャップにバイアス導体を
入れる必要がないため、ギャップ間隔を狭くすることが
でき、一層の高密度信号再生がｏＪ能であり、この点で
も有利である。
第１．第２シールド膜９．１０を磁気的に直列接続し、
とｆ′Ｌ８バイアス導体として用いることにより、少な
い電流によって磁化バイアスが可能で最適なバイアス点
に保つことができ、しかもこのような構造のシールド型
Ｍ）ｔヘッドではシールド間ギャップにバイアス導体を
入れる必要がないため、ギャップ間隔を狭くすることが
でき、一層の高密度信号再生がｏＪ能であり、この点で
も有利である。
第２図は更に入出力端子を少なくし得るようにした場合
のＭＲヘッドの一実施例を示ｒもので、第１図と同様の
部分は同一符号を付しである。
のＭＲヘッドの一実施例を示ｒもので、第１図と同様の
部分は同一符号を付しである。
とのＭＲヘッドは、第１図のＭＲヘッドにおいてバイア
ス電流入出力部とさｎた第１゜第２シールド膜９．１０
の端部のいずｎか一方を更にＭＲ素子１１の一方の端部
に電気的に接続ｒるようにし、バイアス電流をＭｆｔ索
子のセンス電流として用いるようにするものである。す
なわら、バイアス線用端子と信号線用端子を共通化させ
るもので、第２図に示すように、第１シールド膜９とＭ
Ｒ素子１１とを電気的に接続するためのｋＡ等から成る
接続導体膜１７が設けらｎておシ、また電流入力部１５
はこの場合センス電流を兼ねるバイアス電流の入力部と
なシ、そしてＭＲ素子１１の他端にはその出力部１８が
設けらｎている。従って、この構成の場合には第１図の
場合と異なり、Ｍｆｔ素子１１の専用の信号用端子は用
いらｎず、上記入出力部１５．１８がとｎｆも兼ねるこ
とになる。
ス電流入出力部とさｎた第１゜第２シールド膜９．１０
の端部のいずｎか一方を更にＭＲ素子１１の一方の端部
に電気的に接続ｒるようにし、バイアス電流をＭｆｔ索
子のセンス電流として用いるようにするものである。す
なわら、バイアス線用端子と信号線用端子を共通化させ
るもので、第２図に示すように、第１シールド膜９とＭ
Ｒ素子１１とを電気的に接続するためのｋＡ等から成る
接続導体膜１７が設けらｎておシ、また電流入力部１５
はこの場合センス電流を兼ねるバイアス電流の入力部と
なシ、そしてＭＲ素子１１の他端にはその出力部１８が
設けらｎている。従って、この構成の場合には第１図の
場合と異なり、Ｍｆｔ素子１１の専用の信号用端子は用
いらｎず、上記入出力部１５．１８がとｎｆも兼ねるこ
とになる。
すなわち、定電流Ｊは、入力部１５．第２シールド膜１
０、接続導体部１３、第１シールド膜９と、第１図の場
合と同じように流ｎ。
０、接続導体部１３、第１シールド膜９と、第１図の場
合と同じように流ｎ。
更にそれから接続導体部１７、ＭＲ素子１０％電流出力
部１８の順に流ｎることになシ、この第３図の構成の場
合においても、第１．第２シールド膜９．１０への通電
は第１図と同様であるから、従来のような片側のみの導
体バイアスに比べ、約半分の電流で所要のバイアス印加
が可能である。
部１８の順に流ｎることになシ、この第３図の構成の場
合においても、第１．第２シールド膜９．１０への通電
は第１図と同様であるから、従来のような片側のみの導
体バイアスに比べ、約半分の電流で所要のバイアス印加
が可能である。
こ扛によって、バイアス電流＃′１１例えば従来では既
述したように４０〜７０ｍＡであるところ、２０〜３５
ｍ Ａ程度にまで減少し、この場合、高さ１９μｍ、
厚さ４００１ｏＭＲ素子はその電流密度が約０．５〜ｓ
、ｏｏｘｉｏ”Ａ／−となる。ここで、ＭＲ素子の許容
電流密度は約Ｉ Ｘ １０” Ａ／−であるから、第２
図の構成のようにバイアス用″酩流をＭＲ素子ｎのセン
ス電流として用いても、つまりバイアス線用端子と信号
線用端子を共通化しても。
述したように４０〜７０ｍＡであるところ、２０〜３５
ｍ Ａ程度にまで減少し、この場合、高さ１９μｍ、
厚さ４００１ｏＭＲ素子はその電流密度が約０．５〜ｓ
、ｏｏｘｉｏ”Ａ／−となる。ここで、ＭＲ素子の許容
電流密度は約Ｉ Ｘ １０” Ａ／−であるから、第２
図の構成のようにバイアス用″酩流をＭＲ素子ｎのセン
ス電流として用いても、つまりバイアス線用端子と信号
線用端子を共通化しても。
ＭＲ素子１１の断線を起こすことはない。すなわち、従
来のものでは、そのバイアス磁界を形成するのに必要な
バイアス電流値は上記のように４０〜７０ ｍ Ａと大
きいから、このような値の電流％ＭＲ素子に流せば、Ｍ
Ｉ’Ｌ素子の厚さが薄いために許容電流密度を越えてし
まい、ＭＩ’Ｌ素子が断線するからバイアス導体とＭＲ
素子を直列ｉこ接続することはできず、従ってバイアス
用と信号用の入出力端子は別々に設けなけｎばならない
のに対し、上記構成によｎば、そのようなことはな（、
ＭＲ素子１１の断線は起こらないので、バイアス導体と
しての第１．第２シールド膜９．１０とＭ Ｒ素子１１
を電気的に接続することが可能となるのであり、こｎに
よりＭ Ｒヘッドの入出力端子を１組に減らすことがで
きる。
来のものでは、そのバイアス磁界を形成するのに必要な
バイアス電流値は上記のように４０〜７０ ｍ Ａと大
きいから、このような値の電流％ＭＲ素子に流せば、Ｍ
Ｉ’Ｌ素子の厚さが薄いために許容電流密度を越えてし
まい、ＭＩ’Ｌ素子が断線するからバイアス導体とＭＲ
素子を直列ｉこ接続することはできず、従ってバイアス
用と信号用の入出力端子は別々に設けなけｎばならない
のに対し、上記構成によｎば、そのようなことはな（、
ＭＲ素子１１の断線は起こらないので、バイアス導体と
しての第１．第２シールド膜９．１０とＭ Ｒ素子１１
を電気的に接続することが可能となるのであり、こｎに
よりＭ Ｒヘッドの入出力端子を１組に減らすことがで
きる。
このようにして、第２図のＭＲヘッドによｎば、バイア
ス電流が少ないことを活用し。
ス電流が少ないことを活用し。
更にバイアス部とＭＲ素子１１の一端を電気的に接続す
ることにより、バイアス電流をそのままＭＲ素子１１の
センス電流として利用できるので、ＭＲヘッドの入出力
端子を少なくすることができる。
ることにより、バイアス電流をそのままＭＲ素子１１の
センス電流として利用できるので、ＭＲヘッドの入出力
端子を少なくすることができる。
〈発明の効果〉
以上のように１本発明のＭＲヘッドによｎば、少ないバ
イアス電流により必要な磁化バイアスが可能であるから
％ＭｆＬ素子周辺部の温に上昇が抑制でき、再生信号の
ドリフトやノイズの軽減を図ることができ、また、更に
バイアス電流をそのままＭＲ素子のセンス電流として利
用できるような構成とすることによって、ＭＦＬヘッド
の入出力端子を少なくすることができるので、これによ
りヘッド構造が簡単になり１ｇ動′成源系が１つで済む
等の効果を奏する。
イアス電流により必要な磁化バイアスが可能であるから
％ＭｆＬ素子周辺部の温に上昇が抑制でき、再生信号の
ドリフトやノイズの軽減を図ることができ、また、更に
バイアス電流をそのままＭＲ素子のセンス電流として利
用できるような構成とすることによって、ＭＦＬヘッド
の入出力端子を少なくすることができるので、これによ
りヘッド構造が簡単になり１ｇ動′成源系が１つで済む
等の効果を奏する。
第１図は第１発明に係るＭｌヘッドの一実施例を示す構
成図、第２図は第２発明に係るＭＲヘッドの一実施例を
示す構成図、第３図は従来のシールド型Ｍａヘッドの概
略図、第４図はＭＲ素子の概略図である。 図面中、９・・・第１シールド膜、１０・０第２シール
ド膜、１１・・・ＭＲ素子、１３・・・接続導体膜、１
５・・・電流入力部、１６．１８−・電流出力部、１７
・・・接続導体膜である。
成図、第２図は第２発明に係るＭＲヘッドの一実施例を
示す構成図、第３図は従来のシールド型Ｍａヘッドの概
略図、第４図はＭＲ素子の概略図である。 図面中、９・・・第１シールド膜、１０・０第２シール
ド膜、１１・・・ＭＲ素子、１３・・・接続導体膜、１
５・・・電流入力部、１６．１８−・電流出力部、１７
・・・接続導体膜である。
Claims (2)
- （１）２枚のシールド磁性体の間に磁気抵抗効果素子を
配置し、この磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加す
るべく上記シールド磁性体に電流を流す磁気抵抗効果薄
膜ヘッドであって、上記２枚のシールド磁性体の一方の
端部を電気的に接続し、他方の端部をバイアス電流入出
力部とするようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果薄
膜ヘッド。 - （２）２枚のシールド磁性体の間に磁気抵抗効果素子を
配置し、この磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加す
るべく上記シールド磁性体に電流を流す磁気抵抗効果薄
膜ヘッドであって、上記２枚のシールド磁性体の一方の
端部を電気的に接続し、他方の端部のいずれか一方を上
記磁気抵抗効果素子の一方の端部に電気的に接続し、シ
ールド磁性体の端部と磁気抵抗効果素子の端部を電流入
出力部とするようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果
薄膜ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7109585A JPS61230614A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 磁気抵抗効果薄膜ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7109585A JPS61230614A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 磁気抵抗効果薄膜ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61230614A true JPS61230614A (ja) | 1986-10-14 |
Family
ID=13450632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7109585A Pending JPS61230614A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 磁気抵抗効果薄膜ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61230614A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5311385A (en) * | 1991-12-18 | 1994-05-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magnetoresistive head with integrated bias and magnetic shield layer |
| CN1296895C (zh) * | 2003-09-02 | 2007-01-24 | 株式会社东芝 | 磁性记录/重放设备 |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP7109585A patent/JPS61230614A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5311385A (en) * | 1991-12-18 | 1994-05-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magnetoresistive head with integrated bias and magnetic shield layer |
| US5312644A (en) * | 1991-12-18 | 1994-05-17 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of making a magnetoresistive head with integrated bias and magnetic shield layer |
| CN1296895C (zh) * | 2003-09-02 | 2007-01-24 | 株式会社东芝 | 磁性记录/重放设备 |
| US7277262B2 (en) | 2003-09-02 | 2007-10-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | CPP magnetoresistive head including a pair of shields and a sense current preamplifier |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1087194A (zh) | 双元件磁阻读出头 | |
| JPH0473201B2 (ja) | ||
| JPS61120318A (ja) | 一体化薄膜磁気ヘツド | |
| KR0145034B1 (ko) | 자기 트랜스듀서와, 자기 트랜스듀서를 포함하는 매체 드라이브 | |
| JPS61230614A (ja) | 磁気抵抗効果薄膜ヘツド | |
| JPS6391818A (ja) | ヨ−ク型磁気抵抗効果薄膜ヘツド | |
| JPS61222012A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH09102109A (ja) | 記録再生分離型磁気ヘッド | |
| JPS581802A (ja) | 磁気記録再生方式及び磁気ヘツド | |
| JPH0426907A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPS6288122A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおけるバイアス磁界印加方法 | |
| JPS61237218A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおけるバイアス付与方法 | |
| JPS61177616A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS641849B2 (ja) | ||
| JP3340781B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPS5856485A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JPS5898826A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS63108519A (ja) | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0440775B2 (ja) | ||
| JPS6032245B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JPH06150258A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| JPS6069808A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0426909A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPS62121915A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JPH06187615A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド |