JPS61222012A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS61222012A JPS61222012A JP6455785A JP6455785A JPS61222012A JP S61222012 A JPS61222012 A JP S61222012A JP 6455785 A JP6455785 A JP 6455785A JP 6455785 A JP6455785 A JP 6455785A JP S61222012 A JPS61222012 A JP S61222012A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- layers
- layer
- recording
- sensitivity
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばハードディスク用記録再生ヘッドに適
用して好適な、記録及び再生を可能にした薄膜磁気ヘッ
ドに関する。
用して好適な、記録及び再生を可能にした薄膜磁気ヘッ
ドに関する。
本発明は薄膜磁気ヘッドに関し、磁気記録媒体一対する
対向面側に作動ギャップを有する磁気回路を形成する第
１及び第２の磁性体層間の間隙内に、磁気記録媒体に対
する対向面と反対側で磁気回路に磁気的に連結される導
磁路を配し、この導磁路に磁気抵抗効果感磁部を磁気的
に連結し、且つ導磁路並びに第１及び第２の磁性体層間
に第１及び第２の導電体層を設けることにより、記録及
び再生を可能とすると共Ｋ、再生時における感度を大に
し、その感度を安定化せしめ、その感度のばらつきを少
なくし、バルクハウゼンノイズを低減すると共に、再生
信号のｓ／Ｎの高いものを得るようにしたものである。
対向面側に作動ギャップを有する磁気回路を形成する第
１及び第２の磁性体層間の間隙内に、磁気記録媒体に対
する対向面と反対側で磁気回路に磁気的に連結される導
磁路を配し、この導磁路に磁気抵抗効果感磁部を磁気的
に連結し、且つ導磁路並びに第１及び第２の磁性体層間
に第１及び第２の導電体層を設けることにより、記録及
び再生を可能とすると共Ｋ、再生時における感度を大に
し、その感度を安定化せしめ、その感度のばらつきを少
なくし、バルクハウゼンノイズを低減すると共に、再生
信号のｓ／Ｎの高いものを得るようにしたものである。
以下に第７図を参照して従来の記録及び再生の可能な薄
膜磁気ヘッド（特公昭５３−２５４８８号公報参照）Ｋ
ついて説明する。第７図において、（１ａ）はガラスま
たは５ｌｏ２の如き非磁性且つ絶縁性の基体である。こ
の基体（１ａ）上にパーマロイ等から成る磁性体層（１
）が被着形成される。この磁性体層（１）上には、 Ｓ
ｔＯ□の如き非磁性絶縁層（８）を介して、磁気抵抗効
果感磁部（磁気抵抗素子）（４）が被着形成され、その
上に８１０□の如き非磁性絶縁層（９）が被着形成され
る。この非磁性絶縁層（９）上に、・ぐ−マロイ等から
成る一対の導磁部（３ｍ）、（３ｂ）から成る導磁路（
３］が被着形成され、その導磁部（３ｍ）、 （３ｂ）
の各対向端は磁気抵抗効果感磁部（４）の両側に対向せ
しめられ、一方の導磁部（３ａ）の一端は磁気記録媒体
に対する対向面Ｓ側に露呈し、導磁部（３ｂ）の他端は
磁性体層（１）と磁気的に直結される。一対の導磁部（
３ｍ）、（３ｂ）間にはＳｔＯ□のごとき非磁性絶縁層
αゆが介在せしめられている。そして、導磁路（３］及
び非磁性絶縁層０上に鋼等よりなる導電体層（６〕が被
着形成される。そして、この導電体層（６）、導磁部（
３ｂ）及び磁性体層（１）上に亘って磁性体層（２］が
被着形成される。しかして、上述の磁性体層（１）及び
（２）にて、磁気記録媒体に対する対向面Ｓ側に作動ゼ
ヤツデｇを有する磁気回路（７）が形成される。非磁性
絶縁基体（１＆）、磁性体層（１）、絶縁層（８）、絶
縁層（９）、導磁部（３ａ）、導電体層（６）及び磁性
体層（２）の、磁気記録媒体に対する対向面Ｓ側の端部
は共通の平滑面を構成する。
膜磁気ヘッド（特公昭５３−２５４８８号公報参照）Ｋ
ついて説明する。第７図において、（１ａ）はガラスま
たは５ｌｏ２の如き非磁性且つ絶縁性の基体である。こ
の基体（１ａ）上にパーマロイ等から成る磁性体層（１
）が被着形成される。この磁性体層（１）上には、 Ｓ
ｔＯ□の如き非磁性絶縁層（８）を介して、磁気抵抗効
果感磁部（磁気抵抗素子）（４）が被着形成され、その
上に８１０□の如き非磁性絶縁層（９）が被着形成され
る。この非磁性絶縁層（９）上に、・ぐ−マロイ等から
成る一対の導磁部（３ｍ）、（３ｂ）から成る導磁路（
３］が被着形成され、その導磁部（３ｍ）、 （３ｂ）
の各対向端は磁気抵抗効果感磁部（４）の両側に対向せ
しめられ、一方の導磁部（３ａ）の一端は磁気記録媒体
に対する対向面Ｓ側に露呈し、導磁部（３ｂ）の他端は
磁性体層（１）と磁気的に直結される。一対の導磁部（
３ｍ）、（３ｂ）間にはＳｔＯ□のごとき非磁性絶縁層
αゆが介在せしめられている。そして、導磁路（３］及
び非磁性絶縁層０上に鋼等よりなる導電体層（６〕が被
着形成される。そして、この導電体層（６）、導磁部（
３ｂ）及び磁性体層（１）上に亘って磁性体層（２］が
被着形成される。しかして、上述の磁性体層（１）及び
（２）にて、磁気記録媒体に対する対向面Ｓ側に作動ゼ
ヤツデｇを有する磁気回路（７）が形成される。非磁性
絶縁基体（１＆）、磁性体層（１）、絶縁層（８）、絶
縁層（９）、導磁部（３ａ）、導電体層（６）及び磁性
体層（２）の、磁気記録媒体に対する対向面Ｓ側の端部
は共通の平滑面を構成する。
斯る薄膜磁気ヘッドにおいては、導電体層（６）が再生
時には磁気抵抗効果感磁部（４）にバイアス磁界を与え
るバイアス導体として機能し、記録時にはコイル導電層
として機能するようになされている。
時には磁気抵抗効果感磁部（４）にバイアス磁界を与え
るバイアス導体として機能し、記録時にはコイル導電層
として機能するようになされている。
従って、導電体層（６）に対し、再生時には紙面に鉛直
な方向に直流電流を流し、記録時には紙面に鉛直な方向
に記録信号電流を流すことになる。
な方向に直流電流を流し、記録時には紙面に鉛直な方向
に記録信号電流を流すことになる。
第８図に、第７図の薄膜磁気ヘッドの導電体層（６）に
紙面に鉛直な方向に、上方から下方に向う記録信号電流
イ６（瞬時値）又は再生時の直流バイアス電流工。
紙面に鉛直な方向に、上方から下方に向う記録信号電流
イ６（瞬時値）又は再生時の直流バイアス電流工。
を流した場合における、磁束分布を示す。この場合の磁
束は、磁性体層（２）−導磁部（３ｂ）−磁気抵抗効果
感磁部（４）−導磁部（３ａ）−導電体層（６）−磁性
体層（２）の出路を通る磁束φ！と、磁性体層（２）−
導磁部（３ｂ）−磁性体層（１ン一導磁部（３ａ）−導
電体層（６）−磁性体層（２）を通る磁束φ２とに分け
られる。尚、記録時には記録信号電流ｉ６の方向が紙面
に対し上方から下方又は下方から上方に交互に変化する
ので、それに応じて磁束φ！、φ２もその方向が同時に
変化する。
束は、磁性体層（２）−導磁部（３ｂ）−磁気抵抗効果
感磁部（４）−導磁部（３ａ）−導電体層（６）−磁性
体層（２）の出路を通る磁束φ！と、磁性体層（２）−
導磁部（３ｂ）−磁性体層（１ン一導磁部（３ａ）−導
電体層（６）−磁性体層（２）を通る磁束φ２とに分け
られる。尚、記録時には記録信号電流ｉ６の方向が紙面
に対し上方から下方又は下方から上方に交互に変化する
ので、それに応じて磁束φ！、φ２もその方向が同時に
変化する。
第７図に示した従来の薄膜磁気ヘッドは次のような欠点
がある。再生時において導電体層（６）Ｋ流すバイアス
電流Ｉ６によって発生する磁束φｈφ２の内、磁束φｌ
は磁気抵抗効果感磁部（４ンに再生時の感度が最大とな
るような直流バイアス磁界を与えるが、磁性体層（２）
には磁束φ菫及びφ３からなる多量の磁束が通るため、
磁性体層（２）の透磁率が低下し、これにより再生時の
感度が低下し、感度が不安定となり、感度がばらつく他
、バルクハウゼンノイズが発生する。また、磁束φ２は
作動ギャップｇがら外部に漏洩し、これによって磁気記
録媒体から発生する信号磁界がマスクされてしまい、再
生信号のＳＡが大幅に低下するという欠点がある。
がある。再生時において導電体層（６）Ｋ流すバイアス
電流Ｉ６によって発生する磁束φｈφ２の内、磁束φｌ
は磁気抵抗効果感磁部（４ンに再生時の感度が最大とな
るような直流バイアス磁界を与えるが、磁性体層（２）
には磁束φ菫及びφ３からなる多量の磁束が通るため、
磁性体層（２）の透磁率が低下し、これにより再生時の
感度が低下し、感度が不安定となり、感度がばらつく他
、バルクハウゼンノイズが発生する。また、磁束φ２は
作動ギャップｇがら外部に漏洩し、これによって磁気記
録媒体から発生する信号磁界がマスクされてしまい、再
生信号のＳＡが大幅に低下するという欠点がある。
斯る点に鑑み本発明は、再生時の感度が高く、感度が安
定で、感度のばらつきが少なく、バルクハウゼンノイズ
の発生が少なく、且つＳＡの高い再生信号を得ることの
できる、記録及び再生の可能な薄膜磁気ヘッドを提案し
ようとするものである。
定で、感度のばらつきが少なく、バルクハウゼンノイズ
の発生が少なく、且つＳＡの高い再生信号を得ることの
できる、記録及び再生の可能な薄膜磁気ヘッドを提案し
ようとするものである。
本発明による薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体に対する
対向面Ｓ側に作動ギャップｇを有する磁気回路（７）を
形成する第１及び第２の磁性体層（１）。
対向面Ｓ側に作動ギャップｇを有する磁気回路（７）を
形成する第１及び第２の磁性体層（１）。
（２）と、この第１及び第２の磁性体層（１）、（２）
間の間隙内に位置し、磁気記録媒体に対する対向面Ｓと
反対側で磁気回路（７）に磁気的に連結嘔れる導磁路（
３）と、この導磁路（３）に磁気的に連結された磁気抵
抗効果感磁部（４）と、導磁路（３）並びに第１及び第
２の磁性体層（１） 、 （２３間に夫々配された第１
及び第２の導電体層（５） 、 （６）とを有すること
を特徴とするものである。
間の間隙内に位置し、磁気記録媒体に対する対向面Ｓと
反対側で磁気回路（７）に磁気的に連結嘔れる導磁路（
３）と、この導磁路（３）に磁気的に連結された磁気抵
抗効果感磁部（４）と、導磁路（３）並びに第１及び第
２の磁性体層（１） 、 （２３間に夫々配された第１
及び第２の導電体層（５） 、 （６）とを有すること
を特徴とするものである。
斯る本発明薄膜磁気ヘッドによれば、記録時には第１及
び第２の導電体層（５） 、 （６）に同方向の信号電
流を供給することにより、第１及び第２の磁性体層（１
） 、 （２）の端部の作動ギャップｇに信号磁界を発
生して、磁気記録媒体に対し記録を行表い、再生時には
第１及び第２の導電体層（５） （６） Ｋ互いに逆
方向のバイアス電流を流すことにより、導磁路（３）に
各導電体層（５） 、 （６）に対する通電によって発
生する磁束の加算されたものを通し、これにより磁気抵
抗効果感磁部（４）に磁気バイアスを与える。
び第２の導電体層（５） 、 （６）に同方向の信号電
流を供給することにより、第１及び第２の磁性体層（１
） 、 （２）の端部の作動ギャップｇに信号磁界を発
生して、磁気記録媒体に対し記録を行表い、再生時には
第１及び第２の導電体層（５） （６） Ｋ互いに逆
方向のバイアス電流を流すことにより、導磁路（３）に
各導電体層（５） 、 （６）に対する通電によって発
生する磁束の加算されたものを通し、これにより磁気抵
抗効果感磁部（４）に磁気バイアスを与える。
以下に第１図及び第２図を参照して、本発明忙ライト等
からなる第１の磁性体層（磁性基体）である。この磁性
体層（１〕は、 ＳｔＯ□、ガラス等の非磁性絶縁基体
上に形成することもできる。磁性体層（１）上に５ＩＯ
２のごとき非磁性絶縁体層（８）を被着し、そ６上に銅
等からなる第１の導電体層（５）を被着形成する。この
導電体層（５）を覆うごと＜５ｉｏ２のごとき非磁性絶
縁体層（９）を被着形成する。そして、その非磁性絶縁
体層（９）上において、磁気記録媒体に対する対向面Ｓ
側に臨む如く、Ｎｉ −Ｃｏ或いはＮｉ−Ｆｅ合金から
成る磁気抵抗効果感磁部（４）を被着形成する。しかる
後、磁気抵抗効果感磁部（４）及び非磁性絶縁体層（９
）上に亘って５ｉｏ２のごとき非磁性絶縁体層α、０を
被着形成し、その上にＭｏ ハーマロイ或いはセンダス
トから成る導磁路（３）を被着形成する。
からなる第１の磁性体層（磁性基体）である。この磁性
体層（１〕は、 ＳｔＯ□、ガラス等の非磁性絶縁基体
上に形成することもできる。磁性体層（１）上に５ＩＯ
２のごとき非磁性絶縁体層（８）を被着し、そ６上に銅
等からなる第１の導電体層（５）を被着形成する。この
導電体層（５）を覆うごと＜５ｉｏ２のごとき非磁性絶
縁体層（９）を被着形成する。そして、その非磁性絶縁
体層（９）上において、磁気記録媒体に対する対向面Ｓ
側に臨む如く、Ｎｉ −Ｃｏ或いはＮｉ−Ｆｅ合金から
成る磁気抵抗効果感磁部（４）を被着形成する。しかる
後、磁気抵抗効果感磁部（４）及び非磁性絶縁体層（９
）上に亘って５ｉｏ２のごとき非磁性絶縁体層α、０を
被着形成し、その上にＭｏ ハーマロイ或いはセンダス
トから成る導磁路（３）を被着形成する。
導磁路（３］は、その磁気記録媒体に対する対向面Ｓ側
の端部が磁気抵抗効果感磁部（４）の端部に近接対向し
て、磁気的に連結される。又、導磁路（３）の他方の端
部は、後述する磁気回路（７）を構成する第２の磁性体
層（２）に磁気的に直結される。導磁路（３）上及び非
磁性絶縁体層α０上に亘ってＳｉＯ２の如き非磁性絶縁
体層αηを被着形成し、その上に銅等から成る第２の導
電体層（６）を被着形成する。しかる後、導電体層（６
）及び非磁性絶縁体層αで上に亘ってｓｉｏ□の如き非
磁性絶縁体層（６）を被着形成し、その上に ′Ｍｏ
／’？−マロイ或いはセンダストからなる第２の磁性体
層（２）全被着形成する。磁性体層（２）の対向面Ｓと
反対側は導磁路（３」及び磁性体層（１）に磁気的に直
結されている。更にこの磁性体層（２）上にはガラス、
５１０２のごとき非磁性且つ絶縁性の保護層α１を被着
形成する。
の端部が磁気抵抗効果感磁部（４）の端部に近接対向し
て、磁気的に連結される。又、導磁路（３）の他方の端
部は、後述する磁気回路（７）を構成する第２の磁性体
層（２）に磁気的に直結される。導磁路（３）上及び非
磁性絶縁体層α０上に亘ってＳｉＯ２の如き非磁性絶縁
体層αηを被着形成し、その上に銅等から成る第２の導
電体層（６）を被着形成する。しかる後、導電体層（６
）及び非磁性絶縁体層αで上に亘ってｓｉｏ□の如き非
磁性絶縁体層（６）を被着形成し、その上に ′Ｍｏ
／’？−マロイ或いはセンダストからなる第２の磁性体
層（２）全被着形成する。磁性体層（２）の対向面Ｓと
反対側は導磁路（３」及び磁性体層（１）に磁気的に直
結されている。更にこの磁性体層（２）上にはガラス、
５１０２のごとき非磁性且つ絶縁性の保護層α１を被着
形成する。
磁気記録媒体に対する対向面Ｓ側において、磁性体層（
１）、絶縁体層（８）、絶縁体層（９）、磁気抵抗効果
感磁部（４）、絶縁体層α０、絶縁体層０η、絶縁体層
（６）、磁性体層（２）、保護層（６）の各端面は共通
の平滑面を構成する。
１）、絶縁体層（８）、絶縁体層（９）、磁気抵抗効果
感磁部（４）、絶縁体層α０、絶縁体層０η、絶縁体層
（６）、磁性体層（２）、保護層（６）の各端面は共通
の平滑面を構成する。
しかして、第１及び第２の磁性体層（１） 、 （２）
にて、その磁気記録媒体に対する対向面Ｓ側に作動ギャ
ップｇｔ−有する磁気回路（７）が形成される。
にて、その磁気記録媒体に対する対向面Ｓ側に作動ギャ
ップｇｔ−有する磁気回路（７）が形成される。
第２図において、（４ｍ）、（４ｂ）は磁気抵抗効果感
磁部（４）の両端から導出されるリード導電体層であっ
て、磁気抵抗効果感磁部（４）の被着形成時に同時に非
磁性絶縁体層（９）上に被着形成される。
磁部（４）の両端から導出されるリード導電体層であっ
て、磁気抵抗効果感磁部（４）の被着形成時に同時に非
磁性絶縁体層（９）上に被着形成される。
第１及び第２の導電体層（５） 、 （６）は記録時に
おいては、信号電流が流されるコイル導電層として機能
し、再生時においては磁気抵抗効果感磁部（４）に、
バイアス磁界を与えるためのバイアス導体とじて機能
する。
おいては、信号電流が流されるコイル導電層として機能
し、再生時においては磁気抵抗効果感磁部（４）に、
バイアス磁界を与えるためのバイアス導体とじて機能
する。
尚、第２図において示す如く、磁気抵抗効果感磁部（４
）の幅ＷＰは、第２の磁性体層（２）及び第１の磁性体
層（１）にて形成される記録時の作動ギャップの幅Ｗ８
より狭く、且つその内側に位置するように形成されて、
重ね記録時において消し残りが生じないように構成され
ている。
）の幅ＷＰは、第２の磁性体層（２）及び第１の磁性体
層（１）にて形成される記録時の作動ギャップの幅Ｗ８
より狭く、且つその内側に位置するように形成されて、
重ね記録時において消し残りが生じないように構成され
ている。
第２図においてｊ５ 、 ｉ＠は、記録時に第１及び第
２の導電体層（５）、（６）に流す信号電流を示し、こ
れは同方向で信号に応じて方向が変化する。又、Ｉｓ。
２の導電体層（５）、（６）に流す信号電流を示し、こ
れは同方向で信号に応じて方向が変化する。又、Ｉｓ。
Ｉｓは、再生時に第１及び第２の導電体層（５）、（６
）Ｋ流す直流バイアス電流を示し、互いに逆方向である
。これら電流Ｓｓ ＋ ｉｔｒ ； Ｉｓ ＋ Ｉｓは
、第１図では紙面に鉛直な方向に流れる。
）Ｋ流す直流バイアス電流を示し、互いに逆方向である
。これら電流Ｓｓ ＋ ｉｔｒ ； Ｉｓ ＋ Ｉｓは
、第１図では紙面に鉛直な方向に流れる。
第３図に、記録時に、第１及び第２の導電体層（ｓ）
、 （６）に記録信号電流＜ｓ ＋ ｉｓ （瞬時値）
を同方向に流した場合における、磁束φ８を示し、この
磁束φ８は磁性体層（２）−磁性体層（１）−磁気抵抗
効果感磁部（４）−磁性体層（２）の磁路を通り、その
一部は作動ギャップｇから記録磁界として外部に漏洩す
る。
、 （６）に記録信号電流＜ｓ ＋ ｉｓ （瞬時値）
を同方向に流した場合における、磁束φ８を示し、この
磁束φ８は磁性体層（２）−磁性体層（１）−磁気抵抗
効果感磁部（４）−磁性体層（２）の磁路を通り、その
一部は作動ギャップｇから記録磁界として外部に漏洩す
る。
この場合、導磁路（３）にも、第１及び第２の導電体層
（５） 、 （６）に対する通電に基づく磁束が通るが
、これは互いに逆方向であるので略相殺され、実質的に
は磁束は通らないことになる。
（５） 、 （６）に対する通電に基づく磁束が通るが
、これは互いに逆方向であるので略相殺され、実質的に
は磁束は通らないことになる。
第４図に、再生時に、第１及び第２の導電体層（５）
、 （６）に互いに逆方向のバイアス電流Ｉ５ ＊ Ｉ
Ｉを流した場合における、磁束φ２６．φＰ６を示す。
、 （６）に互いに逆方向のバイアス電流Ｉ５ ＊ Ｉ
Ｉを流した場合における、磁束φ２６．φＰ６を示す。
磁束φ□は、導磁路（３）−磁気抵抗効果感磁部（４〕
−磁性体層（１）−磁性体層（２）−導磁路（３）の磁
路を通る。磁束φＰ６は導磁路（３）−磁性体層（２）
−導磁路（３）の磁路を通る。そして、導磁路（３）に
は磁束φ２３．φＰ６が加算的に通り、この磁束をバイ
アス電流Ｉ５＋Ｉ＠により適宜設定することにより、再
生時の感度が最大となるようなバイアス磁界を磁気抵抗
効果感磁部（４）に与えることができる。なお、この実
施例では、磁気抵抗効果感磁部（４）に直流磁界を与え
るようにした場合であるが、直流磁界及び交流磁界の重
量磁界もしくは交流磁界のみを与えるようにしてもよい
。
−磁性体層（１）−磁性体層（２）−導磁路（３）の磁
路を通る。磁束φＰ６は導磁路（３）−磁性体層（２）
−導磁路（３）の磁路を通る。そして、導磁路（３）に
は磁束φ２３．φＰ６が加算的に通り、この磁束をバイ
アス電流Ｉ５＋Ｉ＠により適宜設定することにより、再
生時の感度が最大となるようなバイアス磁界を磁気抵抗
効果感磁部（４）に与えることができる。なお、この実
施例では、磁気抵抗効果感磁部（４）に直流磁界を与え
るようにした場合であるが、直流磁界及び交流磁界の重
量磁界もしくは交流磁界のみを与えるようにしてもよい
。
次に第５図を参照して、本発明による薄膜磁気ヘッドの
変形例全貌間するも、第５図において第１図と対応する
部分には同一符号を付して重複説−明を省略する。この
変形例では、導磁路（３）を２つの導磁部（３ｍ）、（
３ｂ） Ｋ分割し、その中間に対向して磁気抵抗感磁部
（４）を配した場合である。この場合は導磁部（３ａ）
が磁気記録媒体に対する対向面Ｓ側に位置し、磁気抵抗
効果感磁部（４）が内部に位置するので、再生時の感度
は第１図に比し低下するが、磁気記録媒体として金属媒
体を用いる場合に好適である。その他の構成及び動作は
第１図と同様であるので重複説明を省略する。
変形例全貌間するも、第５図において第１図と対応する
部分には同一符号を付して重複説−明を省略する。この
変形例では、導磁路（３）を２つの導磁部（３ｍ）、（
３ｂ） Ｋ分割し、その中間に対向して磁気抵抗感磁部
（４）を配した場合である。この場合は導磁部（３ａ）
が磁気記録媒体に対する対向面Ｓ側に位置し、磁気抵抗
効果感磁部（４）が内部に位置するので、再生時の感度
は第１図に比し低下するが、磁気記録媒体として金属媒
体を用いる場合に好適である。その他の構成及び動作は
第１図と同様であるので重複説明を省略する。
第６図は本発明による薄膜磁気ヘッドの他の変形例を示
し、絶縁体層（至）上に順次被着形成した磁性体層及び
導電体層上にエツチングマスクを形成して、例えばイオ
ンビームでエツチングすることにより、導磁路（３）上
に第２の導電体層（６）を直接被着形成して、Ｈ造工数
を減少せしめた場合である。
し、絶縁体層（至）上に順次被着形成した磁性体層及び
導電体層上にエツチングマスクを形成して、例えばイオ
ンビームでエツチングすることにより、導磁路（３）上
に第２の導電体層（６）を直接被着形成して、Ｈ造工数
を減少せしめた場合である。
この場合は、導磁路（３）が第２の導電体層（６）の一
部となる。なおその他の構成及び動作は第１図と同様で
あるので重複説明を省略する。
部となる。なおその他の構成及び動作は第１図と同様で
あるので重複説明を省略する。
なお、第１図の実施例において、第１及び第２の導電体
層（５） 、 （６）のいずれが一方を省略することも
できる、３この場合は、磁気抵抗効果感磁部（４）が磁
気記録媒体に対する対向面Ｓ側にあるので、第７図の従
来の薄膜磁気ヘッドに比べて、再生時の感度が高いとい
う利点がある。
層（５） 、 （６）のいずれが一方を省略することも
できる、３この場合は、磁気抵抗効果感磁部（４）が磁
気記録媒体に対する対向面Ｓ側にあるので、第７図の従
来の薄膜磁気ヘッドに比べて、再生時の感度が高いとい
う利点がある。
上述せる本発明によれば、記録再生が可能であると共に
、再生時において、第１及び第２の磁性体層を通る磁束
が少なくなるので、感度の低下、感度の不安定、感度の
ばらつきが少なく、バルクハウゼンノイズが少なく、ま
た作動ギャップｇへの漏れ磁束が頗る少ないので再生信
号のＳ／１１Ｊが高くなる、薄膜磁気ヘッドを得ること
ができる。
、再生時において、第１及び第２の磁性体層を通る磁束
が少なくなるので、感度の低下、感度の不安定、感度の
ばらつきが少なく、バルクハウゼンノイズが少なく、ま
た作動ギャップｇへの漏れ磁束が頗る少ないので再生信
号のＳ／１１Ｊが高くなる、薄膜磁気ヘッドを得ること
ができる。
ｆａ１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一例を示す断
面図、第２図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一例の要
部の平面図、第３図は第１図及び第２図の薄膜磁気ヘッ
ドの記録時の磁束分布を示す分布曲線図、第４図は第１
図及び第２図に示す薄膜磁気ヘッドの再生時の磁束分布
を示す分布曲線図、第５図は本発明による薄膜磁気ヘッ
ドの変形例を示す断面図、第６図は本発明による薄膜磁
気ヘッドの他の変形例を示す断面図、第７図は従来の薄
膜磁気ヘッドを示す断面図、第８図は第７図の従来の薄
膜磁気ヘッドの磁束分布を示す分布曲線図である。 （１）、（２）は第１及び第２の磁性体層、（３］は導
磁路、（５） 、 （６）は第１及び第２の導電体層、
（４ンは磁気抵抗効果感磁部、ｇは作動ギャップ、（７
）は磁気回路、 −８は磁気記録媒体に対する対向面で
ある。 同 松隈秀盛、／、（ム）さ。 Ｊ、１ １ ′ニ ー−Ｉｊν
面図、第２図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一例の要
部の平面図、第３図は第１図及び第２図の薄膜磁気ヘッ
ドの記録時の磁束分布を示す分布曲線図、第４図は第１
図及び第２図に示す薄膜磁気ヘッドの再生時の磁束分布
を示す分布曲線図、第５図は本発明による薄膜磁気ヘッ
ドの変形例を示す断面図、第６図は本発明による薄膜磁
気ヘッドの他の変形例を示す断面図、第７図は従来の薄
膜磁気ヘッドを示す断面図、第８図は第７図の従来の薄
膜磁気ヘッドの磁束分布を示す分布曲線図である。 （１）、（２）は第１及び第２の磁性体層、（３］は導
磁路、（５） 、 （６）は第１及び第２の導電体層、
（４ンは磁気抵抗効果感磁部、ｇは作動ギャップ、（７
）は磁気回路、 −８は磁気記録媒体に対する対向面で
ある。 同 松隈秀盛、／、（ム）さ。 Ｊ、１ １ ′ニ ー−Ｉｊν
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁気記録媒体に対する対向面側に作動ギャップを有する
磁気回路を形成する第１及び第２の磁性体層と、 該第１及び第２の磁性体層間の間隙内に位置し、上記磁
気記録媒体に対する対向面と反対側で上記磁気回路に磁
気的に連結される導磁路と、 該導磁路に磁気的に連結された磁気抵抗効果感磁部と、 上記導磁路並びに上記第１及び第２の磁性体層間に夫々
配された第１及び第２の導電体層とを有することを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6455785A JPS61222012A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6455785A JPS61222012A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222012A true JPS61222012A (ja) | 1986-10-02 |
Family
ID=13261647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6455785A Pending JPS61222012A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61222012A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63241713A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
| JPH01122009A (ja) * | 1987-07-29 | 1989-05-15 | Digital Equip Corp <Dec> | ３極の磁気記録ヘッド |
| JPH01277313A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-07 | Magnetic Peripherals Inc | データ読み取りの改良のための突起を有する磁気抵抗検出素子 |
| EP0389143A2 (en) * | 1989-03-20 | 1990-09-26 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic heads, their manufacture and magnetic information storage apparatus including them |
| EP0411915A2 (en) * | 1989-08-04 | 1991-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
| EP0414473A2 (en) * | 1989-08-24 | 1991-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head device |
| EP0516022A2 (en) * | 1991-05-30 | 1992-12-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Integrated thin film magnetic head |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP6455785A patent/JPS61222012A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63241713A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
| JPH01122009A (ja) * | 1987-07-29 | 1989-05-15 | Digital Equip Corp <Dec> | ３極の磁気記録ヘッド |
| US5311387A (en) * | 1987-07-29 | 1994-05-10 | Digital Equipment Corporation | Three-pole magnetic recording head with high readback resolution |
| JPH01277313A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-07 | Magnetic Peripherals Inc | データ読み取りの改良のための突起を有する磁気抵抗検出素子 |
| EP0389143A2 (en) * | 1989-03-20 | 1990-09-26 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic heads, their manufacture and magnetic information storage apparatus including them |
| EP0411915A2 (en) * | 1989-08-04 | 1991-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
| EP0411915A3 (en) * | 1989-08-04 | 1992-01-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
| EP0414473A2 (en) * | 1989-08-24 | 1991-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head device |
| EP0516022A2 (en) * | 1991-05-30 | 1992-12-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Integrated thin film magnetic head |
| US5535079A (en) * | 1991-05-30 | 1996-07-09 | Fukazawa; Toshio | Integrated thin film magnetic head |
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