JPS60157712A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS60157712A JPS60157712A JP1243384A JP1243384A JPS60157712A JP S60157712 A JPS60157712 A JP S60157712A JP 1243384 A JP1243384 A JP 1243384A JP 1243384 A JP1243384 A JP 1243384A JP S60157712 A JPS60157712 A JP S60157712A
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- Japan
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- bias
- circuit
- substrate
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘッドに係わる。
背景技術とその問題点
磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以１”ＭＲ型磁気ヘッドと
略称する。）において、その磁気記録媒体との対接面に
臨んで磁気ギャップが設けられた磁気回路に、上述した
磁気記録媒体との対接面より後退した位置に不連続部が
設けられこの不連続部を磁気的に連結するようにＭＲ効
果を有する金属薄膜より成る磁気抵抗効果素子（ＭＲ素
子）を配置した構成をとるようにしたＭＲ型磁気ヘット
がある。
略称する。）において、その磁気記録媒体との対接面に
臨んで磁気ギャップが設けられた磁気回路に、上述した
磁気記録媒体との対接面より後退した位置に不連続部が
設けられこの不連続部を磁気的に連結するようにＭＲ効
果を有する金属薄膜より成る磁気抵抗効果素子（ＭＲ素
子）を配置した構成をとるようにしたＭＲ型磁気ヘット
がある。
第１図は、この種のＭＲ型磁気ヘッドの一例の路線的拡
大断面図を示す。この場合、例えば磁性フェライトのＮ
ｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト等より
成る磁性基板（１）上に、この基板（１）が導電性を有
する場合には、これの上にＳ ｉｏ２等の絶縁層（２）
を介することによって、後述するＭＲ素子に対するバイ
アス磁界を与えるバイアス磁界発生用の電流通路となる
帯状の導電膜より成るバイアス導体（３）が被着され、
このバイアス導体（３）上に、絶縁層（４）を介して例
えば、Ｎｉ−Ｆｅ糸金合金或いはＮ１−Ｇｏ系合金等の
ＭＲ効果を有する磁性薄膜が幅ＷＭＲをもって被着され
たＭＲ素子（５）が配される。
大断面図を示す。この場合、例えば磁性フェライトのＮ
ｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト等より
成る磁性基板（１）上に、この基板（１）が導電性を有
する場合には、これの上にＳ ｉｏ２等の絶縁層（２）
を介することによって、後述するＭＲ素子に対するバイ
アス磁界を与えるバイアス磁界発生用の電流通路となる
帯状の導電膜より成るバイアス導体（３）が被着され、
このバイアス導体（３）上に、絶縁層（４）を介して例
えば、Ｎｉ−Ｆｅ糸金合金或いはＮ１−Ｇｏ系合金等の
ＭＲ効果を有する磁性薄膜が幅ＷＭＲをもって被着され
たＭＲ素子（５）が配される。
そして、この磁性薄膜のＭＲ素子（５）上に薄い絶縁層
（６）を介して各一端が跨り、バイアス導体（３）及び
ＭＲ素子（５）を横切る方向に延長して夫々、例えばＭ
ｏパーマロイより成り、夫々磁気回路の一部の磁気コア
となる対の磁性層（７）及び（８）が被着される。
（６）を介して各一端が跨り、バイアス導体（３）及び
ＭＲ素子（５）を横切る方向に延長して夫々、例えばＭ
ｏパーマロイより成り、夫々磁気回路の一部の磁気コア
となる対の磁性層（７）及び（８）が被着される。
基板（１）上には、非磁性の絶縁性保護層（９）を介し
て、保護基板００）が接合される。一方の磁性層（７）
と基板ｆｌ）の前方端との間には、所要の厚さを有する
非磁性ギャップスペーサ層（１１）が介在されて前方の
磁気ギャップｇが形成される。そしてこの磁気ギャップ
ｇが臨むように、基ｉ （１１、キャソプスペーザ層（
１１） 、磁性層（７）、保６ｇｔ層（９）及び保護基
板００）の前方面が研摩されて磁気記録媒体との対接面
（１２）が形成される。また、磁気ギャップｇを構成す
る磁性１ｔ＃ （７１の後方端と、他方の磁性層（８）
の前方端とは、夫々ＭＲ＃子（５）上に絶縁層（６）を
介して跨るように形成されるも、両端間には幅Ｗをもっ
て離間する不連続部（］３）が形成される。両磁性層（
７）及び（８）の後方端及び前方端は、ＭＲ素子（５）
の両側に夫々絶縁層（６）の介在によって電気的には絶
縁されるも、磁気的には結合するようになされ、両磁性
層（７）及び（８）の不連続部（１３）間がＭＲ素子（
５）によって磁気的に連結されて、基板（１）−磁気ギ
ャソブｇ−磁性層＋７１− Ｍ Ｒ素子（５）−磁性層
（８）−基＆（１）の閉磁路を形成する磁気回路が形成
される。
て、保護基板００）が接合される。一方の磁性層（７）
と基板ｆｌ）の前方端との間には、所要の厚さを有する
非磁性ギャップスペーサ層（１１）が介在されて前方の
磁気ギャップｇが形成される。そしてこの磁気ギャップ
ｇが臨むように、基ｉ （１１、キャソプスペーザ層（
１１） 、磁性層（７）、保６ｇｔ層（９）及び保護基
板００）の前方面が研摩されて磁気記録媒体との対接面
（１２）が形成される。また、磁気ギャップｇを構成す
る磁性１ｔ＃ （７１の後方端と、他方の磁性層（８）
の前方端とは、夫々ＭＲ＃子（５）上に絶縁層（６）を
介して跨るように形成されるも、両端間には幅Ｗをもっ
て離間する不連続部（］３）が形成される。両磁性層（
７）及び（８）の後方端及び前方端は、ＭＲ素子（５）
の両側に夫々絶縁層（６）の介在によって電気的には絶
縁されるも、磁気的には結合するようになされ、両磁性
層（７）及び（８）の不連続部（１３）間がＭＲ素子（
５）によって磁気的に連結されて、基板（１）−磁気ギ
ャソブｇ−磁性層＋７１− Ｍ Ｒ素子（５）−磁性層
（８）−基＆（１）の閉磁路を形成する磁気回路が形成
される。
ごのようなＭＲ型磁気ヘットにおいてはバイアス導体（
３）にバイアス用電流■Ｂを１ｌＴｌ電することによっ
てＭＲ素子（５）に所要のバイアス磁界をり−えるもの
である。このバイアス用電流■Ｂに対するＭＲ素子（５
）の感度は、第２図に示すように、成る電流値ＩＢＯと
、ｉＢｏとで最大の値をとる。そこで、このバイアス導
体（３）への通電電流ｌＢは、ＭＲ素子（５）に商い感
度を得るために、その電流値はｉＢｏまたは−ＩＢＯな
いしはその近傍の値に選定することが望まれる。
３）にバイアス用電流■Ｂを１ｌＴｌ電することによっ
てＭＲ素子（５）に所要のバイアス磁界をり−えるもの
である。このバイアス用電流■Ｂに対するＭＲ素子（５
）の感度は、第２図に示すように、成る電流値ＩＢＯと
、ｉＢｏとで最大の値をとる。そこで、このバイアス導
体（３）への通電電流ｌＢは、ＭＲ素子（５）に商い感
度を得るために、その電流値はｉＢｏまたは−ＩＢＯな
いしはその近傍の値に選定することが望まれる。
ところが、このようにＭＲ素子の近傍にバイアス導体を
配し、これに対する通電によってＭＲ素子にバイアス磁
界を与える電磁誘導による構成を採る場合、永久磁石を
用いる場合に比し、上述したＭＲ磁気ヘットの磁気回路
の、特に、薄映状に形成されるためにその磁気的特性が
問題となる磁性１＃ （７１及び（８）への漏洩磁束に
よる透磁率低−トの問題が生じてくる。すなわち、上述
の構造による磁気回路における磁性ＩＷ（７）及び（８
）の透磁率のバイアス導体（３）への通電電流、ずなわ
ぢバイアス用電流ＩＢに対する関係は、第３図に示すよ
うに、ＩＩ’ｌ０−０で最大をボす。このように、Ｍ−
Ｒ素子の感度と磁性ｒ＠ｆ７１及び（８）の透磁率とは
相客れないないものである。
配し、これに対する通電によってＭＲ素子にバイアス磁
界を与える電磁誘導による構成を採る場合、永久磁石を
用いる場合に比し、上述したＭＲ磁気ヘットの磁気回路
の、特に、薄映状に形成されるためにその磁気的特性が
問題となる磁性１＃ （７１及び（８）への漏洩磁束に
よる透磁率低−トの問題が生じてくる。すなわち、上述
の構造による磁気回路における磁性ＩＷ（７）及び（８
）の透磁率のバイアス導体（３）への通電電流、ずなわ
ぢバイアス用電流ＩＢに対する関係は、第３図に示すよ
うに、ＩＩ’ｌ０−０で最大をボす。このように、Ｍ−
Ｒ素子の感度と磁性ｒ＠ｆ７１及び（８）の透磁率とは
相客れないないものである。
したがって、ＭＲ素子へのバイアス磁界を与える手段と
しては、磁性層への磁界の影響の小さい永久磁石を用い
ることが望ましいが、この場合は、最適のバイアス磁界
を与えるための磁界の強さの微調整が難しい。
しては、磁性層への磁界の影響の小さい永久磁石を用い
ることが望ましいが、この場合は、最適のバイアス磁界
を与えるための磁界の強さの微調整が難しい。
発明の目的
本発明は、ＭＲ素子が畠い感度を示し、しかも磁気回路
が凡退磁率を示すようにした磁気抵抗効果素子気ヘット
を提供するものである。
が凡退磁率を示すようにした磁気抵抗効果素子気ヘット
を提供するものである。
発明の概要
本発明は、磁気キ、トップを有し、この磁気ギヤツブが
磁気記録媒体との対接面に臨んで設けられた磁気回路を
有し、この磁気回路には不連続部が設けられ、この不連
続部と磁気的に結合するように、磁気抵抗効果素子が設
けられ、磁気回路から離間した位置で、且つ磁気抵抗効
果素子の近傍に磁気抵抗効果素子にバイアスをり、える
硬磁性１湧いわゆる磁気的にハードな磁性膜が設けられ
てなるものである。
磁気記録媒体との対接面に臨んで設けられた磁気回路を
有し、この磁気回路には不連続部が設けられ、この不連
続部と磁気的に結合するように、磁気抵抗効果素子が設
けられ、磁気回路から離間した位置で、且つ磁気抵抗効
果素子の近傍に磁気抵抗効果素子にバイアスをり、える
硬磁性１湧いわゆる磁気的にハードな磁性膜が設けられ
てなるものである。
一実施例
第４図を参照して本発明によるＭＲ型磁気ヘッドの一例
を説明するが、第４図において第１し１を対応する部分
には同一符号を付して重複説明を省略する。
を説明するが、第４図において第１し１を対応する部分
には同一符号を付して重複説明を省略する。
この例においては、バイアス導体（３）−ヒにこれの上
に形成される絶縁層（４）を介して硬磁性膜、すなわち
いわゆる磁気的にハードな磁性膜（１４）を、ＭＲ素子
（５）の直下で、且つこれに近接し、ＭＲ素子（５）に
よって覆われるように設ける。この硬磁性膜（１４）は
、商抗磁力ではないが外部磁界によって磁化が反転する
ことのない程度の抗磁力Ｈｃ、例えばＨｃ≦２０（Ｏｅ
）のＮｉ−Ｃｏ合金等を用い得る。
に形成される絶縁層（４）を介して硬磁性膜、すなわち
いわゆる磁気的にハードな磁性膜（１４）を、ＭＲ素子
（５）の直下で、且つこれに近接し、ＭＲ素子（５）に
よって覆われるように設ける。この硬磁性膜（１４）は
、商抗磁力ではないが外部磁界によって磁化が反転する
ことのない程度の抗磁力Ｈｃ、例えばＨｃ≦２０（Ｏｅ
）のＮｉ−Ｃｏ合金等を用い得る。
そして、この磁性膜（１４）に、その面方向に沿い、且
つ基板１１−磁気ギャソプｇ−磁性層（７１−Ｍ Ｒ素
子（５）−磁性層（８）一基板ｆｌＪの閉磁路を形成す
る磁気回路に沿う方向の着磁をなす。このようにして着
磁された硬磁性＋１臭（１４）による磁界がこれの上に
覆うように形成されたＭＲ素子（５）にのみ殆んど与え
られるようにするものであり、このようにすることによ
っ゛ζ第２図に小したＭＲ素子のバイアス電流ＩＢに対
する感度の特性曲線を実質的にシフトさせ、ＩＢ＝０の
近傍で最大の感度を月くずようにする。
つ基板１１−磁気ギャソプｇ−磁性層（７１−Ｍ Ｒ素
子（５）−磁性層（８）一基板ｆｌＪの閉磁路を形成す
る磁気回路に沿う方向の着磁をなす。このようにして着
磁された硬磁性＋１臭（１４）による磁界がこれの上に
覆うように形成されたＭＲ素子（５）にのみ殆んど与え
られるようにするものであり、このようにすることによ
っ゛ζ第２図に小したＭＲ素子のバイアス電流ＩＢに対
する感度の特性曲線を実質的にシフトさせ、ＩＢ＝０の
近傍で最大の感度を月くずようにする。
このようにして、磁気回路、具体的には磁性層（７）及
び（８）の透磁率が最大をボずＩ Ｂ＝０においてＭＲ
素子（５）が商い感度を不すようにして両特性を一致さ
せる。
び（８）の透磁率が最大をボずＩ Ｂ＝０においてＭＲ
素子（５）が商い感度を不すようにして両特性を一致さ
せる。
面、上述した例では、バイアス導体（３）が設けられ、
ごれの−Ｅに、硬磁性ＩＩ（１４）を設けた場合で、こ
のよっにバイアス導体（３）をも設けておく場合はＭＲ
素子（５）に対する磁界を、着磁された硬磁性膜（１４
）によっ°ζ主として与えるものの、そのバイアス磁界
の微調整を、バイアス導体（３）への通電による電磁誘
導による磁界によって行うことができる。しかしながら
、この場合、バイアス導体（３）への通電電流は、バイ
アス磁界の微調整程度の微小電流で、これより得る磁界
も微弱ｅあり、更にこれの上にＭＲ素子（５）、すなわ
ち磁性膜か存在しでいるごとによって、このバイアス導
体（３）からの磁界が磁気回路に与える影響は殆んどな
く、したがってこれによって磁性層＋７） （８）の透
磁率を低士させるようなおそれはないものである。
ごれの−Ｅに、硬磁性ＩＩ（１４）を設けた場合で、こ
のよっにバイアス導体（３）をも設けておく場合はＭＲ
素子（５）に対する磁界を、着磁された硬磁性膜（１４
）によっ°ζ主として与えるものの、そのバイアス磁界
の微調整を、バイアス導体（３）への通電による電磁誘
導による磁界によって行うことができる。しかしながら
、この場合、バイアス導体（３）への通電電流は、バイ
アス磁界の微調整程度の微小電流で、これより得る磁界
も微弱ｅあり、更にこれの上にＭＲ素子（５）、すなわ
ち磁性膜か存在しでいるごとによって、このバイアス導
体（３）からの磁界が磁気回路に与える影響は殆んどな
く、したがってこれによって磁性層＋７） （８）の透
磁率を低士させるようなおそれはないものである。
また、このようにバイアス導体（３）を設けておくとき
は、この磁気ヘットの！Ｖ造後の特性チェックに際し、
これへの通電によってそのチェックを行うことができる
という実用上の便益がある。
は、この磁気ヘットの！Ｖ造後の特性チェックに際し、
これへの通電によってそのチェックを行うことができる
という実用上の便益がある。
発明の効果
上述したように本発明におい°ζは、ＭＲ素子の感度特
性と、磁気回路の透磁率牲性とを一致させるようにした
再生特性の向上、ずなわら磁気ヘッドとしての再生感度
を高めることができ、実用にイハしてその利益は大であ
る。
性と、磁気回路の透磁率牲性とを一致させるようにした
再生特性の向上、ずなわら磁気ヘッドとしての再生感度
を高めることができ、実用にイハしてその利益は大であ
る。
第１図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの拡大断面図
、第２図はそのＭＲ素子の感度−ハイアス電流特性曲線
図、第３図は透磁率−ハイ”１スミ流特性曲線図、第４
図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの拡大断面
図である。 ＋ｌ）は基板、（３）はバイアス導体、（５）はＭＲ素
子、（７）及び（８）は磁性層、（１４）は硬磁性膜で
ある。 第１図 第２図 第３図 第４図
、第２図はそのＭＲ素子の感度−ハイアス電流特性曲線
図、第３図は透磁率−ハイ”１スミ流特性曲線図、第４
図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの拡大断面
図である。 ＋ｌ）は基板、（３）はバイアス導体、（５）はＭＲ素
子、（７）及び（８）は磁性層、（１４）は硬磁性膜で
ある。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 磁気キャップを有し、該磁気ギャップが磁気記録媒体と
の対接面に臨んで設けられた磁気回路を有し、該磁気回
路には不連続部が設けられ、該不連続部と磁気的に結合
するように、磁気抵抗効果素子が設りられ、ト記磁気回
路から離間した位置で、且つ上記磁気抵抗効果素子の近
傍に該磁気抵抗効果素子にハイ−１スを５．える硬磁性
膜が設けられてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243384A JPS60157712A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243384A JPS60157712A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60157712A true JPS60157712A (ja) | 1985-08-19 |
Family
ID=11805152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1243384A Pending JPS60157712A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60157712A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0204902A2 (en) * | 1985-03-20 | 1986-12-17 | Sony Corporation | Yoke type magnetic transducer head utilizing a magnetoresistance effect |
| US4903158A (en) * | 1988-07-28 | 1990-02-20 | Eastman Kodak Company | MR head with complementary easy axis permanent magnet |
| EP0669609A2 (fr) * | 1994-02-28 | 1995-08-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés |
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5263709A (en) * | 1975-11-21 | 1977-05-26 | Hitachi Ltd | Film magnetic head of magnetic resistance effective type |
| JPS56148719A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-18 | Fujitsu Ltd | Production of magnetic head |
-
1984
- 1984-01-26 JP JP1243384A patent/JPS60157712A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5263709A (en) * | 1975-11-21 | 1977-05-26 | Hitachi Ltd | Film magnetic head of magnetic resistance effective type |
| JPS56148719A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-18 | Fujitsu Ltd | Production of magnetic head |
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| EP0669609A2 (fr) * | 1994-02-28 | 1995-08-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés |
| FR2716741A1 (fr) * | 1994-02-28 | 1995-09-01 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés. |
| EP0669609A3 (fr) * | 1994-02-28 | 1995-10-18 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés. |
| US5798895A (en) * | 1994-02-28 | 1998-08-25 | Commissariat A L'energie Atomique | Magnetic reading head having a magnetoresistant element and improved polarization means |
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
| US5653013A (en) * | 1994-08-18 | 1997-08-05 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head |
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