JPS58220240A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS58220240A JPS58220240A JP10139482A JP10139482A JPS58220240A JP S58220240 A JPS58220240 A JP S58220240A JP 10139482 A JP10139482 A JP 10139482A JP 10139482 A JP10139482 A JP 10139482A JP S58220240 A JPS58220240 A JP S58220240A
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- Japan
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- layer
- magnetic field
- shield layer
- conductive
- permalloy
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッドに係り、さらに詳し
“くは反磁界を減少させ、短波長の再生能力を著るしく
増大させた磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関するものであ
る。
“くは反磁界を減少させ、短波長の再生能力を著るしく
増大させた磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関するものであ
る。
磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドと言う）は
磁気抵抗効果−子（ＭＲ素子）を用いた磁気ヘッドであ
る。ＭＲ素子は抗効値が磁界の強さに依存して変化する
特性を利用したもので、再生出力が記録媒体の走行速度
に依存せず、磁気信号の波長のみによって決まるため、
低速でも十分な再生出力が得られ、Ｉ Ｃ（Ｉｎｔｅｇ
ｌａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔ集積回路）と同様な薄膜技
術で製造することができるため、マルチトラック化が容
易であるなど利点を有し、最近では磁気記録再生装置の
再生用ヘッドとして注目を集めている。
磁気抵抗効果−子（ＭＲ素子）を用いた磁気ヘッドであ
る。ＭＲ素子は抗効値が磁界の強さに依存して変化する
特性を利用したもので、再生出力が記録媒体の走行速度
に依存せず、磁気信号の波長のみによって決まるため、
低速でも十分な再生出力が得られ、Ｉ Ｃ（Ｉｎｔｅｇ
ｌａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔ集積回路）と同様な薄膜技
術で製造することができるため、マルチトラック化が容
易であるなど利点を有し、最近では磁気記録再生装置の
再生用ヘッドとして注目を集めている。
このようなＭＲヘッドに使用されるＭＲ素子の単体とし
ての再生特性は印加磁界の偶数関数とな多線形性が悪い
。そこで、ＭＲ素子にバイアス磁界を加え、再生特性の
うち線形性のよい領域を動作領域に選んで使用している
。
ての再生特性は印加磁界の偶数関数とな多線形性が悪い
。そこで、ＭＲ素子にバイアス磁界を加え、再生特性の
うち線形性のよい領域を動作領域に選んで使用している
。
又、短波長までの再生に使用する場合には分解能を上げ
るためにＭＲ素子の両側に磁性体からなるシールド層を
設けて使用している。
るためにＭＲ素子の両側に磁性体からなるシールド層を
設けて使用している。
このような構造を有するＭＲヘッドにおいて、従来から
用いられているバイアス磁界を印加する方法としては永
久磁石を設は外部からＭＲ素子に磁界を印加する方法と
、ＭＲ素子の近傍に導電層を設け、ここに電流を流して
バイアス磁界を発生させる方法がある。
用いられているバイアス磁界を印加する方法としては永
久磁石を設は外部からＭＲ素子に磁界を印加する方法と
、ＭＲ素子の近傍に導電層を設け、ここに電流を流して
バイアス磁界を発生させる方法がある。
永久磁石を用いる方法はシールド層が設けられている場
合にはＭＲ素子自体に有効な磁界を加えることが困難で
、ＭＲ素子以外の部分にも磁界による影響を与えてしま
う欠点があった。
合にはＭＲ素子自体に有効な磁界を加えることが困難で
、ＭＲ素子以外の部分にも磁界による影響を与えてしま
う欠点があった。
”一方、電流を流すことによルバイアス磁界を発生させ
る方法を採用したＭＲヘッドは第１図及び第２図に示す
ような構造を採用している。
る方法を採用したＭＲヘッドは第１図及び第２図に示す
ような構造を採用している。
（３）
両図において、符号１で示すものは基板で、この基板１
上にシールド層２及び導電層３を形成しこの導電層３上
にＭＲ素子４及びリード線部５゜５を形成しである。こ
のＭＲ素子４土には更にシールド層６を形成し、一番外
側から保護板１を重ねることによシＭＲヘッドを構成し
ている。
上にシールド層２及び導電層３を形成しこの導電層３上
にＭＲ素子４及びリード線部５゜５を形成しである。こ
のＭＲ素子４土には更にシールド層６を形成し、一番外
側から保護板１を重ねることによシＭＲヘッドを構成し
ている。
第２図においては各部間の絶縁を保つための絶縁層を符
号１０で示しである。
号１０で示しである。
第２図において符号８で示すものは保護板１を固定する
ための接着層、符号９は磁気記録媒体の摺動面を示す。
ための接着層、符号９は磁気記録媒体の摺動面を示す。
このような構造をもつＭＲヘッドは導電層３に電流を流
すことによりバイアス磁界を発生させることができ、シ
ールド層２．６によりシールド効果をも満足させること
ができる。
すことによりバイアス磁界を発生させることができ、シ
ールド層２．６によりシールド効果をも満足させること
ができる。
このような構造のもとでは磁気記録媒体に記録された磁
気信号の波長がλがＭＲ素子１とシールド層２，６との
間の間隔Ｇｌｌ Ｇ２（Ｇｌ＞６２）に等しい時、再生
州内は極小となる。これは間隔Ｇ１．Ｇ２を従来のリン
グ型磁気ヘッドのギャップに対応させ（４） て考えると容易に理解できる。
気信号の波長がλがＭＲ素子１とシールド層２，６との
間の間隔Ｇｌｌ Ｇ２（Ｇｌ＞６２）に等しい時、再生
州内は極小となる。これは間隔Ｇ１．Ｇ２を従来のリン
グ型磁気ヘッドのギャップに対応させ（４） て考えると容易に理解できる。
このような構造のため、使用できる信号波長をλとする
と前述した間隔Ｇ１． ’Ｇ２との関係は次の（１）式
となる。
と前述した間隔Ｇ１． ’Ｇ２との関係は次の（１）式
となる。
λ〉Ｇ□＞Ｇ２ 曲・−・・・・曲−（１）この
（１）式は使用すべき竺長λを小さくしたい場合にはＧ
□を小さくする必要があることを示している。
（１）式は使用すべき竺長λを小さくしたい場合にはＧ
□を小さくする必要があることを示している。
間隔Ｇ１は導電層３の厚みと、絶縁層１ｏの厚み２層分
との和である。
との和である。
ところで、導電層３の厚みはバイアス磁界を発生する丸
めの電流量を確保する必要から下限がある。又、絶縁層
１ｏの厚みにも絶縁性確保のためにやはり下限がある。
めの電流量を確保する必要から下限がある。又、絶縁層
１ｏの厚みにも絶縁性確保のためにやはり下限がある。
−
この結果、従来の構造においては実際には間隔Ｇ１を２
μｍ以下とすることは困難である。この、ため（１）式
からこの構造で使用できる信号波長は２μｍ以上となシ
、これ以下の短波長の再生ができないという欠点があっ
た。
μｍ以下とすることは困難である。この、ため（１）式
からこの構造で使用できる信号波長は２μｍ以上となシ
、これ以下の短波長の再生ができないという欠点があっ
た。
このような欠点を改良するために導電層３とシールド層
２とを入れ換えてＧ１を小さくしようとする構造が提案
されたが、導電層ａがＭＲ素子４から離れてしまいバイ
アス磁界を与える効率が悪くなってしまう。又、導電層
３を流れる電流を作る磁界がシールド層によってシール
ド作用を受け、ＭＲ素子の磁界が加わらないことになシ
、バイアス磁界を十分に印加することができないという
欠点があった。
２とを入れ換えてＧ１を小さくしようとする構造が提案
されたが、導電層ａがＭＲ素子４から離れてしまいバイ
アス磁界を与える効率が悪くなってしまう。又、導電層
３を流れる電流を作る磁界がシールド層によってシール
ド作用を受け、ＭＲ素子の磁界が加わらないことになシ
、バイアス磁界を十分に印加することができないという
欠点があった。
本発明は以上のような従来の欠点を除去するためになさ
れたもので、ＭＲ素子に対するバイアス磁界を容易に加
えることができると共に、短波長の磁気信号の再生を可
能にしたＭＲヘッドを提供することを目的としている。
れたもので、ＭＲ素子に対するバイアス磁界を容易に加
えることができると共に、短波長の磁気信号の再生を可
能にしたＭＲヘッドを提供することを目的としている。
本発明においては上記の目的を達成するためにＭＲ素子
の近傍に絶縁層を介して、シールド層としての機能と、
バイアス磁界発生のだめの電流量流す電流路としての機
能を果たす導電性シールド層な形成した構造を採用して
いる。
の近傍に絶縁層を介して、シールド層としての機能と、
バイアス磁界発生のだめの電流量流す電流路としての機
能を果たす導電性シールド層な形成した構造を採用して
いる。
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。
する。
第３図は本発明の一実施例を説明するもので、図中第１
図及び第２図と同一部分には同一符号を付しである。
図及び第２図と同一部分には同一符号を付しである。
第３図に示す実施例にあってはガラスやシリコン（Ｓｉ
）等からなる非磁性の基板１上に、蒸着法。
）等からなる非磁性の基板１上に、蒸着法。
ＥＢ （Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍｒ：エレクトロン
ビーム）蒸着法。
ビーム）蒸着法。
スパッタリング法等の薄膜堆積法と、フォトリングラフ
ィ技術によって導電性シールド層１１が形成されている
。この導電性シールド層１１はハ−マロイ、センダスト
、アモルファス磁性体等の導電性の高透磁率磁性材料か
らなシ、この上に、ＳｉＯ□、 ＃、０．等からなる絶
縁層１０が形成され、この絶縁層１０の上にパーマロイ
等からなるＭＲ素子４が形成されている。ＭＲ素子４の
上側には同じく絶縁層１０が形成され、その上側にはパ
ーマロイ、センダスト、アモルファス磁性体、Ｍｎ−Ｚ
ｎフェライト等の高透磁率磁性材料からなるシールド層
２が形成され、更にその上に水ガラス。
ィ技術によって導電性シールド層１１が形成されている
。この導電性シールド層１１はハ−マロイ、センダスト
、アモルファス磁性体等の導電性の高透磁率磁性材料か
らなシ、この上に、ＳｉＯ□、 ＃、０．等からなる絶
縁層１０が形成され、この絶縁層１０の上にパーマロイ
等からなるＭＲ素子４が形成されている。ＭＲ素子４の
上側には同じく絶縁層１０が形成され、その上側にはパ
ーマロイ、センダスト、アモルファス磁性体、Ｍｎ−Ｚ
ｎフェライト等の高透磁率磁性材料からなるシールド層
２が形成され、更にその上に水ガラス。
低融点ガラス、エポキシ樹脂等からなる接着層８を介し
て保護板７が接着されてする。
て保護板７が接着されてする。
（７）
このように、ＭＲ素子４の近傍に絶縁層を介して配置さ
れた導電性シールド層１１を有するため、これにトラッ
ク方向、第３図においては紙面に垂直な方向へ電流を流
すことによｆｉ、ＭＲ素子４の幅方向にバイアス磁界を
加えることができる。
れた導電性シールド層１１を有するため、これにトラッ
ク方向、第３図においては紙面に垂直な方向へ電流を流
すことによｆｉ、ＭＲ素子４の幅方向にバイアス磁界を
加えることができる。
即ち、導電性シールド層１１はシールド層としての機能
とバイアス磁界用の電流を流す導電層としての機能との
両方の機能を備えている。
とバイアス磁界用の電流を流す導電層としての機能との
両方の機能を備えている。
このような構造を採用すると、ＭＲ素子４の厚みが０．
０５μｍと極めて薄いことからＭＲ素子４と導電性シー
ルド層１１及びシールド層２との間の間隔Ｇ、、Ｇ、は
ほぼ絶縁層１０の厚みによって決定される。
０５μｍと極めて薄いことからＭＲ素子４と導電性シー
ルド層１１及びシールド層２との間の間隔Ｇ、、Ｇ、は
ほぼ絶縁層１０の厚みによって決定される。
この結果、絶縁層１０の厚みを０．２５〜０．４５μｍ
とすれば、Ｇ、、Ｇ２を０．３〜０．５μｍ程度と小さ
くすることができる。Ｇ１．Ｇ２を小さくすることがで
きれば前述した（１）式から磁気信号の波長λ゛を従来
の２μ・程度よシはる′ア・に短かいものとすることが
でき、短波長の再生が可能となる。
とすれば、Ｇ、、Ｇ２を０．３〜０．５μｍ程度と小さ
くすることができる。Ｇ１．Ｇ２を小さくすることがで
きれば前述した（１）式から磁気信号の波長λ゛を従来
の２μ・程度よシはる′ア・に短かいものとすることが
でき、短波長の再生が可能となる。
又、ＭＲ素子４の近傍に導電性シールド層１１（８）
を設けたことによりバイアス磁界を効率よく発生するこ
とができる。
とができる。
更に導電性シールド層１１に電流を流すためのリード部
を導電性シールド層１１と兼用して一体的に形成すれば
層構造を減少させることができ製造工程の簡略化が計れ
る。
を導電性シールド層１１と兼用して一体的に形成すれば
層構造を減少させることができ製造工程の簡略化が計れ
る。
ところで、導電性シールド層１１の材質としては前述し
たいくつかの材料のうちパーマロイが望ましい。これは
導電率がパーマロイが小さく、耐食性がよく製造が容易
であることによる９例えば７８パーマｐイの導電率は５
５μ釦町センダスト１００μΩｍ、アモルファス磁性体
１５．０μΩ国で、パーマロイの導電率が一番小さい。
たいくつかの材料のうちパーマロイが望ましい。これは
導電率がパーマロイが小さく、耐食性がよく製造が容易
であることによる９例えば７８パーマｐイの導電率は５
５μ釦町センダスト１００μΩｍ、アモルファス磁性体
１５．０μΩ国で、パーマロイの導電率が一番小さい。
一方、第３図に示す実施例において基板１を廁−Ｚｎフ
ェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等の磁性材から構成す
ると、シールド効果が更に高まり、導電性シールド層１
１に流す電流がバイアス磁界を発生する効率を高める効
果がある。
ェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等の磁性材から構成す
ると、シールド効果が更に高まり、導電性シールド層１
１に流す電流がバイアス磁界を発生する効率を高める効
果がある。
ただし、基板１の導電性が問題となる場合には導電性シ
ールド層１１との間に絶縁層を設ける必要がある゛。
ールド層１１との間に絶縁層を設ける必要がある゛。
第４図は本発明の他の実施例を説明するもので、本実施
例にあっては第３図と比較して明らかなようにシールド
層２と導電性シールド層１１との配置を入れ換えた構造
を採用している。
例にあっては第３図と比較して明らかなようにシールド
層２と導電性シールド層１１との配置を入れ換えた構造
を採用している。
このような構造を採用すると第３図に示した実施例と同
様の効果が得られる他に各層を形成する上で平面性を確
実に保つ効果がある。又、基板１ｆ Ｍｎ −Ｚｎフエ
□ライト、センダスト等の磁性材料で構成すると、シー
ルド層２を省略することができ、層構造を減少させ簡略
化できる。
様の効果が得られる他に各層を形成する上で平面性を確
実に保つ効果がある。又、基板１ｆ Ｍｎ −Ｚｎフエ
□ライト、センダスト等の磁性材料で構成すると、シー
ルド層２を省略することができ、層構造を減少させ簡略
化できる。
第５図は本発明の更に他の実施例全説明するもので、本
実施例にあってはＭＲ素子４な挾んで絶縁層１０金介し
て導電性シールド層１１．１１を設けである。
実施例にあってはＭＲ素子４な挾んで絶縁層１０金介し
て導電性シールド層１１．１１を設けである。
このような構造を採用すると２つの導電性シールド層に
バイアス磁界用の電流金流すことができる。
バイアス磁界用の電流金流すことができる。
ただし、２つの導電性シールド層１１．１１にはそれぞ
れ逆向きの電流を流しＭＲ素子４に対しては同一方向の
バイアス磁界が加わるように構成されている。
れ逆向きの電流を流しＭＲ素子４に対しては同一方向の
バイアス磁界が加わるように構成されている。
この結果、バイアス磁界発生の効果が２倍となり大きな
バイアス磁界を加えることを可能にしている。換言すれ
ば必要なバイアス磁界を得るだめの電流を２つの導電性
シールド層で分担でき、発熱量を小さくすることが可能
となる。
バイアス磁界を加えることを可能にしている。換言すれ
ば必要なバイアス磁界を得るだめの電流を２つの導電性
シールド層で分担でき、発熱量を小さくすることが可能
となる。
ところで、ここで上述した各実施例において示した導電
性シールド層１１の幅について説明する。
性シールド層１１の幅について説明する。
とじて示したが、この幅ＷｓｔｉＭＲ素子４のストライ
プ幅（第１図１ｃ ＷＭＲで示す）と同一である必要は
なく、導電性シールド層１１の幅は次のようにして決定
される。
プ幅（第１図１ｃ ＷＭＲで示す）と同一である必要は
なく、導電性シールド層１１の幅は次のようにして決定
される。
即ち十分なシールド効果を得るためにはＷ８はＷＭＲよ
り十分大きい方が望ましい。しかし、バイアス磁界発生
の観点から考えると、導電性シールド層１１のうちＭＲ
素子４からはみ出た部分を流れる電流がバイアス磁界発
生のために寄与する割（１１） 合は小さい。そヒて、Ｗ８ ′ｆ：ＷＭＩＬよりもあま
シ大きくするとバイアス磁界発生の効率が悪くなる。
り十分大きい方が望ましい。しかし、バイアス磁界発生
の観点から考えると、導電性シールド層１１のうちＭＲ
素子４からはみ出た部分を流れる電流がバイアス磁界発
生のために寄与する割（１１） 合は小さい。そヒて、Ｗ８ ′ｆ：ＷＭＩＬよりもあま
シ大きくするとバイアス磁界発生の効率が悪くなる。
従って、上述した点と製造上の便宜を考慮すると導電性
シールド層１１の幅Ｗｓは次の（２）式で決定される範
囲にあることが望ましい。
シールド層１１の幅Ｗｓは次の（２）式で決定される範
囲にあることが望ましい。
ＷＭＲ≦Ｗｓ≦３ＷＭＩＬ ・・・・・・・・・・
・・・・・ （２１上述した各実施例は単一トラックに
適用した場合について示したが、勿論マルチトラック化
した場合についても同様の効果が得られる。
・・・・・ （２１上述した各実施例は単一トラックに
適用した場合について示したが、勿論マルチトラック化
した場合についても同様の効果が得られる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、ＭＲ素
子に近接して導電性磁性材料からなる電流路を設けた構
造を採用しているため、短波長の再生を可能とし、電流
によるバイアス磁界の印加能力を向上させ、積層される
層の数で減少させ構造を簡単にし製造を容易にすること
ができる。
子に近接して導電性磁性材料からなる電流路を設けた構
造を採用しているため、短波長の再生を可能とし、電流
によるバイアス磁界の印加能力を向上させ、積層される
層の数で減少させ構造を簡単にし製造を容易にすること
ができる。
第１図は従来のＭＲヘッドの分解斜視図、第２図は従来
のＭＲヘッドの一部拡大縦断側面図、第３図〜第５図は
本発明のそれぞれ異なった実施例（１２） を示す一部拡大縦断側面図である。 １・・・基板 ２．６・・・シールド層４・
・・ＭＲ素子 １・・・保護板８６９．接着層
９・・・磁気記録媒体摺動面１０・・・絶
縁層 １１・・・導電性シールド層０Ｏ Ｎ泊９♀− 手続補正書（自発） 昭和５７年 ９月 １日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和 ５７ 年特許願 第 １０１３９４ 号２、発
明の名称 磁気抵抗効果型磁気ヘッド ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （１００） キャノン株式会社４
、代理人 電話 ０３ （２６Ｂ）２４８１ （
（（Ｄ図面 ６、補正の内容 別紙の通り 補正の内容 ｌ）明細書第２頁第１１行目の「抗効値」を「抵抗値」
に訂正する。 ２）図中、第１図、第２図、第４図を別紙の通り補正す
る。 第１図 第２図 第４図
のＭＲヘッドの一部拡大縦断側面図、第３図〜第５図は
本発明のそれぞれ異なった実施例（１２） を示す一部拡大縦断側面図である。 １・・・基板 ２．６・・・シールド層４・
・・ＭＲ素子 １・・・保護板８６９．接着層
９・・・磁気記録媒体摺動面１０・・・絶
縁層 １１・・・導電性シールド層０Ｏ Ｎ泊９♀− 手続補正書（自発） 昭和５７年 ９月 １日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和 ５７ 年特許願 第 １０１３９４ 号２、発
明の名称 磁気抵抗効果型磁気ヘッド ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （１００） キャノン株式会社４
、代理人 電話 ０３ （２６Ｂ）２４８１ （
（（Ｄ図面 ６、補正の内容 別紙の通り 補正の内容 ｌ）明細書第２頁第１１行目の「抗効値」を「抵抗値」
に訂正する。 ２）図中、第１図、第２図、第４図を別紙の通り補正す
る。 第１図 第２図 第４図
Claims (4)
- （１）基板上に薄膜堆積法によシ磁気抵抗効果素子を形
成した磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵
抗効果素子に近接して導電性シールド層を形成し、この
導電性シールド層をバイアス磁界発生のための電流路と
すると共にシールド層を兼ねさせたことを特徴とする磁
気抵抗効果型磁気ヘッド。 - （２）導電性シールド層を磁気抵抗効果素子の一方の側
に形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - （３）導電性シールド層を磁気抵抗効果素子を挾んで配
置し、それぞれの導電性シールド層に流れる電流の向き
を逆向きになるように構成したことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - （４） 導電性シールド層をパーマロイから形成した
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３項までの
いずれか１項記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139482A JPS58220240A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139482A JPS58220240A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58220240A true JPS58220240A (ja) | 1983-12-21 |
Family
ID=14299520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10139482A Pending JPS58220240A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58220240A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5555147A (en) * | 1992-04-20 | 1996-09-10 | Nec Corporation | MR/inductive combined thin film magnetic head capable of reducing occurrence of a short circuit |
| US5568335A (en) * | 1994-12-29 | 1996-10-22 | International Business Machines Corporation | Multi-layer gap structure for high resolution magnetoresistive read head |
| US6061210A (en) * | 1997-09-22 | 2000-05-09 | International Business Machines Corporation | Antiparallel pinned spin valve with high magnetic stability |
-
1982
- 1982-06-15 JP JP10139482A patent/JPS58220240A/ja active Pending
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