JPH0542729B2 - - Google Patents
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- JPH0542729B2 JPH0542729B2 JP20002684A JP20002684A JPH0542729B2 JP H0542729 B2 JPH0542729 B2 JP H0542729B2 JP 20002684 A JP20002684 A JP 20002684A JP 20002684 A JP20002684 A JP 20002684A JP H0542729 B2 JPH0542729 B2 JP H0542729B2
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- thin film
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録媒体として、磁気テープ、磁
気デイスクを使用した磁気記録装置において、高
記録密度化、高信頼性化、低価格化等の要請が強
まる中で従来のバルク材料で作製される磁気ヘツ
ドに代わり、薄膜作製技術、フオトリソグラフイ
技術を駆使して、狭ギヤツプ、狭トラツク、マル
チトラツク化を実現し、かつ上記要請をも満足す
る薄膜磁気ヘツドに関するものである。
気デイスクを使用した磁気記録装置において、高
記録密度化、高信頼性化、低価格化等の要請が強
まる中で従来のバルク材料で作製される磁気ヘツ
ドに代わり、薄膜作製技術、フオトリソグラフイ
技術を駆使して、狭ギヤツプ、狭トラツク、マル
チトラツク化を実現し、かつ上記要請をも満足す
る薄膜磁気ヘツドに関するものである。
従来例の構成とその問題点
最近、磁気記録装置においてトラツク密度の向
上に伴なうトラツク幅の短縮と磁気テープ走行速
度の低速化などから再生ヘツドとして磁気抵抗効
果素子（以下MREと言う）を使つた磁気抵抗効
果型ヘツド（以下MRヘツドと言う）が広く使用
されつつある。その代表的な構造を第１図に示
す。第１図において強磁性基板、例えばMn−
Zn、Ni−Znなどのフエライト基板１上にSiO2な
どの第１の絶縁層２をスパツタ法にて積層し、そ
の上にMREとしてのNi−Fe膜３を形成し磁気テ
ープ９と接する如くフオトリソグラフイ技術によ
つてパターン化される。その後SiO、SiO2などの
第２の絶縁層４が蒸着、スパツタなどで形成され
る。この第２の絶縁層４上に強磁性薄膜、例えば
Ni−Fe膜５を電子ビーム蒸着、スパツタなどで
形成した後、SiO、SiO2など、保護層６を蒸着、
スパツタ等で積層する。その後接着剤７などでガ
ラス又はセラミツク等の保護基板８が接着され
る。以上の工程後ヘツド、テープ摺動面がラツプ
されて完成される。第１図に示す従来構造におけ
る問題点を列挙していく。
上に伴なうトラツク幅の短縮と磁気テープ走行速
度の低速化などから再生ヘツドとして磁気抵抗効
果素子（以下MREと言う）を使つた磁気抵抗効
果型ヘツド（以下MRヘツドと言う）が広く使用
されつつある。その代表的な構造を第１図に示
す。第１図において強磁性基板、例えばMn−
Zn、Ni−Znなどのフエライト基板１上にSiO2な
どの第１の絶縁層２をスパツタ法にて積層し、そ
の上にMREとしてのNi−Fe膜３を形成し磁気テ
ープ９と接する如くフオトリソグラフイ技術によ
つてパターン化される。その後SiO、SiO2などの
第２の絶縁層４が蒸着、スパツタなどで形成され
る。この第２の絶縁層４上に強磁性薄膜、例えば
Ni−Fe膜５を電子ビーム蒸着、スパツタなどで
形成した後、SiO、SiO2など、保護層６を蒸着、
スパツタ等で積層する。その後接着剤７などでガ
ラス又はセラミツク等の保護基板８が接着され
る。以上の工程後ヘツド、テープ摺動面がラツプ
されて完成される。第１図に示す従来構造におけ
る問題点を列挙していく。
(1) MREには再生出力を取り出すためにセンス
電流を流す必要がある。しかし近年高密度記録
用の金属蒸着磁気テープが開発され、この蒸着
テープの記録磁性層は導電性を有しているた
め、MREに流すべきセンス電流がテープ磁性
層に流れ込むことになる。この結果はMRヘツ
ドとして満足すべき再生出力が得られない。
電流を流す必要がある。しかし近年高密度記録
用の金属蒸着磁気テープが開発され、この蒸着
テープの記録磁性層は導電性を有しているた
め、MREに流すべきセンス電流がテープ磁性
層に流れ込むことになる。この結果はMRヘツ
ドとして満足すべき再生出力が得られない。
(2) 第１図のMRE３の両側には第１の絶縁層２
及び第２の絶縁層４を形成せねばならない。こ
のMRヘツドでの磁気ギヤツプ長は第１の絶縁
層２と第２の絶縁層４との膜厚を等しくすれ
ば、この膜厚が等価ギヤツプ長となる。しか
し、一般にこの２つの膜厚を正確に合致させる
ことは難しい。この時のMRヘツドはダブルギ
ヤツプ的挙動を示し、複雑な周波数特性を示
す。
及び第２の絶縁層４を形成せねばならない。こ
のMRヘツドでの磁気ギヤツプ長は第１の絶縁
層２と第２の絶縁層４との膜厚を等しくすれ
ば、この膜厚が等価ギヤツプ長となる。しか
し、一般にこの２つの膜厚を正確に合致させる
ことは難しい。この時のMRヘツドはダブルギ
ヤツプ的挙動を示し、複雑な周波数特性を示
す。
(3) 第１図のMRE３に磁気バイアスをかける手
段として電流法を適用すると、MREと同幅の
バイアス線をMREの下層又は上層に形成する
必要があり、バイアス線の厚さ分だけギヤツプ
長は広がることになり、短波長信号再生時は極
めて不都合である。
段として電流法を適用すると、MREと同幅の
バイアス線をMREの下層又は上層に形成する
必要があり、バイアス線の厚さ分だけギヤツプ
長は広がることになり、短波長信号再生時は極
めて不都合である。
(4) MRE３の先端部がヘツド先端部で露出して
いること及び再生時には常時テープ面に接する
ことなどからMRE３の耐摩耗性、周囲環境条
件による耐久性に問題がある。
いること及び再生時には常時テープ面に接する
ことなどからMRE３の耐摩耗性、周囲環境条
件による耐久性に問題がある。
(5) 上記(1)の問題の解決策としてMRE３をヘツ
ド先端から奥まつたところに配置する構成のも
のがあるが、この方式はMRヘツドがMRE３
のリセス量だけ磁気テープ９との間にスペーシ
ングを発生したことと等価であり、短波長再生
出力に大きな減衰原因となる。
ド先端から奥まつたところに配置する構成のも
のがあるが、この方式はMRヘツドがMRE３
のリセス量だけ磁気テープ９との間にスペーシ
ングを発生したことと等価であり、短波長再生
出力に大きな減衰原因となる。
また、以上に示された欠点を改良するヘツドと
して、従来、第２図に示されているように、磁気
記録媒体からの信号磁界をMREに導くためのヨ
ークを有する磁気ヘツド（以下YMRHと言う）
が知られている。
して、従来、第２図に示されているように、磁気
記録媒体からの信号磁界をMREに導くためのヨ
ークを有する磁気ヘツド（以下YMRHと言う）
が知られている。
第２図において、強磁性基板１１上にSiO2あ
るいはAl2O3などの第１絶縁層１２をスパツタな
どにより形成し、次いで、その上にMREにバア
イス磁界を印加するための第１の導体薄膜１３が
形成される。材料としてCr下地Au、あるいはAl
などを使用しフオトリソグラフイ技術によつて所
定の形状にパターン化される。その後、SiO、
SiO2などの第２絶縁層１４が蒸着、スパツタな
どで形成される。この第２絶縁層１４上にMRE
１５としてのNi−Fe薄膜を電子ビーム蒸着、ス
パツタなどで形成した後、このNi−Fe薄膜はフ
オトリソグラフイ技術によつてパターン化され
る。次に、MRE１５にセンス電流を流すための
第２の導体薄膜（図示せず）が形成され、パター
ン化される。これらの上に第３絶縁層１６が形成
された後、磁気記録媒体からの信号磁界をMRE
１５に導くための強磁性薄膜、例えばNi−Fe膜
あるいはFe−Al−Si膜、アモルフアス軟磁性膜
が、形成され、フオトリソグラフイ技術によつ
て、前部ヨーク部１７、後部ヨーク部１８が構成
される。この時、前部ヨーク部１７および後部ヨ
ーク部１８はMRE１５と一部オーバーラツプし
ており、磁気記録媒体からの信号磁界が、MRE
１５に導びかれやすいように構成される。次い
で、SiO、SiO2などのパツシベーシヨン膜１９が
形成され、その後、接着剤などによつてガラス、
セラミツク等の保護基板２０が接着される。以上
の工程後、ヘツドテープ摺動面がラツプされて完
成される。第２図における２１は磁気テープであ
りＡはテープ走行方向である。
るいはAl2O3などの第１絶縁層１２をスパツタな
どにより形成し、次いで、その上にMREにバア
イス磁界を印加するための第１の導体薄膜１３が
形成される。材料としてCr下地Au、あるいはAl
などを使用しフオトリソグラフイ技術によつて所
定の形状にパターン化される。その後、SiO、
SiO2などの第２絶縁層１４が蒸着、スパツタな
どで形成される。この第２絶縁層１４上にMRE
１５としてのNi−Fe薄膜を電子ビーム蒸着、ス
パツタなどで形成した後、このNi−Fe薄膜はフ
オトリソグラフイ技術によつてパターン化され
る。次に、MRE１５にセンス電流を流すための
第２の導体薄膜（図示せず）が形成され、パター
ン化される。これらの上に第３絶縁層１６が形成
された後、磁気記録媒体からの信号磁界をMRE
１５に導くための強磁性薄膜、例えばNi−Fe膜
あるいはFe−Al−Si膜、アモルフアス軟磁性膜
が、形成され、フオトリソグラフイ技術によつ
て、前部ヨーク部１７、後部ヨーク部１８が構成
される。この時、前部ヨーク部１７および後部ヨ
ーク部１８はMRE１５と一部オーバーラツプし
ており、磁気記録媒体からの信号磁界が、MRE
１５に導びかれやすいように構成される。次い
で、SiO、SiO2などのパツシベーシヨン膜１９が
形成され、その後、接着剤などによつてガラス、
セラミツク等の保護基板２０が接着される。以上
の工程後、ヘツドテープ摺動面がラツプされて完
成される。第２図における２１は磁気テープであ
りＡはテープ走行方向である。
以上、第２図に示したYMRHは、MRE１５が
記録媒体と直接、接しないため、蒸着テープの使
用が可能になる。ギヤツプ部絶縁層が薄く形成で
きるため、より短波長信号の再生が可能になるな
どの第１図に示したヘツドにない利点を有する
が、以下に述べるような欠点がある。
記録媒体と直接、接しないため、蒸着テープの使
用が可能になる。ギヤツプ部絶縁層が薄く形成で
きるため、より短波長信号の再生が可能になるな
どの第１図に示したヘツドにない利点を有する
が、以下に述べるような欠点がある。
MRE１５における抵抗変化△ρは、電流の向
きと磁化の向きとがなす角度をθ、最大抵抗変化
を△ρmaxとした時 △ρ＝△ρmax cos2θ ……(1) また、MRE１５内の信号磁束密度Bsig、MRE
１５の飽和磁束密度をBsとした時、近似的に sinθBsig／Bs ……(2) が成立し(1)、(2)式より △ρ＝△ρmax｛１−（Bsig／Bs）2｝ ……(3) が導れる。すなわち、MRE１５は磁界変化に対
して第３図のような抵抗変化を示す。
きと磁化の向きとがなす角度をθ、最大抵抗変化
を△ρmaxとした時 △ρ＝△ρmax cos2θ ……(1) また、MRE１５内の信号磁束密度Bsig、MRE
１５の飽和磁束密度をBsとした時、近似的に sinθBsig／Bs ……(2) が成立し(1)、(2)式より △ρ＝△ρmax｛１−（Bsig／Bs）2｝ ……(3) が導れる。すなわち、MRE１５は磁界変化に対
して第３図のような抵抗変化を示す。
このため、MREは、ふつう、バイアス磁界が
印加され、磁気平衡点を、第３図の矢印Ｂに示さ
れる位置にすることにより、高感度化および線形
応答するようにして用いられる。
印加され、磁気平衡点を、第３図の矢印Ｂに示さ
れる位置にすることにより、高感度化および線形
応答するようにして用いられる。
このバイアス磁界を印加する方法として、第２
図に示されたYMRHでは、MRE１５の下部に絶
縁層を介して設けられた第１の導体薄膜１３にバ
イアス電流を流す方法がとられる。
図に示されたYMRHでは、MRE１５の下部に絶
縁層を介して設けられた第１の導体薄膜１３にバ
イアス電流を流す方法がとられる。
また、バイアス導体薄膜材料として、Cr下地
のAu、Alなどが使用されるが、Cr／Auの場合
には、この以後の工程で、熱にさらされるとCr
が拡散し薄膜表面の表面性が悪化する欠点があ
り、Alの場合には蒸着中に酸化され、この場合
にも表面性が悪い欠点があつた。一般に、MRE
は、形成される基板の平滑性により、その特性が
大きく影響される。すなわち、第２図に示した薄
膜磁気ヘツドにおいてはMREの下地基板の凹凸
により、MREの磁区構造が複雑となり、信号磁
界が印加された時に、磁区構造が不連続に変化
し、これに起因するバルクハウゼンノイズが増大
し、良好な信号再生を実現できない欠点があつ
た。
のAu、Alなどが使用されるが、Cr／Auの場合
には、この以後の工程で、熱にさらされるとCr
が拡散し薄膜表面の表面性が悪化する欠点があ
り、Alの場合には蒸着中に酸化され、この場合
にも表面性が悪い欠点があつた。一般に、MRE
は、形成される基板の平滑性により、その特性が
大きく影響される。すなわち、第２図に示した薄
膜磁気ヘツドにおいてはMREの下地基板の凹凸
により、MREの磁区構造が複雑となり、信号磁
界が印加された時に、磁区構造が不連続に変化
し、これに起因するバルクハウゼンノイズが増大
し、良好な信号再生を実現できない欠点があつ
た。
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑みなされたもので、狭ト
ラツク化によりトラツク密度を上げ、さらに狭ギ
ヤツプ化による周波数特性の高帯域化を図り、磁
気テープ磁気記録装置における高密度記録、高信
頼性を実現するもので、特に信号磁界をMREに
導くための強磁性薄膜により形成されるヨークを
有するMRヘツドの高Ｓ／Ｎ化を実現する薄膜磁
気ヘツドを提供することを目的としている。
ラツク化によりトラツク密度を上げ、さらに狭ギ
ヤツプ化による周波数特性の高帯域化を図り、磁
気テープ磁気記録装置における高密度記録、高信
頼性を実現するもので、特に信号磁界をMREに
導くための強磁性薄膜により形成されるヨークを
有するMRヘツドの高Ｓ／Ｎ化を実現する薄膜磁
気ヘツドを提供することを目的としている。
発明の構成
本発明は、強磁性基板を下部磁性層とし、ヨー
クとして作動する強磁性薄膜を前部、後部に分割
され、その両磁性層間にMREを形成する。例え
ば磁気テープからの信号磁束は強磁性薄膜の前部
から流入し強磁性薄膜の前部→MRE→後部と直
列的に流れ、バツクギヤツプ部で下部磁性層であ
る強磁性基板に流入し、最終的に磁気記録媒体に
還流する閉磁路構造を基本としている。そして、
バイアス磁界をMREに印加するための導体薄膜
を強磁性薄膜と下部磁性層間に設けたことを特徴
としている。すなわち導体薄膜にバイアス電流を
流すと、導体薄膜の周りに磁界を発生する。この
磁界は強磁性薄膜の前部および後部および強磁性
基板に導かれてMREにバイアス磁界を印加する。
クとして作動する強磁性薄膜を前部、後部に分割
され、その両磁性層間にMREを形成する。例え
ば磁気テープからの信号磁束は強磁性薄膜の前部
から流入し強磁性薄膜の前部→MRE→後部と直
列的に流れ、バツクギヤツプ部で下部磁性層であ
る強磁性基板に流入し、最終的に磁気記録媒体に
還流する閉磁路構造を基本としている。そして、
バイアス磁界をMREに印加するための導体薄膜
を強磁性薄膜と下部磁性層間に設けたことを特徴
としている。すなわち導体薄膜にバイアス電流を
流すと、導体薄膜の周りに磁界を発生する。この
磁界は強磁性薄膜の前部および後部および強磁性
基板に導かれてMREにバイアス磁界を印加する。
以上の構成により、従来のバルクハウゼンノイ
ズを防止し、高密度記録、高信頼性を有するとと
もに、高Ｓ／Ｎ比を実現できるものである。
ズを防止し、高密度記録、高信頼性を有するとと
もに、高Ｓ／Ｎ比を実現できるものである。
実施例の説明
本発明の実施例について、以下、図面と共に説
明する。
明する。
第４図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘツドの
平面図で、第５図はそのＸ−X′断面図で同一個
所には同一番号を付してある。第４図、第５図に
おいて、Mn−Zn単結晶フエライトなどの強磁性
基板３０は、まず、GC砥石あるいはダイヤモン
ドペーストなどで光学研磨される。そしてこの基
板３０上に0.3μm程度の第１の絶縁層３１、例え
ばSiO2がスパツタによつて強磁性基板３０上全
面に形成される。この膜厚によつてフロントギヤ
ツプ長はコントロールされる。この第１の絶縁層
３１上の同一平面上にMRE３２としてのNi−Fe
膜、共通バイアス用の第１の導電性薄膜３３が蒸
着及びホトリソグラフイ技術によつてトラツク幅
方向に平行に形成される。次に、第１の導電性薄
膜３３上にのみ絶縁層３４がフオトリソグラフイ
技術によつて形成された後、MREにセンス電流
を流すための電極として第２の導電性薄膜３５，
３６が形成される。第１および第２の導電性薄膜
３３，３５，３６の材料としては、Cr下地のAu、
Alなどが使用される。次いで、MRE３２、第２
の導電性薄膜３５，３６を絶縁するためのSiO、
SiO2などの第２の絶縁層３７が蒸着あるいはス
パツタなどで形成される。
平面図で、第５図はそのＸ−X′断面図で同一個
所には同一番号を付してある。第４図、第５図に
おいて、Mn−Zn単結晶フエライトなどの強磁性
基板３０は、まず、GC砥石あるいはダイヤモン
ドペーストなどで光学研磨される。そしてこの基
板３０上に0.3μm程度の第１の絶縁層３１、例え
ばSiO2がスパツタによつて強磁性基板３０上全
面に形成される。この膜厚によつてフロントギヤ
ツプ長はコントロールされる。この第１の絶縁層
３１上の同一平面上にMRE３２としてのNi−Fe
膜、共通バイアス用の第１の導電性薄膜３３が蒸
着及びホトリソグラフイ技術によつてトラツク幅
方向に平行に形成される。次に、第１の導電性薄
膜３３上にのみ絶縁層３４がフオトリソグラフイ
技術によつて形成された後、MREにセンス電流
を流すための電極として第２の導電性薄膜３５，
３６が形成される。第１および第２の導電性薄膜
３３，３５，３６の材料としては、Cr下地のAu、
Alなどが使用される。次いで、MRE３２、第２
の導電性薄膜３５，３６を絶縁するためのSiO、
SiO2などの第２の絶縁層３７が蒸着あるいはス
パツタなどで形成される。
この後、ヨーク部としての強磁性薄膜層、例え
ばNi−Fe膜、Fe−Al−Su膜、アモルフアス軟磁
性膜が形成され、フオトリソグラフイ技術によつ
て、前部ヨーク部３８、後部ヨーク部３９が構成
される。
ばNi−Fe膜、Fe−Al−Su膜、アモルフアス軟磁
性膜が形成され、フオトリソグラフイ技術によつ
て、前部ヨーク部３８、後部ヨーク部３９が構成
される。
次に、パツシベーシヨン膜４０としてSiO、
SiO2層が蒸着あるいはスパツタで形成された後、
保護基板４１たとえばガラス、セラミツクスなど
が接着される。この後、テープ摺動面がラツピン
グされて磁気ヘツドが完成される。第５図におけ
る４２は磁気テープ、矢印は磁気テープ走行方向
を示す。
SiO2層が蒸着あるいはスパツタで形成された後、
保護基板４１たとえばガラス、セラミツクスなど
が接着される。この後、テープ摺動面がラツピン
グされて磁気ヘツドが完成される。第５図におけ
る４２は磁気テープ、矢印は磁気テープ走行方向
を示す。
今、第２の導体薄膜３５，３６にバイアス電流
を流すと誘起された磁界は、後部ヨーク部３９か
ら強磁性基板３０、前部ヨーク部３８へと流れ、
MRE３２にバイアス磁界として印加されること
になる。バイアス磁界はバイアス電流の大きさを
調節することにより、第３図の最適バイアスに設
定される。
を流すと誘起された磁界は、後部ヨーク部３９か
ら強磁性基板３０、前部ヨーク部３８へと流れ、
MRE３２にバイアス磁界として印加されること
になる。バイアス磁界はバイアス電流の大きさを
調節することにより、第３図の最適バイアスに設
定される。
なお、バイアス用導体薄膜は前部ヨーク部３８
の下層に設けることも可能である。
の下層に設けることも可能である。
しかし、後部ヨーク部３９の下層に設けた場合
には、フロントギヤツプからのバイアス磁界の漏
洩が少なく、磁性媒体にほとんど悪影響を与えな
いバイアス印加が可能である。
には、フロントギヤツプからのバイアス磁界の漏
洩が少なく、磁性媒体にほとんど悪影響を与えな
いバイアス印加が可能である。
発明の効果
本発明による薄膜磁気ヘツドにおいては、以下
の効果を得ることができる。
の効果を得ることができる。
(1) 磁気抵抗効果を有する金属薄膜（以下MRE
という）は光学研磨された強磁性基板上に絶縁
層を介して形成され、前記MREの下層にバイ
アス用の導体が存在しないので絶縁層表面の表
面性は強磁性基板のそれとほぼ同一で、表面性
悪化による磁気抵抗効果特性の劣化がほとんど
ない。すなわち、磁区構造の不連続変化に起因
するバルクハウゼンノイズなどをほとんど発生
せずＳ／Ｎの高い信号再生を実現することがで
きる。
という）は光学研磨された強磁性基板上に絶縁
層を介して形成され、前記MREの下層にバイ
アス用の導体が存在しないので絶縁層表面の表
面性は強磁性基板のそれとほぼ同一で、表面性
悪化による磁気抵抗効果特性の劣化がほとんど
ない。すなわち、磁区構造の不連続変化に起因
するバルクハウゼンノイズなどをほとんど発生
せずＳ／Ｎの高い信号再生を実現することがで
きる。
(2) バイアス磁界に対しても、磁気回路構成は閉
磁路となつており、効率良くMREにバイアス
磁界を印加できる。
磁路となつており、効率良くMREにバイアス
磁界を印加できる。
(3) さらに２分割された強磁性薄膜の後部の下層
にバイアス用導体薄膜を設けることにより、フ
ロントギヤツプからのバイアス磁界の漏洩を少
なくし、磁性媒体に悪影響を与えないバイアス
印加が可能になる。
にバイアス用導体薄膜を設けることにより、フ
ロントギヤツプからのバイアス磁界の漏洩を少
なくし、磁性媒体に悪影響を与えないバイアス
印加が可能になる。
第１図は従来の磁気抵抗効果型ヘツドの断面
図、第２図は従来のヨークを有する磁気ヘツドの
断面図、第３図は磁気抵抗効果型ヘツドの磁界強
度による抵抗変化を示す特性図、第４図は本発明
の一実施例における薄膜磁気ヘツドを示す平面
図、第５図は同断面図である。 ３０…強磁性基板、３１…第１の絶縁層、３２
…磁気抵抗効果素子、３３…第１の導電性薄膜、
３４…絶縁層、３５，３６…第２の導電性薄膜、
３７…第２の絶縁層、３８…前部ヨーク部、３９
…後部ヨーク部。
図、第２図は従来のヨークを有する磁気ヘツドの
断面図、第３図は磁気抵抗効果型ヘツドの磁界強
度による抵抗変化を示す特性図、第４図は本発明
の一実施例における薄膜磁気ヘツドを示す平面
図、第５図は同断面図である。 ３０…強磁性基板、３１…第１の絶縁層、３２
…磁気抵抗効果素子、３３…第１の導電性薄膜、
３４…絶縁層、３５，３６…第２の導電性薄膜、
３７…第２の絶縁層、３８…前部ヨーク部、３９
…後部ヨーク部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 強磁性基板上に第１の絶縁層を形成し、上記
第１の絶縁層上に磁気抵抗効果を有する金属薄膜
と、上記金属薄膜にセンス電流を流す一対の電極
と、上記金属薄膜にバイアス磁界を印加する導体
薄膜を上記金属薄膜に平行に形成し、第２の絶縁
層を介して上記金属薄膜のほぼ中央部で前部、後
部に分割され磁気記録媒体からの信号磁界を上記
金属薄膜に導く強磁性薄膜を形成したことを特徴
とする薄膜磁気ヘツド。 ２ ２分割された強磁性薄膜の後部を導体薄膜の
上部に形成したことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20002684A JPS6177115A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20002684A JPS6177115A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177115A JPS6177115A (ja) | 1986-04-19 |
| JPH0542729B2 true JPH0542729B2 (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=16417577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20002684A Granted JPS6177115A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177115A (ja) |
-
1984
- 1984-09-25 JP JP20002684A patent/JPS6177115A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6177115A (ja) | 1986-04-19 |
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